JPH05148005A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH05148005A JPH05148005A JP3340243A JP34024391A JPH05148005A JP H05148005 A JPH05148005 A JP H05148005A JP 3340243 A JP3340243 A JP 3340243A JP 34024391 A JP34024391 A JP 34024391A JP H05148005 A JPH05148005 A JP H05148005A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ９００℃で焼成可能な高周波用誘電体磁器組
成物を提供する。 【構成】 高周波誘電体磁器組成物はＢａＯ−ＺｎＯ−
Ｔａ2 Ｏ5 から成る主成分と、ＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯ、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏから成る副成
分を含む。
成物を提供する。 【構成】 高周波誘電体磁器組成物はＢａＯ−ＺｎＯ−
Ｔａ2 Ｏ5 から成る主成分と、ＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯ、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏから成る副成
分を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用積層磁器コン
デンサ、誘電体共振器等に使用するための誘電体磁器組
成物に関する。
デンサ、誘電体共振器等に使用するための誘電体磁器組
成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波数領域で使用することができる誘
電体磁器として例えば特開昭５３−３５４５４号公報に
開示されるようにＢａＯ（酸化バリウム）とＺｎＯ（酸
化亜鉛）とＴａ2 Ｏ5 （酸化タンタル）から成る磁器組
成物が知られている。
電体磁器として例えば特開昭５３−３５４５４号公報に
開示されるようにＢａＯ（酸化バリウム）とＺｎＯ（酸
化亜鉛）とＴａ2 Ｏ5 （酸化タンタル）から成る磁器組
成物が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＢａ
Ｏ−ＺｎＯ−Ｔａ2Ｏ5 磁器組成物の焼成温度は１３０
０〜１５００℃と比較的高いので、積層磁器コンデンサ
を作製する時には内部電極材料として融点の高いＰｄ
（パラジウム）を主成分とする導電性ペーストを使用し
なければならなかった。しかし、Ｐｄは抵抗率が高いた
めにコンデンサのＱが低下するという欠点、及び高価で
あるという欠点を有する。
Ｏ−ＺｎＯ−Ｔａ2Ｏ5 磁器組成物の焼成温度は１３０
０〜１５００℃と比較的高いので、積層磁器コンデンサ
を作製する時には内部電極材料として融点の高いＰｄ
（パラジウム）を主成分とする導電性ペーストを使用し
なければならなかった。しかし、Ｐｄは抵抗率が高いた
めにコンデンサのＱが低下するという欠点、及び高価で
あるという欠点を有する。
【０００４】そこで、本発明の目的は、９００℃以下の
焼成で製造することが可能であり且つ高周波数領域で使
用することが可能な誘電体磁器組成物を提供することに
ある。
焼成で製造することが可能であり且つ高周波数領域で使
用することが可能な誘電体磁器組成物を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、ｘＢａＯ＋ｙＺｎＯ＋ｚＴａ2 Ｏ5 （但
し、ｘ、ｙ、ｚは０．４≦ｘ≦０．８、０．０５≦ｙ≦
０．３５、０．０５≦ｚ≦０．３５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を
満足する数値）で表される成分 ２５〜６０重量％と、
ＳｉＯ2 １０〜４０重量％と、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢ
ａＯの内の少なくとも１種から成る成分 １〜２０重量
％と、ＭｇＯ １〜１５重量％と、Ｂ2 Ｏ3 ３〜３０
重量％と、Ｌｉ2 Ｏ ０．１〜３．０重量％とを含む誘
電体磁器組成物に係わるものである。
の本発明は、ｘＢａＯ＋ｙＺｎＯ＋ｚＴａ2 Ｏ5 （但
し、ｘ、ｙ、ｚは０．４≦ｘ≦０．８、０．０５≦ｙ≦
０．３５、０．０５≦ｚ≦０．３５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を
満足する数値）で表される成分 ２５〜６０重量％と、
ＳｉＯ2 １０〜４０重量％と、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢ
ａＯの内の少なくとも１種から成る成分 １〜２０重量
％と、ＭｇＯ １〜１５重量％と、Ｂ2 Ｏ3 ３〜３０
重量％と、Ｌｉ2 Ｏ ０．１〜３．０重量％とを含む誘
電体磁器組成物に係わるものである。
【０００６】
【作用及び効果】本発明によれば、１ＭＨｚにおいて比
誘電率εｒが６．５以上、比誘電率の温度係数Ｔεが−
６０ｐｐｍ／℃〜＋６０ｐｐｍ／℃の誘電体磁器組成物
を提供することができる。本発明の誘電体磁器組成物
は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の低融点金属の導電ペー
スト層との同時焼成で得ることができるので、高周波用
積層磁器コンデンサの誘電体磁器として好適なものであ
る。積層磁器コンデンサの内部電極をＡｇ、Ｃｕ等の抵
抗率の小さい金属で形成すれば、Ｑを高めることができ
る。
誘電率εｒが６．５以上、比誘電率の温度係数Ｔεが−
６０ｐｐｍ／℃〜＋６０ｐｐｍ／℃の誘電体磁器組成物
を提供することができる。本発明の誘電体磁器組成物
は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の低融点金属の導電ペー
スト層との同時焼成で得ることができるので、高周波用
積層磁器コンデンサの誘電体磁器として好適なものであ
る。積層磁器コンデンサの内部電極をＡｇ、Ｃｕ等の抵
抗率の小さい金属で形成すれば、Ｑを高めることができ
る。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例（比較例を含む）を説
明する。高周波用磁器コンデンサの誘電体磁器を得るた
めに、表１に示す３６種類の組成の試料を作成した。表
１のｘ、ｙ、ｚは仮焼後又は本焼成後の磁器の主成分を
示す組成式 ｘＢａＯ＋ｙＺｎＯ＋ｚＴａ2 Ｏ5 におけるｘ、ｙ、ｚの値を示す。副成分の欄はＳｉＯ2
（酸化ケイ素）ＣａＯ（酸化カルシウム）、ＳｒＯ（酸
化ストロンチウム）、ＢａＯ（酸化バリウム）、ＭｇＯ
（酸化マグネシウム）、Ｂ2 Ｏ3 （酸化ホウ素）、Ｌｉ
2 Ｏ（酸化リチウム）の焼成後の含有率を重量％で示
す。
明する。高周波用磁器コンデンサの誘電体磁器を得るた
めに、表１に示す３６種類の組成の試料を作成した。表
１のｘ、ｙ、ｚは仮焼後又は本焼成後の磁器の主成分を
示す組成式 ｘＢａＯ＋ｙＺｎＯ＋ｚＴａ2 Ｏ5 におけるｘ、ｙ、ｚの値を示す。副成分の欄はＳｉＯ2
（酸化ケイ素）ＣａＯ（酸化カルシウム）、ＳｒＯ（酸
化ストロンチウム）、ＢａＯ（酸化バリウム）、ＭｇＯ
（酸化マグネシウム）、Ｂ2 Ｏ3 （酸化ホウ素）、Ｌｉ
2 Ｏ（酸化リチウム）の焼成後の含有率を重量％で示
す。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】次に、試料Ｎｏ．１に従う高周波用磁器コ
ンデンサの製造方法を詳しく説明する。ｘ＝０．４、ｙ
＝０．３、ｚ＝０．３に従う ０．４ＢａＯ＋０．３ＺｎＯ＋０．３Ｔａ2 Ｏ5 の組成の主成分を得るために、ＢａＣＯ3 （炭酸バリウ
ム）とＺｎＯ（酸化亜鉛）とＴａ2 Ｏ5 （酸化タンタ
ル）とを上記の主成分を得ることができる割合に配合
し、ポリエチレン製ポットに水と共に入れ、湿式混合し
た後脱水乾燥した。次に、この乾燥物を空気中で１００
０〜１２００℃で２時間仮焼し、ＢａＯ（酸化バリウ
ム）とＺｎＯ（酸化亜鉛）とＴａ2 Ｏ5 （酸化タンタ
ル）とから成る主成分材料を得た。
ンデンサの製造方法を詳しく説明する。ｘ＝０．４、ｙ
＝０．３、ｚ＝０．３に従う ０．４ＢａＯ＋０．３ＺｎＯ＋０．３Ｔａ2 Ｏ5 の組成の主成分を得るために、ＢａＣＯ3 （炭酸バリウ
ム）とＺｎＯ（酸化亜鉛）とＴａ2 Ｏ5 （酸化タンタ
ル）とを上記の主成分を得ることができる割合に配合
し、ポリエチレン製ポットに水と共に入れ、湿式混合し
た後脱水乾燥した。次に、この乾燥物を空気中で１００
０〜１２００℃で２時間仮焼し、ＢａＯ（酸化バリウ
ム）とＺｎＯ（酸化亜鉛）とＴａ2 Ｏ5 （酸化タンタ
ル）とから成る主成分材料を得た。
【００１１】次に、焼成後の磁器においてＳｉＯ2 ２０
重量％、ＳｒＯ１０重量％、ＭｇＯ１０重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ９重量％、Ｌｉ2 Ｏ１重量％の割合で副成分を含める
ために、ＳｉＯ2 ４０重量％、ＳｒＯ２０重量％、Ｍｇ
