JPH05171441A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH05171441A JPH05171441A JP3353199A JP35319991A JPH05171441A JP H05171441 A JPH05171441 A JP H05171441A JP 3353199 A JP3353199 A JP 3353199A JP 35319991 A JP35319991 A JP 35319991A JP H05171441 A JPH05171441 A JP H05171441A
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- Japan
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- carrier
- sample
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング装置の設置スペースを少なく
し、且つ試料の寸法が大きくても均一処理を行なえるよ
うにする。 【構成】 ハウジング1の一端部にバルブ2,2を介し
て準備室3及び取出室4を設け、これら準備室3及び取
出室4内にガラス板等の試料を取り付けたキャリア5を
複数収納可能としている。またハウジング1は真空ポン
プにつながる減圧パイプ6、反応ガスの導入パイプ7を
備え、内部には2本の直線状キャリア搬送ラインL1,
L2を平行に設け、これらキャリア搬送ラインL1,L
2をハウジング1内の端部に設けた移し換えラインL
3,L4でつないで循環ラインを構成し、キャリア搬送
ラインL1,L2に沿ったハウジング1の側壁にはカソ
ード電極8を設け、このカソード電極8にターゲット9
を取り付け、更にキャリア搬送ラインL1,L2の内側
に沿ってヒータ10を配置している。
し、且つ試料の寸法が大きくても均一処理を行なえるよ
うにする。 【構成】 ハウジング1の一端部にバルブ2,2を介し
て準備室3及び取出室4を設け、これら準備室3及び取
出室4内にガラス板等の試料を取り付けたキャリア5を
複数収納可能としている。またハウジング1は真空ポン
プにつながる減圧パイプ6、反応ガスの導入パイプ7を
備え、内部には2本の直線状キャリア搬送ラインL1,
L2を平行に設け、これらキャリア搬送ラインL1,L
2をハウジング1内の端部に設けた移し換えラインL
3,L4でつないで循環ラインを構成し、キャリア搬送
ラインL1,L2に沿ったハウジング1の側壁にはカソ
ード電極8を設け、このカソード電極8にターゲット9
を取り付け、更にキャリア搬送ラインL1,L2の内側
に沿ってヒータ10を配置している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は例えばガラス基板に無反
射膜を形成するスパッタリング装置に関する。
射膜を形成するスパッタリング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】試料の準備室及び取出室をバルブを介し
て気密に連通遮断したロードロックタイプのスパッタリ
ング装置として図12及び図13に示すものが知られて
いる。図12に示すスパッタリング装置は、トンネル状
ハウジング100の一端に準備室101を他端に取出室
102を設け、ハウジング100内を上流側から下流側
に向ってバッファ室103、加熱室104、スパッタ室
105及びバッファ室106に仕切り、スパッタ室10
5内にはカソード電極108を搬送方向に複数個設け、
カソード電極108にターゲット109を取り付けてい
る。そしてこの装置にあっては、キャリア107に取り
付けたガラス基板等の試料を準備室101からバッファ
室103を介して加熱室104に送り出し、加熱室10
4で所定温度まで加熱した試料をキャリア107ととも
にスパッタ室105を通過せしめる間に試料表面に金属
膜等を形成し、この後バッファ室106を介して取出室
102に受入れるようにしている。
て気密に連通遮断したロードロックタイプのスパッタリ
ング装置として図12及び図13に示すものが知られて
いる。図12に示すスパッタリング装置は、トンネル状
ハウジング100の一端に準備室101を他端に取出室
102を設け、ハウジング100内を上流側から下流側
に向ってバッファ室103、加熱室104、スパッタ室
105及びバッファ室106に仕切り、スパッタ室10
5内にはカソード電極108を搬送方向に複数個設け、
カソード電極108にターゲット109を取り付けてい
る。そしてこの装置にあっては、キャリア107に取り
付けたガラス基板等の試料を準備室101からバッファ
室103を介して加熱室104に送り出し、加熱室10
