JPH05166454A - チップ型ヒューズ - Google Patents
チップ型ヒューズInfo
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- JPH05166454A JPH05166454A JP32625691A JP32625691A JPH05166454A JP H05166454 A JPH05166454 A JP H05166454A JP 32625691 A JP32625691 A JP 32625691A JP 32625691 A JP32625691 A JP 32625691A JP H05166454 A JPH05166454 A JP H05166454A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 過電流が流れた時の溶断時間が短く、溶断後
電極間の絶縁抵抗に優れたチップ型ヒューズを得るこ
と。 【構成】 粗化したガラス布基材ふっ素樹脂基板２に化
学銅めっきを全面施し、フォト、エッチング法により導
体回路３及び電極４を同時に形成する。次に導体回路３
及び電極４上に低融点金属めっき７を施し、続いて導体
回路３上にシリコーン保護膜９を印刷し、チップ型ヒュ
ーズ１を得る。
電極間の絶縁抵抗に優れたチップ型ヒューズを得るこ
と。 【構成】 粗化したガラス布基材ふっ素樹脂基板２に化
学銅めっきを全面施し、フォト、エッチング法により導
体回路３及び電極４を同時に形成する。次に導体回路３
及び電極４上に低融点金属めっき７を施し、続いて導体
回路３上にシリコーン保護膜９を印刷し、チップ型ヒュ
ーズ１を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ型ヒューズに関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器の誤操作、短絡等の故障
により生じた過電流による電子機器の発熱、火災等の事
故を防止するために、ガラス管の端子間に金属の可溶材
料を接続した管ヒューズがあった。しかし電子機器が小
型化するにつれ、前記管ヒューズでは大き過ぎる、量産
性に劣る、配線板に表面実装しにくいなどの問題が生じ
た。これを解決するために小型化が容易で量産性に優
れ、配線板に表面実装しやすいチップ型ヒューズが提案
された。これらのチップ型ヒューズの基板は、ヒューズ
が切断される時に発生する熱を考慮してセラミック基板
上に形成するものであった。例えば、特開昭６３−１４
１２３３号公報に示されるチップ型ヒューズはセラミッ
ク基板上に可溶体を形成している。
により生じた過電流による電子機器の発熱、火災等の事
故を防止するために、ガラス管の端子間に金属の可溶材
料を接続した管ヒューズがあった。しかし電子機器が小
型化するにつれ、前記管ヒューズでは大き過ぎる、量産
性に劣る、配線板に表面実装しにくいなどの問題が生じ
た。これを解決するために小型化が容易で量産性に優
れ、配線板に表面実装しやすいチップ型ヒューズが提案
された。これらのチップ型ヒューズの基板は、ヒューズ
が切断される時に発生する熱を考慮してセラミック基板
上に形成するものであった。例えば、特開昭６３−１４
１２３３号公報に示されるチップ型ヒューズはセラミッ
ク基板上に可溶体を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開昭６３−
１４１２３３号公報に示されるセラミック上に可溶体を
形成した場合、過電流を通したときの発熱により溶融し
た金属がセラミック上に残留する。その結果溶断時の速
断性に劣る、溶断後電極間の絶縁性に劣る等の問題が生
じる。本発明はかかるチップ型ヒューズの欠点を改良
し、速断性と量産性に優れたチップ型ヒューズを提供す
るものである。
１４１２３３号公報に示されるセラミック上に可溶体を
形成した場合、過電流を通したときの発熱により溶融し
た金属がセラミック上に残留する。その結果溶断時の速
断性に劣る、溶断後電極間の絶縁性に劣る等の問題が生
じる。本発明はかかるチップ型ヒューズの欠点を改良
し、速断性と量産性に優れたチップ型ヒューズを提供す
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の欠
点について種々検討した結果、ガラス布基材ふっ素樹脂
基板上に、フォト、エッチング法で形成したＣｕ被膜と
低融点金属を利用して可溶体を構成すれば、電極部と可
溶体とが同一の工程で形成することができ、速断性及び