Ｏ２０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １８重量％、Ｌｉ2 Ｏ２重量％
の組成の副成分が得られるようにＳｉＯ2 、ＳｒＣＯ3
（炭酸ストロンチウム）、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｃ
Ｏ3 （炭酸リチウム）を秤量し、これ等の原料をポリエ
チレン製ポットに水と共に入れて、湿式混合した後脱水
乾燥した。次に、この乾燥物を空気中で７５０〜８５０
℃で２時間仮焼し、ＳｉＯ2 とＳｒＯとＭｇＯとＢ2 Ｏ
3 とＬｉ2 Ｏとから成る副成分材料を得た。
重量％、ＳｒＯ１０重量％、ＭｇＯ１０重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ９重量％、Ｌｉ2 Ｏ１重量％の割合で副成分を含める
ために、ＳｉＯ2 ４０重量％、ＳｒＯ２０重量％、Ｍｇ
Ｏ２０重量％、Ｂ2 Ｏ3 １８重量％、Ｌｉ2 Ｏ２重量％
の組成の副成分が得られるようにＳｉＯ2 、ＳｒＣＯ3
（炭酸ストロンチウム）、ＭｇＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｃ
Ｏ3 （炭酸リチウム）を秤量し、これ等の原料をポリエ
チレン製ポットに水と共に入れて、湿式混合した後脱水
乾燥した。次に、この乾燥物を空気中で７５０〜８５０
℃で２時間仮焼し、ＳｉＯ2 とＳｒＯとＭｇＯとＢ2 Ｏ
3 とＬｉ2 Ｏとから成る副成分材料を得た。
【００１２】次に、主成分材料５０重量％、副成分材料
５０重量％の比率に各材料を秤量し、これをポリエチレ
ン製ポットに水と共に入れて、湿式混合した後脱水乾燥
し、磁器原料粉末を得た。この磁器原料粉末の組成比は
表１の試料Ｎｏ．１に示す通りである。
５０重量％の比率に各材料を秤量し、これをポリエチレ
ン製ポットに水と共に入れて、湿式混合した後脱水乾燥
し、磁器原料粉末を得た。この磁器原料粉末の組成比は
表１の試料Ｎｏ．１に示す通りである。
【００１３】次に、この磁器原料粉末に有機バインダー
を加えて造粒し、この造粒物を直径９．８ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍの円板状に、５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加
圧成形した。次に、この成形体をジルコニアセッタ上に
載せて空気中９００℃の温度で焼成した。この本焼成で
得られた円板状磁器の両主面に銀ペーストを塗布して焼
付け、図１に示す磁器１と一対の電極２、３とから成る
磁器コンデンサを得た。
を加えて造粒し、この造粒物を直径９．８ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍの円板状に、５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加
圧成形した。次に、この成形体をジルコニアセッタ上に
載せて空気中９００℃の温度で焼成した。この本焼成で
得られた円板状磁器の両主面に銀ペーストを塗布して焼
付け、図１に示す磁器１と一対の電極２、３とから成る
磁器コンデンサを得た。
【００１４】次に、この磁器コンデンサの比誘電率
εｒ、Ｑ値、比誘電率の温度係数Ｔε（ｐｐｍ／℃）を
測定した。なお、比誘電率εｒ及びＱは周波数１ＭＨ
ｚ、電圧１Ｖ、周囲温度２０℃の条件で測定した。温度
係数Ｔεは＋２０℃のεｒを基準にした−２５〜＋２０
℃のεｒ及び＋２０℃〜＋８５℃のεｒの変化率であ
り、１ＭＨｚ、１Ｖの条件で測定した。
εｒ、Ｑ値、比誘電率の温度係数Ｔε（ｐｐｍ／℃）を
測定した。なお、比誘電率εｒ及びＱは周波数１ＭＨ
ｚ、電圧１Ｖ、周囲温度２０℃の条件で測定した。温度
係数Ｔεは＋２０℃のεｒを基準にした−２５〜＋２０
℃のεｒ及び＋２０℃〜＋８５℃のεｒの変化率であ
り、１ＭＨｚ、１Ｖの条件で測定した。
【００１５】試料Ｎｏ．２〜３６についても、主成分及
び／又は副成分の組成を変えた他は試料Ｎｏ．１と同一
の方法で磁器コンデンサを作り、同一の方法で特性を測
定した。試料Ｎｏ．１〜３６の特性は表２に示す通りで
ある。
び／又は副成分の組成を変えた他は試料Ｎｏ．１と同一
の方法で磁器コンデンサを作り、同一の方法で特性を測
定した。試料Ｎｏ．１〜３６の特性は表２に示す通りで
ある。
【００１６】
【表３】
【００１７】
【表４】
【００１８】表２から明らかなように、試料Ｎｏ．１の
磁器コンデンサのεｒは１０．０、Ｑは１９００、−２
０〜＋２０℃のＴεは＋５０（ｐｐｍ／℃）、＋２０〜
＋８０℃のＴεは＋５２（ｐｐｍ／℃）である。また、
本発明で特定された範囲の磁器組成物によれば、比誘電
率εｒが６．５〜１０．５、Ｑが１１００〜２０００、
