JPH05175562A - ジョセフソン集積回路装置の製造方法 - Google Patents
ジョセフソン集積回路装置の製造方法Info
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- JPH05175562A JPH05175562A JP3342828A JP34282891A JPH05175562A JP H05175562 A JPH05175562 A JP H05175562A JP 3342828 A JP3342828 A JP 3342828A JP 34282891 A JP34282891 A JP 34282891A JP H05175562 A JPH05175562 A JP H05175562A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ジョセフソン集積回路装置の製造方法に関
し、製造工程を低減し、超伝導体層と抵抗体層との間の
接触抵抗が低く、抵抗体が安定した抵抗値を有し、信頼
性が高いジョセフソン集積回路装置を提供する。 【構成】 基板１の上に抵抗体となる金属層２（Ｚｒ，
Ｈｆ，Ａｌ等）と、この金属と同じかそれとは異なる金
属の耐酸化性の超伝導性窒化物層３（ＮｂＮ等）を堆積
して２層構造を形成する工程と、この２層構造体の抵抗
体となる金属層２と超伝導性窒化物層の３層に対して所
定の抵抗体を得るためのパターニングを行う工程と、パ
ターニングされた抵抗体となる金属層２と超伝導性窒化
物層３の上に超伝導回路を形成するための超伝導体層５
（Ｎｂ等）を形成する工程と、この超伝導体層５と超伝
導性窒化物層３の２層に対して、抵抗体となる金属層２
をエッチングストップ層として所定の回路パターニング
を行う工程を採用する。
し、製造工程を低減し、超伝導体層と抵抗体層との間の
接触抵抗が低く、抵抗体が安定した抵抗値を有し、信頼
性が高いジョセフソン集積回路装置を提供する。 【構成】 基板１の上に抵抗体となる金属層２（Ｚｒ，
Ｈｆ，Ａｌ等）と、この金属と同じかそれとは異なる金
属の耐酸化性の超伝導性窒化物層３（ＮｂＮ等）を堆積
して２層構造を形成する工程と、この２層構造体の抵抗
体となる金属層２と超伝導性窒化物層の３層に対して所
定の抵抗体を得るためのパターニングを行う工程と、パ
ターニングされた抵抗体となる金属層２と超伝導性窒化
物層３の上に超伝導回路を形成するための超伝導体層５
（Ｎｂ等）を形成する工程と、この超伝導体層５と超伝
導性窒化物層３の２層に対して、抵抗体となる金属層２
をエッチングストップ層として所定の回路パターニング
を行う工程を採用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ジョセフソン集積回路
装置の製造方法に関する。ジョセフソン集積回路装置
は、高速、低消費電力および高磁界感度を有することを
特徴とし、将来の高速コンピュータあるいは生体磁気測
定への応用が注目されている。
装置の製造方法に関する。ジョセフソン集積回路装置
は、高速、低消費電力および高磁界感度を有することを
特徴とし、将来の高速コンピュータあるいは生体磁気測
定への応用が注目されている。
【０００２】
【従来の技術】ジョセフソン集積回路装置の構成要素と
しては、少なくとも、ジョセフソン接合を形成するため
の超伝導回路と抵抗体の２つがあり、抵抗体を超伝導回
路に接続することが必要である。従来、ジョセフソン集
積回路装置用抵抗体としてはモリブデン（Ｍｏ）が用い
られ、基板上に形成されたＭｏ薄膜を所定形状にパター
ニングすることによって形成されていた。
しては、少なくとも、ジョセフソン接合を形成するため
の超伝導回路と抵抗体の２つがあり、抵抗体を超伝導回
路に接続することが必要である。従来、ジョセフソン集
積回路装置用抵抗体としてはモリブデン（Ｍｏ）が用い
られ、基板上に形成されたＭｏ薄膜を所定形状にパター
ニングすることによって形成されていた。
【０００３】図２（Ａ）〜（Ｇ）は、従来のジョセフソ
ン集積装置の製造工程説明図である。この図において、
１１はＳｉ基板、１２はＭｏ層、１３，１４はレジスト
層、１５はＳｉＯ層、１６はＮｂ層である。この製造工
