JPH05208935A - 新規なハロゲン化シクロアルカンカルボン酸誘導体、それを有効成分とする除草剤およびそのための中間体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 式（Ｉ）で表わされる、新規なハロゲン化シ
クロアルカンカルボン酸誘導体、それを有効成分とする
除草剤、並びに式（Ｉ）の化合物を製造する中間体であ
る式（II）で表わされる化合物。 【化１】 〔式（Ｉ）及び（II）に於て、Ｘはハロゲン原子；Ｙは
ＯＨ、アルコキシ基等；Ｖは水素、低級アルキルスルホ
ニル等；Ｚ^１及びＺ^２はＣＨまたはＮを；Ｒ^１及びＲ^２
は水素原子、ハロゲン原子、低級アルコキシ、モノ或い
はジ低級アルキルアミノ；Ａは酸素原子、＝Ｎ−Ｂ；Ｂ
はヒドロキシ、低級アルキルカルボニルオキシ；ｎ＝０
〜３を示す〕 【効果】 上記ハロゲン化シクロアルカンカルボン酸誘
導体は除草活性が優れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なハロゲン化シク
ロアルカンカルボン酸誘導体、それを有効成分とする除
草剤およびそのための中間体化合物に関する。

【０００２】

【従来の技術】ピリミジン環またはトリアジン環を含有
するアルカン酸およびそれを有効成分とする除草剤は、
例えばヨーロツパ特許第３４６７８９−Ａおよび特開平
２−８５２６２号公報に提案されている。

【０００３】

【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記
公知文献に記載された化合物は除草スペクトラム、投下
薬量、作物選択性などの点で未だ充分満足すべきもので
はない。

【０００４】そこで本発明者らは、前記公知文献に記載
された化合物に比べて、さらに除草スペクトラムが広
く、除草効果が高くしかも栽培作物に対して安全性が優
れた化合物を開発すべく鋭意研究を進めた結果、特定の
位置がハロゲン化されたシクロアルカンカルボン酸（ま
たはその誘導体）部と特定の位置に置換基を有するピリ
ミジン環部またはトリアジン環部が酸素原子を介して結
合したハロゲン化シクロアルカンカルボン酸誘導体は新
規であり、この化合物は一年性雑草のみならず多年性雑
草に対して優れた除草活性を示すと共に、或る種の栽培
作物に対して高い安全性を示すことが見出された。

【０００５】

【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、下記一般式（Ｉ）で表されるハロゲン化シクロアル
カンカルボン酸誘導体およびその塩類が提供される。

【０００６】

【化６】 式中、Ｘはハロゲン原子を示す、ｎは０〜３までの整数
を示す、Ｚ¹およびＺ²はそれぞれ窒素原子または基ＣＨ
を示すが、Ｚ¹が窒素原子であるときＺ²は窒素原子また
は基ＣＨを示し、Ｚ¹が基ＣＨであるときＺ²は窒素原子
を示す、Ｒ¹およびＲ²はそれぞれ独立して水素原子、ハ
ロゲン原子、モノ或いはジ低級アルキル置換アミノを示
すか、それぞれの場合ハロゲン原子で置換されていても
よい低級アルキル、低級アルコキシまたは低級アルキル
チオを示す、Ａは酸素原子または基＝Ｎ−Ｂを示す、こ
こでＢは、ヒドロキシ、低級アルキルカルボニルオキシ
またはそれぞれの場合、ヒドロキシカルボニル或いは低
級アルコキシカルボニルで随時置換されていてもよい低
級アルコキシを示す、Ｙは水素原子、ヒドロキシ、それ
ぞれの場合にハロゲン原子、ヒドロキシ、低級アルキ
ル、低級アルコキシ、低級アルキルチオ、低級アルコキ
シカルボニル、低級アルキルカルボニル、シアノ、ニト
ロまたはアジドで随時置換されていてもよい低級アルコ
キシ、低級アルケノキシ、低級アルキノキシ、低級アル
キルチオ、アリールオキシ、アラルキルオキシ、アリー
ルチオ、アラルキルチオ、低級シクロアルコキシ、低級
シクロアルケニルオキシ、ピリジルチオ、フリルメチル
オキシ、フリルチオまたはチエニルオキシを示すか、或
いはアジド、トリ低級アルキ ［ここでＲ³およびＲ⁴はそれぞれ独立して水素原子、低
級アルキル、低級アルコキシ、アリールまたはアラルキ
ルを示し、またＲ³およびＲ⁴は互いにそれらが結合して
いる炭素原子と共に低級シクロアルカン環を形成してい
てもよい、Ｒ⁵およびＲ⁶はそれぞれ独立して水素原子、
ヒドロキシ、低級アルキル、低級アルケニル、低級アル
キニル、低級アルコキシ、低級アルケノキシ、低級アル
キノキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、シアノ、ハ
ロゲン原子で置換されていてもよい低級アルキルスルホ
ニル、低級アルコキシカルボニルで置換された低級アル
キル、ヒドロキシカルボニルで置換された低級アルキ
ル、低級アルコキシカルボニルで置換された低級アルコ
キシ、ヒドロキシカルボニルで置換された低級アルコキ
シ、それぞれの場合にハロゲン原子、ヒドロキシ、低級
アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン原子で置換された
低級アルキル、シアノ、ニトロ、アミノ、モノ或いはジ
−低級アルキル置換アミノまたは低級アルコキシカルボ
ニルで随時置換されていてもよいアリール、アラルキ
ル、アリールオキシ、アラルキルオキシ、アリールカル
ボニルオキシ、ピリジル、

【０００７】

【化７】 （ここでＺ³は酸素原子、基ＣＨまたは硫黄原子を示
し、Ｚ⁴は窒素原子または基ＣＨを示し、Ｚ¹およびＺ²
は前記と同じ定義を意味し、ｍは０または１の整数を （ここでＲ⁷およびＲ⁸は、水素原子、低級アルキル、低
級アルコキシカルボニル、低級アルコキシカルボニルで
置換された低級アルキル、ヒドロキシカルボニルで置換
された低級アルキル、またはそれぞれの場合にハロゲン
原子、低級アルキル、ハロゲン原子で置換された低級ア
ルキル、低級アルコキシ、シアノ、アミノまたはニトロ
で随時置換されていてもよいアリール、アラルキル、ピ
リジルまたはベンゾチアゾリルを示す）］。

【０００８】本発明の前記一般式（Ｉ）において、Ｘ、
Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、ＡおよびＹ
の定義中の原子および基について具体例を以下に説明す
る。 ハロゲン原子 ；フツ素、塩素、臭素または沃素、低級アルキル基 ；たとえば、メチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、第二ブ
チル、第三ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオ
ペンチル、第三ペンチル基等の如き炭素数５以下の低級
アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基 ；たとえば、
モノクロロメチル、トリクロロメチル、トリフルオロメ
チル基等の如き、１から３個のハロゲン原子で置換され
た低級アルキル基、低級アルコキシ基 ；たとえば、メトキシ、エトキシ、ｎ
−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブ
トキシ、第二ブトキシ、第三ブトキシ基等の如き炭素数
５以下の低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級アルコキシ基 ；たとえ
ば、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、２−
クロロエトキシ、２,２−ジクロロエトキシ、２,２,２
−トリクロロエトキシ、２−ブロモエトキシ、２−フル
オロエトキシ、２,２,２−トリフルオロエトキシ、３−
ブロモプロポキシ基等の如き、１から３個までのハロゲ
ン原子で置換された炭素数５以下の低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基 ；たとえば、メチルチオ、エチルチ
オ、ｎ−プロピルチオ、イソプロピルチオ、ｎ−ブチル
チオ、第二ブチルチオ、イソブチルチオ、第三ブチルチ
オ基等の如き炭素数５以下の低級アルキルチオ基、ハロゲン原子で置換された低級アルキルチオ基 ；たとえ
ば、ジフルオロメチルチオ、トリフルオロメチルチオ、
２−クロロエチルチオ、２,２−ジクロロエチルチオ、
２,２,２−トリクロロエチルチオ、２−ブロモエチルチ
オ、２−フルオロエチルチオ、２,２,２−トリフルオロ
エチルチオ、３−ブロモプロピルチオ基の如き、１から
３個までのハロゲン原子で置換された炭素数５以下の低
級アルキルチオ基、モノあるいはジ低級アルキル置換アミノ基 ；たとえば、
メチルアミノ、エチルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、イ
ソプロピルアミノ、ｎ−ブチルアミノ、第二ブチルアミ
ノ、イソブチルアミノ、第三ブチルアミノ、ジメチルア
ミノ、ジエチルアミノ、ジ−ｎ−プロピルアミノ、ジ−
イソプロピルアミノ、エチルメチルアミノ、メチルプロ
ピルアミノ基等の如きアルキル部分の炭素数５以下のモ
ノあるいはジ低級アルキル置換アミノ基、低級アルキルカルボニルオキシ基 ；たとえば、メチルカ
ルボニルオキシ、エチルカルボニルオキシ、ｎ−プロピ
ルカルボニルオキシ、イソプロピルカルボニルオキシ、
ｎ−ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオ
キシ、第二ブチルカルボニルオキシ、第三ブチルカルボ
ニルオキシ基等の如きアルキル部分の炭素数５以下の低
級アルキル基が結合するカルボニルオキシ基、低級アルコキシカルボニル基で置換された低級アルコキ
シ基 ；たとえば、メトキシカルボニルメトキシ、エトキ
シカルボニルメトキシ、ｎ−プロポキシカルボニルメト
キシ、イソプロポキシカルボニルメトキシ、ｎ−ブトキ
シカルボニルメトキシ、イソブトキシカルボニルメトキ
シ、第二ブトキシカルボニルメトキシ、第三ブトキシカ
ルボニルメトキシ、１−メトキシカルボニル−エトキ
シ、１−エトキシカルボニル−エトキシ、１−ｎ−プロ
ポキシカルボニル−エトキシ、１−イソプロポキシカル
ボニル−エトキシ、１−ｎ−ブトキシカルボニル−エト
キシ、１−イソブトキシカルボニル−エトキシ、１−第
二ブトキシカルボニル−エトキシ、１−第三ブトキシカ
ルボニル−エトキシ基等の如き炭素数５以下の低級アル
コキシ基が結合したカルボニル基で置換された低級アル
コキシ基、ヒドロキシで置換された低級アルコキシ基 ；たとえば、
２−ヒドロキシエトキシ、２−ヒドロキシプロポキシ、
３−ヒドロキシプロポキシ、２−ヒドロキシブトキシ、
３−ヒドロキシブトキシ、４−ヒドロキシブトキシ等の
如き、ヒドロキシ基で置換された炭素数５以下の低級ア
ルコキシ基、ヒドロキシカルボニル基で置換された低級アルコキシ
基 ；たとえば、ヒドロキシカルボニルメトキシ、１−ヒ
ドロキシカルボニル−エトキシ基等の如き、ヒドロキシ
カルボニル基で置換された炭素数５以下の低級アルコキ
シ基、低級アルコキシカルボニル基 ；たとえば、メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニ
ル、イソプロポキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニ
ル、イソブトキシカルボニル、第二ブトキシカルボニ
ル、第三ブトキシカルボニルなどのアルキル部分が炭素
数５以下の低級アルコキシカルボニル基、低級アルケニル基 ；たとえば、アリル基、２−メチル−
２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、
および３−メチル−２−ブテニル基等の如き、炭素数５
以下の低級アルケニル基、低級アルキニル基 ；たとえば、２−プロピニル、および
２−ブチニル、３−ブチニル基の如き、炭素数５以下の
低級アルキニル基、低級アルキルカルボニル基 ；たとえば、メチルカルボニ
ル、エチルカルボニル、ｎ−プロピルカルボニル、イソ
プロピルカルボニル、ｎ−ブチルカルボニル、イソブチ
ルカルボニル、第二ブチルカルボニル、第三ブチルカル
ボニルの如きアルキル部分の炭素数５以下の低級アルキ
ルカルボニル、置換されていてもよいアリール基 ；たとえば、フエニ
ル、２−メチルフエニル、３−メチルフエニル、４−メ
チルフエニル、２−クロロフエニル、３−クロロフエニ
ル、４−クロロフエニル、２−ブロモフエニル、３−ブ
ロモフエニル、４−ブロモフエニル、２−フルオロフエ
ニル、３−フルオロフエニル、４−フルオロフエニル、
２−ニトロフエニル、３−ニトロフエニル、４−ニトロ
フエニル、２−メトキシフエニル、３−メトキシフエニ
ル、４−メトキシフエニル、２−トリフルオロメチルフ
エニル、３−トリフルオロメチルフエニル、４−トリフ
ルオロメチルフエニル、２−アミノフエニル、３−アミ
ノフエニル、４−アミノフエニル、２−ヒドロキシフエ
ニル、３−ヒドロキシフエニル、２,３−ジメチルフエ
ニル、２,４−ジメチルフエニル、２,５−ジメチルフエ
ニル、２,６−ジメチルフエニル、３,４−ジメチルフエ
ニル、３,５−ジメチルフエニル、２,３−ジクロロフエ
ニル、２,４−ジクロロフエニル、２,５−ジクロロフエ
ニル、２,６−ジクロロフエニル、３,４−ジクロロフエ
ニル、３,５−ジクロロフエニル、２,４−ジニトロフエ
ニル、２,６−ジニトロフエニル、３,４−ジニトロフエ
ニル、３,５−ジニトロフエニル、２,３,５−トリクロ
ロフエニル、２,４,６−トリクロロフエニル、１−ナフ
チル、２−ナフチル基等の如き置換されていてもよいア
リール基、置換されていてもよいアラルキル基 ；たとえば、ベンジ
ル、２−ブロモベンジル、３−ブロモベンジル、４−ブ
ロモベンジル、２−クロロベンジル、３−クロロベンジ
ル、４−クロロベンジル、２−フルオロベンジル、３−
フルオロベンジル、４−フルオロベンジル、２−メトキ
シベンジル、３−メトキシベンジル、４−メトキシベン
ジル、２−メチルベンジル、３−メチルベンジル、４−
メチルベンジル、２−ニトロベンジル、３−ニトロベン
ジル、４−ニトロベンジル基等の如き置換されていても
よいアラルキル基、低級アルケノキシ基 ；たとえば、ビニルオキシ、アリル
オキシ、３−ブテニルオキシ、１−メチル−２−プロペ
ノキシ、２−メチル−２−プロペニルオキシ基等の如き
炭素数５以下の低級アルケノキシ基、低級アルキノキシ基 ；たとえば、２−プロピニルオキ
シ、１−メチル−２−プロピニルオキシ、２−ブチニル
オキシまたは３−ブチニルオキシ基等の如き炭素数５以
下の低級アルキノキシ基、置換されていてもよいアリールオキシ基 ；たとえば、フ
エノキシ、ナフトキシ、２−ブロモフエノキシ、３−ブ
ロモフエノキシ、４−ブロモフエノキシ、２−クロロフ
エノキシ、３−クロロフエノキシ、４−クロロフエノキ
シ、２−メチルフエノキシ、３−メチルフエノキシ、４
−メチルフエノキシ、２−メトキシフエノキシ、３−メ
トキシフエノキシ、４−メトキシフエノキシ、２−ニト
ロフエノキシ、３−ニトロフエノキシ、４−ニトロフエ
ノキシ基等、置換されていてもよいアラルキルオキシ基 ；たとえば、
ベンジルオキシ、２−ブロモベンジルオキシ、３−ブロ
モベンジルオキシ、４−ブロモベンジルオキシ、２−ク
ロロベンジルオキシ、３−クロロベンジルオキシ、４−
クロロベンジルオキシ、２−フルオロベンジルオキシ、
３−フルオロベンジルオキシ、４−フルオロベンジルオ
キシ、２−メトキシベンジルオキシ、３−メトキシベン
ジルオキシ、４−メトキシベンジルオキシ、２−メチル
ベンジルオキシ、３−メチルベンジルオキシ、４−メチ
ルベンジルオキシ、２−ニトロベンジルオキシ、３−ニ
トロベンジルオキシ、４−ニトロベンジルオキシ、２,
４−ジニトロベンジルオキシ、３,４−ジニトロベンジ
ルオキシ、３,５−ジニトロベンジルオキシ、２,４,６
−トリメチルベンジルオキシ基等の如き、置換されてい
てもよいアラルキルオキシ基、置換されていてもよいアリールチオ基 ；たとえば、フエ
ニルチオ、２−ブロモフエニルチオ、３−ブロモフエニ
ルチオ、４−ブロモフエニルチオ、２−クロロフエニル
チオ、３−クロロフエニルチオ、４−クロロフエニルチ
オ、４−フルオロフエニルチオ、２−メトキシフエニル
チオ、３−メトキシフエニルチオ、４−メトキシフエニ
ルチオ、４−メチルフエニルチオ、４−ニトロフエニル
チオ基等の如き置換されていてもよいアリールチオ基、置換されていてもよいアラルキルチオ基 ；たとえば、ベ
ンジルチオ、２−、３−または４−ブロモベンジルチ
オ、２−、３−または４−クロロベンジルチオ、２−、
３−または４−フルオロベンジルチオ、２−、３−また
は４−メトキシベンジルチオ、２−、３−または４−メ
チルベンジルチオ、３−または４−ニトロベンジルチオ
などの置換されていてもよいアラルキルチオ基、置換されていてもよいピリジルチオ基 ；たとえば、ピリ
ジル−２−チオ、５−ニトロピリジル−２−チオ基等の
置換されていてもよいピリジルチオ基、低級シクロアルコキシ基 ；たとえば、シクロプロピルオ
キシ、シクロブトキシルオキシ、シクロペンチルオキ
シ、シクロヘキシルオキシ基、低級シクロアルケニルオキシ基 ；たとえば、２−シクロ
ペンテニルオキシ、２−シクロヘキセニルオキシ、３−
シクロヘキセニルオキシ基、フリルメチルオキシ基 ；たとえば、２−フリルメチルオ
キシ、３−フリルメチルオキシ基、フリルメチルチオ基 ；たとえば、２−フリルメチルチ
オ、３−フリルメチルチオ基、チエニルメチルオキシ基 ；たとえば、２−チエニルメチ
ルオキシ、３−チエニルメチルオキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい低級アルキルスル
ホニル基 ；たとえば、メタンスルホニル、エタンスルホ
ニル、１−プロパンスルホニル、２−プロパンスルホニ
ル、１−ブタンスルホニル、トリクロロメタンスルホニ
ル、トリフルオロメタンスルホニル、２,２,２−トリフ
ルオロメタンスルホニル基等の如き炭素数５以下の、１
から３個までのハロゲン原子で置換されていてもよい低
級アルキルスルホニル基、置換されていてもよいアリールカルボニルオキシ基 ；た
とえば、フエニルカルボニルオキシ、２−クロルフエニ
ルカルボニルオキシ、３−クロルフエニルカルボニルオ
キシ、４−クロルフエニルカルボニルオキシ、２−トリ
フルオロメチルフエニルカルボニルオキシ、３−トリフ
ルオロメチルフエニルカルボニルオキシ、４−トリフル
オロメチルフエニルカルボニルオキシ、２,４−ジクロ
ルフエニルカルボニルオキシ、２,６−ジクロルフエニ
ルカルボニルオキシ、３,４−ジクロルフエニルカルボ
ニルオキシ、３,５−ジクロルフエニルカルボニルオキ
シ、２,４−ジクロル−３−メチルフエニルカルボニル
オキシ基等の如き置換されていてもよいアリールカルボ
ニルオキシ基、置換されていてもよいベンゾチアゾリル基 ；たとえば、
ベンゾチアゾール−２−イル、６−ニトロベンゾチアゾ
ール−２−イル基等の置換されていてもよいベンゾチア
ゾリル基。

