JP3008748B2 - 露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法Info
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- JP3008748B2 JP3008748B2 JP5261789A JP26178993A JP3008748B2 JP 3008748 B2 JP3008748 B2 JP 3008748B2 JP 5261789 A JP5261789 A JP 5261789A JP 26178993 A JP26178993 A JP 26178993A JP 3008748 B2 JP3008748 B2 JP 3008748B2
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体その他の回路基板
の製造に用いられる露光装置及びそれを用いた半導体デ
バイスの製造方法に関し、特に露光装置を構成するミラ
ー投影光学系に対してマスクと基板（ウエハ）とを一体
的に走査し、マスクに形成されているパターンの像をミ
ラー投影光学系により基板（ウエハ）上に転写し、大型
の液晶表示パネル等を製造する際に好適なものである。
の製造に用いられる露光装置及びそれを用いた半導体デ
バイスの製造方法に関し、特に露光装置を構成するミラ
ー投影光学系に対してマスクと基板（ウエハ）とを一体
的に走査し、マスクに形成されているパターンの像をミ
ラー投影光学系により基板（ウエハ）上に転写し、大型
の液晶表示パネル等を製造する際に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体製造用の露光装置として
凸面鏡と凹面鏡を用いたミラー投影光学系が多く用いら
れており、例えば特開昭５８−１０８７４５号公報，特
開昭６２−１８７１５号公報，特開昭６３−１２８７１
３号公報等で提案されている。
凸面鏡と凹面鏡を用いたミラー投影光学系が多く用いら
れており、例えば特開昭５８−１０８７４５号公報，特
開昭６２−１８７１５号公報，特開昭６３−１２８７１
３号公報等で提案されている。
【０００３】特に最近では液晶表示パネル、特にパソコ
ン向けの大市場が期待される１０インチ前後の液晶表示
パネルを製造する為に用いられる露光装置として、解像
力が良く、生産性が高いという利点からミラー投影光学
系が多く用いられるようになっている。
ン向けの大市場が期待される１０インチ前後の液晶表示
パネルを製造する為に用いられる露光装置として、解像
力が良く、生産性が高いという利点からミラー投影光学
系が多く用いられるようになっている。
【０００４】このミラー投影光学系を用いた露光装置で
は、照明系からの光束でマスク面上をスリット状に照明
し、該マスク面上のパターンをウエハ面上にミラー投影
光学系を用いて投影している。そしてミラー光学系に対
してマスクと基板（ウエハ）を一体的に走査することに
よりマスクに形成されているパターンの像を基板（ウエ
ハ）上に転写するタイプの一括露光装置が使用されてい
る。
は、照明系からの光束でマスク面上をスリット状に照明
し、該マスク面上のパターンをウエハ面上にミラー投影
光学系を用いて投影している。そしてミラー光学系に対
してマスクと基板（ウエハ）を一体的に走査することに
よりマスクに形成されているパターンの像を基板（ウエ
ハ）上に転写するタイプの一括露光装置が使用されてい
る。
【０００５】この露光装置は前述した各公報にも開示さ
れているように非常に高い面精度に研磨された台形ミラ
ー，凸面鏡そして凹面鏡の３つの光学部材を有する周知
のミラー投影光学系を備えている。
れているように非常に高い面精度に研磨された台形ミラ
ー，凸面鏡そして凹面鏡の３つの光学部材を有する周知
のミラー投影光学系を備えている。
【０００６】このミラー投影光学系では円弧スリット開
口の良像域を用いてマスクに形成されているパターンの
全体の像を基板上に転写する為にマスクと基板を一体で
ミラー投影光学系に対して走査露光している。
口の良像域を用いてマスクに形成されているパターンの
全体の像を基板上に転写する為にマスクと基板を一体で
ミラー投影光学系に対して走査露光している。
【０００７】この露光装置で露光できる領域の大きさは
走査方向（Ｙ方向）はミラー投影光学系に対してマスク
と基板を走査する距離により決定され、走査方向に直交
する方向（Ｘ方向）はミラー投影光学系により結像され
る円弧スリット開口のＸ方向の巾により決定される。
走査方向（Ｙ方向）はミラー投影光学系に対してマスク
と基板を走査する距離により決定され、走査方向に直交
する方向（Ｘ方向）はミラー投影光学系により結像され
る円弧スリット開口のＸ方向の巾により決定される。
【０００８】又ミラー投影光学系は円弧スリット開口の
Ｙ方向の巾を広げると解像力は劣化するが高い照明光が
得られるという特徴がある。
Ｙ方向の巾を広げると解像力は劣化するが高い照明光が
得られるという特徴がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示パネルはマス
クのパターンが基板上のレジストに転写されると共にＩ
ＣやＬＳＩのような半導体デバイスを製造するプロセス
と同様なプロセスを経ることにより製造されている。該
基板は液晶の駆動を制御する為の画素駆動回路として利
用される。
クのパターンが基板上のレジストに転写されると共にＩ
ＣやＬＳＩのような半導体デバイスを製造するプロセス
と同様なプロセスを経ることにより製造されている。該
基板は液晶の駆動を制御する為の画素駆動回路として利
用される。
【００１０】ところで液晶表示パネル用の基板サイズ
は、理論的には画素パターンと電極パターンをカバーす
る大きさであれば良いが、レジストを塗布する際、多く
の場合基板の周辺部のみレジストが厚く塗布されてしま
う傾向がある。その為、通常パターン領域より片側で１
０ｍｍ程度大きな基板が使用されている。
は、理論的には画素パターンと電極パターンをカバーす
る大きさであれば良いが、レジストを塗布する際、多く
の場合基板の周辺部のみレジストが厚く塗布されてしま
う傾向がある。その為、通常パターン領域より片側で１
０ｍｍ程度大きな基板が使用されている。
【００１１】通常、液晶表示パネルの製造の為に基板を
露光する際、使用されるレジストはポジ型であり、周辺
部に光が十分当たらないとレジスト膜が残り工程層が積
層されていく。積層された層は露光装置内で基板を搬送
用のカセットから搬出入するときカセットのスロット部
と接触して剥離し、ゴミとなり又基板をスクライブする
際にもゴミとなって発生する。このゴミが基板表面に付
着したままパターン転写が行われると、液晶パネルの歩
留りは極端に落ちてしまうという問題がある。
露光する際、使用されるレジストはポジ型であり、周辺
部に光が十分当たらないとレジスト膜が残り工程層が積
層されていく。積層された層は露光装置内で基板を搬送
用のカセットから搬出入するときカセットのスロット部
と接触して剥離し、ゴミとなり又基板をスクライブする
際にもゴミとなって発生する。このゴミが基板表面に付
着したままパターン転写が行われると、液晶パネルの歩
留りは極端に落ちてしまうという問題がある。
【００１２】この問題を解消する方法として、基板上の
液晶表示パネル部の周辺部にも光を当てて、工程膜が積
層されないようにする方法がある。又液晶表示パネル部
の周辺部のレジスト膜厚はパターン領域に対し、２〜３
倍厚い。従って、パターン領域を露光するのに必要な露
光量より２〜３倍の露光量を与えなければならないとい
う問題点がある。
液晶表示パネル部の周辺部にも光を当てて、工程膜が積
層されないようにする方法がある。又液晶表示パネル部
の周辺部のレジスト膜厚はパターン領域に対し、２〜３
倍厚い。従って、パターン領域を露光するのに必要な露
光量より２〜３倍の露光量を与えなければならないとい
う問題点がある。
【００１３】従来、ミラー投影光学系はパターン領域、
周辺部ともスリットのＹ方向の巾は同じであった。その
為周辺部のレジスト膜厚の厚い部分はレジストが十分感
光できず、上述の問題が発生してくる傾向があった。
周辺部ともスリットのＹ方向の巾は同じであった。その
為周辺部のレジスト膜厚の厚い部分はレジストが十分感
光できず、上述の問題が発生してくる傾向があった。
【００１４】本発明は、ミラー投影光学系においてマス
ク面上を照明する円弧スリット開口の形状を適切に設定
することによりレジスト膜の厚い円弧スリット開口の両
端部も完全にレジストが除去でき、しかもゴミによる悪
影響を防止し、液晶表示パネル等の大型の基板面上にマ
スク面上のパターンを高精度に投影露光することのでき
る露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
の提供を目的とする。
ク面上を照明する円弧スリット開口の形状を適切に設定
することによりレジスト膜の厚い円弧スリット開口の両
端部も完全にレジストが除去でき、しかもゴミによる悪
影響を防止し、液晶表示パネル等の大型の基板面上にマ
スク面上のパターンを高精度に投影露光することのでき
る露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
の提供を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、照
明系からの露光光をスリットを介してマスク面上をスリ
ット状に照明し、該スリット状に照明されたマスク面上
のパターンを投影光学系によりウエハ面上に投影する
際、駆動手段により該マスクと該ウエハとを該投影光学
系に対して同時に走査させて該マスク全面のパターンを
該ウエハに投影するようにした露光装置において該スリ
ットの走査方向の開口形状は中央部に比べて両端部で広
くなっていることを特徴としている。
明系からの露光光をスリットを介してマスク面上をスリ
ット状に照明し、該スリット状に照明されたマスク面上
のパターンを投影光学系によりウエハ面上に投影する
際、駆動手段により該マスクと該ウエハとを該投影光学
系に対して同時に走査させて該マスク全面のパターンを
該ウエハに投影するようにした露光装置において該スリ
ットの走査方向の開口形状は中央部に比べて両端部で広
くなっていることを特徴としている。
【００１６】本発明の半導体デバイスの製造方法は、照
明系からの露光光をスリットを介してマスク面上をスリ
ット状に照明し、該スリット状に照明されたマスク面上
のパターンを投影光学系によりウエハ面上に投影する
際、駆動手段により該マスクと該ウエハとを該投影光学
系に対して同時に走査させて該マスク全面のパターンを
該ウエハに投影露光した後に該ウエハを現像処理工程を
介して半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造
方法において該スリットの走査方向の開口形状は中央部
に比べて両端部で広くなっていることを特徴としてい
る。
明系からの露光光をスリットを介してマスク面上をスリ
ット状に照明し、該スリット状に照明されたマスク面上
のパターンを投影光学系によりウエハ面上に投影する
際、駆動手段により該マスクと該ウエハとを該投影光学
系に対して同時に走査させて該マスク全面のパターンを
該ウエハに投影露光した後に該ウエハを現像処理工程を
介して半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造
方法において該スリットの走査方向の開口形状は中央部
に比べて両端部で広くなっていることを特徴としてい
る。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の実施例１の要部概略図であ
る。
る。
【００１８】図１において１は照明系であり、後述する
ように露光光によりマスク４面上を円弧スリット状に照
明している。２は光源であり、例えば超高圧水銀灯より
成っている。３はＹ方向に円弧を向けた円弧スリット開
口を有するスリットである。光源２とスリット３は照明
系１の一要素を構成している。
ように露光光によりマスク４面上を円弧スリット状に照
明している。２は光源であり、例えば超高圧水銀灯より
成っている。３はＹ方向に円弧を向けた円弧スリット開
口を有するスリットである。光源２とスリット３は照明
系１の一要素を構成している。
【００１９】４はマスクであり、その面上には回路パタ
ーンやアライメントマーク等が形成されている。５は基
板（ウエハ）である。７はミラー投影光学系であり、円
弧スリット状に照明されたマスク４面上のパターンを基
板５上に等倍結像している。６はキャリッジであり、マ
スク４と基板５とを載置している。
ーンやアライメントマーク等が形成されている。５は基
板（ウエハ）である。７はミラー投影光学系であり、円
弧スリット状に照明されたマスク４面上のパターンを基
板５上に等倍結像している。６はキャリッジであり、マ
スク４と基板５とを載置している。
【００２０】８，８′は静圧ガイジ、９はリニアモータ
ーであり、これらの要素８，８′，９により駆動手段を
構成している。駆動手段はミラー投影光学系７に対して
キャリッジ６をＹ方向に駆動している。１０は基盤、１
１，１１′は防振足である。
ーであり、これらの要素８，８′，９により駆動手段を
構成している。駆動手段はミラー投影光学系７に対して
キャリッジ６をＹ方向に駆動している。１０は基盤、１
１，１１′は防振足である。
【００２１】ミラー投影光学系７は高い精度で研磨され
た反射面７ａ１，７ａ２より成る台形ミラー７ａと凹面
鏡７ｂそして凸面鏡７ｃより成っている。そしてマスク
４面上のパターンからの光束を順にミラー面７ａ１，凹
面鏡７ｂ，凸面鏡７ｃ，凹面鏡７ｂ，そしてミラー面７
ａ２を介して基板５面上に導光し、その面上にパターン
像を等倍結像している。
た反射面７ａ１，７ａ２より成る台形ミラー７ａと凹面
鏡７ｂそして凸面鏡７ｃより成っている。そしてマスク
４面上のパターンからの光束を順にミラー面７ａ１，凹
面鏡７ｂ，凸面鏡７ｃ，凹面鏡７ｂ，そしてミラー面７
ａ２を介して基板５面上に導光し、その面上にパターン
像を等倍結像している。
【００２２】そして駆動手段によりキャリッジ６をＹ方
向に移動させて円弧スリット開口で照明されたマスク４
面上の全パターンを順次基板５面上に投影露光してい
る。そして該基板５を公知の現像処理工程を介して半導
体デバイスを製造している。
向に移動させて円弧スリット開口で照明されたマスク４
面上の全パターンを順次基板５面上に投影露光してい
る。そして該基板５を公知の現像処理工程を介して半導
体デバイスを製造している。
【００２３】図２は本発明に係るスリット３の拡大説明
図である。
図である。
【００２４】同図においてはスリット３の円弧スリット
開口１３に対して円弧スリット開口１３を通過した光束
で照明されたマスク４面上のパターンをミラー投影光学
系７で投影する基板５を対応させて示している。円弧ス
リット開口１３のＹ方向の開口形状は基板５の中央部の
巾１３ａに比べて両端部の一部の巾１３ｂが２〜３倍広
くなるようにしている。
開口１３に対して円弧スリット開口１３を通過した光束
で照明されたマスク４面上のパターンをミラー投影光学
系７で投影する基板５を対応させて示している。円弧ス
リット開口１３のＹ方向の開口形状は基板５の中央部の
巾１３ａに比べて両端部の一部の巾１３ｂが２〜３倍広
くなるようにしている。
【００２５】これにより基板５の中心部に対して周辺部
に当たる露光光量が２〜３倍多くなるようにしている。
その結果、基板５のレジスト膜厚の厚い周辺部には十分
な露光光量が得られ完全に感光ができ、レジスト膜は残
らないようにし、これにより周辺部に工程膜が積層され
ず液晶パネルの歩留りの低下を防止している。
に当たる露光光量が２〜３倍多くなるようにしている。
その結果、基板５のレジスト膜厚の厚い周辺部には十分
な露光光量が得られ完全に感光ができ、レジスト膜は残
らないようにし、これにより周辺部に工程膜が積層され
ず液晶パネルの歩留りの低下を防止している。
【００２６】尚本実施例においてスリット３の円弧スリ
ット開口１３の形状は中央部から両端部にかけて図２に
示すように断続的に広くなる形状の他、連続的に広くな
るようにしても良い。
ット開口１３の形状は中央部から両端部にかけて図２に
示すように断続的に広くなる形状の他、連続的に広くな
るようにしても良い。
【００２７】図３は従来のスリット３３の円弧スリット
開口３２の説明図である。従来のスリット３３の円弧ス
リット開口３２は基板５の中心部・両端部とも同じ巾で
あった。この為基板５の中心部と周辺部とも同じ露光光
量となる。その結果、基板５のレジスト膜厚の厚い周辺
部は十分な露光光量が得られず、完全に感光せずレジス
ト膜が残ってしまい、その為周辺部に工程膜が積層され
液晶パネルの歩留りを大幅に低下させてしまうという問
題があった。
開口３２の説明図である。従来のスリット３３の円弧ス
リット開口３２は基板５の中心部・両端部とも同じ巾で
あった。この為基板５の中心部と周辺部とも同じ露光光
量となる。その結果、基板５のレジスト膜厚の厚い周辺
部は十分な露光光量が得られず、完全に感光せずレジス
ト膜が残ってしまい、その為周辺部に工程膜が積層され
液晶パネルの歩留りを大幅に低下させてしまうという問
題があった。
【００２８】これに対して本発明ではスリットのＹ方向
（走査方向）の円弧スリット開口を図２に示す如く中央
部に比べて両端部を広くすることにより基板５面上のレ
ジスト全面を効果的に照明し、良好なるパターン像の投
影露光が行えるようにしている。
（走査方向）の円弧スリット開口を図２に示す如く中央
部に比べて両端部を広くすることにより基板５面上のレ
ジスト全面を効果的に照明し、良好なるパターン像の投
影露光が行えるようにしている。
【００２９】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。
イスの製造方法の実施例を説明する。
【００３０】図４は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフ
ローを示す。
半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフ
ローを示す。
【００３１】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００３２】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００３３】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００３４】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３５】図５は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。
【００３６】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００３７】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００３８】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、ミラー投
影光学系においてマスク面上を照明する円弧スリット開
口の形状を適切に設定することによりレジスト膜の厚い
円弧スリット開口の両端部も完全にレジストが除去で
き、しかもゴミによる悪影響を防止し、液晶表示パネル
等の大型の基板面上にマスク面上のパターンを高精度に
投影露光することのできる露光装置を達成することがで
きる。
影光学系においてマスク面上を照明する円弧スリット開
口の形状を適切に設定することによりレジスト膜の厚い
円弧スリット開口の両端部も完全にレジストが除去で
き、しかもゴミによる悪影響を防止し、液晶表示パネル
等の大型の基板面上にマスク面上のパターンを高精度に
投影露光することのできる露光装置を達成することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例１の要部概略図
【図２】 図１のスリットの拡大説明図
【図３】 従来の露光装置に用いられるスリットの拡大
説明図
説明図
【図４】 本発明の半導体デバイスの製造方法のフロー
チャート
チャート
【図５】 本発明の半導体デバイスの製造方法のフロー
チャート
チャート
１ 照明系 ２ 光源 ３ スリット ４ マスク ５ 基板（ウエハ） ６ キャリッジ ７ ミラー投影光学系 ９ リニアモーター １３ 円弧スリット開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−298719（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−175730（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−115719（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−180013（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−283726（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03B 27/32 G03F 7/20 521
Claims (4)
- 【請求項１】 照明系からの露光光をスリットを介して
マスク面上をスリット状に照明し、該スリット状に照明
されたマスク面上のパターンを投影光学系によりウエハ
面上に投影する際、駆動手段により該マスクと該ウエハ
とを該投影光学系に対して同時に走査させて該マスク全
面のパターンを該ウエハに投影するようにした露光装置
において該スリットの走査方向の開口形状は中央部に比
べて両端部で広くなっていることを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】 前記スリットは走査方向に円弧を向けた
円弧スリット開口より成っていることを特徴とする請求
項１の露光装置。 - 【請求項３】 照明系からの露光光をスリットを介して
マスク面上をスリット状に照明し、該スリット状に照明
されたマスク面上のパターンを投影光学系によりウエハ
面上に投影露光する際、駆動手段により該マスクと該ウ
エハとを該投影光学系に対して同時に走査させて該マス
ク全面のパターンを該ウエハに投影露光した後に該ウエ
ハを現像処理工程を介して半導体デバイスを製造する半
導体デバイスの製造方法において該スリットの走査方向
の開口形状は中央部に比べて両端部で広くなっているこ
とを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項４】 前記スリットは走査方向に円弧を向けた
円弧スリット開口より成っていることを特徴とする請求
項３の半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5261789A JP3008748B2 (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5261789A JP3008748B2 (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794404A JPH0794404A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3008748B2 true JP3008748B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=17366738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP3384068B2 (ja) * | 1993-12-22 | 2003-03-10 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP5261789A patent/JP3008748B2/ja not_active Expired - Fee Related
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