JP3076130B2 - Reticle defect repair method and defect repair device - Google Patents
Reticle defect repair method and defect repair deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、レチクルの欠陥修正方
法及びその欠陥修正装置に関するものであり、更に詳し
く言えば、半導体製造工程で使用されるレチクルに発生
するクロムの残渣を除去する方法及び当該方法を実施す
る欠陥修正装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reticle defect repairing method and a reticle defect repairing apparatus, and more particularly, to a method for removing chromium residues generated in a reticle used in a semiconductor manufacturing process. The present invention relates to a defect repairing apparatus for performing the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】以下、図を参照しながら従来例に係るレ
チクルの欠陥修正方法について説明する。図７は従来例
に係るレチクルの欠陥修正方法の説明図であり、図８は
従来例に係るレチクルの欠陥修正方法の補足説明図であ
る。従来例に係るレチクルの欠陥修正方法は、図７
（ｂ）に示すように、ガラス基板１上にクロム膜２が形
成されて成るレチクル３において、パターン以外の領域
に生じるクロム膜２の残渣を集束イオンビームを照射す
ることによって除去する方法である。2. Description of the Related Art A conventional reticle defect repair method will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 7 is an explanatory diagram of a reticle defect correcting method according to a conventional example, and FIG. 8 is a supplementary explanatory diagram of a reticle defect correcting method according to a conventional example. FIG. 7 shows a conventional reticle defect repairing method.
As shown in FIG. 2B, in a reticle 3 in which a chromium film 2 is formed on a glass substrate 1, a residue of the chromium film 2 generated in a region other than the pattern is removed by irradiating a focused ion beam. .
【０００３】まず図７（ａ）のステップＰ１で、図７
（ｃ）に示すようなクロム膜２の残渣が存在する領域で
あるクロム残渣領域ＣＤを検出する。なお、図７（ｃ）
はラインパターン及びクロムの残渣を上面から見た図で
あり、２はラインパターンのクロムを示し、ＣＤは突起
状のクロム残渣領域ＣＤを示す。First, in step P1 of FIG.
A chromium residue region CD where a residue of the chromium film 2 exists as shown in FIG. FIG. 7 (c)
Is a view of the line pattern and the residue of chromium as viewed from above, 2 is the chromium of the line pattern, and CD is the chromium residue region CD in the form of a protrusion.
【０００４】次に、図７（ａ）のステップＰ２で、集束
イオンビームFIB の照射領域をクロム残渣領域ＣＤの領
域全体に設定する。次いで、図７（ａ）のステップＰ３
で、集束イオンビームFIB をクロム残渣領域ＣＤの全領
域に照射してクロム膜２の残渣を除去する。このとき、
図８（ａ）に示すように、集束イオンビームがクロム残
渣領域ＣＤの全領域に照射される。Next, in step P2 of FIG. 7A, the irradiation area of the focused ion beam FIB is set to the entire area of the chromium residue area CD. Next, step P3 in FIG.
Then, the entire region of the chromium residue region CD is irradiated with the focused ion beam FIB to remove the residue of the chromium film 2. At this time,
As shown in FIG. 8A, the focused ion beam is applied to the entire chromium residue region CD.
【０００５】そして図８（ｂ）に示すように、クロム膜
２の残渣が除去される。なお、ここで図８（ａ），
（ｂ）はクロム残渣領域ＣＤに集束イオンビームFIB を
照射して除去する工程を示す説明図である。[0005] As shown in FIG. 8B, the residue of the chromium film 2 is removed. Here, FIG.
(B) is an explanatory view showing a step of irradiating the chromium residue area CD with the focused ion beam FIB to remove it.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで従来の方法に
よると、欠陥部分である３の領域を除去するために、集
束イオンビームをクロム残渣領域ＣＤの領域全体にわた
って照射することによりクロム膜２の残渣を除去してい
た。However, according to the conventional method, a focused ion beam is irradiated over the entire area of the chromium residue area CD in order to remove the area 3 which is a defective portion, thereby removing the residue of the chromium film 2. Had been removed.
【０００７】このため、集束イオンビームの照射によっ
てクロム膜２の除去を行う際に欠陥部分の端部などによ
って散乱されたイオンが欠陥部分以外のガラス基板に衝
突し、ガラス基板をスパッタエッチングしてしまい、ガ
ラス基板に局部的に深い（約１０００〜２０００Å）段
差４が形成されてしまう（図８（ｂ）参照）。Therefore, when the chromium film 2 is removed by the irradiation of the focused ion beam, ions scattered by edges of the defective portion collide with the glass substrate other than the defective portion, and the glass substrate is sputter-etched. As a result, locally deep (about 1000 to 2000 °) steps 4 are formed on the glass substrate (see FIG. 8B).
【０００８】これにより、ウエハなどへレチクルのパタ
ーンを転写露光する際に、この局部的に深い段差によっ
て光の散乱や回折が生じるので、ウエハ上に転写された
パターンが元のパターンと異なるなどといった問題が生
じる。When the reticle pattern is transferred and exposed to a wafer or the like, light scattering or diffraction occurs due to the locally deep step, so that the pattern transferred onto the wafer differs from the original pattern. Problems arise.
【０００９】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、マスクパターンの欠陥修正の際
に、ガラス基板に形成される段差が局部的に深くなるこ
とや、該段差によって光の散乱によって、転写露光の際
に生じるウエハ上のパターンの欠陥の発生などを極力抑
止することが可能になるレチクルの欠陥修正方法及びそ
の欠陥修正装置の提供を目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art. When a defect of a mask pattern is corrected, a step formed on a glass substrate is locally deepened. An object of the present invention is to provide a reticle defect repairing method and a defect repairing device capable of minimizing the occurrence of pattern defects on a wafer that occur during transfer exposure due to light scattering.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】図１は、本発明に係るレ
チクルの欠陥修正方法及びその欠陥修正装置の原理図で
ある。本発明に係る第１のレチクルの欠陥修正方法は、
透明基板11上に遮光膜12が形成されて成るレチクル13に
発生する前記遮光膜12の残渣を集束イオンビームFIB を
照射することによって除去する方法であって、図１
（ａ）のフローチャートに示すように、前記遮光膜12の
残渣が存在する領域である欠陥領域ＬＤを検出するステ
ップＰ１の工程と、集束イオンビームFIB を照射する領
域である第１の照射領域FD１を前記欠陥領域ＬＤの外周
より、約０．２５μｍ内側の領域内に設定するステップ
Ｐ２の工程と、集束イオンビームFIB を前記第１の照射
領域FD１に照射して前記欠陥領域ＬＤ内の遮光膜12の残
渣の大部分を除去するステップＰ３の工程と、前記集束
イオンビームFIB を前記第１の照射領域FD１に照射し
て、前記欠陥領域ＬＤ内の遮光膜12の残渣や前記透明基
板11の表層に混在する前記遮光膜12の粒子等を除去する
ステップＰ４の工程を含むことを特徴とする。FIG. 1 is a principle diagram of a reticle defect repair method and a defect repair apparatus according to the present invention. A first reticle defect repair method according to the present invention includes:
FIG. 1 shows a method for removing residues of the light shielding film 12 generated on a reticle 13 having a light shielding film 12 formed on a transparent substrate 11 by irradiating a focused ion beam FIB.
