JPH05204135A - Method for correcting pattern by focused ion beam - Google Patents
Method for correcting pattern by focused ion beamInfo
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- JPH05204135A JPH05204135A JP3344588A JP34458891A JPH05204135A JP H05204135 A JPH05204135 A JP H05204135A JP 3344588 A JP3344588 A JP 3344588A JP 34458891 A JP34458891 A JP 34458891A JP H05204135 A JPH05204135 A JP H05204135A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
パターン形成プロセスにおける、パターン欠陥を集束イ
オンビームにより除去してパターンを修正する方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of removing a pattern defect by a focused ion beam in a pattern forming process of a semiconductor integrated circuit device to correct the pattern.
【０００２】[0002]
【従来の技術】超ＬＳＩ回路装置の微細化に伴って、回
路パターンをより高精度に形成することが要求されてき
ている。一旦形成した回路パターンの欠陥部分を修正す
る場合においても同様に高精度でしかも、修正部分以外
の部分には影響がないようなパターン修正方法が要求さ
れる。2. Description of the Related Art With the miniaturization of VLSI circuit devices, it is required to form circuit patterns with higher precision. Even in the case of repairing a defective portion of a circuit pattern once formed, a pattern repairing method is required which has high accuracy and does not affect a portion other than the repaired portion.
【０００３】加工精度の向上により、たとえば０．３μ
ｍ以下の線幅ないしスペース幅を持つパターンを実現す
るためＸ線露光技術が開発されている。Ｘ線露光用マス
クは、たとえばＳｉ基板上にＳｉＣ膜を形成し、マスク
領域のＳｉ基板をエッチングで除去してＳｉＣ膜のみを
残してＸ線透過下地を形成する。ＳｉＣ下地上にＴａ、
Ｗ等によりＸ線遮蔽パターンを形成する。Due to improvement in processing accuracy, for example, 0.3 μ
An X-ray exposure technique has been developed to realize a pattern having a line width or space width of m or less. For the X-ray exposure mask, for example, a SiC film is formed on a Si substrate, the Si substrate in the mask region is removed by etching, and only the SiC film is left to form an X-ray transparent base. Ta on the SiC substrate,
An X-ray shielding pattern is formed with W or the like.
【０００４】ところで、マスク形成の際、遮蔽用パター
ンが余分に付着して欠陥を作ることがある。これらのマ
スクを利用しようとすると、欠陥の修正が必要である。
たとえば、集束イオンビームによるパターン修正は、イ
オン源からのイオン粒子を加速して被加工物の欠陥パタ
ーンに衝突させ、その加速イオンの運動エネルギーによ
り欠陥パターンを形成している原子を弾き飛ばしてパタ
ーン修正を行う。By the way, when forming a mask, a shielding pattern may be excessively adhered to form a defect. Attempts to utilize these masks require defect correction.
For example, in pattern correction using a focused ion beam, the ion particles from the ion source are accelerated to collide with the defect pattern of the workpiece, and the kinetic energy of the accelerated ions flies off the atoms that form the defect pattern to create a pattern. Make corrections.
【０００５】この方法は、ビームスポットをきわめて微
細化することが可能であることと、レーザビーム照射に
よる方法のように熱エネルギにより対象物を溶融、蒸発
させて除去するものに比べて、原子を数個〜数十個の単
位でスパッタリングにより弾き飛ばすことができる為、
その切り口の精度が格段に鋭いことなどの理由で、Ｘ線
露光用マスクパターンの修正等に利用される。This method is capable of extremely miniaturizing the beam spot, and compared with the method of melting and evaporating an object by thermal energy as in the method of irradiating a laser beam to remove an atom. Since it can be repelled by sputtering in units of several to several tens,
It is used for correction of an X-ray exposure mask pattern and the like because the precision of the cut edge is remarkably sharp.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】集束イオンビームを被
加工物の欠陥のパターンに照射する際に、その欠陥パタ
ーンの周辺に別のパターンが存在する場合、イオンビー
ムによって弾き飛ばされたパターン形成原子が周辺の別
のパターンに飛来して、その側壁に付着するという現象
が生じる。When a focused ion beam is applied to a defect pattern of a work piece and another pattern exists around the defect pattern, the pattern-forming atoms that are repelled by the ion beam are ejected. Occurs in another pattern on the periphery and adheres to the side wall of the pattern.
