JPH05199094A - 高周波スイッチ回路 - Google Patents
高周波スイッチ回路Info
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- JPH05199094A JPH05199094A JP849092A JP849092A JPH05199094A JP H05199094 A JPH05199094 A JP H05199094A JP 849092 A JP849092 A JP 849092A JP 849092 A JP849092 A JP 849092A JP H05199094 A JPH05199094 A JP H05199094A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＴＸ端子とＡＮＴ端子との間にＦＥＴ１を直
列に設け、ＡＮＴ端子とＲＸ端子との間にＦＥＴ３を直
列に設ける。ＴＸ端子と接地ラインとの間には、インピ
ーダンス整合用のＦＥＴ２を直列に設ける。ＲＸ端子と
接地ラインとの間には、インピーダンス整合用のＦＥＴ
４を直列に設ける。ＦＥＴ１・４とＦＥＴ２・３とは、
それぞれＣＯＮＴ１端子とＣＯＮＴ２端子とに印加され
る制御電圧でＯＮするようになっている。また、ＦＥＴ
１のピンチオフ電圧は、ＦＥＴ２〜４のピンチオフ電圧
より高く設定されている。 【効果】 ＴＸ端子から出力される信号が大電力であっ
ても、ＦＥＴ２を安定してＯＦＦさせることができ、Ｆ
ＥＴ１のピンチオフ電圧を高くしてＦＥＴ１を安定して
ＯＮさせることができる。それゆえ、無線機等におい
て、低電圧動作を安定して行わせることができる。
列に設け、ＡＮＴ端子とＲＸ端子との間にＦＥＴ３を直
列に設ける。ＴＸ端子と接地ラインとの間には、インピ
ーダンス整合用のＦＥＴ２を直列に設ける。ＲＸ端子と
接地ラインとの間には、インピーダンス整合用のＦＥＴ
４を直列に設ける。ＦＥＴ１・４とＦＥＴ２・３とは、
それぞれＣＯＮＴ１端子とＣＯＮＴ２端子とに印加され
る制御電圧でＯＮするようになっている。また、ＦＥＴ
１のピンチオフ電圧は、ＦＥＴ２〜４のピンチオフ電圧
より高く設定されている。 【効果】 ＴＸ端子から出力される信号が大電力であっ
ても、ＦＥＴ２を安定してＯＦＦさせることができ、Ｆ
ＥＴ１のピンチオフ電圧を高くしてＦＥＴ１を安定して
ＯＮさせることができる。それゆえ、無線機等におい
て、低電圧動作を安定して行わせることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無線機における送受信
時の入出力の切り換え等に適用される高周波スイッチ回
路に関するものである。
時の入出力の切り換え等に適用される高周波スイッチ回
路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ（ガリウムひ素）電界効果トラ
ンジスタ（以降、適宜、ＦＥＴと称する）は、従来から
マイクロ波帯における低雑音増幅器において広く活用さ
れてきたが、近年では、その適用範囲が広げられ、高周
波スイッチ回路等に利用されるようになってきた。
ンジスタ（以降、適宜、ＦＥＴと称する）は、従来から
マイクロ波帯における低雑音増幅器において広く活用さ
れてきたが、近年では、その適用範囲が広げられ、高周
波スイッチ回路等に利用されるようになってきた。
【０００３】図３に従来の高周波スイッチ回路（電子情
報通信学会技報ＭＷ８３ １１８，７１頁〜７８頁参
照）を示す。
報通信学会技報ＭＷ８３ １１８，７１頁〜７８頁参
照）を示す。
【０００４】この高周波スイッチ回路では、図示しない
電力増幅器が接続されるＴＸ端子と図示しないアンテナ
が接続されるＡＮＴ端子との間にＦＥＴ３１が直列に接
続されるとともに、ＡＮＴ端子と図示しない低雑音増幅
器が接続されるＲＸ端子との間にＦＥＴ３２が直列に接
続されている。また、ＴＸ端子と接地ラインとの間に
は、ＦＥＴ３３が直列に接続され、ＲＸ端子と接地ライ
ンとの間には、ＦＥＴ３３が直列に接続されている。
電力増幅器が接続されるＴＸ端子と図示しないアンテナ
が接続されるＡＮＴ端子との間にＦＥＴ３１が直列に接
続されるとともに、ＡＮＴ端子と図示しない低雑音増幅
器が接続されるＲＸ端子との間にＦＥＴ３２が直列に接
続されている。また、ＴＸ端子と接地ラインとの間に
は、ＦＥＴ３３が直列に接続され、ＲＸ端子と接地ライ
ンとの間には、ＦＥＴ３３が直列に接続されている。
【０００５】ＦＥＴ３１・３４は、それぞれゲートが抵
抗３５・３６を介してＣＯＮＴ１端子に接続され、ＣＯ
ＮＴ１端子に印加される制御電圧によりＯＮするように
なっている。一方、ＦＥＴ３２・３３は、それぞれゲー
トが抵抗３７・３８を介してＣＯＮＴ２端子に接続さ
れ、ＣＯＮＴ２端子に印加される制御電圧によりＯＮす
るようになっている。
抗３５・３６を介してＣＯＮＴ１端子に接続され、ＣＯ
ＮＴ１端子に印加される制御電圧によりＯＮするように
なっている。一方、ＦＥＴ３２・３３は、それぞれゲー
トが抵抗３７・３８を介してＣＯＮＴ２端子に接続さ
れ、ＣＯＮＴ２端子に印加される制御電圧によりＯＮす
るようになっている。
【０００６】また、ＴＸ端子（電力増幅器）側からみた
ＡＮＴ端子（アンテナ）側は低インピーダンスであり、
ＴＸ端子側およびＡＮＴ端子側からみたＲＸ端子（低雑
音増幅器）側は高インピーダンスである。
ＡＮＴ端子（アンテナ）側は低インピーダンスであり、
ＴＸ端子側およびＡＮＴ端子側からみたＲＸ端子（低雑
音増幅器）側は高インピーダンスである。
【０００７】このように構成される高周波スイッチ回路
において、受信時には、ＣＯＮＴ２端子に印加される制
御電圧によりＦＥＴ３２・３３がＯＮすると、アンテナ
で受信されてＡＮＴ端子から入力された信号が、ＦＥＴ
３２を通じてＲＸ端子に入力される。このとき、ＣＯＮ
Ｔ１端子に印加される制御電圧によりＦＥＴ３１・３４
がＯＦＦしており、ＡＮＴ端子とＴＸ端子との間は遮断
されている。
において、受信時には、ＣＯＮＴ２端子に印加される制
御電圧によりＦＥＴ３２・３３がＯＮすると、アンテナ
で受信されてＡＮＴ端子から入力された信号が、ＦＥＴ
３２を通じてＲＸ端子に入力される。このとき、ＣＯＮ
Ｔ１端子に印加される制御電圧によりＦＥＴ３１・３４
がＯＦＦしており、ＡＮＴ端子とＴＸ端子との間は遮断
されている。
【０００８】一方、送信時には、ＣＯＮＴ１端子に印加
される制御電圧によりＦＥＴ３１・３４がＯＮすると、
電力増幅器で増幅されてＴＸ端子から入力された信号
が、ＦＥＴ３１を通じてＡＮＴ端子に出力される。この
とき、ＣＯＮＴ２端子に印加される制御電圧によりＦＥ
Ｔ３２・３３がＯＦＦしており、ＡＮＴ端子とＲＸ端子
との間は遮断されている。
される制御電圧によりＦＥＴ３１・３４がＯＮすると、
電力増幅器で増幅されてＴＸ端子から入力された信号
が、ＦＥＴ３１を通じてＡＮＴ端子に出力される。この
とき、ＣＯＮＴ２端子に印加される制御電圧によりＦＥ
Ｔ３２・３３がＯＦＦしており、ＡＮＴ端子とＲＸ端子
との間は遮断されている。
【０００９】上記のようにＦＥＴ３１〜３４をＯＮさせ
るには、それぞれのゲートにピンチオフ電圧以上の電圧
を印加する必要がある。また、ＦＥＴ３１〜３４をＯＦ
Ｆさせるには、それぞれのゲートにピンチオフ電圧以下
の負電圧を印加する必要がある。このため、ＣＯＮＴ１
端子およびＣＯＮＴ２端子には、上記の条件を満たす電
圧が印加される。
るには、それぞれのゲートにピンチオフ電圧以上の電圧
を印加する必要がある。また、ＦＥＴ３１〜３４をＯＦ
Ｆさせるには、それぞれのゲートにピンチオフ電圧以下
の負電圧を印加する必要がある。このため、ＣＯＮＴ１
端子およびＣＯＮＴ２端子には、上記の条件を満たす電
圧が印加される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の高周
波スイッチ回路で信号の切り換えを行う際、例えば、回
路のインピーダンスが５０Ωに設定されている場合で
は、送信側の電力増幅器から出力される信号の電力が例
えば２３ｄＢｍに達すると、ＦＥＴ３１のソース側での
電位が±１．５Ｖ以上になる。このため、ソース側の電
位が正側に振れたとき、ＦＥＴ３１のゲート−ソース間
電圧は、ＣＯＮＴ１端子の制御電圧からソース電圧を減
じた値となり、この電圧がピンチオフ電圧に近くなると
ＦＥＴ３１のＯＮ状態が不安定となり、信号波形に歪み
が生じやすくなる。
波スイッチ回路で信号の切り換えを行う際、例えば、回
路のインピーダンスが５０Ωに設定されている場合で
