JPH0521875A - 光増幅装置 - Google Patents
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- JPH0521875A JPH0521875A JP3175453A JP17545391A JPH0521875A JP H0521875 A JPH0521875 A JP H0521875A JP 3175453 A JP3175453 A JP 3175453A JP 17545391 A JP17545391 A JP 17545391A JP H0521875 A JPH0521875 A JP H0521875A
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- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
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- H04B10/291—Repeaters in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form
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- H04B10/2914—Repeaters in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form characterised by the medium used for amplification or processing using lumped semiconductor optical amplifiers [SOA]
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
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- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
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- H04B2210/003—Devices including multiple stages, e.g., multi-stage optical amplifiers or dispersion compensators
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、光ファイバに添加された希土類元素
を励起するための励起光と信号光を、合波器を用いるこ
となく容易に合波し、その合波された光を希土類元素添
加光ファイバに入力し、希土類元素の誘導放出を行い、
信号光の増幅をすることを目的とする。 【構成】信号光は光ファイバ１１を用いて送信され、集
光用レンズ１２を介して半導体レ−ザ１６の一端に入力
し、活性層１５中を導波する。また、希土類元素を誘導
放出するための励起光は、半導体レ−ザ１６の活性層１
５中で生成される。そのため活性層１５中を導波する信
号光と活性層１５中で生成する励起光は、容易に合波す
る。その後、希土類元素を添加した光ファイバ１９に集
光用レンズ１８を介して入力される。このとき集光用レ
ンズ１２及び１８に対応する半導体レ−ザのそれぞれの
面は、誘電体膜１３及び１７で被膜されている。
を励起するための励起光と信号光を、合波器を用いるこ
となく容易に合波し、その合波された光を希土類元素添
加光ファイバに入力し、希土類元素の誘導放出を行い、
信号光の増幅をすることを目的とする。 【構成】信号光は光ファイバ１１を用いて送信され、集
光用レンズ１２を介して半導体レ−ザ１６の一端に入力
し、活性層１５中を導波する。また、希土類元素を誘導
放出するための励起光は、半導体レ−ザ１６の活性層１
５中で生成される。そのため活性層１５中を導波する信
号光と活性層１５中で生成する励起光は、容易に合波す
る。その後、希土類元素を添加した光ファイバ１９に集
光用レンズ１８を介して入力される。このとき集光用レ
ンズ１２及び１８に対応する半導体レ−ザのそれぞれの
面は、誘電体膜１３及び１７で被膜されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光送受信等に使用され
る光増幅装置に関する。
る光増幅装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信は半導体レ−ザ等の発光素子を用
いて信号光を送信し、光ファイバ等を媒体として長距離