【０００７】その別のパターンが正常なパターンの場合
には、付着した原子が堆積すると、その部分が欠陥とな
る可能性がある。図６に、集束イオンビームによる欠陥
パターン修正により別のパターンに原子が堆積する過程
を二つの模式断面図によって示す。When the other pattern is a normal pattern, if the attached atoms are deposited, that part may become a defect. FIG. 6 shows two schematic cross-sectional views of a process in which atoms are deposited in another pattern by the defect pattern correction by the focused ion beam.
【０００８】図６の上側に示した工程では、基板６０上
に、ある間隔をおいて隣接するパターン６１と６２とが
形成されている。パターン６１には欠陥部分６３があ
り、この欠陥部分６３を集束イオンビーム６４により弾
き飛ばして（スパッタして）除去する。In the step shown on the upper side of FIG. 6, patterns 61 and 62 which are adjacent to each other at a certain interval are formed on a substrate 60. The pattern 61 has a defect portion 63, and the defect portion 63 is repelled (sputtered) by the focused ion beam 64 and removed.
【０００９】このとき、弾きとばされたスパッタ原子６
５は四方八方に飛散するが、その一部は、図の水平方
向、すなわち、隣の正常なパターン６２に向かって飛散
する。欠陥部分６３上を集束イオンビーム６４で何度か
走査を繰り返して削り取る内に、図６の下側に示したよ
うに正常なパターン６２の側壁面にスパッタ原子による
堆積物６６が形成される。At this time, the sputtered atoms 6
5 scatters in all directions, but a part of it scatters in the horizontal direction of the drawing, that is, toward the normal pattern 62 adjacent thereto. While the scanning of the defective portion 63 by the focused ion beam 64 is repeated several times, the deposit 66 due to the sputtered atoms is formed on the side wall surface of the normal pattern 62 as shown in the lower side of FIG.
【００１０】この効果を再付着と呼び、これが修正精度
上問題となることは、例えば、ケー・ピー・ミューラ
（Ｋ．Ｐ．Ｍｕｌｌｅｒ）による文献ＳＰＩＥ，Ｖｏ
ｌ．１２６３，ｐ．１２（１９９０年）等に詳しく説明
されている。この現象は、物理的に不可避の問題であ
り、再付着を完全に無くすことは出来ない。This effect is called redeposition, and it is a problem in terms of correction accuracy that, for example, the document SPIE, Vo by KP Muller is used.
l. 1263, p. 12 (1990) and the like. This phenomenon is a physically unavoidable problem, and redeposition cannot be completely eliminated.
【００１１】再付着の量は、集束イオンビームによる除
去工程をゆっくりと時間をかけて行う方が少なくなる
が、その場合には欠陥修正に時間がかかり、修正工程の
スループットが長くなるという問題が生じる。The amount of redeposition becomes smaller when the removal process by the focused ion beam is performed slowly and slowly, but in that case, the defect repair takes time, and the throughput of the repair process becomes long. Occurs.
【００１２】この再付着を実用上問題とならない程度に
抑制する方法が、例えば、特開平１─２３４５６４号公
報に提案されている。その方法は、修正すべき部位の周
辺に電界を印加して、集束イオンビームによりスパッタ
されたイオン化原子団を電極上に補集するものである。A method of suppressing this re-deposition to such an extent that it does not pose a problem in practical use is proposed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-234564. The method is to apply an electric field around the portion to be modified to collect the ionized atomic groups sputtered by the focused ion beam on the electrode.
【００１３】しかし、この方法では、集束イオンビーム
によりスパッタされた原子はすべてがイオン化されては
いないので、補集される原子は一部である。且つまた、
イオンビーム照射領域に複雑な電界を発生させること
は、イオンビームの位置精度上問題がある。このため、
再付着の問題を完全に解決して良好なパターンを得る効
果は期待し難い。However, in this method, not all the atoms sputtered by the focused ion beam are ionized, so some of the atoms are collected. And again
Generating a complicated electric field in the ion beam irradiation region has a problem in the positional accuracy of the ion beam. For this reason,
It is difficult to expect the effect of completely solving the problem of redeposition and obtaining a good pattern.
【００１４】本発明の目的は、集束イオンビームによる
パターン修正の際に、修正する欠陥パターンの周辺のパ
ターンへの再付着の問題を回避して、パターンの寸法精
度の劣化を防止する優れたパターン修正方法を提供する
ことである。An object of the present invention is to provide an excellent pattern for avoiding the problem of redeposition of a defect pattern to be repaired on a peripheral pattern at the time of pattern correction by a focused ion beam and preventing deterioration of pattern dimensional accuracy. It is to provide a correction method.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明の方法によれば、
修正すべき欠陥パターンを集束イオンビームで除去する
場合に、修正すべき欠陥パターンに隣接するパターンか
らより離れた領域から先に除去し、さらに順次隣接する
パターンにより近い領域へと除去してゆく。According to the method of the present invention,
When the defect pattern to be repaired is removed by the focused ion beam, the region farther from the pattern adjacent to the defect pattern to be repaired is removed first, and then the regions closer to the adjacent patterns are sequentially removed.
【００１６】あるいは、本発明の別の方法によれば、修
正すべき欠陥パターンに隣接するパターンに近い周辺部
を残して除去し、さらに、その後、該周辺部を除去す
る。Alternatively, according to another method of the present invention, the peripheral portion adjacent to the pattern adjacent to the defect pattern to be repaired is removed, and then the peripheral portion is removed.
【００１７】[0017]
【作用】集束イオンビームにより欠陥部を削り取る工程
において、正常なパターンに最も近い部分を削るのは工
程の一番最後とするように制御することにより、隣接パ
ターンに最も近い部分が再付着の盾ないし防御壁の役目
を果たすので、正常パターンへの再付着はごく微量に押
さえられる。[Function] In the process of removing a defective part by a focused ion beam, the part closest to the normal pattern is controlled to be the last part of the process, and the part closest to the adjacent pattern is shielded for reattachment. Since it also acts as a defense wall, reattachment to the normal pattern can be suppressed to a very small amount.
【００１８】[0018]
【実施例】図１に、本発明の方法を実施するための装置
の基本構成を示する。図１において、１は高真空に排気
された真空容器であり、その内部にガリウム（Ｇａ）イ
オン源２があり、そこから電界放射されたＧａイオンビ
ーム３は、収束、投影レンズ系（図示せず）で集束さ
れ、静電レンズ群からなる集束イオンビーム偏向系４で
偏向されて修正すべきパターンが形成されている下地５
上に照射される。FIG. 1 shows the basic construction of an apparatus for carrying out the method of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 is a vacuum container evacuated to a high vacuum, and a gallium (Ga) ion source 2 is inside the vacuum container, and a Ga ion beam 3 field-emitted from the source is focused and projected by a projection lens system (not shown). No. 5), and the base 5 on which the pattern to be corrected is formed by being deflected by the focused ion beam deflection system 4 including the electrostatic lens group.
Irradiated on.
【００１９】ビーム偏向系４と下地５との間には、マイ
クロチャネルプレートからなる２次イオン検出器６が配
置され、イオンビームの照射により下地５から発生した
２次電子を検出して、その検出した２次イオンを電気信
号としてコンピュータ７に提供する。A secondary ion detector 6 composed of a microchannel plate is arranged between the beam deflection system 4 and the base 5, and detects secondary electrons generated from the base 5 by irradiation of the ion beam, and detects the secondary electron. The detected secondary ions are provided to the computer 7 as an electric signal.
