JPH05220320A - 冷却による低温圧力スイング吸収 - Google Patents
冷却による低温圧力スイング吸収Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 冷却による低温圧力スインブ吸収法を提供す
る。 【構成】 外部供給冷却を必要とせずに内部冷却効果を
保持使用。
る。 【構成】 外部供給冷却を必要とせずに内部冷却効果を
保持使用。
Description
【0001】発明の分野 本発明はガス分離に関する。更に特定するに、本発明は
空気からの高められた酸素生産に関する。
空気からの高められた酸素生産に関する。
【0002】従来技術の説明 吸収方法はガスの分離精製に広く用いられてきた。高い
表面積の吸収剤ないし吸収媒はその表面にガス分子を吸
収するための親和性を有する。吸収されるガスの量は、
用いられる特定の吸収媒、吸収されるガス及び吸収操作
の実施される温度圧力条件に依り左右される。ほとんど
の吸収媒では、吸収されるガス成分の分圧が上昇しまた
吸収温度が低下するにつれ吸収量は増加する。かくし
て、吸収されるガスの量は、吸収温度を低下させること
により増加しうる。ほとんどの実際的応用において吸収
媒を再生して吸収プロセスを循環基準で反復しうるよう
に吸収されたガスを脱着することが必要である。脱着工
程は高温低圧で最もよく進行する。それ故、かかる実際
的適用では、吸収工程と脱着工程との間で、圧力もしく
は温度、または圧力と温度とを循環基準で変化させ、或
は「スイング」させねばならない。ガス分離のためのこ
れら二つの基本的方策は、圧力スイング吸収(PSA)
及び温度スイング吸収(TSA)と呼称される。
表面積の吸収剤ないし吸収媒はその表面にガス分子を吸
収するための親和性を有する。吸収されるガスの量は、
用いられる特定の吸収媒、吸収されるガス及び吸収操作
の実施される温度圧力条件に依り左右される。ほとんど
の吸収媒では、吸収されるガス成分の分圧が上昇しまた
吸収温度が低下するにつれ吸収量は増加する。かくし
て、吸収されるガスの量は、吸収温度を低下させること
により増加しうる。ほとんどの実際的応用において吸収
媒を再生して吸収プロセスを循環基準で反復しうるよう
に吸収されたガスを脱着することが必要である。脱着工
程は高温低圧で最もよく進行する。それ故、かかる実際
的適用では、吸収工程と脱着工程との間で、圧力もしく
は温度、または圧力と温度とを循環基準で変化させ、或
は「スイング」させねばならない。ガス分離のためのこ
れら二つの基本的方策は、圧力スイング吸収(PSA)
及び温度スイング吸収(TSA)と呼称される。
【0003】近年、PSA法が、空気から酸素と窒素を
生産するために開発されてきた。かかる方法では、空気
から易吸収性成分すなわち窒素または酸素を選択的に吸
収しうる吸収媒を含有する吸収層に供給空気を通し、他
方難吸収性成分を吸収層から排出する。このようなPS
A法の挙動は、吸収及び脱着が生じる温度条件によって
明らかに影響されるが、ほとんどのPSA法は、吸収操
作に関係する温度条件を制御するための特定手段を用い
ずに概ね周囲温度条件下で作動するよう設計されてき
た。
生産するために開発されてきた。かかる方法では、空気
から易吸収性成分すなわち窒素または酸素を選択的に吸
収しうる吸収媒を含有する吸収層に供給空気を通し、他
方難吸収性成分を吸収層から排出する。このようなPS
A法の挙動は、吸収及び脱着が生じる温度条件によって
明らかに影響されるが、ほとんどのPSA法は、吸収操
作に関係する温度条件を制御するための特定手段を用い
ずに概ね周囲温度条件下で作動するよう設計されてき
た。
【0004】PSA系においては、熱は、吸収時放出さ
れ、脱着時吸収媒に吸収される。かくして、吸収床の温
度は吸収工程の間上昇傾向があり、床の温度は脱着工程
の間降下する。ただ掃気(パージ)によってのみ効果的
に脱着しうる、強力に吸収された不純物にして、それほ
ど強力には吸収されない成分の吸収を妨げるべく作用す
る不純物が吸収媒に本質上ない限り、温度変化は、吸収
層が上位吸収圧力に加圧され或は下位脱着圧力に減圧さ
れるPSAサイクル部分で最も顕著である。また、吸収
媒物質床を収容させるのに用いられる容器内のディスト
リビューター手段または頭部空間の如き吸収系内の開放
ガス空間の加圧ないし減圧も、その中のガスの圧縮ない
し膨張によってなされる可逆的仕事により温度変化を惹
起する。PSA法の如き起動的プロセスでは、吸収ない
し圧縮熱のほとんどが流動する供給ガス(例えば空気)
流れに移され、吸収層から搬出される。酸素及び(また
は)窒素を空気から生産するのに用いられる如き代表的
PSA法プロセスでは、吸収時のガスの前方流れは脱着
時の後方流れに勝る。その結果、エンタルピーの純流れ
前方があり、それは、その中の温度振幅が床入口近傍よ
り大きいとき、PSA系で用いられる吸収床の平均温度
を低下する傾向がある。
れ、脱着時吸収媒に吸収される。かくして、吸収床の温
度は吸収工程の間上昇傾向があり、床の温度は脱着工程
の間降下する。ただ掃気(パージ)によってのみ効果的
に脱着しうる、強力に吸収された不純物にして、それほ
ど強力には吸収されない成分の吸収を妨げるべく作用す
る不純物が吸収媒に本質上ない限り、温度変化は、吸収
層が上位吸収圧力に加圧され或は下位脱着圧力に減圧さ
れるPSAサイクル部分で最も顕著である。また、吸収
媒物質床を収容させるのに用いられる容器内のディスト
リビューター手段または頭部空間の如き吸収系内の開放
ガス空間の加圧ないし減圧も、その中のガスの圧縮ない
し膨張によってなされる可逆的仕事により温度変化を惹
起する。PSA法の如き起動的プロセスでは、吸収ない
し圧縮熱のほとんどが流動する供給ガス(例えば空気)
流れに移され、吸収層から搬出される。酸素及び(また
は)窒素を空気から生産するのに用いられる如き代表的
PSA法プロセスでは、吸収時のガスの前方流れは脱着
時の後方流れに勝る。その結果、エンタルピーの純流れ
前方があり、それは、その中の温度振幅が床入口近傍よ
り大きいとき、PSA系で用いられる吸収床の平均温度
を低下する傾向がある。
【0005】空気から酸素を生産するPSA法に対する
温度の影響については、Iazmi等が、「低温低圧P
SAによる高能率酸素分離」(1989年11月、カリ
フォルニア州サンフランシスコ所在のAIChE発行)
で論じている。報告された研究では、供給空気から窒素
を選択的に吸収しうる五つの異なる分子篩タイプ吸収媒
が調査されており、該剤にNa−X(Si/Al比の異
なる2種)、Ca−A、Ca−X及びSi−Xが含まれ
る。アルカリ土カチオン(Ca及びSr)を有する吸収
媒は近室温で最良のN2 /O2 分離率を示すが、Na−
X吸収媒に関しては分離率が約−30℃で最高に達する
とわかった。すべての場合において、窒素貯蔵容量は、
上記の如き吸収理論から予想されるように温度が低下す
るにつれ増加した。Ca−A及びNa−X吸収媒を用い
た卓上規模プロセス試験により、Ca−A吸収媒が0℃
〜室温の間で機能するのに対し、Na−X吸収媒は0℃
を十分下回る温度で最もよく機能することが確認され
た。これらの試験で、吸収床はサーモスタットで調温さ
れ、効果的に固定温度に保持された。より大規模なパイ
ロット試験も亦、Na−X吸収媒物質によって機能し
た。冷却コイルを床内に組み入れ、且つ熱再生セクショ
ンを、入ってくる供給空気の乾燥に用いられる乾燥剤セ
クションと吸収媒床との間に用いて供給ガス流れより低
い床温度を達成した。かかる試験により、吸収温度が−
15℃の公称値に低下するとき吸収効率が高まり、また
コストが下がることが確認された。試験は恒温条件より
断熱下でより綿密に作動し、温度は一様でなかった。こ
れらの試験は、Na−X吸収媒を用いたPSA法を周囲
以下の作業温度で操作することが有利であることを示し
ている。所望の低い吸収媒層温度を達成するのに外部冷
却が用いられた。同様に、約0.3気圧の最適脱着圧力
が用いられた。
温度の影響については、Iazmi等が、「低温低圧P
SAによる高能率酸素分離」(1989年11月、カリ
フォルニア州サンフランシスコ所在のAIChE発行)
で論じている。報告された研究では、供給空気から窒素
を選択的に吸収しうる五つの異なる分子篩タイプ吸収媒
が調査されており、該剤にNa−X(Si/Al比の異
なる2種)、Ca−A、Ca−X及びSi−Xが含まれ
る。アルカリ土カチオン(Ca及びSr)を有する吸収
媒は近室温で最良のN2 /O2 分離率を示すが、Na−
X吸収媒に関しては分離率が約−30℃で最高に達する
とわかった。すべての場合において、窒素貯蔵容量は、
上記の如き吸収理論から予想されるように温度が低下す
るにつれ増加した。Ca−A及びNa−X吸収媒を用い
た卓上規模プロセス試験により、Ca−A吸収媒が0℃
〜室温の間で機能するのに対し、Na−X吸収媒は0℃
を十分下回る温度で最もよく機能することが確認され
た。これらの試験で、吸収床はサーモスタットで調温さ
れ、効果的に固定温度に保持された。より大規模なパイ
ロット試験も亦、Na−X吸収媒物質によって機能し
た。冷却コイルを床内に組み入れ、且つ熱再生セクショ
ンを、入ってくる供給空気の乾燥に用いられる乾燥剤セ
クションと吸収媒床との間に用いて供給ガス流れより低
い床温度を達成した。かかる試験により、吸収温度が−
15℃の公称値に低下するとき吸収効率が高まり、また
コストが下がることが確認された。試験は恒温条件より
断熱下でより綿密に作動し、温度は一様でなかった。こ
れらの試験は、Na−X吸収媒を用いたPSA法を周囲
以下の作業温度で操作することが有利であることを示し
ている。所望の低い吸収媒層温度を達成するのに外部冷
却が用いられた。同様に、約0.3気圧の最適脱着圧力
が用いられた。
【0006】しかしながら、上記とは対照的に、他の研
究者は、低い吸収媒床温度がPSA系性能に悪影響する
ことを見出している。Collinsの米国特許第3,
973,931号は、酸素を空気から生産するための過
圧PSA法で軸方向の非常に大きな温度差が生じうるこ
とを発見した。ゼオライト分子篩物質の吸収層で50℃
より大きな温度差が観察された。床の供給端部近傍で非
常に大きな温度勾配が確立され、床の供給端部から1f
t程度で最低温度になり、漸次上昇する温度が床の残部
全体にわたって存在するとわかった。反復式吸収−脱着
の循環後、温度分布は、各サイクルでのごく僅かな差を
持続した。Collinsは、これらの温度差条件がか
かる過圧PSAサイクルを用いた酸素の純度及び回収に
有害であることを見出した。その結果、Collins
は、供給空気流れを少なくとも20°F(11℃)まで
加熱することから改良操作が得られると教示した。提示
された操作データーは、大きな軸方向の温度差が持続
し、それによって、吸収媒床の残部全体の温度の如く最
低床温度が上昇する。Collinsは、入口端部温度
降下を「不注意な熱再生工程」に帰し、床のこの入口端
部領域での供給流れから水蒸気不純物が吸収されている
とき温度降下が最大であることを示している。Coll
insは、供給空気圧縮アフタークーラーを制御し或は
部分バイパスさせることを含む、供給流れ温度を上げる
ためのいくつかの手段を提案している。供給空気圧縮の
熱は、Collinsの教示の実施に従った改良プロセ
スに用いられる幾分、より高い供給空気温度をもたらす
のに適する以上の熱である。
究者は、低い吸収媒床温度がPSA系性能に悪影響する
ことを見出している。Collinsの米国特許第3,
973,931号は、酸素を空気から生産するための過
圧PSA法で軸方向の非常に大きな温度差が生じうるこ
とを発見した。ゼオライト分子篩物質の吸収層で50℃
より大きな温度差が観察された。床の供給端部近傍で非
常に大きな温度勾配が確立され、床の供給端部から1f
t程度で最低温度になり、漸次上昇する温度が床の残部
全体にわたって存在するとわかった。反復式吸収−脱着
の循環後、温度分布は、各サイクルでのごく僅かな差を
持続した。Collinsは、これらの温度差条件がか
かる過圧PSAサイクルを用いた酸素の純度及び回収に
有害であることを見出した。その結果、Collins
は、供給空気流れを少なくとも20°F(11℃)まで
加熱することから改良操作が得られると教示した。提示
された操作データーは、大きな軸方向の温度差が持続
し、それによって、吸収媒床の残部全体の温度の如く最
低床温度が上昇する。Collinsは、入口端部温度
降下を「不注意な熱再生工程」に帰し、床のこの入口端
部領域での供給流れから水蒸気不純物が吸収されている
