JPH05190461A - 機能性堆積膜の連続形成方法および装置 - Google Patents

機能性堆積膜の連続形成方法および装置

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JPH05190461A
JPH05190461A JP4000994A JP99492A JPH05190461A JP H05190461 A JPH05190461 A JP H05190461A JP 4000994 A JP4000994 A JP 4000994A JP 99492 A JP99492 A JP 99492A JP H05190461 A JPH05190461 A JP H05190461A
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microwave
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Akira Sakai
明 酒井
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 連続的に移動する帯状部材の一辺により形成
される成膜空間内にマイクロ波プラズマを生起させて帯
状部材に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ法
において、主原料ガスおよび補助ガスをそれぞれの導入
手段により、主原料ガス導入手段と帯状部材との垂線距
離が補助ガス導入手段との垂線距離より大きくなるよう
に成膜空間内に配設して導入することからなる機能性堆
積膜の連続形成方法および装置。 【効果】 大面積に亘って均一にかつ高速で機能性堆積
膜を連続的に形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、機能性堆積膜の連続形
成方法および形成装置に係わり、マイクロ波プラズマ反
応により原料ガスを分解、励起させることによって、大
面積に亘って機能性堆積膜を連続的に形成することが可
能な機能性堆積膜の連続形成方法および装置に関する。
より具体的には光起電力素子等の大面積薄膜半導体デバ
イスの量産化を低コストで実現させ得る方法および装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、環境問題について世界的に注意が
注がれている。化石燃料による環境汚染、温暖化現象、
原子力発電の安全性の問題などから、地球にやさしくク
リーンなエネルギーの供給が望まれており、自然エネル
ギーを利用した、風力、潮力、地熱、太陽光発電に基体
が向けられている。中でも太陽光を利用した太陽電池に
よる発電方法は、太陽光が地球上いたるところに降り注
ぎ、エネルギー源の偏在が少なく、更に複雑な大型の設
備を必要としないことから、より注目を集め盛んに研究
開発がなされている。太陽電池は、その重要な構成要素
である半導体層に、いわゆるｐｎ接合、ｐｉｎ接合等の
半導体接合が形成されている。それらの半導体接合は、
導電型の異なる半導体層を順次積層したり、一導電型の
半導体層中に異なる導電型のドーパントをイオン打込み
法等によって打込んだり、熱拡散によって拡散させたり
することにより達成される。
【０００３】この点を、前述したアモルファスシリコン
等の薄膜半導体を用いた太陽電池についてみると、その
作製においては、ホスフィン（ＰＨ3 ）、ジボラン（Ｂ
2 Ｈ 6 ）等のドーパントとなる元素を含む原料ガスを、
主原料ガスであるシラン等に混合し、グロー放電分解す
ることにより所望の導電型を有する半導体膜が得られ、
所望の基板上にこれらの半導体膜を順次積層形成するこ
とによって、容易に半導体接合が形成できることが知ら
れている。そしてこのことから、アモルファスシリコン
系の太陽電池を作製するにあたって、その各々の半導体
層形成用の独立した成膜室を設け、この成膜室において
各々の半導体層の形成を行う方法が提案されている。
【０００４】因に米国特許４，４００，４０９号には、
ロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌｔｏ Ｒｏｌｌ）方式
を採用した連続プラズマＣＶＤ装置が開示されている。
この装置によれば、複数のグロー放電領域を設け、所望
の幅の十分に長い可撓性の基板を、基板が各グロー放電
領域を順次貫通する経路に沿って配置し、各グロー放電
領域において必要とされる導電型の半導体層を堆積形成
しつつ、基板をその長手方向に連続的に搬送せしめるこ
とによって、半導体接合を有する素子を連続形成するこ
とができるとされている。なお、この方法においては、
半導体層形成時に用いるドーパンドガスが他のグロー放
電領域へ拡散、混入するのを防止する目的でガスゲート
が用いられている。具体的には、グロー放電領域同志
を、スリット状の分離通路によって相互に分離し、さら
に分離通路に、例えばＡｒ，Ｈ2等の排気用ガスの流れ
を形成させる手段が採用されている。このようにロール
・ツー・ロール方式は、半導体素子の量産に適する方式
であると言えよう。
【０００５】しかしながら、上記の各半導体層の形成
は、ＲＦ（ラジオ周波数）を用いたプラズマＣＶＤ法に
よって行われているため、連続的に形成される膜の特性
を維持しつつ、その膜堆積速度の向上を図るためには、
おのずと限界がある。例えば、膜厚がたかだか５０００
Åの半導体層を形成する場合であっても、所定のプラズ
マを相当長尺で、大面積にわたって常時生起し、且つプ
ラズマを均一に維持する必要がある。ところが、そのよ
うにするにはかなりの熟練を必要とし、その為に関係す
る種々のプラズマ制御パラメーターを一般化するのは困
難である。また、用いる成膜用原料ガスの分解効率およ
び利用効率は低く、生産コストを引き上げる要因の一つ
ともなっている。
【０００６】また、特開昭６１−２８８０７４号には、
改良されたロール・ツー・ロール方式を用いた堆積膜形
成装置が開示されている。この装置においては、反応容
器内に設置されたフレキシブルな連続シート状基板の一
部にホロ様のたるみ部を形成し、この中に反応容器とは
異なる活性化空間において生成された活性種および必要
に応じて他の原料ガスを導入し、熱エネルギーにより化
学的相互作用を起こさせ、前記ホロ様のたるみ部を形成
しているシート状基板の内面に堆積膜を形成することを
特徴としている。このようにホロ様のたるみ部の内面に
堆積を行うことにより、装置のコンパクト化が可能とな
る。さらに、あらかじめ活性化された活性種を用いるの
で、従来の堆積膜形成装置に比較して成膜速度を早める
ことができる。
【０００７】しかしながら、この装置はあくまで熱エネ
ルギーの存在下での化学的相互作用による堆積膜形成反
応を利用したものであり、更なる成膜速度の向上を図る
には、活性種の導入量および熱エネルギーの供給量を増
やすことが必要である。しかし、熱エネルギーを大量か
つ均一に供給する方法や、反応性の高い活性種を大量に
発生させて反応空間にロスなく導入する方法には限界が
ある。
【０００８】一方、最近注目されているのが、マイクロ
波を用いたプラズマプロセスである。マイクロ波は周波
数帯が短いため従来のＲＦを用いた場合よりもエネルギ
ー密度を高めることが可能であり、プラズマを効率良く
発生させ、持続させることに適している。
【０００９】例えば、米国特許４，５１７，２２３号お
よび同４，５０４，５１８号には、低圧下でのマイクロ
波グロー放電プラズマ内で小面積の基体上に薄膜を堆積
形成させる方法が開示されている。この方法によれば、
低圧下でのプロセスであるため、膜特性の低下の原因と
なる活性種のポリマリゼーションを防ぎ高品質の堆積膜
が得られるばかりでなく、プラズマ中でのポリシラン等
の粉末の発生を抑え、且つ、堆積速度の飛躍的向上が図
れるとされている。しかしながら、大面積に亘って均一
な堆積膜形成を行うための具体的開示はなされていな
い。
【００１０】一方、米国特許４，７２９，３４１号に
は、一対の放射型導波管アプリケーターを用いた高パワ
ープロセスによって、大面積の円筒形基体上に光導電性
半導体薄膜を堆積形成させる低圧マイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法および装置が開示されているが、大面積基体とし
ては円筒形の基体、すなわち、電子写真用光受容体とし
てのドラムに限られており、大面積かつ長尺の基体への
適用はなされていない。また、堆積膜の製造工程はバッ
チ式であって、一回の仕込みで形成される堆積膜の量は
限られており、大面積の基板上に大量に堆積膜を連続し
て形成する方法に関する開示はない。
【００１１】したがって、マイクロ波を用いたプラズマ
はマイクロ波の波長が短いためエネルギーの不均一性が
生じやすく、基体の大面積化に対しては、解決されねば
ならない問題点が種々残されている。
【００１２】例えば、マイクロ波エネルギーの均一化に
対する有効な手段として遅波回路の利用があるが、遅波
回路にはマイクロ波アプリケーターの横方向への距離の
増加に伴いプラズマのマイクロ波結合の急激な低下が生
じるといった独特の問題点を有している。そこで、この
問題点を解決する方策として例えば、米国特許３，８１
４，９８３号および同４，５２１，７１７号に開示され
ているように、被処理体と遅波回路との距離を変える基
体の表面近傍でのエネルギー密度を均一にする方法が試
みられている。そして前者においては、基体に対してあ
る角度に遅波回路を傾斜させる必要があることが記載さ
れているが、プラズマに対するマイクロ波エネルギーの
伝達効率は満足のゆくものではない。また、後者にあっ
ては、基体とは平行な面内に、非平行に２つの遅波回路
を設けることが開示されている。すなわち、マイクロ波
アプリケーターの中央に垂直な平面同志が、被処理基板
に平行な面内で、且つ基板の移動方向に対して直角な直
線上で互いに交わるように配置することが望ましいこ
と、そして２つのアプリケーター間の干渉を避けるた
め、アプリケーター同志を導波管のクロスバーの半分の
長さだけ基体の移動方向に対して横にずらして配置する
方法のぞれぞれが開示されている。
【００１３】また、太陽電池素子自体については、米国
特許４，８１６，０８２号に開示されているように、太
陽電池素子のｉ層のバンドギャップを層厚方向に、極小
点を持たせる構成により、開放電圧、およびＦＦの改善
が発案、提示されている。これによれば、ａ−ＳｉＧｅ
をｉ層に持つ太陽電池であり、このａ−ＳｉＧｅのバン
ドプロファイルがｎ層との界面にて１．７ｅＶ程度でｉ
層層厚方向に向かうにつれて１．５ｅＶを極小値を経て
ｐ層との界面にて１．７ｅＶ程度で形成される構成にな
っている。この結果として、開放電圧の改善およびマイ
ノリティキャリアのドリフトモビリティの改善に起因す
るＦＦの改善が提示されている。そして先に述べた、ロ
ール・ツー・ロール方式の連続プラズマＣＶＤ装置にお
いて、このようなバンドプロファイルを持つｉ層の構成
をどう実現するかが今後の高効率太陽電池の量産に向け
ての重要課題となっている。
【００１４】従って、上述したマイクロ波手段の持つ種
々の問題点を解決する新規なマイクロ波プラズマプロセ
スの早期提供が望まれている。
【００１５】ところで、薄膜半導体は前述した太陽電池
用の用途の他にも、液晶ディスプレイの画素を駆動する
ための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や密着型イメージセ
ンサー用の光電変換素子およびスイッチング素子等の大
面積または長尺であることが必要な薄膜半導体デバイス
作製用にも好適に用いられ、前記画像入出力装置用のキ
ーコンポーネントとして一部実用化されているが、高品
質で均一性が良く高速で大面積化できる新規な堆積膜形
成方法の提供によって、更に一般に普及されることが期
待されている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のごと
き従来の薄膜半導体デバイス形成方法および装置におけ
る諸問題を克服して、大面積に亘って均一に、且つ高速
で機能性堆積膜を連続形成する方法および装置を提供す
