JPH05152459A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JPH05152459A
JPH05152459A JP33597691A JP33597691A JPH05152459A JP H05152459 A JPH05152459 A JP H05152459A JP 33597691 A JP33597691 A JP 33597691A JP 33597691 A JP33597691 A JP 33597691A JP H05152459 A JPH05152459 A JP H05152459A
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JP
Japan
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glass epoxy
integrated circuit
circuit device
hybrid integrated
reinforcing plate
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Application number
JP33597691A
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Masahide Murakami
正秀 村上
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH05152459A publication Critical patent/JPH05152459A/ja
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 混成集積回路装置のガラスエポキシ基板の反
りを防止し、かつ同時にエポキシ樹脂の流れ出しを防止
して混成集積回路装置の信頼性を改善する。 【構成】 ガラスエポキシ基板1の表面上に半導体ペレ
ット3を搭載し、この半導体ペレットをエポキシ樹脂7
で封止する混成集積回路装置において、ガラスエポキシ
基板1の表面上に少なくとも半導体ペレット3に対応す
る部分を開口2aした補強板2を貼着し、この補強板2
でガラスエポキシ基板1の反りを防止し、かつ開口2a
でエポキシ樹脂7の流れ出しを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路装置に関
し、特に基板の反りを防止して信頼性を改善した混成集
積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に混成集積回路装置は、図3及び図
4に平面図及びそのB−B線断面図を示すように、表面
に所要の配線パターン(図示せず)が形成されたガラス
エポキシ基板1の表面上に1以上の半導体ペレット3を
搭載し、この半導体ペレット3と配線パターンとを金ワ
イヤ6で電気接続する。そして、半導体ペレット3をエ
ポキシ樹脂7で個々にモールドする。又、ガラスエポキ
シ基板1上の他の部分にはチップコンデンサ等のディス
クリート部品4を半田リフロー法等の方法により搭載す
る。更に、外部接続端子5を半田ディップ法により取着
する。尚、図示は省略するが、必要に応じて樹脂により
外装を施している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の混成
集積回路装置では、ガラスエポキシ基板1と、半導体ペ
レット3をモールドするエポキシ樹脂7との熱膨張係数
が違うために、熱履歴によってガラスエポキシ基板1に
反りが発生する。この反りは、ガラスエポキシ基板1の
厚さが薄いほど、又形状が長細いほど、顕著に発生す
る。このような反りが生じると、搭載された半導体ペレ
ット3に割れが発生するおそれがある。又、混成集積回
路装置をプリント基板に実装する際に、外部接続端子7
がプリント基板の配線面に接触されなくなり、電気接続
が困難になる等の問題がある。
【0004】又、半導体ペレット3を封止するためのエ
ポキシ樹脂7が周囲に流れ出し、他の部品4や外部接続
端子5にまで到達して電気的な接続不良を発生させる原
因にもなっている。本発明の目的は、ガラスエポキシ基
板の反りを防ぎ、かつ同時にエポキシ樹脂の流れ出しを
防止して信頼性を改善した混成集積回路装置を提供する
ことにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の混成集積回路装
置は、ガラスエポキシ基板の表面に、少なくとも搭載さ
れる半導体ペレットに対応する部分が開口している補強
板を貼着する。この補強板には、ガラスエポキシ補強
板、或いはアルミニウム補強板を用いることができる。
【0006】
【作用】ガラスエポキシ基板の表面に貼着した補強板に
より、ガラスエポキシ基板の機械的強度を向上させ、半
導体ペレットを封止するためのエポキシ樹脂との熱膨張
係数の違いにより生じるガラスエポキシ基板の反りの発
生を防止し、同時にエポキシ樹脂が周囲に流れ出ること
を防止する。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の混成集積回路装置の第1実施例の平
面図であり、図2は図1のA−A線断面図である。この
混成集積回路装置は、表面に所要の配線パターン(図示
せず)を形成したガラスエポキシ基板1の表面上に、半
導体ペレット3やチップコンデンサ4等の搭載する部品
に対応する部分に開口2aを設けたガラスエポキシ補強
板2を一体的に貼り付けいる。前記ガラスエポキシ補強
基板2は厚さ約1mm程度の平板状に形成され、ガラス
エポキシ基板1の外部接続端子5の取り付け部分を除い
た表面上に絶縁性の接着剤で接着される。
【0008】その上で、前記ガラスエポキシ補強板2の
開口2a内において半導体ペレット3をガラスエポキシ
基板1に搭載し、金ワイヤ6でガラスエポキシ基板1の
配線パターンに電気接続し、更にガラスエポキシ補強板
2の開口2a内にエポキシ樹脂7を充填させる。その後
チップコンデンサ4等の他の部品をガラスエポキシ補強
板2の他の開口2a内のガラスエポキシ基板1上に半田
付けし、更に外部接続端子5を取付けて混成集積回路を
構成している。
【0009】このように構成した混成集積回路装置で
は、ガラスエポキシ基板1の表面に貼り付けたガラスエ
ポキシ補強板2によりガラスエポキシ基板1の機械的な
強度が向上され、ガラスエポキシ基板1とエポキシ樹脂
7との熱膨張係数の違いにより生じるガラスエポキシ基
板1の反りの発生が防止できる。又、ガラスエポキシ補
強板2の開口2a内に半導体ペレット3を搭載すること
で、半導体ペレット3を封止するためのエポキシ樹脂7
はガラスエポキシ補強板2の板厚が堰となって外部に流
出することを防止することができる。
【0010】尚、ガラスエポキシ補強基板2の代わりに
アルミニウム補強板を用いることもできる。アルミニウ
ム補強基板を使用することにより、エポキシ樹脂7を充
填する際の熱の放熱性が向上するばかりでなく、半導体
ペレット3で発生した熱の放熱性も向上する。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ガラスエ
ポキシ基板の表面上に、搭載部品に対応する部分が開口
している補強板を貼着しているので、半導体ペレットを
封止するためのエポキシ樹脂とガラスエポキシ基板との
熱膨張係数の違いにより生じるガラスエポキシ基板の反
りの発生を防止でき、半導体ペレットの割れ等を防止し
て信頼性を向上するとともに、混成集積回路の実装を好
適に行うことができる。又、エポキシ樹脂を開口部内に
充填することで、このエポキシ樹脂がディスクリート部
品や外部接続端子等へ流出することが防止できる効果も
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の混成集積回路装置の第1実施例の平面
図である。
【図2】図1のA−A線断面図である。
【図3】従来の混成集積回路装置の平面図である。
【図4】図3のB−B線断面図である。
【符号の説明】
1 ガラスエポキシ基板 2 ガラスエポキシ補強板 2a 開口 3 半導体ペレット 7 エポキシ樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 25/18 7220−4M H01L 25/04 Z

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラスエポキシ基板の表面上に半導体ペ
    レットを搭載し、かつこの半導体ペレットをエポキシ樹
    脂で封止する混成集積回路装置において、前記ガラスエ
    ポキシ基板の表面上に少なくとも前記半導体ペレットに
    対応する部分を開口した補強板を貼着したことを特徴と
    する混成集積回路装置。
  2. 【請求項2】 補強板をガラスエポキシ補強板或いはア
    ルミニウム補強板で構成する請求項1の混成集積回路装
    置。
JP33597691A 1991-11-27 1991-11-27 混成集積回路装置 Pending JPH05152459A (ja)

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JP (1) JPH05152459A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173438A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 実装ハンダ付け部品の防水工法とプリント配線板
JP2012104557A (ja) * 2010-11-08 2012-05-31 Ngk Spark Plug Co Ltd 電子部品付き配線基板及びその製造方法

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