JPH05196972A - 導波路型光方向性結合器 - Google Patents
導波路型光方向性結合器Info
- Publication number
- JPH05196972A JPH05196972A JP4031433A JP3143392A JPH05196972A JP H05196972 A JPH05196972 A JP H05196972A JP 4031433 A JP4031433 A JP 4031433A JP 3143392 A JP3143392 A JP 3143392A JP H05196972 A JPH05196972 A JP H05196972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- waveguide
- linbo
- optical
- waveguides
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/07—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 buffer layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/20—LiNbO3, LiTaO3
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
現することを目的とする。 【構成】 LiTaO3 単結晶基板内または基板上に作
成され、LiNbO3 単結晶からなる光導波路を平行に
少なくとも2本近接させ、その近接させた導波路のうち
少なくとも1本に、導波路の屈折率を変化させるための
機構が設けてある光方向性結合器であって、前述のLi
TaO3 単結晶とLiNbO3 の結晶格子が整合されて
いることを特徴とする光方向性結合器である。
Description
報処理システムや、光センサシステムなどに用いられる
光集積回路において、その構成部品である光変調器や光
スイッチとなる光方向性結合器である。
波長レーザーの進歩により、Gb/ sの高速光伝送が可能
となってきた。シングルモードファイバーと適合性のよ
い導波路デバイスは今後の光通信の発展の鍵を握ってい
る。光通信分野において、光ファイバーネットワークを
構築してゆくためには、光マトリックススイッチの開発
が必要である。光方向性結合器はこの光マトリックスス
イッチの構成部品である。
P .158 〜(朝倉書店 1988)に記載のように、これ
まで、光方向性結合器として、Ti拡散LiNbO3 チ
ャンネル導波路を用いたものが多く開発されている。L
iNbO3 は、無機光学結晶の中では電気光学定数が大
きいため、電気光学効果を用いたデバイスにはよく用い
られる。また、Tiの熱拡散は、導波路を形成する方法
としてよく用いられる。
近接させた際の光パワーの移行を支配している位相差を
電気光学効果的に制御する光素子である。
路などLiNbO3 を用いた導波路では、熊谷浩一他が
信学技報 OQE85 ( 116− 132) 19(1985) で、報
告しているように、導波路形成後の結晶性が本来のLi
NbO3 とは異なることなどにより電気光学定数が、バ
ルクより小さくなり、これを、光方向性結合器として用
いた場合に、大きなスイッチング電圧や、長い作用長が
必要となり、省電力化や、小型化が図れないという問題
があった。
題点を解決すべく研究した結果、電気光学効果が低い原
因が基板と導波路を構成する結晶材料の格子定数が整合
していないためであることを見いだすとともに、基板と
導波路の結晶の格子定数を整合させることにより、電気
光学効果に優れた光導波路を有する光方向性結合器を得
ることが出来ることを見いだした。
は基板上に作成され、LiNbO3 単結晶からなる光導
波路を平行に少なくとも2本近接させ、その近接させた
導波路のうち少なくとも1本に、導波路の屈折率を変化
させるための機構が設けてある光方向性結合器であっ
て、前述のLiTaO3 単結晶とLiNbO3 の結晶格
子が整合されていることを特徴とする光方向性結合器で
ある。
板上に作成され、LiNbO3 単結晶からなる光導波路
を平行に少なくとも2本近接させ、その近接させた導波
路のうち少なくとも1本に、導波路の屈折率を変化させ
るための機構が設けてある光方向性結合器であって、前
述のLiTaO3 単結晶とLiNbO3 の結晶格子が整
合されている光方向性結合器である必要がある。
晶の格子定数が、LiTaO3 単結晶の格子定数の9