ることを課題とするものである。
【００１７】本発明の他の課題は、連続して移動する帯
状部材上に帯状部材より縦方向に化学組成が連続的に変
化する機能性堆積膜を形成する方法および装置を提供す
ることにある。
【００１８】本発明の更に他の課題は、連続して移動す
る帯状部材上に帯状部材より縦方向に価電子密度が連続
的に変化する半導体層を形成する方法および装置を提供
することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは従来の薄膜
半導体デバイス形成装置における上述の課題を解決する
ために鋭意研究を重ねた結果、補助ガス導入手段と帯状
部材との距離ｄが主原料ガス導入手段と帯状部材とのそ
れより大となるように配設することにより解決し得るこ
とを見出し、さらに補助ガス導入手段より導入する補助
ガスがマイクロ波プラズマによって分解励起して得られ
る帯状部材上の堆積膜の分布に大きく影響を与えること
を見出した。このことにより、複数の補助ガス導入手段
の配設およびこれらを巧みに組み合わせることにより、
帯状部材の縦方向の化学組成が連続的に変化する機能性
堆積膜を形成する方法および装置を発明するに到った。
すなわち、本発明の第１の発明は、連続的に移動する帯
状部材の一辺により形成される成膜空間内にマイクロ波
プラズマを生起させて前記帯状部材に堆積膜を形成する
マイクロ波プラズマＣＶＤ法において、主原料ガスを複
数の主原料ガス導入手段より、また補助ガスを複数の補
助ガス導入手段より前記成膜空間内に導入する機能性堆
積膜の連続形成方法であって、前記複数の主原料ガス導
入手段と前記帯状部材との垂線距離が前記複数の補助ガ
ス導入手段との垂線距離より大きくなるように前記成膜
空間内に配設することを特徴とする機能性堆積膜の連続
形成方法である。
【００２０】また、本発明の第２の発明は、連続的に移
動する帯状部材の一辺、マイクロ波エネルギーを通過す
る窓、排気孔が設けられた側壁により形成される成膜室
にマイクロ波プラズマを生起させて前記帯状部材に堆積
膜を形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ装置において、
前記成膜室内に主原料ガスを導入する複数の主原料ガス
導入手段、および補助ガスを導入する複数の補助ガス導
入手段より導入する機能性堆積膜の連続形成装置であっ
て、前記複数の主原料ガス導入手段と前記帯状部材との
垂線距離が前記複数の補助ガス導入手段との垂線距離よ
り大きくなるように前記成膜室内に配設したことを特徴
とする機能性堆積膜の連続形成装置である。
【００２１】以下、本発明の理解のために、本発明者ら
が行った実験について先ず説明する。
【００２２】図１は用いた実験装置の模式的斜視図であ
る。図１において、１０１は帯状部材であり、図示され
た矢印の方向に連続的に移動する。１０１は送り出した
ボビン（不図示）によって送り出され、成膜空間（成膜
室）１０７を通過して巻取りボビン（不図示）によって
巻取られる構成となっている。
【００２３】図中成膜空間１０７はマイクロ波アプリケ
ーター１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃが接続されている
壁面、これと対向する壁面の排気パンチングボード１０
６、帯状部材１０１および側壁１０８によって形成され
る空間である。１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃは各々、
底壁に設けられたガス導入管であり、１０２ａ，１０２
ｂ，１０２ｃは補助ガス導入管である。補助ガス導入管
１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃと帯状部材１０１との垂
線距離で定義する距離を各々ｄa ，ｄb およびｄc とす
る。主原料ガスおよび補助ガスは各々ガス導入管１０３
ａ，１０３ｂ，１０３ｃおよび１０２ａ，１０２ｂ，１
０２ｃより成膜空間１０７に導入され、マイクロ波１０
５はマイクロ波発振器、導波管（各々、不図示）を経て
マイクロ波アプリケーター１０４ａ，１０４ｂ，１０４
ｃよりマイクロ波透過性の透過性の誘電体窓を経て成膜
空間１０７に導入され、主原料ガスおよび補助ガスを分
解、励起しプラズマを生起する。帯状部材１０１の図中
上部に配設された加熱ヒーター（不図示）により所定の
温度に帯状部材を加熱保持することにより機能性堆積膜
を連続的にかつ大面積に渡って形成することが可能であ
る。また、成膜空間１０７の排気は主にパンチングボー
ド１０６より排気された後、成膜空間１０７を包含する
真空容器（不図示）に接続された排気ポンプ（不図示）
により系外に排気される。この実験装置を用いて、補助
ガス管と帯状部材との距離ｄの変化に対する帯状部材上
に堆積する堆積膜の化学組成および分布の変化について
検討を行った。実験１ 表１に示すガス種および流量、マイクロ波パワーの条件
で距離ｄを変化させた。 帯状部材は静止させておき、
この上に堆積するａ−ＳｉＧｅのＧｅ濃度をＸＭＡ（Ｘ
線マイクロアナライザー）により組成分析を行った。そ
の分布を図３に示す。
【００２４】同図において、Ｇｅ濃度分布はＳｉ濃度分
布で規格化してあり、ガウス型を示している。そして補
助ガス管と帯状部材との距離ｄb が大きくなる程、ピー
ク値は減少しブロードな形へと変化しているのがわか
る。このことより、各補助ガス導入管と帯状部材との各
々の距離ｄa ，ｄb およびｄc を適宜選ぶことにより、
静止した帯状部材上に図３に示す所望のＧｅ濃度分布
を設けることが可能である。
【００２５】
【表１】 実験２ 次に静止した帯状部材上に組成制御された機能性堆積膜
の分布を調べるために、ｄa およびｄb を各々１cmおよ
び３cmとした。補助ガス導入管１０２ｃを配設すること
なく表２−１に示した条件で堆積を行った。Ｇｅ濃度の
分布は図３のスケール１０cmの位置にピークを有する
ガウス分布となり、同図においてＧｅＨ 4 ／ＳｉＨ4 の
ガス混合比を増加させることによりＧｅ濃度分布は中心
位置で高く急峻なものとなっている。一方、表２−２に
示した条件で堆積を行った場合、すなわち、ｄb ＝３cm
に固定し、ＧｅＨ4 ／ＳｉＨ4 混合ガス比を変化させた
ときには、Ｇｅ濃度分布はブロードなものであり、その
形は保存されたまま面積が変化していることがわかっ
た。
【００２６】
【表２】
【００２７】
【表３】 実験３ 次に実験２でわかったＧｅ濃度分布を重ね合わせる検討
を行った。すなわち、表３に示す条件で、ｄa ＝１cm，
ｄb ＝３cmとして堆積を行ったところ、図３に示すＧ
ｅ濃度分布となった。この実験結果ではスケール１８cm
付近で極小点を持つことがわかる。
【００２８】
【表４】 実験４ 上で述べた極小点をなくし滑らかなＧｅ濃度分布にする
ために、補助ガス導入管１０２ｂの位置をスケール３０
cmの位置から２３cmの位置に変更し、その他の条件は表
３に示したものと同一とした。堆積実験の結果、Ｇｅ濃
度分布は図３に示すものとなった。同図において、ス
ケール１０cmにて極大値をとり、滑らかに減少し極小点
をなくすことができた。 実験のまとめ 以上の実験１〜４までの結果をまとめると、主原料ガス
導入手段に対して補助ガス導入手段の配置およびこれら
のガス混合比を適宜調整することで組成制御された機能
性堆積膜を所望の基体に堆積できることがわかった。
【００２９】次に、比較実験としてＧｅＨ4 およびＳｉ
Ｈ4 を混合して同一の主原料ガス管より導入した場合に
ついて、以下の実験を試みた。比較実験 実験１と同じ装置により、主原料ガス導入管１０３ｂよ
りＧｅＨ4 ８０sccmおよびＳｉＨ4 １２０sccmを混合し
て同時に成膜室１０７に導入した。その他のガスおよび
条件は実験１（距離ｄ2 は除く。）と同じとした。この
ようにして得られる帯状部材上のａ−ＳｉＧｅのＳｉ濃
度で規格化したＧｅ濃度分布は図３に示すようにピー
ク値が低いガウス型のブロードな形を示した。
【００３０】（ｄb ＝１０cm）次に同じ混合比のガスを
補助ガス導入管１０２ｂより導入した。そして補助ガス
導入管１０２ｂと帯状部材１０１との垂線距離ｄb を変
化させて帯状部材上のａ−ＳｉＧｅ膜のＧｅ濃度の分布
をＳｉ濃度で規格化して調べたところブロードな形は大
きな変化を示さないことがわかった。（ｄb ＝３cmのも
のを図に記す。） このように２種以上の混合ガスを同一のガス導入管より
成膜室内に導入しても、また、主原料ガス導入管と帯状
部材との垂線距離と補助ガス導入管のそれとが、各々１
０cmとなるように配設し、各々主原料ガスおよび補助ガ
スを導入して同様に分布を調べても分布の変化は外部パ
ラメーターに対して敏感とは言えず、組成制御せるには
別のガス導入管を設け、独立に導入するとともに主原料
ガス導入管を帯状部材との垂線距離が補助ガス導入管の
それより大となるように配設することにより、はじめて
制御性を向上することが可能となる。
【００３１】以上の実験により判明した事実をもとに本
発明の堆積膜の連続形成方法についてより詳細に述べ
る。
【００３２】本発明の方法において、成膜空間１１６内
にてマイクロ波プラズマを均一に生起させるには、帯状
部材１０１にて形成される側壁と平行な方向に、成膜空
間の両端面のうち片側または両側よりマイクロ波エネル
ギーを放射させ、成膜空間内にマイクロ波エネルギーを
閉じ込めるようにする。
【００３３】帯状部材の幅が比較的狭い場合には、片側
からマイクロ波エネルギーを放射させるだけでも成膜空
間１１６内に生起するマイクロ波プラズマの均一性は保
たれるが、帯状部材１０１の幅が、例えばマイクロ波の
波長の１波長を超えるような場合には、両側からマイク
ロ波エネルギーを放射させるのが、マイクロ波プラズマ
の均一性を保つ上で好ましい。
【００３４】勿論、成膜空間内で生起するマイクロ波プ
ラズマの均一性は、成膜空間内にマイクロ波エネルギー
が十分に伝送される必要があり、成膜空間はいわゆる導
波管に類する構造とされるのが好ましい。そのためには
まず、帯状部材は導電性の材料で構成されることが好ま
しい。また、少なくともその片面が導電処理を施された
ものであっても良い。
【００３５】更に、本発明の方法において、成膜空間内
でのマイクロ波エネルギーの伝送を効率良く行うととも
に、マイクロ波プラズマを安定して生起、維持、制御す
るためには、図２に示すマイクロ波アプリケーター手段
２００中でのマイクロ波の伝送モードは単一モードであ
ることが望ましい。具体的には、ＴＥ10モード、ＴＥ 11
モード、ｅＨ1 モード、ＴＭ11モード、ＴＭ01モード等
を挙げることができるが、好ましくはＴＥ10モード、Ｔ
Ｅ11モード、ｅＨ1 モードが用いられる。これらの伝送
モードは単一でも、複数組み合わせて用いられても良
い。
【００３６】また、マイクロ波アプリケーター手段２０
０への上述の伝送モードが伝送可能な導波管２０８を介
してマイクロ波エネルギーが伝送される。更に、マイク
ロ波エネルギーは、マイクロ波アプリケーター手段の先
端部分に設けられた気密性を有するマイクロ波透過性部
材２０２を介して成膜空間１１６内へ放射される。本発
明の方法において、複数個のマイクロ波アプリケーター
手段を互いに対向させて配設させる場合には、一方のマ
イクロ波アプリケーター手段より放射されたマイクロ波
エネルギーを、他方のマイクロ波アプリケーター手段が
受信し、受信されたマイクロ波エネルギーが他方のマイ
クロ波アプリケーター手段に接続されているマイクロ波
電源にまで達して、マイクロ波電源に損傷を与えたり、
マイクロ波の発振に異常を生ぜしめる等の悪影響を及ぼ
すことのないように特別配慮される必要がある。具体的
には、マイクロ波アプリケーター手段中を進行するマイ
クロ波の電界方向同志が互いに平行とならないようにマ
イクロ波アプリケーターを配設するようにする。
【００３７】本発明の方法において、成膜空間の両端間
のうち片側のみからマイクロ波エネルギーを放射させる
場合には、他方の端面からのマイクロ波エネルギーの漏
洩がないようにすることが必要であり、端面を導電性部
材で密封したり、穴径が用いるマイクロ波の波長の好ま
しくは１／２波長以下、より好ましくは１／４波長以下
の金網、パンチングボードなどで覆うことが望ましい。
【００３８】本発明の方法において、マイクロ波アプリ
ケーター手段は放射するマイクロ波エネルギーの進行方
向が、帯状部材で形成される成膜空間の側壁に対してほ
ぼ平行となるように、成膜空間の端面に対して垂直に配
設するのが望ましい。また、マイクロ波アプリケーター
手段は側壁からほぼ等距離の位置に配設されるのが望ま
しい。勿論、複数のマイクロ波アプリケーター手段が対
向して配設される場合においてもそれらの中心軸は同一
線上にあっても、なくても良い。
【００３９】本発明における他のマイクロ波エネルギー
導入手段としては、マイクロ波の進行方向に対して垂直
な一方向に指向性をもたせたマイクロ波アプリケーター
手段であっても、また、同軸導波路を用いた、マイクロ
波の進行方向に垂直な全方向に放射させるものであって
も良い。
【００４０】本発明において、主原料ガス導入手段は主
原料ガスを成膜空間内に均一に分布するよう配設される
のが好ましく、帯状部材との垂線距離が補助ガス導入手
段のそれよりも大きいことが望ましい。具体的には帯状
部材をなす成膜空間の側面と対向する側面に配設するの
が好ましい。また、補助ガス導入手段としては成膜空間
内に補助ガス導入管を配設し帯状部材の幅方向に平行な
方向に噴出し穴を複数個設けることが、幅方向の分布に
均一性をもたせる上で好ましい。
【００４１】本発明において複数の補助ガス導入手段の
成膜空間内における配置および補助ガス／主原料ガスの
比率を適宜選択することで帯状部材上の長手方向に組成
制御された堆積膜を形成することが可能である。
【００４２】更に、成膜空間内での主原料ガスおよび補
助ガスの流路を調整、制御するために、成膜空間内に整
流板を設けても良い。
【００４３】本発明の方法によって形成される組成制御
された機能性堆積膜としては、ＳｉＧｅ，ＳｉＣ，Ｇｅ
Ｃ，ＳｉＳｎ，ＧｅＳｎ，ＳｎＣ等の所謂４族合金半導
体薄膜、ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＧａＳｂ，ＩｎＰ，ＩｎＡ
ｓ等の所謂３−５族化合物半導体薄膜、ＺｎＳｅ，Ｚｎ
Ｓ，ＺｎＴｅ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ等の所謂２
−６族化合物半導体薄膜、ＣｕＡｌＳ2 ，ＣｕＡｌＳｅ
2 ，ＣｕＡｌＴｅ2 ，ＣｕＩｎＳ2 ，ＣｕＩｎＳｅ2 ，
ＣｕＩｎＴｅ2 ，ＣｕＧＡｓ2 ，ＣｕＧａＳｅ 2 ，Ｃｕ
ＧａＴｅ，ＡｇＩｎＳｅ2 ，ＡｇＩｎＴｅ2 等の所謂１
−３−６族化合物半導体薄膜、ＺｎＳｉＰ2 ，ＺｎＧｅ
Ａｓ2 ，ＣｄＳｉａＳ2 ，ＣｄＳｎＰ2等の所謂２−４
−５族化合物半導体薄膜、Ｃｕ2 Ｏ，ＴｉＯ2 ，Ｉｎ2
Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＺｎＯ，ＣｄＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＣｄＳ
ｎＯ4 等の所謂酸化物半導体薄膜、およびこれらの半導
体を価電子制御するために価電子制御元素を含有させた
ものを挙げることができる。また、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ等の
所謂４族半導体薄膜に価電子制御元素を含有させたもの
を挙げることができる。勿論、ａ−Ｓｉ：Ｈ，ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ：Ｆ等の非晶質半導体において、水素および／ま
たはフッ素含有量を変化させたものであっても良い。
【００４４】上述した半導体薄膜において組成制御を行
うことにより禁制帯幅制御、価電子制御、屈折率制御、
結晶制御等が行われる。帯状部材上に縦方向または横方
向に組成制御された機能性堆積膜を形成させることによ
り、電気的、光学的、機械的に優れた特性を有する大面
積薄膜半導体デバイスを作製することができる。
【００４５】すなわち、堆積形成された半導体層の縦方
向に禁制帯幅および／または価電子密度を変化させるこ
とによりキャリアの走行性を高めたり、半導体界面での
キャリアの再結合を防止することで電気的特性が向上す
る。また、屈折率を連続的に変化させることにより光学
的無反射面とすることで半導体層中への光透過率を向上
させることができる。更には、水素含有量等を変化させ
ることにより構造的変化をつけることで応力緩和がなさ
れ、基板との密着性の高い堆積膜を形成することができ
る。また、横方向に結晶性の異なる半導体を形成させる
ことにより、例えば、非晶質半導体で形成される光電変
換素子と結晶質半導体で形成されるスイッチング素子と
を同時に基板上に連続形成することができる。
【００４６】本発明において、前述の機能性堆積膜を形
成するために用いられる堆積膜形成用主原料ガスは、各
々複数の主原料ガス導入手段および複数の補助ガス導入
手段より所望の機能性堆積膜の組成に応じて、適宜その
混合比を調整して成膜空間内に導入する。また、時間的
に連続的に組成変化を行わせても良い。
【００４７】本発明において主および補助ガスとして４
族半導体または４族合金半導体薄膜を形成するために、
好適に用いられる周期律表第４族元素を含む化合物とし
ては、Ｓｉ原子，Ｇｅ原子，Ｃ原子，Ｓｎ原子，Ｐｂ原
子を含む化合物であって、具体的にはＳｉＨ4 ，Ｓｉ2
Ｈ6 ，Ｓｉ3 Ｈ8 ，Ｓｉ3 Ｈ6 ，Ｓｉ4 Ｈ8 ，Ｓｉ5Ｈ
10等のシラン系化合物、ＳｉＦ4 ，（ＳｉＦ2 ）5 ，
（ＳｉＦ2 ）6 ，（ＳｉＦ2 ）4 ，Ｓｉ2 Ｆ6 ，Ｓｉ3
Ｆ8 ，ＳｉＨＦ3 ，ＳｉＨ2 Ｆ2 ，Ｓｉ2 Ｈ2 Ｆ 4 ，Ｓ
ｉ2 Ｈ3 Ｆ3 ，ＳｉＣｌ4 ，（ＳｉＣｌ2 ）5 ，ＳｉＢ
ｒ4 ，（ＳｉＢｒ 2 ）5 ，Ｓｉ2 Ｃｌ6 ，Ｓｉ2 Ｂｒ
6 ，ＳｉＨＣｌ3 ，ＳｉＨＢｒ3 ，ＳｉＨＩ 3 ，Ｓｉ2
Ｃｌ3 Ｆ3 等のハロゲン化シラン化合物、ＧｅＨ4 ，Ｇ
ｅ2 Ｈ6 等のゲルマン化合物、ＧｅＦ4 ，（ＧｅＦ2 ）
5 ，（ＧｅＦ2 ）6 ，（ＧｅＦ2 ）4，Ｇｅ2 Ｆ6 ，Ｇ
ｅ3 Ｆ8 ，ＧｅＨＦ3 ，ＧｅＨ2 Ｆ2 ，Ｇｅ2 Ｈ2 Ｆ
4 ，Ｇｅ 2 Ｈ3 Ｆ3 ，ＧｅＣｌ4 ，（ＧｅＣｌ2 ）5 ，
ＧｅＢｒ4 ，（ＧｅＢｒ2 ）5 ，Ｇｅ2 Ｃｌ6 ，Ｇｅ2
Ｂｒ6 ，ＧｅＨＣｌ3 ，ＧｅＨＢｒ3 ，ＧｅＨＩ3 ，Ｇ
ｅ 2 Ｃｌ3 Ｆ3 等のハロゲン化ゲルマニウム化合物、Ｃ
Ｈ4 ，Ｃ2 Ｈ6 ，Ｃ3 Ｈ8等のメタン列炭化水素ガス、
Ｃ2 Ｈ4 ，Ｃ3 Ｈ6 等のエチレン列炭化水素ガス、Ｃ6
Ｈ6 等の環式炭化水素ガス、ＣＦ4 ，（ＣＦ2 ）5 ，
（ＣＦ2 ）6 ，（ＣＦ 2 ）4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，Ｃ
ＨＦ3 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，ＣＣｌ4 ，（ＣＣｌ2 ） 5 ，ＣＢ
ｒ4 ，（ＣＢｒ2 ）5 ，Ｃ2 Ｃｌ6 ，Ｃ2 Ｂｒ6 ，ＣＨ
Ｃｌ3 ，ＣＨｌ 3 ，Ｃ2 Ｃｌ3 Ｆ3 等のハロゲン化炭素
化合物、ＳｎＨ4 ，Ｓｎ（ＣＨ3 ）4 等のスズ化合物、
Ｐｂ（ＣＨ3 ）4 ，Ｐｂ（Ｃ2 Ｈ5 ）6 等の鉛化合物等
を挙げることができる。これらの化合物は１種で用いて
も２種以上混合して用いても良い。
【００４８】本発明において、これらの化合物を補助ガ
ス導入手段より適宜導入して用いることにより所望の組
成制御が行われる。本発明において形成される４族半導
体または、４族合金半導体を価電子制御するために用い
られる価電子制御剤としては、ｐ型の不純物として、周
期律表第３族の元素、例えば、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，
Ｔｌ等が好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物として
は、周期律表第５族の元素、例えば、Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓ
ｂ，Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、殊に、
Ｂ，Ｇａ，Ｐ，Ｓｂ等が最適である。ドーピングされる
不純物の量は、所望される電気的、光学的特性に応じて
適宜決定される。
【００４９】このような不純物導入用の原料物質として
は、常温常圧でガス状態のもの、または少なくとも膜形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用される。その
ような不純物導入用の出発物質としては、ＰＨ3 ，Ｐ2
Ｈ4 ，ＰＦ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ3 ，ＡｓＨ3 ，ＡｓＦ
3 ，ＡｓＦ5 ，ＡｓＣｌ3 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ5 ，Ｂｉ
Ｈ3 ，ＢＦ3 ，ＢＣｌ3 ，ＢＢｒ3 ，Ｂ2 Ｈ6 ，Ｂ4 Ｈ
10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ6 Ｈ10，Ｂ6 Ｈ12，ＡｌＣ
ｌ3 等を挙げることができる。上記の不純物元素を含む
化合物は、１種用いても２種以上併用しても良い。
【００５０】本発明において２，６族化合物半導体を形
成するために用いられる、周期律表第２族元素を含む化
合物としては、具体的にはＺｎ（ＣＨ3 ）2 ，Ｚｎ（Ｃ
2 Ｈ 5 ）2 ，Ｚｎ（ＯＣＨ3 ）2 ，Ｚｎ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
2 ，Ｃｄ（ＣＨ3 ）2 ，Ｃｄ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｃｄ（Ｃ
3 Ｈ7 ）2 ，Ｃｄ（Ｃ4 Ｈ9 ）2 ，Ｈｇ（ＣＨ3 ）2，
Ｈｇ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｈｇ（Ｃ6 Ｈ5 ）2 ，Ｈｇ［Ｃ＝
（Ｃ6 Ｈ5 ）］2 等が挙げられる。また周期律表第６族
元素を含む化合物としては、具体的にはＮＯ，Ｎ2 Ｏ，
ＣＯ2，ＳｅＣｌ2 ，ＳｅＢｒ2 ，Ｓｅ（ＣＨ3 ）2 ，
Ｓｅ（Ｃ2 Ｈ5）2 ，ＴｅＨ2 ，Ｔｅ（ＣＨ3 ）2 ，Ｔ
ｅ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 等が挙げられる。
【００５１】勿論、これ等の原料物質は１種のみならず
２種以上混合して使用することもできる。
【００５２】本発明において形成される２−６族化合物
半導体を価電子制御するために用いられる価電子制御剤
としては、周期律表第１，３，４，５族の元素を含む化
合物等を有効なものとして挙げることができる。
【００５３】具体的には１族元素を含む化合物として
は、ＬｉＣ3 Ｈ7 、Ｌｉ（ｓｅｃ−Ｃ 4 Ｈ9 ），Ｌｉ2
Ｓ，Ｌｉ3 Ｎ等が好適なものとして挙げることができ
る。
【００５４】また、３族元素を含む化合物としては、Ｂ
Ｘ3 ，Ｂ2 Ｈ6 ，Ｂ4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ 9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ6
Ｈ10，Ｂ（ＣＨ3 ）3 ，Ｂ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，Ｂ6 Ｈ12，
ＡｌＸ3 ，Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ，Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ，
Ａｌ（ＯＣＨ3 ）3 ，Ａｌ（ＣＨ3 ） Ｃｌ2 ，Ａｌ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，Ａｌ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ，Ａｌ（Ｃ
Ｈ3）3 Ｃｌ3 ，Ａｌ（ｉ−Ｃ4 Ｈ9 ）3 ，Ａｌ（ｉ−
Ｃ3 Ｈ7 ）3 ，Ａｌ（Ｃ3 Ｈ 7 ）3 ，Ａｌ（ＯＣ4 Ｈ
9 ）3 ，ＧａＸ3 ，Ｇａ（ＯＣＨ3 ）3 ，Ｇａ（ＯＣ2
Ｈ5 ）3 ，Ｇａ（ＯＣ3 Ｈ7 ）3 ，Ｇａ（ＯＣ4 Ｈ9 ）
3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ，Ｇａ2 Ｈ6 ，ＧａＨ（Ｃ2 Ｈ
5 ）2 ，Ｇａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｉｎ（Ｃ
Ｈ3 ）3 ，Ｉｎ（Ｃ4 Ｈ7 ）3 ，Ｉｎ（Ｃ4 Ｈ9 ）3 、
５族元素を含む化合物としては、ＮＨ3 ，ＨＮ3 ，Ｎ2
Ｈ5 Ｎ3 ，Ｎ2 Ｈ4 ，ＮＨ4 Ｎ3 ，ＰＸ3 ，Ｐ（ＯＣＨ
3 ）3 ，Ｐ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ，Ｐ（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ，Ｐ
（ＯＣ4 Ｈ9 ） 3 ，Ｐ（ＣＨ3 ）3 ，Ｐ（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 ，Ｐ（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ，Ｐ（Ｃ4 Ｈ9 ）3，Ｐ（ＯＣＨ3
）3 ，Ｐ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ，Ｐ（ＯＣ3 Ｈ7 ）3 ，Ｐ
（ＯＣ4 Ｈ 9 ）3 ，Ｐ（ＳＣＮ）3 ，Ｐ2 Ｈ4 ，ＰＨ
3 ，ＡｓＨ3 ，ＡｓＸ3 ，Ａｓ（ＯＣＨ3 ）3 ，Ａｓ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ，Ａｓ（ＯＣ3 Ｈ7 ）3 ，Ａｓ（ＯＣ
4 Ｈ9 ） 3 ，Ａｓ（ＣＨ3 ）3 ，Ａｓ（ＣＨ3 ）3 ，Ａ
ｓ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，Ａｓ（Ｃ6 Ｈ 5 ）3 ，ＳｂＸ3 ，Ｓ
ｂ（ＯＣＨ3 ）3 ，Ｓｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ，Ｓｂ（ＯＣ
3Ｈ7 ）3 ，Ｓｂ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 ，Ｓｂ（ＣＨ3 ）
3 ，Ｓｂ（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ，Ｓｂ（Ｃ4 Ｈ9 ）3 などが挙
げられる。
【００５５】上記において、Ｘはハロゲン（Ｆ，Ｃｌ，
Ｂｒ，Ｉ）を示す。
【００５６】勿論、これ等の原料物質は１種であっても
よいが、２種またはそれ以上を併用してもよい。
【００５７】更に、４族元素を含む化合物としては前述
した化合物を用いることができる。本発明において３−
５族化合物半導体を形成するために用いられる周期律表
第３族元素を含む化合物としては、具体的にはＢＸ3
（但し、Ｘはハロゲン原子を示す。）、Ｂ2 Ｈ6 ，Ｂ4
Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ6 Ｈ10，Ｂ6 Ｈ12，Ａｌ
Ｘ3 （但し、Ｘはハロゲン原子を示す。）、Ａｌ（ＣＨ
3 ）2 Ｃｌ，Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ，Ａｌ（ＯＣＨ3 ）3 ，
Ａｌ（ＣＨ3 ）Ｃｌ2 ，Ａｌ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，Ａｌ（Ｏ
Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，Ａｌ（ＣＨ3 ）3 Ｃｌ3 ，Ａｌ（ｉ−Ｃ
4 Ｈ9 ）3 ，Ａｌ（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 ，Ａｌ（Ｃ3 Ｈ
7 ）3 ，Ａｌ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 ，ＧａＸ3（但し、Ｘは
ハロゲン原子を示す。）、Ｇａ（ＯＣＨ3 ）3 ，Ｇａ
（ＯＣ2 Ｈ5）3 ，Ｇａ（ＯＣ3 Ｈ7 ）3 ，Ｇａ（ＯＣ4
Ｈ9 ）3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ，Ｇａ 2 Ｈ6 ，ＧａＨ
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｇａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，
Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 ，Ｉｎ（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ，Ｉｎ（Ｃ4 Ｈ
9 ）3 等が挙げられる。また周期律表第５族元素を含む
化合物としては、具体的にはＮＨ3 ，ＨＮ3 ，Ｎ2 Ｈ5
Ｎ 3 、Ｎ2 Ｈ4 ，ＮＨ4 Ｎ3 ，ＰＸ3 （但し、Ｘはハロ
ゲン原子を示す。）、Ｐ（ＯＣＨ3 ）3 ，Ｐ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 ，Ｐ（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ，Ｐ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 ，Ｐ
（ＣＨ3 ）3 ，Ｐ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，Ｐ（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ，
Ｐ（Ｃ4 Ｈ9 ）3 ，Ｐ（ＯＣＨ3 ）3 ，Ｐ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）3 ，Ｐ（ＯＣ3 Ｈ7 ）3 ，Ｐ（ＯＣ4 Ｈ9 ） 3 ，Ｐ
（ＳＣＮ）3 ，Ｐ2 Ｈ4 ，ＰＨ3 ，ＡｓＸ3 （但し、Ｘ
はハロゲン原子を示す。）、ＡｓＨ3 ，Ａｓ（ＯＣＨ
3 ）3 ，Ａｓ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ，Ａｓ（ＯＣ 3 Ｈ7 ）
3 ，Ａｓ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 ，Ａｓ（ＣＨ3 ）3 ，Ａｓ
（ＣＨ3 ）3 ，Ａｓ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，Ａｓ（Ｃ6 Ｈ5 ）
3 ，ＳｂＸ3 （但し、Ｘはハロゲン原子を示す。）、Ｓ
ｂ（ＯＣＨ3 ）3 ，Ｓｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ，Ｓｂ（ＯＣ
3 Ｈ7 ）3，Ｓｂ（ＯＣ4 Ｈ9 ）3 ，Ｓｂ（ＣＨ3 ）
3 ，Ｓｂ（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ，Ｓｂ（Ｃ4Ｈ9 ）3 などが挙
げられる。［但し、Ｘはハロゲン原子、具体的にはＦ，
Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの中から選ばれる少なくとも一つを表わ
す。］ 勿論、これ等の原料物質は１種あるいは２種以上混合し
て用いることができる。
【００５８】本発明において形成される３−５族化合物
半導体を価電子制御するために用いられる価電子制御剤
としては、周期律表第２，４，６族の元素を含む化合物
等を有効なものとして挙げることができる。具体的に
は、２族元素を化合物としては、Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 ，Ｚ
ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｚｎ（ＯＣＨ3 ）2 ，Ｚｎ（ＯＣ2
Ｈ5 ）2 ，Ｃｄ（ＣＨ3 ）2 ，Ｃｄ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｃ
ｄ（Ｃ3 Ｈ7 ）2 ，Ｃｄ（Ｃ4 Ｈ9 ）2 ，Ｈｇ（ＣＨ
3 ）2 ，Ｈｇ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ，Ｈｇ（Ｃ6 Ｈ5 ）2，Ｈ
ｇ［Ｃ≡Ｃ（Ｃ6 Ｈ5 ）］2 等を挙げることができ、６
族元素を含む化合物としては、ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，ＣＯ2 ，
ＣＯ，Ｈ2 Ｓ，ＳＣｌ2 ，Ｓ2 Ｃｌ2 ，ＳＯＣｌ2 ，Ｓ
ｅＨ2 ，ＳｅＣｌ2 ，Ｓｅ2 Ｂｒ2 ，Ｓｅ（ＣＨ3 ）
2 ，Ｓｅ（Ｃ2Ｈ5 ）2 ，ＴｅＨ2 ，Ｔｅ（ＣＨ3 ）
2 ，Ｔｅ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 等を挙げることができる。
【００５９】勿論、これ等の原料物質は１種であっても
よいが、２種またはそれ以上を併用してもよい。
【００６０】更に、４族元素を含む化合物としては前述
した化合物を用いることができる。本発明において前述
した原料物質はＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ等
の希ガス、およびＨ2 ，ＨＦ，ＨＣｌ等の希釈ガスと混
合して導入されても良いし、主および補助ガス導入手段
とは別の導入手段から導入しても良い。
【００６１】以下、本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置の構成および特徴点について更に詳細に順を追って
記載する。
【００６２】本発明の装置によれば、マイクロ波プラズ
マ領域が移動しつつある帯状部材で一部構成された成膜
室に閉じ込められていることにより、マイクロ波プラズ
マ領域内で生成した堆積膜形成に寄与する前駆体を高い
収率で基板上に捕獲し、更には堆積膜を連続して帯状部
材上に形成できるため、堆積膜形成用原料ガスの利用効
率を飛躍的に高めることができる。また、主および補助
ガス導入手段の配置ならびに主および補助ガスの流量な
らびに導入比率により組成制御された堆積膜を形成でき
る。
【００６３】更に、本発明のマイクロ波アプリケーター
手段を用いて、成膜室内に均一なマイクロ波プラズマが
生起されるため、帯状部材の幅方向に形成される堆積膜
の均一性が優れているのは勿論のこと、帯状部材をマイ
クロ波アプリケーター手段の長手方向に対してほぼ垂直
方向に連続的に搬送することにより、帯状基体の長手方
向に形成される堆積膜の均一性にも優れたものとなる。
【００６４】また、本発明の装置によれば、連続して安
定に均一性良く放電が維持できるため、長尺の帯状部材
上に連続して、安定した特性の機能性堆積膜を堆積形成
でき、界面特性の優れた積層デバイスを作製することが
できる。
【００６５】本発明の方法および装置において好適に用
いられる帯状部材の材質としては、マイクロ波プラズマ
ＣＶＤによる機能性堆積膜形成時に必要とされる温度に
おいて変形、歪みが少なく、所望の強度を有し、また、
導電性を有するものであることが好ましく、具体的には
ステンレススチール、アルミニウムおよびその合金、鉄
およびその合金、銅およびその合金等の金属の薄板およ
びその複合体、およびそれらの表面に異種材質の金属薄
膜および／またはＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ａｌ 2 Ｏ3 ，
ＡｌＮ等の絶縁性薄膜をスパッタ法、蒸着法、鍍金法等
により表面コーティング処理を行なったもの、また、ポ
リイミド、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、
エポキシ等の耐熱性樹脂シートまたはこれらとガラスフ
ァイバー、カーボンファイバー、ホウ素ファイバー、金
属繊維等との複合体の表面に金属単体または合金、およ
び透明導電性酸化物（ＴＣＯ）等を鍍金、蒸着、スパッ
タ、塗布等の方法で導電性処理を行ったものが挙げられ
る。
【００６６】また、帯状部材の厚さとしては、搬送手段
による搬送時に形成される湾曲形状が維持される強度を
発揮する範囲内であれば、コスト、収納スペース等を考
慮して可能な限り薄い方が望ましい。具体的には、好ま
しくは０．０１〜５mm、より好ましくは０．０２〜２m
m、最適には０．０５〜１mmであることが望ましいが、
比較的金属等の薄板を用いた方が厚さを薄くしても所望
の強度が得られやすい。また、前記帯状部材の幅寸法に
ついては、前記マイクロ波アプリケーター手段を用いた
場合において、その幅方向に対するマイクロ波プラズマ
の均一性が保たれることが好ましく、具体的には好まし
くは５〜１００cm、より好ましくは１０〜８０cmである
ことが望ましい。
【００６７】更に、前記帯状部材の長さについては、特
に制限されることはなく、ロール状に巻き取られる程度
の長さであっても良く、長尺のものを溶接等によって更
に長尺化したものであっても良い。
【００６８】帯状部材を太陽電池用の基板として用いる
場合には、帯状部材が金属等の電気導電性である場合に
は直接電流取り出しようの電極としても良いし、合成樹
脂等の電気絶縁性である場合には堆積膜の形成される側
の表面にＡｌ，Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｆｅ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｕ，ステンレス，真ちゅう、ニ
クロム，ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，ＳｎＯ2 −Ｉ
ｎ2 Ｏ3 （ＩＴＯ）等のいわゆる金属単体または合金、
および透明導電性酸化物（ＴＣＯ）等を鍍金、蒸着、ス
パッタ等の方法であらかじめ表面処理を行って電流取り
出し用の電極を形成しておくことが望ましい。
【００６９】勿論、帯状部材が金属等の電気導電性のも
のであっても、長波長光の基板表面上での反射率を向上
させたり、基板材質と堆積膜との間での構成元素の相互
拡散を防止したり短絡防止用の干渉層とする等の目的で
異種の金属層等を基板上の堆積膜が形成される側に設け
ても良い。また、帯状部材が比較的透明であって、帯状
部材の側から光入射を行う層構成の太陽電池とする場合
には透明導電性酸化物や金属薄膜等の導電性薄膜をあら
かじめ堆積形成しておくことが望ましい。
【００７０】また、帯状部材の表面性としてはいわゆる
平滑面であっても、微小の凹凸面であっても良い。微小
の凹凸面とする場合にはその凹凸形状は球状、円錐状、
角錐状等であって、且つその最大高さ（Ｒｍａｘ）は好
ましくは５００〜５０００Åとすることにより、表面で
の光反射が乱反射となり、反射光の光路長の増大をもた
らす。
【００７１】本発明の装置におけるマイクロ波アプリケ
ーター手段は、マイクロ波電源より供給されるマイクロ
波エネルギーを成膜室内に放射して、主および補助ガス
導入手段から導入される堆積膜形成用主および補助原料
ガスをプラズマ化し維持させることができる構造を有す
るものである。
【００７２】具体的には、マイクロ波伝送用導波管の先
端部分にマイクロ波透過性部材を、気密保持が可能な状
態に取り付けたものが好ましく用いられる。そしてマイ
クロ波アプリケーター手段はマイクロ波伝送用導波管と
同一規格のものであっても良いし、他の規格のものであ
っても良い。また、マイクロ波アプリケーター手段中で
のマイクロ波の伝送モードは、成膜室内でのマイクロ波
エネルギーの伝送を効率良く行い、且つ、マイクロ波プ
ラズマを安定して生起・維持・制御する上で、単一モー
ドとなるようにマイクロ波アプリケーターの寸法・形状
等が設計することが望ましい。但し、複数モードで伝送
されるようなものであっても、使用する原料ガス、圧
力、マイクロ波電力等のマイクロ波プラズマ生起条件を
適宜選択することによって使用することもできる。単一
モードとなるように設計する場合の伝送モードとして
は、例えばＴＥ10モード、ＴＥ11モード、ｅＨ1 モー
ド、ＴＭ 11モード、ＴＭ01モード等を挙げることができ
るが、好ましくはＴＥ10モード、ＴＥ11モード、ｅＨ1
モードが選択される。そして、マイクロ波アプリケータ
ー手段には、上述の伝送モードが伝送可能な導波管に接
続され、好ましくは導波管中の伝送モードとマイクロ波
アプリケーター手段中の伝送モードとは一致させるのが
望ましい。導波管の種類としては、使用されるマイクロ
波の周波数帯（バンド）およびモードによって適宜選択
され、少なくともそのカットオフ周波数は使用される周
波数よりも小さいものであることが好ましく、具体的に
はＪＩＳ，ＥＩＡＪ，ＩＥＣ，ＪＡＮ等の規格の方形導
波管、円形導波管、または楕円導波管等の他、２．４５
ＧＨｚのマイクロ波用の自社規格として、方形の断面の
内径で幅９６mm×高さ２７mmのもの等を挙げることがで
きる。
【００７３】本発明の装置において、マイクロ波電源よ
り供給されるマイクロ波エネルギーは、マイクロ波アプ
リケーター手段を介して効率良く成膜室内へ放射される
ため、いわゆるマイクロ波アプリケーターに起因する反
射波に関する問題は回避しやすく、マイクロ波回路にお
いてはスリースタブチューナーまたはＥ−Ｈチューナー
等のマイクロ波整合回路を用いなくとも比較的安定した
放電を維持することが可能であるが、放電開始前や放電
開始後でも異常放電等により強い反射波を生ずるような
場合にはマイクロ波電源の保護のためマイクロ波整合回
路を設けることが望ましい。
【００７４】本発明の装置において配設される主および
補助ガス導入手段の数は、少なくとも形成しようとする
機能性堆積膜の成分元素数に等しいか、またはそれ以上
であることが望ましい。そして、夫々のガス導入手段は
パイプ状のガス導入管で構成され、その側面には１列ま
たは複数列のガス放出口が開けられている。ガス導入管
を構成する材質としてはマイクロ波プラズマ中で損傷を
受けることがないものが好適に用いられる。具体的には
ステンレススチール、チタン、ニオブ、タンタル、タン
グステン、パナジウム、モリブデン等耐熱性金属および
これらをアルミナ、窒化ケイ素、石英等のセラミックス
上に溶射処理等をしたもの、そしてアルミナ、窒化ケイ
素、石英等のセラミックス単体、および複合体で構成さ
れるもの等を挙げることができる。
【００７５】本発明の装置において、主および補助ガス
導入手段は成膜室の排気口を有する側壁とほぼ垂直にま
た帯状部材の幅方向とほぼ平行に配設され、ガス放出口
は帯状部材に向けられている。
【００７６】本発明の装置において用いられる主および
補助ガス導入手段の配置を、以下図１を用いて具体的に
説明するが、特にこれらに限定されるわけではない。
【００７７】図１は本発明の装置における主および補助
ガス導入手段の配置を示すための模式斜視図を示した。
なお、本図面においては主要構成部材のみを示してあ
る。
【００７８】図１に示す例は、柱状の成膜室１０７内に
主および補助ガス導入手段としての各３本の主および補
助ガス導入管１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃおよび１０
２ａ，１０２ｂ，１０２ｃを配設した場合の典型例であ
り、パイプ状の補助ガス導入管１０２ａ，１０２ｂ，１
０２ｃは夫々成膜室１０７の中に配設され、先に説明し
たように棒状で帯状部材１０１と平行に、また、排気口
を有する側壁とほぼ垂直に配設されている。また、各ガ
ス放出口は帯状部材に向けられている。排気口を有する
側壁はパンチングボードで形成され、アプリケータ１０
４ａ，１０４ｂ，１０４ｃから放出されるマイクロ波を
成膜室１０７に閉じ込め、かつ排気コンダクタンスを減
少させないよう円形の開孔が全面に渡って設けられてい
る。補助ガス導入管１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃがパ
ンチングボードを貫通するための貫通穴を設けてある。
補助ガス導入管１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの成膜室
１０７の中で自由にその配置を変更できるよう組み込ま
れている。主原料ガス導入管１０３ａ，１０３ｂ，１０
３ｃは先に説明したように帯状部材１０１との垂直距離
において、補助ガス導入管１０２ａ，１０２ｂ，１０２
ｃより遠隔距離に配設されている。なお、主および補助
ガス導入管の数は各々２本であっても、３本であっても
良い。
【００７９】本発明の装置において、成膜室内で生起す
るマイクロ波プラズマのプラズマ電位を制御するため
に、ガス導入管にバイアス電圧を印加しても良い。そし
て、複数のガス導入管に印加されるバイアス電圧は夫々
等しくても、また互いに異なっていても良い。バイアス
電圧としては直流、脈流および交流電圧を単独または夫
々を重畳させて印加させることが望ましい。
【００８０】バイアス電圧を効果的に印加させるには、
ガス導入管および帯状部材のいずれもその表面が導電性
であることが望ましい。
【００８１】バイアス電圧を印加し、プラズマ電位を制
御することによって、プラズマの安定性、再現性および
膜特性の向上、欠陥の発生の抑制が図られる。
【００８２】本発明の装置において各ガス導入管より成
膜室に導入される主および補助ガスはその一部または全
部が分解して堆積膜形成用の前駆体を発生し、堆積膜形
成が行われるが、未分解の原料ガス、または分解によっ
て異種の組成のガスとなったものはすみやかに成膜室外
に排気される必要がある。ただし、排気孔面積を必要以
上に大きくすると、排気孔よりのマイクロ波エネルギー
の漏れが生じ、プラズマの不安定の原因となったり、他
の電子機器、人体等への悪影響を及ぼすこととなる。従
って、本発明の装置においては、排気パンチングボード
開孔径は、マイクロ波の漏洩防止上、使用されるマイク
ロ波の波長の好ましい１／２波長以下、より好ましくは
１／４波長以下であることが望ましい。
【００８３】
【実施例】以下、本発明についての具体的な実施例を示
すが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定される
ものではない。
【００８４】実施例１ 実験例１および４で示した連続式マイクロ波ＣＶＤ装置
を用い、Ｇｅ組成が膜厚方向で制御されたａ−ＳｉＧｅ
光起電力素子を作製した。光起電力素子の構成の模式図
を図５に示す。光起電力素子は、帯状基体１０１上にｎ
型半導体層５０１、ａ−ＳｉＧｅ層５０２、ｐ型半導体
層５０３、透明電極５０４および集電電極５０５をこの
順に堆積形成した光起電力素子５００である。なお、本
光起電力素子では透明電極５０４より光の入射が行われ
ることを前提としている。
【００８５】図６に本実施例を説明するための装置図を
示す。まず、基体送り出し機構を有する真空容器３０１
に、十分に脱脂、洗浄を行ったＳＵＳ４３０ＢＡ製帯状
基体（幅４５cm×長さ２００ｍ×厚さ０．２５mm）の巻
きつけられたボビン３０３をセットし、基体１０１をガ
スゲート４０１および真空容器６０１，６００および６
０２中の搬送機能を介して、更にガスゲート４０２，４
０３および４０４を介し、基体巻き取り機構を有する真
空容器３０２まで通し、たるみのない程度に張力調整を
行った。
【００８６】そこで、各真空容器３０１，３０２および
６００，６０１，６０２を不図示のロータリポンプで荒
引きし、次いで不図示のメカニカルブースターポンプを
起動させ１０-3Ｔｏｒｒ付近まで真空引きした後、更に
温度制御機構３１２，３１３，６０７，６０８，６０９
を用いて、帯状部材の表面温度を３００℃に保持しつ
つ、不図示の油拡散ポンプ（バリアン製ＨＳ−３２）に
て５×１０-6Ｔｏｒｒ以下まで減圧した。
【００８７】十分に脱ガスが行われた時点で、ガス導入
管６０３より、ｎ層形成用原料ガスＳｉＨ4 １００ｓｃ
ｃｍ（ＰＨ3 ／１０００ｐｐｍ）を導入し、排気を荒引
きに切換えて不図示のスロットルバルブの開度を調整し
て隔離容器５０１内の圧力を１Ｔｏｒｒに保持した。圧
力が安定したところで、不図示のＲＦ電源より実効パワ
ーで１Ｋｗ投入しプラズマ化し、ａ−Ｓｉのｎ層を基体
１０１上に連続形成する。
【００８８】続いて実験４で説明した条件、即ち表３に
示した条件にて主原料ガスおよび補助ガスをマイクロ波
アプリケータ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃから投入し
成膜室１０７の中にてマイクロ波プラズマを形成させ
る。
【００８９】さらに真空容器６０２ではｐ層形成用原料
ガスＳｉＨ4 １００ｓｃｃｍ（ＢＦ 3 ／１％）を６０６
より導入し不図示の荒引き用スロットルバルブの開度を
調整して１Ｔｏｒｒに圧力を保持した。ＲＦパワーは実
効で１．２Ｋｗ投入し、μｃ−Ｓｉのｐ層を形成する。
【００９０】なお、ガスゲート４０１，４０２，４０
３，４０４にはゲートガス導入管４０５，４０６，４０
７，７０８よりゲートガスとしてＨ2 ガスを５００ｓｃ
ｃｍ流し、排気孔４０９，４１０，４１１，４１２より
不図示の油拡散ポンプで排気し、ガスゲート内圧は１ｍ
Ｔｏｒｒとなるよう制御した。
【００９１】帯状部材１０１の全長に亘って半導体層を
積層形成した後、冷却後取り出し、更に、連続モジュー
ル化装置にて３５ｃｍ×７０ｃｍの太陽電池モジュール
を連続作製した。
【００９２】作製した太陽電池モジュールについて、Ａ
Ｍ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2 ）光照射下にて特性評価
を行ったところ、光電変換効率で７．０％以上が得ら
れ、更にモジュール間の特性のバラツキは５％以内に納
まっていた。
【００９３】また、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ2 ）
光の５００時間連続照射後の光電変換効率の初期値に対
する変化率を測定したところ５％以内に納まった。
【００９４】これらのモジュールを接続して５ｋＷの電
力供給システムを作製することができた。
【００９５】実施例２− 図７に示す装置を用いて連続的に基体１０１を図中矢印
の方向に搬送して組成制御された機能性堆積膜の堆積を
検討した。同図において７０２ａ〜７０２ｅは補助ガス
導入管７０３ａ〜７０３ｃは主原料ガス導入管である。
７０４および７０５は整流板であり、適宜取り外せるよ
うになっている。７２６は成膜室を各々示している。本
図は略図であり、本発明の特徴となる部品のみを説明す
るために示してあるが、基体加熱ヒーター類、マイクロ
波アプリケータおよび電源、外側の真空容器、ポンプ類
は全て省略してあるが先に説明した図６の６００真空容
器内に設置されたものである。
【００９６】本実施例では、主原料ガス導入管より主原
料ガスを導入し、また、補助ガス導入管７０２ａ〜７０
２ｅの５本のうち一本からのみ導入し、ガス種および流
量については表４に示したように、主原料ガス導入管７
０３ａ〜７０３ｃよりＳｉＨ 4 ２００ｓｃｃｍをそれぞ
れ、また、補助ガス導入管７０２ａよりＧｅＨ4 ８０ｓ
ｃｃｍを成膜室７２６に導入する。また、先に説明した
整流板７０４および７０５は成膜室７２６内に配設しな
いものとし、次に排気調整用コンダクタンスバルブ（不
図示）を調整することで成膜室７２６の圧力を８ｍｍｔ
ｏｒｒの一定に保持する。マイクロ波アプリケータ１０
４ａ〜１０４ｃのそれぞれにマイクロ波電源（不図示）
よりマイクロ波パワーを３００Ｗずつ導入し成膜室７２
６内にプラズマを生起させる。基体１０１の温度は温度
制御機構（不図示）により３００℃に保持する。
【００９７】また全ての各々の補助ガス管と帯状部材１
０１との距離は２ｃｍとした。バンドプロファイルは帯
状部材１０１を静止し、成膜室７０６の長手方向（搬送
方向）に１１ヶ所サンプリングし、バンドギャップを測
定した。
【００９８】この測定の結果、図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【００９９】実施例２− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｂよりＧｅＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７
２６に導入する。整流板７０４は図７に示すように配設
し、整流板７０５は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１００】実施例２− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｃよりＧｅＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７
２６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配
設しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波
パワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯
状部材１０１との距離は実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャップを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１０１】実施例２− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｄよりＧｅＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７
２６に導入する。整流板７０５は図７に示すように配設
し、整流板７０４は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は実施例２
−に示した通りとした。このようにして得られる帯状
部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１ヶ
所サンプリングし、バンドギャップを測定したところ図
８および表６に示すバンドプロファイルが得られるこ
とが確認できた。
【０１０２】実施例２− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｅよりＧｅＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７
２６に導入する。整流板７０４及び整流板７０５は配設
しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パ
ワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状
部材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１０３】実施例３− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＣＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガス
導入管７０２ａよりＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配設
しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パ
ワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状
部材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１０４】実施例３− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＣＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガス
導入管７０２ｂよりＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４は図７に示すように配設
し、整流板７０５は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１０５】実施例３− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＣＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガス
導入管７０２ｃよりＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４及び整流板７０５は配設し
ないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パワ
ー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状部
材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１０６】実施例３− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＣＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガス
導入管７０２ｄよりＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０５は図７に示すように配設
し、整流板７０４は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１０７】実施例３− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＣＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガス
導入管７０２ｅよりＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配設
しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パ
ワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状
部材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１０８】実施例４− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＣＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガス
導入管７０２ａよりＧｅＨ4 ６０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配設
しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パ
ワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状
部材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１０９】実施例４− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＣＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガス
導入管７０２ｂよりＧｅＨ4 ６０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４は図７に示すように配設