【０００９】上記した基に具体的に示されていない基
は、上記した原子および基から任意に組合せて或いは一
般的に知られた常識に従つて選択される。

【００１０】本発明の前記一般式（Ｉ）において、Ｙが
ヒドロキシ基の場合、その塩も本発明の化合物に包含さ
れる。その塩としては通常農学的に許容される塩である
のが好ましく、たとえば、ナトリウム、カリウム、アン
モニウム、イソプロピルアンモニウム、またはトリエチ
ルアンモニウム等の如き、アルカリ金属、アンモニウム
または低級アルキルアンモニウムの塩が挙げられる。

【００１１】本発明のハロゲン化シクロアルカンカルボ
ン酸誘導体は、前記一般式（Ｉ）においてＸがハロゲン
原子であることが特徴の１つである。Ｘがハロゲン原子
であることによつて、本発明の化合物はＸが水素原子で
ある化合物に比べて、強い除草活性を有している。

【００１２】一般式（Ｉ）においてＸは弗素原子、塩素
原子、臭素原子または沃素原子を表わすが、好ましくは
弗素原子または塩素原子であり、最も好ましくは弗素原
子である。

【００１３】また本発明の化合物の他の特徴の１つは基

【００１４】

【化８】 を有していることである。この基は具体的には下記３つ
の基に分類することができる。

【００１５】

【化９】 これら３つの基のうち、好ましいのは

【００１６】

【化１０】 であり、特に好ましいのは

【００１７】

【化１１】 である。

【００１８】上記３つの基においてＲ¹およびＲ²は、そ
れらが結合する骨格がピリミジンであるか或いはトリア
ジンであるかによつて、それらの好ましい原子または基
が選ばれる。すなわち

【００１９】

【化１２】 の場合においては、Ｒ¹およびＲ²が共に低級アルコキシ
であるか、Ｒ¹が低級アルコキシであり且つＲ²がハロゲ
ン原子であるか、或いはＲ¹がハロゲン原子であり且つ
Ｒ²が低級アルコキシであるのが好ましい。

【００２０】

【化１３】 の場合においては、Ｒ¹およびＲ²が共に低級アルコキシ
であるのが好ましい。さらに

【００２１】

【化１４】 の場合にはＲ¹が低級アルキルチオであり且つＲ²がハロ
ゲン原子、特に塩素原子であるのが好ましい。

【００２２】本発明の化合物は一般式（Ｉ）において、
ｎが０または１、すなわちシクロペンタン環またはシク
ロヘキサン環を有しているものが好ましい。さらに一般
式（Ｉ）において、Ａは基＝Ｎ−Ｂよりも酸素原子であ
るのが好ましい。

【００２３】またＹは、ヒドロキシ、低級アルコキシ、
低級アルケニルオキシ、低級アルキ はどちらか一方が水素原子を示す）であるのが好まし
く、ヒドロキシ、低級アルコキシ、低級アルケニルオキ
シ、低級アルキニルオキシまたは 本発明の前記一般式（Ｉ）で表わされるハロゲン含有化
合物の好ましい化合物を例示すれば、下記（１）〜
（３）の通りである。

【００２５】（１） 下記一般式（Ｉ）−ｉ

【００２６】

【化１５】 式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ、Ｙおよびｎは前記一般式（Ｉ）の
定義と同じものを意味する、で表わされるハロゲン化シ
クロアルカンカルボン酸誘導体。

【００２７】（２） 下記一般式（Ｉ）−ｉｉ

【００２８】

【化１６】 式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ、Ｙおよびｎは前記一般式（Ｉ）と
同じものを意味する、で表わされるハロゲン化シクロア
ルカンカルボン酸誘導体。

【００２９】（３） 下記一般式（Ｉ）−ｉｉｉ

【００３０】

【化１７】 式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｘ、Ｙおよびｎは前記一般式（Ｉ）の
定義と同じものを意味する、で表わされるハロゲン化シ
クロアルカンカルボン酸誘導体。

【００３１】本発明者らの研究によれば、前記一般式
（Ｉ）で表わされるハロゲン化シクロアルカンカルボン
酸誘導体は新規であり、しかも多くの種類の雑草に対し
て強い殺草活性を有することが見出された。

【００３２】かくして本発明によれば、活性成分として
の前記一般式（Ｉ）で表わされるハロゲン化シクロアル
カンカルボン酸誘導体および農薬的に許容しうる希釈剤
または担体を含有する除草剤組成物が提供される。

【００３３】さらに本発明によれば、雑草もしくは雑草
が生育している環境、或いはそれが生育することが予想
される環境に、上記除草剤組成物を適用して、雑草を排
除するか、雑草の発生もしくは生育を阻止する方法が提
供される。

【００３４】本発明の上記除草剤組成物並びにその適用
方法については後に詳しく説明する。

【００３５】本発明者らの研究によれば、除草活性を有
する本発明の前記一般式（Ｉ）で表されるハロゲン化シ
クロアルカンカルボン酸誘導体の合成中間体となり得る
下記一般式（ＩＩ）のハロゲン化シクロアルカノール誘
導体は新規であることがわかつた。このハロゲン化シク
ロアルカノール誘導体も本発明に包含される。

【００３６】すなわち本発明によれば、下記一般式（Ｉ
Ｉ）

【００３７】

【化１８】 式中、Ｘ、Ａ、Ｙおよびｎは一般式（Ｉ）の定義と同じ
ものを意味する、Ｖは、水素原子、低級アルキル、低級
アルキルカルボニル、低級アルキルスルホニルまたは、
それぞれの場合ハロゲン原子、ヒドロキシ、ニトロ、シ
アノ、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン置換低
級アルキル、ハロゲン置換低級アルコキシ、アミノまた
はモノ或いはジ−低級アルキル置換アミノで随時置換さ
れていてもよいアラルキル、アリールカルボニルまたは
アリールスルホニルを示す、で表わされるハロゲン含有
環状化合物が提供される。

【００３８】前記一般式（ＩＩ）で表わされる本発明の
ハロゲン化シクロアルカノール誘導体は、Ｘであるハロ
ゲン原子を有していることおよびｎが０〜３までの整
数、すなわち５〜８員の炭素環を有していることに特徴
を有している。

【００３９】一般式（ＩＩ）においてＸは弗素原子、塩
素原子、臭素原子または沃素原子、好ましくは弗素原子
または塩素原子であり、特に弗素原子であるのが好まし
く、またｎは０または１すなわちシクロペンタン環また
はシクロヘキサン環が好ましい。

【００４０】また、一般式（ＩＩ）において、Ｙは、一
般式（Ｉ）において定義したものと同じ意味を有し、ま
た前記したように一般式（Ｉ）において好ましいもの
が、同じように好ましい。

【００４１】さらに一般式（ＩＩ）においてＶは、水素
原子、低級アルキル、低級アルキルカルボニル、低級ア
ルキルスルホニル、アラルキル、アリールカルボニルま
たはアリールスルホニルである。これらのうちアラルキ
ル、アリールカルボニルおよびアリールスルホニルは、
それらの芳香核が随時ハロゲン原子、ヒドロキシ、ニト
ロ、シアノ、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン
置換低級アルキル、ハロゲン置換低級アルコキシ、アミ
ノまたはモノ或いはジ−低級アルキル置換アミノの少な
くとも１個によつて置換されていてもよい。前記Ｖとし
て好ましいのは水素原子、アラルキル、アリールカルボ
ニルである。

【００４２】前記一般式（Ｉ）および（ＩＩ）で表され
る本発明化合物には、飽和環に関する２種類の立体異性
体（シス体およびトランス体）が存在し、また、それぞ
れは光学活性体として存在しうる。

【００４３】以下、シス、トランスの表示は飽和環上に
隣接する置換基の相対立体配置を表し、１位ＣＡＹ基を
基準とした時に２位置換基がシス配置をとる化合物をシ
ス体（ｃｉｓ）、１位ＣＡＹ基を基準とした時に２位置
換基がトランス配置をとる化合物をトランス体（ｔｒａ
ｎｓ）と称する。また該当する化合物が、ラセミ体、右
旋性化合物、左旋性化合物である場合は、それぞれｒａ
ｃ、＋、−と表示する。

【００４４】次に、本発明の一般式（Ｉ）で表わされる
ハロゲン化シクロアルカンカルボン酸誘導体に属する具
体的化合物を第１表〜第４表に例示する。またそのハロ
ゲン化シクロアルカンカルボン酸誘導体のいくつかにつ
いて、測定されたＮＭＲ分析値および／または物性デー
タを第５表〜第８表に示す。

【００４５】さらに本発明の一般式（ＩＩ）で表わされ
るハロゲン化シクロアルカノール誘導体に属する具体的
化合物を第９表に例示する。そしてそのハロゲン化シク
ロアルカノール誘導体のいくつかについて、測定された
ＮＭＲ分析値および／または物性データを第１０表に示
す。

【００４６】第１表〜第４表および第９表で用いられる
略号の意味は下記のとおりである。Ｐｈはフエニル基を
示す。

【００４７】Ｐｈ−２Ｃｌ、Ｐｈ−２ＯＣＨ₃、Ｐｈ−
２ＮＯ₂、Ｐｈ−２０Ｃ₂Ｈ₅、Ｐｈ−２ＣＦ₃、Ｐｈ−３
Ｃｌ、Ｐｈ−３ＯＣＨ₃、Ｐｈ−３ＮＯ₂、Ｐｈ−３ＯＣ
₂Ｈ₅、Ｐｈ−３ＣＦ₃、Ｐｈ−４Ｃｌ、Ｐｈ−４ＯＣ
Ｈ₃、Ｐｈ−４ＮＯ₂、Ｐｈ−４ＯＣ₂Ｈ₅、Ｐｈ−４ＣＦ
₃、Ｐｈ−２Ｂｒ、Ｐｈ−２ＣＨ₃、Ｐｈ−３Ｂｒ、Ｐｈ
−３ＣＨ₃、Ｐｈ−４Ｂｒ、Ｐｈ−４ＣＨ₃等におけるＰ
ｈはフエニル基を示し、Ｐｈに続く“２Ｃｌ”等におけ
る数字の部分はフエニル環との置換位置を示し、Ｃｌ、
ＯＣＨ₃、ＮＯ₂、ＯＣ₂Ｈ₅、ＣＦ₃、Ｂｒ、ＣＨ₃等は置
換位置に結合する置換基を示す。

【００４８】Ｐｈ−２,４−ＤｉＣｌは２,４−ジクロロ
フエニル基を、Ｐｈ−２,６−ＤｉＣｌは２,６−ジクロ
ロフエニル基を、Ｐｈ−３,４−ＤｉＣｌは３,４−ジク
ロロフエニル基を、Ｐｈ−３,５−ＤｉＣｌは３,５−ジ
クロロフエニル基を示し、Ｐｈ−２,４−ＤｉＣｌ−３
ＣＨ₃ は２,４−ジクロロ−３−フエニル基を示す。

【００４９】Succinimidylは２,５−ジオキソ−１−ピ
ロリジニル基を示す。

【００５０】Ｏ−Ｎ＝Ｃ（−（Ｃ₂Ｈ₅）₅−）は基

【００５１】

【化１９】 を示し、Ｃ（−（Ｃ₂Ｈ₅）₅−）はシクロヘキシル基を
示す。

【００５２】ＮＨ−２−thiadiazolylの２−thiadiazol
ylは１,３,４−シアジアゾール−２−イル基を、ＮＨ−
２−thiadiazolyl−５−ＣＦ₃における２−thiadiazoly
l−５−ＣＦ₃は５−トリフルオロメチル−１,３,４−チ
アジアゾール−２−イル基を示す。

【００５３】

【表１】

【００５４】

【表２】

【００５５】

【表３】

【００５６】

【表４】

【００５７】

【表５】

【００５８】

【表６】

【００５９】

【表７】

【００６０】

【表８】

【００６１】

【表９】

【００６２】

【表１０】 本発明の化合物は下記に示す方法（Ｂ−１法、Ｂ−２
法、Ｂ−３法、Ｂ−４法、Ｂ−５法、Ａ−１法、Ａ−２
法、Ａ−３法、Ａ−４法、Ａ−５法）に従つて製造する
ことができるか、これらの方法に限定されるものではな
い。

【００６３】１．一般式（ＩＩ）で表される化合物の製
造法 Ｂ−１法

【００６４】

【化２０】 ［式中、Ｙ、Ｘおよびｎは前記と同じ意味を示す。］上
記反応式において、式（ＩＩ−ａ）で表される化合物
は、上記式（ＩＩＩ）のハロゲン化シクロアルカノン誘
導体を無溶媒ないし適当な溶媒の存在下、適当な塩基を
用いて、−７８℃ないし溶媒の沸点の温度範囲におい
て、種々の還元剤と１−２４時間反応させることにより
製造することができる。

【００６５】この反応において溶媒を使用する場合、そ
の例としては、たとえば、メタノール、エタノール、イ
ソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒；ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒；ジクロル
メタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；
ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、１,４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；
アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；酢酸
メチル、酢酸エチル等のエステル系溶媒；ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミ
ド等の非プロトン性極性溶媒；アセトニトリル、水など
を挙げることができる。

