JPH05188398A - 液晶表示パネル及び該液晶表示パネルを用いた投写表示装置 - Google Patents
液晶表示パネル及び該液晶表示パネルを用いた投写表示装置Info
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- JPH05188398A JPH05188398A JP579092A JP579092A JPH05188398A JP H05188398 A JPH05188398 A JP H05188398A JP 579092 A JP579092 A JP 579092A JP 579092 A JP579092 A JP 579092A JP H05188398 A JPH05188398 A JP H05188398A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配向膜の機能を低下させることなくアルカリ
イオンのＴＦＴへの侵入を防止できるコンパクトな液晶
表示パネルを提供する。 【構成】 第１、第２の基板と、該第１、第２の基板間
に挟持された液晶層と、該第１の基板上に形成された薄
膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを駆動する為の
配線と、前記液晶層の液晶分子を配向せしめる配向膜と
からなる液晶表示パネルに於て、前記第１基板はアルカ
リイオンを含むガラス基板であり、前記第１基板からの
アルカリイオンが前記薄膜トランジスタに侵入するのを
防ぐ為のイオン遮断層を、前記第１基板上の前記薄膜ト
ランジスタの形成位置では他の位置に比べてイオン遮断
効果が高くなるように前記第１基板上に設けた。
イオンのＴＦＴへの侵入を防止できるコンパクトな液晶
表示パネルを提供する。 【構成】 第１、第２の基板と、該第１、第２の基板間
に挟持された液晶層と、該第１の基板上に形成された薄
膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを駆動する為の
配線と、前記液晶層の液晶分子を配向せしめる配向膜と
からなる液晶表示パネルに於て、前記第１基板はアルカ
リイオンを含むガラス基板であり、前記第１基板からの
アルカリイオンが前記薄膜トランジスタに侵入するのを
防ぐ為のイオン遮断層を、前記第１基板上の前記薄膜ト
ランジスタの形成位置では他の位置に比べてイオン遮断
効果が高くなるように前記第１基板上に設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス駆
動液晶表示パネル及び該パネルを用いた投写表示装置、
特にアクティブマトリクスとしての薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴと記す）及びその基板材の構造及び製造方
法に関する。
動液晶表示パネル及び該パネルを用いた投写表示装置、
特にアクティブマトリクスとしての薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴと記す）及びその基板材の構造及び製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】カラー画像及び動画像用の液晶表示装置
として、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック）液晶をＴＦ
Ｔによるアクティブマトリクスで駆動する方式が知られ
ている。
として、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック）液晶をＴＦ
Ｔによるアクティブマトリクスで駆動する方式が知られ
ている。
【０００３】図１０は、液晶表示装置用アクティブマト
リクス基板の従来例である。アルカリガラス基板１０１
上に設けられた行電極６０１と列電極６０２の交差部分
の横に表示絵素６０３とスイッチングＴＦＴ６０４が組
み込まれている。さらにその上には、液晶を配向させる
ためのラビング処理したポリイミド配向膜が作製してあ
る。図中Ｉ−ＩＩの断面図を図１１に示す。Ａｌ或いは
Ｃｒ等のゲート電極７０１の上に、ゲート絶縁膜７０２
がある。アモルファスＳｉ層（以下、ａ−Ｓｉ層と記
す）７０３、ａ−Ｓｉ（ｎ＋）層７０４をかいしてドレ
イン電極７０５、ソース電極７０６とこれにつながった
絵素電極７０７がある。これらの上に保護絶縁膜７０
８、液晶配向膜７０９が積み重なる構造となっている。
リクス基板の従来例である。アルカリガラス基板１０１
上に設けられた行電極６０１と列電極６０２の交差部分
の横に表示絵素６０３とスイッチングＴＦＴ６０４が組
み込まれている。さらにその上には、液晶を配向させる
ためのラビング処理したポリイミド配向膜が作製してあ
る。図中Ｉ−ＩＩの断面図を図１１に示す。Ａｌ或いは
Ｃｒ等のゲート電極７０１の上に、ゲート絶縁膜７０２
がある。アモルファスＳｉ層（以下、ａ−Ｓｉ層と記
す）７０３、ａ−Ｓｉ（ｎ＋）層７０４をかいしてドレ
イン電極７０５、ソース電極７０６とこれにつながった
絵素電極７０７がある。これらの上に保護絶縁膜７０
８、液晶配向膜７０９が積み重なる構造となっている。
【０００４】上記第１のアルカリガラス基板１０１と、
対抗電極を有する第２のアルカリガラス基板を張り合
せ、その間に液晶を注入して液晶表示パネルを構成して
いる。
対抗電極を有する第２のアルカリガラス基板を張り合
せ、その間に液晶を注入して液晶表示パネルを構成して
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
ではアルカリガラス基板１０１上に形成されるＴＦＴ６
０４に、前記アルカリガラス基板１０１からアルカリイ
オンが侵入するとＴＦＴの機能が損なわれてしまうとい
う問題がある。
ではアルカリガラス基板１０１上に形成されるＴＦＴ６
０４に、前記アルカリガラス基板１０１からアルカリイ
オンが侵入するとＴＦＴの機能が損なわれてしまうとい
う問題がある。
【０００６】一方、ガラス基板１０１とＴＦＴ６０４の
間に、イオンを遮断する効果のある無アルカリガラス基
板を挟んだものがあるが、液晶表示パネルが厚くなって
しまう。また、無アルカリガラスは一般のアルカリガラ
スに比べて高価なのでコストアップの原因となってしま
う。
間に、イオンを遮断する効果のある無アルカリガラス基
板を挟んだものがあるが、液晶表示パネルが厚くなって
しまう。また、無アルカリガラスは一般のアルカリガラ
スに比べて高価なのでコストアップの原因となってしま
う。
【０００７】そのような問題を解決する方法として、ガ
