JPH05152211A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】成膜成分の堆積する部分の交換に伴う成膜装置
の休止を回避し、稼働率を向上させる。 【構成】真空雰囲気空間を保持するアウターチャンバー
１１と、アウターチャンバー１１で形成される真空雰囲
気中で成膜空間を形成する移動可能なインナーチャンバ
ー１２と、インナーチャンバー交換用予備室１３とを備
え、インナーチャンバー交換用予備室１３を介してイン
ナーチャンバー１２の交換を行う。 【効果】成膜室１０を常時真空雰囲気に保持でき、イン
ナーチャンバー１２の清掃作業に影響なく成膜処理を継
続できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、真空雰囲気空間中，あ
るいは大気と遮断された空間中で気相または化学反応に
よって被成膜部材に薄膜を形成する成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】絶縁体基板や半導体基板などの被成膜部
材（以下、基板という）の表面に所要の薄膜を形成する
この種の成膜装置としては、ＣＶＤ装置，プラズマＣＶ
Ｄ装置あるいは真空スパッタ装置等の蒸着装置が知られ
ている。近年、半導体素子，あるいは液晶表示素子の製
造における薄膜形成工程においては、プラズマＣＶＤ処
理が多用されている。

【０００３】特に、プラズマＣＶＤは非平衡プラズマ中
で気体状の物質（処理ガス）を反応させて基板上に新し
い固体種を析出させる方法であり、真空処理室である成
膜チャンバー中で処理ガス（例えばシランガス）を高周
波（ＲＦ）電力あるいは直流電力エネルギーの印加で活
性化（ラジカル化）し、基板上に薄膜（例えばアモルフ
ァスシリコン膜）を生成堆積させるものである。

【０００４】図９は従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構
造を説明する断面図であって、０１は成膜室、０２は基
板搬送予備室、０３は上下電極を含む基板トレイ、０
４，０５はそれぞれ処理ガスの導入，排出管、０６は高
周波（ＲＦ）電源、０７は基板である。同図において、
被成膜部材である基板０７は基板トレイ０３の陽極電極
（基板電極）０３２上に載置され、真空雰囲気にある成
膜室０１に導入管０５から処理ガスを導入し、この処理
ガスを高周波電源０６からＲＦ電極０３１に印加される
ＲＦ電力エネルギーにより活性化（ラジカル化）して基
板０７の表面に化学反応を生起させることによって所要
の膜を生成させる。

【０００５】基板トレイ０３はＲＦ電極０３１と基板電
極０３２を石英あるいはセラミックスの絶縁棒で対向保
持した構造を持つ。この基板トレイ０３は、シャッター
０３４を解放して基板の交換時に基板搬送予備室０２に
移送可能とされており、成膜室０１と基板搬送用予備室
０２の真空雰囲気を破ることなしにシャッター０３４と
ゲート０２２の解放／閉止を行ってゲート０２２に隣接
する搬送ステーションから搬送されてくる基板を受け取
り、また成膜済みの基板を搬送ステーションに受け渡
す。成膜処理を続けると、基板トレイ０３の構造体に成
膜成分が堆積し、これが剥離したフレークとなって基板
０７の表面に付着し、成膜品質を低下させる。このた
め、基板トレイ０３の膜付着状況をみて、フレークの剥
離が生じる前に基板トレイ０３を清浄な基板トレイと交
換する。

【０００６】ここで、図９のＣＶＤ装置は成膜室０１の
真空を破らずに基板トレイ０３を交換できる特徴をも
つ。このような成膜室を用いて基板に表面に所要の膜を
形成する従来技術を開示したものとしては、特開昭５９
−１０２２４号公報がある。また、成膜成分の付着は基
板トレイ０３のみにとどまらず、成膜室０１の内壁に及
ぶ。このため、これを防止するため、基板トレイおよび
その周辺部の密閉度を向上させた電極構造を可動とした
特開平２−２９４０号公報等を挙げることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、基
板の搬送と上下電極の搬送が同一方向であったので、搬
送機構が複雑となっていた。また、基板を枚葉で搬送す
るため、ロボットを予備室に設けた場合、電極搬送時に
該ロボットを移動する必要があり、装置移動時間の増
大，ロボットの信頼性低下をもたらすという問題があっ
た。