【００６６】また、還元剤としては、水素化トリフエニ
ルスズ、水素化ジフエニルスズ、水素化トリ−ｎ−ブチ
ルスズ、水素化ジ−ｎ−ブチルスズ等の有機スズ化合
物、水素化トリ−ｔ−ブチルアルミニウムリチウム、水
素化ホウ素ナトリウム、水素化トリメトキシホウ素ナト
リウム、硫化水素化ホウ素ナトリウム、シアン化水素化
ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、水素化トリ
エチルホウ素カルシウム、水素化ホウ素カリウム、水素
化トリイソプロポキシホウ素カリウム、水素化トリ−ｓ
−ブチルホウ素カリウム、水素化ホウ素亜鉛、水素化ホ
ウ素テトラメチルアンモニウム、水素化シアノホウ素テ
トラ−ｎ−ブチルアンモニウム等の金属水素錯化合物ま
たはその関連化合物、ジボランまたはジメチルアミン−
ボラン錯体、トリメチルアミン−ボラン錯体、トリエチ
ルアミン−ボラン錯体、ｔ−ブチルアミン−ボラン錯
体、ピリジン−ボラン錯体、ジメチルスルフイド−ボラ
ン錯体、モルフオリン−ボラン錯体、１,４−オキサチ
アン−ボラン錯体等のボラン錯体、ジシクロヘキシルボ
ラン、９−ボラビシクロ［３,３,１］ノナン等のアルキ
ルボラン、イソプロポキシアルミニウム、ターシヤリー
ブトキシアルミニウム等の金属アルコキシド、パラジウ
ム炭素、酸化白金、ラネーニツケル等の接触水素化触媒
等を挙げることができる。

【００６７】原料となる前記式（ＩＩＩ）のフツ素化シ
クロアルカノン誘導体は、たとえば、テトラヘドロン・
レターズ第２７巻、３７巻、４４６５ページ〜４４６８
ページ（１９８６年）に記載される方法を参考にして製
造できる。

【００６８】Ｂ−２法

【００６９】

【化２１】 ［式中、Ｙ、およびｎは前記と同じ意味を示し、Ｖ′は
前記Ｖと同じ意味を有するが水素原子は除かれる。Ｘは
ハロゲン原子を示す。］上記反応式において、式（ＩＩ
−ｂ）で表される化合物は、上記式（ＩＩ−ａ）のハロ
ゲン化シクロアルカノール誘導体を無溶媒ないし適当な
溶媒の存在下、適当な塩基を用いて、−７８℃ないし溶
媒の沸点の温度範囲において、Ｖ′−Ｘで表される化合
物と１−２４時間反応させることにより製造することが
できる。この反応において溶媒を使用する場合、その例
としては、たとえば、ベンゼン、トルエン、またはキシ
レン等の炭化水素系溶媒；ジクロルメタン、またはクロ
ロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ジエチルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、
または１,４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセト
ン、またはメチルエチルケトン等のケトン系溶媒；酢酸
メチル、または酢酸エチル等のエステル系溶媒；ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、またはジメチ
ルアセトアミド等の非プロトン性極性溶媒；アセトニト
リル、または水などを挙げることができる。

【００７０】また、塩基としては、炭酸ナトリウム、ま
たは炭酸カリウム等の炭酸塩類；水酸化ナトリウム、ま
たは水酸化カリウム等の水酸化金属類；ナトリウムメチ
ラート、またはナトリウムエチラート等の金属アルコラ
ート類；水素化ナトリウム、または水素化カリウム等の
水素化アルカリ金属類；リチウムジエチルアミド、リチ
ウムジイソプロピルアミド、またはリチウムビストリメ
チルシリルアミド等のリチウムアミド類を挙げることが
できる。

【００７１】Ｂ−３法

【００７２】

【化２２】 ［式中、Ｙ、Ｘ、Ｖおよびｎは前記と同じ意味を示し、
Ｍはアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ土類金
属のカチオンを示す。］上記反応式において、式（ＩＩ
−ｃ）で示される化合物は式（ＩＩ−ｅ）で示される化
合物を適当な塩基とともに、適当な溶媒の存在下、室温
ないし溶媒の沸点の温度範囲で１−２４時間反応させる
ことにより製造することができる。また、式（ＩＩ−
ｃ）で示される化合物を酸で処理することにより式（Ｉ
Ｉ−ｄ）で示される化合物を製造することができる。こ
の反応において使用される溶媒としては、例えば、メタ
ノール、エタノール、またはイソプロピルアルコール等
のアルコール系溶媒；ベンゼン、トルエン、またはキシ
レン等の炭化水素系溶媒；ジクロルメタン、またはクロ
ロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ジエチルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、
または１,４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセト
ン、またはメチルエチルケトン等のケトン系溶媒；酢酸
メチル、または酢酸エチル等のエステル系溶媒；ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、またはメチル
アセトアミド等の非プロトン性極性溶媒；アセトニトリ
ル、または水などを挙げることができる。また塩基とし
ては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、または炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等の炭酸塩類；水酸化ナ
トリウムまたは水酸化カリウム等の水酸化金属類；ナト
リウムメチラート、またはナトリウムエチラート等の金
属アルコラート；水素化ナトリウム、または水素化カリ
ウム等の水素化アルカリ金属等を挙げることができる。

【００７３】Ｂ−４法

【００７４】

【化２３】 ［式中、Ｙ、Ｘ、Ｖおよびｎは前記と同じ意味を示す。
Ｒはこの反応においてＹに変換されうる基を、Ｔは水酸
基、メルカプト基、アミノ基またはハロゲン原子を示
す。］上記反応式において、式（ＩＩ−ｅ）で表される
化合物は式（ＩＩ−ｄ）のカルボン酸を適当な縮合剤を
用いて、Ｒ−Ｔで表される水酸基、メルカプト基、アミ
ノ基あるいはハロゲン原子を有する化合物と無溶媒ない
し適当な溶媒の存在下、氷冷下ないし溶媒の沸点の温度
範囲で、１−２４時間反応させることにより製造するこ
とができる。反応に使用される溶媒としてはベンゼン、
トルエン、またはキシレン等の炭化水素系溶媒；ジクロ
ルメタン、またはクロロホルム等のハロゲン化炭化水素
系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、
テトラヒドロフラン、または１,４−ジオキサン等のエ
ーテル系溶媒；アセトン、またはメチルエチルケトン等
のケトン系溶媒；酢酸メチル、または酢酸エチル等のエ
ステル系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、またはジメチルアセトアミド等の非プロトン性
極性溶媒；アセトニトリルまたは水などを挙げることが
できる。

【００７５】また縮合剤としては、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、または炭酸水素カリ
ウム等の炭酸塩類；水酸化ナトリウム、または水酸化カ
リウム等の水酸化金属類；ナトリウムメチラート、また
はナトリウムエチラート等の金属アルコラート；水素化
ナトリウム、または水素化カリウム等の水素化アルカリ
金属；ジアザビシクロウンデセン等の有機塩基、ジシク
ロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤が挙げられ
る。

【００７６】Ｂ−５法

【００７７】

【化２４】 ［式中、Ｙ、Ｘおよびｎは前記と同じ意味を示す。Ｖ″
は低級アルコキシカルボニル基、低級アルキルスルホニ
ル基または置換されていてもよいアリールスルホニル基
を示す。］上記反応式において、式（ＩＩ−ｅ）で表さ
れる化合物は式（ＩＩ−ｄ）のカルボン酸を適当な塩基
の存在下、Ｖ″−Ｃｌで表される適当な活性化剤と反応
させ一旦活性中間体に導いてから無触媒ないしは触媒の
存在下対応するアルコール、アミンあるいはチオールと
反応させて製造することができる。反応において使用さ
れる溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、また
はキシレン等の炭化水素系溶媒；ジクロルメタン、また
はクロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ジエチ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、または１,４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；
アセトン、またはメチオルエチルケトン等のケトン系溶
媒；酢酸メチル、または酢酸エチル等のエステル系溶
媒；ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ま
たはジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性溶媒；
アセトニトリル、または水などを挙げることができる。
塩基としてはピリジン、またはトリエチルアミン等の有
機塩基が挙げられ、活性化剤としては、クロル蟻酸メチ
ル、またはクロル蟻酸エチル等のクロル蟻酸メチル、ま
たはクロル蟻酸エチル等のクロル蟻酸アルキル類；塩化
ベンゼンスルホニル、または塩化トルエンスルホニル等
のアリールスルホニルクロライド等が挙げられる。触媒
としてはジメチルアミノピリジン、または４−ピロリジ
ノピリジン等が挙げられる。

【００７８】２．一般式（Ｉ）で表される化合物の製造
法 Ａ−１法

【００７９】

【化２５】 ［式中、Ｙ、Ｘ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｚ¹、Ｚ²およびｎは前記と
同じ意味を示し、Ｕはハロゲン原子、低級アルキルスル
ホニル基またはアリールアルキルスルホニル基を示
す。］上記Ａ法の反応式において、式（Ｉ′）で表され
る化合物は、上記式（ＩＩ）のハロゲン化シクロアルカ
ノール誘導体を無溶媒ないし適当な溶媒の存在下、適当
な塩基を用いて、−７８℃ないし溶媒の沸点の温度範囲
において、上記式（ＩＶ）の置換ピリミジンまたはトリ
アジンと、１〜２４時間反応させることにより製造する
ことができる。

【００８０】この反応において溶媒を使用する場合、そ
の例としては、たとえば、ベンゼン、トルエンまたはキ
シレン等の炭化水素系溶媒；ジクロルメタンまたはクロ
ロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ジエチルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフランま
たは１,４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセトン
またはメチルエチルケトン等のケトン系溶媒；酢酸メチ
ルまたは酢酸エチル等のエステル系溶媒；ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシドまたはジメチルアセト
アミド等の非プロトン性極性溶媒；アセトニトリルまた
は水などを挙げることができる。

【００８１】また、塩基としては、炭酸ナトリウムまた
は炭酸カリウム等の炭酸塩類；水酸化ナトリウムまたは
水酸化カリウム等の水酸化金属類；ナトリウムメチラー
トまたはナトリウムエチラート等の金属アルコラード
類；水素化ナトリウムまたは水素化カリウム等の水素化
アルカリ金属類；リチウムジエチルアミド、リチウムジ
イソプロピルアミドまたはリチウムビストリメチルシリ
ルアミド等のリチウムアミド類を挙げることができる。

【００８２】Ａ−２法

【００８３】

【化２６】 ［式中、Ｙ、Ｘ、Ｔ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｚ¹、Ｚ²およびｎは前
記と同じ意味を示し、Ｒはこの反応においてＹに変換し
うる基を示す。］上記反応式において、式（Ｉ−ｂ）で
表される化合物は式（Ｉ−ａ）のカルボン酸を適当な縮
合剤を用いて、Ｒ−Ｔで表される水酸基、メルカプト
基、アミノ基あるいはハロゲン原子を有する化合物と無
溶媒ないし適当な溶媒の存在下、氷冷下ないし溶媒の沸
点の温度範囲で、１−２４時間反応させることにより製
造することができる。反応に使用される溶媒としてはベ
ンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒；ジク
ロルメタン、またはクロロホルム等のハロゲン化炭化水
素系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、または１,４−ジオキサン等
のエーテル系溶媒；アセトン、またはメチルエチルケト
ン等のケトン系溶媒；酢酸メチル、または酢酸エチル等
のエステル系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド、またはジメチルアセトアミド等の非プロト
ン性極性溶媒；アセトニトリル、または水などを挙げる
ことができる。また縮合剤としては、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、または炭酸水素カ
リウム等の炭酸塩類；水酸化ナトリウム、または水酸化
カリウム等の水酸化金属類；ナトリウムメチラート、ま
たはナトリウムエチラート等の金属アルコラード類；水
素化ナトリウム、または水酸化カリウム等の水素化アル
カリ金属；ジアザビシクロウンデセン等の有機塩基、ジ
シクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤が挙げら
れる。

【００８４】Ａ−３法

【００８５】

【化２７】 ［式中、Ｙ、Ｘ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｚ¹、Ｚ²およびｎは前記と
同じ意味を示し、Ｖは低級アルコキシカルボニル基、低
級アルキルスルホニル基または置換されていてもよいア
リールスルホニル基を示す。］上記反応式において、式
（Ｉ−ｂ）で表される化合物は式（Ｉ−ａ）のカルボン
酸を適当な塩基の存在下、Ｖ−Ｃｌで表される適当な活
性化剤と反応させ一旦活性中間体に導いてから無触媒な
いしは触媒の存在下対応するアルコール、アミンあるい
はチオールと反応させて製造することができる。反応に
おいて使用される溶媒としては、例えばベンゼン、トル
エン、またはキシレン等の炭化水素系溶媒；ジクロルメ
タン、またはクロロホルム等ハロゲン化炭化水素系溶
媒；のジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テ
トラヒドロフラン、または１,４−ジオキサン等のエー
テル系溶媒；アセトン、またはメチルエチルケトン等の
ケトン系溶媒；酢酸メチル、または酢酸エチル等のエス
テル系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、またはジメチルアセトアミド等の非プロトン性極
性溶媒；アセトニトリル、または水などを挙げることが
できる。塩基としてはピリジン、またはトリエチルアミ
ン等の有機塩基が挙げられ、活性化剤としては、クロル
蟻酸メチル、クロル蟻酸エチル等のクロル蟻酸アルキル
類、塩化ベンゼンスルホニル、または塩化トルエンスル
ホニル等のアリールスルホニルクロライド等が挙げられ
る。触媒としてはジメチルアミノピリジン、または４−
ピロリジノピリジン等が挙げられる。

【００８６】Ａ−４法

【００８７】

【化２８】 ［式中、Ｘ、Ｙ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｚ¹、Ｚ²、ｎおよびＭは前
記と同じ意味を示す。］上記反応式において、式（Ｉ−
ｃ）で示される化合物は式（Ｉ−ｂ）で示される化合物
を適当な塩基とともに、適当な溶媒の存在下、室温ない
し溶媒の沸点の温度範囲で１〜２４時間反応させること
により製造することができる。また、式（Ｉ−ｃ）で示
される化合物を酸で処理することにより式（Ｉ−ａ）で
示される化合物を製造することができる。この反応にお
いて使用される溶媒としては、例えば、メタノール、エ
タノール、またはイソプロピルアルコール等のアルコー
ル系溶媒；ベンゼン、トルエン、またはキシレン等の炭
化水素系溶媒；ジクロルメタン、またはクロロホルム等
のハロゲン化炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、ジイ
ソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、または１,
４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセトン、または
メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；酢酸メチル、ま
たは酢酸エチル等のエステル系溶媒；ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、またはジメチルアセトア
ミド等の非プロトン性極性溶媒；アセトニトリル、また
は水などを挙げることができる。また塩基としては、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、ま
たは炭酸水素カリウム等の炭酸塩類；水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等の水酸化金属類；ナトリウムメチ
ラート、またはナトリウムエチラート等の金属アルコラ
ード類；水素化ナトリウム、または水素化カリウム等の
水素化アルカリ金属等を挙げることができる。

【００８８】 Ｒ⁶が水素を示すときは、下記Ａ−５法によつて置換基
Ｒ⁷を導入することができる。

【００８９】Ａ−５法

【００９０】

【化２９】 ［式中、Ｚ¹、Ｚ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁵、Ｒ⁶およびｎは前記
と同じ意味を示し、Ｒ⁷は低級アルキル基を示す。］上
記Ａ−５法の反応式において、式（Ｉ−ｅ）で表される
化合物は、上記式（Ｉ−ｄ）のアミド誘導体を無溶媒な
いし適当な溶媒の存在下必要ならば適当な塩基を用い
て、氷点下−７８℃ないし溶媒の沸点の温度範囲におい
て、種々のアルキル化剤と１〜２４時間反応させること
により製造することができる。

【００９１】この反応において溶媒を使用する場合、そ
の例としては、たとえば、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の炭化水素系溶媒；ジクロルメタン、クロロホルム
等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１,４−
ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエチ
ルケトン等のケトン系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル等
のエステル系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド、ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極
性溶媒；アセトニトリル、水などを挙げることができ
る。

【００９２】また、塩基としては、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム等の炭酸塩類；水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム等の水酸化金属類；ナトリウムメチラート、ナト
リウムエチラート等の金属アルコラード類；水素化ナト
リウム、水素化カリウム等の水素化アルカリ金属類；リ
チウムジエチルアミド、リチウムジイソプロピルアミ
ド、リチウムビストリメチルシリルアミド等のリチウム
アミド類を挙げることができる。

【００９３】また、アルキル化剤としてヨウ化メチル、
臭化メチル、ヨウ化エチル、臭化エチル等のハロゲン化
低級アルキル類、ジアゾメタン、ジアゾエタン等のジア
ゾアルカン類、メチルトリフルオロメタンスルホナー
ト、エチルトリフルオロメタンスルホナート、メチルフ
ルオロスルホナート等のスルホン酸エステル類、トリメ
チルオキソニウムテトラフルオロボレート、トリエチル
オキソニウムテトラフルオロボレート等のアルキルオキ
ソニウム塩類を挙げることができる。