As shown in the flowchart of (a), the process of step P1 for detecting the defect region LD where the residue of the light shielding film 12 is present, and the first irradiation region FD1 for irradiating the focused ion beam FIB. P2 in an area about 0.25 μm inside the outer periphery of the defect area LD, and irradiating the first irradiation area FD1 with the focused ion beam FIB to shield the light shielding film in the defect area LD. Step P3 of removing most of the residue of Step 12; and irradiating the focused ion beam FIB to the first irradiation area FD1 to remove the residue of the light shielding film 12 in the defect area LD and the transparent substrate 11. The method includes a step P4 of removing particles and the like of the light shielding film 12 mixed in the surface layer.
【００１１】また、本発明に係る第２のレチクルの欠陥
修正方法は、透明基板11上に遮光膜12が形成されて成る
レチクル13に発生する前記遮光膜12の残渣を集束イオン
ビームFIB を照射することによって除去する方法であっ
て、図１（ｂ）のフローチャートに示すように、前記遮
光膜12の残渣が存在する領域である欠陥領域ＬＤを検出
するステップＰ１の工程と、集束イオンビームFIB を照
射する領域である第１の照射領域FD１を前記欠陥領域Ｌ
Ｄの外周より、約０．２５μｍ内側の領域内に設定する
ステップＰ２の工程と、集束イオンビームFIB を前記第
１の照射領域FD１に照射して前記欠陥領域ＬＤ内の前記
遮光膜12の残渣の大部分を除去するステップＰ３の工程
と、集束イオンビームFIB を照射する領域である第２の
照射領域FD２を前記第１の照射領域FD１に比して広く設
定し、前記集束イオンビームFIBを前記第２の照射領域F
D２に照射して、欠陥領域ＬＤ内に残存する前記遮光膜1
2の残渣や前記透明基板11の表層に混在する前記遮光膜1
2の粒子等を除去するステップＰ４の工程を含むことを
特徴とする。Further, in a second reticle defect repairing method according to the present invention, a residue of the light shielding film 12 generated on a reticle 13 having a light shielding film 12 formed on a transparent substrate 11 is irradiated with a focused ion beam FIB. As shown in the flow chart of FIG. 1B, a step P1 of detecting a defective area LD, which is an area where the residue of the light-shielding film 12 is present, and a focused ion beam FIB A first irradiation area FD1, which is an area where light is irradiated, is set to the defect area L.
Step P2 of setting the area within about 0.25 μm from the outer circumference of D, and irradiating the first irradiation area FD1 with the focused ion beam FIB to remove the residue of the light shielding film 12 in the defect area LD. And a second irradiation area FD2, which is an area to be irradiated with the focused ion beam FIB, is set wider than the first irradiation area FD1, and the focused ion beam FIB is removed. The second irradiation area F
The light-shielding film 1 remaining in the defect region LD by irradiating D2
2 and the light shielding film 1 mixed in the surface layer of the transparent substrate 11
And a step P4 of removing particles 2 and the like.
【００１２】さらに、本発明に係るレチクルの欠陥修正
装置は、図１（ｃ）に示すように、本発明の第１，第２
のレチクルの欠陥修正方法を実施する装置であって、少
なくとも、レチクルに集束イオンビームFIB を照射する
集束イオンビーム照射手段21と、前記集束イオンビーム
FIB の照射領域を前記第１の照射領域FD１又は前記第１
の照射領域FD１及び第２の照射領域FD２に設定する照射
領域生成手段22と、前記集束イオンビーム照射手段21
と、照射領域生成手段22を含む入出力を制御する制御手
段23とを具備することを特徴とし、上記目的を達成す
る。Further, as shown in FIG. 1 (c), a reticle defect repairing apparatus according to the present invention comprises
A focused ion beam irradiating means 21 for irradiating the reticle with a focused ion beam FIB; and the focused ion beam.
The irradiation area of the FIB is set to the first irradiation area FD1 or the first irradiation area FD1.
Irradiation area generating means 22 for setting the irradiation area FD1 and the second irradiation area FD2, and the focused ion beam irradiation means 21
And a control means 23 for controlling input and output including the irradiation area generating means 22 to achieve the above object.
【００１３】[0013]
【作 用】本発明に係る第１のレチクルの欠陥修正方法
によれば、図１（ａ）のフローチャートに示すように、
集束イオンビームFIB の照射領域を欠陥領域ＬＤの外周
より、約０．２５μｍ内側の領域である第１の照射領域
FD１内に設定するステップＰ２の工程を含んでいる。According to the first reticle defect repair method of the present invention, as shown in the flowchart of FIG.
The irradiation area of the focused ion beam FIB is a first irradiation area which is about 0.25 μm inside the outer periphery of the defect area LD.
Step P2 of setting in the FD1 is included.
【００１４】このため、欠陥領域ＬＤの端部に直接集束
イオンビームFIB が照射されないので、該集束イオンビ
ームFIB の照射によって遮光膜12の除去を行う際に欠陥
領域ＬＤ内の遮光膜12の端部などによってイオンが散乱
されない。For this reason, since the focused ion beam FIB is not directly irradiated to the end of the defect region LD, when the light shielding film 12 is removed by the irradiation of the focused ion beam FIB, the edge of the light shielding film 12 in the defect region LD is removed. No ions are scattered by the parts.
【００１５】また、欠陥領域ＬＤの外周から０．２５μ
ｍ内側までの領域であって、集束イオンビームの照射が
行われない領域の遮光膜12の残渣は、第１の照射領域FD
１に照射されるイオンの散乱成分によってエッチングさ
れ、除去される。Also, 0.25 μm from the outer periphery of the defect region LD.
m, the residue of the light-shielding film 12 in the region where the focused ion beam is not irradiated is the first irradiation region FD
Etching and removal are performed by the scattering components of the ions irradiated to 1.
【００１６】従って、散乱されたイオンが欠陥部分以外
の透明基板11に衝突する確率が低くなり、透明基板11が
局部的に深くスパッタエッチングされ、局部的に深い
（約１０００〜２０００Å）段差が形成されることが抑
止される。Accordingly, the probability that the scattered ions collide with the transparent substrate 11 other than the defective portion is reduced, and the transparent substrate 11 is locally sputter-etched deeply to form a locally deep (about 1000 to 2000 °) step. Being deterred.
【００１７】これにより、転写露光の際に光の散乱によ
って生じるウエハのパターンの欠陥を極力抑止すること
が可能になる。また、本発明に係る第２のレチクルの欠
陥修正方法によれば、図１（ｂ）のフローチャートに示
すように、集束イオンビームFIB の照射領域を第１の照
射領域FD１に設定するステップＰ２の工程と、集束イオ
ンビームFIB をレチクル13に照射して遮光膜12の大部分
を除去するステップＰ３の工程と、集束イオンビームFI
B をレチクル13に照射して遮光膜12や透明基板11の表層
に混在する遮光膜12の粒子を除去する際に、第１の照射
領域FD１よりも広い領域である第２の照射領域FD２に集
束イオンビームFIB を照射するステップＰ４の工程を含
んでいる。This makes it possible to minimize defects in the pattern of the wafer caused by scattering of light during transfer exposure. Further, according to the second reticle defect repairing method according to the present invention, as shown in the flowchart of FIG. 1B, in step P2 of setting the irradiation area of the focused ion beam FIB to the first irradiation area FD1. Step P3 of irradiating the reticle 13 with the focused ion beam FIB to remove most of the light-shielding film 12;
When irradiating B to the reticle 13 to remove the particles of the light shielding film 12 and the light shielding film 12 mixed in the surface layer of the transparent substrate 11, the second irradiation region FD2, which is a region wider than the first irradiation region FD1, Step P4 of irradiating the focused ion beam FIB is included.
【００１８】このため、ステップＰ３の工程で遮光膜12
の大部分を除去した後に、ステップＰ４の工程で集束イ
オンビームFIB の照射領域が拡がるので、本発明に係る
第１のレチクルの欠陥修正方法に比して、透明基板11に
形成される段差の底面がさらに平滑になる。Therefore, in the step P3, the light shielding film 12 is formed.
After removing most of the steps, the irradiation area of the focused ion beam FIB is expanded in the process of step P4, so that the step formed on the transparent substrate 11 is smaller than that of the first reticle defect repair method according to the present invention. The bottom surface becomes even smoother.
【００１９】これにより、転写露光の際に光の散乱によ
って生じるウエハのパターンの欠陥をより一層抑止する
ことが可能になる。さらに、本発明に係るレチクルの欠
陥修正装置によれば、図１（ｃ）に示すように、本発明
の第１，第２のレチクルの欠陥修正方法を実施する装置
であって、少なくとも、集束イオンビーム照射手段21
と、照射領域生成手段22と、制御手段23を具備してい
る。As a result, it is possible to further suppress the defect of the pattern of the wafer caused by the scattering of light during the transfer exposure. Further, according to the reticle defect repairing apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 1C, there is provided an apparatus for implementing the first and second reticle defect repairing methods according to the present invention. Ion beam irradiation means 21
And an irradiation area generating means 22 and a control means 23.
【００２０】例えば、集束イオンビーム照射手段21によ
ってレチクルに集束イオンビームFIB が照射され、照射
領域生成手段22によって集束イオンビームFIB の照射領
域が第１の照射領域FD１又は第１の照射領域FD１及び第
２の照射領域FD２に設定され、制御手段23によって集束
イオンビーム照射手段21や、照射領域生成手段22の入出
力が制御される。For example, the reticle is irradiated with the focused ion beam FIB by the focused ion beam irradiation means 21, and the irradiation area of the focused ion beam FIB is changed by the irradiation area generating means 22 to the first irradiation area FD1 or the first irradiation area FD1 and the first irradiation area FD1. The input / output of the focused ion beam irradiation means 21 and the irradiation area generation means 22 is controlled by the control means 23 in the second irradiation area FD2.
【００２１】このため、照射領域生成手段22によって集
束イオンビームFIB が例えば第１の照射領域FD１のよう
に、欠陥領域ＬＤの外周より約０．２５μｍ内側の領域
内に照射されるので、集束イオンビームFIB が欠陥領域
ＬＤの全領域にわたって照射されない。For this reason, the focused ion beam FIB is radiated by the irradiation region generating means 22 into a region about 0.25 μm inside the outer periphery of the defect region LD, for example, the first irradiation region FD1, so that the focused ion beam The beam FIB is not irradiated over the entire area of the defect area LD.
【００２２】これにより、欠陥領域ＬＤの端部などによ
って散乱されたイオンが欠陥部分以外の透明基板11に衝
突する確率が低くなり、透明基板11が局部的に深くスパ
ッタエッチングされ、局部的に深い段差が形成されるこ
とが抑止される。As a result, the probability that ions scattered by the ends of the defect region LD and the like collide with the transparent substrate 11 other than the defective portion is reduced, and the transparent substrate 11 is locally sputter-etched to be locally deep. The formation of steps is suppressed.
【００２３】[0023]
【実施例】次に、本発明の実施例について図２〜図６を
参照しながら説明する。図２〜図６は本発明の実施例に
係るレチクルの欠陥修正方法及びその欠陥修正装置の説
明図である。 （１）第１の実施例 図２は、本発明の各実施例に係るレチクルの欠陥修正装
置の説明図である。図２（ａ）は当該欠陥修正装置の構
成図である。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 6 are explanatory diagrams of a reticle defect repair method and a defect repair device according to an embodiment of the present invention. (1) First Embodiment FIG. 2 is an explanatory diagram of a reticle defect correcting apparatus according to each embodiment of the present invention. FIG. 2A is a configuration diagram of the defect repair apparatus.