程説明図によって従来のジョセフソン集積回路装置の製
造方法を説明する。
ン集積装置の製造工程説明図である。この図において、
１１はＳｉ基板、１２はＭｏ層、１３，１４はレジスト
層、１５はＳｉＯ層、１６はＮｂ層である。この製造工
程説明図によって従来のジョセフソン集積回路装置の製
造方法を説明する。
【０００４】第１工程（図２（Ａ）参照） Ｓｉ基板１１の上に、厚さ約１５０ｎｍのＭｏ層１２を
堆積する。このＭｏ層１２は、ＤＣマグネトロンスパッ
タによって形成するが、雰囲気は１．３Ｐａ、供給電力
は１ｋＷ、堆積速度は３００ｎｍ／ｍｉｎである。
堆積する。このＭｏ層１２は、ＤＣマグネトロンスパッ
タによって形成するが、雰囲気は１．３Ｐａ、供給電力
は１ｋＷ、堆積速度は３００ｎｍ／ｍｉｎである。
【０００５】第２工程（図２（Ｂ）参照） Ｍｏ層１２の上全面にレジスト層を形成し、通常のフォ
トリソグラフィ技術を用いて所定の抵抗体の形状のレジ
スト層１３を残す。
トリソグラフィ技術を用いて所定の抵抗体の形状のレジ
スト層１３を残す。
【０００６】第３工程（図２（Ｃ）参照） 抵抗体の形状のレジスト層１３をマスクにして、Ｍｏ層
１２を反応性エッチング技術（ＲＩＥ）を用いてエッチ
ングしてＭｏ層１２からなる所定形状の抵抗体を形成す
る。このＲＩＥは、反応ガスとして８ＰａのＣＨＦ3 ＋
Ｏ2 を用い、供給電力を１００Ｗとして行う。その後レ
ジスト層１３を除去する。
１２を反応性エッチング技術（ＲＩＥ）を用いてエッチ
ングしてＭｏ層１２からなる所定形状の抵抗体を形成す
る。このＲＩＥは、反応ガスとして８ＰａのＣＨＦ3 ＋
Ｏ2 を用い、供給電力を１００Ｗとして行う。その後レ
ジスト層１３を除去する。
【０００７】第４工程（図２（Ｄ）参照） 通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、抵抗体として
用いるＭｏ層１２の中心部に開口を有するレジスト層１
４を形成する。
用いるＭｏ層１２の中心部に開口を有するレジスト層１
４を形成する。
【０００８】第５工程（図２（Ｅ）参照） レジスト層１４の上の全面にＭｏ層１２の保護膜となる
膜厚２５０ｎｍのＳｉＯ層１５を蒸着する。なお、スパ
ッタリングによってＳｉＯ2 層を形成することも考えら
れるが、スパッタリングの際の熱によってレジスト層１
４が損傷を受けるため、低酸素雰囲気中で蒸着すること
によってＳｉＯ層１５を形成している。
膜厚２５０ｎｍのＳｉＯ層１５を蒸着する。なお、スパ
ッタリングによってＳｉＯ2 層を形成することも考えら
れるが、スパッタリングの際の熱によってレジスト層１
４が損傷を受けるため、低酸素雰囲気中で蒸着すること
によってＳｉＯ層１５を形成している。
【０００９】第６工程（図２（Ｆ）参照） レジスト層１４をアセトンによってエッチングして除去
し、同時にその上に堆積されていたＳｉＯ層１５を除去
する（リフトオフ）。次に、真空装置内でＳｉＯ層１５
の外周に露出するＭｏ層１２の表面をＡｒエッチングし
て、Ｍｏ層１２の表面に形成されている酸化層を取り除
く。
し、同時にその上に堆積されていたＳｉＯ層１５を除去
する（リフトオフ）。次に、真空装置内でＳｉＯ層１５
の外周に露出するＭｏ層１２の表面をＡｒエッチングし
て、Ｍｏ層１２の表面に形成されている酸化層を取り除
く。
【００１０】第７工程（図２（Ｇ）参照） 続いて超伝導配線層となる膜厚３００ｎｍのＮｂ層１６
をＤＣマグネトロンスパッタにより全面に堆積する。そ
の条件は、Ａｒ圧力１．３Ｐａ、印加電圧３００Ｖ、電
流２．０Ａであり、堆積速度は３０ｎｍ／ｍｉｎであ
る。
をＤＣマグネトロンスパッタにより全面に堆積する。そ
の条件は、Ａｒ圧力１．３Ｐａ、印加電圧３００Ｖ、電
流２．０Ａであり、堆積速度は３０ｎｍ／ｍｉｎであ
る。
【００１１】そして、フォトリソグラフィ技術を用いて
超伝導配線層の形状を有するレジスト層を形成し、この
レジスト層をマスクにし、ＲＩＥによって超伝導配線層
を形成する。このときのＲＩＥの条件は、反応ガスとし
てＣＦ4 ＋Ｏ2 を用い、その圧力を８Ｐａとし、供給電
力は５０Ｗである。上記のレジスト層を除去してジョセ
フソン集積回路装置が完成する。
超伝導配線層の形状を有するレジスト層を形成し、この
レジスト層をマスクにし、ＲＩＥによって超伝導配線層
を形成する。このときのＲＩＥの条件は、反応ガスとし
てＣＦ4 ＋Ｏ2 を用い、その圧力を８Ｐａとし、供給電
力は５０Ｗである。上記のレジスト層を除去してジョセ
フソン集積回路装置が完成する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のジョセフソン集積回路装置の製造方法においては次
のような問題がある。
来のジョセフソン集積回路装置の製造方法においては次
のような問題がある。
【００１３】 超伝導配線層をパターニングする工程
で、抵抗体として用いるＭｏ層もエッチングされるた
め、パターニングした後のＭｏ抵抗体をＳｉＯ層によっ
て覆う必要があるが、このＳｉＯ層を形成する工程が必
要であり、また、上記のように、ＳｉＯ層のパターニン
グをリフトオフによって行う際、ＳｉＯ層が剥離しやす
く、工程が煩雑である。
で、抵抗体として用いるＭｏ層もエッチングされるた
め、パターニングした後のＭｏ抵抗体をＳｉＯ層によっ
て覆う必要があるが、このＳｉＯ層を形成する工程が必
要であり、また、上記のように、ＳｉＯ層のパターニン
グをリフトオフによって行う際、ＳｉＯ層が剥離しやす
く、工程が煩雑である。
【００１４】 製造工程に伴う熱処理において、超伝
導体層とＭｏ抵抗体との間で拡散が起こり、その間に接
触抵抗が大きい層が生じる。本発明においては、製造工
程を低減し、超伝導体層と抵抗体層との間の接触抵抗が
低く、抵抗体が安定した抵抗値を有し、信頼性が高いジ
ョセフソン集積回路装置を提供することを目的とする。
導体層とＭｏ抵抗体との間で拡散が起こり、その間に接
触抵抗が大きい層が生じる。本発明においては、製造工
程を低減し、超伝導体層と抵抗体層との間の接触抵抗が
低く、抵抗体が安定した抵抗値を有し、信頼性が高いジ
ョセフソン集積回路装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるジョセフ
ソン集積回路装置の製造方法においては、上記の問題を
解決するため、基板の上に抵抗体となる金属層と、該金
属と同じかそれとは異なる金属の超伝導性窒化物層を堆
積して２層構造体を形成する工程と、該２層構造体の抵
抗体となる金属層と超伝導性窒化物層の２層に対して所
定の抵抗体を得るためのパターニングを行う工程と、パ
ターニングされた抵抗体となる金属層と超伝導性窒化物
層の上に超伝導回路を形成するための超伝導体層を形成
する工程と、該超伝導体層と超伝導性窒化物層の２層に
対して、抵抗体となる金属層をエッチングストップ層と
して所定の回路パターニングを行う工程を採用した。
ソン集積回路装置の製造方法においては、上記の問題を
解決するため、基板の上に抵抗体となる金属層と、該金
属と同じかそれとは異なる金属の超伝導性窒化物層を堆
積して２層構造体を形成する工程と、該２層構造体の抵
抗体となる金属層と超伝導性窒化物層の２層に対して所
定の抵抗体を得るためのパターニングを行う工程と、パ
ターニングされた抵抗体となる金属層と超伝導性窒化物
層の上に超伝導回路を形成するための超伝導体層を形成
する工程と、該超伝導体層と超伝導性窒化物層の２層に
対して、抵抗体となる金属層をエッチングストップ層と
して所定の回路パターニングを行う工程を採用した。
【００１６】この場合、抵抗体となる金属層と超伝導性
窒化物層として、Ｚｒ／ＮｂＮあるいはＨｆ／ＮｂＮ、
または、Ａｌ／ＮｂＮを用いることができる。
窒化物層として、Ｚｒ／ＮｂＮあるいはＨｆ／ＮｂＮ、
または、Ａｌ／ＮｂＮを用いることができる。
【００１７】
【作用】本発明のように、抵抗体として用いる金属層の
上に耐酸化性の金属の窒化物の層を積層したままパター
ニング等の工程を施すため、超伝導体層の堆積前に抵抗
体として用いる金属層の表面をＡｒエッチングする必要
がなく、また、ＮｂＮ等金属の窒化物は安定であるため
に、超伝導配線との間の拡散が起きず、熱的に安定でそ
の接触面に高抵抗層を生じない。
上に耐酸化性の金属の窒化物の層を積層したままパター
ニング等の工程を施すため、超伝導体層の堆積前に抵抗
体として用いる金属層の表面をＡｒエッチングする必要
がなく、また、ＮｂＮ等金属の窒化物は安定であるため
に、超伝導配線との間の拡散が起きず、熱的に安定でそ
の接触面に高抵抗層を生じない。
【００１８】
【実施例】本発明の実施例を図面によって説明する。図
１（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の一実施例のジョセフソン
集積回路装置の製造工程説明図である。この図におい
て、１はＳｉ基板、２はＺｒ層、３はＮｂＮ層、４はレ
ジスト層、５はＮｂ層、６はレジスト層である。この工
程説明図によって本発明の一実施例のジョセフソン集積
回路装置の製造方法を説明する。
１（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の一実施例のジョセフソン
集積回路装置の製造工程説明図である。この図におい
て、１はＳｉ基板、２はＺｒ層、３はＮｂＮ層、４はレ
ジスト層、５はＮｂ層、６はレジスト層である。この工
程説明図によって本発明の一実施例のジョセフソン集積
回路装置の製造方法を説明する。
【００１９】第１工程（図１（Ａ）参照） Ｓｉ基板１の上に連続的に膜厚１００ｎｍのＺｒ層２と
膜厚１０ｎｍのＮｂＮ層３を堆積する。この場合、Ｚｒ
はＤＣマグネトロンスパッタで形成する。その条件は、
Ａｒ圧力が１．３Ｐａ、印加電圧が３００Ｖで、堆積速
度は１０ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＮｂＮは反応性
ＲＦマグネトロンスパッタリングで形成する。その条件
は、印加電力が４００Ｗ、Ａｒ圧力が２Ｐａで、堆積速
度は３０ｎｍ／ｍｉｎであった。
膜厚１０ｎｍのＮｂＮ層３を堆積する。この場合、Ｚｒ
はＤＣマグネトロンスパッタで形成する。その条件は、
Ａｒ圧力が１．３Ｐａ、印加電圧が３００Ｖで、堆積速
度は１０ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＮｂＮは反応性
ＲＦマグネトロンスパッタリングで形成する。その条件
は、印加電力が４００Ｗ、Ａｒ圧力が２Ｐａで、堆積速
度は３０ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００２０】第２工程（図１（Ｂ）参照） レジスト層４を全面に塗布し、通常のフォトリソグラフ
ィ技術を用いて、所定の抵抗体の形状にパターニングす
る。
ィ技術を用いて、所定の抵抗体の形状にパターニングす
る。
【００２１】第３工程（図１（Ｃ）参照） パターニングされたレジスト層４をマスクにして、Ｎｂ
Ｎ層３とＺｒ層２の積層体を、イオンビームエッチング
（ＩＢＥ）によって抵抗体の形状にパターニングする。
この場合、パターニングする工程としてＲＩＥを採用す
ると、ＮｂＮ層はエッチングされるがＺｒ層はエッチン
グされないで残るため、イオン・ビーム・エッチング
（ＩＢＥ）を用いてＮｂＮ層とＺｒ層を共にエッチング
した。このＩＢＥエッチングの条件は、Ａｒ圧力が０．
１Ｐａ、加速電圧が５０Ｖであり、このときのエッチン
グ速度は１０ｎｍ／ｍｉｎであった。上記の工程に代え
て、ＮｂＮ層３をＣＦ4 ＋５％Ｏ2 によってＲＩＥした
後、ＩＢＥによってＺｒ層２をエッチングしてもよい。
Ｎ層３とＺｒ層２の積層体を、イオンビームエッチング
（ＩＢＥ）によって抵抗体の形状にパターニングする。
この場合、パターニングする工程としてＲＩＥを採用す
ると、ＮｂＮ層はエッチングされるがＺｒ層はエッチン
グされないで残るため、イオン・ビーム・エッチング
（ＩＢＥ）を用いてＮｂＮ層とＺｒ層を共にエッチング
した。このＩＢＥエッチングの条件は、Ａｒ圧力が０．
１Ｐａ、加速電圧が５０Ｖであり、このときのエッチン
グ速度は１０ｎｍ／ｍｉｎであった。上記の工程に代え
て、ＮｂＮ層３をＣＦ4 ＋５％Ｏ2 によってＲＩＥした
後、ＩＢＥによってＺｒ層２をエッチングしてもよい。
【００２２】第４工程（図１（Ｄ）参照） レジスト層４を除去したのち、配線層となる膜厚３００
ｎｍの超伝導薄膜Ｎｂ層、または、Ｎｂ層５を全面に堆
積した。Ｎｂ層はＤＣマグネトロンスパッタによって形
成した。その条件は、Ａｒ圧力が１．３Ｐａ、印加電流
が２．０Ａ、印加電圧が３００Ｖであり、このときの堆
積速度は３０ｎｍ／ｍｉｎであった。
ｎｍの超伝導薄膜Ｎｂ層、または、Ｎｂ層５を全面に堆
積した。Ｎｂ層はＤＣマグネトロンスパッタによって形
成した。その条件は、Ａｒ圧力が１．３Ｐａ、印加電流
が２．０Ａ、印加電圧が３００Ｖであり、このときの堆
積速度は３０ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００２３】第５工程（図１（Ｅ）参照） その上にレジスト層６を形成し、フォトリソグラフィ技
術を用いて超伝導配線層の形状にパターニングする。
術を用いて超伝導配線層の形状にパターニングする。
【００２４】第６工程（図１（Ｆ）参照） パターングしたレジスト層６をマスクにしてＮｂＮ層３
をＲＩＥでエッチングしてパターニングする。この場
合、ＲＩＥガスとして、ＣＦ4 ＋Ｏ2 を用い、その圧を
８Ｐａ、供給電力を５０Ｗとした。
をＲＩＥでエッチングしてパターニングする。この場
合、ＲＩＥガスとして、ＣＦ4 ＋Ｏ2 を用い、その圧を
８Ｐａ、供給電力を５０Ｗとした。
【００２５】このエッチング条件によって、超伝導Ｎｂ
層５および、Ｚｒ／ＮｂＮの２層構造を構成するＮｂＮ
層３はＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによってエッチングされるが、
Ｚｒ層２はエッチングされないで抵抗体となる。レジス
ト層６を除去して完成する。
層５および、Ｚｒ／ＮｂＮの２層構造を構成するＮｂＮ
層３はＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによってエッチングされるが、
Ｚｒ層２はエッチングされないで抵抗体となる。レジス
ト層６を除去して完成する。
【００２６】本実施例においてはＺｒ／ＮｂＮの組合せ
で説明したが、この外Ｈｆ／ＮｂＮの組合せを用いても
よい。また、より低抵抗の抵抗体が必要な場合は、Ａｌ
／ＮｂＮを採用することもできる。
で説明したが、この外Ｈｆ／ＮｂＮの組合せを用いても
よい。また、より低抵抗の抵抗体が必要な場合は、Ａｌ
／ＮｂＮを採用することもできる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、抵抗体堆積時は、抵抗体層と保護層の２層構造を形
成する必要があるが、超伝導配線のパターニング工程時
には、超伝導配線と接触する部分のみ２層構造でそれ以
外は抵抗体となる金属になるために下記のような効果を
奏する。
は、抵抗体堆積時は、抵抗体層と保護層の２層構造を形
成する必要があるが、超伝導配線のパターニング工程時
には、超伝導配線と接触する部分のみ２層構造でそれ以
外は抵抗体となる金属になるために下記のような効果を
奏する。
【００２８】 ＮｂＮ層は安定で表面が酸化されない
ために、超伝導層の堆積前に抵抗層の表面の酸化物層を
除くＡｒエッチングを行う必要がない。
ために、超伝導層の堆積前に抵抗層の表面の酸化物層を
除くＡｒエッチングを行う必要がない。
【００２９】 ＮｂＮ層は安定であるために、超伝導
配層と抵抗体となる金属層との間の拡散が起きることな
く、熱的に安定となる。
配層と抵抗体となる金属層との間の拡散が起きることな
く、熱的に安定となる。
【００３０】 この構造では抵抗体となる金属層と超
伝導層の間にＮｂＮ層が存在するが、ＮｂＮ層は超伝導
体（転位温度１５Ｋ）であるため動作時には余分な接触
抵抗を生じることがない。
伝導層の間にＮｂＮ層が存在するが、ＮｂＮ層は超伝導
体（転位温度１５Ｋ）であるため動作時には余分な接触
抵抗を生じることがない。
【００３１】 ＳｉＯ層などの抵抗体となる金属層の
保護層が不必要であるため、工程の節減が可能となり、
また、この保護層の位置合わせの余裕度を見込む必要が
ないため抵抗部の面積の縮小が可能である。
保護層が不必要であるため、工程の節減が可能となり、
また、この保護層の位置合わせの余裕度を見込む必要が
ないため抵抗部の面積の縮小が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の一実施例のジョセフ
ソン集積回路装置の製造工程説明図である。