【００９４】Ａ−６法

【００９５】

【化３０】 ［式中、Ｘ、ｎ、Ｚ¹、Ｚ²およびＲ¹、Ｒ²は前記と同じ
意味を示し、Ｅはラセミ体または光学活性体の有機アミ
ンを示す。］上記の反応式において、式（ｒａｃ）−
（Ｉ−ａ）を適当な溶媒の存在下、室温ないし溶媒の沸
点の温度範囲において適当な有機塩基Ｅと反応させるこ
とにより（Ｉ−ｆ）の塩を製造することができる。この
塩は適当な酸と反応させることにより再び（ｒａｃ）−
（Ｉ−ａ）に導くことができる。

【００９６】また、上記式（ｒａｃ）−（Ｉ−ａ）で表
されるラセミ化合物を適当な溶媒の存在下、室温ないし
溶媒の沸点の温度範囲において適当な光学活性体の有機
アミンＥと反応させ、ジアステレオマー塩混合物とし、
次にこの混合物を適当な溶媒中で室温ないし溶媒の沸点
の温度範囲において再結晶し、精製することにより、光
学活性な塩（Ｉ−ｆ）を製造することができる。さらに
この塩を適当な溶媒の存在下、室温ないし溶媒の沸点の
温度範囲において適当な酸で分解することにより（＋）
−または（−）−（Ｉ−ａ）を製造することができる。

【００９７】この反応において溶媒を使用する場合、そ
の例としては、たとえば、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の炭化水素系溶媒；ジクロルメタン、クロロホルム
等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１,４−
ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエチ
ルケトン等のケトン系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル等
のエステル系溶媒；ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド、ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極
性溶媒；メチルアルコール、エチルアルコール、ノルマ
ルプロピルアルコール、イソプロピルアルコール、第三
ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；アセトニトリ
ル、水などを挙げることができる。

【００９８】また、アミンとしてはアンモニア、メチル
アミン、エチルアミン、ノルマルプロピルアミン、イソ
プロピルアミン、ノルマルブチルアミン、第二ブチルア
ミン、第三ブチルアミン、ノルマルヘキシルアミン、ノ
ルマルオクチルアミン、ノルマルノニルアミン、ノルマ
ルデシルアミン等のアルキルアミン類；ブルシン、シン
コニジン、シンコニン、デヒドロアビエチルアミン、１
−フエニルエチルアミン、モルフイン、デオキシエフエ
ドリン、ストリキニン、キニン、アンフエタミン、トレ
オ−２−アミノ−１−パラニトロフエニル−１,３−プ
ロパンジオール、または１−（１−ナフチル）エチルア
ミン等の（＋）体あるいは（−）体の有機アミン類を挙
げることができる。

【００９９】また、酸としては塩酸、硫酸、リン酸等の
鉱酸を挙げることができる。

【０１００】次に本発明の前記式（ＩＩ）および式
（Ｉ）に属する化合物の合成例を実施例により説明す
る。

【０１０１】

【実施例】実施例１ ；１−フルオロ−２−ヒドロキシ−１−シクロ
ペンタンカルボン酸メチルエステルのシス体（化合物番
号２ａ）の製造； まず、テトラヘドロン・レターズ第２７巻、３７号、４
４６５〜４４６８ページ（１９８６年）に記載される方
法を参考にして、２−オキソシクロペンタンカルボン酸
メチルから１−フルオロ−２−オキソシクロペンタンカ
ルボン酸メチルを製造した。次いで、乾燥ジグリム５０
ｍｌ中にトリメチルアミン−ボラン錯体２.３ｇ（０.０
３２ｍｏｌ）と前述の１−フルオロ−２−オキソシクロ
ペンタンカルボン酸メチル５.０ｇ（０.０３１ｍｏｌ）
を加えた溶液を０℃まで冷却し、窒素気流中で撹拌しな
がら、ボロントリフルオロライドエーテラート０.８ｍ
ｌを滴下した。この溶液を室温で１時間撹拌したのち、
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液中に注加しエーテルで抽
出した。エーテル層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、溶媒を留去してほとんどトランス体を含まない
目的の１−フルオロ−２−ヒドロキシシクロペンタンカ
ルボン酸メチルのシス体（化合物番号２ａ；１位メトキ
シカルボニル基を基準とした時に２位置換基がシス配置
をとると推定される物質）４.５ｇ（収率：８９％）を
得た。

【０１０２】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.３３
−３.０３（６Ｈ，ｍ）、３.８２（３Ｈ，ｓ）、４.０
７−４.６０（１Ｈ，ｍ）ｐｐｍ。

【０１０３】実施例２；１−フルオロ−２−ヒドロキシ
−１−シクロペンタンカルボン酸メチルエステルのトラ
ンス体（化合物番号２ｂ）の製造； 窒素気流下、室温で、ジメチルスルフイド−ボラン錯体
３.１ｍｌ（０.０３１ｍｏｌ）を乾燥テトラヒドロフラ
ン５０ｍｌに加えた。この溶液を０℃まで冷却し、実施
例１に示した文献に従つて合成した１−フルオロ−２−
オキソシクロペンタンカルボン酸メチルエステル５.０
ｇ（０.０３１ｍｏｌ）を滴下した。室温で１時間撹拌
したのち、溶媒を留去し、残液を水に注加し酢酸エチル
で抽出した。酢酸エチル層を水洗し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、溶媒を留去して１−フルオロ−２−ヒド
ロキシシクロペンタンカルボン酸メチルのシス体（化合
物番号２ａ；１位メトキシカルボニル基を基準とした時
に２位置換基がトランス配置をとると推定される物質）
およびトランス体（化合物番号２ｂ；１位メトキシカル
ボニル基を基準とした時に２位置換基がトランス配置を
とると推定される物質）から成る立体異性体混合物３.
７ｇ（収率：７３％）を得た。ガスクロマトグラフイー
による分析の結果、シス／トランス生成比は９／９１で
あつたが、この混合物をさらにシリカゲルカラムクロマ
トグラフイー（展開溶媒；ヘキサン／酢酸エチル＝１
０：１）によつて精製し、目的の１−フルオロ−２−ヒ
ドロキシシクロペンタンカルボン酸メチルのトランス体
（化合物番号２ｂ）３.３ｇ（収率：６５％）を得た。

【０１０４】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.３０
−２.９０（６Ｈ，ｍ）、３.８０（３Ｈ，ｓ）、４.０
３−４.６３（１Ｈ，ｍ）ｐｐｍ。

【０１０５】実施例３；１−フルオロ−２−ヒドロキシ
−１−シクロヘキサンカルボン酸エチルエステルのシス
体およびトランス体（化合物番号７３ａ、７３ｂ）の製
造； 窒素気流下、室温で、ジメチルスルフイド−ボラン錯体
３.１ｍｌ（０.０３１ｍｏｌ）を乾燥テトラヒドロフラ
ン５０ｍｌに加えた。この溶液を０℃まで冷却し、実施
例１の方法に従つて合成した１−フルオロ−２−オキソ
シクロヘキサンカルボン酸エチルエステル５.８ｇ（０.
０３１ｍｏｌ）を滴下した。室温で１時間撹拌したの
ち、減圧下で溶媒を留去し、残液を水に注加し酢酸エチ
ルで抽出した。酢酸エチル層を水洗し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、溶媒を留去して１−フルオロ−２−ヒ
ドロキシシクロヘキサンカルボン酸エチルエステルのシ
ス体（化合物番号７３ａ；１位エトキシカルボニル基を
基準とした時に２位置換基がトランス配置をとると推定
される物質）およびトランス体（化合物番号７３ｂ；１
位エトキシカルボニル基を基準とした時に２位置換基が
トランス配置をとると推定される物質）から成る立体異
性体混合物４.３ｇ（収率：８５％）を得た。この混合
物をさらにシリカゲルカラムクロマトグラフイー（展開
溶媒；ヘキサン／酢酸エチル＝１０：１）によつて精製
し、目的の１−フルオロ−２−ヒドロキシシクロペンタ
ンカルボン酸メチルエステルのシス体（化合物番号７３
ａ）１.６ｇ（収率：２７.２％）およびトランス体（化
合物番号７３ｂ）２.４ｇ（収率：４０.７％）を得た。

【０１０６】実施例４；１−フルオロ−２−ヒドロキシ
−１−シクロヘプタンカルボン酸メチルエステルのシス
体およびトランス体（化合物番号１３４ａ、１３４ｂ）
の製造； まず、実施例１に示した文献の方法を参考にして以下の
ように原料の１−フルオロ−２−オキソ−１−シクロヘ
プタンカルボン酸メチルエステルを合成した。乾燥テト
ラヒドロフラン４５ｍｌ中に水素化ナトリウム（６０％
鉱物油中懸濁物）０.８８ｇ（２２ｍｍｏｌ）を加え、
−５℃〜０℃の範囲で撹拌しながら３.４ｇ（２０ｍｍ
ｏｌ）の２−オキソシクロヘプタンカルボン酸メチルエ
ステルを滴下した。水素ガスの発生が止まつた時点でＮ
−フルオロ−２,４,６−トリメチルピリジニウムトリフ
ラート５.８ｇ（２０ｍｍｏｌ）を加え、室温に戻して
２時間撹拌を続けた。テトラヒドロフランを留去して内
容物を１Ｎの希塩酸水溶液中に注加し、酢酸エチルで抽
出した。酢酸エチル層を希塩酸水溶液で十分洗浄し、さ
らに飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和
食塩水で順次洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し
たのち、溶媒を留去して原料の１−フルオロ−２−オキ
ソ−１−シクロヘプタンカルボン酸メチルエステル２.
６３ｇ（収率：７０％）を得た。

【０１０７】メタノール２５ｍｌを５℃に冷却し、水酸
化ナトリウム７０ｍｇ（１.８ｍｍｏｌ）水素化ホウナ
トリウム０.１４ｇ（３.７ｍｍｏｌ）を加えた。この溶
液に、５℃〜１０℃の範囲で前述の１−フルオロ−２−
オキソ−１−シクロヘプタンカルボン酸メチルエステル
２.５ｇ（１３.３ｍｍｏｌ）メタノール溶液１０ｍｌを
滴下した。室温で２時間撹拌したのち、内容物を飽和食
塩水中に注加し酢酸エチルで抽出した。希塩酸、食塩
水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄
した。酢酸エチル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶
媒を留去して粗精製物２.３ｇを得た。これをシリカゲ
ルカラムクロマトグラフイー（展開溶媒：ヘキサン／イ
ソプロピルアルコール＝９９／１）によつて精製し、１
−フルオロ−２−ヒドロキシシクロヘプタンカルボン酸
メチルエステルのシス体（化合物番号１３４ａ；１位メ
トキシカルボニル基を基準とした時に２位置換基がシス
配置をとると推定される物質）１.４ｇ（収率：５５.４
％）¹ Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：０.９８−２.６２（１
０Ｈ，ｍ）、３.８０（３Ｈ，ｓ）、３.８８−４.３５
（１Ｈ，ｍ）ｐｐｍ。

【０１０８】およびトランス体（化合物番号１３４ｂ；
１位メトキシカルボニル基を基準とした時に２位置換基
がトランス配置をとると推定される物質）０.６ｇ（収
率：２３.７％）を得た。

【０１０９】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.１８
−２.７５（１０Ｈ，ｍ）、３.７８（３Ｈ，ｓ）、３.
９０−４.４０（１Ｈ，ｍ）ｐｐｍ。

【０１１０】実施例５；１−フルオロ−２−ヒドロキシ
−１−シクロオクタンカルボン酸エチルエステル（化合
物番号１５３）の製造； オーガニツク・シンセシス、コレクテイブボリユーム第
５巻、１９８ページ（１９７３年）に記載される方法に
したがつて、シクロオクタノンから２−オキソ−１−シ
クロオクタンカルボン酸エチルエステルを合成した。こ
れを実施例４と同様の方法によりフツ素化、還元して１
−フルオロ−２−ヒドロキシシクロオクタンカルボン酸
エチルエステルのシス体（１位メトキシカルボニル基を
基準とした時に２位置換基がシス配置をとると推定され
る物質）およびトランス体（１位メトキシカルボニル基
を基準とした時に２位置換基がトランス配置をとると推
定される物質）の混合物を得た。

【０１１１】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.３５
−２.８７（１２Ｈ，ｍ）、１.３０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝
７.０Ｈｚ）、３.８０−４.４０（１Ｈ，ｍ）、４.２５
（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７.０Ｈｚ）ｐｐｍ。

【０１１２】実施例６；２−アセトキシ−１−フルオロ
−１−シクロペンタンカルボン酸メチルエステルのシス
体（化合物番号３ａ）の製造； 実施例１で合成した１−フルオロ−２−ヒドロキシ−１
−シクロペンタンカルボン酸メチルエステルのシス体
（化合物番号２ａ）０.５ｇ（３ｍｍｏｌ）に室温し
た、無水酢酸０.３２ｇ（３ｍｍｏｌ）と触媒量の濃硫
酸を加え、５時間撹拌した。反応液を氷水中に注加し酢
酸エチルで抽出し、飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した。酢酸エチル層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去して目的の
２−アセトキシ−１−フルオロ−１−シクロペンタンカ
ルボン酸メチルエステルのシス体（化合物番号３ａ）
０.４５ｇ（収率：７２％）を得た。

【０１１３】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.５０
−２.９３（６Ｈ，ｍ）、２.０２（３Ｈ，ｓ）、３.７
７（３Ｈ，ｓ）、５.００−５.５０（１Ｈ，ｍ）ｐｐ
ｍ。

【０１１４】実施例７；２−ベンゾイルオキシ−１−フ
ルオロ−１−シクロペンタンカルボン酸メチルエステル
のシス体（化合物番号４ａ）の製造； 実施例１で合成した１−フルオロ−２−ヒドロキシ−１
−シクロペンタンカルボン酸メチルエステルのシス体
（化合物番号２ａ）０.５ｇ（３ｍｍｏｌ）とピリジン
２ｍｌの混合物に、氷冷下、ベンゾイルクロライド０.
４５ｇ（３ｍｍｏｌ）を加え、室温に戻して５時間撹拌
した。反応液を希塩酸水溶液に注加し、酢酸エチルで抽
出して飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽
和食塩水で順次洗浄した。酢酸エチル層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を留去して目的の２−ベンゾイ
ルオキシ−１−フルオロ−１−シクロペンタンカルボン
酸メチルエステルのシス体（化合物番号４ａ）０.６８
ｇ（収率：８４％）を得た。

【０１１５】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.４７
−３.０３（６Ｈ，ｍ）、３.７３（３Ｈ，ｓ）、５.２
０−５.７３（１Ｈ，ｍ）、７.２０−８.２２（５Ｈ，
ｍ）ｐｐｍ。

【０１１６】実施例８；１−フルオロ−２−メタンスル
ホニルオキシ−１−シクロペンタンカルボン酸メチルエ
ステルのシス体（化合物番号５ａ）の製造； 実施例１で合成した１−フルオロ−２−ヒドロキシ−１
−シクロペンタンカルボン酸メチルエステルのシス体
（化合物番号２ａ）０.５ｇ（３ｍｍｏｌ）とピリジン
２ｍｌの混合物に、氷冷下、メタンスルホニルクロライ
ド０.３６ｇ（３ｍｍｏｌ）を加え、０℃で５時間撹拌
した。反応液を氷水中に注加し、エーテルで抽出して冷
水で洗浄した。エーテル層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、溶媒を留去して目的の２−メタンスルホニルオキ
シ−１−フルオロ−１−シクロペンタンカルボン酸メチ
ルエステルのシス体（化合物番号５ａ）０.５９ｇ（収
率：８０％）を得た。

【０１１７】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.５２
−２.６３（６Ｈ，ｍ）、３.００（３Ｈ，ｓ）、３.８
１（３Ｈ，ｓ）、４.８０−５.２８（１Ｈ，ｍ）ｐｐ
ｍ。

【０１１８】実施例９；１−フルオロ−２−パラトルエ
ンスルホニルオキシ−１−シクロペンタンカルボン酸メ
チルエステルのシス体（化合物番号６ａ）の製造； 実施例１で合成した１−フルオロ−２−ヒドロキシ−１
−シクロペンタンカルボン酸メチルエステルのシス体
（化合物番号２ａ）０.５ｇ（３ｍｍｏｌ）とピリジン
２ｍｌの混合物に、氷冷下、パラトルエンスルホニルク
ロライド０.５６ｇ（３ｍｍｏｌ）を加え、室温に戻し
て５時間撹拌した。反応液を氷水中に注加し、エーテル
で抽出して冷水で洗浄した。エーテル層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を留去して目的の２−パラトル
エンスルホニルオキシ−１−フルオロ−１−シクロペン
タンカルボン酸メチルエステルのシス体（化合物番号６
ａ）０.７７ｇ（収率：７９％）を得た。