【００２４】本発明の各実施例に係るレチクルの欠陥修
正装置は、ガラス基板41上にクロム膜42が形成されて成
るレチクル43において、集束イオンビームFIB を照射し
てクロム膜42の残渣を除去することによりレチクルの欠
陥を修正する装置であって、図 （ａ）に示すように、
集束イオンビーム照射装置31，画像取得回路32Ａ，欠陥
領域検出回路32Ｂ，照射領域限定回路32Ｃ及び制御回路
33から成るものである。In the reticle defect repairing apparatus according to each embodiment of the present invention, a reticle 43 having a chromium film 42 formed on a glass substrate 41 is irradiated with a focused ion beam FIB to remove a residue of the chromium film 42. This is a device for correcting a defect of the reticle by performing
Focused ion beam irradiation device 31, image acquisition circuit 32A, defect region detection circuit 32B, irradiation region limitation circuit 32C, and control circuit
33.
【００２５】なお、ここでガラス基板41は透明基板11の
一実施例であり、クロム膜42は、遮光膜12の一実施例で
ある。集束イオンビーム照射装置31は、集束イオンビー
ム照射手段21の一実施例であり、レチクル43にガリウム
（Ｇａ）イオンなどの集束イオンビームFIB を照射して
レチクル43に生じるクロム膜42の残渣を除去するもので
ある。Here, the glass substrate 41 is an embodiment of the transparent substrate 11, and the chromium film 42 is an embodiment of the light shielding film 12. The focused ion beam irradiation device 31 is an embodiment of the focused ion beam irradiation means 21, and irradiates the reticle 43 with a focused ion beam FIB such as gallium (Ga) ions to remove a residue of the chromium film 42 generated on the reticle 43. Is what you do.
【００２６】画像取得回路32Ａ，欠陥領域検出回路32Ｂ
及び照射領域限定回路32Ｃは照射領域生成手段22の一実
施例である照射領域生成部32を構成し、集束イオンビー
ムFIB の照射領域を決定するものである。Image acquisition circuit 32A, defective area detection circuit 32B
The irradiation area limiting circuit 32C constitutes an irradiation area generation unit 32 which is an embodiment of the irradiation area generation means 22, and determines an irradiation area of the focused ion beam FIB.
【００２７】画像取得回路32Ａは、レチクル43に形成さ
れるクロム膜42のラインパターンなどを含む画像情報Ｉ
Ｉを取得し、欠陥領域検出回路32Ｂに出力するものであ
る。欠陥領域検出回路32Ｂは画像情報ＩＩと基準パター
ンデータＳＰとを比較処理することにより、必要とする
ラインパターン以外の領域にクロム膜42の残渣が生じる
領域（以下欠陥領域ＬＤという）を検出し、欠陥領域Ｌ
Ｄの画像情報を欠陥領域画像情報ＬＩとして照射領域限
定回路32Ｃに出力するものである。The image acquisition circuit 32A is provided with an image information I including a line pattern of the chrome film 42 formed on the reticle 43 and the like.
I is obtained and output to the defective area detection circuit 32B. The defect area detection circuit 32B compares the image information II with the reference pattern data SP to detect an area (hereinafter referred to as a defect area LD) in which a residue of the chromium film 42 occurs in an area other than a required line pattern. Defective area L
The image information of D is output to the irradiation area limiting circuit 32C as defect area image information LI.
【００２８】なお、基準パターンデータＳＰは本来クロ
ム膜42が形成されるべきラインパターンを示す画像デー
タである。照射領域限定回路32Ｃは、欠陥領域画像情報
ＬＩに基づいて集束イオンビームFIB の照射領域を第１
の照射領域FD１もしくは第２の照射領域FD２に設定し、
集束イオンビームFIB の照射領域を制御する信号である
照射制御信号ＬＳを制御回路33に出力するものである。
第１の照射領域FD１，第２の照射領域FD２については図
２（ｂ）で後述する。The reference pattern data SP is image data indicating a line pattern on which the chromium film 42 is to be formed. The irradiation area limiting circuit 32C determines the irradiation area of the focused ion beam FIB based on the defect area image information LI.
Of the irradiation area FD1 or the second irradiation area FD2,
The irradiation control signal LS, which is a signal for controlling the irradiation area of the focused ion beam FIB, is output to the control circuit 33.
The first irradiation area FD1 and the second irradiation area FD2 will be described later with reference to FIG.
【００２９】制御回路33は、制御手段23の一実施例であ
り、集束イオンビーム照射装置31や照射領域生成部32の
入出力を制御し、照射制御信号ＬＳに基づいて集束イオ
ンビーム照射装置31の駆動制御をするものである。The control circuit 33 is an embodiment of the control means 23 and controls the input / output of the focused ion beam irradiation device 31 and the irradiation area generating section 32, and based on the irradiation control signal LS, Drive control.
【００３０】ここで、第１の照射領域FD１及び第２の照
射領域FD２について図２（ｂ）を参照しながら説明す
る。図２（ｂ）は、本実施例に係るレチクルの欠陥修正
装置の集束イオンビームFIB を照射する領域の説明図で
ある。Here, the first irradiation area FD1 and the second irradiation area FD2 will be described with reference to FIG. FIG. 2B is an explanatory view of a region irradiated with the focused ion beam FIB of the reticle defect repairing apparatus according to the present embodiment.
【００３１】図２（ｂ）において、41はガラス基板を示
し、42はラインパターンのクロム膜を示し、ＬＤはクロ
ム膜が残渣する領域である欠陥領域を示す。第１の照射
領域FD１は、図２（ｂ）に示すように、欠陥領域ＬＤの
外周から約０．２５μｍ内側の領域である。In FIG. 2B, 41 indicates a glass substrate, 42 indicates a chromium film having a line pattern, and LD indicates a defect region where the chromium film remains. As shown in FIG. 2B, the first irradiation area FD1 is an area about 0.25 μm inside the outer circumference of the defect area LD.
【００３２】また、第２の照射領域FD２は、第１の照射
領域FD１の外周よりも１μｍ外側の境界線を有する領域
であり、第１の照射領域FD１より広い領域である。以上
説明したように、本発明の各実施例に係るレチクルの欠
陥修正装置によれば、少なくとも、集束イオンビーム照
射装置31，照射領域生成部32及び制御回路33を具備して
いる。The second irradiation area FD2 is an area having a boundary 1 μm outside the outer periphery of the first irradiation area FD1, and is wider than the first irradiation area FD1. As described above, the reticle defect repairing apparatus according to each embodiment of the present invention includes at least the focused ion beam irradiating apparatus 31, the irradiation area generating unit 32, and the control circuit 33.
【００３３】例えば、集束イオンビーム照射装置31によ
ってレチクルに集束イオンビームFIB が照射され、照射
領域生成部32によって集束イオンビームFIB の照射領域
が第１の照射領域FD１や第２の照射領域FD２に設定さ
れ、制御回路33によって集束イオンビーム照射装置31
や、照射領域生成部32の入出力が制御される。For example, the reticle is irradiated with the focused ion beam FIB by the focused ion beam irradiation device 31, and the irradiation region generating unit 32 changes the irradiation region of the focused ion beam FIB to the first irradiation region FD 1 or the second irradiation region FD 2. The focused ion beam irradiation device 31 is set by the control circuit 33.
Also, the input / output of the irradiation area generation unit 32 is controlled.
【００３４】このため、照射領域生成部32によって集束
イオンビームFIB が例えば第１の照射領域FD１に従っ
て、欠陥領域ＬＤの外周より約０．２５μｍ内側の領域
内に照射されるので、集束イオンビームFIB が欠陥領域
ＬＤの全領域にわたって照射されない。For this reason, the focused ion beam FIB is irradiated by the irradiation area generating section 32 into an area about 0.25 μm inside the outer periphery of the defect area LD according to the first irradiation area FD1, for example. Is not irradiated over the entire area of the defect area LD.
【００３５】これにより、欠陥領域ＬＤの端部などによ
って散乱されたイオンがガラス基板41に衝突する確率が
低くなり、ガラス基板41が局部的に深くスパッタエッチ
ングされて局部的に深い段差が形成されることが抑止さ
れる。As a result, the probability that ions scattered by the ends of the defect region LD collide with the glass substrate 41 is reduced, and the glass substrate 41 is locally sputter-etched to form a locally deep step. Is suppressed.
【００３６】以下で本発明の第１の実施例に係るレチク
ルの欠陥修正方法について当該装置の動作を補足しなが
ら説明する。図３は、本発明の第１の実施例に係るレチ
クルの欠陥修正方法を説明するフローチャートであり、
図４は本発明の各実施例に係る欠陥修正方法の補足説明
図である。The reticle defect repairing method according to the first embodiment of the present invention will be described below while supplementing the operation of the apparatus. FIG. 3 is a flowchart illustrating a reticle defect repair method according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a supplementary explanatory diagram of the defect repair method according to each embodiment of the present invention.
【００３７】まず、図３のステップＰ１で、レチクル43
の表面に形成されたクロム膜42の画像情報ＩＩを取得す
る。これによって該クロム膜42がガラス基板41のどこに
形成されているかが判明する。なお、本発明の各実施例
ではクロム膜42の膜厚は１０００Åとしている。このと
き、該画像情報ＩＩは画像取得回路32Ａによって取得さ
れる。First, in step P1 of FIG. 3, the reticle 43
The image information II of the chromium film 42 formed on the surface is obtained. This makes it clear where the chromium film 42 is formed on the glass substrate 41. In each embodiment of the present invention, the thickness of the chromium film 42 is set to 1000 °. At this time, the image information II is obtained by the image obtaining circuit 32A.
【００３８】次に、ステップＰ２で欠陥領域ＬＤの検出
をする。このとき、画像情報ＩＩと基準パターンデータ
ＳＰとが欠陥領域検出回路32Ｂによって比較処理され、
それにより欠陥領域ＬＤが検出され、欠陥領域画像情報
ＬＩとして照射領域限定回路32Ｃに出力される。Next, a defective area LD is detected in step P2. At this time, the image information II is compared with the reference pattern data SP by the defective area detection circuit 32B,
As a result, the defective area LD is detected and output to the irradiation area limiting circuit 32C as defective area image information LI.
【００３９】次いで、ステップＰ３で、集束イオンビー
ムFIB を照射する領域を第１の照射領域FD１に設定す
る。このとき、欠陥領域画像情報ＬＩに基づいて照射領
域限定回路32Ｃにより、集束イオンビームFIB を照射す
る領域が欠陥領域ＬＤの外周より０．２５μｍ内側の第
１の照射領域FD１に設定される（図４（ａ）参照）。Next, in step P3, an area to be irradiated with the focused ion beam FIB is set as a first irradiation area FD1. At this time, based on the defect area image information LI, the area to be irradiated with the focused ion beam FIB is set to a first irradiation area FD1 0.25 μm inside the outer periphery of the defect area LD by the irradiation area limiting circuit 32C (FIG. 4 (a)).
【００４０】次に、ステップＰ４で、集束イオンビーム
FIB を加速電圧２０〜２５ｋＶ，プローブ電流１００〜
３００ｐＡ，ビームサイズ０．１〜０．２μｍφの条件
で、第１の照射領域FD１に照射回数を１００回にして照
射する。Next, in Step P4, the focused ion beam
FIB is accelerated at 20 to 25 kV and probe current is 100 to
The first irradiation area FD1 is irradiated at a frequency of 100 times under the conditions of 300 pA and a beam size of 0.1 to 0.2 μmφ.
【００４１】このとき、設定された第１の照射領域FD１
に基づく照射制御信号ＬＳが照射領域限定回路32Ｃから
制御回路33に出力され、該照射制御信号ＬＳに基づいて
制御回路33によって集束イオンビーム照射装置31が駆動
制御される。そして、集束イオンビーム照射装置31によ
って集束イオンビームFIB が照射される。これにより、
欠陥領域ＬＤ内のクロム膜42の残さがほぼ除去される
（図４（ｂ）参照）。At this time, the set first irradiation area FD1
Is output from the irradiation region limiting circuit 32C to the control circuit 33, and the control circuit 33 drives and controls the focused ion beam irradiation device 31 based on the irradiation control signal LS. Then, the focused ion beam FIB is irradiated by the focused ion beam irradiation device 31. This allows
Residual portions of the chromium film 42 in the defect region LD are almost removed (see FIG. 4B).
【００４２】次いで、ステップＰ５で、引き続いて第１
の照射領域FD１に集束イオンビームFIB を加速電圧２０
〜２５ｋＶ，プローブ電流１００〜３００ｐＡ，ビーム
サイズ０．１〜０．２μｍφの条件で、照射回数を６０
回にして照射する。Next, in step P5, the first
Of focused ion beam FIB to irradiation area FD1
-25 kV, probe current 100-300 pA, beam size 0.1-0.2 μmφ, irradiation frequency is 60
Turn and irradiate.
【００４３】このとき、ステップＰ４のときと同様にし
て、制御回路33によって集束イオンビーム装置31が駆動
制御され、該集束イオンビーム装置31によって集束イオ
ンビームFIB が照射される。At this time, the drive of the focused ion beam device 31 is controlled by the control circuit 33 in the same manner as in step P4, and the focused ion beam FIB is irradiated by the focused ion beam device 31.
【００４４】これにより、欠陥領域ＬＤ内でガラス基板
41上に薄く残存しているクロム膜42や、クロム膜42がス
パッタなどによってガラス基板41に浸透したクロムの原
子などが完全に除去される（図４（ｃ）参照）。As a result, the glass substrate in the defect region LD
The chromium film 42 thinly remaining on the chromium film 41, the chromium atoms that the chromium film 42 has permeated into the glass substrate 41 by sputtering or the like are completely removed (see FIG. 4C).
【００４５】以上説明したように、本発明の第１の実施
例に係るレチクルの欠陥修正方法によれば、図３のフロ
ーチャートに示すように、集束イオンビームFIB の照射
領域を欠陥領域ＬＤの外周より、約０．２５μｍ内側の
領域内に設定するステップＰ３の工程を含んでいる。As described above, according to the reticle defect repairing method according to the first embodiment of the present invention, as shown in the flowchart of FIG. 3, the irradiation area of the focused ion beam FIB is set at the outer periphery of the defect area LD. The step P3 is set within an area of about 0.25 μm inside.
【００４６】このため、欠陥領域ＬＤの端部に直接集束
イオンビームFIB が照射されないので、該集束イオンビ
ームFIB の照射によって欠陥領域ＬＤ内のクロム膜42の
除去を行う際に欠陥領域ＬＤ内に残存するクロム膜42の
端部などによってイオンが散乱されない。Because the focused ion beam FIB is not directly irradiated to the end of the defect area LD, the chromium film 42 in the defect area LD is removed by the irradiation of the focused ion beam FIB. The ions are not scattered by the end of the remaining chromium film 42 or the like.
【００４７】また、欠陥領域ＬＤの外周から０．２５μ
ｍ内側までの領域であって、集束イオンビームの照射が
行われない領域は、第１の照射領域FD１に照射されるイ
オンの散乱成分によってエッチングされ、除去される。Also, 0.25 μm from the outer periphery of the defect region LD.
The region to the inside of m, where the irradiation of the focused ion beam is not performed, is etched and removed by the scattering component of the ions irradiated to the first irradiation region FD1.
【００４８】従って、散乱されたイオンが欠陥領域ＬＤ
以外のガラス基板41に衝突する確率が低くなり、ガラス
基板41が局部的に深くスパッタエッチングされ、局部的
に深い（約１０００〜２０００Å）段差が形成されるこ
とが抑止され、形成される段差が５００Å程度になる。Therefore, the scattered ions form the defect region LD.
The probability of colliding with the other glass substrate 41 is reduced, and the sputter etching of the glass substrate 41 locally is deeply suppressed, and the formation of a locally deep (about 1000 to 2000 °) step is suppressed. It is about 500Å.
【００４９】これにより転写露光の際に、光の散乱によ
って生じるウエハのパターンの欠陥を極力抑止すること
が可能になる。 （２）第２の実施例 以下で、本発明の第２の実施例に係るレチクルの欠陥修
正方法について当該装置の動作を補足しながら説明す
る。図５は本実施例に係るレチクルの欠陥修正方法を説
明するフローチャートであり、図６は本実施例に係るレ
チクルの欠陥修正方法の補足説明図である。なお、第１
の実施例と共通する事柄については、説明を省略する。This makes it possible to minimize defects in the wafer pattern caused by scattering of light during transfer exposure. (2) Second Embodiment Hereinafter, a reticle defect repair method according to a second embodiment of the present invention will be described while supplementing the operation of the apparatus. FIG. 5 is a flowchart illustrating a reticle defect repair method according to the present embodiment, and FIG. 6 is a supplementary explanatory diagram of the reticle defect repair method according to the present embodiment. The first
The description of the same matters as those of the embodiment is omitted.
【００５０】図５のステップＰ１〜Ｐ４は、第１の実施
例の欠陥修正方法を示す図３のステップＰ１〜Ｐ４と全
く同じであるので説明を省略する。図５のステップＰ４
の後に、ステップＰ５で、第１の照射領域FD１の外周よ
りも約１μｍ外側に外周を有する第２の照射領域FD２の
設定をする。Steps P1 to P4 in FIG. 5 are exactly the same as steps P1 to P4 in FIG. 3 showing the defect repairing method of the first embodiment, and a description thereof will be omitted. Step P4 in FIG.
Then, in step P5, a second irradiation region FD2 having an outer periphery approximately 1 μm outside the outer periphery of the first irradiation region FD1 is set.
【００５１】このとき、照射領域限定回路32Ｃにより、
集束イオンビームFIB を照射する領域が第１の照射領域
FD１より約１μｍ広く設定される。次に、ステップＰ６
で、集束イオンビームFIB を加速電圧２０〜２５ｋＶ，
プローブ電流１００〜３００ｐＡ，ビームサイズ０．１
〜０．２μｍφの条件で、第２の照射領域FD２に照射回
数を６０回にして照射する（図６（ｂ）参照）。At this time, the irradiation area limiting circuit 32C
The area irradiated with the focused ion beam FIB is the first irradiation area
It is set about 1 μm wider than FD1. Next, step P6
Then, the focused ion beam FIB is accelerated at an acceleration voltage of 20 to 25 kV,
Probe current 100-300pA, beam size 0.1
The second irradiation area FD2 is irradiated with the number of irradiation times of 60 under the condition of about 0.2 μmφ (see FIG. 6B).
【００５２】このとき、設定された第２の照射領域FD２
に基づく照射制御信号ＬＳが照射領域限定回路32Ｃから
制御回路33に出力され、該照射制御信号ＬＳに基づいて
制御回路33によって集束イオンビーム照射装置31が駆動
制御される。そして集束イオンビーム装置31によって集
束イオンビームFIB が照射される。At this time, the set second irradiation area FD2
Is output from the irradiation region limiting circuit 32C to the control circuit 33, and the control circuit 33 drives and controls the focused ion beam irradiation device 31 based on the irradiation control signal LS. Then, the focused ion beam FIB is irradiated by the focused ion beam device 31.
【００５３】これにより、欠陥領域ＬＤ内でガラス基板
41上に薄く残存しているクロム膜42や、クロム膜42がス
パッタによってガラス基板41に浸透したクロムの原子な
どが完全に除去される（図６（ｃ）参照）。As a result, the glass substrate in the defect region LD
The chromium film 42 thinly remaining on the chromium film 41, the chromium atoms that the chromium film 42 has permeated into the glass substrate 41 by sputtering, and the like are completely removed (see FIG. 6C).