9.81〜100.07%より好ましくは99.92〜
100.03%の範囲となるよう調整されていることを
意味する。このような構成とすることにより、LiNb
O3 単結晶を液相エピタキシャル成長させる際発生する
歪を防止でき、LiNbO3 単結晶バルクと同等の電気
光学定数を有するLiNbO3 単結晶導波路が得られ、
このような導波路にて、方向性結合器を構成することに
より、非常に効率が高く、安定した振幅変調を達成する
ことが出来る。格子整合の方法としては、国際出願番号
PCT/JP/90/01207に記載の方法が望まし
く、1)ナトリウムやマグネシウムをLiNbO3 単結
晶中に含有させる方法、2)Li/Nbの比率を41/
59〜56/44の間で変える方法、3)TiなどのL
iTaO3 単結晶基板の格子定数を小さくする方法。等
があるが、1)の方法が最も望ましい。LiTaO3 単
結晶基板の格子定数はLiNbO3単結晶のそれより大
きいことから、LiNbO3 単結晶にナトリウムやマグ
ネシウムを含有させることにより、LiNbO3 単結晶
の格子定数を大きくできるからである。ナトリウムやマ
グネシウムをLiNbO3 単結晶中に含有させる場合、
含有量は、ナトリウムについては0.1〜14.3モル
%、マグネシウムについては、0.8〜10.8モル%
が望ましい。本発明の光方向性結合器の動作原理を図1
を用いて説明する。LiTaO3 単結晶基板1の表面
(0001)面に近傍に2本のLiNbO3 単結晶導波
路2−1、2−2が形成され、平行に近接して作製され
ている。前記LiTaO3 単結晶基板1の(0001)
面上にLiNbO3 単結晶導波路の(0001)面が積
層されるように形成されなければいけない。また、a軸
の格子定数としてLiNbO3 単結晶導波路のa軸の格
子定数は整合されている。
単結晶導波路2−1、2−2上に適当な構造の電極3−
1、3−2、3−3、3−4を設けることにより、Δβ
反転型方向性結合器を構成し、LiNbO3 単結晶導波
路2−1、2−2の電気光学効果を介して屈折率変化を
誘起し、導波光の結合状態を電気的に制御し、出力の強
度変調、光路の切り替えを行うことが望ましい。電極と
しては、プレナー電極が有効である。また、DCドリフ
ト等の影響を少なくするために、導波路と電極の間にS
iO2 などのバッファ層を設けることは有効である。
一方の光導波路から他方に移り変わるに要する結合部の
の長さを0dB結合長さL0 とする。このL0 の大きさ
は導波路の屈折率、間隔の大きさ、レーザ光の波長等に
よって決定される。また、印加電圧により引き起こされ
る導波路間の位相差(電極の下では電界集中が生じ、そ
の符号が異なるため、導波路の伝搬定数が一方は増加、
他方は減少するように変化する事により、引き起こされ
る位相差)をΔβとし、平行近接領域4の長さをLとす
れば、導波路2−1に単位強度の光5が入射するとき、
両光導波路2−1、2−2の出力強度は、R .V .Schm
idt らが、Appl.Phys.Lett. 28 503(1976)で示
したように、それぞれ、
せることにより、位相差Δβを与え、その結果、出力光
を変調させることができる。以上のように、本発明の光
結合器は、光変調器、光スイッチとして作用させること
ができる。
て述べる。LiNbO3 単結晶導波路の製法としては、
LiTaO3 単結晶板1の導波路形成部に溝を形成し、
LiNbO3 単結晶膜を格子整合させながら形成したの
ち、不要部分をとり除き、溝の中にのみLiNbO3 単
結晶を残し、導波路2とするか、あるいは、LiTaO
3 単結晶基板1上にLiNbO3 単結晶膜を格子整合さ
せながら形成した後、導波路形成部にTiなどでマスク
し、ドライエッチングにより、不要部分を除去し、導波
路2を形成する方法が用いられる。LiNbO3 単結晶
膜を格子整合させながら形成する方法としては、酸化リ
チウム−五酸化バナジウム−五酸化ニオブ−酸化ナトリ
ウム−酸化マグネシウムからなる溶融体にLiTaO3
単結晶基板1を接触させながら行う。このようにして作
成されたLiNbO3 単結晶導波路2上に屈折率を変え
る為の手段として、電極3を設ける。電極3はアルミニ
ウム等の金属膜を蒸着やスパッタリングにより被着する
ことが望ましい。導波路2と導波路3の間にはSiO2
などの緩衝層が設けられてもよい。
%、V2 O5 40モル%、Nb2 O5 10モル%、Mg
Oを 溶融体組成から析出可能なLiNbO3 の理論量
に対して2モル%添加した混合物を白金ルツボに入れ、
エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲気下で、11
00℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。さらに
溶融体をプロペラを用い、100rpmの回転速度で1
2時間撹拌させた。 (2)厚さ2mmのLiTaO3 単結晶(a軸の格子定
数5.1538Å)の(001)面を光学研磨した後、
化学エッチングし、ついで、図1に示す導波路2の形成
部分にフォトリソグラフィーなどによりパターニングし
た後、ドライエッチングにより幅5μm、深さ1.2μ
mの2本の溝を6μm間隔で形成した。溶融体を1時間
当りに60℃の冷却速度で915℃まで徐冷した後、こ
の基板1を915℃で30分予備加熱した後、溶融体中
に100rpmで回転させながら8分間浸漬した。Li
NbO3 の成長速度は、1μm/分であった。 (3)溶液体から基板1を引き上げ、回転数1000r
pmで30秒溶融体上で溶融体を振り切った後、1℃/
分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約8μmの厚
さのナトリウム、マグネシウム含有LiNbO3 単結晶
薄膜を得た。 (4)得られたLiNbO3 単結晶薄膜中に含有されて
いたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ3モル
%、2モル%であった。又、薄膜の格子定数(a軸)
は、5.156Å、入射光波長1.15μmで測定した
屈折率は2.235±0.001であった。 (5)さらに、LiNbO3 単結晶薄膜をイオンビーム
エッチングにより、不要部分を除去し、LiNbO3 単
結晶導波路を形成した。 (6)導波路2の直上にSiO2 緩衝層6をスパッタリ
ングにて形成した後、作用長15mmとなるようパター
ニングした後、アルミニウム電極7を蒸着により形成し
た。 (7)以上のようにして作製したデバイスに、波長1.
3μm、TMモードのレーザ光を導波し、4GHzの交
流電圧を印可して特性を評価したところ、動作電圧3V
で、消光比17dB以上を得た。また、交流電圧を印可
した状態での経時変化を測定したところ、少なくとも2
4時間は、変調電圧、出力に変化はみられなかった。
尚、測定方法は、JISC5931に従った。
アルミ電極の作用長を、10mmとした。 (2)以上のようにして作製したデバイスに、波長1.
3μm、TMモードのレーザ光を導波し、直流電圧を印
可して特性を評価したところ、動作電圧8.4Vで、消
光比20dB以上を得た。また、直流電圧を印可した状
態での経時変化を測定したところ、少なくとも24時間
は、スイッチング電圧、出力に変化はみられなかった。
尚、測定方法は、JISC5931に従った。
%、V2 O5 40モル%、Nb2 O5 10モル%、Mg
Oを 溶融体組成から析出可能なLiNbO3 の理論量
に対して2モル%添加した混合物を白金ルツボに入れ、
エピタキシャル成長育成装置中で空気雰囲気下で、11
00℃まで加熱してルツボの内容物を溶解した。さらに
溶融体をプロペラを用い、100rpmの回転速度で1
2時間撹拌させた。 (2)厚さ2mmのLiTaO3 単結晶(a軸の格子定
数5.1538Å)の(001)面を光学研磨した。 (3)溶融体を1時間当りに60℃の冷却速度で915
℃まで徐冷した後、この基板1を915℃で30分予備
加熱した後、溶融体中に100rpmで回転させながら
8分間浸漬した。LiNbO3 の成長速度は、1μm/
分であった。 (4)溶液体から基板1を引き上げ、回転数1000r
pmで30秒溶融体上で溶融体を振り切った後、1℃/
分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約8μmの厚
さのナトリウム、マグネシウム含有LiNbO3 単結晶
薄膜を得た。 (5)得られたLiNbO3 単結晶薄膜中に含有されて
いたナトリウム、マグネシウムの量は、それぞれ3モル
%、2モル%であった。又、薄膜の格子定数(a軸)
は、5.156Å、入射光波長1.15μmで測定した
屈折率は2.235±0.001であった。 (6)この導波路をパターニングし、Tiマスクを作成
し、Arプラズマエッチングによりリッジ型チャンネル
導波路を作製した。 (7)導波路2の直上にSiO2 緩衝層6をスパッタリ
ングにて形成した後、作用長20mmとなるようパター
ニングした後、アルミニウム電極7を蒸着により形成し
た。 (8)以上のようにして作製したデバイスに、波長1.