溶断後の絶縁性に優れたチップ型ヒューズが得られるこ
とを見出し、本発明をなすことができた。すなわち、本
発明のチップ型ヒューズは、チップ型ヒューズの基板材
料として、溶断時の発熱により基板が軟化するガラス布
基材ふっ素樹脂を用いることを特徴とする。
点について種々検討した結果、ガラス布基材ふっ素樹脂
基板上に、フォト、エッチング法で形成したＣｕ被膜と
低融点金属を利用して可溶体を構成すれば、電極部と可
溶体とが同一の工程で形成することができ、速断性及び
溶断後の絶縁性に優れたチップ型ヒューズが得られるこ
とを見出し、本発明をなすことができた。すなわち、本
発明のチップ型ヒューズは、チップ型ヒューズの基板材
料として、溶断時の発熱により基板が軟化するガラス布
基材ふっ素樹脂を用いることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明は、チップ型ヒューズの基板材料とし
て、溶断時の発熱により基板が軟化するガラス布基材ふ
っ素樹脂を用いることで、電極部と可溶体とが同一の工
程で形成することができ、速断性及び溶断後の絶縁性に
優れたチップ型ヒューズが得られる。
て、溶断時の発熱により基板が軟化するガラス布基材ふ
っ素樹脂を用いることで、電極部と可溶体とが同一の工
程で形成することができ、速断性及び溶断後の絶縁性に
優れたチップ型ヒューズが得られる。
【０００６】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。 実施例１ 両端に直径が０．８mm（φ）のスルーホールを形成した
ガラス布基材ふっ素樹脂基板（日立化成工業株式会社
製、商品名ＭＣＬ−Ｔ−６７、寸法８０×８０×厚さ
１．２mm）を脱脂液（日立化成工業株式会社製、商品名
ＨＣＲ−２０１）で洗浄し、エッチング液（ワールドメ
タル社製、商品名ＭＣ−Ｅ）に１０分間（浴温４０℃）
浸漬して粗化を行い、図３の（ａ）に示すようなガラス
布基材ふっ素樹脂基板２を得た。次いで粗化後、無電解
銅めっきを２時間行い、図３の（ｂ）に示すように厚さ
４μｍの銅の被膜６を形成した。なお無電解銅めっき液
は、Ｌ−５９めっき液（日立化成工業株式会社製、商品
名）を用いた。
ガラス布基材ふっ素樹脂基板（日立化成工業株式会社
製、商品名ＭＣＬ−Ｔ−６７、寸法８０×８０×厚さ
１．２mm）を脱脂液（日立化成工業株式会社製、商品名
ＨＣＲ−２０１）で洗浄し、エッチング液（ワールドメ
タル社製、商品名ＭＣ−Ｅ）に１０分間（浴温４０℃）
浸漬して粗化を行い、図３の（ａ）に示すようなガラス
布基材ふっ素樹脂基板２を得た。次いで粗化後、無電解
銅めっきを２時間行い、図３の（ｂ）に示すように厚さ
４μｍの銅の被膜６を形成した。なお無電解銅めっき液
は、Ｌ−５９めっき液（日立化成工業株式会社製、商品
名）を用いた。
【０００７】銅めっき後、感光性レジストフィルム（日
立化成工業株式会社製、商品名ＰＨＴ−８６２−ＡＦ−
２５）を前記銅の被膜６の全表面に貼付し、さらにその
上面に、得られる導体回路と同形状に透明な部分を形成
したネガフィルム（図示せず）を貼付し、露光してネガ
フィルムの透明な部分の下面に配設した感光性レジスト
フィルムを硬化させた。次いでネガフィルムを取り除
き、さらに現像して硬化していない部分、詳しくは露光
していない部分の感光性レジストフィルムを除去して、
図３の（ｃ）に示すようなレジスト膜１０を形成した。
しかる後、濃度２５重量％の過硫酸アンモニウムの溶液
でエッチングを行い、図３の（ｄ）に示すように不必要
な部分の銅の被膜６を除去した。この後濃度５重量％の
ＮａＯＨ溶液で硬化している感光性レジストフィルムを
剥離し、図３の（ｅ）に示すようにガラス布基材ふっ素
樹脂配線板を得た。
立化成工業株式会社製、商品名ＰＨＴ−８６２−ＡＦ−
２５）を前記銅の被膜６の全表面に貼付し、さらにその
上面に、得られる導体回路と同形状に透明な部分を形成
したネガフィルム（図示せず）を貼付し、露光してネガ
フィルムの透明な部分の下面に配設した感光性レジスト
フィルムを硬化させた。次いでネガフィルムを取り除
き、さらに現像して硬化していない部分、詳しくは露光
していない部分の感光性レジストフィルムを除去して、
図３の（ｃ）に示すようなレジスト膜１０を形成した。
しかる後、濃度２５重量％の過硫酸アンモニウムの溶液
でエッチングを行い、図３の（ｄ）に示すように不必要
な部分の銅の被膜６を除去した。この後濃度５重量％の
ＮａＯＨ溶液で硬化している感光性レジストフィルムを
剥離し、図３の（ｅ）に示すようにガラス布基材ふっ素
樹脂配線板を得た。
【０００８】次に脱脂液（日立化成工業株式会社製、商
品名ＨＣＲ−２０１）で洗浄し、水洗後、濃度１０重量
％のＨ2ＳＯ4溶液中に１分間浸漬し、再水洗後、従来公
知の方法で無電解半田めっきを施し、図３の（ｆ）に示
すように、７μｍの半田被膜７を形成したチップ型ヒュ
ーズ基板を得た。なお、無電解半田めっき液は、ビーム
ソルダーＣＰ（上村工業株式会社製、商品名）を用い、
温度７０℃で３０分間めっきを行った。次に該セラミッ
ク配線板を水洗、乾燥後、印刷法で導体回路３の上面及
びガラス布基材ふっ素樹脂基板２の上部露出面にシリコ
ーン樹脂（東レ、ダウ・コーニング社製、商品名ＳＥ−
１７００）を６０μｍの厚さに塗布し、オーブン中で１
３０℃で１５分間硬化させ、図３の（ｈ）に示すように
シリコーン保護膜９を形成した。このようにして得られ
たチップ型ヒューズ基板をスライシングマシーン（ディ
スコ社製、商品名ＤＡＤ−２Ｈ−６）を用いて両端部を
切断し、図１及び図２に示すチップ型ヒューズ１を得
た。なお図１及び図２において、５はスルーホールであ
る。得られたチップ型ヒューズの可溶体部分である導体
回路部３の導体抵抗は０．１Ωであった。
品名ＨＣＲ−２０１）で洗浄し、水洗後、濃度１０重量
％のＨ2ＳＯ4溶液中に１分間浸漬し、再水洗後、従来公
知の方法で無電解半田めっきを施し、図３の（ｆ）に示
すように、７μｍの半田被膜７を形成したチップ型ヒュ
ーズ基板を得た。なお、無電解半田めっき液は、ビーム
ソルダーＣＰ（上村工業株式会社製、商品名）を用い、
温度７０℃で３０分間めっきを行った。次に該セラミッ
ク配線板を水洗、乾燥後、印刷法で導体回路３の上面及
びガラス布基材ふっ素樹脂基板２の上部露出面にシリコ
ーン樹脂（東レ、ダウ・コーニング社製、商品名ＳＥ−
１７００）を６０μｍの厚さに塗布し、オーブン中で１
３０℃で１５分間硬化させ、図３の（ｈ）に示すように
シリコーン保護膜９を形成した。このようにして得られ
たチップ型ヒューズ基板をスライシングマシーン（ディ
スコ社製、商品名ＤＡＤ−２Ｈ−６）を用いて両端部を
切断し、図１及び図２に示すチップ型ヒューズ１を得
た。なお図１及び図２において、５はスルーホールであ
る。得られたチップ型ヒューズの可溶体部分である導体
回路部３の導体抵抗は０．１Ωであった。
【０００９】比較例１ 両端に直径が０．８mm（φ）のスルーホールを形成した
アルミナセラミック基板（日立化成工業株式会社製、商
品名ハロックス５５２、寸法８０×８０×厚さ１．０mm
を実施例と同様、脱脂洗浄し、乾燥後３５０℃に加熱し
たＮａＯＨ溶液中に１０分間浸漬して粗化を行い、実施
例１と同様のアルミナセラミック基板を得た。以下実施
例と同様の工程を経てチップ型ヒューズを得た。得られ
たヒューズの導体抵抗は、実施例１と同様０．１Ωであ
った。
アルミナセラミック基板（日立化成工業株式会社製、商
品名ハロックス５５２、寸法８０×８０×厚さ１．０mm
を実施例と同様、脱脂洗浄し、乾燥後３５０℃に加熱し
たＮａＯＨ溶液中に１０分間浸漬して粗化を行い、実施
例１と同様のアルミナセラミック基板を得た。以下実施
例と同様の工程を経てチップ型ヒューズを得た。得られ
たヒューズの導体抵抗は、実施例１と同様０．１Ωであ
った。
【００１０】比較例２ 両端に直径が０．８mm（φ）のスルーホールを形成した
ジルコニア基板（日立化成工業製、試作品）を比較例１
と同様の方法で粗化し、実施例１と同様のジルコニア基
板を得た。以下実施例と同様の工程を経てチップ型ヒュ
ーズを得た。得られたヒューズの導体抵抗は、０．１Ω
であった。
ジルコニア基板（日立化成工業製、試作品）を比較例１
と同様の方法で粗化し、実施例１と同様のジルコニア基
板を得た。以下実施例と同様の工程を経てチップ型ヒュ
ーズを得た。得られたヒューズの導体抵抗は、０．１Ω
であった。
【００１１】次に実施例及び各比較例で得られたチップ
型ヒューズを２０ヶ用い、２．０Ａの電流を流した時の
溶断時間及び溶断後両電極間の絶縁抵抗を測定した。そ
の結果を表１に示す。
型ヒューズを２０ヶ用い、２．０Ａの電流を流した時の
溶断時間及び溶断後両電極間の絶縁抵抗を測定した。そ
の結果を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１から明らかなように本発明の実施例に
なるチップ型ヒューズは比較例のチップ型ヒューズに比
較して、速断性に優れ、かつ溶断後の絶縁抵抗が優れて
（高い)いることが判る。
なるチップ型ヒューズは比較例のチップ型ヒューズに比
較して、速断性に優れ、かつ溶断後の絶縁抵抗が優れて
（高い)いることが判る。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、電子機器の誤操作、短
絡等の故障により生じた過電流による電子機器の発熱、
火災等の事故を防止するためのチップ型ヒューズにおい
て、量産性を維持したまま、速断性、溶断後の絶縁性を
向上させた電子機器保護用として好適なチップ型ヒュー
ズを提供することができる。
絡等の故障により生じた過電流による電子機器の発熱、
火災等の事故を防止するためのチップ型ヒューズにおい
て、量産性を維持したまま、速断性、溶断後の絶縁性を
向上させた電子機器保護用として好適なチップ型ヒュー
ズを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例になるチップ型ヒューズの傾斜
図である。
図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′線断面図である。
【図３】本発明の実施例になるチップ型ヒューズの製造
作業状態を示す断面図である。
作業状態を示す断面図である。
１ チップ型ヒューズ ２ ガラス布基材
ふっ素樹脂基板 ３ 導体回路 ４ 電極 ５ スルーホール ６ 銅の被膜 ７ Ｐｂ−Ｓｎの被膜 ８ シリコーン保
護膜
ふっ素樹脂基板 ３ 導体回路 ４ 電極 ５ スルーホール ６ 銅の被膜 ７ Ｐｂ−Ｓｎの被膜 ８ シリコーン保
護膜
Claims (1)
- 【請求項１】 表面実装用のチップ型ヒューズの製造方
法において、チップ型ヒューズの基板材料として、溶断
時の発熱により基板が軟化するガラス布基材ふっ素樹脂
を用いることを特徴とするチップ型ヒューズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32625691A JPH05166454A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | チップ型ヒューズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32625691A JPH05166454A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | チップ型ヒューズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166454A true JPH05166454A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18185742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32625691A Pending JPH05166454A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | チップ型ヒューズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166454A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4434913A1 (de) * | 1993-10-01 | 1995-04-13 | Soc Corp | Mikrochipschmelzsicherung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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| JPH0214751B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1990-04-09 | Tokyo Shibaura Electric Co |
-
1991
- 1991-12-11 JP JP32625691A patent/JPH05166454A/ja active Pending
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| WO2022209695A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | ヒューズ素子 |
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