4で所定温度まで加熱した試料をキャリア107ととも
にスパッタ室105を通過せしめる間に試料表面に金属
膜等を形成し、この後バッファ室106を介して取出室
102に受入れるようにしている。
【0003】また図13に示す装置は円筒状をなす外側
ベルジャー110に準備室101と取出室102を接続
するとともに、外側ベルジャー110の内側に同軸状に
内側ベルジャー111を配置し、これら外側ベルジャー
110と内側ベルジャー111間に角筒状カルーセル1
12を回転自在に設け、更に外側ベルジャー110の内
側面及び内側ベルジャー111の外側面にカソード電極
108とターゲット109を取り付けている。そしてこ
の装置にあっては、試料を取り付けたキャリア107を
カルーセル112に係止し、カルーセル112を回転せ
しめつつ試料表面に金属膜等を形成するようにしてい
る。
ベルジャー110に準備室101と取出室102を接続
するとともに、外側ベルジャー110の内側に同軸状に
内側ベルジャー111を配置し、これら外側ベルジャー
110と内側ベルジャー111間に角筒状カルーセル1
12を回転自在に設け、更に外側ベルジャー110の内
側面及び内側ベルジャー111の外側面にカソード電極
108とターゲット109を取り付けている。そしてこ
の装置にあっては、試料を取り付けたキャリア107を
カルーセル112に係止し、カルーセル112を回転せ
しめつつ試料表面に金属膜等を形成するようにしてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図12に示したスパッ
タリング装置にあっては、各室を直線状に配置している
ため装置全体が長くなり、設置箇所が限られてしまう。
また成膜条件の応用範囲が狭い。つまり多層膜や単層で
あっても厚み方向に特性を異ならせた膜を形成しようと
する場合にはスパッタ条件をその都度異ならせなければ
ならないが、図13に示した装置においてはスパッタ条
件(雰囲気ガスなど)を簡単に変えることができない。
タリング装置にあっては、各室を直線状に配置している
ため装置全体が長くなり、設置箇所が限られてしまう。
また成膜条件の応用範囲が狭い。つまり多層膜や単層で
あっても厚み方向に特性を異ならせた膜を形成しようと
する場合にはスパッタ条件をその都度異ならせなければ
ならないが、図13に示した装置においてはスパッタ条
件(雰囲気ガスなど)を簡単に変えることができない。
【0005】一方、図13に示したスパッタリング装置
にあっては、図12に示したスパッタリング装置に比べ
て設置面積の点で有利であり、また雰囲気ガスの交換が
容易にでき成膜条件の自由度が高い。しかしながらこの
スパッタリング装置にあっては、キャリア107をカル
ーセル112に取り付けたり取り外すための構造が複雑
になるとともに、図14に示すように、回転するカルー
セル112に平板状の試料Wを取り付けるため、ターゲ
ット109との距離が試料Wの端部においては近くな
り、中央部においては遠くなるので成膜が不均一にな
る。特にこの不利は試料Wの寸法が大きくなると顕著に
なる。そこで、試料Wとターゲット109との間隔を大
きくすればある程度均一に成膜できるが、今度は成膜速
度が大幅に低下してしまう。
にあっては、図12に示したスパッタリング装置に比べ
て設置面積の点で有利であり、また雰囲気ガスの交換が
容易にでき成膜条件の自由度が高い。しかしながらこの
スパッタリング装置にあっては、キャリア107をカル
ーセル112に取り付けたり取り外すための構造が複雑
になるとともに、図14に示すように、回転するカルー
セル112に平板状の試料Wを取り付けるため、ターゲ
ット109との距離が試料Wの端部においては近くな
り、中央部においては遠くなるので成膜が不均一にな
る。特にこの不利は試料Wの寸法が大きくなると顕著に
なる。そこで、試料Wとターゲット109との間隔を大
きくすればある程度均一に成膜できるが、今度は成膜速
度が大幅に低下してしまう。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、試料を取り付けたキャリアを準備室からスパッ
タ室に送り出し、キャリアとともに試料をスパッタ室内
で搬送しつつ試料表面に成膜し、キャリアとともに取出
室に収納するようにしたスパッタリング装置の前記スパ
ッタ室内に、2本の直線状キャリア搬送ラインを平行に
設け、これら搬送ラインの端部を移し換えラインでつな
いでスパッタ室内に循環搬送ラインを構成した。
発明は、試料を取り付けたキャリアを準備室からスパッ
タ室に送り出し、キャリアとともに試料をスパッタ室内
で搬送しつつ試料表面に成膜し、キャリアとともに取出
室に収納するようにしたスパッタリング装置の前記スパ
ッタ室内に、2本の直線状キャリア搬送ラインを平行に