3μm、TMモードのレーザ光を導波し、4GHzの交
流電圧を印可して特性を評価したところ、動作電圧2.
5Vで、消光比17dB以上を得た。また、交流電圧を
印可した状態での経時変化を測定したところ、少なくと
も24時間は、変調電圧、出力に変化はみられなかっ
た。尚、測定方法は、JISC5931に従った。
アルミ電極の作用長を、25mmとした。 (2)以上のようにして作製したデバイスに、波長1.
3μm、TMモードのレーザ光を導波し、直流電圧を印
可して特性を評価したところ、動作電圧3.3Vで、消
光比20dB以上を得た。また、直流電圧を印可した状
態での経時変化を測定したところ、少なくとも24時間
は、スイッチング電圧、出力に変化はみられなかった。
尚、測定方法は、JISC5931に従った。
厚さ方向とするLiNbO3単結晶板のZ面に、実施例
1において導波路を形成した箇所と同じ位置にTiを厚
さ100A程度蒸着した後、パターニングし、950℃
で数時間熱処理し、Tiを熱拡散させ、導波路を形成し
た。 (2)ついで導波路の直上に緩衝層としてSiO2 を被
着し、さらに作用長15mmとなるようにパターニング
した後、アルミニウム電極を蒸着により形成した。 (3)以上のようにして作製したデバイスに、波長1.
3μm、TMモードのレーザ光を導波し、4GHzの交
流電圧を印可して特性を評価したところ、動作電圧3.
5Vで、消光比17dB以上を得た。しかし、交流電圧
を印可し経時変化を測定したところ、10分以内で変調
電圧が変化し、出力が不安定となった。尚、測定方法
は、JISC5931に従った。
を光学研磨した後、化学エッチングし、ついで、図1に
示す導波路2の形成部分に溝を形成した。溝寸法など
は、実施例1と同じ。 (2)ついでLi2 CO3 50モル%、V2 O6 40モ
ル%、Nb2 O5 10モル%からなる原料を1000℃
まで加熱し、溶融体とした後、溶融体を1時間当りに6
0℃の冷却速度で915℃まで徐冷した後、この基板1
を915℃で30分予備加熱した後、溶融体中に100
rpmで回転させながら8分間浸漬した。LiNbO3
の成長速度は、1μm/分であった。 (3)溶液体から基板1を引き上げ、回転数1000r
pmで30秒溶融体上で溶融体を振り切った後、1℃/
分の速度で室温まで徐冷し、基板材料上に約8μmの厚
さのLiNbO3 単結晶薄膜を得た。 (4)さらに、LiNbO3 単結晶薄膜をイオンビーム
エッチングにより、不要部分を除去し、LiNbO3 単
結晶導波路を形成した。 (5)導波路2の直上にアルミナ緩衝層6をスパッタリ
ングにて形成した後、アルミニウム電極7を蒸着により
形成した。 (6)以上のようにして作製したデバイスに、波長1.
3μm、TMモードのレーザ光を導波し、直流電圧を印
可して特性を評価したところ、動作電圧10Vで、消光
比20dB以上を得た。しかし、交流電圧を印可し経時
変化を測定したところ、10分以内で変調電圧が変化
し、出力が不安定となった。尚、測定方法は、JISC
5931に従った。
波路の諸特性の測定結果を表1に示す。以上のように、
本発明の光方向性結合器は、従来の方向性結合器より優
れた特性を得ることができる。さらに、本発明の光方向
性結合器は、LiNbO3 単結晶導波路2とLiTaO
3 単結晶1との格子定数が整合されているため、LiN
bO3 単結晶導波路2の結晶格子に歪がなく、電界によ
る屈折率変化を繰り返してもLiNbO3 単結晶導波路
2の屈折率が最初の値から大きく変化することがなく、
このため、従来の光方向性結合器に比べ、寿命を長くす
ることが出来る。
合器は、従来の光方向性結合器にくらべ優れた特性を持
ち、経時変化の少ない、長寿命の光スイツチ、光変調器
となることから産業上寄与する効果はきわめて大きい。
Claims (1)
- 【請求項1】 LiTaO3 単結晶基板内または基板上
に作成され、LiNbO3 単結晶からなる2本の光導波
路が平行に近接する結合領域を有し、その結合領域に
は、導波路の屈折率を変えるための機構を設けてなる光
変調器であって、前記LiTaO3 単結晶とLiNbO
3 単結晶の格子定数が整合されてなることを特徴とする
光変調器。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4031433A JP3025982B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 導波路型光方向性結合器 |
EP93902504A EP0576685B1 (en) | 1992-01-21 | 1993-01-20 | Waveguide type light directional coupler |
DE0576685T DE576685T1 (de) | 1992-01-21 | 1993-01-20 | Wellenleiter-richtungskoppler für licht. |
PCT/JP1993/000063 WO1993014439A1 (en) | 1992-01-21 | 1993-01-20 | Waveguide type light directional coupler |
DE69328849T DE69328849T2 (de) | 1992-01-21 | 1993-01-20 | Wellenleiter-richtungskoppler für licht |
US08/117,122 US5371812A (en) | 1992-01-21 | 1993-11-22 | Waveguide type optical directional coupler |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4031433A JP3025982B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 導波路型光方向性結合器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05196972A true JPH05196972A (ja) | 1993-08-06 |
JP3025982B2 JP3025982B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=12331106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4031433A Expired - Lifetime JP3025982B2 (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 導波路型光方向性結合器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5371812A (ja) |
EP (1) | EP0576685B1 (ja) |
JP (1) | JP3025982B2 (ja) |
DE (2) | DE69328849T2 (ja) |
WO (1) | WO1993014439A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2555942B2 (ja) * | 1993-08-27 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | 光制御デバイス |
JP2674535B2 (ja) * | 1994-12-15 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | 光制御デバイス |
US5502781A (en) * | 1995-01-25 | 1996-03-26 | At&T Corp. | Integrated optical devices utilizing magnetostrictively, electrostrictively or photostrictively induced stress |
JP2000131546A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Pioneer Electronic Corp | リッジ形3次元導波路製造方法 |
CA2271159A1 (en) * | 1999-04-30 | 2000-10-30 | Jds Fitel Inc. | Optical hybrid device |
AU2001235961A1 (en) * | 2000-03-02 | 2001-09-12 | Orchid Lightwave Communications, Inc. | Integrated optical devices and methods of making such devices |
JP2002072267A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-12 | National Institute For Materials Science | 光機能素子、該素子用単結晶基板、およびその使用方法 |
JP3511204B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2004-03-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 光機能素子、該素子用単結晶基板、およびその使用方法 |
US6654534B1 (en) * | 2000-11-13 | 2003-11-25 | Bookham Technology, Plc | Electrode, termination for reduced local heating in an optical device |
US6978056B2 (en) * | 2003-06-04 | 2005-12-20 | Covega, Inc. | Waveguide modulators having bias control with reduced temperature dependence |
WO2005018005A1 (en) * | 2003-06-26 | 2005-02-24 | Rj Mears, Llc | Semiconductor device including mosfet having band-engineered superlattice |
CN111939482B (zh) * | 2020-08-10 | 2022-02-25 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 柔性植入式神经光电极的光学器件及其设计、制备方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS519720B2 (ja) * | 1973-12-18 | 1976-03-29 | ||
US4093781A (en) * | 1975-05-27 | 1978-06-06 | Rockwell International Corporation | Epitaxial, sodium-substituted lithium ferrite films |
JPS5943838B2 (ja) * | 1976-04-14 | 1984-10-24 | 日本電気株式会社 | 青色発光装置 |
US4073675A (en) * | 1976-07-21 | 1978-02-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Waveguiding epitaxial LiNbO3 films |
JPS54156555A (en) * | 1978-05-30 | 1979-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | Photo circuit element |