温度係数Ｔεが−６０〜＋６０（ｐｐｍ／℃）の電気的
特性が得られる。なお、試料Ｎｏ．７〜１２、２３〜３
２、３５、３６は上記の所望特性を得ることができない
ので、本発明の範囲外の比較例である。
磁器コンデンサのεｒは１０．０、Ｑは１９００、−２
０〜＋２０℃のＴεは＋５０（ｐｐｍ／℃）、＋２０〜
＋８０℃のＴεは＋５２（ｐｐｍ／℃）である。また、
本発明で特定された範囲の磁器組成物によれば、比誘電
率εｒが６．５〜１０．５、Ｑが１１００〜２０００、
温度係数Ｔεが−６０〜＋６０（ｐｐｍ／℃）の電気的
特性が得られる。なお、試料Ｎｏ．７〜１２、２３〜３
２、３５、３６は上記の所望特性を得ることができない
ので、本発明の範囲外の比較例である。
【００１９】次に、本発明の高周波誘電体磁器組成物の
組成範囲の限定理由を説明する。試料Ｎｏ．１〜１２で
は、主成分のｘ、ｙ、ｚ即ち、ＢａＯとＺｎＯとＴａ2
Ｏ5 との混合比率が種々変えられている。試料Ｎｏ．７
に示すようにｘが０．３の場合には、９００℃の焼成で
焼結体が得られないが、試料Ｎｏ．１に示すようにｘが
０．４であれば、所望の電気的特性を有する焼結体が得
られる。従って、ｘの下限値は０．４である。試料Ｎ
ｏ．８に示すようにｘの値が０．９の場合には、９００
℃の焼成で焼結体が得られないが、試料Ｎｏ．２に示す
ようにｘが０．８の場合には所望の電気的特性を有する
焼結体が得られる。従って、ｘの上限値は０．８であ
る。
組成範囲の限定理由を説明する。試料Ｎｏ．１〜１２で
は、主成分のｘ、ｙ、ｚ即ち、ＢａＯとＺｎＯとＴａ2
Ｏ5 との混合比率が種々変えられている。試料Ｎｏ．７
に示すようにｘが０．３の場合には、９００℃の焼成で
焼結体が得られないが、試料Ｎｏ．１に示すようにｘが
０．４であれば、所望の電気的特性を有する焼結体が得
られる。従って、ｘの下限値は０．４である。試料Ｎ
ｏ．８に示すようにｘの値が０．９の場合には、９００
℃の焼成で焼結体が得られないが、試料Ｎｏ．２に示す
ようにｘが０．８の場合には所望の電気的特性を有する
焼結体が得られる。従って、ｘの上限値は０．８であ
る。
【００２０】試料Ｎｏ．９に示すようにｙが０．０３の
場合には、９００℃の焼成で焼結体が得られないが、試
料Ｎｏ．３に示すようにｙが０．０５の場合には所望特
性を有する焼結体が得られる。従って、ｙの下限値は
０．０５である。試料Ｎｏ．１０に示すようにｙが０．
４の場合には、９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．４に示すようにｙが０．３５の場合には
所望特性の焼結体が得られる。従って、ｙの上限値は
０．３５である。
場合には、９００℃の焼成で焼結体が得られないが、試
料Ｎｏ．３に示すようにｙが０．０５の場合には所望特
性を有する焼結体が得られる。従って、ｙの下限値は
０．０５である。試料Ｎｏ．１０に示すようにｙが０．
４の場合には、９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．４に示すようにｙが０．３５の場合には
所望特性の焼結体が得られる。従って、ｙの上限値は
０．３５である。
【００２１】試料Ｎｏ．１１に示すようにｚが０．０３
の場合には、９００℃の焼成で焼結体が得られないが、
試料Ｎｏ．５に示すようにｚが０．０５の場合には所望
特性を有する焼結体が得られる。従って、ｚの下限値は
０．０５である。試料Ｎｏ．１２に示すようにｚが０．
４の場合には、９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．６に示すようにｚが０．３５の場合には
所望特性を有する焼結体が得られる。従って、ｚの上限
値は０．３５である。
の場合には、９００℃の焼成で焼結体が得られないが、
試料Ｎｏ．５に示すようにｚが０．０５の場合には所望
特性を有する焼結体が得られる。従って、ｚの下限値は
０．０５である。試料Ｎｏ．１２に示すようにｚが０．
４の場合には、９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．６に示すようにｚが０．３５の場合には
所望特性を有する焼結体が得られる。従って、ｚの上限
値は０．３５である。
【００２２】試料Ｎｏ．１３〜３６では主成分のｘ、
ｙ、ｚが固定され、副成分が種々変えられている。試料
Ｎｏ．２３に示すようにＳｉＯ2 が１０重量％の場合に
はＱが６００となり、所望特性が得られないが、試料Ｎ
ｏ．１３に示すようにＳｉＯ2 が１０重量％になると、
所望特性が得られる。従って、ＳｉＯ2 の含有率の下限
は１０重量％である。試料Ｎｏ．２４に示すようにＳｉ
Ｏ2 が４５重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が
得られないが、試料Ｎｏ．１４に示すようにＳｉＯ2 が
４０重量％の場合には所望特性が得られる。従って、Ｓ
ｉＯ2 の含有率の上限は４０重量％である。
ｙ、ｚが固定され、副成分が種々変えられている。試料
Ｎｏ．２３に示すようにＳｉＯ2 が１０重量％の場合に
はＱが６００となり、所望特性が得られないが、試料Ｎ
ｏ．１３に示すようにＳｉＯ2 が１０重量％になると、
所望特性が得られる。従って、ＳｉＯ2 の含有率の下限
は１０重量％である。試料Ｎｏ．２４に示すようにＳｉ
Ｏ2 が４５重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が
得られないが、試料Ｎｏ．１４に示すようにＳｉＯ2 が
４０重量％の場合には所望特性が得られる。従って、Ｓ
ｉＯ2 の含有率の上限は４０重量％である。
【００２３】ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯは第２族の金属の
酸化物であって同様な作用を有する。従って、試料Ｎ
ｏ．１３〜２２に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを
単独で使用してもよいし、混合して使用してもよい。こ
れ等の添加量（含有率）はこれ等の合計で決まる。試料
Ｎｏ．２５に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が
０．５重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得ら
れないが、試料Ｎｏ．１５に示すようにＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯの和が１重量％の場合には所望特性の焼結体
が得られる。従って、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ成分の含
有率の下限値は１重量％である。試料Ｎｏ．２６に示す
ようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が２５重量％の場合
にはＱが７００となり、所望特性が得られないが、試料
Ｎｏ．１６に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が
２０重量％の場合には所望特性を有する焼結体が得られ
る。従って、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ成分の含有率の上
限値は２０重量％である。
酸化物であって同様な作用を有する。従って、試料Ｎ
ｏ．１３〜２２に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを
単独で使用してもよいし、混合して使用してもよい。こ
れ等の添加量（含有率）はこれ等の合計で決まる。試料
Ｎｏ．２５に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が
０．５重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得ら
れないが、試料Ｎｏ．１５に示すようにＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯの和が１重量％の場合には所望特性の焼結体
が得られる。従って、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ成分の含
有率の下限値は１重量％である。試料Ｎｏ．２６に示す
ようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が２５重量％の場合
にはＱが７００となり、所望特性が得られないが、試料
Ｎｏ．１６に示すようにＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの和が
２０重量％の場合には所望特性を有する焼結体が得られ
る。従って、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ成分の含有率の上
限値は２０重量％である。
【００２４】試料Ｎｏ．２７に示すようにＭｇＯが０．
１重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られな
いが、試料Ｎｏ．１７に示すようにＭｇＯが１重量％に
なると、所望特性の焼結体が得られる。従って、ＭｇＯ
の含有率の下限は１重量％である。試料Ｎｏ．２８に示
すようにＭｇＯが２０重量％の場合にはＱが５００であ
って所望特性が得られないが、試料Ｎｏ．１８に示すよ
うにＭｇＯが１５重量％の場合には所望特性が得られ
る。従って、ＭｇＯの含有率の上限は１５重量％であ
る。
１重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られな
いが、試料Ｎｏ．１７に示すようにＭｇＯが１重量％に
なると、所望特性の焼結体が得られる。従って、ＭｇＯ
の含有率の下限は１重量％である。試料Ｎｏ．２８に示
すようにＭｇＯが２０重量％の場合にはＱが５００であ
って所望特性が得られないが、試料Ｎｏ．１８に示すよ
うにＭｇＯが１５重量％の場合には所望特性が得られ
る。従って、ＭｇＯの含有率の上限は１５重量％であ
る。
【００２５】試料Ｎｏ．２９に示すようにＢ2 Ｏ3 が１
重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．１９に示すようにＢ2 Ｏ3 が３重量％に
なると、所望特性を有する焼結体が得られる。従って、
Ｂ2 Ｏ3 の含有率の下限は３重量％である。試料Ｎｏ．
３０に示すようにＢ2 Ｏ3 が４０重量％の場合には９０
０℃の焼成で焼結体が得られないが、試料Ｎｏ．２０に
示すようにＢ2 Ｏ3 が３０重量％の場合には所望特性を
有する焼結体が得られる。従って、Ｂ2 Ｏ3 の含有率の
上限は３０重量％である。
重量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．１９に示すようにＢ2 Ｏ3 が３重量％に
なると、所望特性を有する焼結体が得られる。従って、
Ｂ2 Ｏ3 の含有率の下限は３重量％である。試料Ｎｏ．
３０に示すようにＢ2 Ｏ3 が４０重量％の場合には９０
０℃の焼成で焼結体が得られないが、試料Ｎｏ．２０に
示すようにＢ2 Ｏ3 が３０重量％の場合には所望特性を
有する焼結体が得られる。従って、Ｂ2 Ｏ3 の含有率の
上限は３０重量％である。
【００２６】試料Ｎｏ．３１に示すようにＬｉ2 Ｏが
０．０１重量％の場合にはＱが９００℃の焼成で焼結体
が得られないが、試料Ｎｏ．２１に示すようにＬｉ2 Ｏ
が０．１重量％になると、所望特性を有する焼結体が得
られる。従って、Ｌｉ2 Ｏの含有率の下限は０．１重量
％である。試料Ｎｏ．３２に示すようにＬｉ2 Ｏが５重
量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．２２に示すようにＬｉ2 Ｏが３重量％の
場合には所望特性を有する焼結体が得られる。従って、
Ｌｉ2 Ｏの含有率の上限は３重量％である。
０．０１重量％の場合にはＱが９００℃の焼成で焼結体
が得られないが、試料Ｎｏ．２１に示すようにＬｉ2 Ｏ
が０．１重量％になると、所望特性を有する焼結体が得
られる。従って、Ｌｉ2 Ｏの含有率の下限は０．１重量
％である。試料Ｎｏ．３２に示すようにＬｉ2 Ｏが５重
量％の場合には９００℃の焼成で焼結体が得られない
が、試料Ｎｏ．２２に示すようにＬｉ2 Ｏが３重量％の
場合には所望特性を有する焼結体が得られる。従って、
Ｌｉ2 Ｏの含有率の上限は３重量％である。
【００２７】試料Ｎｏ．３５に示すように主成分の含有
率が１５重量％の場合にはＱが５００であり、所望特性
が得られないが、試料Ｎｏ．３３に示すように主成分の
含有率が２５重量％の場合には所望特性が得られる。従
って、主成分の含有率の下限は２５重量％である。試料
Ｎｏ．３６に示すように主成分の含有率が７０重量％の
場合には９００℃の焼成で焼結体が得られないが、試料
Ｎｏ．３４に示すように主成分の含有率が６０重量％で
所望特性を有する焼結体が得られる。従って、主成分の
含有率の上限は６０重量％である。
率が１５重量％の場合にはＱが５００であり、所望特性
が得られないが、試料Ｎｏ．３３に示すように主成分の
含有率が２５重量％の場合には所望特性が得られる。従
って、主成分の含有率の下限は２５重量％である。試料
Ｎｏ．３６に示すように主成分の含有率が７０重量％の
場合には９００℃の焼成で焼結体が得られないが、試料
Ｎｏ．３４に示すように主成分の含有率が６０重量％で
所望特性を有する焼結体が得られる。従って、主成分の
含有率の上限は６０重量％である。
【００２８】試料Ｎｏ．１〜３６では、誘電体磁器の特
性比較を容易に行うために単層の磁器コンデンサを作製
したが、この代りに、図２に示すように、誘電体磁器１
１の中にＡｇ（銀）、Ｃｕ（銅）等の低融点金属の内部
電極１２を設け、この内部電極１２に一対の外部電極１
３、１４を接続した積層磁器コンデンサを作製して同様
な特性測定をしたところ、同様な効果が得られた。積層
