JPH0521637A - リードレスチツプキヤリアおよびその製造方法 - Google Patents
リードレスチツプキヤリアおよびその製造方法Info
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- JPH0521637A JPH0521637A JP3171524A JP17152491A JPH0521637A JP H0521637 A JPH0521637 A JP H0521637A JP 3171524 A JP3171524 A JP 3171524A JP 17152491 A JP17152491 A JP 17152491A JP H0521637 A JPH0521637 A JP H0521637A
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- Japan
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- chip carrier
- resin
- leadless chip
- sealing resin
- leadless
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】チップ部品２を基板１にマウントし、チップ部
品２と導体層４とをワイヤ５で接続する。トランスファ
モールドによって封止用樹脂７を成形し、チップ部品２
およびワイヤ５を樹脂封止する。 【効果】樹脂枠を用いることなしに、封止用樹脂の表面
平坦性を従来のものよりも向上させることができるの
で、樹脂枠が不要になった分、リードレスチップキャリ
アの外形寸法を小さくすることができる。又、封止用樹
脂表面の平坦性が向上した分、リードレスチップキャリ
アそのものとしての厚さ寸法を低くすることができる。
しかも、樹脂枠取り付けの工数が不要となるので製造コ
ストを低減することができる。
品２と導体層４とをワイヤ５で接続する。トランスファ
モールドによって封止用樹脂７を成形し、チップ部品２
およびワイヤ５を樹脂封止する。 【効果】樹脂枠を用いることなしに、封止用樹脂の表面
平坦性を従来のものよりも向上させることができるの
で、樹脂枠が不要になった分、リードレスチップキャリ
アの外形寸法を小さくすることができる。又、封止用樹
脂表面の平坦性が向上した分、リードレスチップキャリ
アそのものとしての厚さ寸法を低くすることができる。
しかも、樹脂枠取り付けの工数が不要となるので製造コ
ストを低減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードレスチップキャリ
アおよびその製造方法に関する。
アおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードレスチップキャリアの一例
を図２に示す。図２（ａ）は、このリードレスチップキ
ャリアの斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）にお
けるＡーＡ断面図である。
を図２に示す。図２（ａ）は、このリードレスチップキ
ャリアの斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）にお
けるＡーＡ断面図である。
【０００３】図２（ａ）および（ｂ）を参照すると、こ
のリードレスチップキャリアでは、基板１の中央にチッ
プ部品２がマウントされている。基板１は、基材層３と
その上に形成された導体層４とからなっている。チップ
部品２上の電極と基板１上の導体層３とは、ワイヤ５で
接続されている。基板１上には樹脂枠６が設けられてお
り、この樹脂枠６の内側には封止用樹脂７が充填され、
これによってチップ部品２とワイヤ５とが封止されてい
る。
のリードレスチップキャリアでは、基板１の中央にチッ
プ部品２がマウントされている。基板１は、基材層３と
その上に形成された導体層４とからなっている。チップ
部品２上の電極と基板１上の導体層３とは、ワイヤ５で
接続されている。基板１上には樹脂枠６が設けられてお
り、この樹脂枠６の内側には封止用樹脂７が充填され、
これによってチップ部品２とワイヤ５とが封止されてい
る。
【０００４】従来のリードレスチップキャリアでは、上
述のように、基板１の上に樹脂枠６が設けられているこ
とが特徴である。この樹脂枠６は、製造中に、内部に充
填された封止用樹脂７が流れ出さないようにするための
ものである。
述のように、基板１の上に樹脂枠６が設けられているこ
とが特徴である。この樹脂枠６は、製造中に、内部に充
填された封止用樹脂７が流れ出さないようにするための
ものである。
【０００５】すなわち、このリードレスチップキャリア
では、基板１の構造が単板構造であるので、チップ部品
２と導体層４とを電気的に接続するためには、基板１表
面に設けられた導体層４に対してボンディングを行なう
ことになり、ワイヤ５の高さが基板表面よりも必ず高く
なる。従って、封止用樹脂７としては、ワイヤ５を確実
に覆うためには、高さが基板１表面より高くなくてはな
らず、このため、製造中に封止用樹脂７が流れ出さない
ようにするための樹脂枠６が必要になるのである。
では、基板１の構造が単板構造であるので、チップ部品
２と導体層４とを電気的に接続するためには、基板１表
面に設けられた導体層４に対してボンディングを行なう
ことになり、ワイヤ５の高さが基板表面よりも必ず高く
なる。従って、封止用樹脂７としては、ワイヤ５を確実
に覆うためには、高さが基板１表面より高くなくてはな
らず、このため、製造中に封止用樹脂７が流れ出さない
ようにするための樹脂枠６が必要になるのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のリードレスチップキャリアでは、チップ部品２および
ワイヤ５が基板１表面より高くなることから、流れ止め
としての樹脂枠６が必要であり、その取り付けのための
工事が必要になる、又、作業順序によっては、チップ部