は、送信側の電力増幅器から出力される信号の電力が例
えば２３ｄＢｍに達すると、ＦＥＴ３１のソース側での
電位が±１．５Ｖ以上になる。このため、ソース側の電
位が正側に振れたとき、ＦＥＴ３１のゲート−ソース間
電圧は、ＣＯＮＴ１端子の制御電圧からソース電圧を減
じた値となり、この電圧がピンチオフ電圧に近くなると
ＦＥＴ３１のＯＮ状態が不安定となり、信号波形に歪み
が生じやすくなる。
【００１１】また、ＦＥＴ３１のＯＮ状態を安定させる
ために、ＦＥＴ３１のピンチオフ電圧を大きくしても、
このときＦＥＴ３２のゲート−ソース間電圧は、ＣＯＮ
Ｔ２端子の制御電圧からソース電圧を減じた値となる。
このため、ＦＥＴ３２のソース側の電位が負側に振れた
ときに、ＦＥＴ３２のゲート−ソース間電圧がピンチオ
フ電圧よりも小さくなると、ＦＥＴ３２が完全にＯＦＦ
にならず、ＦＥＴ３２・３４を通じて信号が漏れてしま
う。この結果、信号の波形歪みを引き起こすとともに、
アイソレーションの悪化を招くという不都合が生じてい
た。それゆえ、上記の高周波スイッチ回路は、線形性が
必要になる無線機等に適さないという問題点を有してい
た。
ために、ＦＥＴ３１のピンチオフ電圧を大きくしても、
このときＦＥＴ３２のゲート−ソース間電圧は、ＣＯＮ
Ｔ２端子の制御電圧からソース電圧を減じた値となる。
このため、ＦＥＴ３２のソース側の電位が負側に振れた
ときに、ＦＥＴ３２のゲート−ソース間電圧がピンチオ
フ電圧よりも小さくなると、ＦＥＴ３２が完全にＯＦＦ
にならず、ＦＥＴ３２・３４を通じて信号が漏れてしま
う。この結果、信号の波形歪みを引き起こすとともに、
アイソレーションの悪化を招くという不都合が生じてい
た。それゆえ、上記の高周波スイッチ回路は、線形性が
必要になる無線機等に適さないという問題点を有してい
た。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波スイッチ
回路は、ＧａＡｓＦＥＴをスイッチング素子として用
い、入出力部と大電力または中電力の信号が通過する第
１回路とを接離する第１スイッチング素子と、入出力部
と低電力の信号が通過する第２回路とを接離する第２ス
イッチング素子とを備えた高周波スイッチ回路におい
て、上記の課題を解決するために、以下の手段を講じて
いることを特徴としている。
回路は、ＧａＡｓＦＥＴをスイッチング素子として用
い、入出力部と大電力または中電力の信号が通過する第
１回路とを接離する第１スイッチング素子と、入出力部
と低電力の信号が通過する第２回路とを接離する第２ス
イッチング素子とを備えた高周波スイッチ回路におい
て、上記の課題を解決するために、以下の手段を講じて
いることを特徴としている。
【００１３】すなわち、上記の高周波スイッチ回路は、
上記第１スイッチング素子のピンチオフ電圧が、第２ス
イッチング素子のピンチオフ電圧よりも高くなるように
設定されている。
上記第１スイッチング素子のピンチオフ電圧が、第２ス
イッチング素子のピンチオフ電圧よりも高くなるように
設定されている。
【００１４】
【作用】上記の構成では、第１回路と入出力部とを第１
スイッチング素子を通じて接続する場合、大電力または
中電力の信号に対し第１スイッチング素子を安定してＯ
Ｎさせるように第１スイッチング素子のピンチオフ電圧
を高くしても、第２スイッチング素子のピンチオフ電圧
が第１スイッチング素子のピンチオフ電圧よりも低いの
で、第２スイッチング素子のゲート−ソース間電圧が第
２スイッチング素子のピンチオフ電圧より低くなるとき
の信号の電力の値を大きくすることができる。
スイッチング素子を通じて接続する場合、大電力または
中電力の信号に対し第１スイッチング素子を安定してＯ
Ｎさせるように第１スイッチング素子のピンチオフ電圧
を高くしても、第２スイッチング素子のピンチオフ電圧
が第１スイッチング素子のピンチオフ電圧よりも低いの
で、第２スイッチング素子のゲート−ソース間電圧が第
２スイッチング素子のピンチオフ電圧より低くなるとき
の信号の電力の値を大きくすることができる。
【００１５】それゆえ、第１回路を通過する信号の電力
が大きいものであっても、第２スイッチング素子を安定
してＯＦＦさせることができる。しかも、第２スイッチ
ング素子のゲート−ソース間電圧を高くするために、第
２スイッチング素子を制御する電圧を大きくする必要が
なく、低電圧でより大きな電力の信号をスイッチングす
ることができる。
が大きいものであっても、第２スイッチング素子を安定
してＯＦＦさせることができる。しかも、第２スイッチ
ング素子のゲート−ソース間電圧を高くするために、第
２スイッチング素子を制御する電圧を大きくする必要が
なく、低電圧でより大きな電力の信号をスイッチングす
ることができる。
【００１６】
【実施例】〔実施例１〕本発明を無線機における送受信
回路の切り換えに用いられる単極双投型スイッチに適用
した一実施例について図１に基づいて説明すれば、以下
の通りである。
回路の切り換えに用いられる単極双投型スイッチに適用
した一実施例について図１に基づいて説明すれば、以下
の通りである。
【００１７】本実施例に係る高周波スイッチ回路は、図
１に示すように、ガリウムひ素電界効果トランジスタで
あるＦＥＴ１〜４を備えている。
１に示すように、ガリウムひ素電界効果トランジスタで
あるＦＥＴ１〜４を備えている。
【００１８】第１スイッチング素子としてのＦＥＴ１
は、ＴＸ端子とＡＮＴ端子との間を接離するように設け
られており、ゲートが抵抗５を介してＣＯＮＴ１端子に
接続されている。また、ＦＥＴ２は、ＴＸ端子と接地ラ
インとの間を接離するように設けられており、ゲートが
抵抗６を介してＣＯＮＴ２端子に接続されている。ＴＸ
端子は、図示しない送信側の電力増幅器（第１回路）が
接続され、ＡＮＴ端子は、図示しないアンテナ（入出力
部）が接続されるようになっている。
は、ＴＸ端子とＡＮＴ端子との間を接離するように設け
られており、ゲートが抵抗５を介してＣＯＮＴ１端子に
接続されている。また、ＦＥＴ２は、ＴＸ端子と接地ラ
インとの間を接離するように設けられており、ゲートが
抵抗６を介してＣＯＮＴ２端子に接続されている。ＴＸ
端子は、図示しない送信側の電力増幅器（第１回路）が
接続され、ＡＮＴ端子は、図示しないアンテナ（入出力
部）が接続されるようになっている。
【００１９】一方、第２スイッチング素子としてのＦＥ
Ｔ３は、ＡＮＴ端子とＲＸ端子との間を接離するように
設けられており、ゲートが抵抗７を介してＣＯＮＴ２端
子に接続されている。また、ＦＥＴ４は、ＲＸ端子と接
地ラインとの間を接離するように設けられており、ゲー
トが抵抗８を介してＣＯＮＴ１端子に接続されている。
ＲＸ端子は、図示しない受信側の低雑音増幅器（第２回
路）が接続されるようになっている。
Ｔ３は、ＡＮＴ端子とＲＸ端子との間を接離するように
設けられており、ゲートが抵抗７を介してＣＯＮＴ２端
子に接続されている。また、ＦＥＴ４は、ＲＸ端子と接
地ラインとの間を接離するように設けられており、ゲー
トが抵抗８を介してＣＯＮＴ１端子に接続されている。
ＲＸ端子は、図示しない受信側の低雑音増幅器（第２回
路）が接続されるようになっている。
【００２０】ＣＯＮＴ１端子には、ＦＥＴ１・４をＯＮ
・ＯＦＦさせる制御電圧が印加されるようになってい
る。ＣＯＮＴ２端子には、ＦＥＴ２・３をＯＮ・ＯＦＦ
させる制御電圧が印加されるようになっている。
・ＯＦＦさせる制御電圧が印加されるようになってい
る。ＣＯＮＴ２端子には、ＦＥＴ２・３をＯＮ・ＯＦＦ
させる制御電圧が印加されるようになっている。
【００２１】ＦＥＴ２・４は、インピーダンス整合用に
設けられており、これらのＯＮ抵抗が回路インピーダン
スと等しくなるように設定されることにより、信号が開
放端で全反射することを防止するようになっている。
設けられており、これらのＯＮ抵抗が回路インピーダン
スと等しくなるように設定されることにより、信号が開
放端で全反射することを防止するようになっている。
【００２２】ところで、ＦＥＴ１は、ピンチオフ電圧が
−２．０Ｖに設定され、ＦＥＴ２〜４は、ピンチオフ電
圧が−１．２Ｖに設定されている。ピンチオフ電圧を上
記のように設定するには、ＦＥＴ１〜４のチャネル部分
にイオン打ち込みを行ってキャリア濃度を高める方法が
用いられるが、他の方法によっても可能である。
−２．０Ｖに設定され、ＦＥＴ２〜４は、ピンチオフ電
圧が−１．２Ｖに設定されている。ピンチオフ電圧を上
記のように設定するには、ＦＥＴ１〜４のチャネル部分