ラス基板１０１の上に蒸着膜などによるイオン遮断層を
設けることが考えられるが、ＴＦＴ６０４に隣接する表
示絵素６０３の領域に於いて、液晶配向膜７０９とガラ
ス基板１０１間の膜の層数が増えると、液晶配向膜７０
９をフラットに形成することができなくなり、配向膜の
機能が低下してしまう。
ラス基板１０１の上に蒸着膜などによるイオン遮断層を
設けることが考えられるが、ＴＦＴ６０４に隣接する表
示絵素６０３の領域に於いて、液晶配向膜７０９とガラ
ス基板１０１間の膜の層数が増えると、液晶配向膜７０
９をフラットに形成することができなくなり、配向膜の
機能が低下してしまう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決する為に成されたものであり、配向膜の機能を低下さ
せることなくアルカリイオンのＴＦＴへの侵入を防止で
きるコンパクトな液晶表示パネルを提供することを目的
とし、第１、第２の基板と、該第１、第２の基板間に挟
持された液晶層と、該第１の基板上に形成された薄膜ト
ランジスタと、該薄膜トランジスタを駆動する為の配線
と、前記液晶層の液晶分子を配向せしめる配向膜とから
なる液晶表示パネルに於て、前記第１基板はアルカリイ
オンを含むガラス基板であり、前記第１基板からのアル
カリイオンが前記薄膜トランジスタに侵入するのを防ぐ
ためのイオン遮断層を、前記第１基板上の前記薄膜トラ
ンジスタの形成位置では他の位置に比べてイオン遮断効
果が高くなるように前記第１基板上に設けたことを特徴
とする。
決する為に成されたものであり、配向膜の機能を低下さ
せることなくアルカリイオンのＴＦＴへの侵入を防止で
きるコンパクトな液晶表示パネルを提供することを目的
とし、第１、第２の基板と、該第１、第２の基板間に挟
持された液晶層と、該第１の基板上に形成された薄膜ト
ランジスタと、該薄膜トランジスタを駆動する為の配線
と、前記液晶層の液晶分子を配向せしめる配向膜とから
なる液晶表示パネルに於て、前記第１基板はアルカリイ
オンを含むガラス基板であり、前記第１基板からのアル
カリイオンが前記薄膜トランジスタに侵入するのを防ぐ
ためのイオン遮断層を、前記第１基板上の前記薄膜トラ
ンジスタの形成位置では他の位置に比べてイオン遮断効
果が高くなるように前記第１基板上に設けたことを特徴
とする。
【０００９】
【実施例】近年、図１０で示したような液晶表示パネル
と、該液晶表示パネルの各画素にそれぞれ対応したマイ
クロレンズアレイを組み合わせて開口率を上げ、光利用
効率を向上させる試みがなされている。マイクロレンズ
アレイの製造方法としては、アルカリガラス中にタリウ
ムイオン等をイオン交換法を用いて浸透させることによ
り屈折率分布をつける方式があるが、この場合特に、ア
ルカリガラス基板を用いることが必須要件となるので、
以下の実施例ではマイクロレンズアレイを備えた液晶表
示パネルを前提として説明をしている。但し、マイクロ
レンズアレイを有していなくてもアルカリガラス基板の
様に、基板からＴＦＴへアルカリイオンが侵入する可能
性があるもの全てに本発明が適用できるのはいうまでも
ない。
と、該液晶表示パネルの各画素にそれぞれ対応したマイ
クロレンズアレイを組み合わせて開口率を上げ、光利用
効率を向上させる試みがなされている。マイクロレンズ
アレイの製造方法としては、アルカリガラス中にタリウ
ムイオン等をイオン交換法を用いて浸透させることによ
り屈折率分布をつける方式があるが、この場合特に、ア
ルカリガラス基板を用いることが必須要件となるので、
以下の実施例ではマイクロレンズアレイを備えた液晶表
示パネルを前提として説明をしている。但し、マイクロ
レンズアレイを有していなくてもアルカリガラス基板の
様に、基板からＴＦＴへアルカリイオンが侵入する可能
性があるもの全てに本発明が適用できるのはいうまでも
ない。
【００１０】図１は本発明の実施例を示す液晶表示パネ
ルの断面図である。
ルの断面図である。
【００１１】ガラス基板１０１、１０２によって液晶層
１０３は挟持されている。ガラス基板１０１中には表示
画像の各画素（５０μｍ間隔）に対応して、屈折率分布
により屈折力を付与したマイクロレンズアレイ１０４が
形成されており、またガラス基板１０１の液晶層１０３
に向き合う側の表面には各画素に対応してチタン薄膜か
らなるＴｉマスク１０５、窒化シリコン（ＳｉＮx ）ま
たは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる絶縁膜１０６、
ＴＦＴ１０７が一体となって形成されている。また図中
には示されていないがガラス基板１０１には図６で示し
たのと同様に各画素のＴＦＴを駆動するための行電極・
列電極及びＩＴＯからなる透明画素電極、液晶配向膜等
も形成されている。また、対向するガラス基板１０２の
液晶層１０３側にも透明電極及び液晶配向膜が形成され
ている。不図示の光源、反射面等からなる照明手段から
の照明光束はガラス基板１０１側から入射し、ガラス基
板１０２側から出射していく様に照明手段の配置を行
う。
１０３は挟持されている。ガラス基板１０１中には表示
画像の各画素（５０μｍ間隔）に対応して、屈折率分布
により屈折力を付与したマイクロレンズアレイ１０４が
形成されており、またガラス基板１０１の液晶層１０３
に向き合う側の表面には各画素に対応してチタン薄膜か
らなるＴｉマスク１０５、窒化シリコン（ＳｉＮx ）ま
たは酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる絶縁膜１０６、
ＴＦＴ１０７が一体となって形成されている。また図中
には示されていないがガラス基板１０１には図６で示し
たのと同様に各画素のＴＦＴを駆動するための行電極・
列電極及びＩＴＯからなる透明画素電極、液晶配向膜等
も形成されている。また、対向するガラス基板１０２の
液晶層１０３側にも透明電極及び液晶配向膜が形成され
ている。不図示の光源、反射面等からなる照明手段から
の照明光束はガラス基板１０１側から入射し、ガラス基
板１０２側から出射していく様に照明手段の配置を行
う。
【００１２】本実施例のガラス基板１０１には、画素電
極の配列に対応する屈折率分布型の埋込み型レンズアレ
イ１０４が内部に設けられている。
極の配列に対応する屈折率分布型の埋込み型レンズアレ
イ１０４が内部に設けられている。
【００１３】埋め込み型レンズアレイ１０４の形成は以
下の各工程により行なった。 １．上下面研磨したＫＦ−３（Ｎａ2 Ｏ １２重量％含
有、ｎｄ＝１．５１、νｄ＝５４．７）の１．１ｍｍ厚
ガラス基板にスパッタリング法または蒸着法にて両面に
１〜２μｍ厚のチタン（Ｔｉ）膜を形成する。 ２．フォトリソグラフィにより片面側のレンズ形成位置
（５０μｍピッチ）に対応した開口部を設ける（マスク
形成）。 ３．Ｔｌ2 ＳＯ4 ：ＺｎＳＯ4 ：Ｋ2 ＳＯ4 ＝４０：４
０：２０（ｍｏｌ％）の溶融塩中（５２０℃）でイオン
交換を所定時間行なう（直径５０μレンズ形成）。 ４．溶融塩中よりガラス基板を取り出し、徐冷後、温湯
により洗浄する。 ５．エッチング又は研磨によりＴｉ膜（マスク）を除去
する。 ６．Ｔｌ（タリウム）を含まないＮａ2 ＳＯ4 ：Ｋ2 Ｓ
Ｏ4 ：ＺｎＳＯ4 ＝２５：２５：５０（ｍｏｌ％）の溶
融塩中（５２０℃）中で再び所定時間イオン交換する
（レンズ埋め込み）。 ７．溶融塩中よりガラス基板を取り出し、徐冷後、温湯
により洗浄する。
下の各工程により行なった。 １．上下面研磨したＫＦ−３（Ｎａ2 Ｏ １２重量％含
有、ｎｄ＝１．５１、νｄ＝５４．７）の１．１ｍｍ厚
ガラス基板にスパッタリング法または蒸着法にて両面に
１〜２μｍ厚のチタン（Ｔｉ）膜を形成する。 ２．フォトリソグラフィにより片面側のレンズ形成位置
（５０μｍピッチ）に対応した開口部を設ける（マスク
形成）。 ３．Ｔｌ2 ＳＯ4 ：ＺｎＳＯ4 ：Ｋ2 ＳＯ4 ＝４０：４
０：２０（ｍｏｌ％）の溶融塩中（５２０℃）でイオン
交換を所定時間行なう（直径５０μレンズ形成）。 ４．溶融塩中よりガラス基板を取り出し、徐冷後、温湯
により洗浄する。 ５．エッチング又は研磨によりＴｉ膜（マスク）を除去
する。 ６．Ｔｌ（タリウム）を含まないＮａ2 ＳＯ4 ：Ｋ2 Ｓ
Ｏ4 ：ＺｎＳＯ4 ＝２５：２５：５０（ｍｏｌ％）の溶
融塩中（５２０℃）中で再び所定時間イオン交換する
（レンズ埋め込み）。 ７．溶融塩中よりガラス基板を取り出し、徐冷後、温湯
により洗浄する。
【００１４】ここで、工程６のプロセスにより行なわれ
るマイクロレンズの埋め込みについては、その埋め込み
深さが各レンズの焦点距離をガラスの屈折率倍した値に
等しくなるようにそのイオン交換時間を設定している。
また、各レンズの大きさ及び配置は、液晶層１０３中の
各画素電極に対応している。
るマイクロレンズの埋め込みについては、その埋め込み
深さが各レンズの焦点距離をガラスの屈折率倍した値に
等しくなるようにそのイオン交換時間を設定している。
また、各レンズの大きさ及び配置は、液晶層１０３中の
各画素電極に対応している。
【００１５】また、埋込み型レンズアレイ１０４とガラ
ス基板１０１との屈折率差Δｎは、上記の製法によれば
およそ０．１とすることができる。画素電極の配列から
画素ピッチは５０μｍであり、これにより埋め込み型レ
ンズアレイ１０４の口径も５０μｍに設定されている。
このような条件から本例においては埋込み型レンズアレ
イ１０４については、焦点距離やその埋め込み深さを２
００μｍに設定している。
ス基板１０１との屈折率差Δｎは、上記の製法によれば
およそ０．１とすることができる。画素電極の配列から
画素ピッチは５０μｍであり、これにより埋め込み型レ
ンズアレイ１０４の口径も５０μｍに設定されている。
このような条件から本例においては埋込み型レンズアレ
イ１０４については、焦点距離やその埋め込み深さを２
００μｍに設定している。
【００１６】図２は、マイクロレンズアレイ１０４を形
成後ガラス基板１０１上に各画素に対応して形成したＴ
ＦＴの拡大断面図を示したものである。形成手順に従っ
て各層の説明を行う。
成後ガラス基板１０１上に各画素に対応して形成したＴ
ＦＴの拡大断面図を示したものである。形成手順に従っ
て各層の説明を行う。
【００１７】まず、ガラス基板１０１上にスパッタリン
グ法または蒸着法にて厚さ１〜２μｍのＴｉ膜を形成す
る。フォトリソグラフィーを用いて各画素のＴＦＴを形
成する部分のみＴｉ膜を残し、Ｔｉマスク２０１を形成
する。約２０００Å厚の窒化シリコン（ＳｉＮx ）又は
酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなるゲート絶縁膜２０２
を基板全体に形成した後、アルミニウム又はクロムから
なるゲート電極２０３及びゲート酸化膜２０４を形成
し、更に約２０００Å厚のＳｉＮx 又はＳｉＯ2からな
るゲート絶縁膜２０５で基板全体を覆う。次に、ゲート
電極の上部に約１０００Å厚のアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）層２０７、約５００Åのｎ型ａ−Ｓｉオー
ミック層２０８、約５０００Å厚のアルミニウム又はク
ロムからなる電極部２０９、２１０を形成する。上記オ
ーミック層及び電極部はエッチングにより、ソース電極
２０９及びドレイン電極２１０に分割される。約１００
０Å厚のＩＴＯ膜からなる透明な画素電極２１１がソー
ス電極２０９に接続する様に各画素に形成される。最後
に約３０００Å厚のＳｉＮx 又はＳｉＯ2 からなる保護
絶縁膜２１２でガラス基板全体を覆い、その上に約５０
０Å厚のポリイミドをラビングした液晶配向膜２１３を
形成する。
グ法または蒸着法にて厚さ１〜２μｍのＴｉ膜を形成す
る。フォトリソグラフィーを用いて各画素のＴＦＴを形
成する部分のみＴｉ膜を残し、Ｔｉマスク２０１を形成
する。約２０００Å厚の窒化シリコン（ＳｉＮx ）又は
酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなるゲート絶縁膜２０２
を基板全体に形成した後、アルミニウム又はクロムから
なるゲート電極２０３及びゲート酸化膜２０４を形成
し、更に約２０００Å厚のＳｉＮx 又はＳｉＯ2からな
るゲート絶縁膜２０５で基板全体を覆う。次に、ゲート
電極の上部に約１０００Å厚のアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）層２０７、約５００Åのｎ型ａ−Ｓｉオー
ミック層２０８、約５０００Å厚のアルミニウム又はク
ロムからなる電極部２０９、２１０を形成する。上記オ
ーミック層及び電極部はエッチングにより、ソース電極
２０９及びドレイン電極２１０に分割される。約１００
０Å厚のＩＴＯ膜からなる透明な画素電極２１１がソー
ス電極２０９に接続する様に各画素に形成される。最後
に約３０００Å厚のＳｉＮx 又はＳｉＯ2 からなる保護
絶縁膜２１２でガラス基板全体を覆い、その上に約５０
０Å厚のポリイミドをラビングした液晶配向膜２１３を
形成する。
【００１８】本実施例に於てＴｉマスク２０１はガラス
基板１０１内のアルカリイオンがａ−Ｓｉ層２０７或い
は、ａ−Ｓｉ層２０７とゲート電極２０３間の絶縁部へ
浸透するのを防止する役割を、主として担っている。従
って、側方からのイオンの浸透を防ぐ為にもａ−Ｓｉ層
２０７の下部全体よりも広い範囲にわたって形成するの
が望ましい。より好ましくは図１のマイクロレンズアレ
イ１０４を通過して集光する複数の光束を遮らない範囲
で最大限広く形成することである。Ｔｉマスク２０１は
照明光束がａ−Ｓｉ層２０７へ入射して光電流が発生す
るのを防止する光遮光層としての役割も果たしている。
基板１０１内のアルカリイオンがａ−Ｓｉ層２０７或い
は、ａ−Ｓｉ層２０７とゲート電極２０３間の絶縁部へ
浸透するのを防止する役割を、主として担っている。従
って、側方からのイオンの浸透を防ぐ為にもａ−Ｓｉ層
２０７の下部全体よりも広い範囲にわたって形成するの
が望ましい。より好ましくは図１のマイクロレンズアレ
イ１０４を通過して集光する複数の光束を遮らない範囲
で最大限広く形成することである。Ｔｉマスク２０１は
照明光束がａ−Ｓｉ層２０７へ入射して光電流が発生す
るのを防止する光遮光層としての役割も果たしている。
【００１９】ゲート絶縁膜２０２（図１では１０６）は
Ｔｉマスク２０１とゲート電極２０３を絶縁する作用を
有すると同時に、ゲート絶縁膜２０５と共にａ−Ｓｉ層
２０７への側方からのイオン浸透を防止する効果をも
つ。ゲート絶縁層２０２、２０５を構成するＳｉＯ2 、
ＳｉＮx 膜はＴｉに比べイオン遮断能力は落ちるが側方
からのイオン浸透に対してはａ−Ｓｉ層２０７までの実
効的層厚が増すため、十分なイオン遮断効果を有する。
Ｔｉマスク２０１とゲート電極２０３を絶縁する作用を
有すると同時に、ゲート絶縁膜２０５と共にａ−Ｓｉ層
２０７への側方からのイオン浸透を防止する効果をも
つ。ゲート絶縁層２０２、２０５を構成するＳｉＯ2 、
ＳｉＮx 膜はＴｉに比べイオン遮断能力は落ちるが側方
からのイオン浸透に対してはａ−Ｓｉ層２０７までの実
効的層厚が増すため、十分なイオン遮断効果を有する。
【００２０】以上示した様にａ−Ｓｉ層２０７の下部に
は他の部分に比べイオン遮断性の高い層を形成すること
により、屈折率分布型のマイクロレンズアレイ１０４を
形成したアルカリイオンを含むガラス基板１０１からＴ
ＦＴ１０７のチャネル部、つまりソース及びドレイン電
極とゲート電極間の層、特にａ−Ｓｉ層２０７へのイオ
ン浸透を防止して、ＴＦＴ１０７の機能を良好に保つこ
とができる。
は他の部分に比べイオン遮断性の高い層を形成すること
により、屈折率分布型のマイクロレンズアレイ１０４を
形成したアルカリイオンを含むガラス基板１０１からＴ
ＦＴ１０７のチャネル部、つまりソース及びドレイン電
極とゲート電極間の層、特にａ−Ｓｉ層２０７へのイオ
ン浸透を防止して、ＴＦＴ１０７の機能を良好に保つこ
とができる。
【００２１】個々のＴｉマスク２０１は何らかの理由で
電荷を帯びることがあるので、またゲート電極２０３に
近接している為、ＴＦＴ１０７を安定作動させる為には
個々のＴｉマスク２０１を一定の電位に保つことが望ま
しく、その為には各画素のマスクが互いに接続される様
にマスクパターンを構成し、接地してやれば良い。
電荷を帯びることがあるので、またゲート電極２０３に
近接している為、ＴＦＴ１０７を安定作動させる為には
個々のＴｉマスク２０１を一定の電位に保つことが望ま
しく、その為には各画素のマスクが互いに接続される様
にマスクパターンを構成し、接地してやれば良い。
【００２２】図３は本発明の第２の実施例の液晶表示装
置パネルのＴＦＴ部分の拡大断面図を示したものであ
る。第１の実施例と異なる所は図２の保護絶縁膜２１２
と液晶配向膜２１３の間に０．５〜２μｍ厚のＴｉマス
ク３０１を設けた点である。
置パネルのＴＦＴ部分の拡大断面図を示したものであ
る。第１の実施例と異なる所は図２の保護絶縁膜２１２
と液晶配向膜２１３の間に０．５〜２μｍ厚のＴｉマス
ク３０１を設けた点である。
【００２３】図２に示した第１の実施例中、ガラス基板
１０１中のイオンのうち画素電極部（ゲート絶縁膜２０
２、２０５→画素電極２１１→保護絶縁膜２１２）を通
過して液晶層１０３へ侵入するものが微量であるが存在
する。このイオンがＴＦＴ部分へ浸透して特性を劣化さ
せる要因となる。従って、本実施例でＴＦＴの上部に追
加設置したＴｉマスク３０１は液晶層１０３を介して浸
透してくるイオンに対する遮断層の作用をする。また、
液晶層１０３側からの迷光の侵入によるａ−Ｓｉ層２０
７での光電流の発生も防止する。また、第１の実施例の
Ｔｉマスク２０１と同様、接地するようにマスクパター
ンを構成することにより、Ｔｉマスク２０１と合わせて
各画素のＴＦＴへの外場の影響を除去するシールド効果
を持たせることもできる。
１０１中のイオンのうち画素電極部（ゲート絶縁膜２０
２、２０５→画素電極２１１→保護絶縁膜２１２）を通
過して液晶層１０３へ侵入するものが微量であるが存在
する。このイオンがＴＦＴ部分へ浸透して特性を劣化さ
せる要因となる。従って、本実施例でＴＦＴの上部に追
加設置したＴｉマスク３０１は液晶層１０３を介して浸
透してくるイオンに対する遮断層の作用をする。また、
液晶層１０３側からの迷光の侵入によるａ−Ｓｉ層２０
７での光電流の発生も防止する。また、第１の実施例の
Ｔｉマスク２０１と同様、接地するようにマスクパター
ンを構成することにより、Ｔｉマスク２０１と合わせて
各画素のＴＦＴへの外場の影響を除去するシールド効果
を持たせることもできる。
【００２４】以上示した様に、ガラス基板１０１の表面
のうち、ＴＦＴの占める断面積あるいはそれより大きい
領域のイオン遮断層を厚く、具体的には、ａ−Ｓｉ層２
０７（２０８）の液晶層１０３側とガラス基板１０１側
の両方にイオン遮断層を設けることにより、ＴＦＴの特
性を良好に保つことができる。
のうち、ＴＦＴの占める断面積あるいはそれより大きい
領域のイオン遮断層を厚く、具体的には、ａ−Ｓｉ層２
０７（２０８）の液晶層１０３側とガラス基板１０１側
の両方にイオン遮断層を設けることにより、ＴＦＴの特
性を良好に保つことができる。
【００２５】図４に第３の実施例を示す。第１・２の実
施例ではイオン遮断層としてＴｉ薄膜を用いたが、Ｔｉ
マスク２０１の代わりに各絶縁膜２０２、２０５、２１
２と同じ材料のＳｉＯ2 、ＳｉＮx マスク等を設けて、
つまり結果的にＴＦＴの真下の絶縁膜の膜厚を増すこと
によりイオン遮断性を高めることも可能である。この場
合、ガラス基板１０１に選択的に、例えばＳｉＯ2 マス
ク２０２′を形成し、その後は従来例と同様にゲート絶
縁層やＴＦＴを設ければよい。
施例ではイオン遮断層としてＴｉ薄膜を用いたが、Ｔｉ
マスク２０１の代わりに各絶縁膜２０２、２０５、２１
２と同じ材料のＳｉＯ2 、ＳｉＮx マスク等を設けて、
つまり結果的にＴＦＴの真下の絶縁膜の膜厚を増すこと
によりイオン遮断性を高めることも可能である。この場
合、ガラス基板１０１に選択的に、例えばＳｉＯ2 マス
ク２０２′を形成し、その後は従来例と同様にゲート絶
縁層やＴＦＴを設ければよい。
【００２６】ただし、画素電極部については、その領域
での液晶の配向特性を良好に保つ為にも液晶配向膜２１
３の下層部の膜厚をできるだけ薄くして均一性を保ち、
配向膜の特性劣化を防止することが重要である。このこ
とは、全ての実施例についていえることである。
での液晶の配向特性を良好に保つ為にも液晶配向膜２１
３の下層部の膜厚をできるだけ薄くして均一性を保ち、
配向膜の特性劣化を防止することが重要である。このこ
とは、全ての実施例についていえることである。
【００２７】また、この場合にはイオン遮断マスクが透
光性である為、ａ−Ｓｉ層２０７での光電流発生の防止
をゲート電極２０３による遮光によって担えば、画素電
極部など本来光を透過させたい個所でのゲート電極２０
３による余分な遮光をせずにすみみ、開口率が向上する
という副次的効果を持たせることができる。
光性である為、ａ−Ｓｉ層２０７での光電流発生の防止
をゲート電極２０３による遮光によって担えば、画素電
極部など本来光を透過させたい個所でのゲート電極２０
３による余分な遮光をせずにすみみ、開口率が向上する
という副次的効果を持たせることができる。
【００２８】図５は本発明の第４の実施例を示したもの
であり、正スタガ型のａ−ＳｉＴＦＴに本発明を適用し
た場合の実施例についてＴＦＴ部分の主要構成を表した
ものである。
であり、正スタガ型のａ−ＳｉＴＦＴに本発明を適用し
た場合の実施例についてＴＦＴ部分の主要構成を表した
ものである。
【００２９】マイクロレンズアレイの形成方法はこれま
での実施例と同様なので省略する。また、図２と位置・
形状は異なっても同じ作用を有するものは同番号を付し
た。本実施例に於てもａ−Ｓｉ層２０７の下部のＴｉマ
スク２０１はガラス基板１０１からａ−Ｓｉ層２０１へ
の直接的イオン浸透を防止する役割を果たしている。ま
た、約２０００Å厚のＳｉＯ2 又はＳｉＮx からなる絶
縁膜４０１及びゲート絶縁膜２０５はａ−Ｓｉ層２０７
への側方からの間接的イオン浸透を防止する役割を果た
している。
での実施例と同様なので省略する。また、図２と位置・
形状は異なっても同じ作用を有するものは同番号を付し
た。本実施例に於てもａ−Ｓｉ層２０７の下部のＴｉマ
スク２０１はガラス基板１０１からａ−Ｓｉ層２０１へ
の直接的イオン浸透を防止する役割を果たしている。ま
た、約２０００Å厚のＳｉＯ2 又はＳｉＮx からなる絶
縁膜４０１及びゲート絶縁膜２０５はａ−Ｓｉ層２０７
への側方からの間接的イオン浸透を防止する役割を果た
している。
【００３０】本実施例に於て、ゲート電極２０３の液晶
層１０３との絶縁性を高める為に絶縁保護膜をゲート電
極２０３の上層に付加した構成、更にその上にチタン膜
によるイオン遮断層を付加した構成も可能である。
層１０３との絶縁性を高める為に絶縁保護膜をゲート電
極２０３の上層に付加した構成、更にその上にチタン膜
によるイオン遮断層を付加した構成も可能である。
【００３１】図６に第５の実施例を示す。図６は多結晶
Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）を用いたプレーナ型構造のＴＦＴに本
発明を適用した場合の実施例についてＴＦＴ部分の主要
構成を示したものである。これまでの実施例と同様の作
用を有するものは同じ番号を付した。
Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）を用いたプレーナ型構造のＴＦＴに本
発明を適用した場合の実施例についてＴＦＴ部分の主要
構成を示したものである。これまでの実施例と同様の作
用を有するものは同じ番号を付した。
【００３２】本実施例ではｐ−Ｓｉ層５０１及びソース
電極２０９、ゲート電極２１０とのオーミック層の下部
にイオン遮断作用を有するＴｉマスク２０１が形成され
ている。また、主としてＳｉＯ2 からなる絶縁膜４０
１、２１２もイオン遮断作用を有する。
電極２０９、ゲート電極２１０とのオーミック層の下部
にイオン遮断作用を有するＴｉマスク２０１が形成され
ている。また、主としてＳｉＯ2 からなる絶縁膜４０
１、２１２もイオン遮断作用を有する。
【００３３】前述した各実施例に於てはマイクロレンズ
アレイ１０４を形成する為のＴｉマスクとは別にイオン
遮断層となるＴｉマスク２０１を形成したが、この両者
を１つのＴｉマスクで兼ねることも可能であり、以下に
その実施例を示す。この場合、マイクロレンズアレイ形
成用のＴｉマスクの占める形状・面積が大きすぎて本来
光が透過すべき画素電極の領域を遮断してしまう場合に
は一部をエッチングでカットすれば良い。逆にイオン遮
断層用のＴｉマスク２０１の方がより大きい形状・面積
を必要とする場合はスパッタリング等でＴｉ薄膜を追加
した後、不要部分をエッチングでカットすればよい。
アレイ１０４を形成する為のＴｉマスクとは別にイオン
遮断層となるＴｉマスク２０１を形成したが、この両者
を１つのＴｉマスクで兼ねることも可能であり、以下に
その実施例を示す。この場合、マイクロレンズアレイ形
成用のＴｉマスクの占める形状・面積が大きすぎて本来
光が透過すべき画素電極の領域を遮断してしまう場合に
は一部をエッチングでカットすれば良い。逆にイオン遮
断層用のＴｉマスク２０１の方がより大きい形状・面積
を必要とする場合はスパッタリング等でＴｉ薄膜を追加
した後、不要部分をエッチングでカットすればよい。
【００３４】図７に第６の実施例を示す。これまでの実
施例と同様の作用を有するものは同じ番号を付した。
施例と同様の作用を有するものは同じ番号を付した。
【００３５】１０５はマイクロレンズ形成用Ｔｉマスク
であり、マイクロレンズ１０４は図のようにＴＦＴガラ
ス基板１０１内に埋め込まれて形成されている。本パネ
ルの製造は以下の工程によって行った。 １．Ｎａ含有ガラス基板１０１にスパッタリング法また
は蒸着法、及びフォトリソグラフィーにて１〜２μｍ厚
のＴｉ膜マスクパターン１０５を形成する。 ２．タリウム含有溶融塩中でイオン交換する（レンズ形
成）。 ３．温湯により洗浄する。 ４．タリウムを含まないＮａ含有溶融塩中でイオン交換
する（レンズ埋め込み）。 ５．温湯により洗浄する。 ６．絶縁層となる２μｍ厚のＳｉＯ2 層１０６をスパッ
タリング法により形成する。 ７．０．１μｍ厚のＩＴＯからなる画素電極パターン２
１１を形成する。 ８．Ｔｉマスクパターン１０５の真上にＴＦＴがくるよ
うなアライメントでＴＦＴ１０７及び信号電極、走査電
極を形成する。 ９．配向膜２１３を形成し、ラビング処理を施す。 １０．上記１〜９の工程で形成されたＴＦＴ基板と、通
常の方法により対抗電極２１４及び配向膜２１３等が形
成された対抗基板とをギャップ剤を介してセル化する。 １１．液晶１０３を注入して封口する。 ここで、工程４のレンズ埋め込みについてはその埋め込
み深さがレンズの焦点距離に等しくなるようにイオン時
間を設定している。
であり、マイクロレンズ１０４は図のようにＴＦＴガラ
ス基板１０１内に埋め込まれて形成されている。本パネ
ルの製造は以下の工程によって行った。 １．Ｎａ含有ガラス基板１０１にスパッタリング法また
は蒸着法、及びフォトリソグラフィーにて１〜２μｍ厚
のＴｉ膜マスクパターン１０５を形成する。 ２．タリウム含有溶融塩中でイオン交換する（レンズ形
成）。 ３．温湯により洗浄する。 ４．タリウムを含まないＮａ含有溶融塩中でイオン交換
する（レンズ埋め込み）。 ５．温湯により洗浄する。 ６．絶縁層となる２μｍ厚のＳｉＯ2 層１０６をスパッ
タリング法により形成する。 ７．０．１μｍ厚のＩＴＯからなる画素電極パターン２
１１を形成する。 ８．Ｔｉマスクパターン１０５の真上にＴＦＴがくるよ
うなアライメントでＴＦＴ１０７及び信号電極、走査電
極を形成する。 ９．配向膜２１３を形成し、ラビング処理を施す。 １０．上記１〜９の工程で形成されたＴＦＴ基板と、通
常の方法により対抗電極２１４及び配向膜２１３等が形
成された対抗基板とをギャップ剤を介してセル化する。 １１．液晶１０３を注入して封口する。 ここで、工程４のレンズ埋め込みについてはその埋め込
み深さがレンズの焦点距離に等しくなるようにイオン時
間を設定している。
【００３６】このようにして製造された本実施例の液晶
表示パネルは、図中矢印で示されたように照明光束をマ
イクロレンズにより効率良く画素開口部内に集光する
為、光利用効率が向上すると共に、ＴｉマスクによりＴ
ＦＴが遮光され、光電流等の発生が防止される。また本
製造方法に於てはＴｉマスクを除去する必要がない為、
工程が簡略化される。更に本実施例に於てはマイクロレ
ンズとＴＦＴの形成がモノシリックに行われる為、マイ
クロレンズ及びＴｉマスクとＴＦＴ及び画素開口部との
アライメントをより高精度に行うことが可能になる。
表示パネルは、図中矢印で示されたように照明光束をマ
イクロレンズにより効率良く画素開口部内に集光する
為、光利用効率が向上すると共に、ＴｉマスクによりＴ
ＦＴが遮光され、光電流等の発生が防止される。また本
製造方法に於てはＴｉマスクを除去する必要がない為、
工程が簡略化される。更に本実施例に於てはマイクロレ
ンズとＴＦＴの形成がモノシリックに行われる為、マイ
クロレンズ及びＴｉマスクとＴＦＴ及び画素開口部との
アライメントをより高精度に行うことが可能になる。
【００３７】図８に第７の実施例を示す。これまでの実
施例と同様の作用を有するものは同じ番号を付した。
施例と同様の作用を有するものは同じ番号を付した。
【００３８】１０５はマイクロレンズ形成用Ｔｉマスク
であり、マイクロレンズ１０４は図のように対抗ガラス
基板１０１内に埋め込まれて形成されている。本パネル
の製造は以下の工程によって行った。 １．Ｎａ含有ガラス基板１０１にスパッタリング法また
は蒸着法、及びフォトリソグラフィーにて１〜２μｍ厚
のＴｉ膜マスクパターン１０５を形成する。 ２．タリウム含有溶融塩中でイオン交換する（レンズ形
成）。 ３．温湯により洗浄する。 ４．タリウムを含まないＮａ含有溶融塩中でイオン交換
する（レンズ埋め込み）。 ５．温湯により洗浄する。 ６．絶縁層となる２μｍ厚のＳｉＯ2 層１０６をスパッ
タリング法により形成する。 ７．０．２μｍ厚のＩＴＯからなる対抗電極２１４を形
成する。 ８．配向膜２１３を形成し、ラビング処理を施す。 ９．上記１〜８の工程で形成された対抗基板と、通常の
方法によりＴＦＴ１０７、画素電極２１１及び配向膜２
１３等が形成されたＴＦＴ基板とをギャップ剤を介して
セル化する。この際ＴｉマスクのパターンがＴＦＴの真
上にくるように位置合わせする。 １０．液晶１０３を注入して封口する。ここで、工程４
のレンズ埋め込みについてはその埋め込み深さがレンズ
の焦点距離に等しくなるようにイオン時間を設定してい
る。
であり、マイクロレンズ１０４は図のように対抗ガラス
基板１０１内に埋め込まれて形成されている。本パネル
の製造は以下の工程によって行った。 １．Ｎａ含有ガラス基板１０１にスパッタリング法また
は蒸着法、及びフォトリソグラフィーにて１〜２μｍ厚
のＴｉ膜マスクパターン１０５を形成する。 ２．タリウム含有溶融塩中でイオン交換する（レンズ形
成）。 ３．温湯により洗浄する。 ４．タリウムを含まないＮａ含有溶融塩中でイオン交換
する（レンズ埋め込み）。 ５．温湯により洗浄する。 ６．絶縁層となる２μｍ厚のＳｉＯ2 層１０６をスパッ
タリング法により形成する。 ７．０．２μｍ厚のＩＴＯからなる対抗電極２１４を形
成する。 ８．配向膜２１３を形成し、ラビング処理を施す。 ９．上記１〜８の工程で形成された対抗基板と、通常の
方法によりＴＦＴ１０７、画素電極２１１及び配向膜２
１３等が形成されたＴＦＴ基板とをギャップ剤を介して
セル化する。この際ＴｉマスクのパターンがＴＦＴの真
上にくるように位置合わせする。 １０．液晶１０３を注入して封口する。ここで、工程４
のレンズ埋め込みについてはその埋め込み深さがレンズ
の焦点距離に等しくなるようにイオン時間を設定してい
る。
【００３９】このようにして製造された本実施例の液晶
表示パネルは、図中矢印で示されたように照明光束をマ
イクロレンズにより効率良く画素開口部内に集光する
為、光利用効率が向上すると共に、ＴｉマスクによりＴ
ＦＴが遮光され、光電流等の発生が防止される。また本
製造方法に於てはＴｉマスクを除去する必要がない為、
工程が簡略化される。
表示パネルは、図中矢印で示されたように照明光束をマ
イクロレンズにより効率良く画素開口部内に集光する
為、光利用効率が向上すると共に、ＴｉマスクによりＴ
ＦＴが遮光され、光電流等の発生が防止される。また本
製造方法に於てはＴｉマスクを除去する必要がない為、
工程が簡略化される。
【００４０】各実施例に於てＴＦＴについてはａ−Ｓ
ｉ、ｐ−Ｓｉ等ガラス基板上に形成できるものであれ
ば、どのようなものについても対応可能である。また、
マイクロレンズ形成イオン種、マスク材料、イオン遮断
層の材料等は上述したものに限定される訳ではなく、本
発明の主旨を満たすものであれば何を用いても構わな
い。
ｉ、ｐ−Ｓｉ等ガラス基板上に形成できるものであれ
ば、どのようなものについても対応可能である。また、
マイクロレンズ形成イオン種、マスク材料、イオン遮断
層の材料等は上述したものに限定される訳ではなく、本
発明の主旨を満たすものであれば何を用いても構わな
い。
【００４１】本発明は以上示した様に、マイクロレンズ
アレイと組み合わせた液晶表示パネルに適用した時が最
も有用である。マイクロレンスアレイによって光利用効
率を上げる時、最も効果を高くする為に画素サイズ、マ
イクロレンズの焦点距離等の満たすべき関係は特願平３
−２４８０５６に開示されている。それによるとＨＤＴ
Ｖに対応する為に画素密度を高くすると、マイクロレン
ズの位置を液晶層により近づける必要が生じる。その場
合、ＴＦＴとマイクロレンズアレイを含むアルカリガラ
ス基板の間に従来例で示した様な、厚い無アルカリガラ
ス基板を挟むことが不可能になるからである。
アレイと組み合わせた液晶表示パネルに適用した時が最
も有用である。マイクロレンスアレイによって光利用効
率を上げる時、最も効果を高くする為に画素サイズ、マ
イクロレンズの焦点距離等の満たすべき関係は特願平３
−２４８０５６に開示されている。それによるとＨＤＴ
Ｖに対応する為に画素密度を高くすると、マイクロレン
ズの位置を液晶層により近づける必要が生じる。その場
合、ＴＦＴとマイクロレンズアレイを含むアルカリガラ
ス基板の間に従来例で示した様な、厚い無アルカリガラ
ス基板を挟むことが不可能になるからである。
【００４２】図９はこれまでに説明した本発明の液晶表
示装置パネルを投写表示装置に適用した実施例を示した
ものである。
示装置パネルを投写表示装置に適用した実施例を示した
ものである。
【００４３】メタルハライドランプ等の光源８０１から
発した光束は回転放物面状のリフレクタ８０２でほぼ平
行な照明光束として出射される。上記照明光束は不要な
赤外・紫外光を除去するカットフィルタ８０３を経て、
前後に偏光子８０４、検光子８０６を配した液晶表示パ
ネル８０５を照明する。液晶表示パネル８０５は表示信
号に従って照明光束を変調し、表示像情報を含む光束を
得、投写レンズ８０７で不図示のスクリーン上へ投影表
示される。
発した光束は回転放物面状のリフレクタ８０２でほぼ平
行な照明光束として出射される。上記照明光束は不要な
赤外・紫外光を除去するカットフィルタ８０３を経て、
前後に偏光子８０４、検光子８０６を配した液晶表示パ
ネル８０５を照明する。液晶表示パネル８０５は表示信
号に従って照明光束を変調し、表示像情報を含む光束を
得、投写レンズ８０７で不図示のスクリーン上へ投影表
示される。
【００４４】尚、リフレクタ８０２は回転楕円面状の反
射鏡とコンデンサーレンズの組み合わせなど、略平行光
が得られるものならどのようなものでも構わない。
射鏡とコンデンサーレンズの組み合わせなど、略平行光
が得られるものならどのようなものでも構わない。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、第１、第
２の基板と、該第１、第２の基板間に挟持された液晶層
と、該第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタを駆動する為の配線と、前記液晶層
の液晶分子を配向せしめる配向膜とからなる液晶表示パ
ネルに於て、前記第１基板はアルカリイオンを含むガラ
ス基板であり、前記第１基板上に前記第１基板からのア
ルカリイオンが前記薄膜トランジスタに侵入するのを防
止するイオン遮断層を、前記薄膜トランジスタの形成位
置に対応させて選択的に設け、前記イオン遮断層の上に
前記薄膜トランジスタを設けたので、アルカリイオンを
含むガラス基板からＴＦＴのチャネル部つまりソース及
びドレイン電極とゲート電極間の層、特にａ−Ｓｉまた
はｐ−Ｓｉ層へのイオン浸透を防止して、ＴＦＴの機能
を良好に保つことができる。また、屈折率分布型マイク
ロレンズアレイを形成する際に用いるイオン交換遮断マ
スクを、ＴＦＴのゲートのイオン遮断層や、光電流発生
防止の為の遮光マスクとしてそのまま用いれば、前記イ
オン交換遮断マスクを除去する必要がない為、工程が簡
略化される。更にマイクロレンズとＴＦＴの形成がモノ
シリックに行うことが可能な為、マイクロレンズ及び遮
光マスク（イオン遮断層）とＴＦＴ及び画素開口部との
アライメントをより高精度に行うことが可能になる。
２の基板と、該第１、第２の基板間に挟持された液晶層
と、該第１の基板上に形成された薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタを駆動する為の配線と、前記液晶層
の液晶分子を配向せしめる配向膜とからなる液晶表示パ
ネルに於て、前記第１基板はアルカリイオンを含むガラ
ス基板であり、前記第１基板上に前記第１基板からのア
ルカリイオンが前記薄膜トランジスタに侵入するのを防
止するイオン遮断層を、前記薄膜トランジスタの形成位
置に対応させて選択的に設け、前記イオン遮断層の上に
前記薄膜トランジスタを設けたので、アルカリイオンを
含むガラス基板からＴＦＴのチャネル部つまりソース及
びドレイン電極とゲート電極間の層、特にａ−Ｓｉまた
はｐ−Ｓｉ層へのイオン浸透を防止して、ＴＦＴの機能
を良好に保つことができる。また、屈折率分布型マイク
ロレンズアレイを形成する際に用いるイオン交換遮断マ
スクを、ＴＦＴのゲートのイオン遮断層や、光電流発生
防止の為の遮光マスクとしてそのまま用いれば、前記イ
オン交換遮断マスクを除去する必要がない為、工程が簡
略化される。更にマイクロレンズとＴＦＴの形成がモノ
シリックに行うことが可能な為、マイクロレンズ及び遮
光マスク（イオン遮断層）とＴＦＴ及び画素開口部との
アライメントをより高精度に行うことが可能になる。
【図１】本発明の実施例を示す液晶表示装置パネルの断
面図
面図
【図２】本発明の実施例のＴＦＴ部分の拡大断面図
【図３】本発明の他の実施例のＴＦＴ部分の拡大断面図
【図４】本発明の他の実施例のＴＦＴ部分の拡大断面図
【図５】本発明の他の実施例のＴＦＴ部分の拡大断面図
【図６】本発明の他の実施例のＴＦＴ部分の拡大断面図
【図７】本発明の他の実施例を示す液晶表示装置パネル
の断面図
の断面図
【図８】本発明の他の実施例を示す液晶表示装置パネル
の断面図
の断面図
【図９】本発明の実施例を示す投写表示装置の概略構成
図
図
【図１０】従来の液晶表示装置の平面図
【図１１】従来のＴＦＴ部分の拡大断面図
１０１、１０２ ガラス １０３ 液晶層 １０４ マイクロレンズアレイ １０５、２０１、３０１ Ｔｉマスク １０６、２０２、２０５、２１２、４０１ 絶縁膜 １０７ ＴＦＴ ２０３、２０９、２１０ 電極 ２０７、５０１ Ｓｉ層 ２１１ 画素電極 ２１３ 液晶配向膜 ２１４ 対抗電極
