JPH05166776A - 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置 - Google Patents
半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置Info
- Publication number
- JPH05166776A JPH05166776A JP33033991A JP33033991A JPH05166776A JP H05166776 A JPH05166776 A JP H05166776A JP 33033991 A JP33033991 A JP 33033991A JP 33033991 A JP33033991 A JP 33033991A JP H05166776 A JPH05166776 A JP H05166776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- washing
- cleaning
- ozone
- wafer
- washing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 常に一定量の活性酸素濃度を保ち、洗浄力に
むらがなく、また、その維持管理も容易な半導体ウェー
ハの洗浄方法およびその装置を提供すること。 【構成】 塩酸および純水またはアンモニア水および純
水よりなる洗浄液にオゾンを導入しながら洗浄すること
を特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置
により上記諸目的は達成される。
むらがなく、また、その維持管理も容易な半導体ウェー
ハの洗浄方法およびその装置を提供すること。 【構成】 塩酸および純水またはアンモニア水および純
水よりなる洗浄液にオゾンを導入しながら洗浄すること
を特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置
により上記諸目的は達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの洗浄
方法およびその装置に関する。
方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造工程において、投入時の
ウェーハ基板の洗浄や熱酸化工程の前洗浄、ＣＶＤ工程
の前洗浄、またはリンガラス除去等における半導体ウェ
ーハの洗浄には、従来より（１）ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2
＋Ｈ2 Ｏ混合液浸漬処理（１：１：５、８０℃、１０
分）、（２）純水リンス、（３）ＨＦ＋Ｈ2 Ｏ浸漬処理
（ＨＦ１％含有）、（４）純水リンス、（５）ＨＣｌ＋
Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合液浸漬処理（１：１：６、８０
℃、１０分）、（６）純水リンス、（７）乾燥までを連
続して行ういわゆるＲＣＡ洗浄法(W.Kern et.al.:RCA R
eveiw,31,p.187,1970)を基本とし、それぞれの処理液の
混合割合や浸漬時間、加熱温度、また、上記（１）、
（２）および（３）の洗浄液による洗浄処理の順番を入
替える等、工程に合わせ適宜選択して用いる洗浄方法が
一般的である。
ウェーハ基板の洗浄や熱酸化工程の前洗浄、ＣＶＤ工程
の前洗浄、またはリンガラス除去等における半導体ウェ
ーハの洗浄には、従来より（１）ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2
＋Ｈ2 Ｏ混合液浸漬処理（１：１：５、８０℃、１０
分）、（２）純水リンス、（３）ＨＦ＋Ｈ2 Ｏ浸漬処理
（ＨＦ１％含有）、（４）純水リンス、（５）ＨＣｌ＋
Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合液浸漬処理（１：１：６、８０
℃、１０分）、（６）純水リンス、（７）乾燥までを連
続して行ういわゆるＲＣＡ洗浄法(W.Kern et.al.:RCA R
eveiw,31,p.187,1970)を基本とし、それぞれの処理液の
混合割合や浸漬時間、加熱温度、また、上記（１）、
（２）および（３）の洗浄液による洗浄処理の順番を入
替える等、工程に合わせ適宜選択して用いる洗浄方法が
一般的である。
【０００３】ここで、（１）ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ
2 Ｏ混合液は有機物等の異物除去および重金属除去等に
効果があり、（３）ＨＦ＋Ｈ2 Ｏは酸化膜の除去と同時
に基板表面上に付着した異物の除去に効果があり、ま
た、（５）ＨＣｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合液は重金属除
去に効果があるとされている。
2 Ｏ混合液は有機物等の異物除去および重金属除去等に
効果があり、（３）ＨＦ＋Ｈ2 Ｏは酸化膜の除去と同時
に基板表面上に付着した異物の除去に効果があり、ま
た、（５）ＨＣｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合液は重金属除
去に効果があるとされている。
【０００４】上記洗浄液のうち、アルカリ系洗浄液であ
る（１）ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合液および酸
系洗浄液である（５）ＨＣｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合液
には過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）が含まれており、この過
酸化水素水は、溶液中で分解して、放出された活性酸素
が洗浄力を高める作用、特に金属汚染の除去に効果があ
るとされている。
る（１）ＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合液および酸
系洗浄液である（５）ＨＣｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合液
には過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）が含まれており、この過
酸化水素水は、溶液中で分解して、放出された活性酸素
が洗浄力を高める作用、特に金属汚染の除去に効果があ
るとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような過酸化水素水を含む洗浄液は、溶液中での過酸化
水素の分解にともない、活性酸素の濃度が次第に薄くな
り、その洗浄力が弱くなる。特に、洗浄液を加熱して行
う場合の洗浄効果は、急激に弱まる。このため、洗浄の
始めと終りで洗浄液の効果に差のないように洗浄液を維
持管理しなければならないが、過酸化水素水を洗浄中に
加えると、温度が下がったり、また、経過時間により洗
浄力にむらがある等の問題がある。
ような過酸化水素水を含む洗浄液は、溶液中での過酸化
水素の分解にともない、活性酸素の濃度が次第に薄くな
り、その洗浄力が弱くなる。特に、洗浄液を加熱して行
う場合の洗浄効果は、急激に弱まる。このため、洗浄の
始めと終りで洗浄液の効果に差のないように洗浄液を維
持管理しなければならないが、過酸化水素水を洗浄中に
加えると、温度が下がったり、また、経過時間により洗
浄力にむらがある等の問題がある。
【０００６】そこで本発明は、常に一定量の活性酸素濃
度を保ち、洗浄力にむらがなく、また、その維持管理も
容易な半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置を提供
することを目的とする。
度を保ち、洗浄力にむらがなく、また、その維持管理も
容易な半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記諸目的は、塩酸およ
び純水よりなる洗浄液にオゾンを導入しながら洗浄する
ことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法により達成
される。
び純水よりなる洗浄液にオゾンを導入しながら洗浄する
ことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法により達成
される。
【０００８】上記諸目的は、アンモニア水および純水よ
りなる洗浄液にオゾンを導入しながら洗浄することを特
徴とする半導体ウェーハの洗浄方法により達成される。
りなる洗浄液にオゾンを導入しながら洗浄することを特
徴とする半導体ウェーハの洗浄方法により達成される。
【０００９】また、上記諸目的は、塩酸および純水より
なる洗浄液にオゾンを導入しながら半導体ウェーハを洗
浄する洗浄装置により達成される。
なる洗浄液にオゾンを導入しながら半導体ウェーハを洗
浄する洗浄装置により達成される。
【００１０】また、上記諸目的は、アンモニア水および
純水よりなる洗浄液にオゾンを導入しながら半導体ウェ
ーハを洗浄する洗浄装置により達成される。
純水よりなる洗浄液にオゾンを導入しながら半導体ウェ
ーハを洗浄する洗浄装置により達成される。
【００１１】
【作用】本発明は、上記のように、塩酸および純水より
なる酸系洗浄液、またはアンモニア水および純水よりな
るアルカリ系洗浄液中にオゾンを導入し、このオゾン導
入量を制御することにより、洗浄液中の活性酸素濃度が
常に一定にたもたれるため、洗浄効果が時間と共に変化
することなく、良好な洗浄力を維持することができる。
なる酸系洗浄液、またはアンモニア水および純水よりな
るアルカリ系洗浄液中にオゾンを導入し、このオゾン導
入量を制御することにより、洗浄液中の活性酸素濃度が
常に一定にたもたれるため、洗浄効果が時間と共に変化
することなく、良好な洗浄力を維持することができる。
【００１２】また、従来の酸系またはアルカリ系の洗浄
液に過酸化水素水を用いた場合より常にウェーハ表面に
活性酸素を供給することにより経時変化なくウェーハ表
面が酸化膜を連続的に成長する。また、５〜１０オング
ストローム程度酸化膜が成長するとＮＨ4 ＯＨまたはＨ
Ｃｌにより酸化膜をエッチングし、たえず清浄なウェー
ハ表面を維持できる。
液に過酸化水素水を用いた場合より常にウェーハ表面に
活性酸素を供給することにより経時変化なくウェーハ表
面が酸化膜を連続的に成長する。また、５〜１０オング
ストローム程度酸化膜が成長するとＮＨ4 ＯＨまたはＨ
Ｃｌにより酸化膜をエッチングし、たえず清浄なウェー
ハ表面を維持できる。
【００１３】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。図１は、本発明の洗浄装置の一実施例を示す図面で
ある。
る。図１は、本発明の洗浄装置の一実施例を示す図面で
ある。
【００１４】実施例１ まず、洗浄槽１に、洗浄液９として、塩酸（ＨＣｌ）お
よび超純水（Ｈ2 Ｏ)を重量比で、ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ＝
０．５〜１：５の割合で、秤量供給装置、例えば秤量ポ
ンプ、秤量槽、液面センサー等を用いて供給する。次い
でオゾン（Ｏ3 ）ガス８を流量計７により計量しなが
ら、供給量０．５〜１０リットル／分の割合で、フィル
ター６および導管５を通じて洗浄槽１中へバブラー３に
より洗浄液中に均一になるように導入する。オゾンが洗
浄液中に充分均一に混合させれた後、半導体装置のウェ
ーハを通常の洗浄に用いるウェーハキャリアーなどにセ
ットして洗浄槽１内に浸漬する。なお、この時、洗浄効
果を上げるために洗浄液をヒーター２により加熱しても
よく、その温度は常温〜９０℃程度である。 また、洗
浄液中へのオゾンガスの導入には、上記のようなバブラ
ーを用いずに、洗浄槽内に攪拌機を備え、導管によりオ
ゾンガスを導入し、攪拌機によりオゾンが均一になるよ
うに混合してもよい。
よび超純水（Ｈ2 Ｏ)を重量比で、ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ＝
０．５〜１：５の割合で、秤量供給装置、例えば秤量ポ
ンプ、秤量槽、液面センサー等を用いて供給する。次い
でオゾン（Ｏ3 ）ガス８を流量計７により計量しなが
ら、供給量０．５〜１０リットル／分の割合で、フィル
ター６および導管５を通じて洗浄槽１中へバブラー３に
より洗浄液中に均一になるように導入する。オゾンが洗
浄液中に充分均一に混合させれた後、半導体装置のウェ
ーハを通常の洗浄に用いるウェーハキャリアーなどにセ
ットして洗浄槽１内に浸漬する。なお、この時、洗浄効
果を上げるために洗浄液をヒーター２により加熱しても
よく、その温度は常温〜９０℃程度である。 また、洗
浄液中へのオゾンガスの導入には、上記のようなバブラ
ーを用いずに、洗浄槽内に攪拌機を備え、導管によりオ
ゾンガスを導入し、攪拌機によりオゾンが均一になるよ
うに混合してもよい。
【００１５】洗浄液へのウェーハの浸漬時間は、通常こ
の様な洗浄において行われている時間でよく、特に限定
されるものではないが、例えば５〜１０分程度である。
の様な洗浄において行われている時間でよく、特に限定
されるものではないが、例えば５〜１０分程度である。
【００１６】洗浄終了後、ウェーハを取り出し、水洗リ
ンス、乾燥、または必要により希フッ酸洗浄等を行い、
水洗リンス、乾燥を行って洗浄工程を完了する。
ンス、乾燥、または必要により希フッ酸洗浄等を行い、
水洗リンス、乾燥を行って洗浄工程を完了する。
【００１７】実施例２ 実施例１において、塩酸の代りに、洗浄液としてアンモ
ニア水（ＮＨ4 ＯＨ）を用いた以外は同様にして、ウェ
ーハの洗浄を行うことができる。
ニア水（ＮＨ4 ＯＨ）を用いた以外は同様にして、ウェ
ーハの洗浄を行うことができる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明による洗浄方法は、
洗浄液中の活性酸素がオゾンにより常に一定量供給され
ているため、その濃度が変化することなく、いつでも良
好な洗浄力を維持することができ、通常、半導体ウェー
ハの製造工程で用いられているような、何バッチかを連
続して洗浄するような場合には、最初のバッチと他のバ
ッチとで洗浄効果に差が出るなどの問題が発生しない。
洗浄液中の活性酸素がオゾンにより常に一定量供給され
ているため、その濃度が変化することなく、いつでも良
好な洗浄力を維持することができ、通常、半導体ウェー
ハの製造工程で用いられているような、何バッチかを連
続して洗浄するような場合には、最初のバッチと他のバ
ッチとで洗浄効果に差が出るなどの問題が発生しない。
【図１】 本発明の一実施例による洗浄装置を示す概略
図である。
図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 塩酸および純水よりなる洗浄液にオゾン
を導入しながら洗浄することを特徴とする半導体ウェー
ハの洗浄方法。 - 【請求項２】 アンモニア水および純水よりなる洗浄液
にオゾンを導入しながら洗浄することを特徴とする半導
体ウェーハの洗浄方法。 - 【請求項３】 塩酸および純水よりなる洗浄液にオゾン
を導入しながら洗浄する半導体装置。 - 【請求項４】 アンモニア水および純水よりなる洗浄液
にオゾンを導入しながら洗浄する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33033991A JPH05166776A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33033991A JPH05166776A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166776A true JPH05166776A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18231518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33033991A Withdrawn JPH05166776A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166776A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0708981A1 (en) * | 1993-07-16 | 1996-05-01 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5632847A (en) * | 1994-04-26 | 1997-05-27 | Chlorine Engineers Corp., Ltd. | Film removing method and film removing agent |
| JPH09255998A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-09-30 | Furontetsuku:Kk | 洗浄方法および洗浄装置 |
| US5911837A (en) * | 1993-07-16 | 1999-06-15 | Legacy Systems, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US6368415B1 (en) | 1998-01-19 | 2002-04-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for washing semiconductor substrate and washing apparatus therefor |
| US6675817B1 (en) * | 1999-04-23 | 2004-01-13 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Apparatus for etching a glass substrate |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP33033991A patent/JPH05166776A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0708981A1 (en) * | 1993-07-16 | 1996-05-01 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| EP0708981A4 (en) * | 1993-07-16 | 1997-03-12 | Legacy Systems Inc | PROCESS AND APPARATUS FOR TREATING A SEMICONDUCTOR DISC IN A LIQUID |
| US5727578A (en) * | 1993-07-16 | 1998-03-17 | Legacy Systems, Inc. | Apparatus for the treatment and drying of semiconductor wafers in a fluid |
| US5776296A (en) * | 1993-07-16 | 1998-07-07 | Legacy Systems, Inc. | Apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5911837A (en) * | 1993-07-16 | 1999-06-15 | Legacy Systems, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5632847A (en) * | 1994-04-26 | 1997-05-27 | Chlorine Engineers Corp., Ltd. | Film removing method and film removing agent |
| JPH09255998A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-09-30 | Furontetsuku:Kk | 洗浄方法および洗浄装置 |
| US6368415B1 (en) | 1998-01-19 | 2002-04-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for washing semiconductor substrate and washing apparatus therefor |
| US6675817B1 (en) * | 1999-04-23 | 2004-01-13 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Apparatus for etching a glass substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3154814B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 | |
| US5181985A (en) | Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers | |
| JP2760418B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄液及びこれを用いた半導体ウエーハの洗浄方法 | |
| KR100220926B1 (ko) | 소수성 실리콘 웨이퍼의 세정방법 | |
| JPH0745580A (ja) | 半導体ウエハ処理方法 | |
| JPH11121417A (ja) | 半導体基板の処理システムおよび処理方法 | |
| JPH09293701A (ja) | 半導体を製造する方法 | |
| US7156927B2 (en) | Transition flow treatment process and apparatus | |
| JPH0724265B2 (ja) | 半導体基板の洗浄装置 | |
| JPH05166776A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置 | |
| GB2376797A (en) | Stable, oxide-free silicon surface preparation | |
| JPH04125927A (ja) | 基板洗浄方法 | |
| JP2011146460A (ja) | シリコンウェーハの表面浄化方法 | |
| JPH05109686A (ja) | シリコンウエーハの洗浄方法およびその装置 | |
| JPH0737851A (ja) | 洗浄装置 | |
| JPH05166777A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
| JP3595681B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPH03190130A (ja) | 半導体の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP3669728B2 (ja) | 酸化膜及びその形成方法、並びに半導体装置 | |
| JP2603020B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JPH02164035A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH07240394A (ja) | 半導体ウェーハの表面洗浄方法 | |
| JPH11265867A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP4306217B2 (ja) | 洗浄後の半導体基板の乾燥方法 | |
| JP3136606B2 (ja) | ウエハの洗浄方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |