JPH0519975Y2 - - Google Patents

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JPH0519975Y2
JPH0519975Y2 JP1987065646U JP6564687U JPH0519975Y2 JP H0519975 Y2 JPH0519975 Y2 JP H0519975Y2 JP 1987065646 U JP1987065646 U JP 1987065646U JP 6564687 U JP6564687 U JP 6564687U JP H0519975 Y2 JPH0519975 Y2 JP H0519975Y2
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thick film
film conductor
principal plane
hole
conductor
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、混成集積回路に関し、特にそれに使
用される厚膜回路基板の構造に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
一主平面を接地面とし、この接地面に金属放熱
体を半田付する厚膜混成集積回路においては、第
3図に示すように、接地面の厚膜導体3ともう一
方の主平面上の膜回路を形成する厚膜導体2とを
接続するための誘電体基板1内のスルーホール部
分で厚膜導体2,3はスルーホールの角の部分で
薄くなるために放熱体(図示せず)に厚膜導体3
を半田付けする時に、半田くわれを起し厚膜導体
3がスルーホールの角部で断線し易い。これを防
止するために、従来は接地面のスルーホールの周
囲にガラス膜7を被覆することが行われている。
〔考案が解決しようとする問題点〕
1 スルーホール保護に用いられるガラス膜7の
熱膨張係数が回路基板1に使用されるアルミナ
等のセラミツクの熱膨張係数と異る。そのため
混成集積回路製造工程中でガラス膜7にクラツ
クを生じる。
2 ガラスは体質的に酸に弱い。このため、半田
付時に使用するフラツクス中の酸によつてガラ
ス膜7が溶解される場合がある。これを避ける
ためにはフラツクスの種類が限定される。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案によれば、誘電体基板と、誘電体基板の
一主平面と他の主平面とを貫通するスルーホール
と、一主平面上の第1の厚膜導体と、他の主面上
の第2の厚膜導体と、第1の厚膜導体及び第2の
厚膜導体を接続しスルーホール内に形成された配
線導体とを有し、第2の厚膜導体上に金属放熱体
が半田付された混成集積回路において、他の主面
上で第2の厚膜導体下にスルーホールを覆つて形
成されたセラミツクス層を有する混成集積回路が
得られる。
〔実施例〕
本考案につき図面を用いて説明する。
第1図は本考案の第1の実施例の断面図であ
る。誘電体(アルミナ)基板1に印刷された厚膜
導体2及び3がスルーホールを通じて接続されて
いる。スルーホール部はアルミナ膜4で覆われ、
その上から厚膜導体5が印刷される。アルミナ膜
4は通常用いられる印刷法で形成し、10〜50μ程
度の厚さとする。
第2図に本考案の第2の実施例を示す。アルミ
ナ膜6の厚さを薄くし、スルーホール部とその周
辺の領域のみにアルミナ膜6を施した例である。
第1の実施例及び第2の実施例においては、基
板の下面に設けたアルミナ膜4,6が基板面から
突出することのない構造となつているため、厚膜
導体5に放熱体を半田付する際厚膜導体5と放熱
体との密着性がよく、放熱効果が優れるため、信
頼性の高い混成集積回路が得られる。この点、第
3図に示した従来例では絶縁基体1の裏面がガラ
ス膜7によつて平坦性を失なわれているので、放
熱板との密着性が悪く放熱効果が劣るものであ
る。
〔考案の効果〕 本考案により以下の効果がある。
1 回路基板とスルーホール部保護膜に同じアル
ミナ等のセラミツクスを用いることにより、混
成集積回路の製造工程中の熱履歴により保護膜
部にクラツクを生じることがない。また、セラ
ミツクスは化学的に安定しているので、半田付
のフラツクスに侵されない。このため半田付中
に半田クワレが発生しないので、製品の歩留、
信頼度が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の第1の実施例の混成集積回路
の断面図、第2図は本考案の第2の実施例の混成
集積回路の断面図、第3図は従来の混成集積回路
の断面図である。 1……誘電体基板、2,3,5……厚膜導体、
4……アルミナ膜、6……薄いアルミナ膜、7…
…ガラス膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 誘電体基板と、該誘電体基板の一主平面と他の
    主平面とを貫通するスルーホールと、前記一主平
    面上の第1の厚膜導体と、前記他の主平面上の第
    2の厚膜導体と、前記第1の厚膜導体及び前記第
    2の厚膜導体を接続し前記スルーホール内に形成
    された配線導体とを有し、前記第2の厚膜導体上
    に金属放熱体が半田付された混成集積回路におい
    て、前記他の主平面上で前記第2の厚膜導体下に
    前記スルーホールを覆つて形成されたセラミツク
    ス層を有することを特徴とする混成集積回路。
JP1987065646U 1987-04-28 1987-04-28 Expired - Lifetime JPH0519975Y2 (ja)

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JPS63172173U JPS63172173U (ja) 1988-11-09
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5245059A (en) * 1975-10-07 1977-04-08 Fujitsu Ltd Method of producing ceramic circuit substrate
JPS5384165A (en) * 1976-12-29 1978-07-25 Mitsumi Electric Co Ltd Method of producing hyb ic

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5245059A (en) * 1975-10-07 1977-04-08 Fujitsu Ltd Method of producing ceramic circuit substrate
JPS5384165A (en) * 1976-12-29 1978-07-25 Mitsumi Electric Co Ltd Method of producing hyb ic

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