JPH05175136A - 光cvd装置 - Google Patents
光cvd装置Info
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- JPH05175136A JPH05175136A JP25804091A JP25804091A JPH05175136A JP H05175136 A JPH05175136 A JP H05175136A JP 25804091 A JP25804091 A JP 25804091A JP 25804091 A JP25804091 A JP 25804091A JP H05175136 A JPH05175136 A JP H05175136A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板回転機構を使用しない状態で均一な膜厚
分布が得られ、良好な歩留りにより生産性を向上させる
こと。 【構成】 処理すべき基板23を収容する反応室21内
に、基板23の表面にほぼ平行に反応ガスが流れるよう
に反応ガス導入口26と排出口27を設け、該反応室2
1と光源室31との間に、多数の小孔を有する光透過性
ガス噴出板32と、該小孔の軸線と平行に延び且つ間隔
をおいて多数のフローガードプレート36を具えたフロ
ーガード部材34を配置し、不活性ガスを、導管33か
ら噴出板32の小孔及びフローガード部材34を通っ
て、基板23上の表面に対し垂直方向より導入する。上
記フローガードプレート36を、基板23の中心から反
応ガス導入口側に部分的に配置することによって、反応
ガス流方向に均一な膜厚分布が得られる。
分布が得られ、良好な歩留りにより生産性を向上させる
こと。 【構成】 処理すべき基板23を収容する反応室21内
に、基板23の表面にほぼ平行に反応ガスが流れるよう
に反応ガス導入口26と排出口27を設け、該反応室2
1と光源室31との間に、多数の小孔を有する光透過性
ガス噴出板32と、該小孔の軸線と平行に延び且つ間隔
をおいて多数のフローガードプレート36を具えたフロ
ーガード部材34を配置し、不活性ガスを、導管33か
ら噴出板32の小孔及びフローガード部材34を通っ
て、基板23上の表面に対し垂直方向より導入する。上
記フローガードプレート36を、基板23の中心から反
応ガス導入口側に部分的に配置することによって、反応
ガス流方向に均一な膜厚分布が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体や液晶ディスプ
レイ等の製造に用いられる薄膜形成装置に関する。
レイ等の製造に用いられる薄膜形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、光のエネルギーを用い、シラン、
ジシランなどの化合物ガスを分解し、シリコンウエハや
ガラス基板上に薄膜を形成する、光CVD装置の開発が
積極的になされている。これら光を用いた光CVD装置
は、プロセスの低温化が可能であり、荷電粒子による基
板や形成膜の劣化も発生しないことから、次世代のデバ
イス製造方法として大きく注目されている。しかしなが
ら、このような光CVD装置においては、反応生成物が
光透過窓やランプ表面を汚し、光量が低下するという大
きな問題があった。このような問題点に対処するため
に、例えば、特開昭60−209248号公報に示され
るように、反応室と光源室とを紫外線透過性の多孔板で
仕切り、該多孔板を通して不活性ガスをパージすること
により光透過窓やランプ表面の汚れを防止する提案がな
されている。しかしながら、減圧下でこのような単純な
ガスフロー方式のみを採用した光CVD装置は、実験機
レベルの小面積の基板で、比較的短時間の成膜プロセス
を行なう場合は有効であるものの、大面積基板を処理す
る生産機レベルの装置で長時間の成膜をおこなう場合に
は、この多孔板への膜付着が顕在化し、生産時間の増加
にともなって光量が大きく低下する。これは、安定かつ
再現性のある量産を考えた場合には致命的な問題とな
る。
ジシランなどの化合物ガスを分解し、シリコンウエハや
ガラス基板上に薄膜を形成する、光CVD装置の開発が
積極的になされている。これら光を用いた光CVD装置
は、プロセスの低温化が可能であり、荷電粒子による基
板や形成膜の劣化も発生しないことから、次世代のデバ
