JPS6396626A - 導波型光制御素子 - Google Patents
導波型光制御素子Info
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- JPS6396626A JPS6396626A JP24203786A JP24203786A JPS6396626A JP S6396626 A JPS6396626 A JP S6396626A JP 24203786 A JP24203786 A JP 24203786A JP 24203786 A JP24203786 A JP 24203786A JP S6396626 A JPS6396626 A JP S6396626A
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- waveguide
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光波の変調を行う光回路に関し、特に基板中に
設けられた先導波路を用いて制御を行う導波型の光回路
に関する。
設けられた先導波路を用いて制御を行う導波型の光回路
に関する。
近年、光通信システムの実用化が進むにつれ、さらに大
容量、高機能のシステムが要求されるようになり、より
高速の光波の変調器や光スィッチ等の光制御素子が必要
となっている。このような光制御素子においては、その
挿入損失が光信号の伝送距離を制限するということもあ
り得るので、高速性とともに低損失性も重要となる。
容量、高機能のシステムが要求されるようになり、より
高速の光波の変調器や光スィッチ等の光制御素子が必要
となっている。このような光制御素子においては、その
挿入損失が光信号の伝送距離を制限するということもあ
り得るので、高速性とともに低損失性も重要となる。
高速の光制御素子としては、大きな電気光学効果を有す
るＬｉＮｂＣ）＋にオブ酸リチウム）結晶等の基板中に
Ｔｉを熱拡散することにより導波路を形成し、導波路の
屈折率分布を電気光学効果を利用して電界で変化させる
ことにより制御する方式の光変調器等があり、光位相変
調器、カットオフ型光強度変調器１介岐干渉型光変調器
等に関する報告がなされている。このような導波型光変
調器においては、電気光学効果自体は非常に高速である
が、実際のシステム内で高速で動作させるためには、素
子の変調電圧が低電圧であることが要求される。これは
高電圧を発生させる電気回路を得ることが高速であれば
あるほど困難となるためである。
るＬｉＮｂＣ）＋にオブ酸リチウム）結晶等の基板中に
Ｔｉを熱拡散することにより導波路を形成し、導波路の
屈折率分布を電気光学効果を利用して電界で変化させる
ことにより制御する方式の光変調器等があり、光位相変
調器、カットオフ型光強度変調器１介岐干渉型光変調器
等に関する報告がなされている。このような導波型光変
調器においては、電気光学効果自体は非常に高速である
が、実際のシステム内で高速で動作させるためには、素
子の変調電圧が低電圧であることが要求される。これは
高電圧を発生させる電気回路を得ることが高速であれば
あるほど困難となるためである。
また上述の光変調器を実際の光フアイバ伝送系へ適用す
る場合には、低損失性も要求される。Ｔｉ拡散Ｌ ｉ
Ｎ ｂ Ｏ３導波型光変調器の光ファイバ間挿入損失は
、主に光ファイバとの結合損失と光波が導波路中を伝搬
するときの導波損失により生ずる。このうち結合損失に
関しては、Ｔｉ拡散導波路形成後に導波路表面に基板の
屈折率を下げるイオンであるＭｇを追拡散することによ
り温波路出射光のエネルギー分布を光ファイバのエネル
ギー分布に一致させることができ、片端面当り０．１５
ｄＢ程度にまで結合損失を低減できることが、本発明者
らにより１９８６年集積光学と導波光学に関する会議（
Ｔｏｐｉｃａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ ａｎｄ Ｇｕｉｄｅｄ−Ｈａｖｅ ０ｐｔｉ
ｃｓ）のポストデッドライン ペーパーズＰＤＰ−２に
述べられている。一方、導波損失に関しては、Ｔｉ拡散
導波路自体では波長１．３μｍに対して０．１〜０．２
ｄＢ／ｃｍという小さな値であるが、その上に電極を形
成すると導波損失が増大することが知られている。これ
は、−ｉには、ＬｉＮｂ０．３の電気光学効果の中で最
大のγ４．を利用できるようにｌ、１Ｎｂｏｓ基板が変
調器では用いられ、導波光としてはＴＭモードが利用さ
れるため、光波の電界分布のしみ出しにより電極部での
光波の吸収が生じるためである。これを防止するために
第２図に示すように通常Ｓ ｉ Ｏ２等の低屈折率、低
損失の誘電体バッファ層１０２がＴｉ拡散導波路１０３
の形成されたＬ Ｉ Ｎ ｂ Ｏ３基板１０１と電極１