伝送を行うものである。このような光通信システムで
は、信号光を増幅し伝送距離を延ばしたり受光信号レベ
ルを高くしたりする場合が多い。この信号光を増幅する
光増幅装置は例えば図２に示すように構成されている。
信号光を送信する光ファイバ２１は集光用レンズ２２を
介して合波器２３に接続されている。また半導体レ−ザ
も集光用レンズ２７を介して合波器２３に接続されてい
る。合波器２３の出力部分は、光ファイバにエルビウム
などの希土類元素を数１００ｐｐｍ添加した、希土類元
素添加光ファイバＥＤＦ（ＥｒｂｉｕｍＤｏｐｅｄ Ｆ
ｉｂｅｒ）２４に接続されている。
いて信号光を送信し、光ファイバ等を媒体として長距離
伝送を行うものである。このような光通信システムで
は、信号光を増幅し伝送距離を延ばしたり受光信号レベ
ルを高くしたりする場合が多い。この信号光を増幅する
光増幅装置は例えば図２に示すように構成されている。
信号光を送信する光ファイバ２１は集光用レンズ２２を
介して合波器２３に接続されている。また半導体レ−ザ
も集光用レンズ２７を介して合波器２３に接続されてい
る。合波器２３の出力部分は、光ファイバにエルビウム
などの希土類元素を数１００ｐｐｍ添加した、希土類元
素添加光ファイバＥＤＦ（ＥｒｂｉｕｍＤｏｐｅｄ Ｆ
ｉｂｅｒ）２４に接続されている。
【０００３】入力信号光Ｐinは光ファイバ２１を通過
し、集光用レンズ２２を介して合波器２３に入力され
る。ＥＤＦ２４の希土類元素を励起するための励起用レ
−ザ光Ｐm は半導体レ−ザ２６より照射され、集光用レ
ンズ２７を介して合波器２３に入力される。上記入力信
号光Ｐinと上記励起用レ−ザ光Ｐm のそれぞれの波長を
合波器２３を用いて、光学的に結合させ一方向にのみ導
波させる。合波された光はＥＤＦ２４に入力される。そ
れらの光のうち上記励起用レ−ザ光Ｐm は、ＥＤＦ２４
中に添加されている希土類元素を励起する。それにより
励起した希土類元素により誘導放出が起こり、上記入力
信号光Ｐinは利得を得て、増幅されＥＤＦ２４の他端か
ら出力される。
し、集光用レンズ２２を介して合波器２３に入力され
る。ＥＤＦ２４の希土類元素を励起するための励起用レ
−ザ光Ｐm は半導体レ−ザ２６より照射され、集光用レ
ンズ２７を介して合波器２３に入力される。上記入力信
号光Ｐinと上記励起用レ−ザ光Ｐm のそれぞれの波長を
合波器２３を用いて、光学的に結合させ一方向にのみ導
波させる。合波された光はＥＤＦ２４に入力される。そ
れらの光のうち上記励起用レ−ザ光Ｐm は、ＥＤＦ２４
中に添加されている希土類元素を励起する。それにより
励起した希土類元素により誘導放出が起こり、上記入力
信号光Ｐinは利得を得て、増幅されＥＤＦ２４の他端か
ら出力される。
【０００４】ところで従来の光増幅装置では、異なる波
長の光を合波し一方向のみに出力させるための複雑な構
造を有する合波器２３が必要である。また、この合波器
２３からの出力光をＥＤＦ２４に入力させるために、合
波器２３の一端とＥＤＦ２４の一端をサブミクロンの精
度で接続する必要があり、光ファイバ融着（スプライシ
ング）法などの難度の高い技術が不可欠である。
長の光を合波し一方向のみに出力させるための複雑な構
造を有する合波器２３が必要である。また、この合波器
２３からの出力光をＥＤＦ２４に入力させるために、合
波器２３の一端とＥＤＦ２４の一端をサブミクロンの精
度で接続する必要があり、光ファイバ融着（スプライシ
ング）法などの難度の高い技術が不可欠である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、光ファイバ中の
希土類元素が励起され誘導放出が起こり、信号光は利得
を得て増幅され送信される。しかしながら、希土類元素
は信号光の波長のみでは励起できない。そのために希土
類元素を誘導放出するための励起光が必要であり、励起
光源として半導体レ−ザを用いる。そのため信号光と励
起光を希土類元素添加光ファイバに入力するためには、
それら２つの光を合波し一方向にのみ導波する必要があ
る。そのために合波器を用いるが、その合波器は複雑な
構造を有しており、高価である。また合波器と光ファイ
バ等とを接続するには、難度の高い技術を用いなければ
ならない。故に、本発明は光増幅を複雑な装置や難しい
技術を用いずに、容易に行える装置を提供するのが目的
である。
希土類元素が励起され誘導放出が起こり、信号光は利得
を得て増幅され送信される。しかしながら、希土類元素
は信号光の波長のみでは励起できない。そのために希土
類元素を誘導放出するための励起光が必要であり、励起
光源として半導体レ−ザを用いる。そのため信号光と励
起光を希土類元素添加光ファイバに入力するためには、
それら２つの光を合波し一方向にのみ導波する必要があ