イス製造方法として大きく注目されている。しかしなが
ら、このような光CVD装置においては、反応生成物が
光透過窓やランプ表面を汚し、光量が低下するという大
きな問題があった。このような問題点に対処するため
に、例えば、特開昭60−209248号公報に示され
るように、反応室と光源室とを紫外線透過性の多孔板で
仕切り、該多孔板を通して不活性ガスをパージすること
により光透過窓やランプ表面の汚れを防止する提案がな
されている。しかしながら、減圧下でこのような単純な
ガスフロー方式のみを採用した光CVD装置は、実験機
レベルの小面積の基板で、比較的短時間の成膜プロセス
を行なう場合は有効であるものの、大面積基板を処理す
る生産機レベルの装置で長時間の成膜をおこなう場合に
は、この多孔板への膜付着が顕在化し、生産時間の増加
にともなって光量が大きく低下する。これは、安定かつ
再現性のある量産を考えた場合には致命的な問題とな
る。
【0003】上記の問題に対処するために、本発明者ら
は、上記従来型の装置の欠点について更に検討し、先に
特願平3−84043号として提案したように、従来型
の装置における紫外線透過性の多孔板の下に、新たに、
多孔板に形成した各小孔の軸線と平行に延びしかも互い
に間隔をおいて配置した多数のフローガードプレートを
備えたフローガード部材を配置することにより、この問
題を完全に解決した。
は、上記従来型の装置の欠点について更に検討し、先に
特願平3−84043号として提案したように、従来型
の装置における紫外線透過性の多孔板の下に、新たに、
多孔板に形成した各小孔の軸線と平行に延びしかも互い
に間隔をおいて配置した多数のフローガードプレートを
備えたフローガード部材を配置することにより、この問
題を完全に解決した。
【0004】図4は、上記本発明者らが先に提案した光
CVD装置の一例を示す断面図であり、図5はその要部
斜視図である。図4において、1は反応室であり、その
内部に温度可変のサセプタ2が設けられ、該サセプタ2
上に基板3が装着されている。反応室1の側壁には、第
1のガスすなわち反応ガスを導入するための薄いスリッ
ト状の開口4を有するノズル5が設けられ、該ノズル5
は外部導入管6と連結されている。また反応室1の底壁
の一端には排気口7が設けられている。また反応室1の
上壁には、基板3に対向した位置に、合成石英製の光透
過窓8が設けられ、その外側には光化学反応に好適な波
長を放射する光源9と、光の損失を防ぐ反射板10と、
これらを収容する光源室11が取り付けられている。さ
らに光透過窓8の内側表面下には、該光透過窓8の内側
表面との間に若干の隙間をあけて、合成石英製の小孔を
多数持った噴出板12が設けられている。上記光透過窓
8と該合成石英製の小孔を多数持った噴出板12とから
形成される空間は、導管13と接続され第2のガスであ
る不活性ガスの導入口となっている。
CVD装置の一例を示す断面図であり、図5はその要部
斜視図である。図4において、1は反応室であり、その
内部に温度可変のサセプタ2が設けられ、該サセプタ2
上に基板3が装着されている。反応室1の側壁には、第
1のガスすなわち反応ガスを導入するための薄いスリッ
ト状の開口4を有するノズル5が設けられ、該ノズル5
は外部導入管6と連結されている。また反応室1の底壁
の一端には排気口7が設けられている。また反応室1の
上壁には、基板3に対向した位置に、合成石英製の光透
過窓8が設けられ、その外側には光化学反応に好適な波
長を放射する光源9と、光の損失を防ぐ反射板10と、
これらを収容する光源室11が取り付けられている。さ
らに光透過窓8の内側表面下には、該光透過窓8の内側
表面との間に若干の隙間をあけて、合成石英製の小孔を
多数持った噴出板12が設けられている。上記光透過窓
8と該合成石英製の小孔を多数持った噴出板12とから
形成される空間は、導管13と接続され第2のガスであ
る不活性ガスの導入口となっている。
【0005】上記不活性ガスを噴出する噴出板12の下
側にはフローガード部材14が取り付けられており、該
フローガード部材14は、図5に示すように、フローガ
ード枠体15内に、薄い合成石英板からなるフローガー
ドプレート16を一定の間隔をおいて取り付けたもので
あり、図5は11枚取り付けた場合の例を示している。
上記各フローガードプレート16は、ノズル5からの反
応ガスの流れ方向を横切る方向に延び、しかも導管13
より導入され噴出板12から噴出される不活性ガスを、
サセプタ2上の基板3に向って下向きに指向させるよう
に方向づけられている。従ってフローガード部材14に
おける各フローガードプレート16は、反応室1の内寸
等により任意に設定することができる。
側にはフローガード部材14が取り付けられており、該
フローガード部材14は、図5に示すように、フローガ
ード枠体15内に、薄い合成石英板からなるフローガー
ドプレート16を一定の間隔をおいて取り付けたもので
あり、図5は11枚取り付けた場合の例を示している。
上記各フローガードプレート16は、ノズル5からの反
応ガスの流れ方向を横切る方向に延び、しかも導管13
より導入され噴出板12から噴出される不活性ガスを、
サセプタ2上の基板3に向って下向きに指向させるよう
に方向づけられている。従ってフローガード部材14に
おける各フローガードプレート16は、反応室1の内寸
等により任意に設定することができる。
【0006】作動時、先ず反応ガスは、外部導管6から
ノズル5の薄いスリット状の開口4を経て基板3の表面
にほぼ平行にシート状に導入される。一方、このシート
状の反応ガスの流れに対して不活性ガスは、噴出板12
より導入され、フローガード部材14のフローガード枠
体15及びフローガードプレート16により下向きに基
板3へ向って案内される。このようにフローガード部材
14によって指向された不活性ガスの下向きの流れによ
り、ノズル5からのシート状の反応ガスの流れは、基板
3の近傍に有効に抑えられ、従って導入された反応ガス
の乱流の発生や拡散は有効に抑制され、その結果、光透
過窓8および噴出板12の表面への反応生成物の付着を
完全に防ぐことができ、長時間の安定した成膜が可能に
なる。
ノズル5の薄いスリット状の開口4を経て基板3の表面
にほぼ平行にシート状に導入される。一方、このシート
状の反応ガスの流れに対して不活性ガスは、噴出板12
より導入され、フローガード部材14のフローガード枠
体15及びフローガードプレート16により下向きに基
板3へ向って案内される。このようにフローガード部材
14によって指向された不活性ガスの下向きの流れによ
り、ノズル5からのシート状の反応ガスの流れは、基板
3の近傍に有効に抑えられ、従って導入された反応ガス
の乱流の発生や拡散は有効に抑制され、その結果、光透
過窓8および噴出板12の表面への反応生成物の付着を
完全に防ぐことができ、長時間の安定した成膜が可能に
なる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成した
光CVD装置は、光透過窓や不活性ガス噴出板の表面へ
の反応生成物の付着を完全に防ぐという点では非常に優
れているが、大口径基板に成膜した場合、その膜厚分
布、特に反応ガスの流れ方向の分布が極めて悪いという
問題点があった。
光CVD装置は、光透過窓や不活性ガス噴出板の表面へ
の反応生成物の付着を完全に防ぐという点では非常に優
れているが、大口径基板に成膜した場合、その膜厚分
布、特に反応ガスの流れ方向の分布が極めて悪いという
問題点があった。
【0008】図6は、図4に示す光CVD装置を用いて
6インチ基板にアモルファスシリコン膜を成膜した時の
流れに平行方向の膜厚分布図で、最下流側つまり排気口
側には、最上流側つまり第1のガス導入口側の50%程
度しか膜が堆積していないことがわかる。これは、反応
ガスが導入口から排気口へ向って流れていく間に、上方
からのパージ用不活性ガスが混入して反応ガスが希釈さ
れ、導入口から排気口に向って大きな濃度勾配が発生す
るためと推定される。このような分布を改良する手段と
して、一般には基板3を装着しているサセプタ2を回転
させる方法が広く行なわれている。しかしながら、回転
により摺動部からダストが発生したり、また基板の温度
分布の均一性を得るために工夫された加熱機構がサセプ
タに搭載されている場合には、サセプタ2を回転させる
ことはハード上非常に困難である等の問題がある。ま
た、仮に基板回転が可能であっても、最上流と最下流の
膜厚の平均値が基板中央の膜厚に比べて大きい、或いは
小さい場合には、基板回転により均一な膜厚分布を得る
ことは不可能である。従って、これらの状況を考えれ
ば、基板を回転させないままで膜を堆積し、均一な分布
を得ることのできる装置が要求される。
6インチ基板にアモルファスシリコン膜を成膜した時の