設け、これら搬送ラインの端部を移し換えラインでつな
いでスパッタ室内に循環搬送ラインを構成した。
【0007】
【作用】キャリアに取り付けたガラス基板等の試料を準
備室からスパッタ室に送り出し、直線状の搬送ラインに
沿ってキャリアを移動させる間に試料を加熱するととも
に試料表面にターゲットから飛来する金属粒子を付着せ
しめ、試料表面に無反射膜等を形成する。
備室からスパッタ室に送り出し、直線状の搬送ラインに
沿ってキャリアを移動させる間に試料を加熱するととも
に試料表面にターゲットから飛来する金属粒子を付着せ
しめ、試料表面に無反射膜等を形成する。
【0008】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図1は本発明に係るスパッタリング
装置の全体平面図、図2はキャリアの移し換え機構の斜
視図、図3はキャリア下部と搬送ラインの関係を示す斜
視図、図4及び図5はキャリアの移し換え機構の要部の
斜視図、図6は図2のA方向矢視拡大図、図7は図6の
B方向矢視図である。
説明する。ここで、図1は本発明に係るスパッタリング
装置の全体平面図、図2はキャリアの移し換え機構の斜
視図、図3はキャリア下部と搬送ラインの関係を示す斜
視図、図4及び図5はキャリアの移し換え機構の要部の
斜視図、図6は図2のA方向矢視拡大図、図7は図6の
B方向矢視図である。
【0009】スパッタリング装置はハウジング1の一端
部にバルブ2,2を介して準備室3及び取出室4を設
け、これら準備室3及び取出室4内にガラス板等の試料
を取り付けたキャリア5を複数収納可能としている。
部にバルブ2,2を介して準備室3及び取出室4を設
け、これら準備室3及び取出室4内にガラス板等の試料
を取り付けたキャリア5を複数収納可能としている。
【0010】ハウジング1は真空ポンプにつながる減圧
パイプ6、反応ガスの導入パイプ7を備え、内部には2
本の直線状キャリア搬送ラインL1,L2を平行に設
け、これらキャリア搬送ラインL1,L2をハウジング
1内の端部に設けた移し換えラインL3,L4でつない
で循環ラインを構成し、キャリア搬送ラインL1,L2
に沿ったハウジング1の側壁にはカソード電極8を設
け、このカソード電極8にターゲット9を取り付け、更
にキャリア搬送ラインL1,L2の内側に沿ってヒータ
10を配置している。尚、ターゲット9の形状は図8に
示すように筒状にし、このターゲット9を回転せしめる
ようにすればターゲット9の減り方が均一になる。
パイプ6、反応ガスの導入パイプ7を備え、内部には2
本の直線状キャリア搬送ラインL1,L2を平行に設
け、これらキャリア搬送ラインL1,L2をハウジング
1内の端部に設けた移し換えラインL3,L4でつない
で循環ラインを構成し、キャリア搬送ラインL1,L2
に沿ったハウジング1の側壁にはカソード電極8を設
け、このカソード電極8にターゲット9を取り付け、更
にキャリア搬送ラインL1,L2の内側に沿ってヒータ
10を配置している。尚、ターゲット9の形状は図8に
示すように筒状にし、このターゲット9を回転せしめる
ようにすればターゲット9の減り方が均一になる。
【0011】キャリア5はレール部材11の上に枠体1
2を立設し、この枠体12に試料としてのガラス板Wを
6枚取り付け可能としている。尚、ガラス板Wの片面の
みに膜を形成する場合には枠体12の両面にガラス板W
を取り付けることで同時に12枚のガラス板Wを処理す
ることができる。
2を立設し、この枠体12に試料としてのガラス板Wを
6枚取り付け可能としている。尚、ガラス板Wの片面の
みに膜を形成する場合には枠体12の両面にガラス板W
を取り付けることで同時に12枚のガラス板Wを処理す
ることができる。
【0012】キャリア下部のレール部材11は上端部両
側及び下端中央に突条13,14を備え、これら突条1
3,14がキャリア搬送ラインL1,L2に沿って配置
された上部ガイドローラ15及び下部ガイドローラ16
に係合し、搬送中のキャリア5の倒れを防止している。
尚、突条の代りに溝を形成し、この溝にガイドローラを
係合するようにしてもよい。
側及び下端中央に突条13,14を備え、これら突条1
3,14がキャリア搬送ラインL1,L2に沿って配置
された上部ガイドローラ15及び下部ガイドローラ16
に係合し、搬送中のキャリア5の倒れを防止している。
尚、突条の代りに溝を形成し、この溝にガイドローラを
係合するようにしてもよい。
【0013】またレール部材11の下部両側にはラック
17を取り付け、一方図2に示すように搬送ラインL
1,L2に沿ってモータ18を複数個配置し、このモー
タ18によって回転せしめられる駆動ギヤ19を前記ラ
ック17に噛合し、搬送ラインL1,L2に沿ってキャ
リア5を搬送するようにしている。
17を取り付け、一方図2に示すように搬送ラインL
