JPH0521864A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH0521864A JPH0521864A JP3198216A JP19821691A JPH0521864A JP H0521864 A JPH0521864 A JP H0521864A JP 3198216 A JP3198216 A JP 3198216A JP 19821691 A JP19821691 A JP 19821691A JP H0521864 A JPH0521864 A JP H0521864A
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気センサのセラミック基板の表面粗度を向
上させると共に平坦面を大きくとれるようにして小型化
を可能とする。 【構成】 マスク蒸着あるいはマスクスパッタ法によっ
てアルミナ等の絶縁基板1上にSiO2 の薄膜3を形成
してセラミック絶縁基板1の表面粗度を従来のガラス基
板並に平滑化し、センサ特性が従来のガラス基板と同程
度の磁気センサを構成するようにしている。
上させると共に平坦面を大きくとれるようにして小型化
を可能とする。 【構成】 マスク蒸着あるいはマスクスパッタ法によっ
てアルミナ等の絶縁基板1上にSiO2 の薄膜3を形成
してセラミック絶縁基板1の表面粗度を従来のガラス基
板並に平滑化し、センサ特性が従来のガラス基板と同程
度の磁気センサを構成するようにしている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気センサに関する。更
に詳述すると、本発明は、主にモータの回転速度や回転
角の検出等に利用される磁気抵抗素子、MR素子、ホー
ル素子等の磁気センサに関する。
に詳述すると、本発明は、主にモータの回転速度や回転
角の検出等に利用される磁気抵抗素子、MR素子、ホー
ル素子等の磁気センサに関する。
【0002】
【従来の技術】この種の磁気センサは、ガラス製の絶縁
基板に代えて取扱いの容易なアルミナ等のセラミック基
板を採用し、その上にNi−Co等のニッケル合金磁性
薄膜から成るセンサパターン回路を形成するようにして
いる。しかし、このセラミックの絶縁基板は多孔質であ
り表面の面粗度が悪いことから、通常300〜1000
オングストロームの薄膜から成るセンサパターン回路の
断線を招いたり、フォトリソグラフィ技術によりパター
ンを形成する際にブリッジ回路から成るセンサ回路のイ
ンピーダンスのばらつきを起こすといった不具合を生じ
る。
基板に代えて取扱いの容易なアルミナ等のセラミック基
板を採用し、その上にNi−Co等のニッケル合金磁性
薄膜から成るセンサパターン回路を形成するようにして
いる。しかし、このセラミックの絶縁基板は多孔質であ
り表面の面粗度が悪いことから、通常300〜1000
オングストロームの薄膜から成るセンサパターン回路の
断線を招いたり、フォトリソグラフィ技術によりパター
ンを形成する際にブリッジ回路から成るセンサ回路のイ
ンピーダンスのばらつきを起こすといった不具合を生じ
る。
【0003】そこで、このセラミック基板の表面粗度を
グレーズドガラス処理により改質し、従来のガラス基板
並に改善していた。例えば、図2の(A),(B)に示
すように、セラミック基板101のコーナ部分の端子1
02,103,104間においてセラミック基板面が露
出しないようにグレーズド部105を設け、グレーズド
部105で端子102,103,104間を分離すると
共にグレーズド部105の上に磁界検出部となるセンサ
パターン回路106と電極107,108,109を形
成するようにしている。
グレーズドガラス処理により改質し、従来のガラス基板
並に改善していた。例えば、図2の(A),(B)に示
すように、セラミック基板101のコーナ部分の端子1
02,103,104間においてセラミック基板面が露
出しないようにグレーズド部105を設け、グレーズド
部105で端子102,103,104間を分離すると
共にグレーズド部105の上に磁界検出部となるセンサ
パターン回路106と電極107,108,109を形
成するようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、グレー
ズ処理は図2の(C)に示すように表面張力によって丸
まってしまうため、平坦面が大きくとれない問題があ
る。しかも、グレーズド部105の厚みは20μm以下
にできない。依って、同じ大きさのセンサパターンを形
成するにはより大きな基板を必要とし、小型化が難しい
問題がある。
ズ処理は図2の(C)に示すように表面張力によって丸
まってしまうため、平坦面が大きくとれない問題があ
る。しかも、グレーズド部105の厚みは20μm以下
にできない。依って、同じ大きさのセンサパターンを形
成するにはより大きな基板を必要とし、小型化が難しい
問題がある。
【0005】一方、モータ等の制御用センサとして多用
されている磁気センサにとって、昨今のVTR装置等の
小型化、薄型化に対応するには、センサ面の平坦化及び
小型化は重要な技術課題となっている。
されている磁気センサにとって、昨今のVTR装置等の
小型化、薄型化に対応するには、センサ面の平坦化及び
小型化は重要な技術課題となっている。
【0006】そこで、本発明は、セラミック基板の表面
粗度を向上させると共に平坦面を大きくとれるようにし
て小型化を可能とする磁気センサの構造を提供すること
を目的とする。
粗度を向上させると共に平坦面を大きくとれるようにし
て小型化を可能とする磁気センサの構造を提供すること
を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、本発明の磁気センサは、絶縁基板と、この絶縁基板
上にマスク蒸着またはマスクスパッタ法によって形成さ
れたガラス膜と、該ガラス膜上に形成された磁気検知部
と、該磁気検知部に接続される上記絶縁基板上に形成さ
れた電極とを備えるようにしている。
め、本発明の磁気センサは、絶縁基板と、この絶縁基板
上にマスク蒸着またはマスクスパッタ法によって形成さ
れたガラス膜と、該ガラス膜上に形成された磁気検知部
と、該磁気検知部に接続される上記絶縁基板上に形成さ
れた電極とを備えるようにしている。
【0008】
【作用】マスク蒸着またはマスクスパッタ法によって形
成されるガラス膜は、オングストローム単位で絶縁基板
上に積層されるため表面張力の影響を受けず平坦にな
る。しかも、ガラス膜の厚さはオングストローム単位で
制御できるため、セラミック基板の表面粗度を従来のガ
ラス基板並に改質する最低限の厚みに形成できる。
成されるガラス膜は、オングストローム単位で絶縁基板
上に積層されるため表面張力の影響を受けず平坦にな
る。しかも、ガラス膜の厚さはオングストローム単位で
制御できるため、セラミック基板の表面粗度を従来のガ
ラス基板並に改質する最低限の厚みに形成できる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の構成を図面に示す実施例に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
【0010】図1に本発明の一実施例を示す。該図にお
いて、1は絶縁基板、2はタングステン等の金属を充填
した充填電極、3はマスク蒸着あるいはマスクスパッタ
によって形成されたSiO2 膜、即ちガラス膜、4はN
i合金磁性薄膜からなる磁気検知部(センサパターン回
路)、5は磁気検知部4と充填電極2とを電気的に接続
するための導体電極回路、6は充填電極2と導体電極回
路5との電気的接続をより確実にするための補強電極、
7は外部リード電極である。尚、図示していないが、絶
縁基板1の磁気検知部4などを形成した面及びその反対
の面には、センサの作動の信頼性を高めるため、物理的
・化学的なダメージ、湿気、水、アルカリイオン等の侵
入から保護するための保護膜が通常形成されている。
いて、1は絶縁基板、2はタングステン等の金属を充填
した充填電極、3はマスク蒸着あるいはマスクスパッタ
によって形成されたSiO2 膜、即ちガラス膜、4はN
i合金磁性薄膜からなる磁気検知部(センサパターン回
路)、5は磁気検知部4と充填電極2とを電気的に接続
するための導体電極回路、6は充填電極2と導体電極回
路5との電気的接続をより確実にするための補強電極、
7は外部リード電極である。尚、図示していないが、絶
縁基板1の磁気検知部4などを形成した面及びその反対
の面には、センサの作動の信頼性を高めるため、物理的
・化学的なダメージ、湿気、水、アルカリイオン等の侵
入から保護するための保護膜が通常形成されている。
【0011】絶縁基板1としては、充填電極2のための
貫通孔の形成が容易にできかつ物理的・化学的に安定で
あるセラミック、例えばアルミナ等の使用が好ましい。
そして、この絶縁基板1の上には表面粗度を向上させる
ためガラス膜3が形成されている。このガラス膜3は、
マスク蒸着あるいはマスクスパッタによって形成される
1〜10μmの厚さのSiO2 の薄膜で構成されてい
る。これによって、セラミック基板1の表面粗度を従来
使用されているガラス基板並に改質し、センサの特性の
揃った磁気センサを得ることができる。尚、このガラス
膜3は絶縁基板1の充填電極2の周囲を除く基板表面に
形成されている。
貫通孔の形成が容易にできかつ物理的・化学的に安定で
あるセラミック、例えばアルミナ等の使用が好ましい。
そして、この絶縁基板1の上には表面粗度を向上させる
ためガラス膜3が形成されている。このガラス膜3は、
マスク蒸着あるいはマスクスパッタによって形成される
1〜10μmの厚さのSiO2 の薄膜で構成されてい
る。これによって、セラミック基板1の表面粗度を従来
使用されているガラス基板並に改質し、センサの特性の
揃った磁気センサを得ることができる。尚、このガラス
膜3は絶縁基板1の充填電極2の周囲を除く基板表面に
形成されている。
【0012】また、絶縁基板1にはビアホール8が形成
されると共にこのビアホール8にタングステンなどの電
極材料が充填されて、セラミック基板1の両面の配線即
ち導体電極回路6と外部リード線7とを電気的に導通す
る充填電極2が形成されている。これによって、磁気検
知部4が形成されているのとは反対の面に外部リード線
7を接合可能とし、外部リード線7をセラミック基板1
にはんだ付けなどによって接合する際に生ずるはんだ等
の突起が磁気検知部4を形成する面所謂センサ形成面に
生ぜず、センサ形成面が平坦な磁気センサも構成でき
る。更に加えて、外部リード線7をセンサ形成面と反対
側の基板面に形成することにより、外部リード線7を接
続する部分の面積分だけは絶縁基板1を小型化できる。
尚、絶縁基板1の裏面側及び外部リード線7のはんだ接
合部は、センサ形成面側と同様に図示していないが熱硬
化性樹脂などの保護膜で被覆されている。
されると共にこのビアホール8にタングステンなどの電
極材料が充填されて、セラミック基板1の両面の配線即
ち導体電極回路6と外部リード線7とを電気的に導通す
る充填電極2が形成されている。これによって、磁気検
知部4が形成されているのとは反対の面に外部リード線
7を接合可能とし、外部リード線7をセラミック基板1
にはんだ付けなどによって接合する際に生ずるはんだ等
の突起が磁気検知部4を形成する面所謂センサ形成面に
生ぜず、センサ形成面が平坦な磁気センサも構成でき
る。更に加えて、外部リード線7をセンサ形成面と反対
側の基板面に形成することにより、外部リード線7を接
続する部分の面積分だけは絶縁基板1を小型化できる。
尚、絶縁基板1の裏面側及び外部リード線7のはんだ接
合部は、センサ形成面側と同様に図示していないが熱硬
化性樹脂などの保護膜で被覆されている。
【0013】充填電極3は、ビアホール8全体が電極材
料で充電されているため、従来のガラス基板と同様に絶
縁基板1に露出する表面だけに保護膜を形成するだけで
十分な信頼性を確保できる。即ち、充填電極3は他の電
極5,7と接触する部位を除いて他の部位がセラミック
基板1によって包囲されているので、耐湿、アルカリイ
オン等の物質の侵入を防止する保護膜形成が確実・容易
に行うことができ、信頼性の高いセンサを構成できる。
料で充電されているため、従来のガラス基板と同様に絶
縁基板1に露出する表面だけに保護膜を形成するだけで
十分な信頼性を確保できる。即ち、充填電極3は他の電
極5,7と接触する部位を除いて他の部位がセラミック
基板1によって包囲されているので、耐湿、アルカリイ
オン等の物質の侵入を防止する保護膜形成が確実・容易
に行うことができ、信頼性の高いセンサを構成できる。
【0014】導体電極回路15は、例えばNi,Cr,
Fe,Co,Mo若しくはそれらの合金によって形成さ
れる。補強電極16は厚膜ペースト若しくは導体電極回
路15と同様の電極材料を用いた蒸着等により形成され
ており、場合によっては必要とされない。
Fe,Co,Mo若しくはそれらの合金によって形成さ
れる。補強電極16は厚膜ペースト若しくは導体電極回
路15と同様の電極材料を用いた蒸着等により形成され
ており、場合によっては必要とされない。
【0015】また、磁気検知部4は、ガラス膜3の上に
Ni合金磁性薄膜を真空蒸着あるいはスパッタリングに
よって形成した後、フォトエッチング等によって所望の
パターン形状に形成されている。
Ni合金磁性薄膜を真空蒸着あるいはスパッタリングに
よって形成した後、フォトエッチング等によって所望の
パターン形状に形成されている。
【0016】以上のように構成された磁気センサの場
合、モータの回転速度あるいは回転角の検出などのセン
サとして実装するとき、磁界発生用ロータと対向するセ
ンサ形成面側には外部リード線7とそのはんだが突出せ
ずかつセンサ面が平坦で大きいため、不必要な逃げしろ
を設定せずにロータと磁気センサのギャップ長を最適に
実装できる。したがって、モータの小型化、モータ設計
の自由度を向上することができ、かつ不要な逃げしろを
形成しないためモータユニットを安価に製造できること
が可能である。更に、センサを小型化することにより、
モータユニットの更なる小型化への対応が可能であり、
モータユニット設計の自由度を向上せしめる。また、フ
ォトリソグラフィ等の半導体技術を使用して製造する磁
気センサでは小型化により原価、工数の低減を達成でき
るので、安価なセンサを大量に供給できる。
合、モータの回転速度あるいは回転角の検出などのセン
サとして実装するとき、磁界発生用ロータと対向するセ
ンサ形成面側には外部リード線7とそのはんだが突出せ
ずかつセンサ面が平坦で大きいため、不必要な逃げしろ
を設定せずにロータと磁気センサのギャップ長を最適に
実装できる。したがって、モータの小型化、モータ設計
の自由度を向上することができ、かつ不要な逃げしろを
形成しないためモータユニットを安価に製造できること
が可能である。更に、センサを小型化することにより、
モータユニットの更なる小型化への対応が可能であり、
モータユニット設計の自由度を向上せしめる。また、フ
ォトリソグラフィ等の半導体技術を使用して製造する磁
気センサでは小型化により原価、工数の低減を達成でき
るので、安価なセンサを大量に供給できる。
【0017】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の磁気センサは、マスク蒸着あるいはマスクスパッタ法
によって絶縁基板上にSiO2 の薄膜を形成してセラミ
ック絶縁基板の表面粗度を従来のガラス基板並に平滑化
するようにしたので、センサ特性が従来のガラス基板と
同程度の磁気センサを構成できる。しかも、マスク蒸着
またはマスクスパッタ法によって形成されるガラス膜
は、オングストローム単位で絶縁基板上に積層されるた
め表面張力の影響を受けず平坦になり、かつオングスト
ローム単位で制御できるため、セラミック基板の表面粗
度を従来のガラス基板並に改質する最低限の厚みに形成
できる。
の磁気センサは、マスク蒸着あるいはマスクスパッタ法
によって絶縁基板上にSiO2 の薄膜を形成してセラミ
ック絶縁基板の表面粗度を従来のガラス基板並に平滑化
するようにしたので、センサ特性が従来のガラス基板と
同程度の磁気センサを構成できる。しかも、マスク蒸着
またはマスクスパッタ法によって形成されるガラス膜
は、オングストローム単位で絶縁基板上に積層されるた
め表面張力の影響を受けず平坦になり、かつオングスト
ローム単位で制御できるため、セラミック基板の表面粗
度を従来のガラス基板並に改質する最低限の厚みに形成
できる。
【図1】本発明の磁気センサの一実施例を示す縦断面図
である。
である。
【図2】従来の磁気センサの一例を示す図で、(A)は
平面図、(B)は側面図,(C)はグレーズド部の拡大
図である。
平面図、(B)は側面図,(C)はグレーズド部の拡大
図である。
1 絶縁基板 3 ガラス膜 4 磁気検知部 5 電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 絶縁基板と、この絶縁基板上にマスク蒸
着またはマスクスパッタ法によって形成されたガラス膜
と、該ガラス膜上に形成された磁気検知部と、該磁気検
知部に接続される上記絶縁基板上に形成された電極とを
備えてなる磁気センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3198216A JPH0521864A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3198216A JPH0521864A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 磁気センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521864A true JPH0521864A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16387430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3198216A Pending JPH0521864A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 磁気センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0521864A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6001761A (en) * | 1994-09-27 | 1999-12-14 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Ceramics sheet and production method for same |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3198216A patent/JPH0521864A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6001761A (en) * | 1994-09-27 | 1999-12-14 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Ceramics sheet and production method for same |
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