【０００８】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消し、成膜チャンバーの清掃作業に伴う成膜装置の長時
間の休止を回避し、稼動率を向上させた成膜装置を提供
することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、真空雰囲気空間を保持するアウターチャ
ンバー内に成膜処理を実行するインナーチャンバーを移
動可能に内装させた二重構造の成膜室として、アウター
チャンバーの真空雰囲気を破ることなくインナーチャン
バーを基板搬送に支障なく着脱可能としたことを特徴と
する。

【００１０】すなわち、図１は本発明による成膜装置の
全体構造を説明するためのプラズマＣＶＤに係る成膜装
置の要部のみを示す概略平面図であって、同図に示した
ように、真空雰囲気空間を保持するアウターチャンバー
１１と、前記アウターチャンバー１１で形成される真空
雰囲気中で独立した成膜空間を形成する如く前記アウタ
ーチャンバー１１の内部に移動可能に収容してなるイン
ナーチャンバー１２とから構成した成膜室１０を備えた
ことを特徴とする。

【００１１】また、本発明は、真空雰囲気空間を保持す
るアウターチャンバー１１と、前記アウターチャンバー
１１で形成される真空雰囲気中で独立した成膜空間を形
成する如く前記アウターチャンバー１１に対して移動可
能に前記アウターチャンバー１１の内部に収容してなる
インナーチャンバー１２とから構成した成膜室１０と、
前記アウターチャンバー１１に設けたインナーチャンバ
ー交換用予備室１３とを備え、前記インナーチャンバー
交換用予備室１３を介して前記アウターチャンバー１１
の真空雰囲気を破ることなく前記インナーチャンバー１
２の交換を可能としたことを特徴とする。

【００１２】さらに、本発明は、真空雰囲気空間を保持
するアウターチャンバー１１と、前記アウターチャンバ
ー１１で形成される真空雰囲気中で独立した成膜空間を
形成する如く前記アウターチャンバー１１に対して移動
可能に前記アウターチャンバー１１の内部に収容してな
るインナーチャンバー１２とから構成した成膜室１０
と、前記成膜室１０を構成する前記アウターチャンバー
１１に基板搬送用予備室１４とインナーチャンバー交換
用予備室１３とを設け、前記インナーチャンバー１２を
前記インナーチャンバー交換用予備室１３を介して前記
アウターチャンバー１１の真空雰囲気を破ることなく交
換可能とすると共に、前記基板搬送用予備室１４を介し
て前記アウターチャンバー１１の真空雰囲気を破ること
なく前記成膜室１０に対する被成膜部材である基板の搬
送を可能としたことを特徴とする。

【００１３】なお、図１はプラズマＣＶＤ方式の成膜装
置の概略構成図として本発明の構成を示しているが、本
発明はこのようなものに限るものではなく、常圧ＣＶ
Ｄ，減圧ＣＶＤ方式、あるいは真空スパッタ装置，その
他の成膜装置、またはドライエッチング装置等の製造装
置全般に適用できるものである。

【００１４】

【作用】成膜室１０には、当該成膜室１０の真空雰囲気
を破ることなく被成膜部材である基板を搬入／搬出する
ための基板搬送用予備室１４、および当該成膜室１０の
真空雰囲気を破ることなくインナーチャンバー１２を交
換するためのインナーチャンバー交換用予備室１３が互
いに独立して設置される。

【００１５】被成膜部材である基板２０は、ゲート１７
−１を通して矢印Ａの如く基板搬送用予備室１４に搬入
され（２０’で示す）、ゲート１７−１を閉じ、基板搬
送用予備室１４内を真空に引いて成膜室１１と同一真空
雰囲気とした後、ゲート１７−２を解放して矢印Ｂの如
く成膜室１０に収納されているインナーチャンバー１２
内に搬送装填される。

【００１６】基板を装填した後、ゲート１７−２を閉止
し、インナーチャンバー１２にプラズマ生成ガス（処理
ガス）を導入し、成膜処理用ＲＦ電極（ここでは図示せ
ず）に通電して上記ガスを活性化（ラジカル化）し、基
板の表面に所要の膜を生成させる。成膜処理の完了した
基板は、ゲート１７−３から次のステージに矢印Ｃで示
すように搬送される。