流れに平行方向の膜厚分布図で、最下流側つまり排気口
側には、最上流側つまり第1のガス導入口側の50%程
度しか膜が堆積していないことがわかる。これは、反応
ガスが導入口から排気口へ向って流れていく間に、上方
からのパージ用不活性ガスが混入して反応ガスが希釈さ
れ、導入口から排気口に向って大きな濃度勾配が発生す
るためと推定される。このような分布を改良する手段と
して、一般には基板3を装着しているサセプタ2を回転
させる方法が広く行なわれている。しかしながら、回転
により摺動部からダストが発生したり、また基板の温度
分布の均一性を得るために工夫された加熱機構がサセプ
タに搭載されている場合には、サセプタ2を回転させる
ことはハード上非常に困難である等の問題がある。ま
た、仮に基板回転が可能であっても、最上流と最下流の
膜厚の平均値が基板中央の膜厚に比べて大きい、或いは
小さい場合には、基板回転により均一な膜厚分布を得る
ことは不可能である。従って、これらの状況を考えれ
ば、基板を回転させないままで膜を堆積し、均一な分布
を得ることのできる装置が要求される。
【0009】本発明は、上記のような各問題点を解決
し、生機レベルの大口径基板対応光CVD装置を提供す
ることを目的としている。
し、生機レベルの大口径基板対応光CVD装置を提供す
ることを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光CVD装置は、処理すべき基板を収容
する反応室と、該反応室内に反応ガスを導入及び排気す
る手段と、該反応ガスを光化学反応させ、該基板上に薄
膜を形成させるための光源と、該光源を収容する光源室
と、該反応室と該光源室の間に、多数の小孔を持った光
透過性ガス噴出板と該噴出板の下に該噴出板に形成した
各小孔の軸線と平行に延びしかも互いに間隔をおいて配
置した多数のフローガードプレートを備えたフローガー
ド部材をを配置し、該反応室内に収容された基板の表面
にほぼ平行にガス導入口より第1のガス流をシート状に
導入し、また該基板上の表面に、この表面に垂直な方向
から第2のガス流を、該ガス噴出板より導入し、さらに
該ガス噴出板の下に設けた該フローガード部材を通すこ
とにより、該基板の表面の近傍に上記第1のガス流を層
流状態に保持するようにした光CVD装置において、上
記フローガード部材に備えられているフローガードプレ
ートを、基板の中心から第1のガス導入口側に部分的に
配置したことを特徴としている。
めに、本発明の光CVD装置は、処理すべき基板を収容
する反応室と、該反応室内に反応ガスを導入及び排気す
る手段と、該反応ガスを光化学反応させ、該基板上に薄
膜を形成させるための光源と、該光源を収容する光源室
と、該反応室と該光源室の間に、多数の小孔を持った光
透過性ガス噴出板と該噴出板の下に該噴出板に形成した
各小孔の軸線と平行に延びしかも互いに間隔をおいて配
置した多数のフローガードプレートを備えたフローガー
ド部材をを配置し、該反応室内に収容された基板の表面
にほぼ平行にガス導入口より第1のガス流をシート状に
導入し、また該基板上の表面に、この表面に垂直な方向
から第2のガス流を、該ガス噴出板より導入し、さらに
該ガス噴出板の下に設けた該フローガード部材を通すこ
とにより、該基板の表面の近傍に上記第1のガス流を層
流状態に保持するようにした光CVD装置において、上
記フローガード部材に備えられているフローガードプレ
ートを、基板の中心から第1のガス導入口側に部分的に
配置したことを特徴としている。
【0011】
【作用】上記のように構成した本発明による光CVD装
置では、フローガード部材のフローガードプレートが基
板の中心から上流側つまり第1のガス導入口側にのみ配
置されているため、不活性ガスによるパージ効果は、基
板の中心から上流側で強く、一方基板の中心から下流側
で弱くなる。これは別の見方をすれば、不活性ガスによ
る希釈効果が基板の中心から上流側で強く、一方、基板
の中心から下流側で弱くなることを意味している。従っ
て、比較的反応ガス濃度の高い上流側でより強く希釈さ
れることになり、全体から見ると、反応ガス濃度が均一
化する方向に働き、基板の膜厚分布が改善されることに
なる。
置では、フローガード部材のフローガードプレートが基
板の中心から上流側つまり第1のガス導入口側にのみ配
置されているため、不活性ガスによるパージ効果は、基
板の中心から上流側で強く、一方基板の中心から下流側
で弱くなる。これは別の見方をすれば、不活性ガスによ
る希釈効果が基板の中心から上流側で強く、一方、基板
の中心から下流側で弱くなることを意味している。従っ
て、比較的反応ガス濃度の高い上流側でより強く希釈さ
れることになり、全体から見ると、反応ガス濃度が均一
化する方向に働き、基板の膜厚分布が改善されることに
なる。
【0012】また、反応ガス濃度の高い上流側にフロー
ガードプレートが配置されているため、先に本発明者ら
が提案した光CVD装置と同様に、光透過窓や不活性ガ
ス噴出板の表面への反応生成物の付着の問題は全く発生
しない。
ガードプレートが配置されているため、先に本発明者ら
が提案した光CVD装置と同様に、光透過窓や不活性ガ
ス噴出板の表面への反応生成物の付着の問題は全く発生
しない。
【0013】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面と共に説明す
る。図1は、本発明の一実施例を示す大口径基板対応の
光CVD装置の断面図、図2は、本実施例で使用したフ
ローガード部材の斜視図である。
る。図1は、本発明の一実施例を示す大口径基板対応の
光CVD装置の断面図、図2は、本実施例で使用したフ
ローガード部材の斜視図である。
【0014】図において、21は反応室であり、その内
部に温度250℃にコントロールされたサセプタ22が
設けられ、該サセプタ22上に6インチガラス基板23
が装着されている。上記反応室21の側壁には、反応ガ
スを導入するための薄いスリット状の開口24を有する
ノズル25が設けられ、該ノズル25は外部導入管26
と連結されている。反応室21の底壁の一端には排気口
27が設けられている。また反応室21の上壁には、基
板23に対向した位置に、直径300mmで厚さ15m
mの合成石英製の光透過窓28が設けられ、その外側に
は低圧水銀ランプ29と、光の損失を防ぐ反射板30
と、これらを収容する光源室31が取り付けられてい
る。さらに光透過窓28の内側表面下には、該光透過窓
28の内側表面との間に10mmの隙間をあけて、直径
0.6mmの小孔を多数持った、大きさ200mm×3
00mmの合成石英製噴出板32が設けられている。光
透過窓28と合成石英製の噴出板32とから形成される
空間は、導管33と接続される第2のガスである不活性
ガスの導入口となっている。
部に温度250℃にコントロールされたサセプタ22が
設けられ、該サセプタ22上に6インチガラス基板23
が装着されている。上記反応室21の側壁には、反応ガ
スを導入するための薄いスリット状の開口24を有する
ノズル25が設けられ、該ノズル25は外部導入管26
と連結されている。反応室21の底壁の一端には排気口
27が設けられている。また反応室21の上壁には、基
板23に対向した位置に、直径300mmで厚さ15m
mの合成石英製の光透過窓28が設けられ、その外側に
は低圧水銀ランプ29と、光の損失を防ぐ反射板30
と、これらを収容する光源室31が取り付けられてい
る。さらに光透過窓28の内側表面下には、該光透過窓
28の内側表面との間に10mmの隙間をあけて、直径
0.6mmの小孔を多数持った、大きさ200mm×3
00mmの合成石英製噴出板32が設けられている。光
透過窓28と合成石英製の噴出板32とから形成される
空間は、導管33と接続される第2のガスである不活性
ガスの導入口となっている。
【0015】一方、不活性ガスを噴出する合成石英製噴
出板32の下側には、フローガード部材34が取り付け
られており、該フローガード部材34は、図2に示すよ
うに、厚さ30mm、大きさ200mm×300mmの
フローガード枠体35内に、厚さ1mm、大きさ200
mm×30mmの合成石英板からなるフローガードプレ
ート36を、基板23の中心より上流側にのみ10mm
の間隔をおいて取り付けたものである。各フローガード
プレート36は、ノズル25からの反応ガスの流れ方向
を横切る方向に延びしかも石英製噴出板32から噴出さ
れる不活性ガスをサセプタ22上の基板23に向って下
向きに指向させるように方向づけられている。
出板32の下側には、フローガード部材34が取り付け
られており、該フローガード部材34は、図2に示すよ
うに、厚さ30mm、大きさ200mm×300mmの
フローガード枠体35内に、厚さ1mm、大きさ200
mm×30mmの合成石英板からなるフローガードプレ
ート36を、基板23の中心より上流側にのみ10mm
の間隔をおいて取り付けたものである。各フローガード
プレート36は、ノズル25からの反応ガスの流れ方向
を横切る方向に延びしかも石英製噴出板32から噴出さ
れる不活性ガスをサセプタ22上の基板23に向って下
向きに指向させるように方向づけられている。
【0016】上記のように構成した装置において、反応
ガスにシラン及び水銀蒸気、また不活性ガスにアルゴン
ガスを用い、さらにフローガードプレート36をフロー
ガード枠体35の最上流側より10mm間隔で2枚、4
枚、6枚、8枚、と配置した構成で、6インチサイズガ
ラス基板にアモルファスシリコン膜を堆積させた時の膜
厚分布をそれぞれ求めた。
ガスにシラン及び水銀蒸気、また不活性ガスにアルゴン
ガスを用い、さらにフローガードプレート36をフロー
ガード枠体35の最上流側より10mm間隔で2枚、4
枚、6枚、8枚、と配置した構成で、6インチサイズガ
ラス基板にアモルファスシリコン膜を堆積させた時の膜
厚分布をそれぞれ求めた。
【0017】図3は、反応ガスの流れに平行方向の膜厚
分布測定結果を示す図である。この図から分かるよう
に、膜厚分布はフローガードプレートの枚数により大き
く変化し、本実施例の装置では、フローガードプレート
4枚のときに±5%以内の膜厚分布が得られた。
分布測定結果を示す図である。この図から分かるよう
に、膜厚分布はフローガードプレートの枚数により大き
く変化し、本実施例の装置では、フローガードプレート
4枚のときに±5%以内の膜厚分布が得られた。
【0018】この実施例では、フローガードプレートを
10mm間隔で上記のように最上流側より4枚装着した
時に最も良好な膜厚分布が得られたが、用いる反応ガス
や基板の大きさにより、膜厚分布が変化するため、装着
するフローガードプレートの数や場所或いは装着間隔は
これに限定されるものではない。その時々の実験条件に
より装着枚数や装着間隔を増減させたり、フローガード
枠体への装着場所を変化させてもよい。また、この実施
例実験時において光透過窓や不活性ガス噴出板の表面へ
の反応生成物の付着は全く発生しなかった。
10mm間隔で上記のように最上流側より4枚装着した
時に最も良好な膜厚分布が得られたが、用いる反応ガス
や基板の大きさにより、膜厚分布が変化するため、装着
するフローガードプレートの数や場所或いは装着間隔は
これに限定されるものではない。その時々の実験条件に
より装着枚数や装着間隔を増減させたり、フローガード
枠体への装着場所を変化させてもよい。また、この実施
例実験時において光透過窓や不活性ガス噴出板の表面へ
の反応生成物の付着は全く発生しなかった。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フローガード部材のフローガードプレートを基板の中心
から上流側、つまり第1のガス導入口側にのみ配置した
ことにより、光透過窓や不活性ガス噴出板の表面への反
応生成物の付着が発生せず、基板回転機構を使用しない
状態で均一な膜厚分布を得ることができ、良好な歩留り
により生産性を大きく向上させることができる。
フローガード部材のフローガードプレートを基板の中心
から上流側、つまり第1のガス導入口側にのみ配置した
ことにより、光透過窓や不活性ガス噴出板の表面への反
応生成物の付着が発生せず、基板回転機構を使用しない
状態で均一な膜厚分布を得ることができ、良好な歩留り
により生産性を大きく向上させることができる。
【図1】本発明の一実施例を示す光CVD装置の断面図
である。
である。
【図2】本発明の光CVD装置に使用されるフローガー
ド部材の一実施例を示す斜視図である。
ド部材の一実施例を示す斜視図である。
【図3】本発明の実施例で得られた反応ガスの流れに平
行方向の膜厚分布特性図である。
行方向の膜厚分布特性図である。
【図4】従来例を示す光CVD装置の断面図である。
【図5】従来例を示すフローガード部材の斜視図であ
る。
る。
【図6】図4の装置で得られた反応ガスの流れに平行方
向の膜厚分布特性図である。
向の膜厚分布特性図である。
21 反応室 22 サセプタ 23 ガラス基板 24 スリット状の開口 25 ノズル 26 外部導入管 27 排気口 28 合成石英製光透過窓 29 低圧水銀ランプ 30 反射板 31 光源室 32 合成石英製噴出板 33 導管 34 フローガード部材 35 フローガード枠体 36 合成石英製フローガードプレート
Claims (1)
- 【請求項1】 基板を収容する反応室と、該反応室内に
反応ガスを導入及び排気するそれぞれの手段と、該反応
ガスを光化学反応させ、該基板上に薄膜を形成させるた
めの光源と、該光源を収容する光源室と、該反応室と該
光源室の間に、多数の小孔を持った光透過性ガス噴出板
と該噴出板の下に該噴出板に形成した各小孔の軸線と平
行に延びしかも互いに間隔をおいて配置した多数のフロ
ーガードプレートを備えたフローガード部材を配置し、
該反応室内に収容された基板の表面にほぼ平行にガス導
入口より第1のガス流をシート状に導入し、また該基板
上の表面に、この表面に垂直な方向から第2のガス流
を、該ガス噴出板より導入し、さらに該ガス噴出板の下
に設けた該フローガード部材を通すことにより、該基板
の表面の近傍に上記第1のガス流を層流状態に保持する
ようにした光CVD装置において、上記フローガード部
材に備えられているフローガードプレートを、基板の中
心から第1のガス導入口側に部分的に配置したことを特
徴とする光CVD装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP03258040A JP3112520B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 光cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JPH05175136A true JPH05175136A (ja) | 1993-07-13 |
JP3112520B2 JP3112520B2 (ja) | 2000-11-27 |
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ID=17314708
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP03258040A Expired - Fee Related JP3112520B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 光cvd装置 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3112520B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010272889A (ja) * | 2004-04-27 | 2010-12-02 | Sumco Corp | エピタキシャル成長装置 |
JP2014127664A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Showa Denko Kk | 成膜装置 |
JP2014127663A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Showa Denko Kk | 成膜装置および膜の製造方法 |
JP2014127667A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Showa Denko Kk | 成膜装置 |
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US20160194753A1 (en) * | 2012-12-27 | 2016-07-07 | Showa Denko K.K. | SiC-FILM FORMATION DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SiC FILM |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP03258040A patent/JP3112520B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3112520B2 (ja) | 2000-11-27 |
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