JPH0521907A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法Info
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- JPH0521907A JPH0521907A JP3201438A JP20143891A JPH0521907A JP H0521907 A JPH0521907 A JP H0521907A JP 3201438 A JP3201438 A JP 3201438A JP 20143891 A JP20143891 A JP 20143891A JP H0521907 A JPH0521907 A JP H0521907A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２回成長によって製作可能とすることによ
り、製作プロセスを簡単にする。又、製作される素子の
熱特性を良好にし、安定した横モードが得られるように
する。 【構成】 第１回目の成長工程で、ＭＯＶＰＥ法やＭＢ
Ｅ法により、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上にｎ型ＡｌＧａＩ
ｎＰ下部クラッド層２１、ＧａＩｎＰ活性層２２、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰキャリア閉じ込め層２３、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐエッチング停止層２４、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
２５を順次成長させる。この後、電流ブロック層２５を
選択的エッチングしてストライプ溝３２を形成する。つ
いで、この半導体基板に硫化アンモニウム処理を施した
後、ＭＢＥ装置内でＡｓ分子線を照射してサーマルクリ
ーニングする。ついで、第２回目の成長工程において、
ＭＢＥ法により、半導体基板の表面にｐ型ＡｌＧａＡｓ
上部クラッド層４１とｐ型ＧａＡｓキャップ層４２を順
次積層する。
り、製作プロセスを簡単にする。又、製作される素子の
熱特性を良好にし、安定した横モードが得られるように
する。 【構成】 第１回目の成長工程で、ＭＯＶＰＥ法やＭＢ
Ｅ法により、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上にｎ型ＡｌＧａＩ
ｎＰ下部クラッド層２１、ＧａＩｎＰ活性層２２、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰキャリア閉じ込め層２３、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐエッチング停止層２４、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
２５を順次成長させる。この後、電流ブロック層２５を
選択的エッチングしてストライプ溝３２を形成する。つ
いで、この半導体基板に硫化アンモニウム処理を施した
後、ＭＢＥ装置内でＡｓ分子線を照射してサーマルクリ
ーニングする。ついで、第２回目の成長工程において、
ＭＢＥ法により、半導体基板の表面にｐ型ＡｌＧａＡｓ
上部クラッド層４１とｐ型ＧａＡｓキャップ層４２を順
次積層する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ素子の製造
方法に関する。具体的にいうと、本発明は、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系可視光半導体レーザ素子の製造方法に関する。
方法に関する。具体的にいうと、本発明は、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系可視光半導体レーザ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のＡｌＧａＩｎＰ系可視光半
導体レーザ素子を示す断面図である。この半導体レーザ
素子５１は、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）を用
い、しかも、３回の結晶成長工程（以下、単に成長工程
という。）を経て作製されている（例えば ELECTRONICS
LETTERS，1987 Vol.23 No.18 P.938〜939）。
導体レーザ素子を示す断面図である。この半導体レーザ
素子５１は、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）を用
い、しかも、３回の結晶成長工程（以下、単に成長工程
という。）を経て作製されている（例えば ELECTRONICS
LETTERS，1987 Vol.23 No.18 P.938〜939）。
【０００３】すなわち、図２に即して製造順序を説明す
ると、まず、第１回目の成長工程で、ＧａＡｓ基板５２
の上にｎ−ＧａＡｓバッファ層５３、ｎ−（Ａｌ0.4Ｇ
ａ0.6）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下部クラッド層５４、Ｇａ0.5Ｉｎ
0.5Ｐ活性層５５、ｐ−（Ａｌ0.4Ｇａ0.6）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ内側クラッド層５６、ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチン
グストップ層５７、ｐ−（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ外側クラッド層５８、ｐ−ＧａＡｓキャップ層５９を
順次成長させる。この後、キャップ層５９上面の中央部
にＳｉＯ2マスク（図示せず）を形成し、ＳｉＯ2マスク
を通してエッチングストップ層５７まで選択的化学エッ
チングによってキャップ層５９及び外側クラッド層５８
をメサ形にエッチングし、リッジ部６０を形成する。リ
ッジ部６０を形成した後、第２回目の成長工程におい
て、リッジ部６０の外側にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６１
を成長させる。ついで、リッジ部６０の上のＳｉＯ2マ
スクを除去した後、第３回目の成長工程において、キャ
ップ層５９及び電流阻止層６１の上にｐ−ＧａＡｓキャ
ップ層６２を再び成長させる。この後、キャップ層６２
の上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕによるｐ側電極６３を形成し、
ＧａＡｓ基板５２の下面にｎ側電極６４を形成する。
ると、まず、第１回目の成長工程で、ＧａＡｓ基板５２
の上にｎ−ＧａＡｓバッファ層５３、ｎ−（Ａｌ0.4Ｇ
ａ0.6）0.5Ｉｎ0.5Ｐ下部クラッド層５４、Ｇａ0.5Ｉｎ
0.5Ｐ活性層５５、ｐ−（Ａｌ0.4Ｇａ0.6）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ内側クラッド層５６、ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチン
グストップ層５７、ｐ−（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5
Ｐ外側クラッド層５８、ｐ−ＧａＡｓキャップ層５９を
順次成長させる。この後、キャップ層５９上面の中央部
にＳｉＯ2マスク（図示せず）を形成し、ＳｉＯ2マスク
を通してエッチングストップ層５７まで選択的化学エッ
チングによってキャップ層５９及び外側クラッド層５８
をメサ形にエッチングし、リッジ部６０を形成する。リ
ッジ部６０を形成した後、第２回目の成長工程におい
て、リッジ部６０の外側にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６１
を成長させる。ついで、リッジ部６０の上のＳｉＯ2マ
スクを除去した後、第３回目の成長工程において、キャ
ップ層５９及び電流阻止層６１の上にｐ−ＧａＡｓキャ
ップ層６２を再び成長させる。この後、キャップ層６２
の上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕによるｐ側電極６３を形成し、
ＧａＡｓ基板５２の下面にｎ側電極６４を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、上記のよ
うな構造の半導体レーザ素子の製造方法にあっては、ウ
エハ上への結晶成長工程が３回必要となり、このため製
造プロセスが複雑になると共に結晶に熱履歴による微小
欠陥等が発生し易くなるという欠点があった。
うな構造の半導体レーザ素子の製造方法にあっては、ウ
エハ上への結晶成長工程が３回必要となり、このため製
造プロセスが複雑になると共に結晶に熱履歴による微小
欠陥等が発生し易くなるという欠点があった。
【０００５】さらに、これまでの可視光半導体レーザ素
子では、ｐ側（内側及び外側）クラッド層にＡｌＧａＩ
ｎＰを用いているが、ＡｌＧａＩｎＰは比抵抗が大き
く、熱伝導率が小さいため、熱特性に不利で、最高発振
温度が小さい（Ｔmax≒７０℃程度）という問題があっ
た。
子では、ｐ側（内側及び外側）クラッド層にＡｌＧａＩ
ｎＰを用いているが、ＡｌＧａＩｎＰは比抵抗が大き
く、熱伝導率が小さいため、熱特性に不利で、最高発振
温度が小さい（Ｔmax≒７０℃程度）という問題があっ
た。
【０００６】また、従来の屈折率導波型レーザ素子は３
回成長が必要なうえ、リッジ幅のエッチング制御性が悪
いため、ＦＦＰθ//（活性層と平行な方向における遠視
野像）などの素子特性のばらつきが大きいという問題が
あった。
回成長が必要なうえ、リッジ幅のエッチング制御性が悪
いため、ＦＦＰθ//（活性層と平行な方向における遠視
野像）などの素子特性のばらつきが大きいという問題が
あった。
【０００７】本発明は、叙上の従来例の欠点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、２回成長
によって製作可能で製作プロセスが簡単になり、熱特性
にも優れ、しかも、安定した横モードが得られる可視光
半導体レーザ素子の製造方法を提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、２回成長
によって製作可能で製作プロセスが簡単になり、熱特性
にも優れ、しかも、安定した横モードが得られる可視光
半導体レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ素子の製造方法は、第１回目の成長工程において、活
性層の上方に電流ブロック層を形成し、この後、電流ブ
ロック層の導波路形成部に対応する領域をエッチング除
去し、ついで、硫化アンモニウム処理を施した後、第２
回目の成長工程において、電流ブロック層の上方に分子
線エピタキシャル成長法によりＡｌＧａＡｓクラッド層
を形成することを特徴としている。
ザ素子の製造方法は、第１回目の成長工程において、活