０４．１０５の間に形成されている。しかしながらＳｉ
ｎ、等のバッファ層を電極−基板間に形成すると導波損
失は減少するが、導波路１０３に印加される実効的な電
界はバッファ層１０２を形成しないときに比べて減少し
、結果として動作電圧が増加するという問題がある。バ
ッファ層１０２の厚さを厚くすればする程、導波損失は
減少するが、動作電圧は増大する。
る場合には、低損失性も要求される。Ｔｉ拡散Ｌ ｉ
Ｎ ｂ Ｏ３導波型光変調器の光ファイバ間挿入損失は
、主に光ファイバとの結合損失と光波が導波路中を伝搬
するときの導波損失により生ずる。このうち結合損失に
関しては、Ｔｉ拡散導波路形成後に導波路表面に基板の
屈折率を下げるイオンであるＭｇを追拡散することによ
り温波路出射光のエネルギー分布を光ファイバのエネル
ギー分布に一致させることができ、片端面当り０．１５
ｄＢ程度にまで結合損失を低減できることが、本発明者
らにより１９８６年集積光学と導波光学に関する会議（
Ｔｏｐｉｃａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎ Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ ａｎｄ Ｇｕｉｄｅｄ−Ｈａｖｅ ０ｐｔｉ
ｃｓ）のポストデッドライン ペーパーズＰＤＰ−２に
述べられている。一方、導波損失に関しては、Ｔｉ拡散
導波路自体では波長１．３μｍに対して０．１〜０．２
ｄＢ／ｃｍという小さな値であるが、その上に電極を形
成すると導波損失が増大することが知られている。これ
は、−ｉには、ＬｉＮｂ０．３の電気光学効果の中で最
大のγ４．を利用できるようにｌ、１Ｎｂｏｓ基板が変
調器では用いられ、導波光としてはＴＭモードが利用さ
れるため、光波の電界分布のしみ出しにより電極部での
光波の吸収が生じるためである。これを防止するために
第２図に示すように通常Ｓ ｉ Ｏ２等の低屈折率、低
損失の誘電体バッファ層１０２がＴｉ拡散導波路１０３
の形成されたＬ Ｉ Ｎ ｂ Ｏ３基板１０１と電極１
０４．１０５の間に形成されている。しかしながらＳｉ
ｎ、等のバッファ層を電極−基板間に形成すると導波損
失は減少するが、導波路１０３に印加される実効的な電
界はバッファ層１０２を形成しないときに比べて減少し
、結果として動作電圧が増加するという問題がある。バ
ッファ層１０２の厚さを厚くすればする程、導波損失は
減少するが、動作電圧は増大する。
本発明は、上述のようにＴｉ拡散ＬｉＮｂ０：＋導波型
光制御素子の導波損失を増加させることなく動作電圧を
低減化することを目的とする。
光制御素子の導波損失を増加させることなく動作電圧を
低減化することを目的とする。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は、ニオブ酸リチウム結晶中に帯状のチタンを拡
散して形成した光導波路と、光導波路上に設けられた１
対の電極と、電極と光導波路の間に形成されたバッファ
層とを有する導波型光制御素子において、バッファ層が
導波路の真上の電極と光導波路との間にのみ形成されて
いることを特徴としている。
散して形成した光導波路と、光導波路上に設けられた１
対の電極と、電極と光導波路の間に形成されたバッファ
層とを有する導波型光制御素子において、バッファ層が
導波路の真上の電極と光導波路との間にのみ形成されて
いることを特徴としている。
本発明においては、導波路の真上の電極と導波路との間
に十分な厚さのバッファ層を形成して電極での光波の吸
収を防止するが、従来とは異なりもう一方の電極とＬｉ
ＮｂＯ３基板の間にはバッファ層を形成しない。したが
って、従来よりも導波路に印加される電界強度は増加し
、バッファ層の厚さが十分に厚くても動作電圧は低減化
できることになり、低損失、低電圧の光制御素子が実現
できる。
に十分な厚さのバッファ層を形成して電極での光波の吸
収を防止するが、従来とは異なりもう一方の電極とＬｉ
ＮｂＯ３基板の間にはバッファ層を形成しない。したが
って、従来よりも導波路に印加される電界強度は増加し
、バッファ層の厚さが十分に厚くても動作電圧は低減化
できることになり、低損失、低電圧の光制御素子が実現
できる。
以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図（ａ）は本発明によるＴｉ拡散ＬｉＮｂｏ３光位
相変調器の構造を示す斜視図であり、第１図（ｂ）はそ
の断面図である。
相変調器の構造を示す斜視図であり、第１図（ｂ）はそ
の断面図である。
第１図においては、Ｌ ｉＮ ｂ Ｏｓ基板１０１中に
帯状のＴｉが拡散されて形成されたＴｉ拡散導波路１０
３． Ｓ ｉ Ｏ□バッファ層１０２（第１０２ａ）に
おいては省略されている）、１対の電極１０４ ＜ｓ