る。そのために合波器を用いるが、その合波器は複雑な
構造を有しており、高価である。また合波器と光ファイ
バ等とを接続するには、難度の高い技術を用いなければ
ならない。故に、本発明は光増幅を複雑な装置や難しい
技術を用いずに、容易に行える装置を提供するのが目的
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】信号光を入力する光ファ
イバ等を集光用レンズを介して、半導体レ−ザの一端に
対抗させる。また上記半導体レ−ザの他端を集光用レン
ズを介して、希土類元素を添加した光ファイバ等に対抗
させる。希土類元素を励起させるための励起光は、上記
半導体レ−ザで生成される。信号光を半導体レ−ザの活
性層中を導波させ、上記励起光の出力と重ねて、希土類
元素添加光ファイバ等に入力することを特徴とするもの
である。
イバ等を集光用レンズを介して、半導体レ−ザの一端に
対抗させる。また上記半導体レ−ザの他端を集光用レン
ズを介して、希土類元素を添加した光ファイバ等に対抗
させる。希土類元素を励起させるための励起光は、上記
半導体レ−ザで生成される。信号光を半導体レ−ザの活
性層中を導波させ、上記励起光の出力と重ねて、希土類
元素添加光ファイバ等に入力することを特徴とするもの
である。
【０００７】
【作用】上記のように構成された光増幅装置では、光フ
ァイバから出力される信号光は集光用レンズを介して半
導体レ−ザの一端に入力される。入力された上記信号光
は、半導体レ−ザで生成された励起光と半導体レ−ザ中
で合波する。そして合波された光は、上記半導体レ−ザ
の他端から、集光用レンズを介して希土類元素を添加し
た光ファイバに入力される。半導体レ−ザで生成した励
起光は希土類元素を励起し誘導放出がなされ、信号光は
利得を得て増幅される。
ァイバから出力される信号光は集光用レンズを介して半
導体レ−ザの一端に入力される。入力された上記信号光
は、半導体レ−ザで生成された励起光と半導体レ−ザ中
で合波する。そして合波された光は、上記半導体レ−ザ
の他端から、集光用レンズを介して希土類元素を添加し
た光ファイバに入力される。半導体レ−ザで生成した励
起光は希土類元素を励起し誘導放出がなされ、信号光は
利得を得て増幅される。
【０００８】よって光ファイバ等の精密接合技術で作ら
れる合波器などを使用せずに、容易に異なる波長を合波
できる。そのため従来、スプライシング法などの難度の
高い技術を必要とした、合波器と希土類元素を添加した
光ファイバの接続を行う必要がない。
れる合波器などを使用せずに、容易に異なる波長を合波
できる。そのため従来、スプライシング法などの難度の
高い技術を必要とした、合波器と希土類元素を添加した
光ファイバの接続を行う必要がない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１０】図１は本実施例の構成図であり、図３Ａ及
び図３Ｂは半導体レ−ザの端面に被膜する誘電体膜の透
過率−波長特性図であり、図４は半導体レ−ザから出射
される励起光のスペクトル図である。
び図３Ｂは半導体レ−ザの端面に被膜する誘電体膜の透
過率−波長特性図であり、図４は半導体レ−ザから出射
される励起光のスペクトル図である。
【００１１】図１に示されるように、本実施例の構成は
以下のとおりである。光ファイバ１１は集光用レンズ１
２を介して半導体レ−ザ１６の一端、特に活性層１５に
対抗している。上記半導体レ−ザ１６の他端は希土類元
素を添加した光ファイバ１９に集光用レンズ１８を介し
て対抗している。それぞれの上記集光用レンズ１２、１
８に対抗する半導体レ−ザ１６の両端は、それぞれ誘電
体膜１３、１７で被膜されている。
以下のとおりである。光ファイバ１１は集光用レンズ１
２を介して半導体レ−ザ１６の一端、特に活性層１５に
対抗している。上記半導体レ−ザ１６の他端は希土類元
素を添加した光ファイバ１９に集光用レンズ１８を介し
て対抗している。それぞれの上記集光用レンズ１２、１
８に対抗する半導体レ−ザ１６の両端は、それぞれ誘電
体膜１３、１７で被膜されている。
【００１２】本実施例においては１．５μｍ帯の波長を
用いて説明する。また、希土類元素を添加する光学材料
として、例えばコア径９μｍグラッド径１２５μｍの石
英系単一モ−ド光ファイバを用いる。希土類元素はこの
光ファイバ製造時にコアの中心付近数μｍ径内に添加さ
れる。添加する希土類元素は増幅する光の波長により選
ばれ、１．５μｍ帯の場合はエルビウム元素を用いる。
エルビウム元素は石英ファイバ中で 4Ｉ23/2，
4Ｉ11/2， 4Ｉ9/2 ， 4Ｆ9/2 ， 4Ｓ3/2 のエネルギ−
準位を形成し、それぞれ波長換算して、1.54，0.98，0.