【０１１９】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.３７
−２.３７（６Ｈ，ｍ）、２.４６（３Ｈ，ｓ）、３.７
０（３Ｈ，ｓ）、４.２７−５.１７（１Ｈ，ｍ）、７.
００−８.２０（５Ｈ，ｍ）ｐｐｍ。

【０１２０】実施例１０；１−フルオロ−２−メトキシ
−１−シクロペンタンカルボン酸メチルエステルのトラ
ンス体（化合物番号１３ｂ）の製造； 水素化ナトリウム（６０％鉱物油中懸濁物）０.１２ｇ
（３ｍｍｏｌ）を乾燥ジメチルスルホキシド５ｍｌ中に
加え、５℃に冷却した。この溶液に、実施例２で合成し
た１−フルオロ−２−ヒドロキシ−１−シクロペンタン
カルボン酸メチルエステルのトランス体（化合物番号２
ｂ）０.５ｇ（３ｍｍｏｌ）ジメチルスルホキシド溶液
５ｍｌを滴下し、ヨウ化メチル０.４７ｇ（３.３ｍｍｏ
ｌ）を加え、室温に戻して２時間撹拌した。反応液を希
塩酸水溶液中に注加し、酢酸エチルで抽出し、飽和食塩
水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次
洗浄した。酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を留去して目的の２−メトキシ−１−フルオロ
−１−シクロペンタンカルボン酸メチルエステルのトラ
ンス体（化合物番号１３ｂ）０.３３ｇ（収率：６２
％）を得た。

【０１２１】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.４２
−２.６８（６Ｈ，ｍ）、３.３５（３Ｈ，ｓ）、３.８
０（３Ｈ，ｓ）、４.０３−５.００（１Ｈ，ｍ）ｐｐ
ｍ。

【０１２２】実施例１１；１−フルオロ−２−メトキシ
−１−シクロペンタンカルボン酸のトランス体（化合物
番号１２ｂ）の製造； 実施例１０で合成した１−フルオロ−２−メトキシ−１
−シクロペンタンカルボン酸メチルエステルのトランス
体（化合物番号１３ｂ）０.３５ｇ（２ｍｍｏｌ）をメ
タノール５ｍｌに溶解させ、５％水酸化カリウム水溶液
８ｍｌを加え、室温で２時間撹拌した。反応液を希塩酸
水溶液中に注加し、エーテルで抽出し、エーテル層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去して目的の２
−メトキシ−１−フルオロ−１−シクロペンタンカルボ
ン酸のトランス体（化合物番号１２ｂ）０.２６ｇ（収
率：８１％）を得た。

【０１２３】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.４３
−２.６０（６Ｈ，ｍ）、３.４３（３Ｈ，ｓ）、３.７
７−４.６７（１Ｈ，ｍ）、８.４７（１Ｈ，ｓ）ｐｐ
ｍ。

【０１２４】実施例１２；１−フルオロ−２−メトキシ
−１−シクロペンタンカルボン酸ターシヤリーブチルエ
ステルのシス体（化合物番号２０ａ）の製造； 実施例１で合成した１−フルオロ−２−ヒドロキシ−１
−シクロペンタンカルボン酸メチルエステルのシス体
（化合物番号２ａ）を実施例１０と同様の方法によりメ
チル化し、さらに実施例１１と同様の方法で加水分解し
て１−フルオロ−２−メトキシ−１−シクロペンタンカ
ルボン酸のシス体（化合物番号１２ａ）を得た。このカ
ルボン酸０.４ｇ（２.７ｍｍｏｌ）およびターシヤリー
ブチルアルコール０.２０ｇ（２.７ｍｍｏｌ）を５ｍｌ
のエーテルに溶かし、０.５６ｇ（２.７ｍｍｏｌ）のジ
シクロヘキシルカルボジイミドと４,４−ジメチルアミ
ノピリジン１５ｍｇを加えて室温で２時間撹拌した。反
応液をろ過し、ろ液にエーテルを加え、希塩酸水溶液、
飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩
水で順次洗浄した。エーテル層を無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、溶媒を留去して目的の２−メトキシ−１−フ
ルオロ−１−シクロペンタンカルボン酸ターシヤリーブ
チルエステルのシス体（化合物番号２０ａ）０.３１ｇ
（収率：５６％）を得た。

【０１２５】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.４７
−２.８０（６Ｈ，ｍ）、１.５３（９Ｈ，ｓ）、３.３
７（３Ｈ，ｓ）、３.５７−４.３７（１Ｈ，ｍ）ｐｐ
ｍ。

【０１２６】実施例１３；１−フルオロ−２−メトキシ
−１−シクロペンタンカルボン酸ターシヤリーブチルア
ミドのシス体（化合物番号２９ａ）の製造； 実施例１２に記載される１−フルオロ−２−メトキシ−
１−シクロペンタンカルボン酸のシス体（化合物番号１
２ａ）０.４ｇ（２.７ｍｍｏｌ）とトリエチルアミン
０.２７ｇ（２.７ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１０
ｍｌに溶解し、０℃まで冷却した。クロル炭酸エチル
０.２９ｇ（２.７ｍｍｏｌ）を滴下し、０℃で１時間撹
拌したのち、ターシヤリーブチルアミン０.２４ｇ（３.
２ｍｍｏｌ）を加え、室温でさらに１時間撹拌した。反
応混合物を水中に注加し、エーテルで抽出し、飽和食塩
水で洗浄した。エーテル層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、溶媒を留去して目的の１−フルオロ−２−メトキ
シ−１−シクロペンタンカルボン酸ターシヤリーブチル
アミドのシス体（化合物番号２９ａ）０.３ｇ（収率：
５５％）を得た。

【０１２７】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.４３
−２.５７（６Ｈ，ｍ）、１.３９（９Ｈ，ｓ）、３.３
７（３Ｈ，ｓ）、３.８３−４.２８（１Ｈ，ｍ）ｐｐ
ｍ。

【０１２８】実施例１４；１−フルオロ−２−メトキシ
−１−シクロペンタンカルボン酸ターシヤリーブチルチ
オ−ルエステルのトランス体（化合物番号３８ｂ）の製
造； 実施例１１で合成した１−フルオロ−２−メトキシ−１
−シクロペンタンカルボン酸のトランス体（化合物番号
１２ｂ）０.４ｇ（２.７ｍｍｏｌ）およびターシヤリー
ブチルチオール０.２４ｇ（２.７ｍｍｏｌ）をエーテル
５ｍｌに溶解させ、ジシクロヘキシルカルボジイミド
０.５６ｇ（２.７ｍｍｏｌ）と４,４−ジメチルアミノ
ピリジン１５ｍｇを加えて室温で２時間撹拌した。反応
液をろ過し、ろ液にエーテルを加え、希塩酸水溶液、飽
和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水
で順次洗浄した。エーテル層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、溶媒を留去して目的の２−メトキシ−１−フル
オロ−１−シクロペンタンカルボン酸ターシヤリーブチ
ルチオールエステルのトランス体（化合物番号３８ｂ）
０.４８ｇ（収率：８３％）を得た。

【０１２９】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.３０
−２.６０（６Ｈ，ｍ）、１.４８（９Ｈ，ｓ）、３.３
３（３Ｈ，ｓ）、３.４２−４.３７（１Ｈ，ｍ）ｐｐ
ｍ。

【０１３０】実施例１５；２−ベンジルオキシ−１−フ
ルオロ−１−シクロヘキサンカルボン酸エチルエステル
のトランス体（化合物番号１０７ｂ）の製造； 実施例３で合成した１−フルオロ−２−ヒドロキシ−１
−シクロヘキサンカルボン酸エチルエステルのトランス
体（化合物番号７３ｂ）０.５ｇ（３ｍｍｏｌ）を乾燥
テトラヒドロフラン５ｍｌに溶解し、０℃まで冷却して
水素化ナトリウム（６０％鉱物油中懸濁物）０.１２ｇ
（３ｍｍｏｌ）を加えた。水素ガスの発生が止まつた時
点で、ヨウ化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム１１ｍｇ
（３ｍｍｏｌ）とベンジルブロマイド０.５２ｇ（３ｍ
ｍｏｌ）を順次加えた。室温で５時間撹拌したのち、反
応液を希塩酸水溶液中に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。
酢酸エチル層を飽和食塩水、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、溶媒を留去することにより目的の２−ベンジルオ
キシ−１−フルオロ−１−シクロヘキサンカルボン酸エ
チルエステルのトランス体（化合物番号１０７ｂ）０.
３ｇ（収率：３６％）を得た。

【０１３１】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.２５
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ）、１.２３−２.３０（８Ｈ，
ｍ）、３.２３−４.００（１Ｈ，ｍ）、４.１８（２
Ｈ，ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ）、４.４３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２
Ｈｚ）、４.６０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２Ｈｚ）、７.２３
（５Ｈ，ｓ）ｐｐｍ。

【０１３２】実施例１６；２−ベンジルオキシ−１−フ
ルオロ−１−シクロヘキサンカルボン酸のシス体（化合
物番号１０５ａ）の製造； 実施例３で合成した１−フルオロ−２−ヒドロキシ−１
−シスヘキサンカルボン酸エチルエステルのシス体（化
合物番号７３ａ）を実施例１５と同様の方法でベンジル
化して、２−ベンジルオキシ−１−フルオロ−１−シク
ロヘキサンカルボン酸エチルエステルのシス体（化合物
番号１０７ａ）を得た。これを実施例１１と同様の方法
を用いて加水分解して目的の２−ベンジルオキシ−１−
フルオロ−１−シクロヘキサンカルボン酸のシス体（化
合物番号１０５ａ）を得た。

【０１３３】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：０.８０
−２.８５（８Ｈ，ｍ）、３.２８−４.１２（１Ｈ，
ｍ）、４.６０（１Ｈ，ｓ）、７.２７（５Ｈ，ｓ）ｐｐ
ｍ。

【０１３４】実施例１７；１−クロロ−２−ヒドロキシ
−１−シクロヘキサンカルボン酸エチル（化合物番号１
６４）の製造； まず、オーガニツク・シンセシス第４巻、１６２ページ
に記載される方法を参考にして２−オキソシクロカルボ
ン酸エチルから１−クロロ−２−オキソシクロヘキサン
カルボン酸エチルを製造した。２−オキソシクロカルボ
ン酸エチル１７ｇ（０.１ｍｏｌ）を四塩化炭素５０ｍ
ｌに溶解し、その溶液中に１５ｍｌの四塩化炭素に溶解
したスルフリルクロライド１４.８ｇ（０.１１ｍｏｌ）
を氷冷しながら滴下した。室温で２時間撹拌後、反応液
を１００ｍｌの氷水に注加し、５０ｍｌの四塩化炭素で
３回水洗し、７５ｍｌの飽和重曹水で２回、７５ｍｌの
飽和食塩水で１回洗い、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を留去して、１−クロロ−２−オキソシクロヘ
キサンカルボン酸エチル１８ｇ（収率、８８％）を得
た。ジメチルスルフイドボラン１.２２ｍｌ（２ｍｍｏ
ｌ）を４０ｍｌのテトラヒドロフランに溶解し、−５℃
から０℃で１−クロロ−２−オキソシクロヘキサンカル
ボン酸エチル２.５ｇ（１２ｍｍｏｌ）を滴下した。０
℃で１時間撹拌後、テトラヒドロフランを減圧留去し、
反応液を５０ｍｌの氷水に注加した。５０ｍｌの酢酸エ
チルで３回抽出し、得られた有機層を７５ｍｌの飽和食
塩水で１回洗い、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶
媒を留去して１−クロロ−２−ヒドロキシシクロヘキサ
ンカルボン酸エチルの立体異性体混合物２.２ｇを得
た。

【０１３５】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）；０.８４
−３.０２（８Ｈ，ｍ）、１.３（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈ
ｚ）、３.２５−４.４８（１Ｈ，ｍ）、４.２５（２
Ｈ，ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ）ｐｐｍ。

【０１３６】実施例１８；１−フルオロ−２−（４,６
−ジメトキシピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロ
ペンタンカルボン酸メチルのトランス体（化合物番号１
００３ｂ）の製造 実施例１の方法に従つて製造した１−フルオロ−２−ヒ
ドロキシシクロペンタンカルボン酸メチルのトランス体
１.５５ｇ（９.６ｍｍｏｌ）を４０ｍｌのジメチルホル
ムアミドに溶解し、その溶液中に水素化ナトリウム（鉱
物油中６０％懸濁物）０.３８ｇ（９.６ｍｍｏｌ）およ
び４,６−ジメトキシ−２−メチルスルホニルピリミジ
ン２.０ｇ（９.６ｍｍｏｌ）を加え、室温で５時間撹拌
した。反応液を１５０ｍｌの水中に注加し、５０ｍｌの
酢酸エチルで３回抽出し、得られた有機層を水洗して無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去して粗生成
物２.６ｇを得た。これをシリカゲルクロマトグラフイ
ー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１）で精
製して、目的の１−フルオロ−２−（４,６−ジメトキ
シピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロペンタンカ
ルボン酸メチルのシス体のトランス体（１位メトキシカ
ルボニル基を基準とした時に２位置換基がトランス配置
をとる）と推定される物質（化合物番号１００３ｂ）
０.６ｇ（収率：２０.９％）を得た。

【０１３７】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）；１.５３
−２.７７（ｍ，６Ｈ）、３.７１（ｓ，３Ｈ）、３.８
７（ｓ，６Ｈ）、５.３−５.７６（ｍ，１Ｈ）、５.６
３（ｓ，１Ｈ）ｐｐｍ。

【０１３８】実施例１９；１−クロロ−２−（４,６−
ジメトキシピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロヘ
キサンカルボン酸エチルのトランス体（化合物番号１２
０３ｂ）の製造 実施例１７の方法に従つて合成した１−クロロ−２−ヒ
ドロキシ−１−シクロヘキサンカルボン酸エチル２.１
ｇ（１０ｍｍｏｌ）を３０ｍｌのジメチルホルムアミド
に溶解し、その溶液中に水素化ナトリウム（鉱物油中６
０％懸濁物）０.４ｇ（１０ｍｍｏｌ）および４,６−ジ
メトキシ−２−メチルスルホニルピリミジン２.２ｇ
（１０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間撹拌した。反応
液を１５０ｍｌの水中に注加し、５０ｍｌの酢酸エチル
で３回抽出し、得られた有機層を水洗して、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。溶媒を留去して、粗生成物２.
９ｇを得た。これをシリカゲルクロマトグラフイー（展
開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１２／１）で精製し
て、目的の１−クロロ−２−（４.６−ジメトキシピリ
ミジニル−２−オキシ）−１−シクロヘキサンカルボン
酸エチルのトランス体（１位エトキシカルボニル基を基
準とした時に２位置換基がトランス配置をとる）と推定
される物質（化合物番号１２０３ｂ）０.３３ｇ（収
率：１０％）を得た。

【０１３９】実施例２０；１−フルオロ−２−（４,６
−ジメトキシピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロ
ペンタンカルボン酸のトランス体（化合物番号１００２
ｂ）の製造 実施例２の方法に従つて合成した１−フルオロ−２−
（４,６−ジメトキシピリミジニル−２−オキシ）−１
−シクロペンタンカルボン酸メチルのトランス体（化合
物番号１００３ｂ）０.６ｇ（２ｍｍｏｌ）をメタノー
ル５ｍｌ及び水１０ｍｌの混合溶液に加え、水酸化カリ
ウム０.３４ｇを加えて、４０℃で１時間撹拌したエタ
ノールを留去し反応液に３０ｍｌの水を加えたのち、希
塩酸で酸性とし、酢酸エチル３０ｍｌで３回抽出した。
酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留
去して目的の１−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシ
ピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロペンタンカル
ボン酸のトランス体（化合物番号１００２ｂ）０.２７
ｇ（収率：４７.２％）を得た。融点１２２−１２４
℃。