ソン集積回路装置の製造工程説明図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｇ）は従来のジョセフソン集積回路
装置の製造工程説明図である。
装置の製造工程説明図である。
１ Ｓｉ基板 ２ Ｚｒ層 ３ ＮｂＮ層 ４ レジスト層 ５ Ｎｂ層 ６ レジスト層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の上に抵抗体となる金属層と、該金
属と同じかそれとは異なる金属の超伝導性窒化物層を堆
積して２層構造体を形成する工程と、 該２層構造体の抵抗体となる金属層と超伝導性窒化物層
の２層に対して所定の抵抗体を得るためのパターニング
を行う工程と、 パターニングされた抵抗体となる金属層と超伝導性窒化
物層の上に超伝導回路を形成するための超伝導体層を形
成する工程と、 該超伝導体層と超伝導性窒化物層の２層に対して、抵抗
体となる金属層をエッチングストップ層として所定の回
路パターニングを行う工程と、 を含むことを特徴とするジョセフソン集積回路装置の製
造方法。 - 【請求項２】高抵抗体となる金属層と超伝導性窒化物層
として、Ｚｒ／ＮｂＮあるいはＨｆ／ＮｂＮを用いるこ
とを特徴とする請求項１記載のジョセフソン集積回路装
置の製造方法。 - 【請求項３】低抵抗体となる金属層と超伝導性窒化物層
として、Ａｌ／ＮｂＮを用いることを特徴とする請求項
１記載のジョセフソン集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3342828A JPH05175562A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ジョセフソン集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3342828A JPH05175562A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ジョセフソン集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175562A true JPH05175562A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18356806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3342828A Withdrawn JPH05175562A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ジョセフソン集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175562A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5688383A (en) * | 1996-02-22 | 1997-11-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for improving the performance of high temperature superconducting thin film wafers |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP3342828A patent/JPH05175562A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5688383A (en) * | 1996-02-22 | 1997-11-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for improving the performance of high temperature superconducting thin film wafers |
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