JPH05217996A - メサ型半導体素子の形成方法 - Google Patents
メサ型半導体素子の形成方法Info
- Publication number
- JPH05217996A JPH05217996A JP4054348A JP5434892A JPH05217996A JP H05217996 A JPH05217996 A JP H05217996A JP 4054348 A JP4054348 A JP 4054348A JP 5434892 A JP5434892 A JP 5434892A JP H05217996 A JPH05217996 A JP H05217996A
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- JP
- Japan
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- mesa
- forming
- oxide film
- silicon oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 工程が煩雑化せず、かつ半導体の積層欠陥を
生じることもなく、更に設備が大型化することのない砒
化ガリウムのメサ型半導体素子の形成方法を提供する。 【構成】 砒化ガリウムウェハの表面に、シリコン酸化
膜形成剤の溶液をスピンナを用いて塗布した後に加熱乾
燥させることによりシリコン酸化膜を形成することで、
低温状態で容易に砒化ガリウムウェハ上にシリコン酸化
膜を形成することができることから、設備が大型化する
ことがない。
生じることもなく、更に設備が大型化することのない砒
化ガリウムのメサ型半導体素子の形成方法を提供する。 【構成】 砒化ガリウムウェハの表面に、シリコン酸化
膜形成剤の溶液をスピンナを用いて塗布した後に加熱乾
燥させることによりシリコン酸化膜を形成することで、
低温状態で容易に砒化ガリウムウェハ上にシリコン酸化
膜を形成することができることから、設備が大型化する
ことがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はメサ型半導体素子の形成
方法に関し、特に砒化ガリウムウェハをメサエッチング
するための方法に関する。
方法に関し、特に砒化ガリウムウェハをメサエッチング
するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばメサ型ホール素子を形成する際
に、砒化ガリウムウェハを拡散処理した後、所望の形状
にレジストを形成し、エッチングを行うことによりメサ
型部分を形成するようにしている。このとき、砒化ガリ
ウムのメサエッチングを行う際に硫酸−過酸化水素系の
エッチング液を用いることから、レジストとして従来の
フォトレジストを用いることができなかった。そこで、
このエッチング液に耐えることができるシリコン酸化膜
をレジストとして用いると良い。
に、砒化ガリウムウェハを拡散処理した後、所望の形状
にレジストを形成し、エッチングを行うことによりメサ
型部分を形成するようにしている。このとき、砒化ガリ
ウムのメサエッチングを行う際に硫酸−過酸化水素系の
エッチング液を用いることから、レジストとして従来の
フォトレジストを用いることができなかった。そこで、
このエッチング液に耐えることができるシリコン酸化膜
をレジストとして用いると良い。
【０００３】従来は、このようなシリコン酸化膜を形成
するのに、各種蒸着法（ＣＶＤ、ＰＶＤ等）が用いられ
ていた。
するのに、各種蒸着法（ＣＶＤ、ＰＶＤ等）が用いられ
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＶＤ
法やＰＶＤ法を用いた場合、比較的低温でシリコン酸化
膜を形成できる利点があるが、その装置が大型であるこ
とから半導体素子の製造設備全体が大型化する問題があ
った。
法やＰＶＤ法を用いた場合、比較的低温でシリコン酸化
膜を形成できる利点があるが、その装置が大型であるこ
とから半導体素子の製造設備全体が大型化する問題があ
った。
【０００５】このような従来技術の課題に鑑み、本発明
の主な目的は、工程が煩雑化せず、かつ半導体の積層欠
陥を生じることもなく、更に設備が大型化することのな
い砒化ガリウムのメサ型半導体素子の形成方法を提供す
ることにある。
の主な目的は、工程が煩雑化せず、かつ半導体の積層欠
陥を生じることもなく、更に設備が大型化することのな
い砒化ガリウムのメサ型半導体素子の形成方法を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した目的は本発明に
よれば、拡散操作された砒化ガリウムウェハの所望の領
域上にレジストを形成し、該レジストに被覆された領域
以外の領域をエッチングすることによりメサ型部分を得
る過程を有するメサ型半導体素子の形成方法であって、
前記砒化ガリウムウェハの表面にシリコン酸化膜形成剤
の溶液をスピンナを用いて塗布した後に加熱乾燥させる
ことによりシリコン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化
膜を前記レジストとすることを特徴とするメサ型半導体
素子の形成方法を提供することにより達成される。
よれば、拡散操作された砒化ガリウムウェハの所望の領
域上にレジストを形成し、該レジストに被覆された領域
以外の領域をエッチングすることによりメサ型部分を得
る過程を有するメサ型半導体素子の形成方法であって、
前記砒化ガリウムウェハの表面にシリコン酸化膜形成剤
の溶液をスピンナを用いて塗布した後に加熱乾燥させる
ことによりシリコン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化
膜を前記レジストとすることを特徴とするメサ型半導体
素子の形成方法を提供することにより達成される。
【０００７】
【作用】このようにすれば、容易に、かつ低温状態で砒
化ガリウムウェハ上にシリコン酸化膜を形成することが
できる。
化ガリウムウェハ上にシリコン酸化膜を形成することが
できる。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の好適実施例を添付の図面につ
いて詳しく説明する。
いて詳しく説明する。
【０００９】図１〜図５に、本発明が適用されたメサ型
ホール素子の要部形成方法を示す。図１に示す砒化ガリ
ウムウェハ１は、予めその上層側からＳｉ+のイオン打
込みを行いｎ層を形成し、アニール（拡散操作）されて
いる。
ホール素子の要部形成方法を示す。図１に示す砒化ガリ
ウムウェハ１は、予めその上層側からＳｉ+のイオン打
込みを行いｎ層を形成し、アニール（拡散操作）されて
いる。
【００１０】この砒化ガリウムウェハ１のｎ層２の表面
にシリコン酸化膜３を形成する（図２）。ここで、例え
ばエチルアルコールからなる溶媒にオルト珪酸（Ｓｉ
(ＯＨ)4）からなるシリコン酸化膜形成剤を溶かした溶
液をスピンナを用いて塗布し、その後空気中で２００℃
前後（１００℃〜４５０℃の範囲）で３０分程度加熱乾
燥させることにより膜厚０．６μｍ程度のシリコン酸化
膜３を形成している（スピンコート法）。これにより、
低温で処理でき、かつＣＶＤ法やＰＶＤ法にて成膜する
よりも簡便な設備で処理できる。
にシリコン酸化膜３を形成する（図２）。ここで、例え
ばエチルアルコールからなる溶媒にオルト珪酸（Ｓｉ
(ＯＨ)4）からなるシリコン酸化膜形成剤を溶かした溶
液をスピンナを用いて塗布し、その後空気中で２００℃
前後（１００℃〜４５０℃の範囲）で３０分程度加熱乾
燥させることにより膜厚０．６μｍ程度のシリコン酸化
膜３を形成している（スピンコート法）。これにより、
低温で処理でき、かつＣＶＤ法やＰＶＤ法にて成膜する
よりも簡便な設備で処理できる。
【００１１】次にシリコン酸化膜３の表面に所望の形状
にフォトレジスト４を形成し、シリコン酸化膜３を希弗
酸、緩衝弗酸等からなる二酸化シリコン用のエッチング
剤により所望の形状にエッチングする（図３）。
にフォトレジスト４を形成し、シリコン酸化膜３を希弗
酸、緩衝弗酸等からなる二酸化シリコン用のエッチング
剤により所望の形状にエッチングする（図３）。
【００１２】そして、残ったシリコン酸化膜３をレジス
トとして硫酸−過酸化水素系のエッチング剤によりメサ
エッチングを行う（図４）。
トとして硫酸−過酸化水素系のエッチング剤によりメサ
エッチングを行う（図４）。
【００１３】上記メサエッチングされた砒化ガリウムウ
ェハ１のシリコン酸化膜３を除去し（図５）、図示され
ない電極パッドが取り付けられることとなる。
ェハ１のシリコン酸化膜３を除去し（図５）、図示され
ない電極パッドが取り付けられることとなる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明によるメサ型半導体素子の形成方法によれば、砒化ガ
リウムウェハの表面に、シリコン酸化膜形成剤の溶液を
スピンナを用いて塗布した後に加熱乾燥させることによ
りシリコン酸化膜を形成することで、低温状態で容易に
砒化ガリウムウェハ上にシリコン酸化膜を形成すること
ができることから、設備が大型化することがない。以上
のことから本発明の効果は大である。
明によるメサ型半導体素子の形成方法によれば、砒化ガ
リウムウェハの表面に、シリコン酸化膜形成剤の溶液を
スピンナを用いて塗布した後に加熱乾燥させることによ
りシリコン酸化膜を形成することで、低温状態で容易に
砒化ガリウムウェハ上にシリコン酸化膜を形成すること
ができることから、設備が大型化することがない。以上
のことから本発明の効果は大である。
【図１】本発明が適用されたメサ型ホール素子の要部形
成方法を示す模式断面図である。
成方法を示す模式断面図である。
【図２】本発明が適用されたメサ型ホール素子の要部形
成方法を示す模式断面図である。
成方法を示す模式断面図である。
【図３】本発明が適用されたメサ型ホール素子の要部形
成方法を示す模式断面図である。
成方法を示す模式断面図である。
【図４】本発明が適用されたメサ型ホール素子の要部形
成方法を示す模式断面図である。
成方法を示す模式断面図である。
【図５】本発明が適用されたメサ型ホール素子の要部形
成方法を示す模式断面図である。
成方法を示す模式断面図である。
１ 砒化ガリウムウェハ ２ ｎ層 ３ シリコン酸化膜 ４ フォトレジスト
Claims (2)
- 【請求項１】 拡散操作された砒化ガリウムウェハの
所望の領域上にレジストを形成し、該レジストに被覆さ
れた領域以外の領域をエッチングすることによりメサ型
部分を得る過程を有するメサ型半導体素子の形成方法で
あって、 前記砒化ガリウムウェハの表面にシリコン酸化膜形成剤
の溶液をスピンナを用いて塗布した後に加熱乾燥させる
ことによりシリコン酸化膜を形成し、 前記シリコン酸化膜を前記レジストとすることを特徴と
するメサ型半導体素子の形成方法。 - 【請求項２】 前記シリコン酸化膜形成剤がオルト珪
酸及び／またはシラノールを含むことを特徴とする請求
項１に記載のメサ型半導体素子の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4054348A JPH05217996A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | メサ型半導体素子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4054348A JPH05217996A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | メサ型半導体素子の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217996A true JPH05217996A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12968126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4054348A Pending JPH05217996A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | メサ型半導体素子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05217996A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108292705A (zh) * | 2015-11-27 | 2018-07-17 | Tdk株式会社 | 自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器 |
-
1992
- 1992-02-05 JP JP4054348A patent/JPH05217996A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108292705A (zh) * | 2015-11-27 | 2018-07-17 | Tdk株式会社 | 自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器 |
| CN108292705B (zh) * | 2015-11-27 | 2022-01-18 | Tdk株式会社 | 自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器 |
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