JPH05217792A - Laminated ceramic capacitor and manufacture thereof - Google Patents
Laminated ceramic capacitor and manufacture thereofInfo
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- JPH05217792A JPH05217792A JP6127991A JP6127991A JPH05217792A JP H05217792 A JPH05217792 A JP H05217792A JP 6127991 A JP6127991 A JP 6127991A JP 6127991 A JP6127991 A JP 6127991A JP H05217792 A JPH05217792 A JP H05217792A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、大容量化が可能な積層
磁器コンデンサ及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated ceramic capacitor having a large capacity and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体磁器コンデンサの１種として表面
再酸化型半導体磁器コンデンサが知られている。この表
面再酸化型半導体磁器コンデンサを製造する時には、例
えば、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）から成る主成
分に、原子価制御材料としての希土類元素（Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ等）の酸化物と、Ｍｎ化合物
と、ＣａＺｒＯ3 とを添加した磁器材料組成物の成形体
を形成し、この成形体を１３００〜１３２０℃、大気中
（酸化性雰囲気）で焼成して磁器焼結体を得る。次に、
焼結体を水素と窒素とから成る還元性雰囲気中で１０２
０〜１１００℃で熱処理を施して半導体磁器に変える。
次に、半導体磁器に大気中（酸化性雰囲気）で１０００
〜１０４０℃の熱処理（再酸化処理）を施して半導体磁
器の表面に酸化層から成る誘電体磁器層（膜）を形成す
る。しかる後、誘電体磁器層の上に銀ペーストを塗布し
て焼付けることによって一対の電極を形成する。2. Description of the Related Art A surface reoxidation type semiconductor ceramic capacitor is known as one type of semiconductor ceramic capacitors. When manufacturing this surface reoxidation type semiconductor ceramic capacitor, for example, a main component made of BaTiO 3 (barium titanate) is used, and a rare earth element (La, C
e, Pr, Nd, Sm, Y, etc.), a Mn compound, and CaZrO 3 are added to form a molded body of the porcelain material composition. To obtain a porcelain sinter. next,
102 in a reducing atmosphere consisting of hydrogen and nitrogen
Heat treatment is performed at 0 to 1100 ° C. to change into semiconductor porcelain.
Next, the semiconductor porcelain was exposed to the atmosphere (oxidizing atmosphere) at 1000
A heat treatment (reoxidation treatment) at 10 to 40 ° C. is performed to form a dielectric ceramic layer (film) made of an oxide layer on the surface of the semiconductor ceramic. Then, a silver paste is applied on the dielectric ceramic layer and baked to form a pair of electrodes.
【０００３】この表面再酸化型半導体磁器コンデンサに
おいては、半導体磁器層がコンデンサの電極として働
き、半導体磁器層と電極との間の１０〜２０μｍ程度の
極めて薄い誘電体磁器層がコンデンサの誘電体層として
働く。従って、等価的な（見かけ上の）比誘電率が大き
くなり、大容量化が可能になる。In this surface reoxidation type semiconductor ceramic capacitor, the semiconductor ceramic layer functions as an electrode of the capacitor, and the extremely thin dielectric ceramic layer of about 10 to 20 μm between the semiconductor ceramic layer and the electrode is the dielectric layer of the capacitor. Work as. Therefore, the equivalent (apparent) relative dielectric constant is increased, and the capacity can be increased.
【０００４】上記の説明では一対の電極を銀にしたの
で、一対の電極の間に２つの誘電体磁器層が介在し、等
価的に２つのコンデンサが直列接続される。この結果、
大容量が阻害される。この問題を解決するために、誘電
体磁器の一部を除去して半導体磁器層を露出させ、ここ
に一方の電極をオーミックコンタクトさせることがあ
る。また、一方の電極材料をＺｎ等の卑金属とし、電極
を焼付ける時に卑金属で誘電体磁器層を還元し、半導体
磁器層にオーミックコンタクトして電極を形成すること
がある。In the above description, since the pair of electrodes is made of silver, two dielectric porcelain layers are interposed between the pair of electrodes, and two capacitors are equivalently connected in series. As a result,
Large capacity is hindered. To solve this problem, a part of the dielectric porcelain is removed to expose the semiconductor porcelain layer, and one of the electrodes may be brought into ohmic contact therewith. Further, one electrode material may be a base metal such as Zn, and when the electrode is baked, the base metal may reduce the dielectric porcelain layer and form ohmic contact with the semiconductor porcelain layer to form the electrode.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述のように種々の大
容量化が試みられているにも拘らず、表面再酸化型半導
体磁器コンデンサは、積層化が不可能であるために、更
に小型化及び大容量化することが不可能であった。In spite of various attempts to increase the capacity as described above, the surface reoxidation type semiconductor ceramic capacitor cannot be laminated, so that it can be further miniaturized. And it was impossible to increase the capacity.
【０００６】そこで、本発明の目的は、小型化及び大容
量化が可能な積層磁器コンデンサを提供することにあ
る。本発明の別の目的は、表面再酸化型の積層磁器コン
デンサを容易に製造することが可能な方法を提供するこ
とにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a laminated ceramic capacitor which can be miniaturized and have a large capacity. Another object of the present invention is to provide a method capable of easily manufacturing a surface reoxidation type laminated ceramic capacitor.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、磁器基体中に少なくとも２つの内部電極層
を有する積層磁器コンデンサにおいて、前記少なくとも
１つの内部電極層に接触するように誘電体磁器層が配設
され、前記２つの内部電極層の間に前記誘電体磁器層の
他に半導体磁器層が配設されていることを特徴とする積
層磁器コンデンサに係わるものである。なお、２つの内
部電極層に隣接させて誘電体磁器層をそれぞれ形成する
ことが望ましい。The present invention for achieving the above object provides a laminated porcelain capacitor having at least two internal electrode layers in a porcelain substrate, and a dielectric so as to contact the at least one internal electrode layer. The present invention relates to a laminated ceramic capacitor in which a body porcelain layer is provided, and a semiconductor porcelain layer is provided between the two internal electrode layers in addition to the dielectric porcelain layer. In addition, it is desirable to form the dielectric ceramic layers adjacent to the two internal electrode layers.
【０００８】本発明に係わる表面再酸化型積層磁器コン
デンサの製造方法は、半導体磁器材料から成る未焼結シ
ートにパラジウム（Ｐｄ）と卑金属とを含む導電性ペー
ストを所定パターンに塗布して導電層を形成する工程
と、前記導電層が塗布された前記シートを複数枚積層し
て積層体を得る工程と、パラジウムが酸化パラジウムに
なり、しかる後酸化パラジウムが再びパラジウムに戻る
ような昇温過程を有して前記積層体を酸化雰囲気中で焼
成する工程とを有する。According to the method of manufacturing a surface reoxidation type laminated ceramic capacitor according to the present invention, a conductive paste containing palladium (Pd) and a base metal is applied in a predetermined pattern on an unsintered sheet made of a semiconductor ceramic material to form a conductive layer. A step of forming a laminated body by laminating a plurality of the sheets coated with the conductive layer, and a heating process such that palladium becomes palladium oxide, and then palladium oxide returns to palladium again. And a step of firing the laminate in an oxidizing atmosphere.
【０００９】[0009]
【作用】請求項１において、半導体磁器層はコンデンサ
電極として機能し、誘電体磁器層はコンデンサ誘電体と
して機能する。２つの内部電極層の間には、誘電体磁器
層と半導体磁器層が配置されるので、２つの内部電極層
の間の全部がコンデンサの誘電体層として機能せず、誘
電体磁器層がコンデンサの誘電体として機能する。誘電
体磁器層は１０〜２０μｍ程度であって極めて薄いの
で、２つの内部電極層間の静電容量は極めて大きくな
る。According to the present invention, the semiconductor porcelain layer functions as a capacitor electrode, and the dielectric porcelain layer functions as a capacitor dielectric. Since the dielectric porcelain layer and the semiconductor porcelain layer are arranged between the two internal electrode layers, the entire portion between the two internal electrode layers does not function as the dielectric layer of the capacitor, and the dielectric porcelain layer is Function as a dielectric. Since the dielectric porcelain layer has a thickness of about 10 to 20 μm and is extremely thin, the capacitance between the two internal electrode layers becomes extremely large.
【００１０】請求項３において、パラジウム（Ｐｄ）は
５６０℃程度に加熱されることによって酸化パラジウム
（ＰｄＯ）になり、更に昇温して約８２０℃にすると、
酸化パラジウム（ＰｄＯ）は酸素を放出してパラジウム
（Ｐｄ）に戻る。即ち、パラジウム（Ｐｄ）は５６０℃
近傍で還元剤として機能し、８２０℃近傍で酸化剤とし
て機能する。一方、卑金属は２００〜７００℃程度の低
温領域において、酸化物に変化し、還元剤として機能す
る。その後、卑金属の酸化物は磁器層の中に拡散して焼
結助材として機能する。パラジウム及び卑金属が磁器材
料から酸素を奪うことによって磁器材料が還元されたこ
とになり、磁器材料が半導体化される。その後、酸化パ
ラジウム（ＰｄＯ）が酸素を半導体磁器層に与えること
により、半導体磁器層のパラジウム電極に接触している
領域が酸化され、ここが誘電体磁器層（膜）になる。In claim 3, palladium (Pd) is heated to about 560 ° C. to become palladium oxide (PdO), and when the temperature is further raised to about 820 ° C.,
Palladium oxide (PdO) releases oxygen and returns to palladium (Pd). That is, palladium (Pd) is 560 ° C
It functions as a reducing agent in the vicinity and functions as an oxidizing agent in the vicinity of 820 ° C. On the other hand, the base metal changes into an oxide and functions as a reducing agent in a low temperature range of about 200 to 700 ° C. After that, the base metal oxide diffuses into the porcelain layer and functions as a sintering aid. The palladium and the base metal deprive the porcelain material of oxygen, which means that the porcelain material is reduced and the porcelain material is made into a semiconductor. Then, palladium oxide (PdO) supplies oxygen to the semiconductor porcelain layer to oxidize the region of the semiconductor porcelain layer in contact with the palladium electrode, which becomes the dielectric porcelain layer (film).
【００１１】[0011]
【実施例１】次に、図１及び図２を参照して本発明の実
施例に係わる積層磁器コンデンサ及びその製造方法を説
明する。[Embodiment 1] Next, a laminated ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same will be described with reference to FIGS.
【００１２】図１は新規な積層磁器コンデンサを原理的
に示す。この磁器コンデンサは内部電極としての第１及
び第２の電極層１、２を含む長方体の磁器基体３と、一
対の外部電極４、５とから成る。磁器基体３の一方の側
面に設けられた一方の外部電極４は第１の電極層１に接
続され、他方の側面に設けられた他方の外部電極５は第
２の電極層２に接続されている。FIG. 1 shows in principle a novel laminated ceramic capacitor. This porcelain capacitor is composed of a rectangular porcelain substrate 3 including first and second electrode layers 1 and 2 as internal electrodes, and a pair of external electrodes 4 and 5. One external electrode 4 provided on one side surface of the porcelain substrate 3 is connected to the first electrode layer 1, and the other external electrode 5 provided on the other side surface is connected to the second electrode layer 2. There is.
【００１３】磁器基体３は、電極層１、２に接触してい
る第１及び第２の誘電体磁器層６、７と、誘電体磁器層
６、７の相互間に配置された第１の半導体磁器層と、第
１の電極層１と、第１の電極層１の上側に生じた第２の
半導体磁器層９と、第２の電極層２の下側に生じた第４
の半導体磁器層１０と、この磁器基体３の表面領域の誘
電体磁器層１１とから成る。The porcelain substrate 3 has first and second dielectric porcelain layers 6 and 7 which are in contact with the electrode layers 1 and 2, and a first porcelain substrate 3 which is arranged between the dielectric porcelain layers 6 and 7. Semiconductor porcelain layer, first electrode layer 1, second semiconductor porcelain layer 9 formed on the upper side of first electrode layer 1, and fourth semiconductor layer formed on the lower side of second electrode layer 2.
The semiconductor porcelain layer 10 and the dielectric porcelain layer 11 in the surface region of the porcelain base body 3.
【００１４】図１の構造の積層磁器コンデンサは以下の
ように製造した。まず、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウ
ム）９４．５モル％、Ｌａ2 Ｏ3 （酸化ランタ）をＬａ
に換算して２．０モル％、ＣｅＯ2 （酸化セリウム）を
Ｃｅに換算して１．０モル％、Ｎｄ2 Ｏ3 （酸化ネオジ
ム）をＮｄに換算して１．０モル％、ＣａＺｒＯ3 （ジ
ルコン酸カルシウム）を１．０モル％、ＭｎＯ2 （酸化
マンガン）をＭｎに換算して０．５モル％とから成る磁
器原料粉末を用意した。The laminated ceramic capacitor having the structure shown in FIG. 1 was manufactured as follows. First, BaTiO 3 (barium titanate) 94.5 mol% and La 2 O 3 (lanthanum oxide) were added to La.
To 2.0 mol%, CeO 2 (cerium oxide) to Ce 1.0 mol%, Nd 2 O 3 (neodymium oxide) to Nd 1.0 mol%, CaZrO 3 A ceramic raw material powder containing 1.0 mol% of (calcium zirconate) and 0.5 mol% of MnO 2 (manganese oxide) converted to Mn was prepared.
【００１５】次に、原料組成物に有機バインダ及び可塑
剤を添加してスラリー状になし、ドクターブレード法に
よって２５μｍのグリーンシート（未焼結シート）を得
た。Next, an organic binder and a plasticizer were added to the raw material composition to form a slurry, and a 25 μm green sheet (unsintered sheet) was obtained by the doctor blade method.
【００１６】次に、平均粒径約０．２μｍのＰｄ（パラ
ジウム）粉末１００重量部と、卑金属としての平均粒径
約１．０μｍの球形Ｚｎ粉末１０重量部と、適当量の有
機バインダとから成る導電性ペーストを用意した。次
に、グリーンシート上にこの導電性ペーストを所定パタ
ーンに印刷し、乾燥して導電層を得た。なお、導電ペー
ストの印刷厚さは約２．５μｍである。また、導電ペー
ストに基づく導電層を有するグリーンシートを複数枚用
意し、更に導電層を有さない補強用グリーンシートも複
数枚用意した。Next, from 100 parts by weight of Pd (palladium) powder having an average particle size of about 0.2 μm, 10 parts by weight of spherical Zn powder having an average particle size of about 1.0 μm as a base metal, and an appropriate amount of an organic binder. Was prepared. Next, this conductive paste was printed in a predetermined pattern on the green sheet and dried to obtain a conductive layer. The printed thickness of the conductive paste is about 2.5 μm. Further, a plurality of green sheets having a conductive layer based on a conductive paste were prepared, and a plurality of reinforcing green sheets having no conductive layer were also prepared.
【００１７】次に、図２に原理的に示すように第１の導
電層１ａを有する第１のグリーンシート８ａと、第２の
導電層２ａを有する第２のグリーンシート１０ａと、上
下の補強用シート１１ａ、１１ｂとを重ね合せて加圧
し、成形体１２を得た。Next, as shown in principle in FIG. 2, a first green sheet 8a having a first conductive layer 1a, a second green sheet 10a having a second conductive layer 2a, and upper and lower reinforcements. Sheets 11a and 11b were superposed and pressed to obtain a molded body 12.
【００１８】次に、図２の成形体１２をＮ2 雰囲気（中
性雰囲気）中で３５０℃、２時間加熱し、グリーンシー
ト８ａ、１０ａ、１１ａ、１１ｂ及び導電層１ａ、２ａ
中の有機バインダを排出した。次に、大気雰囲気（酸化
性雰囲気）中で、成形体１２の加熱温度を１時間当り１
５０℃の割合で１３００℃まで上昇させ、１３００℃を
２時間保持して成形体２０を焼成し、焼結体を得た。Next, the molded body 12 of FIG. 2 is heated in an N 2 atmosphere (neutral atmosphere) at 350 ° C. for 2 hours, and the green sheets 8a, 10a, 11a, 11b and the conductive layers 1a, 2a are heated.
The organic binder inside was discharged. Next, in the air atmosphere (oxidizing atmosphere), the heating temperature of the molded body 12 is set to 1 per hour.
The temperature was raised to 1300 ° C. at a rate of 50 ° C., the temperature was maintained at 1300 ° C. for 2 hours, and the molded body 20 was fired to obtain a sintered body.
【００１９】この焼成において、成形体１２が５６０℃
位いに加熱されると、第１及び第２の導電層１ａ、２ａ
の中に含まれているＰｄが磁器材料中の酸化物から酸素
を奪い、磁器材料を還元し、ＰｄはＰｄＯになる。これ
と同時にＺｎも磁器材料中の酸化物から酸素を奪い、磁
器材料を還元し、ＺｎＯになる。更に焼成温度が８２０
℃位いまで上昇すると、ＰｄＯは酸化剤として機能し、
ＰｄＯの酸素が磁器材料に奪われ、Ｐｄに戻り、図１に
示す第１及び第２の電極層１、２となる。ＰｄＯから分
離した酸素は、電極層１、２に隣接する領域を酸化して
図１に示す厚さ約３μｍの誘電体磁器層７、８を形成す
る。Ｚｎは２００〜７００℃でＺｎＯになり、その後、
成形体中に拡散して焼結助材として機能する。During this firing, the molded body 12 was heated to 560 ° C.
When heated to a high temperature, the first and second conductive layers 1a, 2a
Pd contained in P removes oxygen from the oxide in the porcelain material and reduces the porcelain material, and Pd becomes PdO. At the same time, Zn also removes oxygen from the oxide in the porcelain material, reduces the porcelain material, and becomes ZnO. Furthermore, the firing temperature is 820
When it reaches around ℃, PdO functions as an oxidant,
Oxygen of PdO is deprived of the porcelain material, returns to Pd, and becomes the first and second electrode layers 1 and 2 shown in FIG. Oxygen separated from PdO oxidizes the regions adjacent to the electrode layers 1 and 2 to form the dielectric ceramic layers 7 and 8 having a thickness of about 3 μm shown in FIG. Zn becomes ZnO at 200 to 700 ° C., and then
It diffuses in the compact and functions as a sintering aid.
【００２０】この積層磁器コンデンサの静電容量Ｃ（p
F）と誘電体損失tan δ（％）と絶縁破壊電圧Ｖbd（ボ
ルト）を測定したところ、Ｃは９５００pF、tan δは
２．５％、Ｖbdは３００ボルトであった。なお、Ｃ及び
tan δは、測定電圧０．１Ｖ、測定周波数１kHz の条件
で測定した。またＶbdは直流昇圧破壊方法で測定した。The capacitance C (p
F), dielectric loss tan δ (%) and dielectric breakdown voltage Vbd (volt) were measured. As a result, C was 9500 pF, tan δ was 2.5% and Vbd was 300 volts. Note that C and
The tan δ was measured under the conditions of a measurement voltage of 0.1 V and a measurement frequency of 1 kHz. Further, Vbd was measured by a DC boost breakdown method.
【００２１】[0021]
【比較例】導電性ペーストに添加したＺｎのような卑金
属の効果を調べるために、導電ペーストに卑金属を含ま
ない導電ペーストに基づいて第１及び第２の電極層１、
２を形成した他は実施例１と同一の方法で積層磁器コン
デンサを作り、実施例１と同一の方法で、Ｃ、tan δ、
Ｖbdを測定したところ、３３００pF、１．５％、１１０
０Ｖであった。[Comparative Example] In order to investigate the effect of a base metal such as Zn added to the conductive paste, the first and second electrode layers 1, based on the conductive paste containing no base metal in the conductive paste,
A laminated porcelain capacitor was manufactured in the same manner as in Example 1 except that No. 2 was formed, and C, tan δ,
When Vbd was measured, it was 3300 pF, 1.5%, 110
It was 0V.
【００２２】実施例１の静電容量Ｃは９５００pFである
のに対して比較例のＣは３３００pFであり、実施例１の
静電容量Ｃが大幅に高くなっている。このようにＣが高
くなる理由は、第１の電極層１と第２の電極層２との間
が誘電体層のみではなく、第１の誘電体磁器層６と半導
体磁器層８と第２の誘電体磁器層７とから成るためであ
る。即ち、半導体磁器層８がコンデンサの電極として働
き、極めて薄い第１及び第２の誘電体磁器層６、７のみ
がコンデンサの誘電体層として働くためである。The electrostatic capacitance C of Example 1 is 9500 pF, while the electrostatic capacitance C of Comparative Example is 3300 pF, and the electrostatic capacitance C of Example 1 is significantly high. The reason why C becomes high is that not only the dielectric layer is provided between the first electrode layer 1 and the second electrode layer 2, but also the first dielectric porcelain layer 6, the semiconductor porcelain layer 8, the second This is because it is composed of the dielectric porcelain layer 7. That is, the semiconductor porcelain layer 8 acts as an electrode of the capacitor, and only the extremely thin first and second dielectric porcelain layers 6 and 7 act as the dielectric layer of the capacitor.
【００２３】[0023]
【実施例２】第１及び第２の電極層１、２を作るための
導電ペーストにおける卑金属としてのＺｎの割合の変化
によるコンデンサの特性の変化を調べるために、１００
重量部のＰｄに対してＺｎを５重量部、２０重量部、４
０重量部、５０重量部、６０重量部と５段階に変えた他
は実施例１と同一の方法でコンデンサを作り、その特性
を測定したところ、次の結果が得られた。Example 2 In order to investigate the change in the characteristics of the capacitor due to the change in the ratio of Zn as the base metal in the conductive paste for forming the first and second electrode layers 1 and 2, 100
5 parts by weight of Zn, 20 parts by weight, and 4 parts by weight of Pd.
A capacitor was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the levels were changed to 0, 50, and 60 parts by weight, and the characteristics were measured. The following results were obtained.
【００２４】 Ｚｎ ５重量部の場合 Ｃ ６２００pF tan δ ２．０％ Ｖbd ６００Ｖ Ｚｎ ２０重量部の場合 Ｃ ９５００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ３００Ｖ Ｚｎ ４０重量部の場合 Ｃ ６９００pF tan δ ４．５％ Ｖbd ２００Ｖ Ｚｎ ５０重量部の場合 Ｃ ４３００pF tan δ ７．５％ Ｖbd １００Ｖ Ｚｎ ６０重量部の場合 Ｃ ３０００pF tan δ １０．０％ Ｖbd ７０ＶZn 5 parts by weight C 6200 pF tan δ 2.0% Vbd 600V Zn 20 parts by weight C 9500 pF tan δ 2.5% Vbd 300 V Zn 40 parts by weight C 6900 pF tan δ 4.5% Vbd 200V Zn 50 parts by weight C 4300pF tan δ 7.5% Vbd 100V Zn 60 parts by weight C 3000pF tan δ 10.0% Vbd 70V
【００２５】この結果から明らかなように、Ｚｎが５０
重量部以下の範囲のコンデンサの静電容量Ｃは、Ｚｎを
含まないＰｄペーストで第１及び第２の電極層１、２を
形成した比較例のコンデンサのＣよりも大きくなってい
る。一方、Ｚｎが６０重量部の場合には、ＣがＺｎの零
の比較例よりも小さくなる。従って、導電ペーストにお
ける卑金属の１００重量部のＰｄに対する割合は５０重
量部以下であることが望ましい。As is clear from these results, Zn is 50
The capacitance C of the capacitor in the range of parts by weight or less is larger than C of the capacitor of the comparative example in which the first and second electrode layers 1 and 2 are formed of Pd paste containing no Zn. On the other hand, when Zn is 60 parts by weight, it becomes smaller than the comparative example in which C is zero Zn. Therefore, the ratio of 100 parts by weight of the base metal to Pd in the conductive paste is preferably 50 parts by weight or less.
【００２６】卑金属（Ｚｎ）の割合が多くなり過ぎる
と、導電ペースト中のＰｄの割合が減少することにな
り、図ｌの誘電体磁器層６、７を形成するための酸化剤
としてのＰｄＯが少なくなり、誘電体磁器層６、７が薄
くなり、破壊電圧Ｖbdが低下する。また、電極層１、２
中に卑金属（Ｚｎ）の酸化物（ＺｎＯ）が残在し、電極
層１、２の緻密性が低下し、結局、静電容量の低下、ta
n δの上昇が生じる。If the proportion of the base metal (Zn) becomes too large, the proportion of Pd in the conductive paste will decrease, and PdO as an oxidant for forming the dielectric ceramic layers 6 and 7 of FIG. The dielectric ceramic layers 6 and 7 are thinned and the breakdown voltage Vbd is lowered. In addition, the electrode layers 1, 2
Oxide (ZnO) of the base metal (Zn) remains in the inside, and the denseness of the electrode layers 1 and 2 is lowered, and eventually, the capacitance is lowered, ta
An increase in n δ occurs.
【００２７】[0027]
【実施例３】電極層１、２を形成するための導電ペース
トの卑金属としてＺｎの代りに銅（Ｃｕ）を使用するこ
とができることを確かめるために、１００重量部のＰｄ
に対してＣｕを５、２０、５０重量部添加した導電ペー
ストを使用した他は実施例１と同一の方法でコンデンサ
を作り、特性を測定したところ、次の結果が得られた。 Ｃｕ ５重量部の場合 Ｃ ７０００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ４５０Ｖ Ｃｕ ２０重量部の場合 Ｃ １１０００pF tan δ ４．５％ Ｖbd ２５０Ｖ Ｃｕ ５０重量部の場合 Ｃ ４０００pF tan δ １１．０％ Ｖbd ７０ＶExample 3 In order to confirm that copper (Cu) can be used instead of Zn as the base metal of the conductive paste for forming the electrode layers 1 and 2, 100 parts by weight of Pd is used.
On the other hand, a capacitor was prepared in the same manner as in Example 1 except that a conductive paste containing 5, 20, and 50 parts by weight of Cu was used, and the characteristics were measured. The following results were obtained. Cu 5 parts by weight C 7000pF tan δ 2.5% Vbd 450V Cu 20 parts by weight C 11000pF tan δ 4.5% Vbd 250V Cu 50 parts by weight C 4000pF tan δ 11.0% Vbd 70V
【００２８】[0028]
【実施例４】電極層１、２を形成するための導電ペース
トの卑金属としてニッケル（Ｎｉ）を使用することがで
きることを確かめるために１００重量部のＰｄに対して
Ｎｉを５、２０、５０重量部と３段階に変えて添加した
導電ペーストを使用した他は実施例１と同一の方法でコ
ンデンサを作り、特性を測定したところ、次の結果が得
られた。 Ｎｉ ５重量部の場合 Ｃ ８０００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ４５０Ｖ Ｎｉ ２０重量部の場合 Ｃ １１０００pF tan δ ３．５％ Ｖbd ２５０Ｖ Ｎｉ ５０重量部の場合 Ｃ ４０００pF tan δ １１．０％ Ｖbd ７０ＶExample 4 To confirm that nickel (Ni) can be used as a base metal of the conductive paste for forming the electrode layers 1 and 2, Ni of 5, 20, 50 parts by weight is added to 100 parts by weight of Pd. The following results were obtained when a capacitor was manufactured by the same method as in Example 1 except that the conductive paste added in three parts was used. Ni 5 parts by weight C 8000pF tan δ 2.5% Vbd 450V Ni 20 parts by weight C 11000pF tan δ 3.5% Vbd 250V Ni 50 parts by weight C 4000pF tan δ 11.0% Vbd 70V
【００２９】[0029]
【実施例５】電極層１、２を形成するための導電ペース
トの卑金属としてアルミニウム（Ａｌ）を使用すること
ができることを確かめるために１００重量部のＰｄに対
してＡｌを５、２０、５０重量部と３段階に変えて添加
した導電ペーストを使用した他は実施例１と同一の方法
でコンデンサを作り、特性を測定したところ、次の結果
が得られた。 Ａｌ ５重量部の場合 Ｃ ８０００pF tan δ ３．０％ Ｖbd ４５０Ｖ Ａｌ ２０重量部の場合 Ｃ １００００pF tan δ ５．５％ Ｖbd ３５０Ｖ Ａｌ ５０重量部の場合 Ｃ ４３００pF tan δ １１．０％ Ｖbd ７０ＶExample 5 To confirm that aluminum (Al) can be used as the base metal of the conductive paste for forming the electrode layers 1 and 2, 5, 20, 50 parts by weight of Al are added to 100 parts by weight of Pd. The following results were obtained when a capacitor was manufactured by the same method as in Example 1 except that the conductive paste added in three parts was used. Al 5 parts by weight C 8000pF tan δ 3.0% Vbd 450V Al 20 parts by weight C 10000pF tan δ 5.5% Vbd 350V Al 50 parts by weight C 4300pF tan δ 11.0% Vbd 70V
【００３０】[0030]
【実施例６】電極層１、２を形成するための導電ペース
トの卑金属として複数種類の金属を使用することができ
ることを確かめるために１００重量部のＰｄに対してＺ
ｎ１０重量部を添加した導電ペーストと、Ｃｕ１０重量
部とＮｉ１０重量部を添加した導電ペーストを使用した
他は実施例１と同一の方法で２種類のコンデンサを作
り、特性を測定したところ、次の結果が得られた。 Ｚｎ １０重量部、Ａｌ １０重量部の場合 Ｃ １１０００pF tan δ ４．５％ Ｖbd ３００Ｖ Ｃｕ １０重量部、Ｎｉ １０重量部の場合 Ｃ ８０００pF tan δ ２．５％ Ｖbd ５００ＶExample 6 In order to confirm that multiple kinds of metals can be used as the base metal of the conductive paste for forming the electrode layers 1 and 2, Z is added with respect to 100 parts by weight of Pd.
Two types of capacitors were made in the same manner as in Example 1 except that the conductive paste containing n10 parts by weight and the conductive paste containing 10 parts by weight of Cu and 10 parts by weight of Ni were used, and the characteristics were measured. Results were obtained. Zn 10 parts by weight, Al 10 parts by weight C 11000pF tan δ 4.5% Vbd 300V Cu 10 parts by weight, Ni 10 parts by weight C 8000pF tan δ 2.5% Vbd 500V
【００３１】[0031]
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。MODIFICATION The present invention is not limited to the above-described embodiments, and the following modifications are possible, for example.
【００３２】本発明のコンデンサの製造のために、周知
の表面再酸化型磁器コンデンサで使用されているあらゆ
る磁器材料を使用することができる。例えば、希土類元
素としてＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ等の１種又
は複数種を使用することができる。また、更にＴｉＯ2
（酸化チタン）を１〜１０モル％程度加えることができ
る。For the manufacture of the capacitors according to the invention, it is possible to use all the porcelain materials used in the known surface-reoxidation porcelain capacitors. For example, one or more kinds of rare earth elements such as La, Ce, Pr, Nd, Sm, and Y can be used. In addition, TiO 2
About 1 to 10 mol% of (titanium oxide) can be added.
【００３３】ＭｎＯ2 の代りにＭｎＣＯ3 を使用するこ
とができる。また、ＢａＴｉＯ3 の代りに、ＢａＣ
Ｏ3 、ＴｉＯ2 を出発材料とすることができる。MnCO 3 can be used instead of MnO 2 . Also, instead of BaTiO 3 , BaC
O 3 and TiO 2 can be used as starting materials.
【００３４】Ｐｄに混合する卑金属は、約２００〜７０
０℃で酸化する金属であれば実施例で示した金属以外の
例えばＳｎ等であってもよい。また、卑金属の２種又は
これ以外の種々の組み合せをＰｄに添加することができ
る。The base metal mixed with Pd is about 200 to 70.
Any metal other than the metals shown in the examples, such as Sn, may be used as long as it is a metal that oxidizes at 0 ° C. Further, two kinds of base metals or various combinations other than these can be added to Pd.
【００３５】Ｐｄと卑金属との作用を阻害しない別の金
属を更に添加しても差支えない。It is possible to add another metal which does not inhibit the action of Pd and the base metal.
【００３６】焼成時の最高温度は約１４００℃以下の種
々の温度に設定することができる。The maximum temperature during firing can be set to various temperatures below about 1400 ° C.
【００３７】図１では２つの電極層１、２のみが設けら
れているが、勿論、一般の積層コンデンサのように更に
多くの内部電極を設けることができる。In FIG. 1, only two electrode layers 1 and 2 are provided, but of course, more internal electrodes can be provided as in a general multilayer capacitor.
【００３８】２つの誘電体磁器層６、７の間の全部が半
導体磁器層８とならずに、半導体磁器層８の中に誘電体
磁器層が残ったとしても、本発明の作用効果が得られ
る。また、２つの電極層１、２の一方のみをＰｄとし、
一方のみに誘電体磁器層を形成することができる。Even if the semiconductor porcelain layer 8 is not entirely formed between the two dielectric porcelain layers 6 and 7, and the dielectric porcelain layer remains in the semiconductor porcelain layer 8, the effect of the present invention can be obtained. Be done. Also, only one of the two electrode layers 1 and 2 is Pd,
The dielectric ceramic layer can be formed on only one side.
【００３９】[0039]
【発明の効果】上述から明らかなように本発明によれば
大きな静電容量を有する積層磁器コンデンサを提供する
ことができる。As is apparent from the above, the present invention can provide a laminated ceramic capacitor having a large capacitance.
【図１】本発明の実施例に係わる積層磁器コンデンサを
原理的に示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing in principle a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の磁器コンデンサを作るための成形体を原
理的に示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing in principle a molded body for making the porcelain capacitor of FIG.
１ 電極層 ２ 〃 ６ 誘電体磁器層 ７ 〃 ８ 半導体磁器層 1 electrode layer 2 〃 6 dielectric porcelain layer 7 〃 8 semiconductor porcelain layer
Claims (3)
層を有する積層磁器コンデンサにおいて、 前記少なくとも１つの内部電極層に接触するように誘電
体磁器層が配設され、 前記２つの内部電極層の間に前記誘電体磁器層の他に半
導体磁器層が配設されていることを特徴とする積層磁器
コンデンサ。1. A laminated porcelain capacitor having at least two internal electrode layers in a porcelain substrate, wherein a dielectric porcelain layer is arranged so as to contact the at least one internal electrode layer, A laminated porcelain capacitor characterized in that a semiconductor porcelain layer is disposed in addition to the dielectric porcelain layer.
成分とする材料から成る少なくとも２つの電極層と、 前記少なくとも２つの電極層に接触するようにそれぞれ
形成された少なくとも２つの誘電体磁器層と、 前記少なくとも２つの誘電体磁器層の相互間に配置され
た半導体磁器層とを備えた積層磁器コンデンサ。2. At least two electrode layers made of palladium (Pd) or a material containing palladium as a main component, and at least two dielectric porcelain layers respectively formed in contact with the at least two electrode layers, A laminated porcelain capacitor comprising a semiconductor porcelain layer disposed between the at least two dielectric porcelain layers.
パラジウム（Ｐｄ）と卑金属とを含む導電性ペーストを
所定パターンに塗布して導電層を形成する工程と、 前記導電層が塗布された前記シートを複数枚積層して積
層体を得る工程と、 パラジウムが酸化パラジウムになり、しかる後酸化パラ
ジウムが再びパラジウムに戻るような昇温過程を有して
前記積層体を酸化雰囲気中で焼成する工程とを有するこ
とを特徴とする積層磁器コンデンサの製造方法。3. A step of applying a conductive paste containing palladium (Pd) and a base metal in a predetermined pattern on a non-sintered sheet made of a semiconductor porcelain material to form a conductive layer, and the step of applying the conductive layer. A step of laminating a plurality of sheets to obtain a laminated body, and a step of firing the laminated body in an oxidizing atmosphere with a temperature raising process in which palladium becomes palladium oxide and then palladium oxide returns to palladium again A method for manufacturing a laminated ceramic capacitor, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3061279A JPH088189B2 (en) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Method for manufacturing laminated porcelain capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3061279A JPH088189B2 (en) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Method for manufacturing laminated porcelain capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217792A true JPH05217792A (en) | 1993-08-27 |
| JPH088189B2 JPH088189B2 (en) | 1996-01-29 |
Family
ID=13166612
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3061279A Expired - Fee Related JPH088189B2 (en) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Method for manufacturing laminated porcelain capacitor |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088189B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013545291A (en) * | 2010-10-12 | 2013-12-19 | アプリコット マテリアルズ テクノロジーズ，エル．エル．シー． | Ceramic capacitor and manufacturing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785213A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Murata Manufacturing Co | Method of producing laminated semiconductor ceramic condenser |
| JPS6411313A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Murata Manufacturing Co | Reduction/reoxidation type semiconductor laminated capacitor and manufacture thereof |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3061279A patent/JPH088189B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785213A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Murata Manufacturing Co | Method of producing laminated semiconductor ceramic condenser |
| JPS6411313A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Murata Manufacturing Co | Reduction/reoxidation type semiconductor laminated capacitor and manufacture thereof |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013545291A (en) * | 2010-10-12 | 2013-12-19 | アプリコット マテリアルズ テクノロジーズ，エル．エル．シー． | Ceramic capacitor and manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH088189B2 (en) | 1996-01-29 |
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