【００５４】以上説明したように、本発明の第２の実施
例に係るレチクルの欠陥修正方法によれば、集束イオン
ビームFIB をレチクル43に照射して欠陥領域ＬＤ内のク
ロム膜42の大部分を除去するステップＰ４の工程と、集
束イオンビームFIB をレチクル43に照射してクロム膜42
やガラス基板41に混在するクロム膜42の粒子を除去する
際に、第１の照射領域FD１の外周よりも約１μｍ広い領
域である第２の照射領域FD２の設定をするステップＰ５
の工程と、第２の照射領域FD２に集束イオンビームFIB
を照射するステップＰ６の工程を含んでいる。As described above, according to the reticle defect repairing method according to the second embodiment of the present invention, the reticle 43 is irradiated with the focused ion beam FIB so that most of the chromium film 42 in the defect region LD is exposed. Step P4 of removing chromium film 42 by irradiating reticle 43 with focused ion beam FIB
Setting the second irradiation area FD2, which is an area about 1 μm wider than the outer circumference of the first irradiation area FD1, when removing particles of the chromium film 42 mixed in the glass substrate 41 or the like.
And the focused ion beam FIB in the second irradiation area FD2
Irradiating step P6.
【００５５】このため、ステップＰ４の工程で欠陥領域
ＬＤ内のクロム膜42の大部分を除去した後に、ステップ
Ｐ５，６の工程で集束イオンビームFIB の照射領域を拡
げて照射するので、本発明の第１の実施例に係るレチク
ルの欠陥修正方法に比して、図６（ｃ）に示すように、
ガラス基板41に形成される段差の底面がさらに平滑にな
る。For this reason, after removing most of the chromium film 42 in the defect region LD in the step P4, the irradiation area of the focused ion beam FIB is expanded and irradiated in the steps P5 and P6. As shown in FIG. 6C, as compared with the reticle defect repair method according to the first embodiment,
The bottom surface of the step formed on the glass substrate 41 is further smoothed.
【００５６】これにより、転写露光の際に光の散乱によ
って生じるウエハのパターンの欠陥をより一層抑止する
ことが可能になる。As a result, it is possible to further suppress the defects in the wafer pattern caused by the scattering of light during the transfer exposure.
【００５７】[0057]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る第１
のレチクルの欠陥修正方法によれば、集束イオンビーム
の照射領域を欠陥領域の外周より、約０．２５μｍ内側
の領域である第１の照射領域内に設定する工程を含んで
いる。As described above, the first embodiment according to the present invention is described.
According to the reticle defect repairing method, the method includes the step of setting the irradiation area of the focused ion beam in the first irradiation area which is about 0.25 μm inside the outer periphery of the defect area.
【００５８】このため、透明基板が局部的に深くスパッ
タエッチングされ、局部的に深い段差が形成されること
が抑止される。これにより、転写露光の際に光の散乱に
よって生じるウエハのパターンの欠陥を極力抑止するこ
とが可能になる。For this reason, the transparent substrate is sputter-etched locally and locally, and the formation of a locally deep step is suppressed. This makes it possible to minimize defects in the wafer pattern caused by light scattering during transfer exposure.
【００５９】また、本発明に係る第２のレチクルの欠陥
修正方法によれば、集束イオンビームの照射領域を第１
の照射領域に設定する工程と、集束イオンビームをレチ
クルに照射して遮光膜の大部分を除去する工程と、集束
イオンビームをレチクルに照射して遮光膜や透明基板の
表層に混在する遮光膜の粒子を除去する際に、第１の照
射領域よりも広い領域である第２の照射領域に集束イオ
ンビームを照射する工程を含んでいる。According to the second reticle defect repair method according to the present invention, the irradiation area of the focused ion beam is
Irradiating the reticle with a focused ion beam to remove most of the light-shielding film; irradiating the reticle with the focused ion beam to shield the reticle from light; and a light-shielding film mixed with the surface layer of the transparent substrate When removing the particles, a step of irradiating a focused ion beam to a second irradiation area which is a larger area than the first irradiation area is included.
【００６０】このため、本発明に係る第１のレチクルの
欠陥修正方法に比して、透明基板に形成される段差の底
面がさらに平滑になり、光が該段差によって散乱される
確率がさらに減少する。これにより、転写露光の際に光
の散乱によって生じるウエハのパターンの欠陥をより一
層抑止することが可能になる。Therefore, compared with the first reticle defect repair method according to the present invention, the bottom surface of the step formed on the transparent substrate is further smoothed, and the probability that light is scattered by the step is further reduced. I do. Thereby, it is possible to further suppress the defect of the pattern of the wafer caused by the scattering of light during the transfer exposure.
【００６１】さらに、本発明に係るレチクルの欠陥修正
装置によれば、少なくとも、集束イオンビーム照射手段
と、照射領域生成手段と、制御手段を具備している。こ
のため、集束イオンビームが欠陥領域の全領域にわたっ
て照射されない。これにより、欠陥領域の端部などによ
って散乱されたイオンが欠陥部分以外の透明基板に衝突
する確率が低くなり、透明基板が局部的に深くスパッタ
エッチングされ、局部的に深い段差が形成されることが
抑止される。Further, the reticle defect correcting apparatus according to the present invention includes at least a focused ion beam irradiation means, an irradiation area generating means, and a control means. For this reason, the focused ion beam is not irradiated over the entire defect region. As a result, the probability that the ions scattered by the edges of the defect area collide with the transparent substrate other than the defective part is reduced, and the transparent substrate is locally sputter-etched deeply, and a locally deep step is formed. Is suppressed.
【図１】本発明に係るレチクルの欠陥修正方法及びその
欠陥修正装置の原理図である。FIG. 1 is a principle diagram of a reticle defect repair method and a reticle defect repair apparatus according to the present invention.
【図２】本発明の各実施例に係るレチクルの欠陥修正装
置の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a reticle defect repairing apparatus according to each embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施例に係るレチクルの欠陥修
正方法を説明するフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart illustrating a reticle defect repair method according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１の実施例に係るレチクルの欠陥修
正方法の補足説明図である。FIG. 4 is a supplementary explanatory diagram of the reticle defect repair method according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第２の実施例に係るレチクルの欠陥修
正方法を説明するフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart illustrating a reticle defect repair method according to a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第２の実施例に係るレチクルの欠陥修
正方法の補足説明図である。FIG. 6 is a supplementary explanatory diagram of a reticle defect repair method according to a second embodiment of the present invention.
【図７】従来例に係るレチクルの欠陥修正方法の説明図
である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a reticle defect correcting method according to a conventional example.
【図８】従来例に係るレチクルの欠陥修正方法の補足説
明図である。FIG. 8 is a supplementary explanatory view of a reticle defect correction method according to a conventional example.
11…透明基板、 12…遮光膜、 13…レチクル、 21…集束イオンビーム照射手段、 22…照射領域生成手段、 23…制御手段、 FD１…第１の照射領域、 FD２…第２の照射領域、 ＬＤ…欠陥領域、 FIB …集束イオンビーム。 11: transparent substrate, 12: light shielding film, 13: reticle, 21: focused ion beam irradiation means, 22: irradiation area generation means, 23: control means, FD1: first irradiation area, FD2: second irradiation area, LD: defect area, FIB: focused ion beam.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16 H01L 21/027 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G03F 1/00-1/16 H01L 21/027
Claims (3)
されて成るレチクル（13）に発生する前記遮光膜（12）
の残渣を集束イオンビーム（FIB ）を照射することによ
って除去する方法であって、 前記遮光膜（12）の残渣が存在する領域である欠陥領域
（ＬＤ）を検出する工程と、 集束イオンビーム（FIB ）を照射する領域である第１の
照射領域（FD１）を前記欠陥領域（ＬＤ）の外周より、
約０．２５μｍ内側の領域内に設定する工程と、 集束イオンビーム（FIB ）を前記第１の照射領域（FD
１）に照射して前記欠陥領域（ＬＤ）内の遮光膜（12）
の残渣の大部分を除去する工程と、 前記集束イオンビーム（FIB ）を前記第１の照射領域
（FD１）に照射して、前記欠陥領域（ＬＤ）内の遮光膜
（12）の残渣や前記透明基板（11）の表層に混在する前
記遮光膜（12）の粒子等を除去する工程を含むことを特
徴とするレチクルの欠陥修正方法。1. A light-shielding film (12) generated on a reticle (13) having a light-shielding film (12) formed on a transparent substrate (11).
Removing the residue by irradiating a focused ion beam (FIB) with a focused ion beam (FIB), comprising: detecting a defect region (LD) that is a region where the residue of the light shielding film (12) exists; FIB) is irradiated from the outer periphery of the defect area (LD) to the first irradiation area (FD1),
Setting it in an area about 0.25 μm inside; and applying a focused ion beam (FIB) to the first irradiation area (FD).
1) irradiating the light shielding film (12) in the defect area (LD)
Removing the majority of the residue; and irradiating the focused ion beam (FIB) to the first irradiation region (FD1) to remove the residue of the light shielding film (12) in the defect region (LD) and the residue. A reticle defect repair method, comprising a step of removing particles and the like of the light shielding film (12) mixed in a surface layer of the transparent substrate (11).
されて成るレチクル（13）に発生する前記遮光膜（12）
の残渣を集束イオンビーム（FIB ）を照射することによ
って除去する方法であって、 前記遮光膜（12）の残渣が存在する領域である欠陥領域
（ＬＤ）を検出する工程と、 集束イオンビーム（FIB ）を照射する領域である第１の
照射領域（FD１）を前記欠陥領域（ＬＤ）の外周より、
約０．２５μｍ内側の領域内に設定する工程と、 集束イオンビーム（FIB ）を前記第１の照射領域（FD
１）に照射して前記欠陥領域（ＬＤ）内の前記遮光膜
（12）の残渣の大部分を除去する工程と、 集束イオンビーム（FIB ）を照射する領域である第２の
照射領域（FD２）を前記第１の照射領域（FD１）に比し
て広く設定し、前記集束イオンビーム（FIB ）を前記第
２の照射領域（FD２）に照射して、欠陥領域（ＬＤ）内
に残存する前記遮光膜（12）の残渣や前記透明基板（1
1）の表層に混在する前記遮光膜（12）の粒子等を除去
する工程を含むことを特徴とするレチクルの欠陥修正方
法。2. A light shielding film (12) generated on a reticle (13) having a light shielding film (12) formed on a transparent substrate (11).
Removing a residue of the light-shielding film (12) by irradiating the focused ion beam (FIB) with a focused ion beam (FIB). FIB) is irradiated from the outer periphery of the defect area (LD) to the first irradiation area (FD1),
Setting it in an area about 0.25 μm inside; and applying a focused ion beam (FIB) to the first irradiation area (FD).
1) irradiating the defect region (LD) to remove most of the residue of the light-shielding film (12) in the defect region (LD); ) Is set wider than the first irradiation area (FD1), and the focused ion beam (FIB) is irradiated to the second irradiation area (FD2) to remain in the defect area (LD). The residue of the light shielding film (12) and the transparent substrate (1
A reticle defect repairing method, comprising the step of 1) removing particles and the like of the light-shielding film (12) mixed in the surface layer.
方法を実施する装置であって、 少なくとも、レチクル（13）に集束イオンビーム（FIB
）を照射する集束イオンビーム照射手段（21）と、 前記集束イオンビーム（FIB ）の照射領域を前記第１の
照射領域（FD１）又は前記第１の照射領域（FD１）及び
第２の照射領域（FD２）に設定する照射領域生成手段
（22）と、 前記集束イオンビーム照射手段（21）と、照射領域生成
手段（22）を含む入出力を制御する制御手段（23）とを
具備することを特徴とするレチクルの欠陥修正装置。3. An apparatus for performing the reticle defect repair method according to claim 1, wherein at least a focused ion beam (FIB) is applied to the reticle (13).
A focused ion beam irradiation means (21) for irradiating the first irradiation area (FD1) or the first irradiation area (FD1) and the second irradiation area with the focused ion beam (FIB). (FD2) An irradiation area generating means (22) to be set, the focused ion beam irradiation means (21), and a control means (23) for controlling input and output including the irradiation area generating means (22) are provided. A reticle defect repairing device characterized by the following.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6362292A JP3076130B2 (en) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | Reticle defect repair method and defect repair device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP6362292A JP3076130B2 (en) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | Reticle defect repair method and defect repair device |
Publications (2)
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| JPH05265193A JPH05265193A (en) | 1993-10-15 |
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ID=13234616
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4112842B2 (en) * | 2001-11-06 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | Mask defect correction method |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP6362292A patent/JP3076130B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05265193A (en) | 1993-10-15 |
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