にイオン打ち込みを行ってキャリア濃度を高める方法が
用いられるが、他の方法によっても可能である。
【００２３】上記の構成において、送信側が選択される
と、ＦＥＴ１・４は、ＣＯＮＴ１端子に印加される制御
電圧によりＯＮする一方、ＦＥＴ２・３は、ＣＯＮＴ１
端子に印加される制御電圧によりＯＦＦしている。これ
により、ＴＸ端子とＡＮＴ端子とが接続され、ＲＸ端子
がＦＥＴ４のＯＮ抵抗により終端される。
と、ＦＥＴ１・４は、ＣＯＮＴ１端子に印加される制御
電圧によりＯＮする一方、ＦＥＴ２・３は、ＣＯＮＴ１
端子に印加される制御電圧によりＯＦＦしている。これ
により、ＴＸ端子とＡＮＴ端子とが接続され、ＲＸ端子
がＦＥＴ４のＯＮ抵抗により終端される。
【００２４】このとき、ＴＸ端子から入力される信号
は、ＦＥＴ１を通じてＡＮＴ端子に出力されるが、ＦＥ
Ｔ１のピンチオフ電圧が上記のように高く設定されてい
るので、大電力または中電力の信号を通過させることが
できる。また、ＦＥＴ３のピンチオフ電圧が低く設定さ
れているので、ＦＥＴ３のソース側の電位が負側に振れ
ても、ＦＥＴ３のゲート−ソース間電圧が上記のピンチ
オフ電圧より低くなりにくく、ＦＥＴ３はほぼ完全にＯ
ＦＦ状態が維持されるようになる。
は、ＦＥＴ１を通じてＡＮＴ端子に出力されるが、ＦＥ
Ｔ１のピンチオフ電圧が上記のように高く設定されてい
るので、大電力または中電力の信号を通過させることが
できる。また、ＦＥＴ３のピンチオフ電圧が低く設定さ
れているので、ＦＥＴ３のソース側の電位が負側に振れ
ても、ＦＥＴ３のゲート−ソース間電圧が上記のピンチ
オフ電圧より低くなりにくく、ＦＥＴ３はほぼ完全にＯ
ＦＦ状態が維持されるようになる。
【００２５】以上述べたように、本実施例では、ＦＥＴ
１のピンチオフ電圧をＦＥＴ３のピンチオフ電圧より高
くしているので、ＦＥＴ１を安定してＯＮさせるため
に、ＦＥＴ１のピンチオフ電圧をＦＥＴ３のピンチオフ
電圧を高くしても、ＦＥＴ３のゲート−ソース間電圧が
ＦＥＴ３のピンチオフ電圧より低くなるときの信号電力
を大きくすることができる。
１のピンチオフ電圧をＦＥＴ３のピンチオフ電圧より高
くしているので、ＦＥＴ１を安定してＯＮさせるため
に、ＦＥＴ１のピンチオフ電圧をＦＥＴ３のピンチオフ
電圧を高くしても、ＦＥＴ３のゲート−ソース間電圧が
ＦＥＴ３のピンチオフ電圧より低くなるときの信号電力
を大きくすることができる。
【００２６】それゆえ、本実施例の構成によれば、大電
力の信号を歪みなく通過させることができる。例えば、
制御電圧を−３Ｖとした場合、従来の高周波スイッチ回
路では、入力電力が２０ｄＢｍを越えると歪んでいたの
が、本実施例の構成では、入力電力が２３ｄＢｍまで歪
みなく安定してスイッチング動作を行えるようになっ
た。しかも、上記の構成では、ＦＥＴ３を安定してＯＦ
Ｆさせるために、高い制御電圧を必要とすることがない
ので、低電圧で大電力信号のスイッチングが可能にな
る。
力の信号を歪みなく通過させることができる。例えば、
制御電圧を−３Ｖとした場合、従来の高周波スイッチ回
路では、入力電力が２０ｄＢｍを越えると歪んでいたの
が、本実施例の構成では、入力電力が２３ｄＢｍまで歪
みなく安定してスイッチング動作を行えるようになっ
た。しかも、上記の構成では、ＦＥＴ３を安定してＯＦ
Ｆさせるために、高い制御電圧を必要とすることがない
ので、低電圧で大電力信号のスイッチングが可能にな
る。
【００２７】〔実施例２〕本発明の他の実施例について
図２に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
前記実施例１と同様の構成要素については、同一の符号
を付記してその説明を省略する。
図２に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
前記実施例１と同様の構成要素については、同一の符号
を付記してその説明を省略する。
【００２８】本実施例に係る高周波スイッチ回路も、無
線機の送受信回路の切り換えに適用されるものであっ
て、図２に示すように、ガリウムひ素電界効果トランジ
スタであるＦＥＴ１１〜１８を備えている。
線機の送受信回路の切り換えに適用されるものであっ
て、図２に示すように、ガリウムひ素電界効果トランジ