とき温度降下が最大であることを示している。Coll
insは、供給空気圧縮アフタークーラーを制御し或は
部分バイパスさせることを含む、供給流れ温度を上げる
ためのいくつかの手段を提案している。供給空気圧縮の
熱は、Collinsの教示の実施に従った改良プロセ
スに用いられる幾分、より高い供給空気温度をもたらす
のに適する以上の熱である。
【0007】かくして、PSA−空気分離技法は吸収媒
物質の選択、吸収ないし脱着の圧力レベル及び推奨され
る操作温度レベルについて異なる教示を含み、而して温
度に関しては周囲以下と周囲以上との両方が推奨されて
いる。それにもかかわらず、上記の如く、ほとんどの工
業的PSA−空気分離法は、温度制御なしで且つ循環式
吸収−脱着操作時生じる熱効果を特に考慮せずに周囲条
件下で操作される。
物質の選択、吸収ないし脱着の圧力レベル及び推奨され
る操作温度レベルについて異なる教示を含み、而して温
度に関しては周囲以下と周囲以上との両方が推奨されて
いる。それにもかかわらず、上記の如く、ほとんどの工
業的PSA−空気分離法は、温度制御なしで且つ循環式
吸収−脱着操作時生じる熱効果を特に考慮せずに周囲条
件下で操作される。
【0008】無論、実際上工業的な空気及び他のガス分
離操作の絶えず増大する要件を一層十分に満たすようP
SA操作を改良することの要望が斯界に存在する。かか
る斯界における要望は特に、循環式PSA操作中に生じ
る加熱効果を無視するのでなくむしろ該効果を利用する
有利なPSA系を以て酸素ないし他の所望生成物の回収
を高めることに関する。しかしながら、このような高め
られた操作の場合、PSA系は、Izami等の教示に
従って用いられる外部冷却の如き比較的高価な補助装置
の使用を排除することが望ましい。
離操作の絶えず増大する要件を一層十分に満たすようP
SA操作を改良することの要望が斯界に存在する。かか
る斯界における要望は特に、循環式PSA操作中に生じ
る加熱効果を無視するのでなくむしろ該効果を利用する
有利なPSA系を以て酸素ないし他の所望生成物の回収
を高めることに関する。しかしながら、このような高め
られた操作の場合、PSA系は、Izami等の教示に
従って用いられる外部冷却の如き比較的高価な補助装置
の使用を排除することが望ましい。
【0009】本発明の一つの目的は空気からの酸素生産
及び他の望ましいガス分離のための改良されたPSA法
ないし装置を提供することである。本発明の他の目的
は、外部冷却の必要性を排除するように循環式吸収−脱
着順序過程で生じる熱効果を利用するPSAガス分離法
ないし装置を提供することである。本発明の別の目的は
供給空気からの酸素生産の全効率ないし経済を高めるP
SA法ないしPSA系を提供することである。叙上ない
し他の目的に注目しながら、以下本発明を詳述する。な
お、本発明の新規な特徴については、特に前掲特許請求
の範囲で指摘されている。
及び他の望ましいガス分離のための改良されたPSA法
ないし装置を提供することである。本発明の他の目的
は、外部冷却の必要性を排除するように循環式吸収−脱
着順序過程で生じる熱効果を利用するPSAガス分離法
ないし装置を提供することである。本発明の別の目的は
供給空気からの酸素生産の全効率ないし経済を高めるP
SA法ないしPSA系を提供することである。叙上ない
し他の目的に注目しながら、以下本発明を詳述する。な
お、本発明の新規な特徴については、特に前掲特許請求
の範囲で指摘されている。
【0010】発明の概要 本発明は、吸収媒床の平均温度が低められるよう制御さ
れた内部発生自冷却保持の手段を設けたPSA法ないし
PSA系を含む。それにより、空気分離プロセスの全効
率ないし経済は高められる。
れた内部発生自冷却保持の手段を設けたPSA法ないし
PSA系を含む。それにより、空気分離プロセスの全効
率ないし経済は高められる。
【0011】発明の詳細な説明 本発明の目的は、外部供給冷却を必要とせずに、所要冷
却が内部供給される、周囲温度を下回った床温度でPS
A法ないしPSA系を操作することにより遂行される。
かくして、吸収媒床の平均温度が低められるようPSA
サイクルの内部冷却効果を保持し且つ利用することによ
って、PSA空気もしくは他のガス分離操作の全効率な
いし経済が高められる。
却が内部供給される、周囲温度を下回った床温度でPS
A法ないしPSA系を操作することにより遂行される。
かくして、吸収媒床の平均温度が低められるようPSA
サイクルの内部冷却効果を保持し且つ利用することによ
って、PSA空気もしくは他のガス分離操作の全効率な
いし経済が高められる。
【0012】空気からの所望される高性能酸素分離ない
し他のガス分離は、本発明のプラクティスにおいて、本
明細書に記載の如き、ゼオライト分子篩吸収媒例えばN
a−X型を編入したPSA系にして、本明細書に特定さ
れる如き吸収/脱着圧力条件で操作される該系を用い達
成される。エンタルピーの前方流れはその後方流れに勝
り、かくして吸収媒床の平均温度を効果的に低下させる
純冷却が創生される。かかる冷却の減損は、容器絶縁、
吸収媒床を収容する吸収媒容器内の端部空間の充填並び
に、入ってくる供給空気の乾燥に通常用いられる乾燥剤
−吸収媒層間のみならず層の供給端部代表的には底部末
端での熱再生領域の使用を組合せることにより排除され
る。かくして、本発明は外部冷却の使用を必要としな
い。保持される自己再生冷却の量は、熱再生領域のデザ
イン特性及び用いられる絶縁量により制御することがで
きる。平均床温度の微調整ないし制御は供給ガス例えば
空気の温度制御により達成され、また該温度は、圧縮ア
フタークーラーで達成される冷却度を調整することによ
り遂行される。
し他のガス分離は、本発明のプラクティスにおいて、本
明細書に記載の如き、ゼオライト分子篩吸収媒例えばN
a−X型を編入したPSA系にして、本明細書に特定さ
れる如き吸収/脱着圧力条件で操作される該系を用い達
成される。エンタルピーの前方流れはその後方流れに勝
り、かくして吸収媒床の平均温度を効果的に低下させる
純冷却が創生される。かかる冷却の減損は、容器絶縁、
吸収媒床を収容する吸収媒容器内の端部空間の充填並び
に、入ってくる供給空気の乾燥に通常用いられる乾燥剤
−吸収媒層間のみならず層の供給端部代表的には底部末
端での熱再生領域の使用を組合せることにより排除され
る。かくして、本発明は外部冷却の使用を必要としな
い。保持される自己再生冷却の量は、熱再生領域のデザ
イン特性及び用いられる絶縁量により制御することがで
きる。平均床温度の微調整ないし制御は供給ガス例えば
空気の温度制御により達成され、また該温度は、圧縮ア
フタークーラーで達成される冷却度を調整することによ
り遂行される。
【0013】本明細書で言及されるゼオライト分子篩吸
収媒を用いて達成される平衡型PSA法では、上位吸収
圧力で床に通される供給ガスの易吸収性成分もしくは重
質成分が選択的に吸収され、またその供給端部からその
生成端部へと通る吸収フロントを形成する一方、難吸収
性成分もしくは軽質成分は床を通り、下流での後続処理
及び(または)使用に備えその生成端部から上位吸収圧
力で回収される。かかる平衡型プロセスにおいて、窒素
は供給空気の易吸収性成分を構成し、酸素は難吸収性成
分を構成する。この吸収工程の完了時、床は随意、床の
生成端部からのガス放出により中圧レベルへと並流で減
圧され得、放出されたガスは系内の別の層と共に均圧化
のため並びに(或は)別の床のパージガスとして用いら
れる。この時間、易吸収性成分の吸収フロントは、床の
生成端部にむけて前進するが、しかしそれからの漏出は
ない。次いで、床は向流で、床の供給端部からのガス放
出により下位脱着圧力に減圧されるが、その際易吸収性
成分例えば空気分離における窒素の、床からの脱着除去
を高めるため下位脱着圧力レベルでの後続パージを伴う
こともあれば伴わないこともある。この脱着/パージ工
程の完了時、床はその生成端部における酸素に富んだ生
成物の導入により中圧へと部分的に再加圧されうる。引
続き、床は、循環式PSAプロセス順序が継続されると
きその上位吸収圧力に再加圧され、各後続吸収工程の間
供給空気の追量が床に通される。上記タイプの代表的P
SAサイクルにおいて、ガスの前方流れは床中ガスの後
方流れに勝り、純流れ前方をもたらす。
収媒を用いて達成される平衡型PSA法では、上位吸収
圧力で床に通される供給ガスの易吸収性成分もしくは重
質成分が選択的に吸収され、またその供給端部からその
生成端部へと通る吸収フロントを形成する一方、難吸収
性成分もしくは軽質成分は床を通り、下流での後続処理
及び(または)使用に備えその生成端部から上位吸収圧
力で回収される。かかる平衡型プロセスにおいて、窒素
は供給空気の易吸収性成分を構成し、酸素は難吸収性成
分を構成する。この吸収工程の完了時、床は随意、床の
生成端部からのガス放出により中圧レベルへと並流で減
圧され得、放出されたガスは系内の別の層と共に均圧化
のため並びに(或は)別の床のパージガスとして用いら
れる。この時間、易吸収性成分の吸収フロントは、床の
生成端部にむけて前進するが、しかしそれからの漏出は
ない。次いで、床は向流で、床の供給端部からのガス放
出により下位脱着圧力に減圧されるが、その際易吸収性
成分例えば空気分離における窒素の、床からの脱着除去
を高めるため下位脱着圧力レベルでの後続パージを伴う
こともあれば伴わないこともある。この脱着/パージ工
程の完了時、床はその生成端部における酸素に富んだ生
成物の導入により中圧へと部分的に再加圧されうる。引
続き、床は、循環式PSAプロセス順序が継続されると
きその上位吸収圧力に再加圧され、各後続吸収工程の間
供給空気の追量が床に通される。上記タイプの代表的P
SAサイクルにおいて、ガスの前方流れは床中ガスの後
方流れに勝り、純流れ前方をもたらす。
【0014】各吸収媒床の温度は、循環式PSA操作時
位置及び時間に依って変化する。圧力変化は、床内の局
部温度に顕著な影響を有するとわかった。圧力の低下は
代表的には床内のガス及び吸収媒物質双方の温度を低め
る。また、吸収容器における開放ガス空間の減圧はその
中の局部的ガス温度を低める。減圧に伴う温度低下は後
方流れ低圧ガス流れの平均温度を前方流れ高圧ガス流れ
のそれよりも低下せしめる。
位置及び時間に依って変化する。圧力変化は、床内の局
部温度に顕著な影響を有するとわかった。圧力の低下は
代表的には床内のガス及び吸収媒物質双方の温度を低め
る。また、吸収容器における開放ガス空間の減圧はその
中の局部的ガス温度を低める。減圧に伴う温度低下は後
方流れ低圧ガス流れの平均温度を前方流れ高圧ガス流れ
のそれよりも低下せしめる。
【0015】本明細書で言及されるタイプの代表的PS
Aサイクルの場合、エンタルピーの前方流れはエンタル
ピーの後方流れに勝り、床の生成端部にわたって床外の
エンタルピーの純前方流れがあるとわかった。このよう
な状態が持続する間、層温度は、エンタルピー流れが平
衡を保ち且つ動的定常状態が確立されるまで低下傾向が
ある。ほとんどの系が定常状態への傾向があるとわかっ
たが、温度制御の適当な手段が用いられないときは未制
御の温度急騰のある例がいくつか観察された。
Aサイクルの場合、エンタルピーの前方流れはエンタル
ピーの後方流れに勝り、床の生成端部にわたって床外の
エンタルピーの純前方流れがあるとわかった。このよう
な状態が持続する間、層温度は、エンタルピー流れが平
衡を保ち且つ動的定常状態が確立されるまで低下傾向が
ある。ほとんどの系が定常状態への傾向があるとわかっ
たが、温度制御の適当な手段が用いられないときは未制
御の温度急騰のある例がいくつか観察された。
【0016】床での局部的温度シフトは、吸収媒上での
易吸収性成分及びいくらかの難吸収性成分の全吸収にお
ける局部変化が最大のとき最高である。本発明のPSA
−酸素プロセスでは、最大吸収変化は、床の乾燥領域に
おける供給空気からの水蒸気ないし二酸化炭素除去後床
の供給端部近傍における窒素ないしいくらかの酸素吸収
による。この床における最大吸収変化領域の上流では、
水蒸気及び二酸化炭素の吸収が熱を発生し且つ大きな温
度変化をも惹起しうるが、しかしこれらの変化は主に、
前方ないし後方ガス流れがほぼ等しい平均温度を有する
如き態様で生じる。しかしながら、床の乾燥領域での脱
着の結果生じた冷却を戻すために、熱再生帯域は、図1
に示す如き床の乾燥セクションよりも上流の床の供給端
部に位置する。窒素吸収領域では、逆流が床の生成物の
供給端部からの前方流れの90%程度の多さでありう
る。前方及び後方流れガス流の大きな温度差と組合せら
れたかかる条件は局部的な床温度での大きな低下をもた
らす。異なる帯域の熱挙動におけるこれらの差は結局、
本発明の再生帯域により高められる床内軸方向の大きな
温度勾配をもたらす。
易吸収性成分及びいくらかの難吸収性成分の全吸収にお
ける局部変化が最大のとき最高である。本発明のPSA
−酸素プロセスでは、最大吸収変化は、床の乾燥領域に
おける供給空気からの水蒸気ないし二酸化炭素除去後床
の供給端部近傍における窒素ないしいくらかの酸素吸収
による。この床における最大吸収変化領域の上流では、
水蒸気及び二酸化炭素の吸収が熱を発生し且つ大きな温
度変化をも惹起しうるが、しかしこれらの変化は主に、
前方ないし後方ガス流れがほぼ等しい平均温度を有する
如き態様で生じる。しかしながら、床の乾燥領域での脱
着の結果生じた冷却を戻すために、熱再生帯域は、図1
に示す如き床の乾燥セクションよりも上流の床の供給端
部に位置する。窒素吸収領域では、逆流が床の生成物の
供給端部からの前方流れの90%程度の多さでありう
る。前方及び後方流れガス流の大きな温度差と組合せら
れたかかる条件は局部的な床温度での大きな低下をもた
らす。異なる帯域の熱挙動におけるこれらの差は結局、
本発明の再生帯域により高められる床内軸方向の大きな
温度勾配をもたらす。
【0017】図1中、本発明の自冷却性PSA床は、総
称的に参照番号1で示された吸収容器内に位置するもの
として図示される。該容器は底部ディストリビューター
手段3へと供給空気を通す供給空気入口管2を有する。
先に言及した最初の熱再生帯域4は、該ディストリビュ
ーター空間もしくは手段3上で且つ乾燥セクション5の
上流すなわち該セクションの下に位置する。乾燥セクシ
ョン5の下流すなわち該セクションの上方部分は図1に
記述の如く別の熱再生帯域6を含む。吸収媒床7は容器
1内の乾燥セクション5上に位置し、空気からの所望さ
れる選択的窒素吸収のための該容器内の主要領域であ
る。吸収媒床7上に、容器1は上位ディストリビュータ
ー空間もしくは手段8と生成物酸素排出管9を含む。本
発明の他の要素との組合せで容器からの冷却損失を防止
すべく容器1に絶縁壁1Aが設けられている。他の要素
として、この図に示される如き底部ディストリビュータ
ー空間の充填及び本発明の特定の具体化における一つな
いし二つの熱再生帯域の使用が含まれる。かかる再生帯
域の一つは上記の如く底部ディストリビューター空間の
すぐ下流の容器供給端部に位置し、他は、もし使われる
なら、所望の空気分離目的で用いられる主な吸収媒床領
域のすぐ上流にある予備乾燥セクションの下流部分を含
む。
称的に参照番号1で示された吸収容器内に位置するもの
として図示される。該容器は底部ディストリビューター
手段3へと供給空気を通す供給空気入口管2を有する。
先に言及した最初の熱再生帯域4は、該ディストリビュ
ーター空間もしくは手段3上で且つ乾燥セクション5の
上流すなわち該セクションの下に位置する。乾燥セクシ
ョン5の下流すなわち該セクションの上方部分は図1に
記述の如く別の熱再生帯域6を含む。吸収媒床7は容器
1内の乾燥セクション5上に位置し、空気からの所望さ
れる選択的窒素吸収のための該容器内の主要領域であ
る。吸収媒床7上に、容器1は上位ディストリビュータ
ー空間もしくは手段8と生成物酸素排出管9を含む。本
発明の他の要素との組合せで容器からの冷却損失を防止
すべく容器1に絶縁壁1Aが設けられている。他の要素
として、この図に示される如き底部ディストリビュータ
ー空間の充填及び本発明の特定の具体化における一つな
いし二つの熱再生帯域の使用が含まれる。かかる再生帯
域の一つは上記の如く底部ディストリビューター空間の
すぐ下流の容器供給端部に位置し、他は、もし使われる
なら、所望の空気分離目的で用いられる主な吸収媒床領
域のすぐ上流にある予備乾燥セクションの下流部分を含
む。
【0018】初期、空気と平衡状態にあるゼオライト分
子篩例えばNaX型物質の床の温度シフトは、床圧力が
125kPaから50kPaに変化するとき概ね約−5
℃である。同じ減圧に付される純窒素の場合、温度シフ
トは約−6℃であり、また純酸素の場合、それは約−2
℃に過ぎない。このことは、窒素が酸素よりも強く吸収
され、より高い吸収熱を有する故に予想される。−5℃
の表示シフトで、逆流が前衛流れの90%であるとき、
温度低下は約−45℃と測定された。この低下は、窒素
吸収帯域すなわち図1の吸収床7の供給端部近傍で生じ
るようであり、更により小さな温度低下が床の下流で生
じる。かくして、このような圧力変化するPSAプロセ
スサイクルの過程でかなりの量の内部冷却が自然発生す
る。かかる内部発生冷却は、大気圧より高い高圧PSA
サイクルの場合更に大きいとわかり、而してColli
nsの観察が確認された。
子篩例えばNaX型物質の床の温度シフトは、床圧力が
125kPaから50kPaに変化するとき概ね約−5
℃である。同じ減圧に付される純窒素の場合、温度シフ
トは約−6℃であり、また純酸素の場合、それは約−2
℃に過ぎない。このことは、窒素が酸素よりも強く吸収
され、より高い吸収熱を有する故に予想される。−5℃
の表示シフトで、逆流が前衛流れの90%であるとき、
温度低下は約−45℃と測定された。この低下は、窒素
吸収帯域すなわち図1の吸収床7の供給端部近傍で生じ
るようであり、更により小さな温度低下が床の下流で生
じる。かくして、このような圧力変化するPSAプロセ
スサイクルの過程でかなりの量の内部冷却が自然発生す
る。かかる内部発生冷却は、大気圧より高い高圧PSA
サイクルの場合更に大きいとわかり、而してColli
nsの観察が確認された。
【0019】内部発生自冷却の保持を制御し且つ吸収媒
床の平均温度を低下させる如き本発明の例示的プラクテ
ィスにおいて、酸素純度93%では15トン/日の酸素
生産を達成すべくNaX型ゼオライト分子篩吸収媒を用
いがPSAプロセス操作に夫々125kPa及び50k
Paの吸収圧力及び脱着圧力に基づくシミュレーション
が用いられる。
床の平均温度を低下させる如き本発明の例示的プラクテ
ィスにおいて、酸素純度93%では15トン/日の酸素
生産を達成すべくNaX型ゼオライト分子篩吸収媒を用
いがPSAプロセス操作に夫々125kPa及び50k
Paの吸収圧力及び脱着圧力に基づくシミュレーション
が用いられる。
【0020】絶縁PSA容器は、例えば、高さ約6in
の底部ディストリビューター空間、1inの再生セクシ
ョン、水、二酸化炭素、重質炭化水素等の除去用乾燥剤
を含む8inの乾燥セクション、供給空気からの選択的
窒素吸収用の50in吸収媒セクション並びに約7in
の頂部ディストリビューター空間を含む。容器内の冷却
損失を最低限に抑えるべく約2in圧の慣用絶縁を用い
た。本発明のために、底部ディストリビューター空間な
いし手段を5/16inの伝導性黄銅球体で充填して該
空間におけるガスの圧縮及び膨張の仕事による熱サイク
ルを抑制する。球体は、該空間における全ガス容量を約
60%程度まで低めて圧縮及び膨張の仕事並びに熱サイ
クルを同量まで直接低下させるのに役立つ。加えて、伝
導性球体はガスから熱を吸収したり放出したりし、かく
して熱サイクルを更に抑制する。ディストリビューター
手段における圧縮及び膨張の仕事故の窒素吸収媒温度の
増加は、ディストリビューター手段空隙容量×圧力スイ
ングの積を純酸素生成速度で除した値に比例することが
見出される。かくして、ディストリビューター手段空隙
容量は、特に吸収圧力と脱着圧力との差が大きいとき純
生成物流量に比較して低く保たれるべきである。
の底部ディストリビューター空間、1inの再生セクシ
ョン、水、二酸化炭素、重質炭化水素等の除去用乾燥剤
を含む8inの乾燥セクション、供給空気からの選択的
窒素吸収用の50in吸収媒セクション並びに約7in
の頂部ディストリビューター空間を含む。容器内の冷却
損失を最低限に抑えるべく約2in圧の慣用絶縁を用い
た。本発明のために、底部ディストリビューター空間な
いし手段を5/16inの伝導性黄銅球体で充填して該
空間におけるガスの圧縮及び膨張の仕事による熱サイク
ルを抑制する。球体は、該空間における全ガス容量を約
60%程度まで低めて圧縮及び膨張の仕事並びに熱サイ
クルを同量まで直接低下させるのに役立つ。加えて、伝
導性球体はガスから熱を吸収したり放出したりし、かく
して熱サイクルを更に抑制する。ディストリビューター
手段における圧縮及び膨張の仕事故の窒素吸収媒温度の
増加は、ディストリビューター手段空隙容量×圧力スイ
ングの積を純酸素生成速度で除した値に比例することが
見出される。かくして、ディストリビューター手段空隙
容量は、特に吸収圧力と脱着圧力との差が大きいとき純
生成物流量に比較して低く保たれるべきである。
【0021】第一のまたはより低い再生セクションを、
球体損失防止のため分離スクリーン間に収容される10
×12メッシュ銅球体で充填するか、或はその中に容器
の吸収床セクションからの吸収媒粒子を侵入させる。こ
の再生セクションは、下流ガス流れからの低レベル冷却
を吸収し且つかかる冷却を上流ガス流れに放出するのに
適合する。それは、乾燥セクションが高濃度の水及び高
い吸収熱を有する供給空気の他の汚染物を取り扱わねば
ならないとき、また乾燥セクションを何ら用いないとき
に必要である。この再生セクションは、乾燥セクション
に用いる乾燥剤が供給空気流れから有意量の窒素または
酸素及び(または)アルゴンを吸収しうる場合にも必要
である。
球体損失防止のため分離スクリーン間に収容される10
×12メッシュ銅球体で充填するか、或はその中に容器
の吸収床セクションからの吸収媒粒子を侵入させる。こ
の再生セクションは、下流ガス流れからの低レベル冷却
を吸収し且つかかる冷却を上流ガス流れに放出するのに
適合する。それは、乾燥セクションが高濃度の水及び高
い吸収熱を有する供給空気の他の汚染物を取り扱わねば
ならないとき、また乾燥セクションを何ら用いないとき
に必要である。この再生セクションは、乾燥セクション
に用いる乾燥剤が供給空気流れから有意量の窒素または
酸素及び(または)アルゴンを吸収しうる場合にも必要
である。
【0022】上述の如く、乾燥剤層は、水蒸気、二酸化
炭素及び重質炭化水素の如き強く吸収される不純物が吸
収媒容器の窒素吸収媒領域に達する前にこれら不純物を
除去するのに必要である。このような不純物は窒素の選
択的吸収媒から窒素よりも脱着しにくく、その結果PS
A系の性能を低下させる。加えて、このような不純物は
窒素吸収媒領域における熱サイクルを低め、その結果本
発明のプラクティスに所望される自冷却効果を減少させ
る。他方、乾燥剤は有意量の窒素、酸素またはアルゴン
を吸収すべきでない。なぜなら、かかる所望されない吸
収は乾燥剤層の性能を損なうからである。代表的プラク
ティスにおいて、乾燥剤層は主に、供給空気流れの温度
近傍すなわち窒素吸収媒領域の温度より高い温度で作動
する。
炭素及び重質炭化水素の如き強く吸収される不純物が吸
収媒容器の窒素吸収媒領域に達する前にこれら不純物を
除去するのに必要である。このような不純物は窒素の選
択的吸収媒から窒素よりも脱着しにくく、その結果PS
A系の性能を低下させる。加えて、このような不純物は
窒素吸収媒領域における熱サイクルを低め、その結果本
発明のプラクティスに所望される自冷却効果を減少させ
る。他方、乾燥剤は有意量の窒素、酸素またはアルゴン
を吸収すべきでない。なぜなら、かかる所望されない吸
収は乾燥剤層の性能を損なうからである。代表的プラク
ティスにおいて、乾燥剤層は主に、供給空気流れの温度
近傍すなわち窒素吸収媒領域の温度より高い温度で作動
する。
【0023】もし使用乾燥剤がアルミナまたは別の比較
的重質の吸収媒物質であるなら、使用乾燥剤粒子は、そ
れが逆流流れによってさほど容易には浮揚したり流動し
たりしないので選択的窒素吸収媒に使用のものより小さ
くてもよい。第一再生セクションが十分性能していると
きは乾燥剤層と吸収媒床との間に別個の第二再生セクシ
ョンを必要としない。なぜなら、乾燥剤層自体の頂部が
十分な再生セクションとして作用し、しかもまた、強く
吸収され不純物の除去を完結させるべく作用するからで
ある。
的重質の吸収媒物質であるなら、使用乾燥剤粒子は、そ
れが逆流流れによってさほど容易には浮揚したり流動し
たりしないので選択的窒素吸収媒に使用のものより小さ
くてもよい。第一再生セクションが十分性能していると
きは乾燥剤層と吸収媒床との間に別個の第二再生セクシ
ョンを必要としない。なぜなら、乾燥剤層自体の頂部が
十分な再生セクションとして作用し、しかもまた、強く
吸収され不純物の除去を完結させるべく作用するからで
ある。
【0024】選択的窒素吸収媒領域を、約2.0のシリ
カ/アルミナ比及び5g/kg未満の水負荷を有するナ
トリウムXゼオライトの8×12メッシュ床で充填す
る。頂部ディストリビューター手段に、圧縮エネルギー
損失を軽減すべく球体ないし他の物体を充填する。しか
し、該頂部ディストリビューター手段での熱サイクルを
低めることは何ら必要としない。かかる熱サイクルは容
器の窒素吸収媒領域の自冷却をさほど妨げない。また、
少なくとも頂部ディストリビューター空間から窒素吸収
媒領域へと伝熱することはほとんどないので、頂部ディ
ストリビューター空間と窒素吸収媒領域との間に再生器
を必要としないことも注目すべきである。
カ/アルミナ比及び5g/kg未満の水負荷を有するナ
トリウムXゼオライトの8×12メッシュ床で充填す
る。頂部ディストリビューター手段に、圧縮エネルギー
損失を軽減すべく球体ないし他の物体を充填する。しか
し、該頂部ディストリビューター手段での熱サイクルを
低めることは何ら必要としない。かかる熱サイクルは容
器の窒素吸収媒領域の自冷却をさほど妨げない。また、
少なくとも頂部ディストリビューター空間から窒素吸収
媒領域へと伝熱することはほとんどないので、頂部ディ
ストリビューター空間と窒素吸収媒領域との間に再生器
を必要としないことも注目すべきである。
【0025】主要な温度低下は乾燥剤層と低温作動しな
ければならない窒素吸収媒領域との間で生じるため、本
発明のプラクティスで、なぜ第一の再生セクションが容
器内の乾燥剤層より下に位置するのかすぐには明らかで
ないかもしれない。該第一の再生セクションが乾燥剤層
より下に位置する理由は、水の吸収熱が乾燥剤層へと且
つまた該層内に吸排熱しないよう、それ故にまた窒素吸
収媒領域にも吸排熱しないようにすることである。乾燥
剤層に入ってきた空気供給物から高濃度で吸収された水
は、該乾燥剤層の底部末端で温度上昇を引き起こす。供
給空気流れはエンタルピーとして熱吸収し、それを上方
に短距離搬送する。全PSAサイクルの低圧下方流れ工
程の間水の脱着により乾燥剤層の底部末端が冷却され且
つ下方流れガスが冷却される。ガスは冷却を下方に短距
離搬送する。加熱効果と冷却効果とは、プロセスが定常
状態に達したとき等しい。しかしながら、冷却の多くは
乾燥剤層への入口で生じるので、各PSAプロセスサイ
クルの間いくらかの冷却は乾燥剤層を退去する。この冷
却は、吸収容器を退去する廃ガスから冷却を吸収し且つ
本発明のプラクティスでの有利な使用に備えてこれを貯
蔵するための第一再生セクションの配置以外は該廃ガス
により減損される。第一再生セクションは冷却を貯蔵し
次いでこれを、PSAサイクルの次のガス逆流工程の間
乾燥剤層に戻すよう設計されている。これを実施すると
き、水吸収熱は回収される冷却により均合され、そして
該吸収熱は乾燥剤層を通って容器の窒素吸収領域へと上
方移動することはない。
ければならない窒素吸収媒領域との間で生じるため、本
発明のプラクティスで、なぜ第一の再生セクションが容
器内の乾燥剤層より下に位置するのかすぐには明らかで
ないかもしれない。該第一の再生セクションが乾燥剤層
より下に位置する理由は、水の吸収熱が乾燥剤層へと且
つまた該層内に吸排熱しないよう、それ故にまた窒素吸
収媒領域にも吸排熱しないようにすることである。乾燥
剤層に入ってきた空気供給物から高濃度で吸収された水
は、該乾燥剤層の底部末端で温度上昇を引き起こす。供
給空気流れはエンタルピーとして熱吸収し、それを上方
に短距離搬送する。全PSAサイクルの低圧下方流れ工
程の間水の脱着により乾燥剤層の底部末端が冷却され且
つ下方流れガスが冷却される。ガスは冷却を下方に短距
離搬送する。加熱効果と冷却効果とは、プロセスが定常
状態に達したとき等しい。しかしながら、冷却の多くは
乾燥剤層への入口で生じるので、各PSAプロセスサイ
クルの間いくらかの冷却は乾燥剤層を退去する。この冷
却は、吸収容器を退去する廃ガスから冷却を吸収し且つ
本発明のプラクティスでの有利な使用に備えてこれを貯
蔵するための第一再生セクションの配置以外は該廃ガス
により減損される。第一再生セクションは冷却を貯蔵し
次いでこれを、PSAサイクルの次のガス逆流工程の間
乾燥剤層に戻すよう設計されている。これを実施すると
き、水吸収熱は回収される冷却により均合され、そして
該吸収熱は乾燥剤層を通って容器の窒素吸収領域へと上
方移動することはない。
【0026】乾燥剤層の上方端部は、低濃度の水または
他の強く吸収された不純物のみを取扱い、かくして同時
に効率的第二の再生セクションとして作用すると理解さ
れよう。再生器として、それは窒素領域で生じる冷却を
容易に回収し、循環式プロセス操作の次の部分で容器の
その領域へと上方に流れる供給ガス流れに、この冷却を
移す。Izami等の教示では、再生領域を乾燥剤層と
窒素吸収領域との間にだけ置く。これは、乾燥剤層に生
じる冷却が少なくとも部分的に減損し、この減損は再生
器の効率にかかわりなく窒素吸収領域での温度上昇をも
たらす。更に、既述の如く、乾燥剤層の上方端部は、強
く吸収された不純物の痕跡をも除去し、それと同時に再
生器としても役立つよう作用する。乾燥剤層の二つの用
途は互いに矛盾せず、より効率的なPSAプロセス及び
PSA系操作にとって非常に望ましい相乗作用をもたら
す。
他の強く吸収された不純物のみを取扱い、かくして同時
に効率的第二の再生セクションとして作用すると理解さ
れよう。再生器として、それは窒素領域で生じる冷却を
容易に回収し、循環式プロセス操作の次の部分で容器の
その領域へと上方に流れる供給ガス流れに、この冷却を
移す。Izami等の教示では、再生領域を乾燥剤層と
窒素吸収領域との間にだけ置く。これは、乾燥剤層に生
じる冷却が少なくとも部分的に減損し、この減損は再生
器の効率にかかわりなく窒素吸収領域での温度上昇をも
たらす。更に、既述の如く、乾燥剤層の上方端部は、強
く吸収された不純物の痕跡をも除去し、それと同時に再
生器としても役立つよう作用する。乾燥剤層の二つの用
途は互いに矛盾せず、より効率的なPSAプロセス及び
PSA系操作にとって非常に望ましい相乗作用をもたら
す。
【0027】吸収容器の底部ディストリビューター手段
を充填して該内部の空隙率を幾分低下させる際、先に言
及した伝導性粒子の如き使用粒子が、全吸収媒圧力降下
を有意に増し或は末端空間での有意な側面圧力勾配にわ
たる悪い流れ分布を来す大きな圧力降下の創生を排除す
るのに十分大きいことが重要である。
を充填して該内部の空隙率を幾分低下させる際、先に言
及した伝導性粒子の如き使用粒子が、全吸収媒圧力降下
を有意に増し或は末端空間での有意な側面圧力勾配にわ
たる悪い流れ分布を来す大きな圧力降下の創生を排除す
るのに十分大きいことが重要である。
【0028】先に言及した10×12メッシュ寸法の銅
球体以外の伝導性部材が第一ないしより低い再生セクシ
ョンで使用しうることは理解されよう。好ましくは、再
生器は、銅より若干低い熱伝導率の金属粒子を含む伝導
性部材で充填される。例えば、銅の約半分から約1/1
0の伝導率を有する物質が望ましく、そのため軸方向伝
導率は気体−固体熱交換効率の過剰低下を来さずに低め
られる。第一再生セクションを構成する物質の熱伝導率
での更に有意な低下はいずれも再生器性能の低下に資
し、而して第一再生セクション厚のいくらかの増加を要
求する。本発明のために、第一再生器を構成する物質の
伝導率は、かかる使用物質の量及び寸法と共に、吸収媒
床で実施されるプロセス順序の脱着部分の間逆流流れの
冷却を貯蔵可能にする如きものとすべきである。このよ
うな伝導率は望ましくは約250〜0.5(より好まし
くは約150〜15)BTU/°F/ft/ft2 /h
rである。このために、既述の如き銅のもならずアルミ
ニウム、鋼及び鋳鉄が適した物質である。緩めに充填さ
れる再生器粒子は、ガス上方流れ時の流動化を排除し或
は水平ガス流れ時の水平移動を排除すべく寸法規制され
るべきである。粒子は少なくとも吸収媒セクションで用
いられる粒子と同じ寸法及び密度とすべきである。スク
リーン、グリッドないし類似構造の形状をなす再生器は
かかる流動化に付されにくく、かくして過度の移動を伴
うことなくより大きな力に付されうる。
球体以外の伝導性部材が第一ないしより低い再生セクシ
ョンで使用しうることは理解されよう。好ましくは、再
生器は、銅より若干低い熱伝導率の金属粒子を含む伝導
性部材で充填される。例えば、銅の約半分から約1/1
0の伝導率を有する物質が望ましく、そのため軸方向伝
導率は気体−固体熱交換効率の過剰低下を来さずに低め
られる。第一再生セクションを構成する物質の熱伝導率
での更に有意な低下はいずれも再生器性能の低下に資
し、而して第一再生セクション厚のいくらかの増加を要
求する。本発明のために、第一再生器を構成する物質の
伝導率は、かかる使用物質の量及び寸法と共に、吸収媒
床で実施されるプロセス順序の脱着部分の間逆流流れの
冷却を貯蔵可能にする如きものとすべきである。このよ
うな伝導率は望ましくは約250〜0.5(より好まし
くは約150〜15)BTU/°F/ft/ft2 /h
rである。このために、既述の如き銅のもならずアルミ
ニウム、鋼及び鋳鉄が適した物質である。緩めに充填さ
れる再生器粒子は、ガス上方流れ時の流動化を排除し或
は水平ガス流れ時の水平移動を排除すべく寸法規制され
るべきである。粒子は少なくとも吸収媒セクションで用
いられる粒子と同じ寸法及び密度とすべきである。スク
リーン、グリッドないし類似構造の形状をなす再生器は
かかる流動化に付されにくく、かくして過度の移動を伴
うことなくより大きな力に付されうる。
【0029】先に言及した軸方向の流れ円筒部分以外の
再生セクションを用いることも本発明の範囲である。例
えば、スクリーンスタックを用いることができ、所望な
ら、球体または、低〜中位の熱伝導率を有する他粒子の
薄層で分離することができる。再生器物質は球体である
必要はなく、ペレット、不規則粒子、ファイバーマッ
ト、多孔板、または焼成もしくは結合により多孔質構造
に形成される粒子で構成されうる。半径方向流れ吸収系
では、再生器は、外部的にせよ内部的にせよ供給端部デ
ィストリビューター手段を分離するシリンダー層の一般
形状でありうる。
再生セクションを用いることも本発明の範囲である。例
えば、スクリーンスタックを用いることができ、所望な
ら、球体または、低〜中位の熱伝導率を有する他粒子の
薄層で分離することができる。再生器物質は球体である
必要はなく、ペレット、不規則粒子、ファイバーマッ
ト、多孔板、または焼成もしくは結合により多孔質構造
に形成される粒子で構成されうる。半径方向流れ吸収系
では、再生器は、外部的にせよ内部的にせよ供給端部デ
ィストリビューター手段を分離するシリンダー層の一般
形状でありうる。
【0030】普通プレート・フィンコアーより作られた
第一再生器は、それから生じる軸方向の増加伝熱故に本
発明の実施には望ましくない。いずれにせよ、第一再生
器は、再生器自体の可逆的な圧縮膨張仕事故の熱循環を
排除すべく適度に低い空隙率を有すべきである。既述の
如く、第一再生セクションを乾燥剤層の下に位置付ける
ことは本発明の重要な特徴であり、供給空気の含水量が
高いとき特に意味深い。
第一再生器は、それから生じる軸方向の増加伝熱故に本
発明の実施には望ましくない。いずれにせよ、第一再生
器は、再生器自体の可逆的な圧縮膨張仕事故の熱循環を
排除すべく適度に低い空隙率を有すべきである。既述の
如く、第一再生セクションを乾燥剤層の下に位置付ける
ことは本発明の重要な特徴であり、供給空気の含水量が
高いとき特に意味深い。
【0031】本発明は、上記例示例で言及した約2.0
のシリカ/アルミナ比を有する具体化に限定されないナ
トリウムXゼオライトの使用を含むものと理解されよ
う。シリカ/アルミナ比約2.0〜2.6、好ましくは
約2.4未満、例えば2.0〜2.4のナトリウムXゼ
オライトを用いることは本発明の範囲である。本発明の
プラクティスで吸収媒として用いられるナトリウムXゼ
オライトの水負荷は約25g/kg未満とすべきであ
り、好ましくは約10g/kg未満、より好ましくは3
g/kg未満である。5A型もしくは4A型ゼオライト
を用いることも亦本発明の範囲である。このような吸収
媒は適度に強力な選択的平衡型窒素吸収媒に過ぎない。
リチウムX及びカルシウムXの如きナトリウムXゼオラ
イトのイオン交換によって調製された強力な選択的平衡
型窒素吸収媒は、かかる吸収媒からの窒素の脱着が自冷
却サイクルで達成される、より低い温度では困難になる
ので、吸収床の低温領域で使用すべきでない。しかしな
がら、このような強力な選択的窒素吸収媒は床の生成端
部近傍の、より高い温度領域で有利に用いることができ
る。速度選択基準で窒素の代わりに酸素を選択吸収する
炭素吸収媒の如き速度選択的吸収媒も亦、かかる吸収媒
を用いた効率的空気分離サイクルに必要な自冷却の発生
がより困難なので使用すべきでない。
のシリカ/アルミナ比を有する具体化に限定されないナ
トリウムXゼオライトの使用を含むものと理解されよ
う。シリカ/アルミナ比約2.0〜2.6、好ましくは
約2.4未満、例えば2.0〜2.4のナトリウムXゼ
オライトを用いることは本発明の範囲である。本発明の
プラクティスで吸収媒として用いられるナトリウムXゼ
オライトの水負荷は約25g/kg未満とすべきであ
り、好ましくは約10g/kg未満、より好ましくは3
g/kg未満である。5A型もしくは4A型ゼオライト
を用いることも亦本発明の範囲である。このような吸収
媒は適度に強力な選択的平衡型窒素吸収媒に過ぎない。
リチウムX及びカルシウムXの如きナトリウムXゼオラ
イトのイオン交換によって調製された強力な選択的平衡
型窒素吸収媒は、かかる吸収媒からの窒素の脱着が自冷
却サイクルで達成される、より低い温度では困難になる
ので、吸収床の低温領域で使用すべきでない。しかしな
がら、このような強力な選択的窒素吸収媒は床の生成端
部近傍の、より高い温度領域で有利に用いることができ
る。速度選択基準で窒素の代わりに酸素を選択吸収する
炭素吸収媒の如き速度選択的吸収媒も亦、かかる吸収媒
を用いた効率的空気分離サイクルに必要な自冷却の発生
がより困難なので使用すべきでない。
【0032】通常、本発明のプラクティスで分離する供
給空気は、水蒸気、二酸化炭素及び、乾燥剤層で除去さ
れる他の強く吸収された不純物を含有することに注目す
べきである。他方供給空気にこれらの不純物がないな
ら、乾燥剤層を省くことができる。このような場合で
も、先に記した如くまた図1に示す如く、底部ディスト
リビューター手段上に位置する第一再生セクションを含
む、本発明のPSA系の他要素すべてが依然使用され
る。かかる要素は例示例に関して既述した如く寸法規制
される。この場合、第一再生セクションは、乾燥剤層の
頂部の再生機能を発揮させるのに役立ち、かくして容器
の窒素吸収媒領域から底部ディストリビューター手段へ
の所望冷却の損失を防止し或は排除する。
給空気は、水蒸気、二酸化炭素及び、乾燥剤層で除去さ
れる他の強く吸収された不純物を含有することに注目す
べきである。他方供給空気にこれらの不純物がないな
ら、乾燥剤層を省くことができる。このような場合で
も、先に記した如くまた図1に示す如く、底部ディスト
リビューター手段上に位置する第一再生セクションを含
む、本発明のPSA系の他要素すべてが依然使用され
る。かかる要素は例示例に関して既述した如く寸法規制
される。この場合、第一再生セクションは、乾燥剤層の
頂部の再生機能を発揮させるのに役立ち、かくして容器
の窒素吸収媒領域から底部ディストリビューター手段へ
の所望冷却の損失を防止し或は排除する。
【0033】本発明は一つ以上の吸収媒床を有するPS
A系に実用的であり得、一般に2〜4床系が好ましいけ
れども、10〜12までの床或はそれより多い床も亦使
用することができる。図2は、生成物酸素の生産に望ま
しい空気分離で用いられる標準的な2床PSA系を例示
する。この具体化では、管路10内の供給空気を圧縮器
11で圧縮し、また冷却すべくアフタークーラー12に
通した後、全サイクルにおける任意の所定時間に床で実
施される全PSAプロセス順序部分に依り吸収媒床13
か或は吸収媒床14のいずれかに通す。バルブ手段16
を含む管路15は供給空気を、床13の供給端部ないし
底部末端への流通に備え管路17に通すのに適合する。
また、管路17は、床13から廃窒素を引き出して管路
20に通し系から排出すべくバルブ手段を含む管路18
に連通している。同様に、バルブ手段22を含む管路2
1は、供給空気を、床14の底部末端への導入に備え管
路23に通すべく備えられている。バルブ手段25を含
む管路24は廃窒素ガスを、系からの排出に備え管路2
0に通すのに適合する。該廃窒素流れは脱着される易吸
収性窒素成分を含み、プロセスの低圧脱着工程時床から
除去される。
A系に実用的であり得、一般に2〜4床系が好ましいけ
れども、10〜12までの床或はそれより多い床も亦使
用することができる。図2は、生成物酸素の生産に望ま
しい空気分離で用いられる標準的な2床PSA系を例示
する。この具体化では、管路10内の供給空気を圧縮器
11で圧縮し、また冷却すべくアフタークーラー12に
通した後、全サイクルにおける任意の所定時間に床で実
施される全PSAプロセス順序部分に依り吸収媒床13
か或は吸収媒床14のいずれかに通す。バルブ手段16
を含む管路15は供給空気を、床13の供給端部ないし
底部末端への流通に備え管路17に通すのに適合する。
また、管路17は、床13から廃窒素を引き出して管路
20に通し系から排出すべくバルブ手段を含む管路18
に連通している。同様に、バルブ手段22を含む管路2
1は、供給空気を、床14の底部末端への導入に備え管
路23に通すべく備えられている。バルブ手段25を含
む管路24は廃窒素ガスを、系からの排出に備え管路2
0に通すのに適合する。該廃窒素流れは脱着される易吸
収性窒素成分を含み、プロセスの低圧脱着工程時床から
除去される。
【0034】床13の上方端部で、バルブ手段27を含
む管路26は、供給空気の難吸収性成分すなわち酸素
を、空気分離プロセスの所望酸素生成物としての回収に
備え床13の上方部分から管路28へと取り出すのに適
合する。同様に、バルブ手段30を含む管路29は、床
14の上方部分から難吸収性酸素を同じように、該酸素
生成物ガスとして回収すべく管路28に通すために設け
られている。バルブ手段32を含む管路31は、管路2
6と29との間に流体の連通をもたらして、一方の床の
上方部分から通ってきた而してその上位吸収圧力からの
減圧を経てきたガスを他方の床に、先ず両床間の圧力均
等化のため低圧で通し、各床での上位圧吸収−下位圧脱
着サイクル順序の圧力要求数量を最低限に抑えるのに適
合することは注目されよう。
む管路26は、供給空気の難吸収性成分すなわち酸素
を、空気分離プロセスの所望酸素生成物としての回収に
備え床13の上方部分から管路28へと取り出すのに適
合する。同様に、バルブ手段30を含む管路29は、床
14の上方部分から難吸収性酸素を同じように、該酸素
生成物ガスとして回収すべく管路28に通すために設け
られている。バルブ手段32を含む管路31は、管路2
6と29との間に流体の連通をもたらして、一方の床の
上方部分から通ってきた而してその上位吸収圧力からの
減圧を経てきたガスを他方の床に、先ず両床間の圧力均
等化のため低圧で通し、各床での上位圧吸収−下位圧脱
着サイクル順序の圧力要求数量を最低限に抑えるのに適
合することは注目されよう。
【0035】非常に大規模なPSA空気分離プラントで
は、一つのプロセスバンクにおける平行流れのためいく
つかの吸収媒床を連結することができる。次いで、すべ
ての床は一緒に且つ同時に同じプロセス順序を通過す
る。特定バンクにおける各床は望ましくは、床間の流れ
を水準化するために適当な制御により共通の供給及び出
口配管を分け合う。このような吸収バンクは任意数の吸
収床を含むことができるが、しかし所定のPSA吸収系
での各バンクは他の関連バンクと同数の床を含む。PS
A系には任意の好都合な数のバンクを用いうるが、一般
には2バンク及び4バンクが好ましい。
は、一つのプロセスバンクにおける平行流れのためいく
つかの吸収媒床を連結することができる。次いで、すべ
ての床は一緒に且つ同時に同じプロセス順序を通過す
る。特定バンクにおける各床は望ましくは、床間の流れ
を水準化するために適当な制御により共通の供給及び出
口配管を分け合う。このような吸収バンクは任意数の吸
収床を含むことができるが、しかし所定のPSA吸収系
での各バンクは他の関連バンクと同数の床を含む。PS
A系には任意の好都合な数のバンクを用いうるが、一般
には2バンク及び4バンクが好ましい。
【0036】本発明が、任意の特定空気分離操作の全要
求数量に依り、基本的吸収−脱着−再加圧プロセス順序
の種々の変更を用いて実施しうることは認識されよう。
一つの特定プロセス順序を以下に記載する。この特定プ
ロセス順序または任意の他のかかる順序を経るPSAの
各床は、もし乾燥剤層を既述の如く省くことができなけ
れば、図1に関して記述した配置のものである。かくし
て、床のすべては、所望の低温操作を達成するのに外部
冷却源を用いない自冷却低温操作に適合する。
求数量に依り、基本的吸収−脱着−再加圧プロセス順序
の種々の変更を用いて実施しうることは認識されよう。
一つの特定プロセス順序を以下に記載する。この特定プ
ロセス順序または任意の他のかかる順序を経るPSAの
各床は、もし乾燥剤層を既述の如く省くことができなけ
れば、図1に関して記述した配置のものである。かくし
て、床のすべては、所望の低温操作を達成するのに外部
冷却源を用いない自冷却低温操作に適合する。
【0037】プロセスサイクル順序 工程1−床の供給端部に供給空気を導入することによる
床の上位吸収圧力への加圧; 工程2−上位吸収圧力での吸収。供給空気を床の供給端
部に導入し、床の生成端部からは選択的に吸収しにくい
酸素を所望生成ガスとして引き出す; 工程3−床の生成端部からの空隙ガス放出との並流減圧
による、床圧力の中レベルへの低下。放出ガスを、パー
ジガスとして使用するため、または初期低圧における床
との圧力均等化のため系の別の床に導入し、或は該放出
ガスを第二の酸素リッチ生成物として回収する; 工程4−床の供給端部からのガス放出との対流減圧。該
床を下位脱着圧力に減圧し、而して放出ガスは酸素リー
ン廃ガスよりなる; 工程5−下位脱着圧力でのパージ。別の床からの酸素リ
ッチ還流ガスを床の生成端部に導入し、追量の酸素リー
ン廃ガスを床の供給端部から除去する; 工程6−別の床の生成端部から放出されたガスを再加圧
中の床の生成端部に導入することによる床の部分的再加
圧。再加圧されが床を、その圧力が下位脱着圧力から中
圧に上昇した後プロセス順序がPSA系で各床の循環基
準で続行されるにつれ上位吸収圧力へと更に加圧する。
床の上位吸収圧力への加圧; 工程2−上位吸収圧力での吸収。供給空気を床の供給端
部に導入し、床の生成端部からは選択的に吸収しにくい
酸素を所望生成ガスとして引き出す; 工程3−床の生成端部からの空隙ガス放出との並流減圧
による、床圧力の中レベルへの低下。放出ガスを、パー
ジガスとして使用するため、または初期低圧における床
との圧力均等化のため系の別の床に導入し、或は該放出
ガスを第二の酸素リッチ生成物として回収する; 工程4−床の供給端部からのガス放出との対流減圧。該
床を下位脱着圧力に減圧し、而して放出ガスは酸素リー
ン廃ガスよりなる; 工程5−下位脱着圧力でのパージ。別の床からの酸素リ
ッチ還流ガスを床の生成端部に導入し、追量の酸素リー
ン廃ガスを床の供給端部から除去する; 工程6−別の床の生成端部から放出されたガスを再加圧
中の床の生成端部に導入することによる床の部分的再加
圧。再加圧されが床を、その圧力が下位脱着圧力から中
圧に上昇した後プロセス順序がPSA系で各床の循環基
準で続行されるにつれ上位吸収圧力へと更に加圧する。
【0038】工程3における床の生成端部から除去さ
れ、パージ及び(または)圧力均等化のため使用される
酸素リッチ還流ガスをかかる目的で系の別の床に直接通
し得且つ(或は)かかる使用のため別の貯蔵容器に保存
しうることは理解されよう。一つの具体化では、床の並
流減圧時該床から放出されるガスを部分的または完全に
初期圧力均等化に使用することができ、またこのように
放出される追量のガスを、後刻系の別の床パージでの使
用に備え貯蔵容器を加圧するのに使用し、更に追量のガ
スを系の異なる床のパージに直接用いる。
れ、パージ及び(または)圧力均等化のため使用される
酸素リッチ還流ガスをかかる目的で系の別の床に直接通
し得且つ(或は)かかる使用のため別の貯蔵容器に保存
しうることは理解されよう。一つの具体化では、床の並
流減圧時該床から放出されるガスを部分的または完全に
初期圧力均等化に使用することができ、またこのように
放出される追量のガスを、後刻系の別の床パージでの使
用に備え貯蔵容器を加圧するのに使用し、更に追量のガ
スを系の異なる床のパージに直接用いる。
【0039】先に言及した容器の例示例で既述の如きP
SA容器を用い且つガスを、2床系での圧力均等化(均
圧化)及びパージガス供与のため並流減圧工程3で放出
する本発明のプラクティスにおいて、90秒の全サイク
ル時間を用い、また個々のプロセス工程の時間を次のよ
うに設定する: 工程1−12秒、工程2−28秒、工
程3−5秒、工程4−32秒、工程5−8秒、工程6−
5秒。上位吸収圧力は150kPa、下位脱着圧力は5
0kPaであり、また圧力における均圧化減少は110
kPa、均圧化増加は85kPaである。供給空気は上
位吸収圧力及び300°Kにおいて0.133モル/s
ecの速度で導入され、酸素は1サイクル当り0.03
9モル/secで生産され、0.021モル/secが
95%純度の酸素製品として回収され、0.010モル
/secがパージ酸素として用いられる。乾燥剤層は約
300°Kであり、他方窒素吸収媒領域の下方供給端部
は本発明の特徴である自冷却の結果として約270°
K、またその上方生成端部は約298°Kである。フロ
ント領域単位当りの全冷却は直径12ftの床で約7,
580W/m2 すなわち79.8kwである。本発明に
従った窒素吸収媒領域の絶縁が2inであり、容器壁の
側面領域が21m2 であるとき、窒素吸収媒領域の壁を
介しての熱損失は僅か1.1kwに過ぎず、また対応す
る温度への影響は僅か0.4°Kに過ぎない。
SA容器を用い且つガスを、2床系での圧力均等化(均
圧化)及びパージガス供与のため並流減圧工程3で放出
する本発明のプラクティスにおいて、90秒の全サイク
ル時間を用い、また個々のプロセス工程の時間を次のよ
うに設定する: 工程1−12秒、工程2−28秒、工
程3−5秒、工程4−32秒、工程5−8秒、工程6−
5秒。上位吸収圧力は150kPa、下位脱着圧力は5
0kPaであり、また圧力における均圧化減少は110
kPa、均圧化増加は85kPaである。供給空気は上
位吸収圧力及び300°Kにおいて0.133モル/s
ecの速度で導入され、酸素は1サイクル当り0.03
9モル/secで生産され、0.021モル/secが
95%純度の酸素製品として回収され、0.010モル
/secがパージ酸素として用いられる。乾燥剤層は約
300°Kであり、他方窒素吸収媒領域の下方供給端部
は本発明の特徴である自冷却の結果として約270°
K、またその上方生成端部は約298°Kである。フロ
ント領域単位当りの全冷却は直径12ftの床で約7,
580W/m2 すなわち79.8kwである。本発明に
従った窒素吸収媒領域の絶縁が2inであり、容器壁の
側面領域が21m2 であるとき、窒素吸収媒領域の壁を
介しての熱損失は僅か1.1kwに過ぎず、また対応す
る温度への影響は僅か0.4°Kに過ぎない。
【0040】前掲特許請求の範囲に記載の如き本発明範
囲を逸脱せずに、種々の変更ないし修正が、ここに示す
本発明の詳細な説明でなしうることは理解されよう。か
くして、乾燥剤層は、先に言及したアルミナに加えシリ
カゲル、分子篩例えば20/1の如き高いSi/Al比
を有するNaX物質を含みうる。
囲を逸脱せずに、種々の変更ないし修正が、ここに示す
本発明の詳細な説明でなしうることは理解されよう。か
くして、乾燥剤層は、先に言及したアルミナに加えシリ
カゲル、分子篩例えば20/1の如き高いSi/Al比
を有するNaX物質を含みうる。
【0041】吸収媒容器の側面壁上すなわち再生領域、
乾燥ないし吸収セクションの絶縁目的は、側面壁を介し
ての自冷却の望ましくない減損を防止することである。
吸収媒床が円筒形容器内にありガス流れが軸方向である
吸収系では、側面壁は円筒形シェルよりなる。外部絶縁
を用いるなら、円筒形シェルのみならず、容器ディスト
リビューター空間部分をも、該空間からシェル壁への伝
熱を排除するよう絶縁する必要があるかもしれない。も
し吸収媒床が軸方向流れよりむしろ半径方向に適合する
なら、頂部表面及び底部表面は望ましく絶縁される。こ
のような円筒形容器または任意の他の容器に用いられる
絶縁は、壁を介する吸収媒容器への全伝熱が本発明の循
環式PSA操作時に生じる自冷却の極小部分であるよう
十分な厚さないし低伝導率のものであるべきであること
は理解されよう。かくして、容器への伝熱は絶縁の使用
により最小限に抑えられ、容器内で生じる自冷却の約5
%好ましくは約2%未満例えば約1%〜2%未満であ
る。任意の適当な市販絶縁物質を用いうることは理解さ
れよう。かくして、容易に入手される真空絶縁、パイプ
絶縁等を用いることができ、珪藻土、シリカ等の如き絶
縁材料が好都合に用いられる。
乾燥ないし吸収セクションの絶縁目的は、側面壁を介し
ての自冷却の望ましくない減損を防止することである。
吸収媒床が円筒形容器内にありガス流れが軸方向である
吸収系では、側面壁は円筒形シェルよりなる。外部絶縁
を用いるなら、円筒形シェルのみならず、容器ディスト
リビューター空間部分をも、該空間からシェル壁への伝
熱を排除するよう絶縁する必要があるかもしれない。も
し吸収媒床が軸方向流れよりむしろ半径方向に適合する
なら、頂部表面及び底部表面は望ましく絶縁される。こ
のような円筒形容器または任意の他の容器に用いられる
絶縁は、壁を介する吸収媒容器への全伝熱が本発明の循
環式PSA操作時に生じる自冷却の極小部分であるよう
十分な厚さないし低伝導率のものであるべきであること
は理解されよう。かくして、容器への伝熱は絶縁の使用
により最小限に抑えられ、容器内で生じる自冷却の約5
%好ましくは約2%未満例えば約1%〜2%未満であ
る。任意の適当な市販絶縁物質を用いうることは理解さ
れよう。かくして、容易に入手される真空絶縁、パイプ
絶縁等を用いることができ、珪藻土、シリカ等の如き絶
縁材料が好都合に用いられる。
【0042】図1に示すタイプの軸方向流れ吸収媒の場
合、再生器は吸収媒の供給端部で好都合には平坦層形状
である。ガス流れが中心部から外方、或は周辺から中心
部への内方である半径方向流れ吸収媒では、再生器は代
表的には、外部ないし内部いずれかの供給端部ディスト
リビューター手段を吸収媒セクションから分離する円筒
層形状をなし、ガス流れは再生器内を半径方向で通る。
合、再生器は吸収媒の供給端部で好都合には平坦層形状
である。ガス流れが中心部から外方、或は周辺から中心
部への内方である半径方向流れ吸収媒では、再生器は代
表的には、外部ないし内部いずれかの供給端部ディスト
リビューター手段を吸収媒セクションから分離する円筒
層形状をなし、ガス流れは再生器内を半径方向で通る。
【0043】上記例示例での底部ディストリビューター
手段を充填するのに用いられる5/16in伝導性黄銅
球体に加え、アルミナの如き伝導性粒子を含む他の適当
な粒子をかかる目的に使用することができる。過圧時、
ディストリビューター空間のガスは可逆的圧縮仕事によ
って加熱される。次いで、加熱されたガスは再生器内を
通り吸収媒床へと駆動される。結局、ディストリビュー
ター空間のガスは供給物圧縮器及びそのアフタークーラ
ーを退去する供給ガスの温度にほぼ等しい。この点で、
過剰熱が吸収体に入る。脱着時、ディストリビューター
空間のガスは可逆的膨張仕事によって冷却される。冷却
されたガスは出口管路と、もし用いられるなら真空ポン
プを介して退去する。結局、ディストリビューター空間
のガスは再生器の温端部を退去するガスの温度にほぼ等
しい。この温度は、再生が効果的に作動する限り、供給
物圧縮器及びそのアフタークーラーを去るガスの温度と
ほぼ同じである。
手段を充填するのに用いられる5/16in伝導性黄銅
球体に加え、アルミナの如き伝導性粒子を含む他の適当
な粒子をかかる目的に使用することができる。過圧時、
ディストリビューター空間のガスは可逆的圧縮仕事によ
って加熱される。次いで、加熱されたガスは再生器内を
通り吸収媒床へと駆動される。結局、ディストリビュー
ター空間のガスは供給物圧縮器及びそのアフタークーラ
ーを退去する供給ガスの温度にほぼ等しい。この点で、
過剰熱が吸収体に入る。脱着時、ディストリビューター
空間のガスは可逆的膨張仕事によって冷却される。冷却
されたガスは出口管路と、もし用いられるなら真空ポン
プを介して退去する。結局、ディストリビューター空間
のガスは再生器の温端部を退去するガスの温度にほぼ等
しい。この温度は、再生が効果的に作動する限り、供給
物圧縮器及びそのアフタークーラーを去るガスの温度と
ほぼ同じである。
【0044】プロセスの純効果は、端部空間での可逆的
圧縮膨張仕事が熱ポンプとして作用するということであ
る。ポンプ輸送からの熱は吸収媒に注入され、而して吸
収媒自冷却の少なくとも一部分を無効にする。吸収媒床
にポンプ輸送された熱は一サイクル一サイクル床全体に
移動し、結局床全体の温度を高める。このような、供給
端部ディストリビューター手段への望ましくない熱ポン
プ輸送は、ディストリビューター空間容量を少なくし且
つ(或は)ディストリビューター空間を、先に言及した
黄銅の如き、ガス充填空隙を低める硬質もしくは嵩高な
粒子または構造物で部分的に充填することにより軽減さ
れうる。ディストリビューター空間の残る空隙は好都合
には、未充填ディストリビューター空間の容量の約40
%であるけれども、該残る容量が、供給端部ディストリ
ビューター手段ないし空間における熱ポンプ輸送での効
果的減少をもたらす如きいかなる容量にも低下しうるこ
とは認識されよう。もしディストリビューター空間充填
粒子または構造物が十分な加熱容量および伝熱表面を有
するなら、それらは、ガス充填容量の減少によるだけで
なく、その中のガスによる伝熱の温度触れ幅を少なくす
ることにより熱ポンプ輸送効果を軽減しうる。かくし
て、それらは加圧時ガスから熱を吸収し且つ脱着時熱を
ガスに放出することができる。
圧縮膨張仕事が熱ポンプとして作用するということであ
る。ポンプ輸送からの熱は吸収媒に注入され、而して吸
収媒自冷却の少なくとも一部分を無効にする。吸収媒床
にポンプ輸送された熱は一サイクル一サイクル床全体に
移動し、結局床全体の温度を高める。このような、供給
端部ディストリビューター手段への望ましくない熱ポン
プ輸送は、ディストリビューター空間容量を少なくし且
つ(或は)ディストリビューター空間を、先に言及した
黄銅の如き、ガス充填空隙を低める硬質もしくは嵩高な
粒子または構造物で部分的に充填することにより軽減さ
れうる。ディストリビューター空間の残る空隙は好都合
には、未充填ディストリビューター空間の容量の約40
%であるけれども、該残る容量が、供給端部ディストリ
ビューター手段ないし空間における熱ポンプ輸送での効
果的減少をもたらす如きいかなる容量にも低下しうるこ
とは認識されよう。もしディストリビューター空間充填
粒子または構造物が十分な加熱容量および伝熱表面を有
するなら、それらは、ガス充填容量の減少によるだけで
なく、その中のガスによる伝熱の温度触れ幅を少なくす
ることにより熱ポンプ輸送効果を軽減しうる。かくし
て、それらは加圧時ガスから熱を吸収し且つ脱着時熱を
ガスに放出することができる。
【0045】また、熱ポンプ輸送は吸収媒の反対端部に
おける生成端部ディストリビューター手段内で生じるけ
れども、それは吸収媒温度に有意には影響しない。本発
明の好ましい具体化でディストリビューター手段は前記
粒子または構造物で望ましく充填されるが、生成端部デ
ィストリビューター空間において熱サイクルを低下する
必要はない。それにもかかわらず、所望されるなら、該
生成端部もしくは頂部ディストリビューター空間を、セ
ラミック球体または他の粒子もしくは構造物で充填して
生成端部ディストリビューター空間での圧縮エネルギー
減損を軽減することができる。
おける生成端部ディストリビューター手段内で生じるけ
れども、それは吸収媒温度に有意には影響しない。本発
明の好ましい具体化でディストリビューター手段は前記
粒子または構造物で望ましく充填されるが、生成端部デ
ィストリビューター空間において熱サイクルを低下する
必要はない。それにもかかわらず、所望されるなら、該
生成端部もしくは頂部ディストリビューター空間を、セ
ラミック球体または他の粒子もしくは構造物で充填して
生成端部ディストリビューター空間での圧縮エネルギー
減損を軽減することができる。
【0046】当業者なら、実施されるガス分離、吸収媒
床の数及び使用吸収媒により種々のプロセス条件を用い
て実施しうることは認識されよう。本発明の種々の具体
化において約0.4〜1.2気圧の下位脱着圧力を用い
ることは本発明の範囲である。本発明のための上位吸収
圧力/下位脱着圧力比は約1.25〜5.0範囲であ
る。このような操作範囲で、本発明は望ましくは二つの
別個の操作方式内で実施される。かくして、本発明は或
る具体化で有利には、約0.4〜0.7気圧例えば0.
55気圧の下位脱着圧力、約1.4/1〜5.0/1好
ましくは約7.1/1〜3.0/1範囲の上位吸収圧力
/下位脱着圧力比で実施される。他の具体化では、本発
明は有利には、約1.0〜1.2気圧の下位脱着圧力、
約1.25/1〜3.5/1好ましくは約1.4/1〜
2.5/1の上位吸収圧力で有利に実施される。下位脱
着圧力への減圧に先立ち先に言及した並流減圧工程によ
り各床を中圧レベルに減圧するPSAサイクルでは、上
位吸収圧力と該中圧レベル(または、一つ以上の中圧を
用いるなら複数の中圧レベル)との差は望ましくは、用
いられる上位吸収圧力と下位脱着圧力との合計差のほぼ
0%〜約40%程度の低い範囲である。空気または他の
ガス供給温度は好都合には約280°K〜310°K範
囲であり、代表的には約290°K〜305°Kで、周
囲温度条件が好都合である。
床の数及び使用吸収媒により種々のプロセス条件を用い
て実施しうることは認識されよう。本発明の種々の具体
化において約0.4〜1.2気圧の下位脱着圧力を用い
ることは本発明の範囲である。本発明のための上位吸収
圧力/下位脱着圧力比は約1.25〜5.0範囲であ
る。このような操作範囲で、本発明は望ましくは二つの
別個の操作方式内で実施される。かくして、本発明は或
る具体化で有利には、約0.4〜0.7気圧例えば0.
55気圧の下位脱着圧力、約1.4/1〜5.0/1好
ましくは約7.1/1〜3.0/1範囲の上位吸収圧力
/下位脱着圧力比で実施される。他の具体化では、本発
明は有利には、約1.0〜1.2気圧の下位脱着圧力、
約1.25/1〜3.5/1好ましくは約1.4/1〜
2.5/1の上位吸収圧力で有利に実施される。下位脱
着圧力への減圧に先立ち先に言及した並流減圧工程によ
り各床を中圧レベルに減圧するPSAサイクルでは、上
位吸収圧力と該中圧レベル(または、一つ以上の中圧を
用いるなら複数の中圧レベル)との差は望ましくは、用
いられる上位吸収圧力と下位脱着圧力との合計差のほぼ
0%〜約40%程度の低い範囲である。空気または他の
ガス供給温度は好都合には約280°K〜310°K範
囲であり、代表的には約290°K〜305°Kで、周
囲温度条件が好都合である。
【0047】上記の如く、本発明のプラクティスで用い
られる吸収媒は、ガス混合物の易吸収性成分例えば空気
分離操作における窒素の場合中レベルでのみ強力な吸収
媒である平衡型ナトリウムXゼオライト分子篩である。
かくして、このような吸収媒例えば先に示した如きシリ
カ/アルミナ比を有するNaX並びに周知タイプの5A
及び4A物質は、中レベルに過ぎない窒素または他の、
選択的易吸収性成分の選択的吸収媒負荷及び吸収熱を示
す。対照してみるに、LiX、CaX及び他の、ナトリ
ウムXゼオライトのイオン交換調製されるゼオライト
は、供給空気の窒素または他のガスの選択的易吸収性成
分に関して強力な吸収媒であり、且つ高い負荷及び高い
吸収熱特性と共に窒素または他の選択的易吸収性成分に
対して高い選択性を示す。
られる吸収媒は、ガス混合物の易吸収性成分例えば空気
分離操作における窒素の場合中レベルでのみ強力な吸収
媒である平衡型ナトリウムXゼオライト分子篩である。
かくして、このような吸収媒例えば先に示した如きシリ
カ/アルミナ比を有するNaX並びに周知タイプの5A
及び4A物質は、中レベルに過ぎない窒素または他の、
選択的易吸収性成分の選択的吸収媒負荷及び吸収熱を示
す。対照してみるに、LiX、CaX及び他の、ナトリ
ウムXゼオライトのイオン交換調製されるゼオライト
は、供給空気の窒素または他のガスの選択的易吸収性成
分に関して強力な吸収媒であり、且つ高い負荷及び高い
吸収熱特性と共に窒素または他の選択的易吸収性成分に
対して高い選択性を示す。
【0048】他のPSAサイクルの如くパージ工程を用
いる本発明の具体化において、選択的に易吸収性成分の
吸収フロントが高圧吸収及び並流減圧工程の間床の生成
端部に向け、しかもその生成端部からの漏出を伴わずに
移動することは理解されよう。下位脱着圧力で用いられ
るパージガスの量は、床の供給端部からの選択的難吸収
性成分の脱着ないし除去を、難吸収性成分すなわち空気
分離における酸素の、床供給部分からの漏出を伴わずに
促進する如きものである。より低い吸収/脱着比適用に
おいて、難吸収性成分の漏出を伴わずに可能な程度で易
吸収性成分の脱着ないし除去を保証するのに十分なパー
ジガスを用いることは一般に望ましい。
いる本発明の具体化において、選択的に易吸収性成分の
吸収フロントが高圧吸収及び並流減圧工程の間床の生成
端部に向け、しかもその生成端部からの漏出を伴わずに
移動することは理解されよう。下位脱着圧力で用いられ
るパージガスの量は、床の供給端部からの選択的難吸収
性成分の脱着ないし除去を、難吸収性成分すなわち空気
分離における酸素の、床供給部分からの漏出を伴わずに
促進する如きものである。より低い吸収/脱着比適用に
おいて、難吸収性成分の漏出を伴わずに可能な程度で易
吸収性成分の脱着ないし除去を保証するのに十分なパー
ジガスを用いることは一般に望ましい。
【0049】以上、本発明を特に、窒素の選択的吸収及
び、所期生成物としての難吸収性成分すなわち酸素及び
アルゴンの回収の場合のPSA空気分離操作に関して記
述してきたけれども、他のガス分離操作も本発明のプラ
クティスにおいて有利に実施することができる。空気分
離PSAサイクルが知られており、本発明と共に使用
し、それによって難吸収性成分すなわち窒素が所期生成
物であり、それがパージ工程を用い或は用いずにPSA
サイクルの脱着部分で回収しうることは理解されよう。
本発明により高めることのできる他のガス分離PSA操
作としてヘリウムまたは水素からの窒素分離が含まれ
る。かかるガス混合物の難吸収性成分はヘリウムであ
る。
び、所期生成物としての難吸収性成分すなわち酸素及び
アルゴンの回収の場合のPSA空気分離操作に関して記
述してきたけれども、他のガス分離操作も本発明のプラ
クティスにおいて有利に実施することができる。空気分
離PSAサイクルが知られており、本発明と共に使用
し、それによって難吸収性成分すなわち窒素が所期生成
物であり、それがパージ工程を用い或は用いずにPSA
サイクルの脱着部分で回収しうることは理解されよう。
本発明により高めることのできる他のガス分離PSA操
作としてヘリウムまたは水素からの窒素分離が含まれ
る。かかるガス混合物の難吸収性成分はヘリウムであ
る。
【0050】空気分離及び酸素回収に関し前記例示例で
言及した系を用いるなら、外部冷却方策で達成されるも
のに匹敵しうる性能が本発明のプラクティスで外部冷却
を必要とせずに達成しうると決定された。また、脱着圧
力を固定した上位吸収圧力条件下で低く保持するとき生
成物回収はより高く、床寸法要素は望ましいことにより
低いと決定された。しかしながら、脱着圧力を次第に低
めることによって、真空脱着圧力レベルを達成するのに
用いられる真空ポンプのパワー要件が高められる。かく
して、適度な脱着圧力レベル並びに先に特定した範囲の
適度に高い吸収/脱着比が一般に望ましい。本発明はま
た、非常に望ましいプロセスの融通性をもたらし、所定
の応用に関する要件ないし限度に照らして操作特徴の釣
合を行うことが可能である。
言及した系を用いるなら、外部冷却方策で達成されるも
のに匹敵しうる性能が本発明のプラクティスで外部冷却
を必要とせずに達成しうると決定された。また、脱着圧
力を固定した上位吸収圧力条件下で低く保持するとき生
成物回収はより高く、床寸法要素は望ましいことにより
低いと決定された。しかしながら、脱着圧力を次第に低
めることによって、真空脱着圧力レベルを達成するのに
用いられる真空ポンプのパワー要件が高められる。かく
して、適度な脱着圧力レベル並びに先に特定した範囲の
適度に高い吸収/脱着比が一般に望ましい。本発明はま
た、非常に望ましいプロセスの融通性をもたらし、所定
の応用に関する要件ないし限度に照らして操作特徴の釣
合を行うことが可能である。
【0051】本発明は、循環式PSA操作の過程で生じ
る自冷却の効果的利用に基づくPSA技法において非常
に望ましい進歩をもたらす。その結果、高められたガス
分離が、最適の温度条件下、外部冷却源の必要ないし出
費を伴わずに、空気分離による酸素回収に関して非常に
望ましいPSA操作の如く達成することができる。本発
明のプラクティスにより、PSA技法は、全効率に関し
て斯界の需要及び要望をより十分に満たすことができ、
経済も、酸素生産のための空気分離及び他のガス分離操
作で絶えず増大する要求を満たしている。
る自冷却の効果的利用に基づくPSA技法において非常
に望ましい進歩をもたらす。その結果、高められたガス
分離が、最適の温度条件下、外部冷却源の必要ないし出
費を伴わずに、空気分離による酸素回収に関して非常に
望ましいPSA操作の如く達成することができる。本発
明のプラクティスにより、PSA技法は、全効率に関し
て斯界の需要及び要望をより十分に満たすことができ、
経済も、酸素生産のための空気分離及び他のガス分離操
作で絶えず増大する要求を満たしている。
【図1】本発明の自冷却PSA吸収媒床の具体化の概略
図である。
図である。
【図2】代表的2床PSA系のプロセスフローダイアグ
ラムである。
ラムである。
1 吸収容器 1A 絶縁壁 3、8 ディストリビューター空間 4、6 熱再生帯域 5 乾燥セクション 7 吸収媒床 11 空気圧縮器 12 アフタークーラー 13、14 吸収媒床
Claims (59)
- 【請求項1】 吸収しやすい成分(易吸収性成分)と吸
収しにくい成分(難吸収性成分)とを含有する供給ガス
混合物から前記易吸収性成分を分離するための圧力スイ
ング吸収系であって、(a)前記供給ガス混合物の易吸
収性成分を選択的に吸収しうる平衡型吸収媒物質床を含
有する少なくとも一つの吸収容器にして、該吸収媒物質
が前記易吸収性成分に対し穏和な強度の吸収媒に過ぎず
且つ1kg当り25g未満の水負荷を有し、該吸収媒物
質床が該床への外部供給冷却の装備手段を何ら有さない
吸収容器、(b)供給ガス混合物を吸収容器の供給端部
に通し且つ該容器から易吸収性成分を、前記吸収媒物質
床からの脱着時取り出すための導管手段、(c)難吸収
性成分を容器の反対端部から取り出すための導管手段、
(d)供給端部及び、前記導管手段に近い吸収容器の反
対端部に位置し而して吸収媒物質床をその間に位置させ
たディストリビューター手段、(e)吸収容器内にあっ
て、吸収媒物質床と、吸収容器の供給端部に位置するデ
ィストリビューター手段との間に位置する再生セクショ
ンにして、吸収媒物質床で実施される吸収/脱着操作順
序の脱着部分の間逆流流れに冷却をもたらすのに適合し
た伝導性要素を含む再生セクション、並びに(f)吸収
容器の壁上の断熱手段にして、吸収容器外部からその壁
を介し吸収媒物質床への或は容器内再生セクションへの
熱導入により系の吸収/脱着サイクル操作の間生じる自
冷却のいかなる感知量の減損をも防止するのに適合した
断熱手段を含み、而してそれにより再生セクションと吸
収容器の断熱との組合せが容器内での内部発生自冷却の
保持を可能にするため、吸収媒物質床の平均温度が外部
供給冷却を必要とせずに吸収/脱着サイクル操作の間低
下することのできる圧力スイング吸収系。 - 【請求項2】 吸収媒物質床が、2.0〜2.6のシリ
カ/アルミナ比を有するナトリウムX型ゼオライト材を
含む、請求項1の系。 - 【請求項3】 シリカ/アルミナ比が2.4未満であ
る、請求項2の系。 - 【請求項4】 吸収媒物質床が5A型ゼオライトを含
む、請求項1の系。 - 【請求項5】 吸収媒物質床が4A型ゼオライトを含
む、請求項1の系。 - 【請求項6】 再生セクションが金属粒子を含む、請求
項1の系。 - 【請求項7】 再生セクションが250〜0.5BTU
/°F/ft/ft2 /hr範囲の熱伝導率を有する粒
子を含む、請求項1の系。 - 【請求項8】 熱伝導率が150〜15である、請求項
7の系。 - 【請求項9】 水負荷が1kg当り水10g未満であ
る、請求項1の系。 - 【請求項10】 系が、吸収媒物質床を含有する二つ以
上の吸収容器、供給ガス混合物を系に通し且つ該系から
易吸収性成分を除去するための導管手段、並びに各床に
おいて吸収/脱着圧力スイング吸収順序を循環基準で実
施することを可能にするように適合した系から難吸収性
成分を取り出すための導管手段を含む請求項1の系。 - 【請求項11】 吸収容器の供給端部におけるディスト
リビューター手段がその中の空隙を幾分低下させるのに
役立つ粒子で充填されている、請求項1の系。 - 【請求項12】 粒子が伝導性粒子である、請求項11
の系。 - 【請求項13】 更に、吸収容器内にあって再生セクシ
ョンと吸収媒物質床との間に位置する乾燥セクションを
含む請求項1の系にして、該乾燥セクションが供給ガス
混合物から水蒸気、二酸化炭素及び重質炭化水素を除去
することのできる乾燥剤を含み、吸収媒近傍の乾燥セク
ション部分が別の再生セクションとして役立つ系。 - 【請求項14】 吸収媒物質床が、2.0〜2.6のシ
リカ/アルミナ比を有するナトリウムXゼオライト物質
を含む、請求項13の系。 - 【請求項15】 シリカ/アルミナ比が2.4未満であ
る、請求項14の系。 - 【請求項16】 吸収媒物質床が5A型ゼオライトを含
む、請求項13の系。 - 【請求項17】 吸収媒物質床が4A型ゼオライトを含
む、請求項13の系。 - 【請求項18】 再生セクションが金属粒子を含む、請
求項13の系。 - 【請求項19】 再生セクションが250〜0.5BT
U/°F/ft/ft2 /hr範囲の熱伝導率を有する
要素を含む、請求項13の系。 - 【請求項20】 熱伝導率が150〜15である、請求
項19の系。 - 【請求項21】 系が、吸収媒物質床を含有する二つ以
上の吸収容器、供給ガス混合物を系に通し且つ系から易
吸収性成分を除去するための導管手段、並びに各床にお
いて吸収/脱着圧力スイング吸収順序を循環基準で実施
することを可能にするように適合した系から難吸収性成
分を取り出すための導管手段を含む請求項13の系。 - 【請求項22】 吸収容器の供給端部におけるディスト
リビューター手段がその中の空隙を幾分低下させるのに
役立つ粒子で充填されている、請求項13の系。 - 【請求項23】 粒子が伝導性粒子を含む、請求項22
の系。 - 【請求項24】 易吸収性成分と難吸収性成分とを含有
する供給ガス混合物から前記易吸収性成分を循環吸収/
脱着順序で分離するための圧力スイング吸収方法にし
て、(a)平衡型吸収媒物質床を含有する少なくとも一
つの吸収容器の吸収端部に供給ガス混合物を上位吸収圧
力で通し(但し吸収媒物質が供給ガス混合物の易吸収性
成分を選択的に吸収することができ、また該吸収媒物質
が易吸収性成分に対し穏和な強度の吸収媒物質に過ぎず
且つ1kg当り25g未満の水負荷量を有し、そしてま
た該吸収媒物質床には外部供給冷却が何ら装備されてい
ないものとする)、更に該供給ガス混合物をディストリ
ビューター手段を介し吸収容器の供給端部及び、吸収媒
と該ディストリビューター手段との間に位置する再生セ
クションに通し(但し再生セクションは、吸収媒物質床
で実施される吸収/脱着操作順序の脱着部分の間逆流流
れに冷却をもたらすのに適合した伝導性要素を含み、ま
た吸収容器は、その壁上に、吸収容器外部から該壁を介
して吸収媒物質床への或は容器内再生セクションへの熱
導入により循環式吸収/脱着操作の間生じる自冷却のい
かなる感知量の減損をも防止する断熱手段を有するもの
とする)、(b)易吸収性成分を容器の反対端部のディ
ストリビューター手段から上位吸収圧力で取り出し、そ
して(c)床を0.4〜1.2気圧範囲の下方脱着圧力
に減圧することにより供給ガス混合物の易吸収性成分を
床の供給端部から除去する(但し上位吸収圧力/下位脱
着圧力比は1.25/1〜5.0/1範囲とする)こと
を含み、而してそれにより、自冷却をもたらす再生セク
ションの使用と吸収容器の絶縁との組合せが容器内での
内部発生自冷却の保持を可能にするため、吸収媒床の平
均温度が、外部供給冷却を必要とせずに循環式吸収/脱
着操作の間低下される、圧力スイング吸収方法。 - 【請求項25】 下位脱着圧力が0.4〜0.7気圧で
あり、上位吸収圧力/下位脱着圧力比が1.4/1〜
5.0/1である、請求項24の方法。 - 【請求項26】 圧力比が1.7/1〜3.0/1であ
る、請求項25の方法。 - 【請求項27】 下位脱着圧力が1〜1.2気圧であ
り、上位吸収圧力/下位脱着圧力が1.25/1〜3.
5/1である、請求項24の方法。 - 【請求項28】 圧力比が1.4/1〜2.5/1であ
る、請求項27の方法。 - 【請求項29】 再生セクション粒子の熱伝導率が25
0〜0.5BTU/°F/ft/ft2 /hrである、
請求項24の方法。 - 【請求項30】 熱伝導率が150〜15である、請求
項29の方法。 - 【請求項31】 水負荷が1kg当り水10g未満であ
る、請求項24の方法。 - 【請求項32】 吸収媒物質床が、2.0〜2.6のシ
リカ/アルミナ比を有するナトリウムXゼオライト物質
を含む、請求項24の方法。 - 【請求項33】 シリカ/アルミナ比が2.4未満であ
る、請求項32の方法。 - 【請求項34】 吸収媒物質床が4A型ゼオライトを含
む、請求項24の方法。 - 【請求項35】 吸収媒物質床が5A型ゼオライトを含
む、請求項24の系。 - 【請求項36】 吸収容器の供給端部におけるディスト
リビューター手段がその中の空隙を幾分低下させるのに
役立つ粒子を含有する、請求項24の方法。 - 【請求項37】 更に、吸収容器内にあって再生セクシ
ョンと吸収媒物質床との間に位置する乾燥セクションに
供給ガス混合物を通すことを含む請求項24の方法であ
って、該乾燥セクションが、水蒸気、二酸化炭素及び重
質炭化水素を吸収することのできる乾燥剤を含み、吸収
媒物質床近傍の乾燥セクション部分が別の再生セクショ
ンとして役立つ方法。 - 【請求項38】 下位脱着圧力が0.4〜0.7気圧で
あり、上位吸収圧力/下位脱着圧力比が1.7/1〜
3.0/1である、請求項24の方法。 - 【請求項39】 下位脱着圧力が1〜1.2気圧であ
り、上位吸収圧力/下位脱着圧力が1.25/1〜3.
5/1である、請求項37の方法。 - 【請求項40】 再生セクション粒子の熱伝導率が25
0〜0.5BTU/°F/ft/ft2 /hrである、
請求項38の方法。 - 【請求項41】 熱伝導率が150〜15である、請求
項40の方法。 - 【請求項42】 水負荷が1kg当り水10g未満であ
る、請求項37の方法。 - 【請求項43】 吸収媒物質床が2.0〜2.6のシリ
カ/アルミナ比を有するナトリウムXゼオライト物質を
含む、請求項37の方法。 - 【請求項44】 シリカ/アルミナ比が2.4未満であ
る、請求項43の方法。 - 【請求項45】 吸収媒物質床が4A型ゼオライトを含
む、請求項37の方法。 - 【請求項46】 吸収媒物質床が5A型ゼオライトを含
む、請求項37の方法。 - 【請求項47】 吸収容器の供給端部におけるディスト
リビューター手段がその中の空隙を幾分低下させるのに
役立つ粒子を含有する、請求項37の方法。 - 【請求項48】 供給ガス混合物が空気を含む、請求項
24の方法。 - 【請求項49】 床の反対端部から回収される難吸収性
成分が酸素及びアルゴン生成ガスを含む、請求項48の
方法。 - 【請求項50】 床の供給端部から回収される易吸収性
成分が窒素生成ガスを含む、請求項48の方法。 - 【請求項51】 供給ガス混合物が易吸収性成分として
窒素を含み、難吸収性成分としてヘリウムを含む、請求
項24の方法。 - 【請求項52】 供給ガス混合物が易吸収性成分として
窒素を含み、難吸収性成分として水素を含む、請求項2
4の方法。 - 【請求項53】 供給ガス混合物が二つ以上の吸収容器
に循環基準で通される、請求項24の方法。 - 【請求項54】 供給ガス混合物が空気を含む、請求項
37の方法。 - 【請求項55】 床の反対端部から回収される難吸収性
成分が酸素及びアルゴン生成ガスを含む、請求項54の
方法。 - 【請求項56】 床の供給端部から回収される易吸収性
成分が窒素生成ガスを含む、請求項54の方法。 - 【請求項57】 供給ガス混合物が易吸収性成分として
窒素を含み、難吸収性成分としてヘリウムを含む、請求
項37の方法。 - 【請求項58】 供給ガス混合物が易吸収性成分として
窒素を含み、難吸収性成分として水素を含む、請求項3
7の方法。 - 【請求項59】 供給ガス混合物が二つ以上の吸収容器
に循環基準で通される、請求項37の方法。
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