【００１７】この成膜処理を繰り返すと、インナーチャ
ンバー１２の内壁に基板面に生成される膜と同様の膜が
堆積する。これを放置しておくと、堆積した膜が剥離し
たフレークが塵となってインナーチャンバー１２内を飛
散し、成膜雰囲気中を浮遊する。浮遊するこのフレーク
は成膜処理中に基板面に付着して成膜品質を低下させる
ことになる。

【００１８】本発明では、成膜室１０にインナーチャン
バー交換用予備室１３を設け、インナーチャンバー１２
が成膜室１０（アウターチャンバー１１）の真空雰囲気
を破ることなくアウターチャンバー１１と上記インナー
チャンバー交換用予備室１３との間を移動できるように
構成されているので、定期的にインナーチャンバー１２
をインナーチャンバー交換用予備室１３に取り出し、新
しいインナーチャンバーと置換し、取り出したフレーク
付着のインナーチャンバー１２の清掃を成膜室１０の稼
動とは関係なく行う。

【００１９】アウターチャンバー１１の空間とインナー
チャンバー交換用予備室１３の空間とはゲート１７−４
で気密に隔離されており、インナーチャンバー交換用予
備室１３の出口にはゲート１７−５が設けてあるため、
ゲート１７−５を締め切った状態でゲート１７−４を解
放することで、アウターチャンバー１１の真空雰囲気す
なわち成膜室１０の真空雰囲気を破ることなくアウター
チャンバー１１からインナーチャンバー１２を取り出
し、あるいはインナーチャンバー１２をアウターチャン
バー１１に挿入することができる。

【００２０】これによって、成膜室１０を常時真空雰囲
気に保持でき、インナーチャンバー１２の清掃作業に影
響されることなく成膜処理を継続できる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図２は本発明による成膜装置における成膜
室の第１実施例を説明する縦断面図であって、１０は成
膜室、１１はアウターチャンバー、１２はインナーチャ
ンバーである。なお、基板搬送用予備室はゲート１７−
２側に、またインナーチャンバー１２の交換のためのイ
ンナーチャンバー交換用予備室１３は成膜室１０に関し
て基板搬送用予備室１４と直交するゲート１７−４側
（図１）に設置されているものとする。

【００２２】同図において、成膜室１０はアウターチャ
ンバー１１とこのアウターチャンバー１１内に配置され
たインナーチャンバー１２とから構成される。アウター
チャンバー１１は基体容器１１−１とシールド蓋体１１
−２で真空雰囲気の処理空間を形成し、このアウターチ
ャンバー１１の基板搬送用予備室側との間でインナーチ
ャンバー１２を搬送するための開閉可能な気密ドアであ
るゲート１７−２を備えると共に、インナーチャンバー
１２の交換用予備室との間に同様のゲートを備えてい
る。なお、次段の処理ステージとの間にゲート１７−３
が設けてある。

【００２３】インナーチャンバー１２は基体容器を構成
する基板電極１２−４と蓋体であるステンレスあるいは
アルミニウム等からなる有孔導電板１２−３とから基本
的に構成され、基板電極１２−４と有孔導電板１２−３
との間は絶縁体１２−８で電気的に絶縁されている。導
電板１２−３には多数のガス穴１２−５が形成されてお
り、アウターチャンバー１１外部からガス導入管１５−
２を介して導入される処理ガスをＲＦ電極１５を通るガ
ス放出孔１５−３からインナーチャンバー１２内に導入
する。

【００２４】この導電板１２−３にはＲＦ電極１５がコ
ンタクトバネ１５−１を介して接続されており、導電板
１２−３からインナーチャンバー１２の内部にＲＦ電力
エネルギーが供給される。また、インナーチャンバー１
２の基板電極１２−４には、複数のピン１２−７がイン
ナーチャンバー１２内部に突出可能に配置され、成膜す
べき基板２０の搬送時に搬送器具（ロボットアーム）が
基板２０を持ち上げ可能の状態になるように上方に突出
できるよう、ピン押上機構２３によって駆動される。こ
のピン押上機構２３はアウターチャンバー１１内に設け
るものとして図示してあるが、これを成膜室１０の底部
外側に設けてもよい。

【００２５】基板電極１２−４はインナーチャンバー１
２の下部容器を構成し、この下部容器の四隅部を好適と
する適宜の部分にガス排出口１２−６が設けてあり、成
膜に関与した処理ガスがインナーチャンバー１２の内部
から図示しない導管等によりアウターチャンバー１１を
介して成膜室１０外部に排出されるようになっている。