1,L2に沿ってモータ18を複数個配置し、このモー
タ18によって回転せしめられる駆動ギヤ19を前記ラ
ック17に噛合し、搬送ラインL1,L2に沿ってキャ
リア5を搬送するようにしている。
【0014】搬送ラインL1,L2の端部においては図
2に示すように、上部ガイドローラ15はレール20に
沿って上下動する支持板21に取り付けられ、下部ガイ
ドローラ16はレール20に沿って上下動する支持板2
2に取り付けられ、移し換えの際にはこれら支持板2
1,22が互いに離反・接近する構造になっている。
2に示すように、上部ガイドローラ15はレール20に
沿って上下動する支持板21に取り付けられ、下部ガイ
ドローラ16はレール20に沿って上下動する支持板2
2に取り付けられ、移し換えの際にはこれら支持板2
1,22が互いに離反・接近する構造になっている。
【0015】また、搬送ラインL1,L2の端部にはス
クリューシャフト23の回転によりレール24に沿って
移し換えラインL3,L4と平行に移動するスライドプ
レート25を設け、このスライドプレート25上に駆動
ギヤ26及びラック27によりレール28に沿って移し
換えラインL3,L4と直交方向に進退動する保持プレ
ート29を設け、この保持プレート29上に第1のクラ
ンパー30を固定している。このクランパー30は前記
キャリア5のレール部材11上部の突条13,13の外
側面を押え付けるローラ31,31と下部の突条14を
下方から支えるローラ32を備えている。
クリューシャフト23の回転によりレール24に沿って
移し換えラインL3,L4と平行に移動するスライドプ
レート25を設け、このスライドプレート25上に駆動
ギヤ26及びラック27によりレール28に沿って移し
換えラインL3,L4と直交方向に進退動する保持プレ
ート29を設け、この保持プレート29上に第1のクラ
ンパー30を固定している。このクランパー30は前記
キャリア5のレール部材11上部の突条13,13の外
側面を押え付けるローラ31,31と下部の突条14を
下方から支えるローラ32を備えている。
【0016】また、プレート29よりも内側のスペース
にはシリンダユニット33にて上下動せしめられる昇降
プレート34を配置し、この昇降プレート34上面には
前記レール部材11の下部の突条14が嵌り込む溝35
を形成している。
にはシリンダユニット33にて上下動せしめられる昇降
プレート34を配置し、この昇降プレート34上面には
前記レール部材11の下部の突条14が嵌り込む溝35
を形成している。
【0017】更に、保持プレート29と昇降プレート3
4との間には移し換えラインL3,L4と平行で軸回り
に約110°回動可能なガイドロッド36を架設し、こ
のガイドロッド36に第2のクランパー37を摺動自在
にキー嵌合している。この第2のクランパー37は前記
キャリア5のレール部材11上部の突条13,13に係
合するローラ38を備えている。
4との間には移し換えラインL3,L4と平行で軸回り
に約110°回動可能なガイドロッド36を架設し、こ
のガイドロッド36に第2のクランパー37を摺動自在
にキー嵌合している。この第2のクランパー37は前記
キャリア5のレール部材11上部の突条13,13に係
合するローラ38を備えている。
【0018】以上のごとき構成からなるスパッタリング
装置を用いてガラス板W表面に金属膜を形成するには、
先ずキャリア5の枠体12にガラス板Wを取り付け、こ
のキャリア5を複数枚準備室3内に収納する。
装置を用いてガラス板W表面に金属膜を形成するには、
先ずキャリア5の枠体12にガラス板Wを取り付け、こ
のキャリア5を複数枚準備室3内に収納する。
【0019】次いで、準備室3内をハウジング1内と同
圧になるまで減圧し、同圧となったならばバルブ2を開
けてキャリア5をハウジング1内の搬送ラインL1に送
り出す。搬送ラインL1に送り出されたキャリア5はそ
のレール部材11の突条13,14が上部ガイドローラ
15及び下部ガイドローラ16に係合し、またラック1
7が駆動ギヤ19に噛合し、モータ18によってキャリ
ア5が搬送ラインL1に沿って搬送され、この間にター
ゲット9から飛来する金属粒子がガラス板W表面に付着
して一面側に膜が形成される。
圧になるまで減圧し、同圧となったならばバルブ2を開
けてキャリア5をハウジング1内の搬送ラインL1に送
り出す。搬送ラインL1に送り出されたキャリア5はそ
のレール部材11の突条13,14が上部ガイドローラ
15及び下部ガイドローラ16に係合し、またラック1
7が駆動ギヤ19に噛合し、モータ18によってキャリ
ア5が搬送ラインL1に沿って搬送され、この間にター
ゲット9から飛来する金属粒子がガラス板W表面に付着
して一面側に膜が形成される。
【0020】そして移し換えラインL3を介して搬送ラ