US4645293A (en) * | 1981-03-25 | 1987-02-24 | Taizo Yoshida | Optical waveguide coupler having a grating electrode |
US4696536A (en) * | 1985-07-01 | 1987-09-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Integrated optical wavelength demultiplexer |
JPS63195198A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Hitachi Ltd | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜の製造方法 |
JPH01201628A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Nec Corp | 光スイッチ |
JPH0212135A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Ibiden Co Ltd | 第2高調波発生素子 |
JPH0218395A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-22 | Hitachi Metals Ltd | ニオブ酸リチウム単結晶の単一分域化方法 |
US4953931A (en) * | 1989-03-30 | 1990-09-04 | Ibiden Co., Ltd. | Second harmonic wave generating device |
US5061030A (en) * | 1989-08-15 | 1991-10-29 | Optical Measurement Technology Development Co., Ltd. | Optical integrated modulator |
EP0439631B1 (en) * | 1989-08-18 | 1995-03-29 | Ibiden Co., Ltd. | Optical deflector |
DE69033660T2 (de) * | 1989-09-20 | 2001-05-03 | Ibiden Co. Ltd., Ogaki | Dünnfilmeinzelkristall aus lithiumniobat und verfahren zu seiner herstellung |
US5175784A (en) * | 1989-12-19 | 1992-12-29 | Ibiden Co., Ltd. | Second harmonic wave generating device |
JPH0453933A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-21 | Ibiden Co Ltd | 第2高調波発生素子 |
US5227011A (en) * | 1990-06-22 | 1993-07-13 | Ibiden Co., Ltd. | Method for producing a second harmonic wave generating device |
US5039187A (en) * | 1990-09-06 | 1991-08-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | M1-x Nx TiAs1-a Pa O5 waveguides grown by liquid phase epitaxy and process of making same |
JP3148896B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2001-03-26 | イビデン株式会社 | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜 |
JPH063546A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Ibiden Co Ltd | シングルモード光導波路 |
-
1992
- 1992-01-21 JP JP4031433A patent/JP3025982B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-01-20 DE DE69328849T patent/DE69328849T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-20 EP EP93902504A patent/EP0576685B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-01-20 WO PCT/JP1993/000063 patent/WO1993014439A1/ja active IP Right Grant
- 1993-01-20 DE DE0576685T patent/DE576685T1/de active Pending
- 1993-11-22 US US08/117,122 patent/US5371812A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5371812A (en) | 1994-12-06 |
DE69328849T2 (de) | 2000-10-26 |
DE576685T1 (de) | 1994-09-22 |
WO1993014439A1 (en) | 1993-07-22 |
EP0576685A4 (en) | 1994-06-15 |
DE69328849D1 (de) | 2000-07-20 |
EP0576685B1 (en) | 2000-06-14 |
EP0576685A1 (en) | 1994-01-05 |
JP3025982B2 (ja) | 2000-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Ohmachi et al. | Electro‐optic light modulator with branched ridge waveguide | |
JP2008090320A (ja) | デジタル光スイッチ | |
JPH05196972A (ja) | 導波路型光方向性結合器 | |
US4561718A (en) | Photoelastic effect optical waveguides | |
JPH0728007A (ja) | 導波路型光デバイス | |
US5347608A (en) | Optical waveguide and optical waveguide device | |
US6195191B1 (en) | Optical devices having improved temperature stability | |
JPH1082921A (ja) | 光導波路基板、光導波路部品、第二高調波発生デバイスおよび光導波路基板の製造方法 | |
JPH063546A (ja) | シングルモード光導波路 | |
JPH0764034A (ja) | 進行波型光変調器 | |
JP2963989B1 (ja) | 光変調器 | |
JPH09258151A (ja) | 光導波路のポーリング方法 | |
JP2739405B2 (ja) | 電界センサ | |
JPH05241115A (ja) | 導波路形光デバイス | |
JPH0756199A (ja) | 偏波無依存導波路型光スイッチ | |
JP2635986B2 (ja) | 光導波路スイッチ | |
Mikami et al. | Coupling‐length adjustment for an optical directional coupler as a 2× 2 switch | |
JPH05313033A (ja) | 光導波路、製造方法、および光素子 | |
JPH01201609A (ja) | 光デバイス | |
JPS6396626A (ja) | 導波型光制御素子 | |
JPH05196901A (ja) | 光導波路および導波路型光デバイス | |
JP3969756B2 (ja) | 光機能デバイス | |
JP2004333949A (ja) | 光導波路型素子 | |
JPH06281974A (ja) | 導波路型光方向性結合器及びその製造方法 | |
JPH06281897A (ja) | 光強度変調器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080128 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100128 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100128 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120128 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |