JPH05188203A - ＣａＦ２基板用反射防止膜 - Google Patents
ＣａＦ２基板用反射防止膜Info
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- JPH05188203A JPH05188203A JP4020665A JP2066592A JPH05188203A JP H05188203 A JPH05188203 A JP H05188203A JP 4020665 A JP4020665 A JP 4020665A JP 2066592 A JP2066592 A JP 2066592A JP H05188203 A JPH05188203 A JP H05188203A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 大出力・高繰り返しエキシマレーザ用光学部
品に使用でき、かつ光学部品が高温環境の下でも使用で
きる十分な耐熱性を有し、製作時の膜厚制御性が緩やか
で層数の少ないＣaＦ2基板用反射防止膜を提供する。 【構成】 光学研磨したＣaＦ2基板上に、第１層目にＭ
gＯ膜を、第２層目にＳiＯ2膜を順次形成し、その時の
光学的膜厚をそれぞれ0.33λ〜0.38λ，0.19λ〜0.21λ
の範囲（ただし、λは中心波長）に選定した二層構造に
形成する。また、第１層目に低屈折率物質としてＳiＯ2
膜、第２層目に高屈折率物質としてＭgＯ膜、第３層目
に低屈折率物質としてＳiＯ2膜を順次形成し、それぞれ
の光学的膜厚を、0.23λ〜0.27λ，0.35λ〜0.40λおよ
び0.18λ〜0.20λの範囲に選定した三層構造に形成す
る。
品に使用でき、かつ光学部品が高温環境の下でも使用で
きる十分な耐熱性を有し、製作時の膜厚制御性が緩やか
で層数の少ないＣaＦ2基板用反射防止膜を提供する。 【構成】 光学研磨したＣaＦ2基板上に、第１層目にＭ
gＯ膜を、第２層目にＳiＯ2膜を順次形成し、その時の
光学的膜厚をそれぞれ0.33λ〜0.38λ，0.19λ〜0.21λ
の範囲（ただし、λは中心波長）に選定した二層構造に
形成する。また、第１層目に低屈折率物質としてＳiＯ2
膜、第２層目に高屈折率物質としてＭgＯ膜、第３層目
に低屈折率物質としてＳiＯ2膜を順次形成し、それぞれ
の光学的膜厚を、0.23λ〜0.27λ，0.35λ〜0.40λおよ
び0.18λ〜0.20λの範囲に選定した三層構造に形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大出力・高繰り返しエ
キシマレーザをはじめとする紫外用光学機器に使用され
る光学部品（ウインドウ、レンズ、ビームスプリッタ
等）の素材であるＣaＦ2基板用の反射防止膜に関する。
キシマレーザをはじめとする紫外用光学機器に使用され
る光学部品（ウインドウ、レンズ、ビームスプリッタ
等）の素材であるＣaＦ2基板用の反射防止膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体多層膜は、赤外および可視、紫外
の各種レーザ用光学部品等（全反射鏡、ビームスプリッ
タ、レンズ、窓材等）に用いられているが、目標とする
透過特性もしくは反射特性を得るために、光学基板表面
上に誘電体物質を真空蒸着法等で積層し、反射防止膜や
部分反射膜あるいは高反射膜を形成することは、一般技
術として知られているが（例えば、久保田他編「光学技
術ハンドブック」）、従来の可視用カメラレンズ等に用
いられている反射防止膜は、ほとんどの場合、紫外領域
において吸収があり、これらの反射防止膜用誘電体多層
膜材料をそのままエキシマレーザ等の紫外領域に適用す
ることはできない。使用する波長領域において光学特性
の良い誘電体多層膜材料を選出して使用する必要があ
る。
の各種レーザ用光学部品等（全反射鏡、ビームスプリッ
タ、レンズ、窓材等）に用いられているが、目標とする
透過特性もしくは反射特性を得るために、光学基板表面
上に誘電体物質を真空蒸着法等で積層し、反射防止膜や
部分反射膜あるいは高反射膜を形成することは、一般技
術として知られているが（例えば、久保田他編「光学技
術ハンドブック」）、従来の可視用カメラレンズ等に用
いられている反射防止膜は、ほとんどの場合、紫外領域
において吸収があり、これらの反射防止膜用誘電体多層
膜材料をそのままエキシマレーザ等の紫外領域に適用す
ることはできない。使用する波長領域において光学特性
の良い誘電体多層膜材料を選出して使用する必要があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高・低
屈折率物質として用いられる多くの酸化物は、抵抗加熱
法や電子ビーム蒸着法等の従来の蒸着方法や条件によっ
て熱分解が起こり低級酸化物に移行し、その結果、吸収
の増加をもたらし、さらに屈折率や密度等の光学および
物理定数が大きく変化する。また、紫外線領域から赤外
線領域までの広範囲にわたり光学的に透明であり製作が
容易な弗化マグネシウム（以下ＭgＦ2と記す）が、反射
防止膜用の低屈折率物質として多く用いられているが、
ＭgＦ2膜の吸湿性によりレーザ光照射に伴い吸収熱が増
大することで、照射部分のＭgＦ2膜が劣化し、透過率が
大きく低下してしまうという課題を有していた。
屈折率物質として用いられる多くの酸化物は、抵抗加熱
法や電子ビーム蒸着法等の従来の蒸着方法や条件によっ
て熱分解が起こり低級酸化物に移行し、その結果、吸収
の増加をもたらし、さらに屈折率や密度等の光学および
物理定数が大きく変化する。また、紫外線領域から赤外
線領域までの広範囲にわたり光学的に透明であり製作が
容易な弗化マグネシウム（以下ＭgＦ2と記す）が、反射
防止膜用の低屈折率物質として多く用いられているが、
ＭgＦ2膜の吸湿性によりレーザ光照射に伴い吸収熱が増
大することで、照射部分のＭgＦ2膜が劣化し、透過率が
大きく低下してしまうという課題を有していた。
【０００４】このように、従来の多層膜形成方法および
多層膜材料を用いて作製したレ−ザ用光学部品は耐光力
が低く、使用できるパワーレベルは、高々100Ｗ程度で
ある。また、破壊までに至らなくとも吸収光により発生
した熱により、膜の屈折率や密度が変わってスペクトル
が大きく変化するという課題を有していた。
多層膜材料を用いて作製したレ−ザ用光学部品は耐光力
が低く、使用できるパワーレベルは、高々100Ｗ程度で
ある。また、破壊までに至らなくとも吸収光により発生
した熱により、膜の屈折率や密度が変わってスペクトル
が大きく変化するという課題を有していた。
【０００５】さらに、紫外線領域の出力光を発生する代
表的なエキシマレーザの出力が２KW、繰り返し数が１KH
zともなると、使用する光学部品にとっては、パルスレ
ーザであるはずのエキシマレーザ光でも連続光と同様な
熱損傷を受ける。それに加えて、従来より１桁以上高い
レーザ光が照射されることにより、光学部品にとって僅
かな吸収でも発生する熱が問題となる。
表的なエキシマレーザの出力が２KW、繰り返し数が１KH
zともなると、使用する光学部品にとっては、パルスレ
ーザであるはずのエキシマレーザ光でも連続光と同様な
熱損傷を受ける。それに加えて、従来より１桁以上高い
レーザ光が照射されることにより、光学部品にとって僅
かな吸収でも発生する熱が問題となる。
【０００６】特に、ビーム照射部位の温度上昇が激しく
なって局所加熱が発生する。その結果、最初に光学部品
を構成している中で、一番熱に弱い多層膜部分の破壊が
起こり、次に基板等の熱変形が発生し、最後には光学部
品そのものが破壊されるという課題も有していた。具体
的には、従来法で作製され多層膜は300℃加熱でスペク
トルが大幅に変化するという課題を有していた。
なって局所加熱が発生する。その結果、最初に光学部品
を構成している中で、一番熱に弱い多層膜部分の破壊が
起こり、次に基板等の熱変形が発生し、最後には光学部
品そのものが破壊されるという課題も有していた。具体
的には、従来法で作製され多層膜は300℃加熱でスペク
トルが大幅に変化するという課題を有していた。
【０００７】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するために考えられたもので、大出力・高繰り返し
エキシマレーザ用光学部品に使用でき、かつ、光学部品
が高温に曝されるような環境の下でも使用できる十分な
耐熱性を有した、ＣaＦ2基板用の反射防止膜を提供する
ことを目的とするものである。
解決するために考えられたもので、大出力・高繰り返し
エキシマレーザ用光学部品に使用でき、かつ、光学部品
が高温に曝されるような環境の下でも使用できる十分な
耐熱性を有した、ＣaＦ2基板用の反射防止膜を提供する
ことを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、光学研磨された弗化カルシュウム（Ｃa
Ｆ2）基板上に、低屈折率物質として二酸化珪素（ＳiＯ
2）膜、高屈折率物質として酸化マグネシュウム（Ｍg
Ｏ）膜を二層もしくは三層構造となるように、それぞれ
の膜を順次形成したものである。
に、本発明は、光学研磨された弗化カルシュウム（Ｃa
Ｆ2）基板上に、低屈折率物質として二酸化珪素（ＳiＯ
2）膜、高屈折率物質として酸化マグネシュウム（Ｍg
Ｏ）膜を二層もしくは三層構造となるように、それぞれ
の膜を順次形成したものである。
【０００９】
【作用】本発明は前記形成方法により、低級酸化物に移
行しやすい低屈折物質である二酸化珪素（ＳiＯ2）膜を
形成する場合のみスパッタリング用不活性ガスに酸素ガ
スを注入することにより、膜の低級酸化物化を抑制して
低吸収率化を図り、さらに高・低屈折率物質に吸湿性の
ない酸化物（高：ＭgＯ、低：ＳiＯ2）を用い、屈折率
や密度等の光学および物理定数を安定化することで、大
出力・高繰り返しエキシマレーザ用光学部品に使用で
き、かつ、光学部品が高温に曝されるような環境の下で
も使用できる十分な耐熱性を有するＣaＦ2基板用反射防
止膜を得ることができる。
行しやすい低屈折物質である二酸化珪素（ＳiＯ2）膜を
形成する場合のみスパッタリング用不活性ガスに酸素ガ
スを注入することにより、膜の低級酸化物化を抑制して
低吸収率化を図り、さらに高・低屈折率物質に吸湿性の
ない酸化物（高：ＭgＯ、低：ＳiＯ2）を用い、屈折率
や密度等の光学および物理定数を安定化することで、大
出力・高繰り返しエキシマレーザ用光学部品に使用で
き、かつ、光学部品が高温に曝されるような環境の下で
も使用できる十分な耐熱性を有するＣaＦ2基板用反射防
止膜を得ることができる。
【００１０】
（実施例１）本発明のＣaＦ2基板用反射防止膜の第１実
施例について図面を参照しながら説明する。図１は本発
明の一実施例におけるＣaＦ2基板の片面のみに三層反射
防止膜を形成した場合の断面図である。
施例について図面を参照しながら説明する。図１は本発
明の一実施例におけるＣaＦ2基板の片面のみに三層反射
防止膜を形成した場合の断面図である。
【００１１】図１に示すように、光学研磨されたＣaＦ2
基板１の片面に、この基板１に接する第１層目の低屈折
率物質としての二酸化珪素（ＳiＯ2）膜２を、光学的膜
厚（ｎｄ）が0.25λ（λが248ｎｍのＫｒＦの場合では6
2ｎｍ）となるように形成し、その上に、第２層目の高
屈折率物質としての酸化マグネシュウム（ＭgＯ）膜３
を、光学的膜厚（ｎｄ）が0.375λ（λが248ｎｍのＫr
Ｆの場合では93ｎｍ）となるように形成し、その上
に、、第３層目の低屈折率物質としての二酸化珪素（Ｓ
iＯ2）膜４を、光学的膜厚（ｎｄ）が0.19λ（λが248
ｎｍのＫrＦの場合では47ｎｍ）となるように形成す
る。
基板１の片面に、この基板１に接する第１層目の低屈折
率物質としての二酸化珪素（ＳiＯ2）膜２を、光学的膜
厚（ｎｄ）が0.25λ（λが248ｎｍのＫｒＦの場合では6
2ｎｍ）となるように形成し、その上に、第２層目の高
屈折率物質としての酸化マグネシュウム（ＭgＯ）膜３
を、光学的膜厚（ｎｄ）が0.375λ（λが248ｎｍのＫr
Ｆの場合では93ｎｍ）となるように形成し、その上
に、、第３層目の低屈折率物質としての二酸化珪素（Ｓ
iＯ2）膜４を、光学的膜厚（ｎｄ）が0.19λ（λが248
ｎｍのＫrＦの場合では47ｎｍ）となるように形成す
る。
【００１２】図３は、図１に示した反射防止膜の第１層
目の低屈折率物質としての二酸化珪素（ＳiＯ2）膜２に
ついてのみλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）とした場合に
おける光学的膜厚（ｎｄ）62ｎｍのみを±７％変化させ
た場合の分光反射率特性計算結果を示す。
目の低屈折率物質としての二酸化珪素（ＳiＯ2）膜２に
ついてのみλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）とした場合に
おける光学的膜厚（ｎｄ）62ｎｍのみを±７％変化させ
た場合の分光反射率特性計算結果を示す。
【００１３】図４は、図１に示した反射防止膜の第２層
目の高屈折率物質としての酸化マグネシュウム（Ｍg
Ｏ）膜３についてのみλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）と
した場合における光学的膜厚（ｎｄ）93ｎｍのみを±７
％変化させた場合の分光反射率特性計算結果を示す。
目の高屈折率物質としての酸化マグネシュウム（Ｍg
Ｏ）膜３についてのみλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）と
した場合における光学的膜厚（ｎｄ）93ｎｍのみを±７
％変化させた場合の分光反射率特性計算結果を示す。
【００１４】図５は、図１に示した反射防止膜の第３層
目の低屈折率物質としての二酸化珪素（ＳiＯ2）膜４に
ついてのみλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）とした場合に
おける光学的膜厚（ｎｄ）47ｎｍのみを±７％膜厚を変
化させた場合の分光反射率特性計算結果を示す。
目の低屈折率物質としての二酸化珪素（ＳiＯ2）膜４に
ついてのみλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）とした場合に
おける光学的膜厚（ｎｄ）47ｎｍのみを±７％膜厚を変
化させた場合の分光反射率特性計算結果を示す。
【００１５】図６は、図１に示した反射防止膜の全ての
層についてλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）とした場合に
おけるそれぞれの光学的膜厚（ｎｄ）を±７％変化させ
た場合の分光反射率特性計算結果を示す。
層についてλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）とした場合に
おけるそれぞれの光学的膜厚（ｎｄ）を±７％変化させ
た場合の分光反射率特性計算結果を示す。
【００１６】マグネトロン・スパッタリング法を用い、
低屈折率物質であるＳiＯ2膜の形成時のみアルゴンガス
に酸素ガスを１０％注入しながら形成し、高屈折率物質
には吸湿性のない酸化マグネシュウム（ＭgＯ）膜を用
い、光学的膜厚を±７％変化させた場合でも、図３〜図
６の特性曲線より明らかなように、反射率が0.5％以下
の反射防止特性の優れた反射防止膜が得られ、しかも吸
収が少なく高耐熱性が期待できる。
低屈折率物質であるＳiＯ2膜の形成時のみアルゴンガス
に酸素ガスを１０％注入しながら形成し、高屈折率物質
には吸湿性のない酸化マグネシュウム（ＭgＯ）膜を用
い、光学的膜厚を±７％変化させた場合でも、図３〜図
６の特性曲線より明らかなように、反射率が0.5％以下
の反射防止特性の優れた反射防止膜が得られ、しかも吸
収が少なく高耐熱性が期待できる。
【００１７】（実施例２）本発明のＣaＦ2基板用反射防
止膜の第２実施例について図面を参照しながら説明す
る。
止膜の第２実施例について図面を参照しながら説明す
る。
【００１８】図２は、ＣaＦ2基板用２層反射防止膜１の
片面のみに膜形成した場合の断面を示した図であり、光
学研磨されたＣaＦ2基板１の片面に、この基板１に接す
る第１層目の高屈折率物質としての酸化マグネシュウム
（ＭgＯ）膜５を、光学的膜厚（ｎｄ）が0.355λ（λが
248ｎｍのＫrＦの場合では88ｎｍ）となるように形成
し、その上に、第２層目の低屈折率物質としての二酸化
珪素（ＳiＯ2）膜６を、光学的膜厚（ｎｄ）が0.20λ
（λが248ｎｍのＫrＦの場合では50ｎｍ）となるように
形成する。
片面のみに膜形成した場合の断面を示した図であり、光
学研磨されたＣaＦ2基板１の片面に、この基板１に接す
る第１層目の高屈折率物質としての酸化マグネシュウム
（ＭgＯ）膜５を、光学的膜厚（ｎｄ）が0.355λ（λが
248ｎｍのＫrＦの場合では88ｎｍ）となるように形成
し、その上に、第２層目の低屈折率物質としての二酸化
珪素（ＳiＯ2）膜６を、光学的膜厚（ｎｄ）が0.20λ
（λが248ｎｍのＫrＦの場合では50ｎｍ）となるように
形成する。
【００１９】図７は、図２に示した２層反射防止膜の第
１層目の高屈折率物質としての酸化マグネシュウム（Ｍ
gＯ）膜５についてのみλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）
とした場合における光学的膜厚（ｎｄ）88ｎｍのみを±
７％変化させた場合の分光反射率特性計算結果を示す。
１層目の高屈折率物質としての酸化マグネシュウム（Ｍ
gＯ）膜５についてのみλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）
とした場合における光学的膜厚（ｎｄ）88ｎｍのみを±
７％変化させた場合の分光反射率特性計算結果を示す。
【００２０】図８は、図２に示した反射防止膜の第２層
目の低屈折率物質としての二酸化珪素（ＳiＯ2）膜６に
ついてのみλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）とした場合に
おける光学的膜厚（ｎｄ）50ｎｍのみを±７％変化させ
た場合の分光反射率特性計算結果を示す。
目の低屈折率物質としての二酸化珪素（ＳiＯ2）膜６に
ついてのみλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）とした場合に
おける光学的膜厚（ｎｄ）50ｎｍのみを±７％変化させ
た場合の分光反射率特性計算結果を示す。
【００２１】図９は、図２に示した２層反射防止膜の全
ての層５、６についてλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）と
した場合におけるそれぞれの光学的膜厚（ｎｄ）を±７
％変化させた場合の分光反射率特性計算結果を示す。
ての層５、６についてλが248ｎｍ（ＫrＦ用の場合）と
した場合におけるそれぞれの光学的膜厚（ｎｄ）を±７
％変化させた場合の分光反射率特性計算結果を示す。
【００２２】これらの図７〜図９の特性曲線より明らか
なように、光学的膜厚を±７％変化させても実施例１で
説明したものと同様な反射防止特性および吸収が少なく
高耐熱性を有していることは言うまでもない。
なように、光学的膜厚を±７％変化させても実施例１で
説明したものと同様な反射防止特性および吸収が少なく
高耐熱性を有していることは言うまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上の実施例に基づく説明から明らかな
ように、本発明は、ＳiＯ2膜を形成する場合にのみ不活
性がスに酸素ガスを注入することにより、ＳiＯ2膜の低
級酸化物への移行を抑制し低吸収率化を図り、さらに吸
湿性がなく高融点酸化物であるＭgＯ膜を高屈折率物質
に用い、夫々の光学的膜厚を±７％の範囲内に制御する
だけで希望の中心波長に対して0.5％以下の反射率が得
られ、しかも層数が少なく膜の屈折率や密度、ストレス
等の光学および物理定数を安定化することができ、その
結果、耐光力が向上し大出力・高繰り返しエキシマレー
ザ用光学部品に使用でき、かつ光学部品が高温に曝され
るような環境の下でも使用できる十分な耐熱性を有する
ＣaＦ2基板用反射防止膜を得ることができるので、その
効果は大である。
ように、本発明は、ＳiＯ2膜を形成する場合にのみ不活
性がスに酸素ガスを注入することにより、ＳiＯ2膜の低
級酸化物への移行を抑制し低吸収率化を図り、さらに吸
湿性がなく高融点酸化物であるＭgＯ膜を高屈折率物質
に用い、夫々の光学的膜厚を±７％の範囲内に制御する
だけで希望の中心波長に対して0.5％以下の反射率が得
られ、しかも層数が少なく膜の屈折率や密度、ストレス
等の光学および物理定数を安定化することができ、その
結果、耐光力が向上し大出力・高繰り返しエキシマレー
ザ用光学部品に使用でき、かつ光学部品が高温に曝され
るような環境の下でも使用できる十分な耐熱性を有する
ＣaＦ2基板用反射防止膜を得ることができるので、その
効果は大である。
【図１】本発明の第１実施例における三層構造のＣaＦ2
基板用反射防止膜を示す断面図、
基板用反射防止膜を示す断面図、
【図２】本発明の第２実施例における二層構造のＣaＦ2
基板用反射防止膜を示す断面図、
基板用反射防止膜を示す断面図、
【図３】本発明の第１実施例における第１層目のＳiＯ2
の光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存特性
の計算結果を示す図、
の光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存特性
の計算結果を示す図、
【図４】本発明の第１実施例における第２層目のＭgＯ
の光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存特性
の計算結果を示す図、
の光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存特性
の計算結果を示す図、
【図５】本発明の第１実施例における第３層目のＳiＯ2
の光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存特性
の計算結果を示す図。
の光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存特性
の計算結果を示す図。
【図６】本発明の第１実施例における３層のすべてを同
時に設定値より光学的膜厚を７％増減した場合の反射率
波長依存特性の計算結果を示す図、
時に設定値より光学的膜厚を７％増減した場合の反射率
波長依存特性の計算結果を示す図、
【図７】本発明の第２実施例における第１層目のＭgＯ
の光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存特性
の計算結果を示す図、
の光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存特性
の計算結果を示す図、
【図８】本発明の第２実施例における第２層目のＳiＯ2
の光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存特性
の計算結果を示す図、
の光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存特性
の計算結果を示す図、
【図９】本発明の第２実施例における２層を同時に設定
値より光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存
特性の計算結果を示す図である。
値より光学的膜厚を７％増減した場合の反射率波長依存
特性の計算結果を示す図である。
１ ＣaＦ2基板 ３、５ ＭgＯ膜 ２、４、６ ＳiＯ2膜
Claims (6)
- 【請求項１】 光学研磨された弗化カルシュウム（Ｃa
Ｆ2）基板上の片面もしくは両面に、基板に接する第１
の層に高屈折率物質として酸化マグネシュウム（Ｍg
Ｏ）膜、第２の層に低屈折率物質として二酸化珪素（Ｓ
iＯ2）膜を順次形成したことを特徴とする二層構造のＣ
aＦ2基板用反射防止膜。 - 【請求項２】 第１層目の酸化マグネシュウム（Ｍg
Ｏ）膜、第２層目の二酸化珪素（ＳiＯ2）膜の光学的膜
厚（ｎｄ）を、それぞれ0.33λ〜0.38λ、0.19λ〜0.21
λ（ただしλは設計中心波長）に選定したことを特徴と
する請求項１に記載のＣaＦ2基板用反射防止膜。 - 【請求項３】 光学研磨された弗化カルシュウム（Ｃa
Ｆ2）基板上の片面もしくは両面に、基板に接する第１
の層に低屈折率物質として二酸化珪素（ＳiＯ2）膜、第
２の層に高屈折率物質として酸化マグネシュウム（Ｍg
Ｏ）膜、第３の層に低屈折率物質として二酸化珪素（Ｓ
iＯ2）膜を順次形成したことを特徴とする三層構造のＣ
ａＦ2 基板用反射防止膜。 - 【請求項４】 第１層目の二酸化珪素（ＳiＯ2）膜、第
２層目の酸化マグネシュウム（ＭgＯ）膜および第３層
目の二酸化珪素（ＳiＯ2）膜の光学的膜厚（ｎｄ）の値
を、それぞれ0.23λ〜0.27λ、0.35λ〜0.40λおよび0.
18λ〜0.20λに選定したことを特徴とする請求項３に記
載のＣaＦ2基板用反射防止膜。 - 【請求項５】 膜の形成方法がマグネトロン・スパッタ
リング法を用いたことを特徴とする請求項１および請求
項３に記載のＣaＦ2基板用反射防止膜。 - 【請求項６】 膜形成前の基板表面のクリーニングにお
いて、膜形成時のスパッタリング中の真空度より高真空
度下で不活性ガスを用いたイオンによるクリーニングを
行なうことを特徴とする請求項５に記載のＣaＦ2基板用
反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4020665A JPH05188203A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | ＣａＦ２基板用反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4020665A JPH05188203A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | ＣａＦ２基板用反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05188203A true JPH05188203A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12033497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4020665A Pending JPH05188203A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | ＣａＦ２基板用反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05188203A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001035125A1 (fr) * | 1999-11-05 | 2001-05-17 | Asahi Glass Company, Limited | Base antireflet pour zones d'ultraviolet et d'ultraviolet extreme |
| US6261696B1 (en) | 1996-03-22 | 2001-07-17 | Canon Kabushika Kaisha | Optical element with substrate containing fluorite as main ingredient, and method and apparatus for producing the optical element |
| WO2004059750A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Japan Science And Technology Agency | 発光素子装置、受光素子装置、光学装置、フッ化物結晶、フッ化物結晶の製造方法、およびルツボ |
| US6833949B2 (en) | 2000-04-07 | 2004-12-21 | Corning Incorporated | Film coated optical lithography elements and method of making |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP4020665A patent/JPH05188203A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261696B1 (en) | 1996-03-22 | 2001-07-17 | Canon Kabushika Kaisha | Optical element with substrate containing fluorite as main ingredient, and method and apparatus for producing the optical element |
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| US6628456B2 (en) | 1999-11-05 | 2003-09-30 | Asahi Glass Company, Limited | Ultraviolet and vacuum ultraviolet antireflection substrate |
| US6829084B2 (en) | 1999-11-05 | 2004-12-07 | Asahi Glass Company, Limited | Ultraviolet and vacuum ultraviolet antireflection substrate |
| US6833949B2 (en) | 2000-04-07 | 2004-12-21 | Corning Incorporated | Film coated optical lithography elements and method of making |
| WO2004059750A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Japan Science And Technology Agency | 発光素子装置、受光素子装置、光学装置、フッ化物結晶、フッ化物結晶の製造方法、およびルツボ |
| JPWO2004059750A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2006-05-11 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 発光素子装置、受光素子装置、光学装置、フッ化物結晶、フッ化物結晶の製造方法、およびルツボ |
| US7696690B2 (en) | 2002-12-25 | 2010-04-13 | Japan Science And Technolgoy Agency | Short-wavelength light-emitting element arranged in a container with a window having a window board formed of a calcium fluoride crystals |
| JP4834198B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2011-12-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 発光素子装置、受光素子装置、光学装置、フッ化物結晶 |
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