性層の上方に電流ブロック層を形成し、この後、電流ブ
ロック層の導波路形成部に対応する領域をエッチング除
去し、ついで、硫化アンモニウム処理を施した後、第２
回目の成長工程において、電流ブロック層の上方に分子
線エピタキシャル成長法によりＡｌＧａＡｓクラッド層
を形成することを特徴としている。
【０００９】
【作用】本発明の方法によって製造される半導体レーザ
素子にあっては、電流ブロック層の除去領域（ストライ
プ溝）を通って活性層に電流が注入され、活性層の端面
からレーザ光が出射される。しかも、第１回目の成長工
程を経て導波路形成部に対応する領域で電流ブロック層
をエッチング除去した後、第２回目の成長工程によりそ
の上にクラッド層を形成しているので、２回の成長工程
により半導体レーザ素子を製作することができ、従来の
３回成長法から成長工程を１回減少させることができて
製造プロセスが簡単になる。しかも、成長工程数が減少
することにより、熱履歴等による結晶欠陥を減少させる
こともできる。
素子にあっては、電流ブロック層の除去領域（ストライ
プ溝）を通って活性層に電流が注入され、活性層の端面
からレーザ光が出射される。しかも、第１回目の成長工
程を経て導波路形成部に対応する領域で電流ブロック層
をエッチング除去した後、第２回目の成長工程によりそ
の上にクラッド層を形成しているので、２回の成長工程
により半導体レーザ素子を製作することができ、従来の
３回成長法から成長工程を１回減少させることができて
製造プロセスが簡単になる。しかも、成長工程数が減少
することにより、熱履歴等による結晶欠陥を減少させる
こともできる。
【００１０】また、ＡｌＧａＡｓクラッド層を用いてい
るので、従来例におけるＡｌＧａＩｎＰからなるクラッ
ド層に較べ、比抵抗が小さく、かつ熱伝導率が大きくな
り、この結果、熱抵抗が低減して最高発振温度Ｔmaxが
向上する。
るので、従来例におけるＡｌＧａＩｎＰからなるクラッ
ド層に較べ、比抵抗が小さく、かつ熱伝導率が大きくな
り、この結果、熱抵抗が低減して最高発振温度Ｔmaxが
向上する。
【００１１】さらに、電流ブロック層をエッチングした
後、硫化アンモニウム処理を施しているので、表面に酸
化物が存在せず、こののち分子線エピタキシャル成長法
によって２回目の結晶成長を行なわせることができる。
しかも、２回目の成長工程で分子線エピタキシャル成長
法を用いているので、ＦＦＰθ//などの安定性と再現性
に優れている。
後、硫化アンモニウム処理を施しているので、表面に酸
化物が存在せず、こののち分子線エピタキシャル成長法
によって２回目の結晶成長を行なわせることができる。
しかも、２回目の成長工程で分子線エピタキシャル成長
法を用いているので、ＦＦＰθ//などの安定性と再現性
に優れている。
【００１２】
【実施例】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例によ
る屈折率導波型のＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体レーザ素
子１の製造方法を示す断面図であって、そのうち図１
（ｃ）は製造された半導体レーザ素子１を示す断面図で
ある。
る屈折率導波型のＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体レーザ素
子１の製造方法を示す断面図であって、そのうち図１
（ｃ）は製造された半導体レーザ素子１を示す断面図で
ある。
【００１３】この半導体レーザ素子１の製造方法を図１
（ａ）〜（ｃ）に従って説明する。まず、第１回目の成
長工程においては、成長装置内で、有機金属気相成長
（ＭＯＶＰＥ）法あるいは分子線エピタキシャル成長
（ＭＢＥ）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の上にｎ型
（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる下部クラッド
層２１、ＧａＩｎＰ活性層２２、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇ
ａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるキャリア閉じ込め層２
３、ｐ型ＧａＩｎＰ（層厚５０Å）からなるエッチング
停止層２４、ｎ型ＧａＡｓからなる電流ブロック層（光
吸収層）２５を順次成長させる。この結果、図１（ａ）
に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の上に５層からな
る第１成長層２０が積層される。
（ａ）〜（ｃ）に従って説明する。まず、第１回目の成
長工程においては、成長装置内で、有機金属気相成長
（ＭＯＶＰＥ）法あるいは分子線エピタキシャル成長
（ＭＢＥ）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の上にｎ型
（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる下部クラッド
層２１、ＧａＩｎＰ活性層２２、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇ
ａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるキャリア閉じ込め層２
３、ｐ型ＧａＩｎＰ（層厚５０Å）からなるエッチング
停止層２４、ｎ型ＧａＡｓからなる電流ブロック層（光
吸収層）２５を順次成長させる。この結果、図１（ａ）