品２がマウントされる前に樹脂枠６が取り付けられてい
ることがあり、チップをマウントするためのマウントペ
ーストを印刷によって供給することが不可能となるな
ど、製造工程での能率がよくない。
のリードレスチップキャリアでは、チップ部品２および
ワイヤ５が基板１表面より高くなることから、流れ止め
としての樹脂枠６が必要であり、その取り付けのための
工事が必要になる、又、作業順序によっては、チップ部
品２がマウントされる前に樹脂枠６が取り付けられてい
ることがあり、チップをマウントするためのマウントペ
ーストを印刷によって供給することが不可能となるな
ど、製造工程での能率がよくない。
【０００７】又、リードレスチップキャリアそのものと
しては、樹脂枠６を取り付けるためのスペースが必要と
なり、その分だけ寸法が大きくなってしまう。更に、封
止用樹脂７の充填はポッティングにより行なわれるた
め、樹脂表面の平坦性がよくなく、外形的にも高さを低
くすることには限界がある。従来のリードレスチップキ
ャリアでは、このような封止用樹脂７の形状のばらつき
に基ずく厚さの寸法精度は、±０．５ｍｍが限度であっ
た。
しては、樹脂枠６を取り付けるためのスペースが必要と
なり、その分だけ寸法が大きくなってしまう。更に、封
止用樹脂７の充填はポッティングにより行なわれるた
め、樹脂表面の平坦性がよくなく、外形的にも高さを低
くすることには限界がある。従来のリードレスチップキ
ャリアでは、このような封止用樹脂７の形状のばらつき
に基ずく厚さの寸法精度は、±０．５ｍｍが限度であっ
た。
【０００８】本発明は、上記のような従来のリードレス
チップキャリアの問題点に鑑みてなされたものであっ
て、樹脂枠が不要で、しかも封止樹脂表面の平坦性に優
れ、厚さ寸法精度が良好なリードレスチップキャリアを
提供するこを目的とする。
チップキャリアの問題点に鑑みてなされたものであっ
て、樹脂枠が不要で、しかも封止樹脂表面の平坦性に優
れ、厚さ寸法精度が良好なリードレスチップキャリアを
提供するこを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のリードレスチッ
プキャリアは、基板上に搭載されたチップ部品を、トラ
ンスファモールドにより樹脂封止したことを特徴として
いる。
プキャリアは、基板上に搭載されたチップ部品を、トラ
ンスファモールドにより樹脂封止したことを特徴として
いる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の最適な実施例について、図面
を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実
施例の断面図である。
を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実
施例の断面図である。
【００１１】図１（ａ）を参照すると、本実施例のリー
ドレスチップキャリアでは、基板１上にチップ部品２が
マウントされている。チップ部品２と基板１上の導体層
４とはボンディングされたワイヤ５によって接続されて
いる。そして、チップ部品２とワイヤ５とが、トランス
ファモールドされた封止用樹脂８によって封止されてい
る。本実施例では、上述のような構造・工法をとること
により、流れ止めの樹脂枠を使用することなしに、封止
樹脂８の表面の平坦性が従来のものよりも更に優れたリ
ードレスチップキャリアを実現している。
ドレスチップキャリアでは、基板１上にチップ部品２が
マウントされている。チップ部品２と基板１上の導体層
４とはボンディングされたワイヤ５によって接続されて
いる。そして、チップ部品２とワイヤ５とが、トランス
ファモールドされた封止用樹脂８によって封止されてい
る。本実施例では、上述のような構造・工法をとること
により、流れ止めの樹脂枠を使用することなしに、封止
樹脂８の表面の平坦性が従来のものよりも更に優れたリ
ードレスチップキャリアを実現している。
【００１２】本実施例では、封止用樹脂７の表面平坦性
がよくなったことから、リードレスチップキャリアとし
ての厚さの寸法精度を±０．２ｍｍ程度にまで向上させ
ることができた。又、樹脂枠が不要になったので、その
スペース（１０ｍｍ2 〜４０ｍｍ2 ）分だけ外形寸法を
小さくすることができた。
がよくなったことから、リードレスチップキャリアとし
ての厚さの寸法精度を±０．２ｍｍ程度にまで向上させ
ることができた。又、樹脂枠が不要になったので、その
スペース（１０ｍｍ2 〜４０ｍｍ2 ）分だけ外形寸法を
小さくすることができた。
【００１３】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。図１（ｂ）は、本発明の第２の実施例の断面図で
ある。
する。図１（ｂ）は、本発明の第２の実施例の断面図で
ある。
【００１４】図１（ｂ）を参照すると、本実施例が図
（ａ）に示す第１の実施例と異なるのは、基板１の、チ
ップ部品２がマウントされる部分である。本実施例にお
ける基板１には、中央に座ぐり９が設けられている。
（ａ）に示す第１の実施例と異なるのは、基板１の、チ
ップ部品２がマウントされる部分である。本実施例にお
ける基板１には、中央に座ぐり９が設けられている。
【００１５】本実施例は、チップ部品２をこの座ぐり９
内にマウントして封止用樹脂７で覆うことによって、リ
ードレスチップキャリアとしての厚さ寸法を、第１の実
施例よりも更に薄くすることができるという利点を持っ
ている。
内にマウントして封止用樹脂７で覆うことによって、リ
ードレスチップキャリアとしての厚さ寸法を、第１の実
施例よりも更に薄くすることができるという利点を持っ
ている。
【００１６】尚、上述の第１の実施例および第２の実施
例においては、チップ部品が１個だけ搭載されたシング
ルチップ構造のリードレスチップキャリアについて説明
したが、本発明はこれに限られるものではない。チップ
部品が２個以上のマルチチップ構造であっても、実施例
と同様の効果が得られることは明らかである。
例においては、チップ部品が１個だけ搭載されたシング
ルチップ構造のリードレスチップキャリアについて説明
したが、本発明はこれに限られるものではない。チップ
部品が２個以上のマルチチップ構造であっても、実施例
と同様の効果が得られることは明らかである。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リードレスチップキャリアにおいて、チップ部品をトラ
ンスファモールドによって樹脂封止することによって、
樹脂枠を用いることなしに、封止用樹脂の表面平坦性を
従来のものよりも向上させることができる。
リードレスチップキャリアにおいて、チップ部品をトラ
ンスファモールドによって樹脂封止することによって、
樹脂枠を用いることなしに、封止用樹脂の表面平坦性を
従来のものよりも向上させることができる。
【００１８】このため、リードレスチップキャリアその
ものとしては、樹脂枠が不要になった分外形寸法を小さ
くすることができ、又、封止用樹脂表面の平坦性が向上
した分、厚さ寸法を低くすることができる。しかも、樹
脂枠取り付けの工数が不要となるので製造コストを低減
することができる。
ものとしては、樹脂枠が不要になった分外形寸法を小さ
くすることができ、又、封止用樹脂表面の平坦性が向上
した分、厚さ寸法を低くすることができる。しかも、樹
脂枠取り付けの工数が不要となるので製造コストを低減
することができる。
【図１】分図（ａ）は、本発明の第１の実施例のリード
レスチップキャリアの断面図である。分図（ｂ）は、本
発明の第２の実施例のリードレスチップキャリアの断面
図である。
レスチップキャリアの断面図である。分図（ｂ）は、本
発明の第２の実施例のリードレスチップキャリアの断面
図である。
【図２】分図（ａ）は、従来のリードレスチップキャリ
アの斜視図である。分図（ｂ）は、分図（ａ）における
ＡーＡ断面図である。
アの斜視図である。分図（ｂ）は、分図（ａ）における
ＡーＡ断面図である。
１ 基板
２ チップ部品
３ 基材層
４ 導体層
５ ワイヤ
６ 樹脂枠
７，８ 封止用樹脂
９ 座ぐり
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に搭載されたチップ部品を、トラ
ンスファモールドにより樹脂封止したことを特徴とする
リードレスチップキャリア。 - 【請求項２】 基板上に搭載されたチップ部品を、トラ
ンスファモールドにより樹脂封止する工程を含むことを
特徴とするリードレスチップキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3171524A JPH0521637A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | リードレスチツプキヤリアおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3171524A JPH0521637A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | リードレスチツプキヤリアおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521637A true JPH0521637A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15924718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3171524A Pending JPH0521637A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | リードレスチツプキヤリアおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521637A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6838751B2 (en) | 2002-03-06 | 2005-01-04 | Freescale Semiconductor Inc. | Multi-row leadframe |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943554A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-10 | Toshiba Corp | 樹脂封止半導体装置 |
| JPS59208756A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-27 | Sony Corp | 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP3171524A patent/JPH0521637A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943554A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-10 | Toshiba Corp | 樹脂封止半導体装置 |
| JPS59208756A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-27 | Sony Corp | 半導体装置のパツケ−ジの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6838751B2 (en) | 2002-03-06 | 2005-01-04 | Freescale Semiconductor Inc. | Multi-row leadframe |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970819 |