JPH05194902A

JPH05194902A - レジストインキ組成物及びそれを用いたソルダーレジスト膜形成方法

Info

Publication number: JPH05194902A
Application number: JP1815492A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Inagaki; 稲垣　　均; Katsuto Murata; 勝人邑田; Isamu Hidaka; 勇日高; Kenji Sawazaki; 賢二沢崎
Original assignee: Taiyo Ink Mfg Co Ltd
Current assignee: Taiyo Holdings Co Ltd
Priority date: 1992-01-06
Filing date: 1992-01-06
Publication date: 1993-08-03

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】解像性不良がなく、ニジミ、回路間の埋込み
性及びスクリーンの伸縮による印刷位置精度の不良もな
い、密着性及び耐熱性に優れたソルダーレジスト膜を形
成するためのレジストインキ組成物及びそのレジストイ
ンキ組成物を使用したソルダーレジスト膜形成方法の提
供。【構成】レジストインキ組成物は、Ａ．エポキシ樹脂Ｂ．エポキシ樹脂硬化剤Ｃ．式（Ｉ）で示される（メタ）アクリル酸エステル類（式中Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は、水素原子又はメチル基、
Ｒ₄は水素原子、メチル基、メタクリロイル基又はアク
リロイル基、ｎは、１以上の数である）Ｄ．光重合開始剤からなり、導体回路が形成された基板上に塗布し、紫外
線により予備硬化を行なった後、導体回路上のレジスト
膜を、水により選択的に剥離する性質を有する。該レジ
ストインキを導体回路が形成された基板上に塗布し、皮
膜を形成させる方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板の保護
に用いられるレジストインキ組成物及びそのレジストイ
ンキ組成物を使用したソルダーレジスト膜形成方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、民生用及び産業用の各種プリント
配線板のソルダ―レジストパターン形成法として，スク
リーン印刷法が多用されてきているが、この方法は、本
質的に解像度が低く、ニジミ、回路間の埋込み性及びス
クリーンの伸縮による印刷位置精度等に問題があり、最
近のプリント配線板の高密度化、部品の表面実装化に対
応できなくなってきている。こうした問題点を解決する
ために、ドライフィルムソルダーレジストや液状フォト
ソルダーレジストが開発されているが、ドライフィルム
ソルダーレジストを高密度表面実装プリント配線板に用
いた場合、回路間、パッド間への埋込み性が悪く気泡が
残り密着不良や耐熱性が問題となる。また、解像性も不
十分で隣接するパッド間にレジスト膜を形成することが
困難である。一方、液状フォトソルダーレジストは、埋
込み性の問題は解決されるもののドライフィルムソルダ
ーレジストと同様に、解像性が不十分で、隣接するパッ
ド間にレジスト膜を形成することは困難である。また、
ネガフィルムとの位置合わせ精度にも限界があり、隣接
するパッド間での位置ずれのためにパッド上にレジスト
インキが付着してしまい、現状では、最近の高密度表面
実装プリント配線板には使用できない状況になってい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な実
状に鑑みてなされたものである。したがって、本発明の
目的は、解像性不良がなく、ニジミ、回路間の埋込み性
及びスクリーンの伸縮による印刷位置精度の不良もな
い、しかも密着性及び耐熱性に優れたソルダーレジスト
膜を形成するためのレジストインキ組成物、及びそのレ
ジストインキ組成物を使用したソルダーレジストの膜形
成方法を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、ある特定のレジストインキ組成物を使用する
ことにより、従来の液状フォトソルダーレジストとは異
なり、導体回路が形成された基板上に塗布し予備硬化し
た後、水で剥離すると、基材上のレジスト膜は剥離せ
ず、導体回路上のみが、水により剥離して、上記目的を
達成することを見出だし、本発明を完成するに至った。

【０００５】すなわち、本発明の特徴の１つは、Ａ．エポキシ樹脂Ｂ．エポキシ樹脂硬化剤Ｃ．下記式（Ｉ）で示される（メタ）アクリル酸エステ
ル類、

【化２】（但し、式中Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は、それぞれ水素原子
又はメチル基であり、Ｒ₄は、水素原子、メチル基、メ
タクリロイル基又はアクリロイル基であり、ｎは、１以
上の数である）Ｄ．光重合開始剤からなるレジストインキ組成物を、導体回路が形成され
た基板上に塗布し、予備硬化した際、導体回路が形成さ
れた基板上の予備硬化されたレジスト膜のうち、導体回
路上の予備硬化レジスト膜のみが、水により剥離可能で
あるレジストインキ組成物にある。