8 ， 0.65 ，0.514 μｍのエネルギ−準位が形成され
る。この中で 4Ｉ23/2の準位を利用し、1.54μｍ帯波長
の光を放出させるためには、このエネルギ−準位以上の
高いエネルギ−準位に電子を励起させる。 4Ｉ23/2の準
位は波長換算で1.48，1.535 ，1.55μｍの準安定準位か
らなっており、1.48μｍの波長をもつ光で励起し、1.53
5，1.55μｍの波長の光を放出させることができる。
用いて説明する。また、希土類元素を添加する光学材料
として、例えばコア径９μｍグラッド径１２５μｍの石
英系単一モ−ド光ファイバを用いる。希土類元素はこの
光ファイバ製造時にコアの中心付近数μｍ径内に添加さ
れる。添加する希土類元素は増幅する光の波長により選
ばれ、１．５μｍ帯の場合はエルビウム元素を用いる。
エルビウム元素は石英ファイバ中で 4Ｉ23/2，
4Ｉ11/2， 4Ｉ9/2 ， 4Ｆ9/2 ， 4Ｓ3/2 のエネルギ−
準位を形成し、それぞれ波長換算して、1.54，0.98，0.
8 ， 0.65 ，0.514 μｍのエネルギ−準位が形成され
る。この中で 4Ｉ23/2の準位を利用し、1.54μｍ帯波長
の光を放出させるためには、このエネルギ−準位以上の
高いエネルギ−準位に電子を励起させる。 4Ｉ23/2の準
位は波長換算で1.48，1.535 ，1.55μｍの準安定準位か
らなっており、1.48μｍの波長をもつ光で励起し、1.53
5，1.55μｍの波長の光を放出させることができる。
【００１３】尚、励起光源として半導体レ−ザを用い
る。その場合、0.98と1.48μｍの波長が効率がよいが0.
98μｍ帯の半導体レ−ザは超格子歪構造を必要とする。
よって幾分効率は劣るが1.48μｍ帯の通常の半導体レ−
ザを高出力動作させて使用することで十分励起動作が可
能である。この高出力半導体レ−ザ１６はＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＰ系の組成をもつ埋め込みヘテロ接合で実現で
きる。活性層１５はＩｎＧａＡｓＰの混晶組成をもち、
1.46〜1.5 μｍの波長の光を放出することができる。こ
の半導体レ−ザ１６に300 〜500 ｍＡの電流Ｉf を注入
した場合のレ−ザ光のスペクトルを図４に示す。ＥＤＦ
１９中の各準位は、ある一定の幅を持っているため、1.
48μｍの準位を励起するには1.46〜1.5 μｍの波長のレ
−ザ光で十分可能である。光増幅率を大きくするにはで
きるだけ大きなパワ−のレ−ザ光が必要であるが、5 〜
100 ｍＷの強さがあれば実用的な光増幅率が得られる。
この半導体レ−ザ１６の端面から放出された励起用レ−
ザ光Ｐm は半値全幅約３０度、４０度の楕円系の出力パ
タ−ンをもっているため、コア径９μｍのＥＤＦ１９に
入力するには、集光用レンズ１８を用いる必要がある。
る。その場合、0.98と1.48μｍの波長が効率がよいが0.
98μｍ帯の半導体レ−ザは超格子歪構造を必要とする。
よって幾分効率は劣るが1.48μｍ帯の通常の半導体レ−
ザを高出力動作させて使用することで十分励起動作が可
能である。この高出力半導体レ−ザ１６はＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＰ系の組成をもつ埋め込みヘテロ接合で実現で
きる。活性層１５はＩｎＧａＡｓＰの混晶組成をもち、
1.46〜1.5 μｍの波長の光を放出することができる。こ
の半導体レ−ザ１６に300 〜500 ｍＡの電流Ｉf を注入
した場合のレ−ザ光のスペクトルを図４に示す。ＥＤＦ
１９中の各準位は、ある一定の幅を持っているため、1.