【０１４０】実施例２１；１−フルオロ−２−（４,６
−ジメトキシピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロ
ペンタンカルボン酸イソプロピルエステルのトランス体
（化合物番号１００６ｂ）の製造 前記１−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジ
ニル−２−オキシ）−１−シクロペンタンカルボン酸
（化合物番号１００２ｂ）０.５ｇ（１.７４ｍｍｏｌ）
のエーテル溶液１０ｍｌにイソプロピルアルコール０.
１２ｇ（１.７４ｍｍｏｌ）を加え、室温でジシクロヘ
キシルカルボジイミド０.４ｇ（１.９３ｍｍｏｌ）と
４,４−ジメチルアミノピリジン２０ｍｇを加えた。２
時間撹拌したのち、反応液をろ過し濃縮し、粗生成物を
得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフイー（展
開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）で精製し、目
的の１−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジ
ニル−２−オキシ）−１−シクロペンタンカルボン酸イ
ソプロピルエステルのトランス体（化合物番号１００６
ｂ）０.４ｇ（収率：７０％）を得た。

【０１４１】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.１６
（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６.２Ｈｚ）、１.２６（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝６.２Ｈｚ）、１.５１−２.６８（６Ｈ，ｍ）、３.８
９（６Ｈ，ｓ）、５.０３（１Ｈ，ｓｅｐ）、５.６６
（１Ｈ，ｓ）、５.３１−５.９５（１Ｈ，ｍ）ｐｐｍ。

【０１４２】実施例２２；１−フルオロ−２−（４,６
−ジメトキシピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロ
ペンタンカルボン酸エタンチオールエステルのトランス
体（化合物番号４２１４ｂ）の製造 前記１−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジ
ニル−２−オキシ）−１−シクロペンタンカルボン酸
（化合物番号１００２ｂ）０.５ｇ（１.７４ｍｍｏｌ）
のエーテル溶液１０ｍｌにエタンチオール０.１４ｍｌ
（１.７４ｍｍｏｌ）を加え、室温でジシクロヘキシル
カルボジイミド０.４ｇ（１.９３ｍｍｏｌ）と４,４−
ジメチルアミノピリジン２０ｍｇを加えた。２時間撹拌
したのち、反応液をろ過し濃縮し、粗生成物を得た。こ
れをシリカゲルカラムクロマトグラフイー（展開溶媒：
ヘキサン／酢酸エチル＝９／１）で精製し、目的の１−
フルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジニル−２
−オキシ）−１−シクロペンタンカルボン酸エタンチオ
ールエステルのトランス体（化合物番号４２１４ｂ）
０.３ｇ（収率：５２％）を得た。

【０１４３】実施例２３；１−フルオロ−２−（４,６
−ジメトキシピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロ
ヘキサンカルボン酸イソプロピルアミン塩のトランス体
（化合物番号１１１９ｂ）の製造 １−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジニル
−２−オキシ）−１−シクロヘキサンカルボン酸（化合
物番号１０８１ｂ）０.４ｇ（１.３４ｍｍｏｌ）のエタ
ノール溶液５ｍｌに室温でイソプロピルアミン０.８８
ｇ（１.５ｍｍｏｌ）を加え、３０分間撹拌したのち、
減圧濃縮して目的の１−フルオロ−２−（４,６−ジメ
トキシピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロヘキサ
ンカルボン酸イソプロピルアミン塩のトランス体（化合
物番号１１１９ｂ）０.４８ｇ（収率：９９％）を得
た。

【０１４４】実施例２４；Ｎ,Ｎ−ジメチル、１−フル
オロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジニル−２−オ
キシ）−１−シクロペンタンカルボキサミドのトランス
体（化合物番号４０１０ｂ）の製造 前記１−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジ
ニル−２−オキシ）−１−シクロペンタンカルボン酸
（化合物番号１００２ｂ）０.４ｇ（１.４ｍｍｏｌ）の
テトラヒドロフラン溶液６ｍｌを０℃に冷却し、トリエ
チルアミン０.１９ｍｌ（１.４ｍｍｏｌ）とクロル炭酸
エチル０.１３ｍｌ（１.４ｍｍｏｌ）を加えた。０℃で
１時間撹拌したのち、ジメチルアミン５０％水溶液０.
１５ｇを加え、さらに２時間撹拌した。反応液に水を加
え、エーテルで抽出し、エーテル層を希塩酸、飽和食塩
水で順次洗浄した。エーテル層を無水硫酸ナトリウムで
乾燥し、溶媒を留去し、粗生成物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフイー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝
１／９）で精製して目的のＮ,Ｎ−ジメチル、１−フル
オロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジニル−２−オ
キシ）−１−シクロペンタンカルボキサミドのトランス
体（化合物番号４０１０ｂ）０.２９ｇ（収率：６８
％）を得た。

【０１４５】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.６７
−２.６７（６Ｈ，ｍ）、２.７３−３.２０（６Ｈ，
ｍ）、３.８７（６Ｈ，ｓ）、５.６２（１Ｈ，ｓ）、
５.４７−６.０５（１Ｈ，ｍ）ｐｐｍ。

【０１４６】実施例２５；メチル、Ｏ−メトキシカルボ
ニルメチル−１−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシ
ピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロペンタンヒド
ロキシメート（化合物番号４０９６ｂ） １−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジニル
−２−オキシ）−１−シクロペンタンカルボン酸（化合
物番号１００２ｂ）０.８ｇ（２.８ｍｍｏｌ）のテトラ
ヒドロフラン溶液１０ｍｌにトリエチルアミン０.８ｍ
ｌを加え、０℃に冷却して、クロル蟻酸エチル０.２６
ｍｌ（２.８ｍｍｏｌ）を滴下した。１時間撹拌したの
ち、アミノオキシ酢酸メチル０.３６ｇ（３.４ｍｍｏ
ｌ）を加え、更に２時間撹拌した。反応液を飽和食塩水
中に注加し、エーテルで抽出し、エーテル層を希塩酸水
溶液、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで
乾燥し、溶媒を留去して粗生成物を得た。これをシリカ
ゲルカラムクロマトグラフイー（展開溶媒：ヘキサン／
酢酸エチル＝４／１）で精製して目的のＮ−メトキシカ
ルボニルメトキシ、１−フルオロ−２−（４,６−ジメ
トキシピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロペンタ
ンカルボキサミド（化合物番号４０４８ｂ）０.６６ｇ
（収率：６３％）を得た。

【０１４７】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.７０
−２.７７（６Ｈ，ｍ）、３.７６（３Ｈ，ｓ）、３.９
４（６Ｈ，ｓ）、４.４１（２Ｈ，ｓ）、５.７０（１
Ｈ，ｓ）、５.３３−６.００（１Ｈ，ｍ）、９.４３−
９.７３（１Ｈ，ｂｓ）ｐｐｍ。融点：６８−７０.２
℃。

【０１４８】次に、このアミド（化合物番号４０４８
ｂ）０.６６ｇ（１.７ｍｍｏｌ）のエーテル溶液１０ｍ
ｌに、氷冷下ジアゾメタン１.５等量を含むエーテル溶
液を加え１時間撹拌した。反応液に酢酸を加えて過剰の
ジアゾメタンを分解したのち、溶媒を留去し、得られた
粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフイー（展開
溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝９／１）で精製して目的
のメチル、Ｏ−メトキシカルボニルメチル−１−フルオ
ロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジニル−２−オキ
シ）−１−シクロペンタンヒドロキシメート（化合物番
号４０９６ｂ）０.６７ｇ（収率：９７％）を得た。

【０１４９】¹Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ₃）：１.５６
−２.５９（６Ｈ，ｍ）、３.６９（３Ｈ，ｓ）、３.９
２（６Ｈ，ｓ）、４.１０（３Ｈ，ｓ）、４.４４（２
Ｈ，ｓ）、５.６６（１Ｈ，ｓ）、５.３９−５.９２
（１Ｈ，ｍ）ｐｐｍ。融点７２.５−７４℃。

【０１５０】実施例２６；（＋）および（−）−１−フ
ルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジニル−２−
オキシ）−１−シクロペンタンカルボン酸のトランス体
（化合物番号１００２ｂ１、１００２ｂ２）およびそれ
らのメチルエステル（化合物番号１００３ｂ１、１００
３ｂ２）の製造 上記のようにして得られた１−フルオロ−２−（４,６
−ジメトキシピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロ
ペンタンカルボン酸（化合物番号１００２ｂ）６.１５
ｇ（２１.５ｍｍｏｌ）をイソプロピルアルコール４０
ｍｌに溶解させ、キニン７ｇ（２１.５ｍｍｏｌ）を加
え、生成した塩を加熱還流下溶解させた。室温で１夜放
置し、反応液をロ過すると１０.６５ｇの塩（１番晶と
称する）が得られた。この塩をさらに４０ｍｌのイソプ
ロピルアルコールから２回再結晶して純粋な（＋）−１
−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジニル−
２−オキシ）−１−シクロペンタンカルボン酸のトラン
ス体（化合物番号１００２ｂ１）のキニン塩４.４ｇを
得た。この塩３.５４ｇを１Ｎ塩酸４０ｍｌに溶かしエ
ーテル５０ｍｌを加えて１時間撹拌した。エーテル層を
分離し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去して
目的の（＋）−１−フルオロ−２−（４,６−ジメトキ
シピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロペンタンカ
ルボン酸のトランス体（化合物番号１００２ｂ１）１.
４９ｇ（２４.２％）を製造した。

【０１５１】［α］_D ³⁰＝＋３６.６２°（ｃ＝０.０７
１、ｉ−ＰｒＯＨ） 次に、上記１番晶を再結晶した母液を濃縮し、析出した
（−）−１−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリ
ミジニル−２−オキシ）−１−シクロペンタンカルボン
酸のトランス体（化合物番号１００２ｂ２）のキニン塩
３.５３ｇを上記と同様の方法により分解して、目的の
（−）−１−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリ
ミジニル−２−オキシ）−１−シクロペンタンカルボン
酸のトランス体（化合物番号１００２ｂ２）１.０９ｇ
（１７.７％）を製造した。

【０１５２】［α］_D ³⁰＝−３８.５５°（ｃ＝０.０８
３、ｉ−ＰｒＯＨ） 上記のようにして得られた（＋）体の光学活性カルボン
酸（化合物番号１００２ｂ１）１.４９ｇをエーテル２
０ｍｌに溶解させ、氷冷下、必要量のジアゾメタンのエ
ーテル溶液を加えてメチル化した。過剰のジアゾメタン
を酢酸で分解し、溶媒を留去して目的の（＋）−１−フ
ルオロ−２−（４,６−ジメトキシピリミジニル−２−
オキシ）−１−シクロペンタンカルボン酸メチルエステ
ルのトランス体（化合物番号１００３ｂ１）１.５ｇ
（９５.６％）を得た。

【０１５３】光学異性体分離カラム（ダイセル化学
（株）製ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ）で分析（溶媒系：
ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９／１、流速：２
ｍｌ／ｍｉｎ、検出波長：２５４ｎｍ）した結果、本エ
ステルは９９％の対掌体過剰であつた。

【０１５４】次に（−）−１−フルオロ−２−（４,６
−ジメトキシピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロ
ペンタンカルボン酸のトランス体（化合物番号１００２
ｂ２）１.０９ｇを、（＋）体と同様の方法でメチル化
して（−）−１−フルオロ−２−（４,６−ジメトキシ
ピリミジニル−２−オキシ）−１−シクロペンタンカル
ボン酸メチルエステルのトランス体（化合物番号１００
３ｂ２）１.１１ｇ（９６.４％）を得た。

【０１５５】（＋）体と同様の条件で分析した結果、本
エステルは８６.８％対掌体過剰であつた。

【０１５６】本発明の前記一般式（Ｉ）で表される化合
物は除草剤としての活性を有している。その場合には、
担体もしくは希釈剤、添加剤および補助剤等とそれ自体
公知の手法で混合して、通常農薬として用いられる製剤
形態、たとえば粉剤、粒剤、水和剤、乳剤、水溶剤、フ
ロアブル剤等に調製して使用される。また他の農薬、た
とえば殺菌剤、殺虫剤、殺ダニ剤、他の除草剤、植物生
長調節剤、肥料、または土壌改良剤等と混合または併用
して使用することができる。特に他の除草剤と混合使用
することにより、使用薬量を減少させ、また省力化をも
たらすのみならず、両薬剤の協力作用による殺草スペク
トラムの拡大並びに相乗作用による一層高い効果も期待
できる。