【００２０】コンピュータ７は検出器６からの電気信号
を下地５の表面の画像信号として処理して画像データメ
モリ８に供給する。コンピュータ７は公知のマイクロコ
ンピュータが利用できる。画像データメモリ８の画像デ
ータは、表示装置９により下地表面のパターン１０およ
び欠陥１１を映像化させる。The computer 7 processes the electric signal from the detector 6 as an image signal of the surface of the base 5 and supplies it to the image data memory 8. A well-known microcomputer can be used as the computer 7. The image data in the image data memory 8 causes the display device 9 to visualize the pattern 10 and the defect 11 on the underlying surface.
【００２１】まず最初に、パターンを削るほどでない低
電流の集束イオンビームで、欠陥があるであろうとされ
る修正部位とその周辺の回路パターン領域を走査して、
上記の方法で画像表示する。First of all, a focused ion beam of a low current which is not enough to scrape a pattern is scanned over a repaired portion which is supposed to have a defect and a circuit pattern area around the repaired portion,
The image is displayed by the above method.
【００２２】次に、画像処理装置１２は、コンピュータ
７からの画像信号を解析して、欠陥１１の位置およびそ
の形状、ならびに欠陥１１の近傍のパターンの位置等を
把握して、集束イオンビーム偏向系４の走査および加速
電圧、あるいはビーム電流値等を制御して、欠陥部１１
に集束イオンビームを照射して欠陥部１１を削り取る。Next, the image processing apparatus 12 analyzes the image signal from the computer 7, grasps the position and shape of the defect 11, the position of the pattern in the vicinity of the defect 11, etc., and deflects the focused ion beam. The defective portion 11 is controlled by controlling the scanning and accelerating voltage of the system 4 or the beam current value.
The defective portion 11 is scraped off by irradiating a focused ion beam on the substrate.
【００２３】この欠陥部１１を削り取る工程において、
画像処理装置１２は、正常なパターン１０に最も近い部
分を削るのは工程の一番最後とするように偏向系４を制
御する。そうすることにより、正常パターン１０への再
付着は最小限度に押さえられて、再付着による寸法精度
の悪化を防止することができる。In the step of scraping off the defective portion 11,
The image processing apparatus 12 controls the deflection system 4 so that the portion closest to the normal pattern 10 is removed at the end of the process. By doing so, reattachment to the normal pattern 10 is suppressed to a minimum, and deterioration of dimensional accuracy due to reattachment can be prevented.
【００２４】図２に、本発明の方法による集束イオンビ
ームによるＸ線露光用マスクの欠陥修正方法の手順の実
施例を示す。図２は、例えば画像表示装置９によるマス
クパターン修正部分とその周辺部の平面画像を修正工程
順に（ａ），（ｂ），（ｃ）と表したものである。FIG. 2 shows an embodiment of the procedure of the defect repairing method for the X-ray exposure mask by the focused ion beam according to the method of the present invention. FIG. 2 shows, for example, plane images of the mask pattern correction portion and its peripheral portion by the image display device 9 as (a), (b), and (c) in the correction process order.
【００２５】図２において、斜線部が下地５の表面に形
成されたパターンを示す。（ａ）において、１１が欠陥
部分であり、１０、１０ａは欠陥部分１１に隣接する正
常なパターン１０である。Ｘ線露光用マスクの下地材料
としては、Ｓｉ基板の開口部に形成されたシリコンカー
バイド（ＳｉＣ）膜等が用いられる。Ｘ線吸収作用を有
するパターン材料としては、タンタル（Ｔａ）等が用い
られる。In FIG. 2, a hatched portion shows a pattern formed on the surface of the base 5. In (a), 11 is a defective portion, and 10 and 10a are normal patterns 10 adjacent to the defective portion 11. As a base material for the X-ray exposure mask, a silicon carbide (SiC) film or the like formed in the opening of the Si substrate is used. Tantalum (Ta) or the like is used as the pattern material having an X-ray absorbing function.
【００２６】集束イオンビームによる欠陥修正の際に、
下地材料までもスパッタして削りとってしまい、マスク
パターンの寸法精度に影響を与えないかということがマ
スク修正の１つの問題としてある。When the defect is repaired by the focused ion beam,
One of the problems of mask correction is whether the underlying material is also sputtered and scraped off, which affects the dimensional accuracy of the mask pattern.
【００２７】本実施例の場合、下地５の材料であるＳｉ
Ｃのイオンビームによるスパッタ率は、パターン材のＴ
ａのスパッタ率の約１／４であり、同じビーム強度でも
下地５の方がはるかに削られにくい。さらに、下地５に
はパターン１１，１０を保持するために充分な機械的強
度をもたせる。In the case of this embodiment, the material of the base 5 is Si.
The sputtering rate of the ion beam of C is T of the pattern material.
It is about 1/4 of the sputtering rate of a, and the base 5 is much less likely to be scraped even with the same beam intensity. Further, the underlayer 5 has sufficient mechanical strength to hold the patterns 11 and 10.
【００２８】たとえば、下地５の厚みが２〜３μｍで、
Ｔａパターンの厚みが０．８μｍ程度であり、０．８μ
ｍ厚のＴａパターン１１を削り取る間に周辺の下地５は
０．２μｍ削られるが、下地全体の厚み２〜３μｍに対
しては無視できる量である。For example, if the thickness of the base 5 is 2 to 3 μm,
The Ta pattern has a thickness of about 0.8 μm and has a thickness of 0.8 μm.
The peripheral underlying layer 5 is removed by 0.2 μm while the m-thick Ta pattern 11 is removed, but this is a negligible amount for the entire underlying layer thickness of 2 to 3 μm.
【００２９】たとえば、２×５μｍの領域のＳｉＣ膜を
イオンビームで削る場合をシュミレーションした場合、
０．２μｍ削り取ると、周辺の下地の位置歪みは、約
０．００１μｍ程度となり、まったく問題ない量であ
る。（このシュミレーションの条件は、Ｔａの内部応力
を１×１０8 ｄｙｎ／ｃｍ2 ，ＳｉＣの内部応力を４×
１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 でヤング率を４×１０12ｄｙｎ／
ｃｍ2 とした。）図２の（ｂ）において、欠陥部１１の
外周部１３以外の部分を集束イオンビーム３で走査して
外周部１３を図示のように残しながら欠陥部１１を削除
する。この残す外周部１２の幅はたとえば約０．２μｍ
程度である。外周部１３を残しながら欠陥部１１を削る
ことにより、外周部１３がスパッタ原子の盾の役目を果
たし、横方向に飛散するスパッタ原子が正常な隣接パタ
ーン１０ａの側壁に付着することを防止する。For example, when simulating the case of shaving a SiC film in a region of 2 × 5 μm with an ion beam,
When it is scraped off by 0.2 μm, the positional distortion of the underlying base becomes about 0.001 μm, which is a problem-free amount. (The conditions of this simulation are that the internal stress of Ta is 1 × 10 8 dyn / cm 2 and the internal stress of SiC is 4 ×.
Young's modulus at 10 9 dyn / cm 2 is 4 × 10 12 dyn /
It was set to cm 2 . 2 (b), the defective portion 11 is deleted while scanning the portion other than the outer peripheral portion 13 of the defective portion 11 with the focused ion beam 3 and leaving the outer peripheral portion 13 as shown. The width of the peripheral portion 12 to be left is, for example, about 0.2 μm.
It is a degree. By removing the defective portion 11 while leaving the outer peripheral portion 13, the outer peripheral portion 13 serves as a shield for the sputtered atoms, and prevents the sputtered atoms scattered in the lateral direction from adhering to the side wall of the normal adjacent pattern 10a.
【００３０】この場合のビーム加速電圧は、たとえば２
０ｋｅＶ，ビーム電流は１００ｐＡ程度、集束したビー
ムスポット径は公称０．１μｍである。この条件で、パ
ターン幅が０．１μｍの場合０．０１μｍ程度の精度で
削ることができる。The beam acceleration voltage in this case is, for example, 2
The beam current is about 100 pA at 0 keV, and the focused beam spot diameter is nominally 0.1 μm. Under this condition, when the pattern width is 0.1 μm, the pattern can be cut with an accuracy of about 0.01 μm.
【００３１】最後に、図２の（ｃ）に示すように、残っ
た外周部１３をイオンビーム３で削り取って修正を完了
する。外周部１３のスパッタ原子による再付着は、その
量が極めて少ないために、正常パターン１０の精度に影
響を与える程にはならない。Finally, as shown in FIG. 2C, the remaining outer peripheral portion 13 is scraped off by the ion beam 3 to complete the correction. The redeposition by the sputtered atoms on the outer peripheral portion 13 is not so large as to affect the accuracy of the normal pattern 10 because the amount thereof is extremely small.
【００３２】次に、欠陥パターン１１の修正の際のイオ
ンビームの走査手順をさらに詳しく図３を参照して説明
する。図３のＡの矢印の方向に外周部１３を残して欠陥
パターン１１の内側へとパターンを削ってゆく場合と、
Ｂの矢印の方向にパターン１１の内側から外周部１３の
方向に向かって順次削ってゆく場合とがある。Next, the ion beam scanning procedure for repairing the defect pattern 11 will be described in more detail with reference to FIG. In the case where the outer peripheral portion 13 is left in the direction of the arrow in FIG.
There is a case in which the pattern is sequentially cut from the inside of the pattern 11 toward the outer peripheral portion 13 in the direction of the arrow B.
【００３３】Ａの場合には外周部１３を必要な厚さだけ
残して欠陥１１の右側からエッチングを始め、パターン
１０の右側部を形成した後、外周部１３を除去する。Ｂ
の場合には、パターン１０の右端部から欠陥１１の外側
に削っていく内に、すでに削り終えた内側部分に再付着
が生じるため、パターン１０の形状が変化する。In the case of A, etching is started from the right side of the defect 11 while leaving the outer peripheral portion 13 of a required thickness, the right side portion of the pattern 10 is formed, and then the outer peripheral portion 13 is removed. B
In the case of 1, the shape of the pattern 10 changes because the redeposition occurs in the inner portion that has already been shaved while the outer edge of the defect 11 is shaved from the right end portion of the pattern 10.
【００３４】そこで、再付着の量を予め見込んで、その
分を余計に最初内側に削り込んでおけばよい。いずれの
場合でも、図１の画像処理装置１２においてビームの走
査が制御される。Therefore, the amount of redeposition may be estimated in advance, and the extra amount may be first cut inward. In any case, the beam scanning is controlled in the image processing device 12 of FIG.
【００３５】さらに、図４に、正常なパターン１４の近
傍に島状の孤立した欠陥パターン１５がある場合を示
す。この場合の欠陥の修正方法は、図の矢印のように、
正常パターン１４から最も離れた部分から順次近い部分
に向かって削り取ってゆけばよい。あるいは、欠陥パタ
ーン１５の中心部から外側に向かって渦巻き状に削り取
っていってもよい。Further, FIG. 4 shows a case where there is an island-like isolated defect pattern 15 in the vicinity of the normal pattern 14. In this case, the method of correcting the defect is as shown by the arrow in the figure.
It suffices to scrape away from the part that is most distant from the normal pattern 14 toward the part that is closer to it. Alternatively, the defect pattern 15 may be spirally scraped outward from the center.
【００３６】次に、図５に、本発明の方法の別の実施例
を実施する装置の構成を示す。図５において図１と同じ
参照番号のものは、同一の装置を示すので、同一の装置
については簡単のため説明を省略する。Next, FIG. 5 shows the construction of an apparatus for carrying out another embodiment of the method of the present invention. In FIG. 5, the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same devices, and the description of the same devices will be omitted for simplicity.
【００３７】図５の実施例において、図１のものと異な
る箇所は、２次イオン質量分析器１６が設けられたこと
である。この２次イオン質量分析装置１６は、検出器６
からの出力信号を解析して、下地５およびその上のパタ
ーン１０の材料まで同定し、その検出結果を画像処理装
置１２に与える。The embodiment of FIG. 5 differs from that of FIG. 1 in that a secondary ion mass spectrometer 16 is provided. The secondary ion mass spectrometer 16 includes a detector 6
The output signal from is analyzed to identify the material of the substrate 5 and the pattern 10 on it, and the detection result is given to the image processing device 12.
【００３８】従って、画像処理装置１２は、欠陥の形状
や位置情報のみならず、その材料も考慮して、修正条件
たとえば、加速電圧や電流値を制御することができ、最
適な修正動作が自動的に決定できる。画像処理装置１２
はコンピュータ７のプログラムによりソフト的に実現す
ることができる。Therefore, the image processing apparatus 12 can control the correction condition, for example, the acceleration voltage and the current value, in consideration of not only the shape and position information of the defect but also the material thereof, and the optimum correction operation is automatically performed. Can be decided. Image processing device 12
Can be realized as software by the program of the computer 7.
【００３９】以上述べた、図１と図５の修正装置では、
画像処理装置１２が自動的に修正条件あるいは偏向動作
を制御したが、オペレータが画像表示装置９の欠陥画像
を目視しながら手動で、偏向系４を操作したり、イオン
源の電圧あるいは電流を調整することも可能である。In the correction device of FIGS. 1 and 5 described above,
The image processing device 12 automatically controls the correction condition or the deflection operation, but the operator manually operates the deflection system 4 or adjusts the voltage or current of the ion source while visually observing the defect image of the image display device 9. It is also possible to do so.
【００４０】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。The present invention has been described above with reference to the embodiments.
The present invention is not limited to these. For example,
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations and the like can be made.
【００４１】[0041]
【発明の効果】上記したように、集束イオンビームによ
りマスクの欠陥部を削り取る工程において、正常なパタ
ーンに最も近い部分を削るのは工程の一番最後とするよ
うに制御することにより、隣接パターンに最も近い部分
が再付着の盾の役目を果たすので、正常パターンへの再
付着はごく微量に押さえられ、再付着による寸法精度の
悪化を防止することができる。As described above, in the step of removing the defective portion of the mask by the focused ion beam, the control is performed so that the portion closest to the normal pattern is removed at the end of the step. Since the portion closest to the position of (1) serves as a shield for reattachment, reattachment to the normal pattern is suppressed to a very small amount, and deterioration of dimensional accuracy due to reattachment can be prevented.
【図１】本発明の実施例に用いる集束イオンビームを用
いたパターン修正装置の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a pattern correction device using a focused ion beam used in an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例の方法によるＸ線露光用マスク
の欠陥修正の手順を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a procedure of defect correction of an X-ray exposure mask according to the method of the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例の方法による欠陥修正の手順の
詳細を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing details of a defect correction procedure according to the method of the embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例の方法による別の欠陥修正の手
順の詳細を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing details of another defect correction procedure according to the method of the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例に用いる集束イオンビームを用
いたパターン修正装置の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a pattern correction device using a focused ion beam used in an example of the present invention.
【図６】従来の技術によるパターン修正方法により発生
する再付着を説明する断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating redeposition that occurs due to a conventional pattern correction method.
１・・・・・・真空容器 ２・・・・・・イオン源 ３・・・・・・イオンビーム ４・・・・・・集束イオンビーム偏向系 ５・・・・・・下地 ６・・・・・・２次イオン検出器 ７・・・・・・コンピュータ ８・・・・・・画像データメモリ ９・・・・・・画像表示装置 １０，１４・・正常パターン １１，１５・・欠陥パターン １２・・・・・画像処理装置 １３・・・・・外周部 １６・・・・・２次イオン質量分析装置 1 ・ ・ Vacuum container 2 ・ ・ ・ ・ Ion source 3 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Ion beam 4 ・ ・ Focused ion beam deflection system 5 ・ ・ ・ ・ Substrate 6 ・ ・・ ・ ・ Secondary ion detector 7 ・ ・ ・ Computer 8 ・ ・ ・ ・ ・ Image data memory 9 ・ ・ ・ ・ Image display device 10,14 ・ ・ Normal pattern 11,15 ・ ・ Defective Pattern 12 ... Image processing device 13 ... Outer peripheral portion 16 ... Secondary ion mass spectrometer
Claims (2)
陥パターン（１１）を集束イオンビーム（３）を照射し
て除去して修正する方法であって、 修正すべき欠陥パターン（１１）を前記集束イオンビー
ム（３）で除去する場合に、該修正すべき欠陥パターン
（１１）に隣接するパターン（１０）からより離れた領
域から、該隣接するパターン（１０）により近い領域の
順に除去してゆく工程を含む集束イオンビームによるパ
ターン修正方法。1. A method for repairing a defect pattern (11) of a workpiece formed on a substrate (5) by irradiating it with a focused ion beam (3) and removing the defect pattern (11). When removing 11) with the focused ion beam (3), from a region farther from the pattern (10) adjacent to the defect pattern (11) to be repaired, to a region closer to the adjacent pattern (10). A pattern correction method using a focused ion beam including a step of sequentially removing.
陥パターン（１１）を集束イオンビーム（３）を照射し
て除去して修正する方法であって、 修正すべき欠陥パターン（１１）を前記集束イオンビー
ム（３）で除去する場合に、該修正すべき欠陥パターン
（１１）に隣接するパターン（１０、１０ａ）に近い周
辺部を残して除去する工程と、 前記周辺部をさらに除去する工程とを有する集束イオン
ビームによるパターン修正方法。2. A method of repairing a defect pattern (11) of a work piece formed on a substrate (5) by irradiating it with a focused ion beam (3) to remove the defect pattern (11). When removing 11) with the focused ion beam (3), a step of removing the peripheral part close to the pattern (10, 10a) adjacent to the defect pattern (11) to be repaired, and removing the peripheral part A method of correcting a pattern by a focused ion beam, which further comprises a step of removing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344588A JPH05204135A (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Method for correcting pattern by focused ion beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344588A JPH05204135A (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Method for correcting pattern by focused ion beam |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05204135A true JPH05204135A (en) | 1993-08-13 |
Family
ID=18370434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3344588A Withdrawn JPH05204135A (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Method for correcting pattern by focused ion beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05204135A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0887103A (en) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Toshiba Corp | Correcting method for defect in phase shift mask |
| JP2004510295A (en) * | 2000-09-20 | 2004-04-02 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | Real-time monitoring for simultaneous imaging and irradiation in charged particle beam systems |
| JP2009038043A (en) * | 2008-11-04 | 2009-02-19 | Hitachi High-Technologies Corp | Processing/observing device of semiconductor, and operating method of processing/observing device of semiconductor |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3344588A patent/JPH05204135A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0887103A (en) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Toshiba Corp | Correcting method for defect in phase shift mask |
| JP2004510295A (en) * | 2000-09-20 | 2004-04-02 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | Real-time monitoring for simultaneous imaging and irradiation in charged particle beam systems |
| JP2009038043A (en) * | 2008-11-04 | 2009-02-19 | Hitachi High-Technologies Corp | Processing/observing device of semiconductor, and operating method of processing/observing device of semiconductor |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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