【００２６】また、インナーチャンバー１２の下方には
インナーチャンバー１２の移動用の車輪２１が取付けら
れており、アウターチャンバー１１の基体容器１１−１
の底部に設置されているレール２２上をインナーチャン
バー交換用予備室との間で移動可能にされている。イン
ナーチャンバー１２の基板受入側の壁部には、基板の出
し入れ用の開口１２−１，１２−２が形成されており、
この開口１２−１，１２−２を開閉するシャッター１３
−１，１３−２がアウターチャンバー１１側に設けられ
ている。

【００２７】シャッター１３−１，１３−２は、図示の
矢印の方向に移動可能とされており、基板交換用予備室
側のシャッター１３−１を解放してインナーチャンバー
１２内に基板を収納し、その後当該シャッター１３−１
を閉止し、インナーチャンバー１２をアウターチャンバ
ー１１から独立した空間に保つ。このような構成におい
て、成膜室１０と同じあるいは同程度の真空雰囲気に保
たれた基板搬送用予備室において、搬送されてくる基板
２０がインナーチャンバー１２の開口１２−１から基板
電極１２−４のピン１２−７上に載置される。

【００２８】基板電極１２−４上に基板を載置した後、
アウターチャンバー１１のゲート１７−２を閉止すると
共にインナーチャンバー１２のシャッター１２−１を閉
じる。なお、シャッター１３−２とゲート１７−３は閉
じた状態にある。この状態で、導電板１２−３のガス穴
１２−５から吹き込まれる処理ガスをＲＦ電極１５から
導電板１２−３を介して印加されるＲＦ電力エネルギー
でプラズマ化し、基板２０の表面上での化学反応により
基板２０の表面に所要の膜を生成させる。

【００２９】成膜された基板２０を収納したインナーチ
ャンバーは、次段の処理ステージの基板交換用予備室に
おいてインナーチャンバー１２のシャッター１３−２を
解放して開口１２−２からアウターチャンバー１１のゲ
ート１７−３を通して成膜室１０から取り出され、取り
出された基板２０は後段のステージに搬送される。この
ような成膜処理を繰り返すことで、インナーチャンバー
１２の内壁には成膜成分が堆積し、これが剥離したフレ
ークが塵となって成膜処理時の基板２０の成膜表面に付
着し、膜品質を劣化させる。そのため、ある程度の成膜
処理回数を繰り返した後は、このインナーチャンバー１
２の壁面等に堆積した成膜成分を除去する清掃作業が必
要となる。

【００３０】この清掃作業が必要となった場合には、図
１に示したゲート１７−４を開き、インナーチャンバー
１２をインナーチャンバー交換用予備室１３に移す。イ
ンナーチャンバー交換用予備室１３は成膜室１０と同じ
または同程度の真空雰囲気に保たれており、ゲート７−
４を解放しても成膜室１０の真空雰囲気は保持される。

【００３１】インナーチャンバー１２をインナーチャン
バー交換用予備室１３に移動させた後、ゲート１７−４
を閉止し、インナーチャンバー交換用予備室１３のゲー
ト１７−５を解放してインナーチャンバー１２を大気中
に取り出し、清掃あるいは分解掃除等の処理を行う。一
方、それまで使用していたインナーチャンバーを取り出
した後、新しいインナーチャンバーをインナーチャンバ
ー予備室１３に入れ、図示しない真空ポンプを作動して
成膜室１０と同じ真空状態にした後、成膜室１０のゲー
ト１７−４を解放し、その車輪２１とレール２２によっ
てインナーチャンバー１２を移動させ、アウターチャン
バー１１内の所定の位置にセットする。

【００３２】これにより、取り出したインナーチャンバ
ーの清掃中にも成膜処理を継続することが可能となり、
成膜装置の稼働率を格段に向上させることができる。図
３は図２に示した本発明による成膜装置のインナーチャ
ンバーの構成を説明する断面図であって、図２と同一符
号は同一部分に対応する。同図に示したインナーチャン
バーは、アウターチャンバーとの間に基板の出し入れ用
の開口１２−１，１２−２を有し、底面に移動用の車輪
２１を設けてある。

【００３３】開口部１２−１，１２−２は、アウターチ
ャンバー１１側に設置したシャッター１３−１，１３−
２で閉止される構成となっており、インナーチャンバー
１２には基板の出し入れのための可動部分を有しないた
め、インナーチャンバー１２の構成が簡単になり、イン
ナーチャンバー１２をインナーチャンバー交換用予備室
との間で移動させる作業が簡単になる。

【００３４】図４は図３に示したインナーチャンバーの
上面図であって、インナーチャンバー１２の空間を構成
する基体電極１２−４の下面の４箇所には移動用の車輪
２１が取付けてあり、インナーチャンバー交換用予備室
１３（図１）との間を移動可能とされている。なお、基
板押上ピン１２−７は省略してある。導電板１２−３に
は、インナーチャンバー１２の処理空間に処理ガスを導
入するためのガス穴１２−５が多数設けられており、Ｒ
Ｆ電極側から供給される処理ガスを基板電極１２−４の
中央部に載置された基板に吹きつける。このとき、ＲＦ
電極から供給されるＲＦエネルギーにより処理ガスは活
性化（ラジカル化）され、基板２０の表面に所定の膜を
形成する。

【００３５】成膜処理後の処理ガスはガス排出口１２−
６からアウターチャンバー１１を通して成膜室外に排出
される。図５は本発明による成膜装置の第２実施例を説
明する縦断面図であって、図２と同一符号は同一部分に
対応し、１２−３’は石英製等の絶縁板である。第１実
施例と同様に、この成膜室１０は図１に示した成膜装置
を構成する。

【００３６】この実施例では、インナーチャンバー１２
の上部を石英板等の絶縁板１２−３’で構成し、ＲＦ電
極１５からのＲＦ電力エネルギーが絶縁板１２−３’を
介してインナーチャンバー１２内に作用するようにして
いる。ガス放出孔１５−３からの処理ガスは、インナー
チャンバー１２の上記絶縁板１２−３’の周囲からイン
ナーチャンバー１２の内部に導入される。他の構成と動
作は前記図２で説明したものと同様である。

【００３７】図６は図５におけるインナーチャンバーの
構成を説明する断面図であって、図４と同一符号は同一
部分に対応する。この実施例では、インナーチャンバー
１２の上部構造が石英等の絶縁板であるため、前記図
２，図３に示したような絶縁体１２−８は不要であり、
インナーチャンバー１２の構造を簡素化できる。なお、
絶縁板１２−３’は石英の他にセラミックス等の適宜の
絶縁材料で構成できる。

【００３８】このように、本実施例によっても、インナ
ーチャンバーの清掃作業とは無関係に成膜処理を継続す
ることが可能となり、その稼働率は格段に向上する。図
７は本発明による成膜装置の第３実施例を説明する模式
図であって、スパッタ装置に本発明を適用したものであ
る。同図において、１００は成膜室、７０はアウターチ
ャンバー、７１はインナーチャンバー、７２はアウター
チャンバー７０とインナーチャンバー交換用予備室との
境界を形成する壁、７３はインナーチャンバー７１をイ
ンナーチャンバー交換用予備室８０との間で移動させる
際にアウターチャンバー７０の真空雰囲気を保持するた
めのシャッター、７４はアウターチャンバー７０内にイ
ンナーチャンバー７１を収容した状態でアウターチャン
バー７０を真空雰囲気に保持するためのゲート（インナ
ーチャンバー７１と一体構造である）、７５はスパッタ
エネルギー供給用の電力ケーブル、７６はターゲット冷
却媒体循環パイプ、７７は被成膜部材（例えば基板）、
７８はスパッタ・ターゲット、７９はスパッタ放電用の
Ａｒ（アルゴン）ガスの供給ライン、８０はインナーチ
ャンバー交換用予備室、８１はインナーチャンバー交換
用予備室８０を真空雰囲気に保持するためのゲートであ
る。

【００３９】このスパッタ装置は、インナーチャンバー
７１をインナーチャンバー７１とインナーチャンバー交
換用予備室との間で移動可能に設置されている。この移
動手段は前記した車輪とレールの組み合わせ、その他の
適宜の移動機構が採用可能であり、特に図示しない。イ
ンナーチャンバー７１をアウターチャンバー７０内の図
示した状態においてアウターチャンバー７０およびイン
ナーチャンバー７１を高真空雰囲気に保持し、電力ケー
ブル７５から供給される高電界エネルギーによってスパ
ッタ・ターゲット７８を蒸発させ、基板７７に成膜させ
るスパッタ処理が行われる。