【０１５７】前記一般式（Ｉ）で表される本発明化合物
と混合して使用できる他の除草剤の具体例としては、例
えば、カーバメート系除草剤 ：メチル３,４−ジクロロフエニ
ルカーバメート（一般名：スウエツプ、Swep）、イソプ
ロピル３−クロロフエニルカーバメート（一般名：クロ
ルプロフアム、Chlorpropham）、Ｓ−（ｐ−クロロベン
ジル）Ｎ,Ｎ−ジエチルチオカーバメート（一般名：ベ
ンチオカーブ、Benthiocarb）、Ｓ−エチル−Ｎ,Ｎ−ヘ
キサメチレンチオカーバメート（一般名：モリネート、
Molinate）、Ｓ−（１−メチル−１−フエニルエチル）
ピペリジン−１−カルボチオエート（一般名：ジメピペ
レート、Dimepiperate）、Ｓ−ベンジル−Ｎ−エチル−
Ｎ−（１,２−ジメチルプロピル）チオールカーバメイ
ト（一般名：エスプロカルブ、Esprocarb）、［（メト
キシカルボニル）アミノ］フエニル（３−メチルフエニ
ル）カーバメート（一般名：フエンメジフアム、Phenme
dipham）、エチル３−フエニルカーバモイルオキシフエ
ニルカーバメート（一般名：デスメジフアム、Desmedip
ham）、Ｏ−（３−ｔｅｒｔ−ブチルフエニル）−Ｎ−
（６−メトキシ−２−ピリジル）−Ｎ−メチル−チオカ
ーバメート（一般名：ピリブチカルブ、Pyributycarb）
等；ウレア系除草剤 ：１−（α,α−ジメチルベンジル）−
３−（４−メチルフエニル）ウレア（一般名：ダイムロ
ン、Dymron）、３−（３,４−ジクロロフエニル）−１,
１−ジメチルウレア（一般名：ジウロン、Diuron）、
１,１−ジメチル−３−（α,α,α−トリフルオロ−ｍ
−トリル）ウレア（一般名：フルオメツロン、Fluometu
ron）、３−［４−（４−クロロフエノキシ）フエニ
ル］−１,１−ジメチルウレア（一般名：クロロクスロ
ン、Chloroxuron）、３−（３,４−ジクロロフエニル）
−１−メトキシ−１−メチルウレア（一般名：リニユロ
ン、Linuron）、３−（４−クロロフエニル）−１−メ
トキシ−１−メチルウレア（一般名：モノリニユロン、
Monolinurone）、３−（４−ブロモ−３−クロロフエニ
ル）−１−メトキシ−１−メチルウレア（一般名：クロ
ルブロムロン、Chlorbromron）、１−（α,α−ジメチ
ルベンジル）−３−（２−クロロベンジル）ウレア（コ
ード番号：ＪＣ−９４０）等；ハロアセトアミド系除草剤 ：２−クロロ−２′,６′−
ジエチル−Ｎ−メトキシメチルアセトアニリド（一般
名：アラクロール、Alachlor）、Ｎ−ブトキシメチル−
２−クロロ−２′,６′−ジエチルアセトアニリド（一
般名：ブタクロール、Butachlor）、２−クロロ−２′,
６′−ジエチル−Ｎ−（２−プロポキシエチル）アセト
アニリド（一般名：プレチラクロール、Pretilachlo
r）、２−クロロ−Ｎ−イソプロピルアセトアニリド
（一般名：プロパクロール、Propachlor）等；アミド系除草剤 ：３′,４′−ジクロロプロピオンアニ
リド（一般名：プロパニル、Propanil）、２−ブロモ−
Ｎ−（１,１−ジメチルベンジル）−３,３−ジメチルブ
タンアミド（一般名：ブロモブチド、Bromobutide）、
２−ベンゾチアゾール−２−イルオキシ−Ｎ−メチルア
セトアニリド（一般名：メフエナセツト、Mefenase
t）、Ｎ,Ｎ−ジメチルジフエニルアセトアミド（一般
名：ジフエナミド、Diphenamid）、Ｎ−［２′−（３′
メトキシ）−チエニルメチル］−Ｎ−クロロアセト−
２,６−ジメチルアニリド（コード番号：ＮＳＫ−８５
０）、２′,６−ジエチル−Ｎ−［（２−シス−ブテノ
オキシ）メチル］−２−クロロアセトアニリド（コード
番号：ＫＨ−２１８）等；ジニトロフエニル系除草剤 ：４,６−ジニトロ−ｏ−ク
レゾール（一般名：DNOC）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−
４,６−ジニトロフエノール（一般名：ジノタブ、Dinot
erb）、２−ｓｅｃ−ブチル−４,６−ジニトロフエノー
ル（一般名：ジノセブ、Dinoseb）、Ｎ,Ｎ−ジエチル−
２,６−ジニトロ−４−トリフルオロメチル−ｍ−フエ
ニレンジアミン（一般名：ジニトラミン、Dinitramin
e）、α,α,α−トリフルオロ−２,６−ジニトロ−Ｎ,
Ｎ−ジプロピル−ｐ−トルイジン（一般名：トリフルラ
リン、Trifluralin）、４−メチルスルホニル−２,６−
ジニトロ−Ｎ,Ｎ−ジプロピルアニリン（一般名：ニト
ラリン、Nitralin）、Ｎ−（１−エチルプロピル）−
２,６−ジニトロ−３,４−キシリジン（一般名：ペンデ
イメタリン、Pendimethalin）等；フエノキシ系除草剤 ：２,４−ジクロロフエノキシ酢酸
（一般名：２,４−Ｄ）、２,４,５−トリクロロフエノ
キシ酢酸（一般名：２,４,５−Ｔ）、４−クロロ−ｏ−
トリルオキシ酢酸（一般名：MCPA）、４−（４−クロロ
−ｏ−トリルオキシ）酪酸（一般名：MCPB）、２,４−
ジクロロフエノキシ酪酸（一般名：２,４−ＤＢ）、２
−（４−クロロ−ｏ−トリルオキシ）プロピオン酸（一
般名：メコプロツプ、Mecoprop）、２−（２,４−ジク
ロロフエノキシ）プロピオン酸（一般名：ジクロプロツ
プ、Dichlorprop）、（RS）−２−［４−（２,４−ジク
ロロフエノキシ）フエノキシ］プロピオン酸（一般名：
ジクロホツプ、Diclofop）及びそのエステル類、（RS）
−２−［４−（５−トリフロロメチル−２−ピリジルオ
キシ）フエノキシ）プロピオン酸（一般名：フルアジホ
ツプ、Fluazifop）及びそのエステル類、２−（２,４−
ジクロロ−３−メチルフエノキシ）プロピオンアニリド
（一般名：クロメプロツプ、Cromeprop）、Ｓ−エチル
−４−クロロ−２−メチルフエノキシチオアセテート
（一般名：フエノチオール、Phenothiol）、２−（２−
ナフトキシ）プロピオンアニリド（一般名：ナプロアニ
リド、Naproanilide）等；カルボン酸系除草剤 ：２,２−ジクロロプロピオン酸
（一般名：ダラポン、Dalapone）、トリクロロ酢酸（一
般名：TCA）、２,３,６−トリクロロ安息香酸（一般
名：２,３,６−TBA）、３,６−ジクロロ−ｏ−アニシツ
クアシツド（一般名：ジカンバ、Dicamba）、３−アミ
ノ−２,５−ジクロロ安息香酸（一般名：クロルアムベ
ン、Chloramben）等；有機リン系除草剤 ：Ｏ−エチル Ｏ−（２−ニトロ−５
−メチルフエニル）−Ｎ−ｓｅｃ−ブチルフオスフオロ
アミドチオエート（一般名：ブタミフオス、Butamif
o）、Ｏ,Ｏ−ジイソプロピル−Ｓ−（２−ベンゼンスル
フオニルアミノエチル）フオスフオロジチオエート（一
般名：SAP）、Ｓ−（２−メチルピペリジン−１−イ
ル）カルボニルメチル Ｏ,Ｏ−ジプロピルフオスフオ
ロジチオエート（一般名：ピペロフオス、Piperophos）
等；ベンゾニトリル系除草剤 ：２,６−ジクロロベンゾニト
リル（一般名：ジクロベニル、Dichlobenil）、３,５−
ジブロモ−４−ヒドロキシルベンゾニトリル（一般名：
ブロモキシニル、Bromoxynil）、４−ヒドロキシ−３,
５−ジヨードベンゾニトリル（一般名：イオキシニル、
Ioxynil）等；ジフエニルエーテル系除草剤 ：２,４−ジクロロフエニ
ル ４−ニトロフエニルエーテル（一般名：ニトロフエ
ン、Nitrofen）、２,４,６−トリクロロフエニル ４′
−ニトロフエニルエーテル（一般名：クロルニトロフエ
ン、Chlornitrofen）、２,４−ジクロロフエニル ３−
メトキシ−４−ニトロフエニルエーテル（一般名：クロ
メトキシニル、Chlomethoxynil）、メチル ５−（２,
４−ジクロロフエノキシ）−２−ニトロベンゾエート
（一般名：ビフエノツクス、Bifenox）、４−ニトロフ
エニル α,α,α−トリフルオロ−２−ニトロ−ｐ−ト
リルエーテル（一般名：フルオロジフエン、Fluorodife
n）、２−クロロ−４−トリフルオロメチルフエニル
３−エトキシ−４−ニトロフエニルエーテル（一般名：
オキシフルオルフエン、Oxyfluorfen）、５−（２−ク
ロロ−α,α,α−トリフルオロ−ｐ−トリルオキシ）−
２−ニトロ安息香酸（一般名：アシフルオルフエン、Ac
ifluorfen）等；トリアジン系除草剤 ：４−アミノ−３−メチル−６−フ
エニル−１,２,４−トリアジン−５（４Ｈ）−オン（一
般名：メタミトロン、Metamitron）、４−アミノ−６−
ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチルチオ−１,２,４−トリア
ジン−５（４Ｈ）−オン（一般名：メトリブジン、Metr
ibuzin）、２−クロロ−４,６−ビス（エチルアミノ）
−１,３,５−トリアジン（一般名：シマジン、Simazin
e）、２−クロロ−４−エチルアミノ−６−イソプロピ
ルアミノ−１,３,５−トリアジン（一般名：アトラジ
ン、Atrazine）、２,４−ビス（エチルアミノ）−６−
メチルチオ−１,３,５−トリアジン（一般名：シメトリ
ン、Simetoryne）、２,４−ビス（イソプロピルアミ
ノ）−６−メチルチオ−１,３,５−トリアジン（一般
名：プロメトリン、Prometryne）、２−メチルチオ−４
−エチルアミノ−６−（１,２−ジメチルプロピルアミ
ノ）−１,３,５−トリアジン（一般名：ジメタメトリ
ン、Dimetametryne）等；スルホニルウレア系除草剤 ：２−クロロ−Ｎ−［（４−
メトキシ−６−メチル−１,３,５−トリアジン−２−イ
ル）アミノカルボニル］ベンゼンスルフオンアミド（一
般名：クロルスルフロン、Chlorsulfuron）、メチル
２−｛［（（４,６−ジメトキシピリミジン−２−イ
ル）アミノカルボニル）アミノスルホニル］メチル｝ベ
ンゾエート（一般名：ベンスルフロンメチル、Bensulfu
ron methyl）、エチル ２−［（（４−クロロ−６−メ
トキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニル）アミ
ノスルホニル］ベンゾエート（一般名：クロリムロンエ
チル、Chlorimuron ethyl）、エチル ５−［（（４,６
−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニ
ル）アミノスルホニル］−１−メチル−１Ｈ−ピラゾー
ル−４−カルボキシレート（一般名：ピラゾスルフロン
エチル、Pyrazosulfuron ethyl）、２−（２−メトキシ
エトキシ）−Ｎ−［（４,６−ジメトキシ−１,３,５−
トリアジン−２−イル）アミノカルボニル］ベンゼンス
ルフオンアミド（一般名：シノスルフロン、Synosulfur
on）、２−クロロ−Ｎ−［（４,６−ジメトキシピリミ
ジン−２−イル）アミノカルボニル］イミダゾ［１,２
−ａ］ピリジン−３−スルフオンアミド（コード番号：
ＴＨ−９１３）等；ジアジン系除草剤 ：４−（２,４−ジクロロベンゾイ
ル）−１,３−ジメチルピラゾール−５−イル−ｐ−ト
ルエンスルホネート（一般名：ピラゾレート、Pyrazola
te）、１,３−ジメチル−４−（２,４−ジクロロベンゾ
イル）−５−フエナシルオキシピラゾール（一般名：ピ
ラゾキシフエン、Pyrazoxyfen）、１,３−ジメチル−４
−（２,４−ジクロロ−３−メチルベンゾイル）−５−
（４−メチルフエナシルオキシ）ピラゾール（一般名：
ベンゾフエナツプ、Benzofenap）等；その他の除草剤 ：３,６−ジクロロピリジン−２−カル
ボン酸（一般名：クロピラリド、Clopyralid）、４−ア
ミノ−３,５,６−トリクロロピリジン−２−カルボン酸
（一般名：ピクロラム、Picloram）、５−アミノ−４−
クロロ−２−フエニルピリダジン−３（２Ｈ）−オン
（一般名：クロリダゾン、Chloridazon）、３−シクロ
ヘキシル−１,５,６,７−テトラハイドロシクロペンタ
ピリミジン−２,４（３Ｈ）−ジオン（一般名：レナシ
ル、Lenacil）、５−ブロモ−３−ｓｅｃ−ブチル−６
−メチルウラシル（一般名：ブロマシル、Bromacil）、
３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−クロロ−６−メチルウラシ
ル（一般名：ターバシル、Terbacil）、３−イソプロピ
ル−１Ｈ−２,１,３−ベンゾチアジアジン−４（３Ｈ）
−オン−２,２−ジオキシド（一般名：ベンタゾン、Ben
tazone）、Ｎ−１−ナフチルフタラミン酸（一般名：ナ
プタラム、Naptalam）、Ｓ,Ｓ−ジメチル−２−（ジフ
ルオロメチル）−４−（２−メチルプロピル）−６−
（トリフルオロメチル）−３,５−ピリミジンカルボチ
オエート（コード番号：Ｍｏｎ−７２）、２,３−ジヒ
ドロ−３,３−ジメチル−５−ベンゾフラニルエタンス
ルフオネート（一般名：ベンフレセート、Benfuresat
e）、５−ｔｅｒｔ−ブチル−３−（２,４−ジクロロ−
５−イソプロポキシフエニル）−１,３,４−オキサジア
ゾール−２（３Ｈ）−オン（一般名：オキサジアゾン、
Oxadiazon）、エキソ−１−メチル−４−（１−メチル
エチル）−２−［（２−メチルフエニル）メトキシ］−
７−オキサビシクロ［２,２,１］ヘプタン（コード番
号：ＳＫＨ−３０１）等を挙げることができる。

【０１５８】本発明の化合物を単独または他の除草剤と
混合して製剤するに際して用いられる担体若しくは希釈
剤としては、一般に農業上使用される固体ないしは液体
の担体が用いられる。固体担体としてはカオリナイト
群、モンモリロナイト群、イライト群あるいはアパタル
ジヤイト群等で代表されるクレー類やタルクおよびけい
そう土、マグネシウム石炭、りん炭石、ゼオライト、ゼ
オライド、無水ケイ酸、合成ケイ酸カルシウム等の無機
物質；大豆粉、タバコ粉、クルミ粉、小麦粉、木粉、で
んぷん、結晶セルロース等の植物性有機物質；クマロン
樹脂、石油樹脂、アルキツド樹脂、ポリ塩化ビニル、ポ
リアルキレングリコール、ケトン樹脂、エステルガム、
コーバルガム、ダンマルガム等の合成または天然の高分
子化合物；そのほかカルナウバロウ、蜜ロウ等のワツク
ス類あるいは尿素等が例示できる。適当な液体担体とし
ては、たとえば、ケロシン、鉱油、スピンドル油、また
はホワイトオイル等のパラフイン系もしくはナフテン系
炭化水素；トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメ
ン、またはメチルナフタレン等の芳香族炭化水素；ジオ
キサン、またはテトラヒドロフランのようなエーテル
類；メチルエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノン、アセトフエノン、またはイソホロン等のケ
トン類；酢酸エチル、酢酸アミル、エチレングリコール
アセテート、ジエチレングリコールアセテート、マレイ
ン酸ジブチル、またはコハク酸ジエチル等のエステル
類；メタノール、ｎ−ヘキサノール、エチレングリコー
ル、ジエチレングリコール、シクロヘキサノール、また
はベンジルアルコール等のアルコール類、エチレングリ
コールエチルエーテル、エチレングリコールフエニルエ
ーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、または
ジエチレングリコールブチルエーテル等のエーテルアル
コール類；ジメチルホルムアミド、またはジメチルスル
ホキシド等の極性溶媒あるいは水等が挙げられる。

【０１５９】そのほかに本発明の化合物の乳化、分散、
湿潤、拡展、結合、崩壊性調節、有効成分安定化、流動
性改良、防錆等の目的で界面活性剤その他の補助剤を使
用することもできる。使用される界面活性剤の例として
は、非イオン性、陰イオン性、陽イオン性および両性イ
オン性のいずれのものをも使用しうるが、通常は非イオ
ン性および（または）陰イオン性の化合物が使用され
る。

【０１６０】適当な非イオン性界面活性剤としては、た
とえば、ラウリルアルコール、ステアリルアルコール、
またはオレイルアルコール等の高級アルコールにエチレ
ンオキシドを重合付加させた化合物；イソオクチルフエ
ノール、またはノニルフエノール等のアルキルフエノー
ルにエチレンオキシドを重合付加させた化合物；ブチル
ナフトール、またはオクチルナフトール等のアルキルナ
フトールにエチレンオキシドを重合付加させた化合物；
パルミチン酸、またはステアリン酸、オレイン酸等の高
級脂肪酸にエチレンオキシドを重合付加させた化合物；
ソルビタン等の多価アルコールの高級脂肪酸エステル及
びそれにエチレンオキシドを重合付加させた化合物；エ
チレンオキシドとプロピレンオキシドをブロツク重合付
加させた化合等が挙げられる。

【０１６１】適当な陰イオン性界面活性剤としてはたと
えばラウリル硫酸ナトリウム、またはオレイルアルコー
ル硫酸エステルアミン塩等のアルキル硫酸エステル塩；
スルホこはく酸ジオクチルエステルナトリウム、または
２−エチルヘキセンスルホン酸ナトリウム等のアルキル
スルホン酸塩；イソプロピルナフタレンスルホン酸ナト
リウム、メチレンビスナフタレンスルホン酸ナトリウ
ム、リグニンスルホン酸ナトリウム、またはドデシルベ
ンゼンスルホン酸ナトリウム等のアリールスルホン酸塩
等が挙げられる。

【０１６２】更に本発明の除草剤には製剤の性状を改善
し、除草効果を高める目的で、カゼイン、ゼラチン、ア
ルブミン、ニカワ、アルギン酸ソーダ、カルボキシメチ
ルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシエチルセ
ルロース、ポリビニルアルコール等の高分子化合物や他
の補助剤を併用することもできる。

【０１６３】上記の担体および種々の補助剤は製剤の剤
型、適用場面等を考慮して、目的に応じてそれぞれ単独
あるいは組み合わせて適宜使用される。

【０１６４】このようにして得られた各種製剤形におけ
る本発明の化合物（有効成分）含有率は製剤形により種
々変化するものであるが、通常０.１〜９９重量％が適
当であり、とりわけ１〜８０重量％が最も好ましい。

【０１６５】粉剤の場合は、たとえば有効成分化合物を
通常１〜２５重量％含有し、残部は固体担体である。

【０１６６】水和剤の場合は、たとえば有効成分化合物
を通常２５〜９０重量％含有し、残部は固体担体、分散
湿潤剤であつて、必要に応じて保護コロイド剤、消泡剤
等が加えられる。

【０１６７】粒剤の場合は、たとえば有効成分化合物を
通常１〜３５重量％含有し、残部は大部分が固体担体及
び界面活性剤等である。有効成分化合物は固体担体と均
一に混合されているか、あるいは固体担体の表面に均一
に固着もしくは吸着されており、粒の径は約０.２ない
し１.５ｍｍである。

【０１６８】乳剤の場合は、たとえば有効成分化合物を
通常５〜６０重量％含有しており、これに約５ないし２
０重量％の乳化剤が含まれ、残部は液体担体であり、必
要に応じて防錆剤が加えられる。

【０１６９】フロアブル剤の場合は、たとえば有効成分
化合物を通常５〜５０重量％含有しており、これに３な
いし１０重量％の分散湿潤剤が含まれ、残部は水であ
り、必要に応じて保護コロイド剤、防腐剤、消泡剤等が
加えられる。