し、整流板７０５は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１１０】実施例４− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＣＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガス
導入管７０２ｃよりＧｅＨ4 ６０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配設
しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パ
ワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状
部材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１１１】実施例４− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＣＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガス
導入管７０２ｄよりＧｅＨ4 ６０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０５は図７に示すように配設
し、整流板７０４は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１１２】実施例４− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＣＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガス
導入管７０２ｅよりＧｅＨ4 ６０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４及び整流板７０５は配設し
ないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パワ
ー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状部
材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１１３】実施例５− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＧＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガス
導入管７０２ａよりＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配設
しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パ
ワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状
部材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１１４】実施例５− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＧｅＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｂよりＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍを成膜室７
２６に導入する。整流板７０４は図７に示すように配設
し、整流板７０５は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１１５】実施例５− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＧｅＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｃよりＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍを成膜室７
２６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配
設しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波
パワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯
状部材１０１との距離は、実施例２−に示した通りと
した。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積
膜を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、
バンドギャツプを測定したところ図８および表６に示
すバンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１１６】実施例５− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＧｅＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｄよりＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍを成膜室７
２６に導入する。整流板７０５は図７に示すように配設
し、整流板７０４は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１１７】実施例５− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＧｅＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｅよりＳｉＨ4 ７０ｓｃｃｍを成膜室７
２６に導入する。整流板７０４は図７に示すように配設
し、整流板７０５は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１１８】実施例６− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ａよりＣＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配設
しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パ
ワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状
部材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１１９】実施例６− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｂよりＣＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４は図７に示すように配設
し、整流板７０５は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１２０】実施例６− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｃよりＣＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４および７０５は配設しない
ものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パワー、
基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状部材１
０１との距離は、実施例２−に示した通りとした。こ
のようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜を長手
方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バンドギ
ャツプを測定したところ図８および表６に示すバンド
プロファイルが得られることが確認できた。
【０１２１】実施例６− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｄよりＣＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０５は図７に示すように配設
し、整流板７０４は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１２２】実施例６− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｅよりＣＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配設
しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パ
ワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状
部材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドキャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１２３】実施例７− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＧｅＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ａよりＣＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配設
しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パ
ワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状
部材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドキャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１２４】実施例７− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＧｅＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｂよりＣＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４は図７に示すように配設
し、整流板７０５は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１２５】実施例７− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＧｅＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｃよりＣＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配設
しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パ
ワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状
部材１０１との距離は、実施例２に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１２６】実施例７− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＧｅＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｄよりＣＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０５は図７に示すように配設
し、整流板７０４は配設しないものとした。成膜室７２
６の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全て
の補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例
２−に示した通りとした。このようにして得られる帯
状部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１
ヶ所サンプリングし、バンドギャツプを測定したところ
図８および表６に示すバンドプロファイルが得られる
ことが確認できた。
【０１２７】実施例７− 次に、表４に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＧｅＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｅよりＣＨ4 ８０ｓｃｃｍを成膜室７２
６に導入する。整流板７０４および整流板７０５は配設
しないものとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パ
ワー、基体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状
部材１０１との距離は、実施例２−に示した通りとし
た。このようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜
を長手方向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、バ
ンドギャツプを測定したところ図８および表６に示す
バンドプロファイルが得られることが確認できた。
【０１２８】実施例８− 次に、表５に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ａよりＢ2Ｈ6／Ｈ2（１ｗｔ％）を２０
ｓｃｃｍを成膜室７２６に導入する。整流板７０４およ
び整流板７０５は配設しないものとした。成膜室７２６
の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全ての
補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例２
−に示した通りとした。このようにして得られる帯状
部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１ヶ
所サンプリングし、暗導電率の活性化エネルギーを測定
し、ドーピングプロファイルを求めたたところ、図９
および表７に示すドーピングプロファイルが得られるこ
とが確認できた。
【０１２９】実施例８− 次に、表５に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｂよりＢ2Ｈ6／Ｈ2（１ｗｔ％）を２０
０ｓｃｃｍを成膜室７２６に導入する。整流板７０４は
図７に示すように配設し、整流板７０５は配設しないも
のとした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パワー、基
体１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状部材１０
１との距離は、実施例２−に示した通りとした。この
ようにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜を長手方
向（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、暗導電率の
活性化エネルギーを測定し、ドーピングプロファイルを
求めたところ図９および表７に示すドーピングプロフ
ァイルが得られることが確認できた。
【０１３０】実施例８− 次に、表５に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｃよりＢ2Ｈ6／Ｈ2（１ｗｔ％）を２０
ｓｃｃｍを成膜室７２６に導入する。整流板７０４およ
び整流板７０５は配設しないものとした。成膜室７２６
の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全ての
補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例２
−に示した通りとした。このようにして得られる帯状
部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１ヶ
所サンプリングし、暗導電率の活性化エネルギーを測定
し、ドーピングプロファイルを求めたところ図９およ
び表７に示すドーピングプロファイルが得られることが
確認できた。
【０１３１】実施例８− 次に、表５に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ｄよりＢ2Ｈ6／Ｈ2（１ｗｔ％）を２０
ｓｃｃｍを成膜室７２６に導入する。整流板７０５は図
７に示すように配設し、整流板７０４は配設しないもの
とした。成膜室７２６の圧力、マイクロ波パワー、基体
１０１の温度、全ての補助ガス導入管と帯状部材１０１
との距離は、実施例２−に示した通りとした。このよ
うにして得られる帯状部材１０１上の堆積膜を長手方向
（搬送方向）に１１ヶ所サンプリングし、暗導電率の活
性化エネルギーを測定し、ドーピングプロファイルを求
めたところ図９および表７に示すドーピングプロファ
イルが得られることが確認できた。
【０１３２】実施例８− 次に、表５に示すように主原料ガス導入管７０３ａ〜ｃ
よりＳｉＨ4 ２００ｓｃｃｍをそれぞれ、また、補助ガ
ス導入管７０２ａよりＢ2Ｈ6／Ｈ2（１ｗｔ％）を２０
ｓｃｃｍを成膜室７２６に導入する。整流板７０４およ
び整流板７０５は配設しないものとした。成膜室７２６
の圧力、マイクロ波パワー、基体１０１の温度、全ての
補助ガス導入管と帯状部材１０１との距離は、実施例２
−に示した通りとした。このようにして得られる帯状
部材１０１上の堆積膜を長手方向（搬送方向）に１１ヶ
所サンプリングし、暗導電率の活性化エネルギーを測定
し、ドーピングプロファイルを求めたところ図９およ
び表７に示すドーピングプロファイルが得られることが
確認できた。
【０１３３】さらに本実施例群においてＢ2 Ｈ6 に代え
てＰＨ3 を所定量導入することで図１０〜のドーピ
ングプロファイルを作製することも可能である。さらに
バンドプロファイルの制御をドーピングプロファイルの
制御に組み合わせた制御も可能である。
【０１３４】
【表５】
【０１３５】
【表６】
【０１３６】
【表７】
【０１３７】
【表８】
【０１３８】
【発明の効果】本発明によれば成膜空間の一面を構成す
る帯状部材を連続的に移動せしめると共に、成膜空間に
主原料ガスおよび補助ガスの組成の異なる２種以上の堆
積膜形成用原料ガスを、各々主および補助ガス導入手段
を介して別々に導入することにより膜厚方向に組成制御
された、即ち、バンドプロファイルおよびドーピングプ
ロファイルの任意制御された機能性堆積膜を連続して大
面積に再現性よく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の模式
的な斜視図である。
【図２】本発明のマイクロ波アプリケーター手段の概略
図である。
【図３】本発明の［実験］を説明するためのＧｅ濃度分
布図である。
【図４】実施例１で作製された光起電力素子のａ−Ｓｉ
Ｇｅ層のバンドプロファイル図である。
【図５】実施例１で作製された光起電力素子のａ−Ｓｉ
Ｇｅ層の素子構成図である。
【図６】本発明のマイクロ波プラズマＣＶＤ連続成膜装
置の模式図である。
【図７】各々実施例２−１〜１６−３を実施するための
成膜装置の模式図およびそれによって得られるバンドプ
ロファイル、ドーピングプロファイルの概略図である。
【図８】各々実施例２−１〜１６−３を実施するための
成膜装置の模式図およびそれによって得られるバンドプ
ロファイル、ドーピングプロファイルの概略図である。
【図９】各々実施例２−１〜１６−３を実施するための
成膜装置の模式図およびそれによって得られるバンドプ
ロファイル、ドーピングプロファイルの概略図である。
【図１０】各々実施例２−１〜１６−３を実施するため
の成膜装置の模式図およびそれによって得られるバンド
プロファイル、ドーピングプロファイルの概略図であ
る。
【符号の説明】
１０１ 帯状部材 １０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ 補助ガス導入手段
（管） １０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ 主原料ガス導入手段
（管） １０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ マイクロ波アプリケ
ーター １０５ マイクロ波 １０６ 排気パンチングボード １０７ 成膜空間（成膜室） １０８ 側壁 ２００ マイクロ波アプリケーター ２０１，２０２ マイクロ波透過性部材 ２０３ａ，２０３ｂ マイクロ波整合用円板 ２０４ 内筒 ２０５ 外筒 ２０６ 固定用リング ２０７ チョークフランジ ２０８ 方形導波管 ２０９ 冷却媒体 ２１０ Ｏリング ２１１ 溝 ２１１ メタルシール ２１３，２１４ 冷却空気導入・排出孔 ３０１，３０２，５０１，５０２，５０３ 真空容器 ３０３ 送り出し用ボビン ３０４ 巻き取り用ボビン ３０５，３０６ 搬送用ローラー ３０７，３０８ スロットルバルブ ３１０，３１１，４０９，４１０，４１１，４１２，５
１１，５１２，５１３排気孔 ３１２，３１３ 温度調節機構 ３１４，３１５ 圧力計 ４０１，４０２，４０３，４０４ ガスゲート ４０５，４０６，４０７，４０８ ゲートガス導入管 ４０９，４１０，４１１，４１２ ゲートガス排出管 ５００ 光起電力素子 ５０１ ｎ型半導体層 ５０２ ａ−ＳｉＧｅ層 ５０３ ｐ型半導体層 ５０４ 透明導電膜 ５０５ 上部電極 ６００，６０１，６０２ 真空容器 ６０３，６０４ カソード電極 ６０５，６０６ ガス導入管 ６０７，６０８，６０９ 温度制御機構 ７０２ａ，７０２ｂ，７０２ｃ，７０２ｅ 補助ガス
導入管 ７０３ａ，７０３ｂ，７０３ｃ 主原料ガス導入管 ７０４，７０５ 整流板 ７０６ 成膜空間（成膜室）

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 連続的に移動する帯状部材の一辺により
    形成される成膜空間内にマイクロ波プラズマを生起させ
    て前記帯状部材に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマ
    ＣＶＤ法において、 主原料ガスを複数の主原料ガス導入手段より、また補助
    ガスを複数の補助ガス導入手段より前記成膜空間内に導
    入する機能性堆積膜の連続形成方法であって、 前記複数の主原料ガス導入手段と前記帯状部材との垂線
    距離が前記複数の補助ガス導入手段との垂線距離より大
    きくなるように前記成膜空間内に配設することを特徴と
    する機能性堆積膜の連続形成方法。
  2. 【請求項２】 連続的に移動する帯状部材の一辺、マイ
    クロ波エネルギーを通過する窓、排気孔が設けられた側
    壁により形成される成膜室にマイクロ波プラズマを生起
    させて前記帯状部材に堆積膜を形成するマイクロ波プラ
    ズマＣＶＤ装置において、 前記成膜室内に主原料ガスを導入する複数の主原料ガス
    導入手段、および補助ガスを導入する複数の補助ガス導
    入手段より導入する機能性堆積膜の連続形成装置であっ
    て、 前記複数の主原料ガス導入手段と前記帯状部材との垂線
    距離が前記複数の補助ガス導入手段との垂線距離より大
    きくなるように前記成膜室に配設したことを特徴とする
    機能性堆積膜の連続形成装置。
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