スタであるＦＥＴ１１〜１８を備えている。
【００２９】第１スイッチング素子としてのＦＥＴ１１
・１２は、互いに直列に接続されて、ＴＸ端子とＡＮＴ
端子との間を接離するように設けられており、それぞれ
ゲートが抵抗１９・２０を介してＣＯＮＴ１端子に接続
されている。また、ＦＥＴ１３は、ＴＸ端子と接地ライ
ンとの間を接離するように設けられており、ゲートが抵
抗２１を介してＣＯＮＴ２端子に接続されている。ＦＥ
Ｔ１４は、ＦＥＴ１１とＦＥＴ１２との接続点と接地ラ
インとの間を接離するように設けられており、ゲートが
抵抗２２を介してＣＯＮＴ２端子に接続されている。
・１２は、互いに直列に接続されて、ＴＸ端子とＡＮＴ
端子との間を接離するように設けられており、それぞれ
ゲートが抵抗１９・２０を介してＣＯＮＴ１端子に接続
されている。また、ＦＥＴ１３は、ＴＸ端子と接地ライ
ンとの間を接離するように設けられており、ゲートが抵
抗２１を介してＣＯＮＴ２端子に接続されている。ＦＥ
Ｔ１４は、ＦＥＴ１１とＦＥＴ１２との接続点と接地ラ
インとの間を接離するように設けられており、ゲートが
抵抗２２を介してＣＯＮＴ２端子に接続されている。
【００３０】一方、第２スイッチング素子としてのＦＥ
Ｔ１５・１６は、互いに直列に接続されて、ＡＮＴ端子
とＲＸ端子との間を接離するように設けられており、そ
れぞれゲートが抵抗２３・２４を介してＣＯＮＴ２端子
に接続されている。また、ＦＥＴ１７は、ＦＥＴ１５と
ＦＥＴ１６との接続点と接地ラインとの間を接離するよ
うに設けられており、ゲートが抵抗２５を介してＣＯＮ
Ｔ１端子に接続されている。ＦＥＴ１８は、ＲＸ端子と
接地ラインとの間を接離するように設けられており、ゲ
ートが抵抗２６を介してＣＯＮＴ１端子に接続されてい
る。
Ｔ１５・１６は、互いに直列に接続されて、ＡＮＴ端子
とＲＸ端子との間を接離するように設けられており、そ
れぞれゲートが抵抗２３・２４を介してＣＯＮＴ２端子
に接続されている。また、ＦＥＴ１７は、ＦＥＴ１５と
ＦＥＴ１６との接続点と接地ラインとの間を接離するよ
うに設けられており、ゲートが抵抗２５を介してＣＯＮ
Ｔ１端子に接続されている。ＦＥＴ１８は、ＲＸ端子と
接地ラインとの間を接離するように設けられており、ゲ
ートが抵抗２６を介してＣＯＮＴ１端子に接続されてい
る。
【００３１】また、ＦＥＴ１１・１２は、ピンチオフ電
圧が、ＦＥＴ１３〜１８のピンチオフ電圧より高くなる
ように設定されている。
圧が、ＦＥＴ１３〜１８のピンチオフ電圧より高くなる
ように設定されている。
【００３２】上記の構成では、ＦＥＴ１１・１２および
ＦＥＴ１５・１６のピンチオフ電圧の設定により、前記
実施例１と同様に、大電力信号のスイッチングが可能で
ある。しかも、この構成は、ＴＸ端子とＡＮＴ端子との
間にＦＥＴ１１・１２が２段構成に設けられるととも
に、ＡＮＴ端子とＲＸ端子との間にＦＥＴ１５・１６が
２段構成に設けられているので、アイソレーションをよ
り高めることができる。
ＦＥＴ１５・１６のピンチオフ電圧の設定により、前記
実施例１と同様に、大電力信号のスイッチングが可能で
ある。しかも、この構成は、ＴＸ端子とＡＮＴ端子との
間にＦＥＴ１１・１２が２段構成に設けられるととも
に、ＡＮＴ端子とＲＸ端子との間にＦＥＴ１５・１６が
２段構成に設けられているので、アイソレーションをよ
り高めることができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の高周波スイッチ回路は、以上の
ように、第１スイッチング素子のピンチオフ電圧が、第
２スイッチング素子のピンチオフ電圧よりも高くなるよ
うに設定されているので、第２スイッチング素子が安定
してＯＮ状態を維持できる信号の電力の値を大きくする
ことができる。
ように、第１スイッチング素子のピンチオフ電圧が、第
２スイッチング素子のピンチオフ電圧よりも高くなるよ
うに設定されているので、第２スイッチング素子が安定
してＯＮ状態を維持できる信号の電力の値を大きくする
ことができる。
【００３４】それゆえ、第１回路を通過する信号の電力
が大きいものであっても、第２スイッチング素子を安定
してＯＦＦさせることができる。しかも、第１スイッチ
ング素子のゲート−ソース間電圧を高くするために、第
２スイッチング素子を制御する電圧を大きくする必要が
なく、低電圧でより大きな電力の信号をスイッチングす
ることができる。
が大きいものであっても、第２スイッチング素子を安定
してＯＦＦさせることができる。しかも、第１スイッチ
ング素子のゲート−ソース間電圧を高くするために、第
２スイッチング素子を制御する電圧を大きくする必要が
なく、低電圧でより大きな電力の信号をスイッチングす
ることができる。
【００３５】したがって、本発明の高周波スイッチ回路
を採用すれば、無線機等において、低電圧動作を安定し
て行わせることができるという効果を奏する。
を採用すれば、無線機等において、低電圧動作を安定し
て行わせることができるという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例に係る高周波スイッチ回路の
構成を示す回路図である。
構成を示す回路図である。
【図２】本発明の他の実施例に係る高周波スイッチ回路
の構成を示す回路図である。
の構成を示す回路図である。
【図３】従来の高周波スイッチ回路の構成を示す回路図
である。
である。
１・１１・１２ ＦＥＴ（第１スイッチング素子） ２・１５・１６ ＦＥＴ（第２スイッチング素子） ＡＮＴ端子 ＴＸ端子 ＲＸ端子 ＣＯＮＴ１端子 ＣＯＮＴ２端子
Claims (1)
- 【請求項１】ガリウムひ素電界効果トランジスタをスイ
ッチング素子として用い、入出力部と大電力または中電
力の信号が通過する第１回路とを接離する第１スイッチ
ング素子と、入出力部と低電力の信号が通過する第２回
路とを接離する第２スイッチング素子とを備えた高周波
スイッチ回路において、 上記第１スイッチング素子のピンチオフ電圧が、第２ス
イッチング素子のピンチオフ電圧よりも高くなるように
設定されていることを特徴とする高周波スイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP849092A JPH05199094A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 高周波スイッチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP849092A JPH05199094A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 高周波スイッチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05199094A true JPH05199094A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11694563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP849092A Pending JPH05199094A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 高周波スイッチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05199094A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0720292A1 (fr) * | 1994-12-29 | 1996-07-03 | Laboratoires D'electronique Philips S.A.S. | Dispositif terminal mobile pour télécommunication incluant un circuit commutateur |
| EP0765044A2 (en) * | 1995-09-22 | 1997-03-26 | Nokia Mobile Phones Ltd. | A radiotelephone operating in a time-divided radiotelephone system |
| WO1998006174A1 (fr) * | 1996-08-05 | 1998-02-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit integre haute frequence pour emetteur-recepteur radio haute frequence exempt de fuites de puissance haute frequence |
| JPWO2022259442A1 (ja) * | 2021-06-10 | 2022-12-15 |
-
1992
- 1992-01-21 JP JP849092A patent/JPH05199094A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0720292A1 (fr) * | 1994-12-29 | 1996-07-03 | Laboratoires D'electronique Philips S.A.S. | Dispositif terminal mobile pour télécommunication incluant un circuit commutateur |
| EP0765044A2 (en) * | 1995-09-22 | 1997-03-26 | Nokia Mobile Phones Ltd. | A radiotelephone operating in a time-divided radiotelephone system |
| EP0765044A3 (en) * | 1995-09-22 | 2003-07-09 | Nokia Corporation | A radiotelephone operating in a time-divided radiotelephone system |
| WO1998006174A1 (fr) * | 1996-08-05 | 1998-02-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit integre haute frequence pour emetteur-recepteur radio haute frequence exempt de fuites de puissance haute frequence |
| GB2331879A (en) * | 1996-08-05 | 1999-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | High frequency intergrated circuit for high-frequency radio transmitter-receiver suppressed in influence of high-frequency power leakage |
| GB2331879B (en) * | 1996-08-05 | 2001-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | Radio-frequency integrated circuit for a radio-frequency wireless transmitter-receiver with reduced influence by radio-frequency power leakage |
| US6308047B1 (en) | 1996-08-05 | 2001-10-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Radio-frequency integrated circuit for a radio-frequency wireless transmitter-receiver with reduced influence by radio-frequency power leakage |
| JPWO2022259442A1 (ja) * | 2021-06-10 | 2022-12-15 | ||
| WO2022259442A1 (ja) * | 2021-06-10 | 2022-12-15 | 三菱電機株式会社 | 高周波スイッチ |
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