48μｍの準位を励起するには1.46〜1.5 μｍの波長のレ
−ザ光で十分可能である。光増幅率を大きくするにはで
きるだけ大きなパワ−のレ−ザ光が必要であるが、5 〜
100 ｍＷの強さがあれば実用的な光増幅率が得られる。
この半導体レ−ザ１６の端面から放出された励起用レ−
ザ光Ｐm は半値全幅約３０度、４０度の楕円系の出力パ
タ−ンをもっているため、コア径９μｍのＥＤＦ１９に
入力するには、集光用レンズ１８を用いる必要がある。
【００１４】ところで、入力信号光Ｐinは石英系ファイ
バの低損失波長であり、かつＥＤＦ１９のエネルギ−準
位にあった1.535 や1.55μｍの波長である。入力信号光
Ｐinは石英系ファイバ１１を用いて半導体レ−ザ１６中
の活性層１５の端面に集光用レンズ１２を用いて入力さ
れる。活性層１５は０．２×１．５μｍの断面と長さ40
0 〜1000μｍである。この断面寸法はレ−ザ光出力と活
性層１５を伝搬する光信号のモ−ド制御を考慮して決め
られる。活性層１５を伝搬した入力信号光Ｐinは、半導
体レ−ザで生成された1.48μｍ帯波長の励起用レ−ザ光
Ｐm と共に、半導体レ−ザ１６の他端から集光用レンズ
１８を介してＥＤＦ１９の端面に入力される。
バの低損失波長であり、かつＥＤＦ１９のエネルギ−準
位にあった1.535 や1.55μｍの波長である。入力信号光
Ｐinは石英系ファイバ１１を用いて半導体レ−ザ１６中
の活性層１５の端面に集光用レンズ１２を用いて入力さ
れる。活性層１５は０．２×１．５μｍの断面と長さ40
0 〜1000μｍである。この断面寸法はレ−ザ光出力と活
性層１５を伝搬する光信号のモ−ド制御を考慮して決め
られる。活性層１５を伝搬した入力信号光Ｐinは、半導
体レ−ザで生成された1.48μｍ帯波長の励起用レ−ザ光
Ｐm と共に、半導体レ−ザ１６の他端から集光用レンズ
１８を介してＥＤＦ１９の端面に入力される。
【００１５】このとき、入力信号光Ｐinは１．５３５や
１．５５μｍの波長である。そのため、入力信号光Ｐin
は活性層１５内でほとんど吸収されずにレ−ザ光と合波
される。（しかし、例えば１．４８μｍの波長である
と、活性層１５内で吸収され増幅されてＥＤＦ１９に入
力される。）
１．５５μｍの波長である。そのため、入力信号光Ｐin
は活性層１５内でほとんど吸収されずにレ−ザ光と合波
される。（しかし、例えば１．４８μｍの波長である
と、活性層１５内で吸収され増幅されてＥＤＦ１９に入
力される。）
【００１６】半導体レ−ザ１６のＥＤＦ１９に対抗する
面は高出力な励起用レ−ザ光と信号光を放出するため、
図３Ａに示す低反射率を有する誘電体多層膜１７により
被覆されている。石英系ファイバ１１に対抗する面は、
半導体レーザ１６で生成される1.48μｍ帯レ−ザ光に対
し高反射率をもち、入力信号光Ｐinの1.53〜1.56μｍに
対し低反射率をもち、図３Ｂに示す反射特性を有する誘
電体多層膜１３により被覆されている。
面は高出力な励起用レ−ザ光と信号光を放出するため、
図３Ａに示す低反射率を有する誘電体多層膜１７により
被覆されている。石英系ファイバ１１に対抗する面は、
半導体レーザ１６で生成される1.48μｍ帯レ−ザ光に対
し高反射率をもち、入力信号光Ｐinの1.53〜1.56μｍに
対し低反射率をもち、図３Ｂに示す反射特性を有する誘
電体多層膜１３により被覆されている。
【００１７】なお、上記実施例においては、１．５μｍ
帯波長を用いて説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、赤外から紫外領域に及ぶ波長の光にも実
施し得るものである。また、光ファイバ、空気、レンズ
を光伝搬の媒体として説明したが、どのような媒体、例
えば半導体基板や誘電体基板上でも、同等に実施し得る
ものである。加えて、半導体レ−ザの構造は活性層にＭ
ＱＷ構造や光導波路構造があっても同等に実施し得るも
のである。
帯波長を用いて説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、赤外から紫外領域に及ぶ波長の光にも実
施し得るものである。また、光ファイバ、空気、レンズ
を光伝搬の媒体として説明したが、どのような媒体、例