磁器コンデンサを製作する場合には、磁器生シート（グ
リーンシート）に内部電極用導電性ペーストを塗布した
ものを積層して生チップを作り、内部電極の焼付と磁器
の焼成を同時に行うが、本発明に従う磁器１１は９００
℃以下で焼成で得ることができるので、内部電極１２と
して抵抗率の小さいＡｇ、Ｃｕ等の低融点金属を使用す
ることが可能になり、Ｑ値の向上が達成される。
性比較を容易に行うために単層の磁器コンデンサを作製
したが、この代りに、図２に示すように、誘電体磁器１
１の中にＡｇ（銀）、Ｃｕ（銅）等の低融点金属の内部
電極１２を設け、この内部電極１２に一対の外部電極１
３、１４を接続した積層磁器コンデンサを作製して同様
な特性測定をしたところ、同様な効果が得られた。積層
磁器コンデンサを製作する場合には、磁器生シート（グ
リーンシート）に内部電極用導電性ペーストを塗布した
ものを積層して生チップを作り、内部電極の焼付と磁器
の焼成を同時に行うが、本発明に従う磁器１１は９００
℃以下で焼成で得ることができるので、内部電極１２と
して抵抗率の小さいＡｇ、Ｃｕ等の低融点金属を使用す
ることが可能になり、Ｑ値の向上が達成される。
【００２９】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 主成分を得るための出発原料としてＢａＣＯ3
の代りにＢａＯを使用することができる。また、副成分
を得るための出発原料としてＣａＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、
Ｌｉ2 ＣＯ3 の代りにＣａＯ、ＳｒＯ、Ｌｉ2 Ｏを使用
することができる。 （２） 本焼成の温度は例えば７５０〜１２００℃程度
の範囲で変えることができる。 （３） 本発明に従う誘電体磁器組成物を誘電体共振器
の磁器、多層回路基板等にも使用可能である。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 主成分を得るための出発原料としてＢａＣＯ3
の代りにＢａＯを使用することができる。また、副成分
を得るための出発原料としてＣａＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、
Ｌｉ2 ＣＯ3 の代りにＣａＯ、ＳｒＯ、Ｌｉ2 Ｏを使用
することができる。 （２） 本焼成の温度は例えば７５０〜１２００℃程度
の範囲で変えることができる。 （３） 本発明に従う誘電体磁器組成物を誘電体共振器
の磁器、多層回路基板等にも使用可能である。
【図１】実施例に係わる磁器コンデンサを示す断面図で
ある。
ある。
【図２】実施例に従う積層磁器コンデンサを示す断面図
である。
である。
１ 磁器 ２，３ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 洋一 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】ｘＢａＯ＋ｙＺｎＯ＋ｚＴａ2 Ｏ5 （但し、ｘ、ｙ、ｚは ０．４≦ｘ≦０．８ ０．０５≦ｙ≦０．３５ ０．０５≦ｚ≦０．３５ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足する数値） で表される成分 ２５〜６０重量％と、 ＳｉＯ2 １０〜４０重量％と、 ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの内の少なくとも１種から成
る成分 １〜２０重量％と、 ＭｇＯ １〜１５重量％と、 Ｂ2 Ｏ3 ３〜３０重量％と、 Ｌｉ2 Ｏ ０．１〜３．０重量％と を含む誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3340243A JPH05148005A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3340243A JPH05148005A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05148005A true JPH05148005A (ja) | 1993-06-15 |
Family
ID=18335069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3340243A Pending JPH05148005A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05148005A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0838446A1 (en) * | 1996-10-25 | 1998-04-29 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | A dielectric material, a method for producing the same and a dielectric resonator device comprising same |
| US7245194B2 (en) | 2003-09-30 | 2007-07-17 | Sony Corporation | Resonator and dielectric filter |
| EP3016111A1 (en) * | 2014-10-27 | 2016-05-04 | TDK Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| KR20160049495A (ko) * | 2014-10-27 | 2016-05-09 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 조성물 및 전자 부품 |
| JP2020161625A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | Tdk株式会社 | 誘電体膜および電子部品 |
| US11201013B2 (en) * | 2019-03-26 | 2021-12-14 | Tdk Corporation | Dielectric film and electronic component |
| US20230094616A1 (en) * | 2021-09-30 | 2023-03-30 | Tdk Corporation | Thin film capacitor, power source module, and electronic device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63151658A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | 株式会社村田製作所 | セラミクス用焼結助剤 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP3340243A patent/JPH05148005A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63151658A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | 株式会社村田製作所 | セラミクス用焼結助剤 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0838446A1 (en) * | 1996-10-25 | 1998-04-29 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | A dielectric material, a method for producing the same and a dielectric resonator device comprising same |
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| JP2016084268A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
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| JP2020161625A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | Tdk株式会社 | 誘電体膜および電子部品 |
| CN111747729A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | Tdk株式会社 | 电介质膜及电子部件 |
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| US11257620B2 (en) * | 2019-03-26 | 2022-02-22 | Tdk Corporation | Dielectric film and electronic component |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19951003 |