Claims (8)
- 【請求項１】 第１、第２の基板と、該第１、第２の基
板間に挟持された液晶層と、該第１の基板上に形成され
た薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを駆動する
為の配線と、前記液晶層の液晶分子を配向せしめる配向
膜とからなる液晶表示パネルに於て、前記第１基板はア
ルカリイオンを含むガラス基板であり、前記第１基板か
らのアルカリイオンが前記薄膜トランジスタに侵入する
のを防ぐためのイオン遮断層を、前記第１基板上の前記
薄膜トランジスタの形成位置では他の位置に比べてイオ
ン遮断効果が高くなるように前記第１基板上に設けたこ
とを特徴とする液晶表示パネル。 - 【請求項２】 前記第１の基板は内部に、前記液晶層か
ら所定距離離れた位置に、各画素に対応して１次元或い
は２次元状に配列した屈折率分布型マイクロレンズアレ
イを有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示パ
ネル。 - 【請求項３】 前記イオン遮断層は、チタン薄膜等の遮
光性薄膜からなることを特徴とする請求項１又は２記載
の液晶表示パネル。 - 【請求項４】 前記イオン遮断層は、酸化シリコンまた
は窒化シリコン等の透光性薄膜からなることを特徴とす
る請求項１又は２記載の液晶表示パネル。 - 【請求項５】 前記イオン遮断層は、略平行光が前記屈
折率分布型マイクロレンズアレイを通過して集光する複
数の光の光路以外を覆うように設けられていることを特
徴とする請求項２、３又は４記載の液晶表示パネル。 - 【請求項６】 前記屈折率分布型マイクロレンズアレイ
を形成する際に用いるイオン交換用マスクを、前記イオ
ン遮断層として用いることを特徴とする請求項２、３、
４又は５記載の液晶表示パネルの製造方法。 - 【請求項７】 第１の基板に、遮光機能を備えたイオン
交換用マスクのパターンを形成し、イオン交換法により
前記第１の基板に屈折率分布型マイクロレンズアレイを
設け、前記第１の基板又は第２の基板上に薄膜トランジ
スタ及び該薄膜トランジスタを駆動する為の配線を形成
し、前記イオン交換用マスクが前記薄膜トランジスタの
真上に来るよう前記第１、第２基板を互いに位置合わせ
し、セル化することを特徴とする液晶表示パネルの製造
方法。 - 【請求項８】 光源と、該光源からの光を変調して画像
光を形成する液晶表示パネルと、該画像光を投影する投
影手段とを有する投写表示装置に於て、前記液晶表示パ
ネルは、第１、第２の基板と、該第１、第２の基板間に
挟持された液晶層と、該第１の基板上に形成された薄膜
トランジスタと、該薄膜トランジスタを駆動する為の配
線と、前記液晶層の液晶分子を配向せしめる配向膜とか
らなる液晶表示パネルに於て、前記第１基板はアルカリ
イオンを含むガラス基板であり、前記第１基板からのア
ルカリイオンが前記薄膜トランジスタに侵入するのを防
ぐためのイオン遮断層を、前記第１基板上の前記薄膜ト
ランジスタの形成位置では他の位置に比べてイオン遮断
効果が高くなるように前記第１基板上に設けたことを特
徴とする投写表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP579092A JPH05188398A (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 液晶表示パネル及び該液晶表示パネルを用いた投写表示装置 |
| DE69216340T DE69216340T2 (de) | 1991-09-26 | 1992-09-24 | Flüssigkristallanzeige und damit versehener Projektor |
| EP92116355A EP0534426B1 (en) | 1991-09-26 | 1992-09-24 | Liquid crystal display panel and projector utilizing the same |
| US08/924,430 US5764318A (en) | 1991-09-26 | 1997-08-27 | Liquid crystal display panel and projector utilizing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP579092A JPH05188398A (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 液晶表示パネル及び該液晶表示パネルを用いた投写表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05188398A true JPH05188398A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11620889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP579092A Pending JPH05188398A (ja) | 1991-09-26 | 1992-01-16 | 液晶表示パネル及び該液晶表示パネルを用いた投写表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05188398A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10268340A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2009020505A (ja) * | 2007-06-15 | 2009-01-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
-
1992
- 1992-01-16 JP JP579092A patent/JPH05188398A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10268340A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2009020505A (ja) * | 2007-06-15 | 2009-01-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
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