えば半導体基板や誘電体基板上でも、同等に実施し得る
ものである。加えて、半導体レ−ザの構造は活性層にＭ
ＱＷ構造や光導波路構造があっても同等に実施し得るも
のである。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、光ファイバ中に添加された希土類元素を励起する
ための励起光を生成する半導体レ−ザ自体を、信号光の
光導波路として用いる。それにより、容易に異なる２つ
の波長をもつ光を合波できる。したがって、これまで使
用していた方向性合波器などの複雑な装置を省くことが
でき、さらに半導体レ−ザの活性層においても、信号光
が増幅され利得を得る場合もある。
では、光ファイバ中に添加された希土類元素を励起する
ための励起光を生成する半導体レ−ザ自体を、信号光の
光導波路として用いる。それにより、容易に異なる２つ
の波長をもつ光を合波できる。したがって、これまで使
用していた方向性合波器などの複雑な装置を省くことが
でき、さらに半導体レ−ザの活性層においても、信号光
が増幅され利得を得る場合もある。
【図１】本発明の一実施例の構成図。
【図２】従来例を示す構成図。
【図３】半導体レ−ザに使用されている誘電体膜の反射
率−波長特性図。
率−波長特性図。
【図４】半導体レ−ザに使用されている誘電体膜の反射
率−波長特性図。
率−波長特性図。
【図５】図１の半導体レ−ザで生成されたレ−ザ光のス
ペクトル図。
ペクトル図。
【符号の説明】
１１…光ファイバ，１２…集光用レンズ，１３…誘電体
膜，１５…活性層，１６…半導体レ−ザ，１７…誘電体
膜，１８…集光用レンズ，１９…希土類元素添加光ファ
イバ。
膜，１５…活性層，１６…半導体レ−ザ，１７…誘電体
膜，１８…集光用レンズ，１９…希土類元素添加光ファ
イバ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０１Ｓ 3/18 9170−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 信号光が入力される光ファイバと、一端
が該光ファイバに結合し、他端が希土類元素を添加した
光ファイバに結合した半導体レ−ザとを備え、上記信号
光を上記半導体レ−ザの活性層を伝搬させ、上記半導体
レ−ザにより上記希土類元素を添加した光ファイバを励
起して上記信号光を増幅することを特徴とする光増幅装
置。 - 【請求項２】 上記信号光が入力される光ファイバと上
記半導体レ−ザ、及び上記半導体レ−ザと上記希土類元
素を添加した光ファイバとは、それぞれ集光用レンズを
介して結合していることを特徴とする請求項１記載の光
増幅装置。 - 【請求項３】 上記光ファイバに対抗する上記半導体レ
−ザの一端が、上記希土類元素を励起する波長に対し高
反射率をもち、かつ、上記光ファイバから放出される波
長に対し低反射率をもつ誘電体膜で被覆されており、上
記半導体レ−ザの他端が、上記希土類元素を励起する波
長に対し低反射率をもち、かつ、上記光ファイバから放
出される波長に対し低反射率をもつ誘電体膜で被覆され
ていることを特徴とする請求項１記載の光増幅装置。
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|---|---|---|---|
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| DE69210130T DE69210130T2 (de) | 1991-07-16 | 1992-06-30 | Optischer Verstärker mit einem Halbleiterlaser als Multiplexer |
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| DE69210130D1 (de) | 1996-05-30 |
| US5235604A (en) | 1993-08-10 |
| EP0525412B1 (en) | 1996-04-24 |
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