【０１７０】本発明のハロゲン化シクロアルカンカルボ
ン酸誘導体は、一般式（Ｉ）の化合物のままあるいは上
述した様な任意の調製形態で施用することができる。

【０１７１】本発明の除草剤は、水田及び畑地に生育す
る発生前から生育期までの諸雑草の駆除または防除に施
用できる。その施用量は一般式（Ｉ）で表される化合物
量（有効成分量）として１ｈａ当たり、０.０００１〜
５ｋｇ程度、好ましくは０.００１〜０.５ｋｇ程度であ
り、目的とする雑草の種類、生育段階、施用場所、施用
時期、天候等によつて適宜に選択変更できる。

【０１７２】次に、本発明の化合物を用いて製剤例の数
態様を示す。下記製剤例中の「部」は重量基準である。

【０１７３】製剤例１（粒剤） 化合物番号１００２ｂ ５部 ベントナイト ４０部 タルク ５２部 リグニンスルホン酸ソーダ ２部 ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル １部 以上を充分に混合した後、適量の水を加えて混練し、造
粒機を用いて造粒して粒剤１００部を得た。

【０１７４】製剤例２（水和剤） 化合物番号１００２ｂ ２０部 ケイソウ土 ６０部 ホワイトカーボン １５部 リグニンスルホン酸ソーダ ３部 ジアルキルナフタレンスルホン酸ソーダ ２部 以上を混合し、ジエツトミルで均一に混合粉砕して水和
剤１００部を得た。

【０１７５】製剤例３（乳剤） 化合物番号１００２ｂ ３０部 キシレン ５５部 シクロヘキサノン １０部 ドデシルベンゼンスルホン酸カルシウム ３部 ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル ２部 以上を均一に混合溶解して乳剤１００部を得た。

【０１７６】上述の製剤例に準じて本発明の化合物を用
いた薬剤がそれぞれ製剤できた。

【０１７７】

【発明の効果】本発明の前記一般式（Ｉ）で表される、
ハロゲン化シクロアルカンカルボン酸誘導体は、文献未
記載の新規な化合物である。本発明の前記一般式（Ｉ）
で表される化合物は、構造が比較的簡単なハロゲン化シ
クロアルカンカルボン酸部と、その４位と６位に特定の
置換基が結合しているピリミジン環もしくはトリアジン
環部が、酸素原子を介して結合した構造をとつているこ
とが特徴であり、その構造的特徴によつて、優れた除草
作用が発現するものと考えられる。

【０１７８】本発明の化合物及び除草剤は農耕地に生育
する発生前から生育期までの諸雑草を防除できる。たと
えば、ノビエ、ホタルイ、ミズガヤツリ、コナギ、アゼ
ナ、ミゾハコベ、キカシグサ、マツバイ、ウリカワ等の
水田雑草や、メヒシバ、エノコログサ、オヒシバ、スズ
メノヒエ、スズメノテツポウ、ハコベ、タデ類、ヒユ
類、イチビ、シロザ、アメリカキンコジカ、アサガオ
類、シロバナチヨウセンアサガオ、オナモミ、ブタク
サ、ナズナ、タネツケバナ、センダングサ、ヤエムグ
ラ、野性カラシナ、野性ヒマワリ、ソバカズラ等の畑地
諸雑草を防除できる。更に水田、畑地のみならず、果樹
園、桑園、芝生、非農耕地においても使用することがで
きる。

【０１７９】しかも、本発明化合物はある種の栽培作物
に選択性を有し、特に、ワタ、ダイズ、トウモロコシ等
の作物の選択性に優れている。

【０１８０】次に除草効果を試験例をあげて説明する。

【０１８１】試験例１（畑地茎葉処理） 角型ポツト（３０×３０×１２ｃｍ）に畑地土壌を充填
し、第１２表に示す各種作物および各種雑草種子を一定
量ずつ播種し、各植物が１.５〜３葉期になるまで温室
内で生育させた。第１２表に示した本発明化合物を製剤
例２に準じた水和剤に調製し、その水希釈液を第１２表
に示した有効成分量になるように５００ｌ／ｈａの散布
量相当で各植物の茎葉にむらなく散布した。薬剤散布を
行つてから２１日後に各種雑草への除草効果及び各種作
物の薬害程度を下記第１１表の基準に従つて判別した。
その結果を第１２表に示す。

【０１８２】試験例２（畑地発芽前土壌処理） 角型ポツト（３０×３０×１２ｃｍ）に畑地土壌を充填
し、第１３表に示す各種作物及び各種雑草種子を一定量
ずつ播種した後、１ｃｍの覆土をした。第１３表に示し
た本発明化合物を製剤例２に準じた水和剤に調製し、そ
の希釈液を第１３表に示した有効成分量となるように５
００ ｌ／ｈａの散布量相当で土壌表面にむらなく散布
した。薬剤散布を行つてから２１日後に各種雑草への除
草効果及び各種作物の薬害程度を試験例１の基準にした
がつて判別した。その結果を第１３表に示す。

【０１８３】試験例３（非選択茎葉処理試験） 角型ポツト（３０×３０×１２ｃｍ）に畑地土壌を充填
し、第１５表に示す各種雑草種子を一定量ずつ播種し、
各植物が１.５〜３葉期になるまで温室内で生育させ
た。第１５表に示した本発明化合物を製剤例２に準じた
水和剤に調製し、その水希釈液を第１５表に示した有効
成分量になるように５００ｌ／ｈａの散布量相当で展着
剤 Surfactant WK［丸和バイオケミカル（株）製］を
０.２５％となるように加えて各植物の茎葉にむらなく
散布した。薬剤散布を行つてから２１日後に各種雑草へ
の除草効果を下記第１４表の基準に従つて判別した。そ
の結果を第１５表に示す。

【０１８４】試験例４（非選択発芽前土壌処理試験） 角型ポツト（３０×３０×１２ｃｍ）に畑地土壌を充填
し、第１６表に示す各種雑草種子を一定量ずつ播種した
後、１ｃｍの覆土をした。第１６表に示した本発明化合
物を製剤例２に準じた水和剤に調製し、その希釈液を第
１６表に示した有効成分量となるように５００ｌ／ｈａ
の散布量相当で土壌表面にむらなく散布した。薬剤散布
を行つてから２１日後に各種雑草への除草効果を試験例
３の基準にしたがつて判別した。その結果を第１６表に
示す。

【０１８５】

【表１１】

【０１８６】

【表１２】

【０１８７】

【表１３】

【０１８８】

【表１４】

【０１８９】

【表１５】

【０１９０】

【表１６】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ａ０１Ｎ 43/82 １０４ 8930−4Ｈ Ｃ０７Ｃ 47/37 9049−4Ｈ 62/02 8827−4Ｈ 62/08 8827−4Ｈ 62/34 8827−4Ｈ 69/63 9279−4Ｈ 69/75 Ｚ 9279−4Ｈ 69/757 Ｂ 9279−4Ｈ Ｚ 9279−4Ｈ Ｃ 9279−4Ｈ 69/76 Ｚ 9279−4Ｈ 235/40 7106−4Ｈ 251/42 9160−4Ｈ 251/56 9160−4Ｈ 251/58 9160−4Ｈ 251/60 9160−4Ｈ 251/66 9160−4Ｈ 309/65 9160−4Ｈ 309/67 9160−4Ｈ Ｃ０７Ｄ 239/34 8615−4Ｃ 239/52 8615−4Ｃ 239/56 8615−4Ｃ 239/60 8615−4Ｃ 251/26 251/34 Ｊ 251/38 401/12 8829−4Ｃ 403/12 8829−4Ｃ 405/12 8829−4Ｃ 417/12 9051−4Ｃ (31)優先権主張番号 特願平3−50523 (32)優先日 平３(1991)２月22日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−128188 (32)優先日 平３(1991)５月２日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−128208 (32)優先日 平３(1991)５月２日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 渡邊 美地 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 高橋 孝子 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 青木 孝子 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 外島 徳重 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 遠藤 恵次 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 向田 秀司 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 川口 真二 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 日暮 理加 茨城県稲敷郡阿見町中央８丁目３番１号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 式中、Ｘはハロゲン原子を示す、ｎは０〜３までの整数
   を示す、Ｚ¹およびＺ²はそれぞれ窒素原子または基ＣＨ
   を示すが、Ｚ¹が窒素原子であるときＺ²は窒素原子また
   は基ＣＨを示し、Ｚ¹が基ＣＨであるときＺ²は窒素原子
   を示す、Ｒ¹およびＲ²はそれぞれ独立して水素原子、ハ
   ロゲン原子、モノ或いはジ低級アルキル置換アミノを示
   すか、それぞれの場合ハロゲン原子で置換されていても
   よい低級アルキル、低級アルコキシまたは低級アルキル
   チオを示す、Ａは酸素原子または基＝Ｎ−Ｂを示す、こ
   こでＢは、ヒドロキシ、低級アルキルカルボニルオキシ
   またはそれぞれの場合、ヒドロキシカルボニル或いは低
   級アルコキシカルボニルで随時置換されていてもよい低
   級アルコキシを示す、Ｙは水素原子、ヒドロキシ、それ
   ぞれの場合にハロゲン原子、ヒドロキシ、低級アルキ
   ル、低級アルコキシ、低級アルキルチオ、低級アルコキ
   シカルボニル、低級アルキルカルボニル、シアノ、ニト
   ロまたはアジドで随時置換されていてもよい低級アルコ
   キシ、低級アルケノキシ、低級アルキノキシ、低級アル
   キルチオ、アリールオキシ、アラルキルオキシ、アリー
   ルチオ、アラルキルチオ、低級シクロアルコキシ、低級
   シクロアルケニルオキシ、ピリジルチオ、フリルメチル
   オキシ、フリルチオまたはチエニルオキシを示すか、或
   いはアジド、トリ低級アルキル置換シリルオキシまたは
   イミドオキシを示すか、或いは ［ここでＲ³およびＲ⁴はそれぞれ独立して水素原子、低
   級アルキル、低級アルコキシ、アリールまたはアラルキ
   ルを示し、またＲ³およびＲ⁴は互いにそれらが結合して
   いる炭素原子と共に低級シクロアルカン環を形成してい
   てもよい、Ｒ⁵およびＲ⁶はそれぞれ独立して水素原子、
   ヒドロキシ、低級アルキル、低級アルケニル、低級アル
   キニル、低級アルコキシ、低級アルケノキシ、低級アル
   キノキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、シアノ、ハ
   ロゲン原子で置換されていてもよい低級アルキルスルホ
   ニル、低級アルコキシカルボニルで置換された低級アル
   キル、ヒドロキシカルボニルで置換された低級アルキ
   ル、低級アルコキシカルボニルで置換された低級アルコ
   キシ、ヒドロキシカルボニルで置換された低級アルコキ
   シ、それぞれの場合にハロゲン原子、ヒドロキシ、低級
   アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン原子で置換された
   低級アルキル、シアノ、ニトロ、アミノ、モノ或いはジ
   −低級アルキル置換アミノまたは低級アルコキシカルボ
   ニルで随時置換されていてもよいアリール、アラルキ
   ル、アリールオキシ、アラルキルオキシ、アリールカル
   ボニルオキシ、ピリジル、 【化２】 （ここでＺ³は酸素原子、基ＣＨまたは硫黄原子を示
   し、Ｚ⁴は窒素原子または基ＣＨを示し、Ｚ¹およびＺ²
   は前記と同じ定義を意味し、ｍは０または１の整数を （ここでＲ⁷およびＲ⁸は、水素原子、低級アルキル、低
   級アルコキシカルボニル、低級アルコキシカルボニルで
   置換された低級アルキル、ヒドロキシカルボニルで置換
   された低級アルキル、またはそれぞれの場合にハロゲン
   原子、低級アルキル、ハロゲン原子で置換された低級ア
   ルキル、低級アルコキシ、シアノ、アミノまたはニトロ
   で随時置換されていてもよいアリール、アラルキル、ピ
   リジルまたはベンゾチアゾリルを示す）］で表されるハ
   ロゲン化シクロアルカンカルボン酸誘導体およびその塩
   類。
2. 【請求項２】 一般式（Ｉ） 【化３】 式中、Ｘはハロゲン原子を示す、ｎは０〜３までの整数
   を示す、Ｚ¹およびＺ²はそれぞれ窒素原子または基ＣＨ
   を示すが、Ｚ¹が窒素原子であるときＺ²は窒素原子また
   は基ＣＨを示し、Ｚ¹が基ＣＨであるときＺ²は窒素原子
   を示す、Ｒ¹およびＲ²はそれぞれ独立して水素原子、ハ
   ロゲン原子、モノ或いはジ低級アルキル置換アミノを示
   すか、それぞれの場合ハロゲン原子で置換されていても
   よい低級アルキル、低級アルコキシまたは低級アルキル
   チオを示す、Ａは酸素原子または基＝Ｎ−Ｂを示す、こ
   こでＢは、ヒドロキシ、低級アルキルカルボニルオキシ
   またはそれぞれの場合、ヒドロキシカルボニル或いは低
   級アルコキシカルボニルで随時置換されていてもよい低
   級アルコキシを示す、Ｙは水素原子、ヒドロキシ、それ
   ぞれの場合にハロゲン原子、ヒドロキシ、低級アルキ
   ル、低級アルコキシ、低級アルキルチオ、低級アルコキ
   シカルボニル、低級アルキルカルボニル、シアノ、ニト
   ロまたはアジドで随時置換されていてもよい低級アルコ
   キシ、低級アルケノキシ、低級アルキノキシ、低級アル
   キルチオ、アリールオキシ、アラルキルオキシ、アリー
   ルチオ、アラルキルチオ、低級シクロアルコキシ、低級
   シクロアルケニルオキシ、ピリジルチオ、フリルメチル
   オキシ、フリルチオまたはチエニルオキシを示すか、或
   いはアジド、トリ低級アルキル置換シリルオキシまたは
   イミドオキシを示すか、或いは ［ここでＲ³およびＲ⁴はそれぞれ独立して水素原子、低
   級アルキル、低級アルコキシ、アリールまたはアラルキ
   ルを示し、またＲ³およびＲ⁴は互いにそれらが結合して
   いる炭素原子と共に低級シクロアルカン環を形成してい
   てもよい、Ｒ⁵およびＲ⁶はそれぞれ独立して水素原子、
   ヒドロキシ、低級アルキル、低級アルケニル、低級アル
   キニル、低級アルコキシ、低級アルケノキシ、低級アル
   キノキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、シアノ、ハ
   ロゲン原子で置換されていてもよい低級アルキルスルホ
   ニル、低級アルコキシカルボニルで置換された低級アル
   キル、ヒドロキシカルボニルで置換された低級アルキ
   ル、低級アルコキシカルボニルで置換された低級アルコ
   キシ、ヒドロキシカルボニルで置換された低級アルコキ
   シ、それぞれの場合にハロゲン原子、ヒドロキシ、低級
   アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン原子で置換された
   低級アルキル、シアノ、ニトロ、アミノ、モノ或いはジ
   −低級アルキル置換アミノまたは低級アルコキシカルボ
   ニルで随時置換されていてもよいアリール、アラルキ
   ル、アリールオキシ、アラルキルオキシ、アリールカル
   ボニルオキシ、ピリジル、 【化４】 （ここでＺ³は酸素原子、基ＣＨまたは硫黄原子を示
   し、Ｚ⁴は窒素原子または基ＣＨを示し、Ｚ¹およびＺ²
   は前記と同じ定義を意味し、ｍは０または１の整数を （ここでＲ⁷およびＲ⁸は、水素原子、低級アルキル、低
   級アルコキシカルボニル、低級アルコキシカルボニルで
   置換された低級アルキル、ヒドロキシカルボニルで置換
   された低級アルキル、またはそれぞれの場合にハロゲン
   原子、低級アルキル、ハロゲン原子で置換された低級ア
   ルキル、低級アルコキシ、シアノ、アミノまたはニトロ
   で随時置換されていてもよいアリール、アラルキル、ピ
   リジルまたはベンゾチアゾリルを示す）］で表されるハ
   ロゲン化シクロアルカンカルボン酸誘導体およびその塩
   類を有効成分として含有する除草剤。
3. 【請求項３】 一般式（ＩＩ） 【化５】 式中、Ｘ、Ａ、ｎおよびＹは一般式（Ｉ）の定義と同じ
   ものを意味する、Ｖは、水素原子、低級アルキル、低級
   アルキルカルボニル、低級アルキルスルホニルまたは、
   それぞれの場合ハロゲン原子、ヒドロキシ、ニトロ、シ
   アノ、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン置換低
   級アルキル、ハロゲン置換低級アルコキシ、アミノまた
   はモノ或いはジ低級アルキル置換アミノで随時置換され
   ていてもよいアラルキル、アリールカルボニルまたはア
   リールスルホニルを示す、で表わされるハロゲン化シク
   ロアルカノール誘導体。