【００４０】なお、ゲート７４とゲート８１とはインナ
ーチャンバー７１と連動して矢印Ｄ方向に移動し、イン
ナーチャンバー７１をインナーチャンバー交換用予備室
８０に移動させた状態ではゲート７２はゲート８１に接
近した位置にあり、ゲート８１はインナーチャンバー７
１がインナーチャンバー交換用予備室８０内に完全に移
動し、シールゲート７３を下降させてインナーチャンバ
ー交換用予備室とアウターチャンバー７０とを遮断した
後に解放させ、インナーチャンバー７１をインナーチャ
ンバー交換用予備室８０から大気中あるいはゲート８１
に隣接する他の処理ステージに取り出す。

【００４１】このように、本実施例によれば、スパッタ
処理に伴ってその内壁に成膜成分が堆積したインナーチ
ャンバー７１は、インナーチャンバー７１をインナーチ
ャンバー交換用予備室８０に移動させて新しいインナー
チャンバーと交換した後に大気中に取り出して、交換し
た新しいインナーチャンバーを用いてスパッタ処理を行
っている間に清掃処理を行うことができるため、スパッ
タ処理の稼働率はインナーチャンバーの清掃作業に関係
なく実行でき、稼働率が向上する。

【００４２】図８は本発明による成膜装置を適用した成
膜ラインの模式図であって、被成膜部材である基板に成
膜処理を行う一貫作業を自動化したラインの一例を示
す。同図において、９０は基板搬入用カセット、９２は
基板搬入室、９３は加熱室用予備室、９４は加熱室、９
５は基板冷却用予備室、９６は基板冷却室、９７は基板
搬出用予備室、９８は基板搬出室、９９は成膜済み基板
用カセット、９１−１〜９１−８は基板搬送ロボット、
１０１，１０２，１０３は成膜室、１１１，１１２，１
１３はアウターチャンバー、１２１，１２２，１２３は
成膜室とその予備室間を移動可能に構成したインナーチ
ャンバー、１３１，１３２，１３３はインナーチャンバ
ー交換用予備室、１４１，１４２，１４３は基板搬送用
予備室、２０１は成膜処理前の基板、２０２は成膜処理
済みの基板である。

【００４３】基板搬入室９２と基板搬出室９８とは基板
の搬入／搬出時に大気雰囲気と真空雰囲気とが切替えら
れる。また、加熱用予備室９３から基板搬出用予備室と
の間は常時真空雰囲気に保たれている。ワークステーシ
ョンに運ばれたカセット９０に収納されている処理前の
基板２０は、基板搬送ロボット９１−１により基板搬入
室９２に搬入される。基板搬入室９２は基板の装填時は
大気に曝され、その後密閉されて真空封止される。

【００４４】基板搬入室９２の基板は基板搬送ロボット
９１−２によって基板２０を予備加熱する加熱室９４に
搬送され、基板搬送ロボット９１−３により基板搬送用
予備室１４１を介して成膜室１０１にセットされる。成
膜室１０１では、例えばシランガスとＮ₂ ガスの吹き込
みにより窒化膜の成膜処理をする。成膜室１０１での成
膜処理後、基板は基板搬送ロボット９１−４により基板
搬送用予備室１４２を介して成膜室１０２にセットさ
れ、例えばシランガス（ＳｉＨ₄ ）を主成分とする処理
ガスを導入して所要の成膜処理を行う。

【００４５】成膜室１０２での成膜処理後、基板は基板
搬送ロボット９１−５により基板搬送用予備室１４３を
介して成膜室１０３にセットされる。成膜１０３では例
えばシランガスとＮ₂ ガスを導入して前記と同様の成膜
処理を行い、成膜処理した基板は基板搬送ロボット９１
−６により基板搬送用予備室９５を介して基板冷却室９
６に搬送する。

【００４６】冷却した基板は基板搬送ロボット９１−７
により基板搬出用予備室９７を介して基板搬出室９８に
搬送され、基板搬出室９８の真空雰囲気を破って大気雰
囲気とした後、成膜処理された基板２０２は基板搬送ロ
ボット９１−８により基板搬出カセット９９に搬出され
る。各成膜室は、アウターチャンバー１１１，１１２，
１１３とインナーチャンバー１２１，１２２，１２３、
および基板交換用予備室１３１，１３２，１３３を有
し、前記実施例で説明したようなインナーチャンバー交
換清掃作業が可能とされている。

【００４７】したがって、このような一貫処理による成
膜処理は、従来技術に比較して格段の稼働率向上を図る
ことが可能となる。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
成膜室をアウターチャンバーと移動可能のインナーチャ
ンバーとからなる二重構造とすると共に、インナーチャ
ンバー交換用予備室を設けたため、成膜室の真空雰囲気
を破ることなくインナーチャンバーを迅速に交換し、成
膜成分の堆積したインナーチャンバーの清掃や分解掃除
の作業を成膜処理を中断することなく継続でき、成膜装
置の稼働率を格段に向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の全体構造を説明するためのプラズマＣ
ＶＤ方式の成膜装置の要部のみを示す概略平面図であ
る。

【図２】本発明による成膜装置の第１実施例における成
膜室を説明する縦断面図である。

【図３】本発明による成膜装置の第１実施例の成膜室に
おけるインナーチャンバー構造を説明する縦断面図であ
る。

【図４】本発明による成膜装置の第１実施例の成膜室に
おけるインナーチャンバー構造を説明する上面図であ
る。

【図５】本発明による成膜装置の第２実施例における成
膜室を説明する断面図である。

【図６】本発明による成膜装置の第２実施例における成
膜室のインナーチャンバー構造を説明する縦断面図であ
る。

【図７】本発明による成膜装置の第３実施例における成
膜室を説明する模式図である。

【図８】本発明による成膜装置を適用した成膜ラインの
一例を示す模式図である。

【図９】従来技術によるのプラズマＣＶＤ装置の概略構
造を説明する模式図である。

【符号の説明】

１０・・・・成膜室、１１・・・・アウターチャンバ
ー、１２・・・・インナーチャンバー、１２−１，１２
−２・・・・開口、１３・・・・インナーチャンバー交
換用予備室、１３−１，１３−２・・・・シャッター、
１４・・・・基板搬送用予備室、１５・・・・ＲＦ電
極、１７−１〜１７−５・・・・ゲート、２０・・・・
基板、２１・・・・車輪、２２・・・・レール。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空雰囲気空間を保持するアウターチャン
   バーと、前記アウターチャンバーで形成される真空雰囲
   気中で独立した成膜空間を形成する如く前記アウターチ
   ャンバーの内部に移動可能に収容してなるインナーチャ
   ンバーとから構成した成膜室を備えたことを特徴とする
   成膜装置。
2. 【請求項２】真空雰囲気空間を保持するアウターチャン
   バーと、前記アウターチャンバーで形成される真空雰囲
   気中で独立した成膜空間を形成する如く前記アウターチ
   ャンバーに対して移動可能に前記アウターチャンバーの
   内部に収容してなるインナーチャンバーとから構成した
   成膜室と、前記アウターチャンバーに設けたインナーチ
   ャンバー交換用予備室とを備え、前記インナーチャンバ
   ー交換用予備室を介して前記アウターチャンバーの真空
   雰囲気を破ることなく前記インナーチャンバーの交換を
   可能としたことを特徴とする成膜装置。
3. 【請求項３】真空雰囲気空間を保持するアウターチャン
   バーと、前記アウターチャンバーで形成される真空雰囲
   気中で独立した成膜空間を形成する如く前記アウターチ
   ャンバーに対して移動可能に前記アウターチャンバーの
   内部に収容してなるインナーチャンバーとから構成した
   成膜室と、前記成膜室を構成する前記アウターチャンバ
   ーに基板搬送用予備室とインナーチャンバー交換用予備
   室とを設け、前記インナーチャンバーを前記インナーチ
   ャンバー交換用予備室を介して前記アウターチャンバー
   の真空雰囲気を破ることなく交換可能とすると共に、前
   記基板搬送用予備室を介して前記アウターチャンバーの
   真空雰囲気を破ることなく前記成膜室に対する被成膜部
   材の搬送を可能としたことを特徴とする成膜装置。