波路上電極）および１０５により光位相変調器が構成さ
れている。
帯状のＴｉが拡散されて形成されたＴｉ拡散導波路１０
３． Ｓ ｉ Ｏ□バッファ層１０２（第１０２ａ）に
おいては省略されている）、１対の電極１０４ ＜ｓ
波路上電極）および１０５により光位相変調器が構成さ
れている。
第１図に構成を示した光位相変調器においては、入射側
光導波路端面１０６から入射された光波は、１対の電極
間１０４および１０５に印加される電圧に応じて電気光
学効果によりＴｉ拡散導波路１０３の屈折率が変化して
位相変調を受け、出射測光翼波路端面１０７から出射さ
れる。
光導波路端面１０６から入射された光波は、１対の電極
間１０４および１０５に印加される電圧に応じて電気光
学効果によりＴｉ拡散導波路１０３の屈折率が変化して
位相変調を受け、出射測光翼波路端面１０７から出射さ
れる。
第１図に示した光位相変調器の製造方法を簡単に説明す
る。先ず、ＬｉＮｂ０ｚ基板１０１上に通常のフォトリ
ソグラフィ技術を用いてＴｉ膜による光導波路のパター
ンを形成する。すなわちリフトオフ法もしくはエツチン
グにより厚さ５００〜２０００人５幅数〜１０μｍ程度
のＴｉ膜による導波路パターンを形成する。Ｔｉによる
導波路パターンが形成された基板は１０００〜１１００
℃、５〜１０時間程度拡散炉中で加熱されることにより
ＴｉがＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏｚ基板中へ拡散され、その部
分のみ屈折率がわずかに増加して光導波路１０３となる
。その後、第１図において導波路上電極１０４に相当す
る部分にのみ２０００Å以上のＳｉ０ｇ膜を形成する。
る。先ず、ＬｉＮｂ０ｚ基板１０１上に通常のフォトリ
ソグラフィ技術を用いてＴｉ膜による光導波路のパター
ンを形成する。すなわちリフトオフ法もしくはエツチン
グにより厚さ５００〜２０００人５幅数〜１０μｍ程度
のＴｉ膜による導波路パターンを形成する。Ｔｉによる
導波路パターンが形成された基板は１０００〜１１００
℃、５〜１０時間程度拡散炉中で加熱されることにより
ＴｉがＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏｚ基板中へ拡散され、その部
分のみ屈折率がわずかに増加して光導波路１０３となる
。その後、第１図において導波路上電極１０４に相当す
る部分にのみ２０００Å以上のＳｉ０ｇ膜を形成する。
第１図において導波路上電極１０４に相当する部分にの
みＳｉＯ２膜を形成するには、基板全面にＳｉＯ□膜を
形成しその後導波路上電極部をフォトレジストで覆い、
それ以外の部分のＳ ｉ Ｏを膜をエツチングで除去す
るか、もしくはＳ ｉ Ｏ！膜形成時に導波路上電極１
０４に相当する部分以外の領域をフォトレジストで覆っ
ておきＳｉＯ□膜形成後にフォトレジスト膜を溶融する
いわゆるリフトオフ法により行えばよい。ＳｔＯ□膜形
成後ＣｒとＡｕもしくはＣｒ（！：Ａβを積層した第１
図に示すような１対の電極１０４および１０５を形成す
る。その後、先導波路１０３に垂直方向に研摩もしくは
へき開により入射側および出射側先導波路端面１０６お
よび１０７を形成する。以上が第１図に示した光位相変
調器の製造方法である。
みＳｉＯ２膜を形成するには、基板全面にＳｉＯ□膜を
形成しその後導波路上電極部をフォトレジストで覆い、
それ以外の部分のＳ ｉ Ｏを膜をエツチングで除去す
るか、もしくはＳ ｉ Ｏ！膜形成時に導波路上電極１
０４に相当する部分以外の領域をフォトレジストで覆っ
ておきＳｉＯ□膜形成後にフォトレジスト膜を溶融する
いわゆるリフトオフ法により行えばよい。ＳｔＯ□膜形
成後ＣｒとＡｕもしくはＣｒ（！：Ａβを積層した第１
図に示すような１対の電極１０４および１０５を形成す
る。その後、先導波路１０３に垂直方向に研摩もしくは
へき開により入射側および出射側先導波路端面１０６お
よび１０７を形成する。以上が第１図に示した光位相変
調器の製造方法である。
次に本発明により低損失で低電圧動作が可能な光位相変
調器が得られる原理について説明する。
調器が得られる原理について説明する。
前述のように７Ｍモードの導波光を利用するＴｉ拡散Ｌ
ｉＮｂ０．ｉ波型光制御素子においては、ある程度のバ
ッファ層の厚さがないと電極での光吸収による導波損失
の増加が生じてしまう。本発明者らが電極間隔が５μｍ
で、基板全面にＳｉ０ｇ膜が形成されている第２図の光
位相変調器において実験的に検討したところでは、波長
１．３μｍの場合Ｓｉｎｇバッファ屡の厚さを３０００
人程度色原ないと光吸収による導波損失の増加が観測さ
れた。
ｉＮｂ０．ｉ波型光制御素子においては、ある程度のバ
ッファ層の厚さがないと電極での光吸収による導波損失
の増加が生じてしまう。本発明者らが電極間隔が５μｍ
で、基板全面にＳｉ０ｇ膜が形成されている第２図の光
位相変調器において実験的に検討したところでは、波長
１．３μｍの場合Ｓｉｎｇバッファ屡の厚さを３０００
人程度色原ないと光吸収による導波損失の増加が観測さ
れた。
一方、動作電圧の方は、第２図に示した光位相変調器に
おいて電極長１６ｍｍの場合、同じく波長１．３μｍに
対して、Ｓ ｉ Ｏｚ膜の厚さが１５００人のときには
半波長電圧が６■であったものが、ＳｉＯ□膜の厚さが
３０００人のときには半波長電圧が７ＶとＩＶ程度増加
した。波長が１．５μｍの場合には半波長電圧の増加は
さらに大きくなり、Ｓ ｉ ０２膜厚１５００人のとき
には８．４■であったものが３０００人のときにはＩＯ
Ｖとなった。このように７Ｍモードの導波光を利用する
Ｔｉ拡散導波型光制御素子においては電極での光吸収に
導波損失の増加を防ぐためにはＳｉｎ！膜厚を３０００
人程度色原くする必要があり、その結果動作電圧の増加
を招いていた。
おいて電極長１６ｍｍの場合、同じく波長１．３μｍに
対して、Ｓ ｉ Ｏｚ膜の厚さが１５００人のときには
半波長電圧が６■であったものが、ＳｉＯ□膜の厚さが
３０００人のときには半波長電圧が７ＶとＩＶ程度増加
した。波長が１．５μｍの場合には半波長電圧の増加は
さらに大きくなり、Ｓ ｉ ０２膜厚１５００人のとき
には８．４■であったものが３０００人のときにはＩＯ
Ｖとなった。このように７Ｍモードの導波光を利用する
Ｔｉ拡散導波型光制御素子においては電極での光吸収に
導波損失の増加を防ぐためにはＳｉｎ！膜厚を３０００
人程度色原くする必要があり、その結果動作電圧の増加
を招いていた。
しかしながら、光吸収を生じさせる電極は導波路の真上
の電極１０４のみであり、もう一方の電極１０５におい
ては光吸収はほとんど生じないので、第２図に示した従
来例のように両方の電極の下にＳｉＯ□膜が形成されて
いる必要は必ずしもない。
の電極１０４のみであり、もう一方の電極１０５におい
ては光吸収はほとんど生じないので、第２図に示した従
来例のように両方の電極の下にＳｉＯ□膜が形成されて
いる必要は必ずしもない。
これは、通常用いられるＴｆの拡散条件では基板面に水
平方向の導波光の電界分布は導波路中心から５μｍ離れ
た位置ではほとんど減衰しており、導波路幅数μｍ以上
で電極間隔が５μｍ程度であれば導波路の真上の電極１
０４と導波路１０３の間にのみ３０００人程度色原ｉｎ
、膜が形成されていればもう一方の電極１０５と基板１
０１の間にはバッファ層は必要ない。
平方向の導波光の電界分布は導波路中心から５μｍ離れ
た位置ではほとんど減衰しており、導波路幅数μｍ以上
で電極間隔が５μｍ程度であれば導波路の真上の電極１
０４と導波路１０３の間にのみ３０００人程度色原ｉｎ
、膜が形成されていればもう一方の電極１０５と基板１
０１の間にはバッファ層は必要ない。
本発明においては、第１図（ｂ）に示すように、上述の
ような導波路１０３の真上の電極１０４と導波路１０３
の間にのみ３０００人程度色原ｉｎ、バッファ層１０２
が形成された構成を採用している。この構成においては
、Ｓｉ○２バッファ層厚が３０００人程度色原くても、
第２図に示した従来例のＳｉＯ□バッファ層厚が１５０
０人の場合と電界強度は等価となり、半波長電圧は従来
例でＳ ｉ Ｏｚバッファ層厚が３０００人程度色原合
に比べて低減化できる。したがって、第１図（ｂ）に示
した本発明による光位相変調器の構造を採用することに
より低損失で低電圧の光位相変調器が得られることにな
る。
ような導波路１０３の真上の電極１０４と導波路１０３
の間にのみ３０００人程度色原ｉｎ、バッファ層１０２
が形成された構成を採用している。この構成においては
、Ｓｉ○２バッファ層厚が３０００人程度色原くても、
第２図に示した従来例のＳｉＯ□バッファ層厚が１５０
０人の場合と電界強度は等価となり、半波長電圧は従来
例でＳ ｉ Ｏｚバッファ層厚が３０００人程度色原合
に比べて低減化できる。したがって、第１図（ｂ）に示
した本発明による光位相変調器の構造を採用することに
より低損失で低電圧の光位相変調器が得られることにな
る。
以上、本発明の一実施例について説明したが、本発明は
上記の実施例に限定されるものではない。
上記の実施例に限定されるものではない。
実施例に示した光位相変調器と同一の構造を有し、Ｔｉ
の拡散条件が異なるカットオフ型光強度変調器において
も本発明を適用することができる。また分岐干渉型光変
調器、光スィッチの位相変調器部に本発明を適用し低損
失かつ低電圧の光変調器。
の拡散条件が異なるカットオフ型光強度変調器において
も本発明を適用することができる。また分岐干渉型光変
調器、光スィッチの位相変調器部に本発明を適用し低損
失かつ低電圧の光変調器。
光スィッチが実現できることは言うまでもない。
さらに電極形状としては、高速化により適した進行波電
極等も用いることができ、バッファ層としてもＳｉｎ、
に限らないことは言うまでもない。
極等も用いることができ、バッファ層としてもＳｉｎ、
に限らないことは言うまでもない。
以上述べたように本発明によれば、Ｔｉ拡散ＬｉＮｂｏ
：１光制御素子の導波損失を増加させることなく、その
動作電圧を低減化させることが可能であり、低損失でか
つ低電圧の導波型光制御素子を実現することができる。
：１光制御素子の導波損失を増加させることなく、その
動作電圧を低減化させることが可能であり、低損失でか
つ低電圧の導波型光制御素子を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例である光位相変調器を説明す
るための図、 第２図は従来技術の問題点を説明するための図である。 １０１ ・ ・ ・ ・ ・ Ｌ １Ｎｂ（）＋
基牟反１０２ ・・・・・５ｉ０２バッファ層１０３
・・・・・Ｔｉ拡散導波路 １０４ ・・・・・導波路上電極 １０５ ・・・・・電極 １０６ ・・・・・入射側光導波路端面１０７ ・
・・・・出射側光導波路端面（ｂ） 第１図 第２図 手続補正書
るための図、 第２図は従来技術の問題点を説明するための図である。 １０１ ・ ・ ・ ・ ・ Ｌ １Ｎｂ（）＋
基牟反１０２ ・・・・・５ｉ０２バッファ層１０３
・・・・・Ｔｉ拡散導波路 １０４ ・・・・・導波路上電極 １０５ ・・・・・電極 １０６ ・・・・・入射側光導波路端面１０７ ・
・・・・出射側光導波路端面（ｂ） 第１図 第２図 手続補正書
Claims (1)
- （１）ニオブ酸リチウム結晶中に帯状のチタンを拡散し
て形成した光導波路と、光導波路上に設けられた１対の
電極と、電極と光導波路の間に形成されたバッファ層と
を有する導波型光制御素子において、バッファ層が導波
路の真上の電極と光導波路との間にのみ形成されている
ことを特徴とする導波型光制御素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24203786A JPS6396626A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 導波型光制御素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24203786A JPS6396626A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 導波型光制御素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6396626A true JPS6396626A (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=17083333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24203786A Pending JPS6396626A (ja) | 1986-10-14 | 1986-10-14 | 導波型光制御素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6396626A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2672398A1 (fr) * | 1991-02-01 | 1992-08-07 | Alcatel Nv | Dispositif electro-optique a guide d'onde. |
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| JP2013242592A (ja) * | 2013-07-23 | 2013-12-05 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
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| JPS51134643A (en) * | 1975-04-30 | 1976-11-22 | Thomson Csf | Electrooptical switch and modulator |
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-
1986
- 1986-10-14 JP JP24203786A patent/JPS6396626A/ja active Pending
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