JPH05217535A - 粒子源、特に反応性のイオンエッチング法及びプラズマｃｖｄ法のための粒子源 - Google Patents

粒子源、特に反応性のイオンエッチング法及びプラズマｃｖｄ法のための粒子源

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JPH05217535A
JPH05217535A JP4153186A JP15318692A JPH05217535A JP H05217535 A JPH05217535 A JP H05217535A JP 4153186 A JP4153186 A JP 4153186A JP 15318692 A JP15318692 A JP 15318692A JP H05217535 A JPH05217535 A JP H05217535A
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plasma
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gas
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Rainer Gegenwart
ゲーゲンヴァルト ライナー
Jochen Ritter
リッター ヨッヘン
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 粒子源の簡単な構造と室内壁の僅かな汚染と
を達成し、ひいては保守インターバルの間における時間
を延長する。 【構成】 プラズマ１９を取り囲む容器が、平行６面体
形状の別体のプラズマ室７として構成され、該プラズマ
室の内室と真空室の内室とが、共通の開口３によって、
プラズマ室の底部及び室壁１において互いに結合され、
プラズマ室において結合窓１６の直前に保護窓１２が設
けられ、保護窓が、該保護窓を取り囲む室壁７ｃ，７ｄ
から熱遮断され、該室壁に対してほぼ一定の間隙１３を
有し、結合窓と保護窓との間の室に不活性ガス等を供給
するガス供給部１１と、保護窓と基板４との間における
室に反応性ガスを供給するためのガス供給部６とが、別
個に設けられ、結合窓と保護窓との間において中間プラ
ズマ１８が点火可能であり、ひいてはマイクロウェーブ
の出力分布に影響を及ぼすことが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、粒子源、特に、大面積
の基板を処理する通過設備における反応性のイオンエッ
チング法及びプラズマＣＶＤ法のための粒子源であっ
て、第１のプラズマを完全に取り囲んでいて真空被覆室
と対応する容器が設けられており、該容器の側壁が、少
なくとも２極の磁界発生体によって取り囲まれていて、
該磁界発生体が、電子サイクロトロン共鳴を果たす磁界
を生ぜしめるようになっており、開口を介して容器と結
合されていて電磁波、有利にはマイクロウェーブを供給
するためのウェーブガイドが、プラズマを発生させるた
めに設けられており、さらに、ウェーブガイドと容器と
の間における開口を閉鎖していてマイクロウェーブを透
過させる結合窓と、プラズマ法のために反応性ガス及び
例えば不活性ガスを供給するガス供給装置とが設けられ
ている形式の粒子源に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＥ−ＣＶＤ技術は、表面被覆のための
プラズマ化学方法である。
【０００３】従来の真空被覆法、スパッタリング及び蒸
着とは異なり、ＰＥ−ＣＶＤ技術（Plasma-Enhanced Ch
emical Vapor Deposition）では被覆材料はガス状で供
給される。
【０００４】真空室内に供給されたガス分子は、グロー
放電において電子衝突によってイオン化され、解離され
て励起される。励起された電子及びイオンは、基板表面
において互いに反応し、この基板表面に堆積する。そし
てこの際に電子及びイオンは基板上に閉じられた層を形
成する。
【０００５】ＣＶＤ技術及びエッチング技術の領域にお
いて一般に知られている装置は、パラレルプレート反応
器におけるＲＦプラズマ励起によって働くようになって
おり、この場合にはしかしながら、基板に衝突する粒子
のエネルギを、プラズマ励起と無関係に調節することは
不可能である。
【０００６】特に、ドイツ連邦共和国特許出願公開第４
０３７０９１号明細書に基づいて公知の装置は、プラズ
マを発生させるためにマイクロウェーブを使用してお
り、この場合マイクロウェーブは、磁界との関連におい
て電子・サイクロトロン共鳴を果たし、ひいては原子及
び分子の高められたイオン化を生ぜしめる。
【０００７】さらに、反応性のイオンビームエッチング
設備又はプラズマ蒸着設備のための公知の粒子源（ドイ
ツ連邦共和国特許第３８０３３５５号明細書）は、プラ
ズマ励起のためのガス又はガス混合体を取り囲む容器
と、ガス又はガス混合体に電磁波エネルギ有利にはマイ
クロウェーブエネルギを供給するために、電磁波有利に
はマイクロウェーブのための供給部と、容器内部に磁界
を突入させるように方向付けられている第１の磁界発生
体と、第１の磁界発生体に対して同心的に配置されてい
る第２の磁界発生体とを有している。
【０００８】パラレルプラズマ反応器におけるＲＦプラ
ズマ励起の大きな欠点としては、基板におけるプラズマ
励起と堆積特性又はエッチング特性（ＲＦ出力に関連し
たバイアス）との強い結合と、ＲＦ励起及びガスダイナ
ミックの均一化による基板寸法の制限と挙げられる。
【０００９】上述のマイクロウェーブ・プラズマ法のた
めには次のような欠点、すなわち、このプラズマ法が通
過設備において使用不可能であるという欠点と、静的な
プラズマ法では、直径２００ｍｍまでの丸い基板に制限
されているという欠点とがある。
【００１０】
【発明が課題しようとする課題】ゆえに本発明の課題
は、上に述べた欠点を排除すること並びに、設備コスト
及び運転コストを節減すること、つまり粒子源の簡単な
構造と室内壁の僅かな汚染とを達成すること、ひいては
保守インターバルの間における時間を延長することであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の構成では、第１のプラズマを取り囲む容器
が、少なくともほぼ平行６面体の形状を有する別体のプ
ラズマ室として構成されており、プラズマ室の内室と真
空室の内室とが、共通の開口によって、プラズマ室の底
部及び室壁において互いに結合されており、プラズマ室
において結合窓の直前に、保護窓が設けられており、該
保護窓が、該保護窓を取り囲む室壁から熱的に良好に遮
断されていて、該室壁に対してほぼ一定の間隙を有して
おり、結合窓と保護窓との間の室に例えば不活性ガス、
Ｏ2ガス又はＮ2ガスを供給するためのガス供給部と、保
護窓と基板との間における室に反応性ガスを供給するた
めのガス供給部とが、別個に設けられており、結合窓と
保護窓との間において中間プラズマが点火可能であり、
ひいてはマイクロウェーブの出力分布に影響を及ぼすこ
とが可能であるようにした。
【００１２】
【発明の効果】本発明のように構成されている粒子源に
は次のような利点がある。すなわち本発明による粒子源
は、コンパクトなユニットとして真空室にフランジ結合
可能であり、真空室から難無くかつ迅速に切り離すこと
ができる。しかもプラズマ源の耐用寿命は従来のものに
比べて延長される。
【００１３】結合窓と保護窓との間におけるプラズマの
点火によって、電磁波のために可変の屈折率を備えた範
囲を構成することが可能になり、ひいては保護窓を通過
する電磁波を有利に均一化することができる。プラズマ
室におけるマイクロウェーブの分布のさらなる改善及び
バリエーションは、ウェーブガイドに沿って交換可能に
配置されたＴ字形の結合部材によって可能になる。
【００１４】設備全体における汚染は同様に、プラズマ
室における励起された粒子の閉じ込め（プラズマ・コン
ファインメント）と、プラズマと被覆すべき基板との間
の範囲におけるグリッドの配置とによって、著しく減じ
られる。これによって、プロセス経過中における不安定
性と、コントロールされずに生じる層のばたつきとを回
避することができる。ウェーブガイドにおける大気圧の
室をプラズマ室における真空室から隔てている結合窓
は、汚染に特にさらされる構成部材である。すなわち、
結合窓の前に配置されていて加熱される保護窓によっ
て、結合窓は、より長い耐用寿命と僅かな粒子発生とを
有している。
【００１５】
【実施例】次に図面につき本発明の実施例を説明する。
【００１６】図１に示されているように、真空室２の室
壁１には方形の開口３が設けられている。室２に内では
開口３の下において、被覆すべき基板４が通過運動可能
であり、この場合室壁１と基板４との間には、反応ガス
供給部６を備えたグリッド５（プラズマ制限体）が設け
られている。真空室２の外側にはプラズマ室７が配置さ
れていて、このプラズマ室は室壁１に真空密に接続して
おり、この場合プラズマ室７の内側の壁面７ａ，７ｂは
直接、開口３の制限面３ａ，３ｂの延長線上に接続して
いる。プラズマ室７の側壁７ｃ，７ｄは、鏡面対称的な
形状を有している。室壁１に最も近い第１の凹部には側
壁７ｃ，７ｂの外側に、磁石８，９が配置されており、
両磁石はヨーク１０によって互いに結合されている。プ
ラズマ室７の、室壁１とは反対の側には第２の凹部が設
けられている。この凹部には室の内室に、ガス供給部１
１が設けられており、この場合このガス供給部１１の周
囲における空間は、石英ガラス製の保護窓１２によっ
て、プラズマ室７のその他の内室から隔てられている。
この保護窓１２は、側壁７ｃ，７ｂと直接接触している
のではなく、該側壁から間隙１３によって隔てられてい
て、ひいては熱的にほぼ遮断されている。
【００１７】ガス供給部１１の上にプラズマ室７ｃ，７
ｂは開口１４を有しており、この開口は、室壁１におけ
る開口３と同じ形状及び寸法を有していて、該開口３に
対向して位置している。この開口１４には、方形のウェ
ーブガイド１５が接続されており、この場合このウェー
ブガイド１５とプラズマ室７との間には、石英ガラス製
の結合窓１６が設けられており、この結果、ウェーブガ
イド１５内における大気圧の範囲は、約１×１０-3ｍｂ
ａｒの真空が存在しているプラズマ室７内部の残りの範
囲とは、切り離されている。
【００１８】図示されていないマイクロウェーブ源か
ら、マイクロウェーブ１７がウェーブガイド１５内に供
給され、結合窓１６と通して該結合窓１６と保護窓１２
との間における中間プラズマ室内に入力結合される。ガ
ス供給部１１を介して例えば不活性のＯ2ガス又はＮ2ガ
スが供給されると、結合窓１６と保護窓１２との間にお
いて中間プラズマ１８が形成される。この中間プラズマ
１８と保護窓１２とを通ってマイクロウェーブ１７が通
過すると、マイクロウェーブ１７の出力分布は可変の屈
折率によって、中間プラズマ室において均一化される。
中間プラズマ１８において励起された種（イオン、電
子）は、この中間プラズマ室から間隙１３を通って、保
護窓１２と基板１４との間におけるプラズマ室に流入
し、これによって、反応ガス供給部６から流出する反応
ガスに励起を伝達する。この結果第２のプラズマ１９が
形成され、このプラズマは、磁石８，９の間における磁
力線の配置によって、最大のプラズマ集中の２つの範囲
を構成する。
【００１９】グリッド５はプラズマ１９を付加的に閉じ
込めており、この結果、励起された粒子は、大きさを規
定された開口５ａを通ってしか、プラズマ室から被覆す
べき基板４に達しなくなり、ひいては、真空室２の内室
において生じる可能性のある汚染が最小に減じられる。
【００２０】図２には、上に述べたのと同様な粒子源の
一部が示されている。しかしながら図２に示された実施
例には、図１に示された実施例とは異なり、各３つの磁
石２０，２１，２２が設けられていて、これらの磁石は
ヨーク２３を介して互いに結合されており、これによっ
てプラズマ室２４の内室には、２倍の磁力線２５，２６
が形成されている。この磁界においてプラズマ２７，２
８が点火され、このプラズマはその最大の強度をそれぞ
れ、磁力線２５，２６の最高値において生じる楕円形の
範囲において有している。２倍の磁界リング２５，２６
によって磁気的なフランジ２９が形成され、この磁気的
なフランジにおいて電子密度は高められている。
【００２１】プラズマ室２４が方形に構成されている場
合（図３）には、「レーストラック」の形に構成された
プラズマループ２７が形成され、このプラズマループ
は、プラズマ室２４の壁に対してほぼ一定の間隔を有し
ている。
【００２２】ウェーブガイド１５からプラズマ室７への
マイクロウェーブ１７（図４）の入力結合は、例えばＴ
字形の結合部材３０によって行われる。この結合部材は
保持フレーム３１に挿入され、調整されかつ固定されて
いる。結合部材３０と保持フレーム３１及び結合窓１６
との間に残っている自由空間は、充填物質３２によって
満たされている。
【００２３】結合部材３０及び充填物質３２を図５に示
されているように、小型化されたＴ字形の２つの結合部
材３３，３４及び２つの充填物質３５，３６と交換する
ことによって、比較的僅かな費用で、プラズマ室７にお
けるマイクロウェーブ１７，１７′の分布ひいてはプラ
ズマの分布を変化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】主としてプラズマ室と磁石セットとガス供給部
とから成る、プラズマＣＶＤ法及びエッチング法のため
の粒子源の１実施例を略示する縦断面図である。
【図２】図１に示された実施例の変化実施例を部分的に
示す縦断面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿って断面して「レーストラ
ック」の形をしたプラズマループの形状を示す図であ
る。
【図４】ウェーブガイドとプラズマ室との間における結
合箇所の１実施例を示す図である。
【図５】ウェーブガイドとプラズマ室との間における結
合箇所の別の実施例を示す図である。
【符号の説明】
１ 室壁、 ２ 真空室、 ３ 開口、 ３ａ，３ｂ
制限面、 ４ 基板、５ グリッド、 ５ａ 開口、
６ 反応ガス供給部、 ７ プラズマ室、７ａ，７ｂ
壁面、 ７ｃ，７ｄ 側壁、 ８，９ 磁石、 １０
ヨーク、１１ ガス供給部、 １２ 保護窓、 １３
間隙、 １４ 開口、 １５ ウェーブガイド、 １６
結合窓、 １７，１７′ マイクロウェーブ、 １８
中間プラズマ、 １９ プラズマ、 ２０，２１，２２
磁石、 ２３ ヨーク、 ２４ プラズマ室、 ２
５，２６ 磁力線、 ２７，２８ プラズマ、 ２９
磁気的なフランジ、 ３０ 結合部材、 ３１ 保持フ
レーム、 ３２ 充填物質、 ３３，３４ 結合部材、
３５，３６ 充填物質

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 粒子源、特に、大面積の基板（４）を処
    理する通過設備における反応性のイオンエッチング法及
    びプラズマＣＶＤ法のための粒子源であって、 第１のプラズマ（１９）を完全に取り囲んでいて真空被
    覆室（２）と対応する容器が設けられており、該容器の
    側壁が、少なくとも２極の磁界発生体（８，９，１０）
    によって取り囲まれていて、該磁界発生体が、電子サイ
    クロトロン共鳴を果たす磁界を生ぜしめるようになって
    おり、 開口（１４）を介して容器と結合されていて電磁波、有
    利にはマイクロウェーブ（１７）を供給するためのウェ
    ーブガイド（１５）が、プラズマ（１９）を発生させる
    ために設けられており、 さらに、ウェーブガイド（１５）と容器との間における
    開口（１４）を閉鎖していてマイクロウェーブ（１７）
    を透過させる結合窓（１６）と、プラズマ法のために反
    応性ガス及び例えば不活性ガスを供給するガス供給装置
    とが設けられている形式の粒子源において、 第１のプラズマ（１９）を取り囲む容器が、少なくとも
    ほぼ平行６面体の形状を有する別体のプラズマ室（７）
    として構成されており、 プラズマ室（７）の内室と真空室（２）の内室とが、共
    通の開口（３）によって、プラズマ室（７）の底部及び
    室壁（１）において互いに結合されており、 プラズマ室（７）において結合窓（１６）の直前に、保
    護窓（１２）が設けられており、該保護窓が、該保護窓
    を取り囲む室壁（７ｃ，７ｄ）から熱的に良好に遮断さ
    れていて、該室壁（７ｃ，７ｄ）に対してほぼ一定の間
    隙（１３）を有しており、 結合窓（１６）と保護窓（１２）との間の室に例えば不
    活性ガス、Ｏ2ガス又はＮ2ガスを供給するためのガス供
    給部（１１）と、保護窓（１２）と基板（４）との間に
    おける室に反応性ガスを供給するためのガス供給部
    （６）とが、別個に設けられており、 結合窓（１６）と保護窓（１２）との間において中間プ
    ラズマ（１８）が点火可能であり、ひいてはマイクロウ
    ェーブの出力分布に影響を及ぼすことが可能であること
    を特徴とする粒子源、特に反応性のイオンエッチング法
    及びプラズマＣＶＤ法のための粒子源。
  2. 【請求項２】 プラズマ室（７）がフランジ結合を用い
    て迅速に解離可能であり、真空室（２）の室壁（１）と
    結合可能である、請求項１記載の粒子源。
  3. 【請求項３】 遮蔽装置、有利にはグリッド（５）が、
    室壁（１）と被覆すべき基板（４）との間におけるプラ
    ズマ（１９）を制限するために設けられている、請求項
    １又は２記載の粒子源。
  4. 【請求項４】 プラズマ室（７）におけるマイクロウェ
    ーブ（１７）の分布が、種々異なったＴ字形の結合部材
    （３０，３３，３４）によって可変である、請求項１か
    ら３までのいずれか１項記載の粒子源。
  5. 【請求項５】 電子密度が、プラズマ室（２４）の内部
    の範囲における磁石（２０，２１，２２）の３極の配置
    形式によって高められる、請求項１から４までのいずれ
    か１項記載の粒子源。
JP4153186A 1991-06-12 1992-06-12 粒子源、特に反応性のイオンエッチング法及びプラズマｃｖｄ法のための粒子源 Pending JPH05217535A (ja)

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DE4119362.8 1991-06-12

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EP (1) EP0517999B1 (ja)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019110028A (ja) * 2017-12-18 2019-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5336355A (en) * 1991-12-13 1994-08-09 Hughes Aircraft Company Methods and apparatus for confinement of a plasma etch region for precision shaping of surfaces of substances and films
US5290382A (en) * 1991-12-13 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Methods and apparatus for generating a plasma for "downstream" rapid shaping of surfaces of substrates and films
DE4301188C2 (de) * 1993-01-19 2001-05-31 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten oder Ätzen von Substraten
US5457298A (en) * 1993-07-27 1995-10-10 Tulip Memory Systems, Inc. Coldwall hollow-cathode plasma device for support of gas discharges
EP0673055A1 (en) * 1994-03-17 1995-09-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for forming a superhard carbonaceous protective film on articles
US5449920A (en) * 1994-04-20 1995-09-12 Northeastern University Large area ion implantation process and apparatus
US5589737A (en) * 1994-12-06 1996-12-31 Lam Research Corporation Plasma processor for large workpieces
US6815633B1 (en) 1997-06-26 2004-11-09 Applied Science & Technology, Inc. Inductively-coupled toroidal plasma source
US6388226B1 (en) 1997-06-26 2002-05-14 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas source
US6150628A (en) 1997-06-26 2000-11-21 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas source
US7166816B1 (en) 1997-06-26 2007-01-23 Mks Instruments, Inc. Inductively-coupled torodial plasma source
US7569790B2 (en) 1997-06-26 2009-08-04 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US8779322B2 (en) 1997-06-26 2014-07-15 Mks Instruments Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US6271529B1 (en) 1997-12-01 2001-08-07 Ebara Corporation Ion implantation with charge neutralization
EP2251452B1 (en) 2009-05-13 2018-07-18 SiO2 Medical Products, Inc. Pecvd apparatus for vessel coating
US9545360B2 (en) 2009-05-13 2017-01-17 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
EP2776603B1 (en) 2011-11-11 2019-03-06 SiO2 Medical Products, Inc. PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS
US9664626B2 (en) 2012-11-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
WO2014078666A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
KR102211950B1 (ko) 2012-11-30 2021-02-04 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 의료용 주사기 카트리지 등의 pecvd 증착 균일성 제어
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
CN105392916B (zh) 2013-03-11 2019-03-08 Sio2医药产品公司 涂布包装材料
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
EP2971227B1 (en) 2013-03-15 2017-11-15 Si02 Medical Products, Inc. Coating method.
FR3015109A1 (fr) * 2013-12-13 2015-06-19 Centre Nat Rech Scient Source d'ions a resonance cyclotronique electronique
WO2015148471A1 (en) 2014-03-28 2015-10-01 Sio2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
CN105225983B (zh) * 2014-06-04 2018-04-06 北京北方华创微电子装备有限公司 耦合窗的加热装置及应用其的反应腔室
CA3204930A1 (en) 2015-08-18 2017-02-23 Sio2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1390809A (en) * 1972-08-05 1975-04-16 Marconi Co Ltd Electrical networks for use at high frequencies
SU510069A1 (ru) * 1974-12-20 1979-10-25 Предприятие П/Я В-8851 Плзаменна ловушка
SU577874A2 (ru) * 1976-07-26 1980-03-15 Предприятие П/Я В-8851 Плазменна ловушка
SU605480A1 (ru) * 1976-12-20 1978-12-15 Научно-Исследовательский Институт Ядерной Физики, Электроники И Автоматики При Томском Политехническом Институте Им. С.М. Кирова Ионна пушка
SU854198A1 (ru) * 1980-03-25 1982-04-15 Научно-Исследовательский Институт Ядерной Физики При Томском Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Политехническом Институте Им.С.М.Кирова Ионна пушка
CA1159012A (en) * 1980-05-02 1983-12-20 Seitaro Matsuo Plasma deposition apparatus
US4718976A (en) * 1982-03-31 1988-01-12 Fujitsu Limited Process and apparatus for plasma treatment
JPS6016424A (ja) * 1983-07-08 1985-01-28 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理方法及びその装置
JPH0627323B2 (ja) * 1983-12-26 1994-04-13 株式会社日立製作所 スパツタリング方法及びその装置
JPS6130036A (ja) * 1984-07-23 1986-02-12 Fujitsu Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0654644B2 (ja) * 1985-10-04 1994-07-20 株式会社日立製作所 イオン源
US5022977A (en) * 1986-09-29 1991-06-11 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Ion generation apparatus and thin film forming apparatus and ion source utilizing the ion generation apparatus
DE3750115T2 (de) * 1986-10-20 1995-01-19 Hitachi Ltd Plasmabearbeitungsgerät.
DE3705666A1 (de) * 1987-02-21 1988-09-01 Leybold Ag Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin
KR880013424A (ko) * 1987-04-08 1988-11-30 미타 가츠시게 플라즈머 장치
US4778561A (en) * 1987-10-30 1988-10-18 Veeco Instruments, Inc. Electron cyclotron resonance plasma source
DE3803355A1 (de) * 1988-02-05 1989-08-17 Leybold Ag Teilchenquelle fuer eine reaktive ionenstrahlaetz- oder plasmadepositionsanlage
SU1580465A1 (ru) * 1988-04-01 1990-07-23 Предприятие П/Я Г-4287 Модоселективный направленный ответвитель
JPH02141494A (ja) * 1988-07-30 1990-05-30 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド気相合成装置
JP2670623B2 (ja) * 1988-09-19 1997-10-29 アネルバ株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0336723A (ja) * 1989-07-04 1991-02-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び電子サイクロトロン共鳴エッチング装置
DE4037091C2 (de) * 1990-11-22 1996-06-20 Leybold Ag Vorrichtung für die Erzeugung eines homogenen Mikrowellenfeldes
JP3192811B2 (ja) * 1993-03-22 2001-07-30 バンドー化学株式会社 テンショナー

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019110028A (ja) * 2017-12-18 2019-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0517999B1 (de) 1995-08-02
US5144196A (en) 1992-09-01
DE4119362A1 (de) 1992-12-17
DE59203085D1 (de) 1995-09-07
EP0517999A1 (de) 1992-12-16

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