に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の上に５層からな
る第１成長層２０が積層される。
【００１４】図１（ａ）のようにｎ型ＧａＡｓ基板１１
の上に第１成長層２０を形成された半導体基板を成長装
置から取り出した後、電流ブロック層２５の上にフォト
レジスト３１を塗布し、露光及び現像工程を経て導波路
形成部に対応する領域のフォトレジスト３１を剥離さ
せ、電流ブロック層２５の導波路形成部に対応する領域
以外をフォトレジスト３１で覆う。さらに、熱燐酸（エ
ッチャント）を用い、フォトレジスト３１をマスクとし
て電流ブロック層２５からエッチング停止層２４との界
面まで選択的エッチングし、第１成長層２０の表面にス
トライプ溝３２を形成する（図１（ｂ））。表面のフォ
トレジスト３１は、この後に除去する。
の上に第１成長層２０を形成された半導体基板を成長装
置から取り出した後、電流ブロック層２５の上にフォト
レジスト３１を塗布し、露光及び現像工程を経て導波路
形成部に対応する領域のフォトレジスト３１を剥離さ
せ、電流ブロック層２５の導波路形成部に対応する領域
以外をフォトレジスト３１で覆う。さらに、熱燐酸（エ
ッチャント）を用い、フォトレジスト３１をマスクとし
て電流ブロック層２５からエッチング停止層２４との界
面まで選択的エッチングし、第１成長層２０の表面にス
トライプ溝３２を形成する（図１（ｂ））。表面のフォ
トレジスト３１は、この後に除去する。
【００１５】ついで、フォトレジスト３１を除去された
半導体基板を硫化アンモニウム溶液に５分間浸漬した
後、純水洗浄し、さらに窒素乾燥させる。半導体基板
は、硫化アンモニウム処理を施されることにより、表面
の酸化物が硫化物に置き換えられる。
半導体基板を硫化アンモニウム溶液に５分間浸漬した
後、純水洗浄し、さらに窒素乾燥させる。半導体基板
は、硫化アンモニウム処理を施されることにより、表面
の酸化物が硫化物に置き換えられる。
【００１６】この後、半導体基板をＭＢＥ装置（図示せ
ず）内に納入し、所定位置に装着する。ＭＢＥ装置に装
着後、半導体基板にＡｓ分子線を照射させながら、半導
体基板を約５００℃で加熱し、サーマルクリーニングを
行なう。ここで、半導体基板は硫化アンモニウム処理を
施されていて表面に酸化膜が存在しないので、低温でサ
ーマルクリーニングが可能となる。
ず）内に納入し、所定位置に装着する。ＭＢＥ装置に装
着後、半導体基板にＡｓ分子線を照射させながら、半導
体基板を約５００℃で加熱し、サーマルクリーニングを
行なう。ここで、半導体基板は硫化アンモニウム処理を
施されていて表面に酸化膜が存在しないので、低温でサ
ーマルクリーニングが可能となる。
【００１７】ついで、ＭＢＥ装置内において、第２回目
の成長工程が実施される。すなわち、ＭＢＥ法により、
半導体基板の表面（電流ブロック層２５及びエッチング
停止層２４）にｐ型Ａｌ0.8Ｇａ0.2Ａｓからなる上部ク
ラッド層４１と、ｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層４２
を順次積層し、第１成長層２０の上に上部クラッド層４
１及びキャップ層４２からなる第２成長層４０が形成さ
れる。
の成長工程が実施される。すなわち、ＭＢＥ法により、
半導体基板の表面（電流ブロック層２５及びエッチング
停止層２４）にｐ型Ａｌ0.8Ｇａ0.2Ａｓからなる上部ク
ラッド層４１と、ｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層４２
を順次積層し、第１成長層２０の上に上部クラッド層４
１及びキャップ層４２からなる第２成長層４０が形成さ
れる。
【００１８】最後に、キャップ層４２の上にｐ側電極５
１を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の下面にｎ側電極５
２を形成し、図１（ｃ）に示すような半導体レーザ素子
１が製作される
１を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の下面にｎ側電極５
２を形成し、図１（ｃ）に示すような半導体レーザ素子
１が製作される
【００１９】これにより、電流ブロック層２５の除去さ
れたストライプ溝３２の部分で上部クラッド層４１とエ
ッチング停止層２４との間に光学的吸収のない、電気的
にも良好な層が得られ、ｐ側電極５１から活性層２２へ
効率的に電流が注入される。
れたストライプ溝３２の部分で上部クラッド層４１とエ
ッチング停止層２４との間に光学的吸収のない、電気的
にも良好な層が得られ、ｐ側電極５１から活性層２２へ
効率的に電流が注入される。
【００２０】また、上部クラッド層４１がＡｌＧａＡｓ
によって形成されているので、比抵抗が小さく、熱伝導
率が良好で、熱抵抗が小さく、このため内部で発生した
熱はｐ側電極５１へ伝達されてｐ側電極５１から放熱さ
れる。従って、エピサイドダウン実装することにより効
果的に内部の熱を放熱し、素子の温度上昇を防止するこ
とができる。
によって形成されているので、比抵抗が小さく、熱伝導
率が良好で、熱抵抗が小さく、このため内部で発生した
熱はｐ側電極５１へ伝達されてｐ側電極５１から放熱さ
れる。従って、エピサイドダウン実装することにより効
果的に内部の熱を放熱し、素子の温度上昇を防止するこ
とができる。
【００２１】さらに、選択的エッチングとＭＢＥ法によ
って屈折率導波型の構造を形成しているので、安定した
横モード特性を得ることができ、ＦＦＰθ//などのの素
子特性のばらつきも少なくなる。
って屈折率導波型の構造を形成しているので、安定した
横モード特性を得ることができ、ＦＦＰθ//などのの素
子特性のばらつきも少なくなる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、２回の成長工程により
半導体レーザ素子を製作することができ、成長工程数の
減少により製造プロセスが簡単になる。さらに、成長工
程数の減少のため、熱履歴等による結晶欠陥を低減させ
ることができる。
半導体レーザ素子を製作することができ、成長工程数の
減少により製造プロセスが簡単になる。さらに、成長工
程数の減少のため、熱履歴等による結晶欠陥を低減させ
ることができる。
【００２３】また、ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層を
有しているので、比抵抗が小さく、かつ熱伝導率が大き
く、この結果、熱抵抗が低減して最高発振温度Ｔmaxを
向上させることができる。
有しているので、比抵抗が小さく、かつ熱伝導率が大き
く、この結果、熱抵抗が低減して最高発振温度Ｔmaxを
向上させることができる。
【００２４】さらに、電流ブロック層をエッチングした
後、硫化アンモニウム処理を施しているので、表面に酸
化物が存在せず、こののち分子線エピタキシャル成長法
によって２回目の結晶成長を行なわせることができる。
しかも、２回目の成長工程で分子線エピタキシャル法を
用いているので、安定した横モードを得ることができ、
ＦＦＰθ//などの安定性と再現性に優れた半導体レーザ
素子を製作できる。
後、硫化アンモニウム処理を施しているので、表面に酸
化物が存在せず、こののち分子線エピタキシャル成長法
によって２回目の結晶成長を行なわせることができる。
しかも、２回目の成長工程で分子線エピタキシャル法を
用いているので、安定した横モードを得ることができ、
ＦＦＰθ//などの安定性と再現性に優れた半導体レーザ
素子を製作できる。
【図１】（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の一実施例による
半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図である。
半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図である。
【図２】従来例によるＡｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レ
ーザ素子の構造を示す断面図である。
ーザ素子の構造を示す断面図である。
２０ 第１成長層 ２２ 活性層 ２４ エッチング停止層 ２５ 電流ブロック層 ３２ ストライプ溝 ４０ 第２成長層 ４１ 上部クラッド層 ４２ キャップ層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１回目の成長工程において、活性層の
上方に電流ブロック層を形成し、 この後、電流ブロック層の導波路形成部に対応する領域
をエッチング除去し、 ついで、硫化アンモニウム処理を施した後、 第２回目の成長工程において、電流ブロック層の上方に
分子線エピタキシャル成長法によりＡｌＧａＡｓクラッ
ド層を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201438A JPH0521907A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201438A JPH0521907A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521907A true JPH0521907A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16441093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3201438A Pending JPH0521907A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521907A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09205249A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| US6879614B2 (en) | 1996-08-27 | 2005-04-12 | Ricoh Company, Ltd. | Optical semiconductor device having an active layer containing N |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3201438A patent/JPH0521907A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09205249A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| US6879614B2 (en) | 1996-08-27 | 2005-04-12 | Ricoh Company, Ltd. | Optical semiconductor device having an active layer containing N |
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