【０００６】また、本発明の他の特徴は、このレジスト
インキ組成物を、導体回路が形成された基板の全面又は
一部領域に塗布した後、紫外線により予備硬化し、その
後，導体回路上の予備硬化したレジスト膜を水で剥離し
た後、紫外線及び／又は加熱硬化をするか、或いは紫外
線及び／又は加熱硬化することなしにソルダーレジスト
及び／又は導電性ペースト用アンダーコート皮膜をを形
成させることからなるソルダーレジスト膜の形成法にあ
る。

【０００７】以下に、本発明を詳細に説明する。本発明
のレジストインクを構成する上記エポキシ樹脂（Ａ）
は、例えば油化シェル製エピコート８２８、エピコート
１００１、エピコート１００４、エピコート１００７；
大日本インキ化学工業製エピクロン８４０、エピクロン
８６０、エピクロン１０５０、エピクロン４０５０；東
都化成製エポトートＹＤ−１２８、ＹＤ−０１１、ＹＤ
−０１９；ダウ・ケミカル製ＤＥＲ−３３２、ＤＥＲ−
６６２；チバ・ガイギー製ＧＹ−２６０、６０７１等の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；油化シェル製エピコ
ート８０７；大日本インキ化学工業製エピクロンＳ−１
２９、エピクロン８３０；東都化成製ＹＤＦ−１７０、
ＹＤＦ−２００１等のビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂；東都化成製ＳＴ−１０００、ＳＴ−５０８０等の水
添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；油化シェル製エピ
コート１５２、エピコート１５４；大日本インキ化学工
業製エピクロンＮ−６６５、Ｎ−６９５、Ｎ−７３０、
Ｎ−７７０；東都化成製ＹＤＣＮ−７０１、ＹＤＣＮ−
７０４、ＹＤＰＮ−６３８、ＹＤＰＮ−６０２；ダウ・
ケミカル製ＤＥＮ−４３１、ＤＥＮ−４３８；チバ・ガ
イギー製ＥＰＮ−１１３８、ＥＣＮ−１２３５、ＥＣＮ
−１２８０、ＥＣＮ−１２９９；日本化薬製ＥＯＣＮ−
１０２、ＥＯＣＮ−１０４、ＥＯＣＮ−１０２０；旭化
成工業製ＥＣＮ−２６５、ＥＣＮ−２９９；住友化学工
業製ＥＳＭ−１４０２、ＥＯＣＮ−２２０ＨＨ等のノボ
ラック型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレー
ト等の複素環式エポキシ樹脂；臭素化エポキシ樹脂、ビ
フェノール型エポキシ樹脂；ビキシレノール型エポキシ
樹脂、アミノ基含有グリシジルエーテル型エポキシ樹
脂、脂環式、あるいはポリブタジエン変性等のエポキシ
化合物が使用できる。これらエポキシ化合物は、単独又
は２種類以上混合して用いることができるが、ノボラッ
ク型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。

【０００８】また、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）として
は、四国化成工業製２ＭＺ、２Ｅ４ＭＺ、Ｃ₁₁Ｚ、Ｃ₁₇
Ｚ、２ＰＺ、１Ｂ２ＭＺ、２ＭＺ−ＣＮ、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ、Ｃ₁₁Ｚ−ＣＮ、２ＰＺ−ＣＮ、２ＰＨＺ−ＣＮ、
２ＭＺ−ＣＮＳ、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮＳ、２ＰＺ−ＣＮ
Ｓ、２ＭＺ−ＡＺＩＮＥ、２Ｅ４ＭＺ−ＡＺＩＮＥ、Ｃ
₁₁Ｚ−ＡＺＩＮＥ、２ＭＡ−ＯＫ、２ＰＨＺ、２Ｐ４Ｂ
ＨＺ等のイミダゾール誘導体；アセトグアナミン、ベン
ゾグアナミン、３，９−ビス−［２−（３，５−ジアミ
ノ−２，４，６−トリアザフェニル）エチル］−２，
４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカ
ン等のグアナミン類；ジアミノジフェニルメタン、ｍ−
フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォン、
シクロヘキシルアミン、４，４′−ジアミノ−３，３′
−ジエチルジフェニルメタン、ジエチレントリアミン、
テトラエチレンペンタミン、Ｎ−アミノエチルピペラジ
ン、イソホロンジアミン、ジシアンジアミド、尿素、尿
素誘導体、メラミン、多塩基酸ヒドラジド等のポリアミ
ン類、これらの有機酸塩及び／又はエポキシアダクト；
三フッ化ホウ素のアミン錯体；トリメチルアミン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルオクチルアミン、トリエタノールアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ−ベンジルジメチルアミ
ン、ピリジン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−メチルモル
ホリン、ヘキサ（Ｎ−メチル）メラミン、２，４，６−
トリス（ジメチルアミノフェノール）、Ｎ−シクロヘキ
シルジメチルアミン、テトラメチルグアニジン、ｍ−ア
ミノフェノール等の三級アミン類；ポリビニルフェノー
ル、ポリビニルフェノール臭素化物、フェノールノボラ
ック、アルキルフェノール、アルキルフェノールノボラ
ック等のポリフェノール類；トリブチルフォスフィン、
トリフェニルフォスフィン、トリス−２−シアノエチル
フォスフィン等の有機フォスフィン類；フタル酸、テト
ラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、マレイン
酸、コハク酸、イタコン酸、クロレンド酸、メチルヘキ
サヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、トリ
メリット酸、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸等の多塩基酸無水物のような公知の硬化剤があ
げられ、これらは、単独又は２種類以上混合して用いる
ことができる。

【０００９】上記エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の使用量の
好適の範囲は、エポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対し
て０．２〜３０重量部、好ましくは２〜２０重量部の割
合である。ここで、エポキシ樹脂硬化剤が０．２重量部
より少ない場合は、エポキシ樹脂が十分硬化せず、耐熱
性等、諸特性に劣る結果となる。逆に、３０重量部より
多い場合は、エポキシ樹脂硬化物が脆くなり十分な耐熱
性等、諸特性が得られない。

【００１０】さらに、（Ｃ）成分である上記一般式
（Ｉ）で表される（メタ）アクリル酸エステル類として
は、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキ
シプロピルアクリレート、ポリエチレングリコールモノ
アクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリ
レート、メトキシポリエチレングリコールアクリレー
ト、メトキシジプロピレングリコールアクリレート、ジ
エチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリ
コールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアク
リレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、
ポリプロピレングリコールジアクリレート及び／又は上
記アクリレート類に対応するメタアクリレート類等があ
げられ、これらを単独又は２種類以上混合して用いるこ
とができる。上記ポリエチレングリコールモノアクリレ
ート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレ
ングリコールジアクリレート及び／又は上記アクリレー
ト類に対応するメタアクリレート類についてはｎ＞７が
好ましい。ｎの数が７よりも少ない場合は、ｎ＞７のも
のと併用することができる。ただし、ｎ＜７のものを用
いると、剥離性に劣る場合がある。その使用量は、前記
エポキシ樹脂（Ａ）に対する（メタ）アクリル酸エステ
ル（Ｃ）の重量比率として、１０：９０〜７０：３０、
好ましくは３０：７０〜６０：４０である。ここで、１
０：９０よりエポキシ樹脂の重量比率が少ない場合は、
予備硬化レジスト膜の剥離後の加熱硬化により十分な硬
化塗膜が得られず、耐熱性等、諸特性に劣る結果とな
る。逆に、７０：３０より（メタ）アクリル酸エステル
が少ない場合は、導体回路上の予備硬化レジスト膜のみ
の剥離が困難となる。

【００１１】次に、光重合開始剤（Ｄ）としては、ベン
ゾイン、ベンジル、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インイソプロピルエーテル等のベンゾイン類及びベンゾ
インアルキルエーテル類；アセトフェノン、２，２−ジ
メトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエ
トキシ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロ
ロアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェ
ニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フ
ェニル］−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアセトフェノン等のアセトフェ
ノン類；２−メチルアノトラキノン、２−エチルアント
ラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、１−
クロロアントラキノン、２−アミルアントラキノン等の
アントラキノン類；２，４−ジメチルチオキサントン、
２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロ
ピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン等のチ
オキサントン類；アセトフェノンジメチルケタ−ル、ベ
ンジルジメチルケタール等のケタール類；ベンゾフェノ
ン、メチルベンゾフェノン、４，４′ージクロロベンゾ
フェノン、４，４′ービスジエチルアミノベンゾフェノ
ン、ミヒラーズケトン等のベンゾフェノン類等があげら
れ、これらを単独又は２種類以上の組合わせで用いるこ
とができる。上記光重合開始剤（Ｄ）の使用量は、前記
（メタ）アクリル酸エステル（Ｃ）１００重量部に対し
て０．２〜３０重量部、特に２〜２０重量部の範囲に設
定することが好ましい。ここで、光重合開始剤が、０．
２重量部より少ない場合は、紫外線により（メタ）アク
リル酸エステルが十分硬化せず、逆に３０重量部より多
い場合も、同様に紫外線硬化性が悪くなる。

【００１２】また、本発明のレジストインキ組成物に
は、添加剤として、さらに必要に応じて、硫酸バリウ
ム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素、タルク、クレー、
炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウ
ム、水酸化アルミニウム、雲母粉等の無機充填剤、フタ
ロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイ
オシン・グリーン、ジスアゾイエロー、ビクトリアブル
ー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブ
ラック、ナフタレンブラック等の公知慣用の着色剤、ハ
イドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ｔ
ｅｒｔ−ブチルカテコール、ピロガロール、フェノチア
ジン等の公知慣用の重合禁止剤、アスベスト、オルベ
ン、ベントン、モンモリロナイト等の公知慣用の増粘
剤、シリコーン系、フッ素系、アクリルポリマー系等の
消泡剤及び／又はレベリング剤を用いることができる。

【００１３】また、本発明のソルダーレジスト形成法
は、上記レジストインキ組成物を導体回路が形成された
基板の全面又は一部領域、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ等のフ
ラットパッケージのパッド部分等に塗布した後、紫外線
により予備硬化し、その後、導体回路上の予備硬化され
たレジスト膜を水で剥離し、紫外線及び／又は加熱硬化
をするか、或いは紫外線及び／又は加熱硬化することな
しにソルダーレジスト及び／又は導電性ペースト用アン
ダーコート皮膜を形成させることにより行われる。

【００１４】予備硬化を行うための紫外線の露光量は、
３００ｍＪ／ｃｍ²〜３０００ｍＪ／ｃｍ²、好ましく
は１０００ｍＪ／ｃｍ²〜２０００ｍＪ／ｃｍ²であ
る。露光量が、３００ｍＪ／ｃｍ²より少ない場合は、
硬化不足により基材上が剥離しやすくなり、逆に、３０
００ｍＪ／ｃｍ²より多い場合は、回路上の剥離が劣
る。剥離後のレジスト膜への紫外線の照射は、剥離中に
軟化したレジスト膜を再度硬化させるために有利であ
る。露光量は、上記、予備硬化時と同じでよい。剥離後
のレジスト膜の加熱硬化は、本発明のレジストインキ組
成物中のエポキシ樹脂を硬化させるために必要であり、
加熱硬化することによりレジスト膜に十分な耐性を付与
することができる。硬化における加熱温度及び加熱時間
は、１２０℃〜１８０℃、３０分〜９０分である。１２
０℃より低温では、硬化不足でレジスト膜の特性がな
い。逆に、１８０℃より高温では、レジスト膜が脆くな
る。また、硬化時間が、３０分より短い場合は硬化不足
になり、逆に、９０分より長い場合は、レジスト膜が脆
くなる。

【００１５】基材としては、ガラスエポキシ基材、ガラ
スポリイミド基材、紙エポキシ基材、紙フェノール基材
およびコンポジット基材等が使用できるまた、ソルダー
レジストインキとしては、熱硬化型ソルダーレジストイ
ンキ、紫外線硬化型ソルダーレジスト、液状ソルダーレ
ジストおよびドライフィルムフォトレジスト等公知のも
のならば如何なるものでも使用可能であるが、例えば、
熱硬化型ソルダーレジストインキ（Ｓ−２２２Ｘ−１
６太陽インキ製造製）、紫外線硬化型ソルダーレジス
トインキ（ＵＶＲ−１５０ＧＥＸ２太陽インキ製造
製）、液状ソルダーレジスト（ＰＳＲ−４０００Ｈ７
太陽インキ製造製）、ドライフィルムソルダーレジス
ト等が、好適に使用できる。さらに、導電性ペースト用
アンダーコート塗料は、例えば、ＭＦ−２００（太陽イ
ンキ製造製）が使用できる。

【００１６】導体回路が形成された基板上へのレジスト
インキ組成物の塗布は、例えば、導体回路が形成された
基板上に、スクリーン印刷法、ロールコーター法、カー
テンコーター法、スプレーコーター法等により実施され
る。また、塗布されたレジストインクの硬化は、低圧水
銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノ
ンランプ、メタルハライドランプ等を照射光源とした紫
外線を照射することにより行われる。導体回路上の予備
硬化されたレジスト膜の剥離は、水により導体回路上の
予備硬化されたレジスト膜を膨潤させることにより行う
ことができる。

【００１７】上記のように、本発明に係るレジストイン
キ組成物は、導体回路が形成された基板の全面又は一部
領域、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ等のフラットパッケージの
パッド部分等に塗布し、紫外線で予備硬化しても、導体
回路上の予備硬化されたレジスト膜のみが、水により剥
離することが可能である。したがって、剥離後、紫外線
及び／又は加熱硬化をするか、或いは紫外線及び／又は
加熱硬化することなしにソルダーレジスト及び／又は導
電性ペースト用アンダーコート皮膜を形成することによ
り耐熱性等、諸特性に優れたレジスト膜を形成せしめる
ことができ、特に表面実装用プリント配線板のＳＭＤパ
ターンのパッド間にレジスト膜を残す方法として有効で
ある。

【実施例】以下に実施例を示して本発明を具体的に、説
明する。なお、「部」とあるのは、特に断りのない限り
全て重量基準である。

【００１８】実施例１エピコート８２８（油化シェル製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）３０．０部２−ヒドロキシエチルメタクリレート１０．０部ポリエチレングリコール（＃６００）ジアクリレート２４．０部ベンゾフェノン３．０部硫酸バリウム３０．０部フタロシアニン・グリーン０．５部ＫＳ−６６（信越化学社製消泡剤）０．５部Ｃ₁₁Ｚ（四国化成工業製硬化剤）２．０部合計１００．０部上記配合成分を予備混合した後、３本ロールミルで混練
してレジストインキ組成物を調製した。このレジスト組
成物をスクリーン印刷法により銅の導体回路が形成され
た基板の全面に塗布し、東芝製コンベア式高圧水銀灯硬
化炉により１０００ｍＪ／ｃｍ²で予備硬化させた。次
に、水（５０℃）を剥離液とし３ｋｇ／ｃｍ²のスプレ
ー圧で剥離試験を行なった。その結果を表１に示す。

【００１９】実施例２ＹＤＦ−１７０（東都化成製ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）１５．０部エピクロンＮ−６６５（大日本インキ化学工業製ノボラック型エポキシ樹脂）の２−ヒドロキシエチルアクリレートの５０％カット品３０．０部ポリプロピレングリコール（＃４００）ジアクリレート１２．０部２，４−ジエチルチオキサントン２．０部タルク３２．０部微粉状二酸化ケイ素３．０部フタロシアニン・グリンーン０．５部ＴＳＡ−７５０（東芝シリコーン製消泡剤）０．５部２ＰＨＺ（四国化成工業製硬化剤）５．０部合計１００．０部上記配合成分を予備混合した後、実施例１と同様の方法
で混練，塗布、予備硬化を行ない剥離試験を行った。そ
の結果を表１に示す。

【００２０】実施例３ＥＯＣＮ−２２０ＨＨ（住友化学製ノボラック型エポキシ樹脂）の２−ヒドロキエチレングリコールメタクリレート５０％カット品５０．０部ポリエチレングリコール（＃４００）ジアクリレート８．０部メトキシテトラエチレングリコールメタクリレート５．０部２−エチルアントラキノン４．０部二酸化ケイ素２０．０部硫酸バリウム１０．０部アイオシン・グリーン１．０部ＡＣ−３００（共栄社油脂製消泡剤）１．０部無水マレイン酸１．０部合計１００．０部上記配合成分を予備混合した後、実施例１と同様の方法
で混練，塗布、予備硬化を行ない剥離試験を行った。そ
の結果を表１に示す。

【００２１】実施例４エピコート１００１（油化シェル製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）のテトラエチレングリコールジアクリレート５０％カット品４０．０部ポリエチレングリコール（＃６００）ジアクリレート１４．０部ベンゾインイソプロピルエーテル２．５部水酸化アルミニウム２５．０部二酸化ケイ素１０．０部微粉状二酸化ケイ素３．０部フタロシアニン・グリーン０．５部ディスパロン２３０（楠本化成製消泡剤）２．０部ジシアンジアミド３．０部合計１００．０部上記混合物を予備混合した後、実施例１と同様の方法で
混練、塗布、予備硬化を行ない剥離試験を行った。その
結果を表１に示す。

【００２２】比較例１エピコート１００１の１，６−ヘキサンジオールジアクリレート５０％カット品４５．０部ネオペンチルグリコールジアクリレート１７．０部２−エチルアントラキノン２．０部タルク３０．０部微粉状二酸化ケイ素３．０部フタロシアニン・グリーン０．５部ＫＦ−９６（信越化学製消泡剤）０．５部２ＭＺ−ＡＺＩＮＥ（四国化成工業製硬化剤）３．０部合計１００．０部上記混合物を予備混合した後、実施例１と同様の方法
で混練、塗布、予備硬化を行ない剥離試験を行った。そ
の結果を表１に示す。

【００２３】比較例２エピコート８２８（油化シェル製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）５０．０部ポリエチレングリコール（＃６００）ジアクリレート１５．０部２−エチルアントラキノン３．０部タルク２５．０部微粉状二酸化ケイ素３．０部フタロシアニン・グリーン０．５部ＫＳ−６６（信越化学製消泡剤）０．５部ジシアンジアミド３．０部合計１００．０部上記混合物を予備混合した後、実施例１と同様の方法で
混練、塗布、予備硬化を行ない剥離試験を行った。その
結果を表１に示す。

【００２４】比較例３Ｎ−６９５（大日本インキ化学工業製ノボラック型エポキシ樹脂）のジエチレングリコールジメタクリレート５０％カット品１０．０部ポリプロピレングリコール（＃４００）ジアクリレート６０．０部硫酸バリウム２５．０部アイオシン・グリーン１．０部ＡＣ−３００（共栄社油脂製消泡剤）２．０部２Ｐ４ＢＨＺ（四国化成工業製エポキシ硬化剤）２．０部合計１００．０部上記混合物を予備混合した後、実施例１と同様の方法で
混練、塗布、予備硬化を行ない剥離試験を行なった。そ
の結果を表１に示す。

【００２５】

【表１】なお、上記表１における、評価法、評価基準は下記の通
りである。

【００２６】剥離時間導体回路上のレジストインキが剥離するに要する時間。（剥離時間は、２０分を上限として試験を行なった。）

【００２７】導体回路上の剥離試験導体回路上のレジストインキの剥離状態を目視にて判定
した。． ○…導体回路上のレジストインキが１００％剥離されて
いるもの。 △…導体回路上のレジストインキが一部剥離されている
もの。 ×…導体回路上のレジストインキが全く剥離されないも
の。

【００２８】基材上の劣化基材上のレジストインキの劣化（剥離）状態を目視にて
判定した。 ○…基材上のレジストインキが全く剥離していないも
の。 △…基材上のレジストインキが一部剥離しているもの。 ×…基材上のレジストインキが殆ど剥離しているもの。

【００２９】実施例５上記実施例１〜実施例４によって得られたレジスト膜
を、それぞれ紫外線により１０００ｍＪ／ｃｍ²の照射
量で照射し、はんだ付け部を残して、熱硬化型ソルダー
レジストインキ（Ｓ−２２２Ｘ１６太陽インキ製造
製）を塗布し、１５０℃、３０分硬化させプリント配線
板を作製した。ここで得られたプリント配線板は、それ
ぞれ実施例５−１、５−２、５−３及び５−４とした。
これらに対して、密着性、はんだ耐熱性、耐酸性、耐ア
ルカリ性及び耐溶剤性に対する試験を行なった。その結
果を表２に示す。

【００３０】実施例６実施例１〜実施例４によって得られたレジスト膜を、紫
外線により１０００ｍＪ／ｃｍ²の照射量で照射し、次
に、１５０℃、６０分加熱硬化させ、はんだ付け部を残
して、紫外線硬化型ソルダーレジストインキ（ＵＶＲ−
１５０ＧＥＸ２太陽インキ製造製）を塗布し、１０
００ｍＪ／ｃｍ²で硬化させプリント配線板を作製し
た。ここで得られたプリント配線板は、それぞれ実施例
６−１、６−２、６−３及び６−４とした。これらに対
して、密着性、はんだ耐熱性、耐酸性、耐アルカリ性及
び耐溶剤性に対する試験を行なった。その結果を表２に
示す。

【００３１】実施例７実施例１〜実施例４によって得られたレジスト膜を、紫
外線により１０００ｍＪ／ｃｍ²の照射量で照射し、現
像型ソルダーレジストインキ（ＰＳＲ−４０００Ｈ７
太陽インキ製造製）を塗布し、はんだ付け部を残し、
露光、現像を行ない１５０℃、６０分加熱硬化させプリ
ント配線板を作製した。ここで得られたプリント配線板
は、それぞれ実施例７−１、７−２、７−３及び７−４
とした。これらに対して、密着性、はんだ耐熱性、耐酸
性、耐アルカリ性及び耐溶剤性に対する試験を行なっ
た。その結果を表２に示す。

【００３２】

【表２】

【００３３】なお、比較例１のレジスト膜は、導体回路
上のレジスト膜が全く剥離しないため、また、比較例２
のものはレジスト膜は剥離するが基材の劣化が激しいた
め、いずれも密着性、はんだ耐熱性、耐酸性、耐アルカ
リ性及び耐溶剤性に対する試験を行なうことができなか
った。上記表２における、評価法、評価基準は下記の通
りである。

【００３４】密着性…ＪＩＳＤ−０２０２の試験方法
にしたがって、それぞれのテストピースに碁盤目状にク
ロスカットを入れ、次いでセロファンテープによりピー
リング試験後の剥がれの状態を目視により判定した。 ○…１００／１００で全く変化がみられないもの。 △…５０／１００〜９０／１００のもの。 ×…０／１００〜５０／１００のもの。

【００３５】はんだ耐熱性…ＪＩＳＣ−６４８１の試
験方法にしたがって、それぞれのテストピースを２６０
℃のはんだ浴に１０秒間フロートさせるのを１サイクル
としそれぞれ３サイクルさせた後の塗膜の“フクレ”と
密着性とを総合的に判定評価した。 ○…変化が認められないもの。 △…塗膜の１０％未満が剥がれたもの。 ×…塗膜が全面的に剥がれたもの。

【００３６】耐酸性…それぞれのテストピースを１０容
量％の硫酸水溶液中に、２０℃で３０分間浸漬させた後
の状態と密着性とを総合的に判定評価した。 ○…変化が認められないもの。 △…変化が認められるもの。 ×…塗膜が膨潤し脱落したもの。

【００３７】耐アルカリ性…１０容量％の硫酸水溶液を
１０重量％の水酸化ナトリウム水溶液に代えた以外は耐
酸性試験と同様に試験評価した。

【００３８】耐溶剤性…１０容量％の硫酸水溶液を１，
１，１−トリクロロエタンに代えた以外は耐酸性試験と
同様に試験評価した。

【００３９】

【発明の効果】以上のように、本発明に係るレジストイ
ンキ組成物は、紫外線予備硬化後、導体回路上のみを剥
離することができるものであり、且つ、導体回路が形成
された基板上に従来のスクリーン印刷法のようなパター
ン印刷をする必要がないため、ニジミ、回路間への埋込
み性、スクリーンの伸縮による印刷位置精度等の問題が
なくなる。また、ドライフィルムソルダーレジストや液
状フォトソルダーレジストで問題となる隣接するパッド
間での解像性不良も解決される。また、パッド間に形成
された予備硬化されたレジスト膜は、パッドとほぼ同一
平面となり、はんだ付けの際のブリッジの発生を防ぐこ
とができる。このようにレジスト膜が形成された基板
に、パッド部分、ランド部分等のはんだ付け部を残して
ソルダーレジストインキ及び／又は導電性ペースト用ア
ンダーコートを塗布する際、比較的広くはんだ付け部を
残すことが可能となり、従来のスクリーン印刷法により
容易にソルダーレジストインキ及び／又は導電性ペース
ト用アンダーコートを塗布することができる。また、ド
ライフィルムソルダーレジストや液状フォトソルダーレ
ジストによりソルダーレジスト膜を形成する際は、回路
間、パッド間の埋込み性の問題もなくなる。さらに、パ
ッド間に容易にレジスト膜を形成することが可能とな
る。さらに、本発明のレジストインキ組成物を使用し、
本発明の方法を実施すれば、プリント配線板に耐熱性、
耐薬品性等の諸特性に優れたレジスト膜を形成せしめる
ことができ、特に、表面実装プリント配線板のＳＭＤパ
ターンのパッド間にレジスト膜を残す方法として有効で
ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者沢崎賢二埼玉県比企郡嵐山町大字大蔵388番地太陽インキ製造株式会社嵐山事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ａ．エポキシ樹脂Ｂ．エポキシ樹脂硬化剤Ｃ．下記式（Ｉ）で示される（メタ）アクリル酸エステ
ル類、【化１】（但し、式中Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₃は、それぞれ水素原子
又はメチル基であり、Ｒ₄は、水素原子、メチル基、メ
タクリロイル基又はアクリロイル基であり、ｎは、１以
上の数である）Ｄ．光重合開始剤からなるレジストインキ組成物であり、導体回路が形成
された基板上に塗布し、紫外線により予備硬化した際、
導体回路が形成された基板上の予備硬化されたレジスト
膜のうち、導体回路上の予備硬化レジスト膜のみが、水
により剥離する性質を有することを特徴とするレジスト
インキ組成物。
【請求項２】前記エポキシ樹脂硬化剤を、前記エポキ
シ樹脂１００重量部に対して０．２〜３０重量部の割合
で含有することを特徴とする請求項１記載のレジストイ
ンキ組成物。
【請求項３】エポキシ樹脂と（メタ）アクリル酸エス
テルの重量比率が、１０：９０〜７０：３０であること
を特徴とする請求項１記載のレジストインキ組成物。
【請求項４】前記光重合開始剤を、前記（メタ）アク
リル酸エステル１００重量部に対して０．２〜３０重量
部の割合で含有することを特徴とする請求項１記載のレ
ジストインキ組成物。
【請求項５】請求項１記載のレジストインキ組成物
を、導体回路が形成された基板の全面又は一部領域に塗
布した後、紫外線により予備硬化し、導体回路上の予備
硬化されたレジスト膜を水で剥離した後、紫外線及び／
又は加熱硬化をするか、或いは紫外線及び／又は加熱硬
化することなしにソルダーレジスト及び／又は導電性ペ
ースト用アンダーコート皮膜を形成させることを特徴と
するソルダーレジスト膜形成方法。
【請求項６】水で導体回路上の予備硬化したレジスト
膜のみを剥離した後、基材上に残った予備硬化したレジ
スト膜をさらに紫外線を３００〜３０００ｍＪ／ｃｍ²
照射し硬化させ、ソルダーレジス及び／又は導電性ペー
スト用アンダーコート皮膜を形成させることを特徴とす
る請求項５記載のソルダーレジスト膜形成方法。
【請求項７】水で導体回路上の予備硬化したレジスト
膜のみを剥離した後、基材上に残った予備硬化したレジ
スト膜を、さらに１２０〜１８０℃で５〜９０分加熱硬
化させソルダーレジス及び／又は導電性ペースト用アン
ダーコート皮膜を形成させることを特徴とする請求項５
記載のソルダーレジスト膜形成方法。