インL2に入り、この搬送ラインL2において他面側に
膜が形成され、移し換えラインL4を介して再び搬送ラ
インL1に入り、一端形成した膜の表面に更に膜を形成
する。このようにしてガラス板W表面に、所定厚の金属
膜を複数層形成することで無反射膜が形成される。尚、
1回の循環ライン毎にスパッタリングの条件、例えば反
応ガスの種類を変えるようにしてもよい。本発明装置に
よればこの条件の変更を簡単にできる。
インL2に入り、この搬送ラインL2において他面側に
膜が形成され、移し換えラインL4を介して再び搬送ラ
インL1に入り、一端形成した膜の表面に更に膜を形成
する。このようにしてガラス板W表面に、所定厚の金属
膜を複数層形成することで無反射膜が形成される。尚、
1回の循環ライン毎にスパッタリングの条件、例えば反
応ガスの種類を変えるようにしてもよい。本発明装置に
よればこの条件の変更を簡単にできる。
【0021】次に、搬送ラインL1,L2と移し換えラ
インL3,L4との間のキャリアのやりとりについて、
図6の状態つまり搬送ラインL2の下流端においてはガ
イドローラ15,16によってキャリア5が支持されて
おり、スライドプレート25が搬送ラインL1側に寄っ
た位置を出発点として説明する。
インL3,L4との間のキャリアのやりとりについて、
図6の状態つまり搬送ラインL2の下流端においてはガ
イドローラ15,16によってキャリア5が支持されて
おり、スライドプレート25が搬送ラインL1側に寄っ
た位置を出発点として説明する。
【0022】先ず昇降プレート34が図5に示す位置か
らシリンダユニット33によって上昇し、これと同時に
第2のクランパー37が軸36と一体的に揺動し、搬送
ラインL1,L2の端部に位置している3台のキャリア
5を上昇せしめる。すると、図6における左側2台のキ
ャリアは第1のクランパー30から、また右側のキャリ
ア5はガイドローラ15,16からそれぞれ昇降プレー
ト34と第2のクランパー37との間に受け取られた待
機状態となる。
らシリンダユニット33によって上昇し、これと同時に
第2のクランパー37が軸36と一体的に揺動し、搬送
ラインL1,L2の端部に位置している3台のキャリア
5を上昇せしめる。すると、図6における左側2台のキ
ャリアは第1のクランパー30から、また右側のキャリ
ア5はガイドローラ15,16からそれぞれ昇降プレー
ト34と第2のクランパー37との間に受け取られた待
機状態となる。
【0023】そして、保持プレート29をレール28に
沿って後退せしめ、更にスライドプレート25を第1の
クランパー30とともに図6において右方に移動させ、
移動が完了したら昇降プレート34を下降せしめ、更に
第1のクランパー30を備えた保持プレート29を前進
せしめる。
沿って後退せしめ、更にスライドプレート25を第1の
クランパー30とともに図6において右方に移動させ、
移動が完了したら昇降プレート34を下降せしめ、更に
第1のクランパー30を備えた保持プレート29を前進
せしめる。
【0024】すると、図6において右側のキャリア5は
右側の第1のクランパー30内に収り、中央のキャリア
5は左側の第1のクランパー30内に収り、左側のキャ
リア5は搬送ラインL1の上部ガイドローラ15及び下
部ガイドローラ16に受け取られる。ここで、上部ガイ
ドローラ15及び下部ガイドローラ16は、上下動する
支持板21,22に取り付けられており、受け渡しの前
には支持板21は上方に、支持板22は下方に待機して
おり、これら支持板21,22が互いに接近する方向に
移動することで、上部及び下部のガイドローラ15,1
6でキャリア5を保持する。
右側の第1のクランパー30内に収り、中央のキャリア
5は左側の第1のクランパー30内に収り、左側のキャ
リア5は搬送ラインL1の上部ガイドローラ15及び下
部ガイドローラ16に受け取られる。ここで、上部ガイ
ドローラ15及び下部ガイドローラ16は、上下動する
支持板21,22に取り付けられており、受け渡しの前
には支持板21は上方に、支持板22は下方に待機して
おり、これら支持板21,22が互いに接近する方向に
移動することで、上部及び下部のガイドローラ15,1
6でキャリア5を保持する。
【0025】この後、スライドプレート25を再び図6
中左に移動することで、説明の出発点に戻る。そしてこ
れを繰返すことにより、所定膜厚のスパッタリング膜が
形成される。
中左に移動することで、説明の出発点に戻る。そしてこ
れを繰返すことにより、所定膜厚のスパッタリング膜が
形成される。
【0026】図9以降は別実施例を示す図であり、図9
に示すスパッタリング装置にあっては、ハウジング1の
中央にも、カソード8とターゲット9を設け、搬送ライ
ンの一方と搬送される間にガラス板Wの両面に膜を形成
するようにしている。
に示すスパッタリング装置にあっては、ハウジング1の
中央にも、カソード8とターゲット9を設け、搬送ライ
ンの一方と搬送される間にガラス板Wの両面に膜を形成
するようにしている。
【0027】図10に示す実施例はハウジング1,1を
平行に設置するとともに、上流側のスパッタ室に付設さ
れる取出室4は下流側のスパッタ室の準備室3を兼ねる
ようにし、設置スペースを取らないようにしている。
平行に設置するとともに、上流側のスパッタ室に付設さ
れる取出室4は下流側のスパッタ室の準備室3を兼ねる
ようにし、設置スペースを取らないようにしている。
【0028】更に図11に示す実施例は、前記した移し
換え機構の代りに、キャリア回転体で搬送ライン1,2
の端部をつなぐようにしている。このようにすれば2順
目以降膜形成面を任意に決めることができる。
換え機構の代りに、キャリア回転体で搬送ライン1,2
の端部をつなぐようにしている。このようにすれば2順
目以降膜形成面を任意に決めることができる。
【0029】尚、実施例にあってはキャリアを垂直状態
で搬送する例を示したが、水平状態でキャリアを搬送す
るようにしてもよい。このようにすれば図10に示した
実施例では、設置面積をそのままにして処理能力をアッ
プすることができる。
で搬送する例を示したが、水平状態でキャリアを搬送す
るようにしてもよい。このようにすれば図10に示した
実施例では、設置面積をそのままにして処理能力をアッ
プすることができる。
【0030】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
スパッタ室内に2本の直線状キャリア搬送ラインを平行
に設け、これら搬送ラインの端部を移し換えラインでつ
ないで循環搬送ラインを構成したので、設置スペースが
少なくて済み、またスパッタ条件の自由度が大きく膜の
厚み及び特性のコントロールが容易に行なえる。そし
て、循環搬送ラインであっても、試料Wとターゲットと
の距離が常に等しいので、試料の寸法が大きくても均一
処理が行なえる。
スパッタ室内に2本の直線状キャリア搬送ラインを平行
に設け、これら搬送ラインの端部を移し換えラインでつ
ないで循環搬送ラインを構成したので、設置スペースが
少なくて済み、またスパッタ条件の自由度が大きく膜の
厚み及び特性のコントロールが容易に行なえる。そし
て、循環搬送ラインであっても、試料Wとターゲットと
の距離が常に等しいので、試料の寸法が大きくても均一
処理が行なえる。
【図1】本発明に係るスパッタリング装置の全体平面図
【図2】キャリアの移し換え機構の斜視図
【図3】キャリア下部と搬送ラインの関係を示す斜視図
【図4】キャリアの移し換え機構の要部の斜視図
【図5】キャリアの移し換え機構の要部の斜視図
【図6】図2のA方向矢視拡大図
【図7】図6のB方向矢視図
【図8】ターゲットの別実施例を示す図
【図9】スパッタリング装置の別実施例を示す全体図
【図10】スパッタリング装置の別実施例を示す全体図
【図11】スパッタリング装置の別実施例を示す全体図
【図12】従来のスパッタリング装置の全体図
【図13】従来のスパッタリング装置の全体図
【図14】図14に示したスパッタリング装置の不利な
点を示した図
点を示した図
1…ハウジング、3…準備室、4…取出室、5…キャリ
ア、9…ターゲット、10…ヒータ、11…レール部
材、12…枠体、25…スライドプレート、29…保持
プレート、30…第1のクランパー、34…昇降板、W
…試料。
ア、9…ターゲット、10…ヒータ、11…レール部
材、12…枠体、25…スライドプレート、29…保持
プレート、30…第1のクランパー、34…昇降板、W
…試料。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 俊次 大阪府大阪市中央区道修町3丁目5番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 加瀬 一人 大阪府大阪市中央区道修町3丁目5番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 本多 祐二 千葉県四街道市四街道1533−29 (72)発明者 蔵谷 俊夫 埼玉県加須市久下4−16−6 (72)発明者 鈴木 光博 東京都江戸川区鹿骨1−3−18
Claims (2)
- 【請求項1】 試料を取り付けたキャリアを準備室から
スパッタ室に送り出し、キャリアとともに試料をスパッ
タ室内で搬送しつつ試料表面に成膜し、キャリアととも
に取出室に収納するようにしたスパッタリング装置にお
いて、前記スパッタ室内には2本の直線状キャリア搬送
ラインを平行に設け、これら搬送ラインの端部を移し換
えラインでつないでスパッタ室内に循環搬送ラインを構
成したことを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項2】 前記スパッタ室は複数配置され、上流側
のスパッタ室に付設される取出室は下流側のスパッタ室
の準備室を兼ねることを特徴とする請求項1に記載のス
パッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3353199A JPH05171441A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3353199A JPH05171441A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05171441A true JPH05171441A (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=18429233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3353199A Withdrawn JPH05171441A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05171441A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002031216A3 (en) * | 2000-10-11 | 2002-06-20 | Ct Luxembourgeois Rech Verre | Apparatus for continuous sputter-deposition |
WO2009072426A1 (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | Ulvac, Inc. | 真空処理装置及び基板処理方法 |
KR100948205B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2010-03-16 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 스퍼터링 장치 |
JP2016006223A (ja) * | 2014-05-28 | 2016-01-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置 |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP3353199A patent/JPH05171441A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002031216A3 (en) * | 2000-10-11 | 2002-06-20 | Ct Luxembourgeois Rech Verre | Apparatus for continuous sputter-deposition |
KR100948205B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2010-03-16 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 스퍼터링 장치 |
WO2009072426A1 (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-11 | Ulvac, Inc. | 真空処理装置及び基板処理方法 |
KR101290884B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2013-07-29 | 가부시키가이샤 알박 | 진공 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
TWI416647B (zh) * | 2007-12-06 | 2013-11-21 | Ulvac Inc | Vacuum processing device and substrate processing method |
JP5419708B2 (ja) * | 2007-12-06 | 2014-02-19 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び基板処理方法 |
CN103882402B (zh) * | 2007-12-06 | 2016-06-01 | 株式会社爱发科 | 真空处理装置及基板处理方法 |
JP2016006223A (ja) * | 2014-05-28 | 2016-01-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |