JPH0514620A - 発光素子装置及び発光素子装置の製造方法及び画像読取装置 - Google Patents
発光素子装置及び発光素子装置の製造方法及び画像読取装置Info
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- JPH0514620A JPH0514620A JP3191274A JP19127491A JPH0514620A JP H0514620 A JPH0514620 A JP H0514620A JP 3191274 A JP3191274 A JP 3191274A JP 19127491 A JP19127491 A JP 19127491A JP H0514620 A JPH0514620 A JP H0514620A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光素子と受光素子とを一体化した画像読取
装置に使用することができる厚膜型のEL発光素子装置
を提供する。 【構成】 発光粒子を分散した樹脂を厚膜プロセスで着
膜して成る発光層を、金属電極と透明電極とで挟み、間
隔を置いて透明基板上に配置する一対の帯状発光素子
と、該発光素子間に配され、中央部に透光部が形成され
るとともに前記帯状発光素子に沿った両端部が前記金属
電極に覆われる遮光部とを具備することにより、発光素
子の発光層をエッチングすることなしに前記帯状発光素
子間に透光部を形成する。
装置に使用することができる厚膜型のEL発光素子装置
を提供する。 【構成】 発光粒子を分散した樹脂を厚膜プロセスで着
膜して成る発光層を、金属電極と透明電極とで挟み、間
隔を置いて透明基板上に配置する一対の帯状発光素子
と、該発光素子間に配され、中央部に透光部が形成され
るとともに前記帯状発光素子に沿った両端部が前記金属
電極に覆われる遮光部とを具備することにより、発光素
子の発光層をエッチングすることなしに前記帯状発光素
子間に透光部を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリやイメ−ジ
スキャナ等の画像入力部に用いられる発光素子装置に係
り、特に安価に製造することができる厚膜プロセスで発
光層を形成する発光素子装置及びその製造方法及び画像
読取装置に関するものである。
スキャナ等の画像入力部に用いられる発光素子装置に係
り、特に安価に製造することができる厚膜プロセスで発
光層を形成する発光素子装置及びその製造方法及び画像
読取装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、画像読取装置の小型化を図るため
に、蛍光灯の代わりにエレクトロルミネッセンス(EL
発光)素子などの固体光源を使用し、発光素子と受光素
子とを一体化して形成されたものが提案されている。
に、蛍光灯の代わりにエレクトロルミネッセンス(EL
発光)素子などの固体光源を使用し、発光素子と受光素
子とを一体化して形成されたものが提案されている。
【0003】この種の画像読取装置では、原稿面を照射
する光が原稿面に対して直角に照射するようにして照度
むらを防せぐとともに、原稿面からの反射光が発光素子
に入射する光路長を短くするため、例えば図6及び図7
に示すように、ライン状に配設された受光素子31を有
する受光素子アレイ30の直上に接着剤50を介してE
L発光素子装置40を配置している。そして、各受光素
子31に対応する位置のEL発光素子装置40に透光部
60を形成し、この透光部60を通して原稿面70から
の反射光80が各受光素子31に導かれるようになって
いる。
する光が原稿面に対して直角に照射するようにして照度
むらを防せぐとともに、原稿面からの反射光が発光素子
に入射する光路長を短くするため、例えば図6及び図7
に示すように、ライン状に配設された受光素子31を有
する受光素子アレイ30の直上に接着剤50を介してE
L発光素子装置40を配置している。そして、各受光素
子31に対応する位置のEL発光素子装置40に透光部
60を形成し、この透光部60を通して原稿面70から
の反射光80が各受光素子31に導かれるようになって
いる。
【0004】そして、EL発光素子装置40の透光部6
0は次のようにして構成される。すなわち、透明基板4
1上に、薄膜プロセスで透明電極42,絶縁層43,発
光層44,絶縁層45を着膜し、更に金属電極46を着
膜及び方形上の開口部46aを有するようにエッチング
によりパタ−ニングする。透明電極42,絶縁層43,
発光層44は、いずれも透光性の部材で形成されている
ので、金属電極46に設けた開口部46aの上に位置す
る部分が透光部60となる。
0は次のようにして構成される。すなわち、透明基板4
1上に、薄膜プロセスで透明電極42,絶縁層43,発
光層44,絶縁層45を着膜し、更に金属電極46を着
膜及び方形上の開口部46aを有するようにエッチング
によりパタ−ニングする。透明電極42,絶縁層43,
発光層44は、いずれも透光性の部材で形成されている
ので、金属電極46に設けた開口部46aの上に位置す
る部分が透光部60となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記構造
によると、薄膜型のEL発光素子を使用するので、その
製造コストが高価となるとともに、薄膜プロセスの際の
真空チャンバ−の大きさによりEL発光素子の面積が制
限され大面積のものが得にくいという問題点があった。
一方、スクリ−ン印刷等の厚膜プロセスで発光層を形成
するEL発光素子も存在し、このEL発光素子によれば
上述の欠点は解消するが、発光層としてZnS:Cu,
Al等の蛍光体発光粒子をシアノエチルポリビニルアル
コ−ル(CEPVA)等の有機バインダ−中に分散した
ものを使用するので、発光粒子と有機バインダ−との屈
折率の相違により発光層中を原稿面からの反射光が散乱
して効率良く透過することができない。従って、前記し
た受光素子と受光素子とを一体化した画像読取装置に厚
膜型のEL発光素子を使用すると、発光素子上の発光層
部分についても除去しなければならない。しかしなが
ら、発光層中に含有される有機バインダ−は透水性,吸
収率及び対有機溶剤の溶解度が高いので耐エッチング性
が良好でなく、しかも厚膜プロセスで着膜された発光層
は10〜100μmと厚くなるので微細パタ−ニングす
ることができず、従来例の画像読取装置の構造及び製造
方法においてEL発光素子部分を単に厚膜型に置き換え
ることはできなかった。
によると、薄膜型のEL発光素子を使用するので、その
製造コストが高価となるとともに、薄膜プロセスの際の
真空チャンバ−の大きさによりEL発光素子の面積が制
限され大面積のものが得にくいという問題点があった。
一方、スクリ−ン印刷等の厚膜プロセスで発光層を形成
するEL発光素子も存在し、このEL発光素子によれば
上述の欠点は解消するが、発光層としてZnS:Cu,
Al等の蛍光体発光粒子をシアノエチルポリビニルアル
コ−ル(CEPVA)等の有機バインダ−中に分散した
ものを使用するので、発光粒子と有機バインダ−との屈
折率の相違により発光層中を原稿面からの反射光が散乱
して効率良く透過することができない。従って、前記し
た受光素子と受光素子とを一体化した画像読取装置に厚
膜型のEL発光素子を使用すると、発光素子上の発光層
部分についても除去しなければならない。しかしなが
ら、発光層中に含有される有機バインダ−は透水性,吸
収率及び対有機溶剤の溶解度が高いので耐エッチング性
が良好でなく、しかも厚膜プロセスで着膜された発光層
は10〜100μmと厚くなるので微細パタ−ニングす
ることができず、従来例の画像読取装置の構造及び製造
方法においてEL発光素子部分を単に厚膜型に置き換え
ることはできなかった。
【0006】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、発光素子と受光素子とを一体化した画像読取装置に
使用することができる厚膜型のEL発光素子装置及びそ
の製造方法及び厚膜型のEL発光素子装置を用いた画像
読取装置を提供することを目的とする。
で、発光素子と受光素子とを一体化した画像読取装置に
使用することができる厚膜型のEL発光素子装置及びそ
の製造方法及び厚膜型のEL発光素子装置を用いた画像
読取装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するため請求項1記載の発光素子装置は、発光粒子を
分散した樹脂を厚膜プロセスで着膜して成る発光層を、
金属電極と透明電極とで挟み、間隔を置いて透明基板上
に配置する一対の帯状発光素子と、該発光素子間に配さ
れ、中央部に透光部が形成されるとともに前記帯状発光
素子に沿った両端部が前記金属電極に覆われる遮光部
と、を具備することを特徴としている。請求項2記載の
発光素子装置の製造方法は、透明基板上に一対の帯状透
明電極を形成する電極形成工程と、遮光膜を着膜した
後、中央部に透光部となる開口部を有する遮光部を前記
帯状透明電極間に形成する遮光部形成工程と、発光粒子
を分散した樹脂を厚膜プロセスで着膜して成る発光層を
前記帯状透明電極上に積層する発光層形成工程と、前記
発光層及び遮光膜の端部を覆うように金属電極をマスク
を用いた厚膜プロセスで着膜する金属電極着膜工程と、
を具備することを特徴としている。請求項3記載の発光
素子製造方法は、透明基板上に帯状透明電極を形成する
電極形成工程と、遮光膜を着膜した後、透光部となる開
口部を有する遮光部を前記帯状透明電極の長手方向に沿
ってその中央部に形成する遮光部形成工程と、発光粒子
を分散した樹脂を厚膜プロセスで着膜して成る一対の帯
状発光層を前記帯状透明電極上に積層する発光層形成工
程と、前記各帯状発光層及び遮光膜の端部を覆うように
金属電極をマスクを用いた厚膜プロセスで着膜する金属
電極着膜工程と、を具備することを特徴としている。請
求項4記載の画像読取装置は、発光粒子を分散した樹脂
を厚膜プロセスで着膜して成る発光層を、金属電極と透
明電極とで挟み、間隔を置いて透明基板上に配置する一
対の帯状発光素子と、該発光素子間に配され、中央部に
透光部が形成されるとともに前記帯状発光素子に沿った
両端部が前記金属電極に覆われる遮光部と、該透光部に
臨むよう設置された受光素子とを具備し、前記発光素子
から発光した光が透明基板の反発光素子側に配置された
原稿面で反射し、反射光が前記透光部を透過して前記受
光素子に入射することを特徴としている。
決するため請求項1記載の発光素子装置は、発光粒子を
分散した樹脂を厚膜プロセスで着膜して成る発光層を、
金属電極と透明電極とで挟み、間隔を置いて透明基板上
に配置する一対の帯状発光素子と、該発光素子間に配さ
れ、中央部に透光部が形成されるとともに前記帯状発光
素子に沿った両端部が前記金属電極に覆われる遮光部
と、を具備することを特徴としている。請求項2記載の
発光素子装置の製造方法は、透明基板上に一対の帯状透
明電極を形成する電極形成工程と、遮光膜を着膜した
後、中央部に透光部となる開口部を有する遮光部を前記
帯状透明電極間に形成する遮光部形成工程と、発光粒子
を分散した樹脂を厚膜プロセスで着膜して成る発光層を
前記帯状透明電極上に積層する発光層形成工程と、前記
発光層及び遮光膜の端部を覆うように金属電極をマスク
を用いた厚膜プロセスで着膜する金属電極着膜工程と、
を具備することを特徴としている。請求項3記載の発光
素子製造方法は、透明基板上に帯状透明電極を形成する
電極形成工程と、遮光膜を着膜した後、透光部となる開
口部を有する遮光部を前記帯状透明電極の長手方向に沿
ってその中央部に形成する遮光部形成工程と、発光粒子
を分散した樹脂を厚膜プロセスで着膜して成る一対の帯
状発光層を前記帯状透明電極上に積層する発光層形成工
程と、前記各帯状発光層及び遮光膜の端部を覆うように
金属電極をマスクを用いた厚膜プロセスで着膜する金属
電極着膜工程と、を具備することを特徴としている。請
求項4記載の画像読取装置は、発光粒子を分散した樹脂
を厚膜プロセスで着膜して成る発光層を、金属電極と透
明電極とで挟み、間隔を置いて透明基板上に配置する一
対の帯状発光素子と、該発光素子間に配され、中央部に
透光部が形成されるとともに前記帯状発光素子に沿った
両端部が前記金属電極に覆われる遮光部と、該透光部に
臨むよう設置された受光素子とを具備し、前記発光素子
から発光した光が透明基板の反発光素子側に配置された
原稿面で反射し、反射光が前記透光部を透過して前記受
光素子に入射することを特徴としている。
【0008】
【作用】請求項1記載の発光素子装置によれば、透明基
板上に間隔を置いて一対の帯状発光素子を形成し、該帯
状発光素子間に遮光部が形成されるので、発光素子の発
光層をエッチングすることなしに前記帯状発光素子間に
透光部を形成することができる。請求項2及び請求項3
記載の発光素子装置の製造方法によれば、一対の帯状発
光素子の発光層を間隔を置いて形成し、遮光膜に透光部
を形成するようにしたので、発光素子の発光層を厚膜プ
ロセスで着膜することができる。請求項4記載の画像読
取装置によれば、一対の帯状発光素子を設け、該発光素
子間に光が透過する透光部を設け、該透光部に臨むよう
受光素子を設置したので、原稿面からの反射光は前記透
光部を介して各受光素子に導かれる。
板上に間隔を置いて一対の帯状発光素子を形成し、該帯
状発光素子間に遮光部が形成されるので、発光素子の発
光層をエッチングすることなしに前記帯状発光素子間に
透光部を形成することができる。請求項2及び請求項3
記載の発光素子装置の製造方法によれば、一対の帯状発
光素子の発光層を間隔を置いて形成し、遮光膜に透光部
を形成するようにしたので、発光素子の発光層を厚膜プ
ロセスで着膜することができる。請求項4記載の画像読
取装置によれば、一対の帯状発光素子を設け、該発光素
子間に光が透過する透光部を設け、該透光部に臨むよう
受光素子を設置したので、原稿面からの反射光は前記透
光部を介して各受光素子に導かれる。
【0009】
【実施例】本発明のEL発光素子装置の一実施例につい
て図1(e)及び図2(a)を参照しながら説明する。
図1(e)は図2(a)のA−A断面説明図である。こ
のEL発光素子装置には、間隔を置いて透明基板1上に
一対の帯状発光素子10が配置されている。帯状発光素
子10は、発光粒子を分散した樹脂を厚膜プロセスで着
膜して成る発光層3及び誘電体層4を、金属電極5と透
明電極2とで挟んで構成されている。前記帯状発光素子
10間には遮光部11が配置されている。遮光部11
は、透明電極2上に着膜された遮光膜を、図2(a)に
示すように、後述する受光素子に対応する複数の方形状
の開口部11aが長尺方向に沿って形成されている。ま
た、遮光部11の帯状発光素子10に沿った両端部は、
前記金属電極5に覆われることにより、発光層3からの
発光が金属電極5側に漏れないように構成されている。
上記構成により、発光層3を挟む透明電極2及び金属電
極5との間に交流電圧が供給されると、発光層3に高電
界が印加されて発光層3内の電子が加速され、この電子
が発光層3内の発光中心(蛍光母体)を衝突励起し、励
起された発光中心が基底状態に戻るときに発光が生じ、
金属電極5は光を透過させないので発光光が透明基板1
の反帯状発光素子10側からのみ放射される。
て図1(e)及び図2(a)を参照しながら説明する。
図1(e)は図2(a)のA−A断面説明図である。こ
のEL発光素子装置には、間隔を置いて透明基板1上に
一対の帯状発光素子10が配置されている。帯状発光素
子10は、発光粒子を分散した樹脂を厚膜プロセスで着
膜して成る発光層3及び誘電体層4を、金属電極5と透
明電極2とで挟んで構成されている。前記帯状発光素子
10間には遮光部11が配置されている。遮光部11
は、透明電極2上に着膜された遮光膜を、図2(a)に
示すように、後述する受光素子に対応する複数の方形状
の開口部11aが長尺方向に沿って形成されている。ま
た、遮光部11の帯状発光素子10に沿った両端部は、
前記金属電極5に覆われることにより、発光層3からの
発光が金属電極5側に漏れないように構成されている。
上記構成により、発光層3を挟む透明電極2及び金属電
極5との間に交流電圧が供給されると、発光層3に高電
界が印加されて発光層3内の電子が加速され、この電子
が発光層3内の発光中心(蛍光母体)を衝突励起し、励
起された発光中心が基底状態に戻るときに発光が生じ、
金属電極5は光を透過させないので発光光が透明基板1
の反帯状発光素子10側からのみ放射される。
【0010】次に、このEL発光素子装置の製造方法に
ついて図1(a)乃至(e)を参照しながら説明する。
ホウケイ酸ガラス等から成る厚さ50μmの透明基板1
上に、ITO等から成る透明導電膜(シート抵抗50Ω
/□)を1000オングストロームの膜厚にEB蒸着で
着膜した後にフォトリソ法によりパターニングし、間隔
を存じさせて一対の帯状透明電極2を形成する(図1
(a))。前記帯状透明電極2間を覆うように遮光膜と
して感光性有機材料(例えば、富士ハント製カラーモザ
イクCK−2000 光透過率0.5%)をスピンコー
トして着膜した後、フォトリソ法によりパターニング
し、開口部11aを有する遮光部11を前記帯状透明電
極2間に形成する(図1(b))。前記遮光膜は感光性
有機材料を使用したので、露光及び現像でパターンを得
ることができ、レジストを使用する必要はない。各帯状
透明電極2を覆うようにスクリ−ン印刷で発光部材を印
刷着膜し、乾燥させて膜厚30μmの発光層3,3を形
成する(図1(c))。発光部材は平均粒径10μmの
ZnS蛍光母体に附活剤(Cu 0.08%,Al
0.02%)をド−プした蛍光体をシアノエチルセルロ
−スの有機バインダ−に分散させたものを用いる。ま
た、発光部材は、ZnS:Cu,Cl ZnS:Cu,
BrZnS:Cu,Mn,Cl ZnCdS:Cu,B
rのいずれかの材料若しくはこれらのうちの複数を混合
したものを分級した後、アセタ−ル樹脂,エポキシ樹
脂,メチルメタアクリレ−ト樹脂,ポリエステル樹脂,
シアノエチルセルロ−ス樹脂,フッ素系樹脂等のバイン
ダ−材のうちいずれかに分散混合したものを用いてもよ
い。続いて、前記各発光層3上にスクリ−ン印刷で誘電
体部材を印刷着膜し、乾燥させて膜厚10μmの誘電体
層4を形成する(図1(d))。誘電体部材は平均粒径
1μmのBaTiO⊆をシアノエチルポリビニルアルコ
−ルの有機バインダ−に分散させたものを用いる。誘電
体層4は、低融点ガラス,シアノエチルゼロ−ス,フッ
化ビニリデン系3元共重合体,フッ化ビニリデン−トリ
フッ化エチレン共重合体,エポキシ樹脂,シリコ−ン樹
脂等のいずれかの誘電体部材をスクリ−ン印刷またはス
プレ−プレ−ティング法等の厚膜プロセスにより塗布し
てもよい。次に、前記各誘電体層4以外の場所が隠され
るメタルマスクを透明基板1上に配置し、その後、Al
を1.0μmの膜厚となるように蒸着法にて着膜して金
属電極5を形成する(図1(e))。
ついて図1(a)乃至(e)を参照しながら説明する。
ホウケイ酸ガラス等から成る厚さ50μmの透明基板1
上に、ITO等から成る透明導電膜(シート抵抗50Ω
/□)を1000オングストロームの膜厚にEB蒸着で
着膜した後にフォトリソ法によりパターニングし、間隔
を存じさせて一対の帯状透明電極2を形成する(図1
(a))。前記帯状透明電極2間を覆うように遮光膜と
して感光性有機材料(例えば、富士ハント製カラーモザ
イクCK−2000 光透過率0.5%)をスピンコー
トして着膜した後、フォトリソ法によりパターニング
し、開口部11aを有する遮光部11を前記帯状透明電
極2間に形成する(図1(b))。前記遮光膜は感光性
有機材料を使用したので、露光及び現像でパターンを得
ることができ、レジストを使用する必要はない。各帯状
透明電極2を覆うようにスクリ−ン印刷で発光部材を印
刷着膜し、乾燥させて膜厚30μmの発光層3,3を形
成する(図1(c))。発光部材は平均粒径10μmの
ZnS蛍光母体に附活剤(Cu 0.08%,Al
0.02%)をド−プした蛍光体をシアノエチルセルロ
−スの有機バインダ−に分散させたものを用いる。ま
た、発光部材は、ZnS:Cu,Cl ZnS:Cu,
BrZnS:Cu,Mn,Cl ZnCdS:Cu,B
rのいずれかの材料若しくはこれらのうちの複数を混合
したものを分級した後、アセタ−ル樹脂,エポキシ樹
脂,メチルメタアクリレ−ト樹脂,ポリエステル樹脂,
シアノエチルセルロ−ス樹脂,フッ素系樹脂等のバイン
ダ−材のうちいずれかに分散混合したものを用いてもよ
い。続いて、前記各発光層3上にスクリ−ン印刷で誘電
体部材を印刷着膜し、乾燥させて膜厚10μmの誘電体
層4を形成する(図1(d))。誘電体部材は平均粒径
1μmのBaTiO⊆をシアノエチルポリビニルアルコ
−ルの有機バインダ−に分散させたものを用いる。誘電
体層4は、低融点ガラス,シアノエチルゼロ−ス,フッ
化ビニリデン系3元共重合体,フッ化ビニリデン−トリ
フッ化エチレン共重合体,エポキシ樹脂,シリコ−ン樹
脂等のいずれかの誘電体部材をスクリ−ン印刷またはス
プレ−プレ−ティング法等の厚膜プロセスにより塗布し
てもよい。次に、前記各誘電体層4以外の場所が隠され
るメタルマスクを透明基板1上に配置し、その後、Al
を1.0μmの膜厚となるように蒸着法にて着膜して金
属電極5を形成する(図1(e))。
【0011】また、本実施例では図2(a)に示したよ
うに、遮光部11に複数の開口部11aを形成したが、
図2(b)に示すように、帯状透明電極2に沿って帯状
となる方形状開口部11bを形成してもよい。上記実施
例では、透明基板1としてホウケイ酸ガラスを使用した
が、他のガラスやPET等のフィルムあるいはエポキシ
板等、透明であればいずれを使用してもよい。
うに、遮光部11に複数の開口部11aを形成したが、
図2(b)に示すように、帯状透明電極2に沿って帯状
となる方形状開口部11bを形成してもよい。上記実施
例では、透明基板1としてホウケイ酸ガラスを使用した
が、他のガラスやPET等のフィルムあるいはエポキシ
板等、透明であればいずれを使用してもよい。
【0012】本実施例によれば、帯状透明電極2のみフ
ォトリソ工程で形成され、発光層3や誘電体層4が着膜
された状態ではフォトリソエッチング処理がなされない
ので、耐エッチング性が良好でないような発光部材や誘
電体部材も使用することができ、材料選択の幅を広くす
ることができる。
ォトリソ工程で形成され、発光層3や誘電体層4が着膜
された状態ではフォトリソエッチング処理がなされない
ので、耐エッチング性が良好でないような発光部材や誘
電体部材も使用することができ、材料選択の幅を広くす
ることができる。
【0013】図3は上述したEL発光素子装置を画像読
取装置に適用した例を示す。すなわち、上述したEL発
光素子装置と受光素子アレイ20とを透光性の接着剤5
0を介して一体化する。受光素子アレイ20を構成する
主走査方向(図の表裏方向)に配設された各受光素子2
0aがEL発光素子装置の開口部11aの直下に位置す
るようにする。受光素子アレイ20は、その長さが原稿
幅に対応するように基板21上に形成され、各受光素子
20aは、図の表裏方向に離散的に配設されたクロム
(Cr)から成る個別電極22と、図の表裏方向に帯状
となる酸化インジウム・スズ(ITO)から成る共通電
極24とで、アモルファスシリコン(a−Si)から成
る帯状の光導電層23を挟持した薄膜のサンドイッチ構
造で構成されている。
取装置に適用した例を示す。すなわち、上述したEL発
光素子装置と受光素子アレイ20とを透光性の接着剤5
0を介して一体化する。受光素子アレイ20を構成する
主走査方向(図の表裏方向)に配設された各受光素子2
0aがEL発光素子装置の開口部11aの直下に位置す
るようにする。受光素子アレイ20は、その長さが原稿
幅に対応するように基板21上に形成され、各受光素子
20aは、図の表裏方向に離散的に配設されたクロム
(Cr)から成る個別電極22と、図の表裏方向に帯状
となる酸化インジウム・スズ(ITO)から成る共通電
極24とで、アモルファスシリコン(a−Si)から成
る帯状の光導電層23を挟持した薄膜のサンドイッチ構
造で構成されている。
【0014】EL発光素子装置の透明電極2と金属電極
5とに50〜250V程度の交流電圧を印加すると、両
電極に挟まれた発光層3が発光し、透明基板1の反発光
素子装置側に配置された原稿面70を照射する。原稿面
70からの反射光80は、透光部11を通過し開口部1
1の直下に配置された各受光素子20aに入射して電荷
を発生させ、駆動用IC(図示せず)の制御により各受
光素子20aから信号として出力して画像情報を得る。
図2(a)に示すように、遮光部に複数の開口部11a
を形成すると、特定発光部分が特定原稿面部分を照射す
るので、原稿面70を均一に照射する場合に比較して不
要な照射光を発生させない。従って、特定原稿面からの
反射光が本来入射すべき受光素子に隣接する受光素子に
入射するのを防ぎ、不要な反射光の割合を減少させて分
解能(MTF)を向上させることができる。
5とに50〜250V程度の交流電圧を印加すると、両
電極に挟まれた発光層3が発光し、透明基板1の反発光
素子装置側に配置された原稿面70を照射する。原稿面
70からの反射光80は、透光部11を通過し開口部1
1の直下に配置された各受光素子20aに入射して電荷
を発生させ、駆動用IC(図示せず)の制御により各受
光素子20aから信号として出力して画像情報を得る。
図2(a)に示すように、遮光部に複数の開口部11a
を形成すると、特定発光部分が特定原稿面部分を照射す
るので、原稿面70を均一に照射する場合に比較して不
要な照射光を発生させない。従って、特定原稿面からの
反射光が本来入射すべき受光素子に隣接する受光素子に
入射するのを防ぎ、不要な反射光の割合を減少させて分
解能(MTF)を向上させることができる。
【0015】図4(a)乃至(e)は本発明の他の実施
例についての製造方法を示すものであり、透明電極をパ
ターニングせずにその上に遮光部を形成するものであ
る。すなわち、ガラスあるいはプラスチック等から成る
透明基板1上に、所望の形状の開口部を有するメタルマ
スクで被覆した後、ITO等から成る透明導電膜を10
00オングストロームの膜厚にEB蒸着で着膜して透明
電極2´を形成する(図2(a))。前記透明電極2´
の中央部を覆うように遮光膜として感光性有機材料(例
えば、富士ハント製カラーモザイクCK−2000 光
透過率0.5%)をスピンコートして着膜した後、フォ
トリソ法によりパターニングし、開口部11aを有する
遮光部11を形成する(図2(b))。遮光部11の長
手方向に沿った各辺の外側部分に位置する透明電極2´
を覆うようにスクリ−ン印刷で発光部材を印刷着膜し、
乾燥させて膜厚30μmの帯状発光層3,3を形成する
(図2(c))。発光部材は図1の製造方法で説明した
ものと同様である。続いて、前記各帯状発光層3上にス
クリ−ン印刷で誘電体部材を印刷着膜し、乾燥させて膜
厚10μmの誘電体層4を形成する(図2(d))。誘
電体部材は図1の製造方法で説明したものと同様であ
る。次に、前記各誘電体層4以外の場所をメタルマスク
で被覆し、その後、Alを1.0μmの膜厚となるよう
に蒸着法にて着膜して金属電極5を形成する(図2
(e))。
例についての製造方法を示すものであり、透明電極をパ
ターニングせずにその上に遮光部を形成するものであ
る。すなわち、ガラスあるいはプラスチック等から成る
透明基板1上に、所望の形状の開口部を有するメタルマ
スクで被覆した後、ITO等から成る透明導電膜を10
00オングストロームの膜厚にEB蒸着で着膜して透明
電極2´を形成する(図2(a))。前記透明電極2´
の中央部を覆うように遮光膜として感光性有機材料(例
えば、富士ハント製カラーモザイクCK−2000 光
透過率0.5%)をスピンコートして着膜した後、フォ
トリソ法によりパターニングし、開口部11aを有する
遮光部11を形成する(図2(b))。遮光部11の長
手方向に沿った各辺の外側部分に位置する透明電極2´
を覆うようにスクリ−ン印刷で発光部材を印刷着膜し、
乾燥させて膜厚30μmの帯状発光層3,3を形成する
(図2(c))。発光部材は図1の製造方法で説明した
ものと同様である。続いて、前記各帯状発光層3上にス
クリ−ン印刷で誘電体部材を印刷着膜し、乾燥させて膜
厚10μmの誘電体層4を形成する(図2(d))。誘
電体部材は図1の製造方法で説明したものと同様であ
る。次に、前記各誘電体層4以外の場所をメタルマスク
で被覆し、その後、Alを1.0μmの膜厚となるよう
に蒸着法にて着膜して金属電極5を形成する(図2
(e))。
【0016】図5は上述したEL発光素子装置を画像読
取装置に適用した例を示したもので、図3と同一構成を
とる部分については同一符号を付してその詳細な説明は
省略する。
取装置に適用した例を示したもので、図3と同一構成を
とる部分については同一符号を付してその詳細な説明は
省略する。
【0017】以上述べた各実施例によれば、発光素子装
置の発光層3,誘電体層4及び金属電極5を厚膜プロセ
スで形成することができるので、安価で大面積のEL発
光素子を得ることができる。また、発光素子装置の発光
層3,誘電体層4,金属電極5をエッチングすることな
しに光が透過する開口部11a若しくは開口部11bを
形成できるので、エッチングにより発光層3等の劣化を
防止し、装置の歩留りの向上を図ることができる。
置の発光層3,誘電体層4及び金属電極5を厚膜プロセ
スで形成することができるので、安価で大面積のEL発
光素子を得ることができる。また、発光素子装置の発光
層3,誘電体層4,金属電極5をエッチングすることな
しに光が透過する開口部11a若しくは開口部11bを
形成できるので、エッチングにより発光層3等の劣化を
防止し、装置の歩留りの向上を図ることができる。
【0018】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、発光層
を厚膜プロセスで着膜可能な発光素子を得ることができ
るので、発光素子装置及びこれを用いた画像読取装置を
安価に製造することができる。また、厚膜プロセスにお
いては着膜面積を制限されることがないので、発光素子
装置の大面積化を図ることができる。
を厚膜プロセスで着膜可能な発光素子を得ることができ
るので、発光素子装置及びこれを用いた画像読取装置を
安価に製造することができる。また、厚膜プロセスにお
いては着膜面積を制限されることがないので、発光素子
装置の大面積化を図ることができる。
【図1】 (a)乃至(e)は本発明の発光素子装置の
製造プロセスを示す工程図である。
製造プロセスを示す工程図である。
【図2】 (a)(b)は発光素子装置の平面説明図で
ある。
ある。
【図3】 図1で得られた発光素子装置を用いた画像読
取装置の断面説明図である。
取装置の断面説明図である。
【図4】 (a)乃至(e)は本発明の他の実施例の製
造プロセスを示す工程図である。
造プロセスを示す工程図である。
【図5】 図4で得られた発光素子装置を用いた画像読
取装置の断面説明図である。
取装置の断面説明図である。
【図6】 従来の発光素子/受光素子一体型の画像読取
装置の平面説明図である。
装置の平面説明図である。
【図7】 図6のX−X線断面説明図である。
1…透明基板、 2…帯状透明電極、 2´…透明電
極、 3…発光層、 4…誘電体層、 5…金属電極、
10…帯状発光素子、 11…遮光部、 11a…開
口部、 20…受光素子アレイ、 70…原稿面、 8
0…反射光
極、 3…発光層、 4…誘電体層、 5…金属電極、
10…帯状発光素子、 11…遮光部、 11a…開
口部、 20…受光素子アレイ、 70…原稿面、 8
0…反射光
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所
H05B 33/10 8815−3K
// B41J 2/44
2/45
2/455
H01L 27/14
Claims (4)
- 【請求項1】 発光粒子を分散した樹脂を厚膜プロセス
で着膜して成る発光層を、金属電極と透明電極とで挟
み、間隔を置いて透明基板上に配置する一対の帯状発光
素子と、該発光素子間に配され、中央部に透光部が形成
されるとともに前記帯状発光素子に沿った両端部が前記
金属電極に覆われる遮光部と、を具備することを特徴と
する発光素子装置。 - 【請求項2】 透明基板上に一対の帯状透明電極を形成
する電極形成工程と、遮光膜を着膜した後、中央部に透
光部となる開口部を有する遮光部を前記帯状透明電極間
に形成する遮光部形成工程と、発光粒子を分散した樹脂
を厚膜プロセスで着膜して成る発光層を前記帯状透明電
極上に積層する発光層形成工程と、前記発光層及び遮光
膜の端部を覆うように金属電極をマスクを用いた厚膜プ
ロセスで着膜する金属電極着膜工程と、を具備すること
を特徴とする発光素子装置の製造方法。 - 【請求項3】 透明基板上に帯状透明電極を形成する電
極形成工程と、遮光膜を着膜した後、透光部となる開口
部を有する遮光部を前記帯状透明電極の長手方向に沿っ
てその中央部に形成する遮光部形成工程と、発光粒子を
分散した樹脂を厚膜プロセスで着膜して成る一対の帯状
発光層を前記帯状透明電極上に積層する発光層形成工程
と、前記各帯状発光層及び遮光膜の端部を覆うように金
属電極をマスクを用いた厚膜プロセスで着膜する金属電
極着膜工程と、を具備することを特徴とする発光素子装
置の製造方法。 - 【請求項4】 発光粒子を分散した樹脂を厚膜プロセス
で着膜して成る発光層を、金属電極と透明電極とで挟
み、間隔を置いて透明基板上に配置する一対の帯状発光
素子と、該発光素子間に配され、中央部に透光部が形成
されるとともに前記帯状発光素子に沿った両端部が前記
金属電極に覆われる遮光部と、該透光部に臨むよう設置
された受光素子とを具備し、前記発光素子から発光した
光が透明基板の反発光素子側に配置された原稿面で反射
し、反射光が前記透光部を透過して前記受光素子に入射
することを特徴とする画像読取装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19127491A JP2838735B2 (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 画像読取装置 |
US07/907,664 US5254849A (en) | 1991-07-05 | 1992-07-02 | Image reading apparatus having light shielding element disposed between light emitting elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
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JP2006060528A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Ricoh Co Ltd | 密着イメージセンサ、画像読取装置、画像形成装置 |
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Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
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DE10051242A1 (de) * | 2000-10-17 | 2002-04-25 | Philips Corp Intellectual Pty | Lichtemittierende Vorrichtung mit beschichtetem Leuchtstoff |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62279776A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
JPH0337350A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-18 | Suzuki Motor Corp | 内燃機関の燃料制御装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61105960A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-24 | Toshiba Corp | 情報読取装置 |
JP2702131B2 (ja) * | 1987-06-12 | 1998-01-21 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置及び該装置を有する画像情報読取装置 |
FR2636800A1 (fr) * | 1988-09-16 | 1990-03-23 | Thomson Csf | Procede de lecture de cellules photosensibles du type comportant deux diodes montees en serie avec des sens de conduction opposes |
JPH02123767A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Ricoh Co Ltd | 密着型イメージセンサ |
US5124543A (en) * | 1989-08-09 | 1992-06-23 | Ricoh Company, Ltd. | Light emitting element, image sensor and light receiving element with linearly varying waveguide index |
JPH0375686A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-03-29 | Alps Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH07117330B2 (ja) * | 1989-12-19 | 1995-12-18 | 株式会社日立製作所 | 電子計算機の冷却装置 |
JPH0437065A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 光源一体型イメージセンサ |
US5101099A (en) * | 1990-06-15 | 1992-03-31 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image reading device with different reflectivity coefficients in a transparent layer and a substrate |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP19127491A patent/JP2838735B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-07-02 US US07/907,664 patent/US5254849A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62279776A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
JPH0337350A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-18 | Suzuki Motor Corp | 内燃機関の燃料制御装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6170960B1 (en) | 1984-09-06 | 2001-01-09 | Mag Instrument Inc. | Miniature flashlight |
US6815654B1 (en) | 1996-09-18 | 2004-11-09 | Nec Corporation | Image sensor device using thin film light source arranged light receiving elements and image to be sensed |
US6991360B2 (en) | 2001-08-16 | 2006-01-31 | Mag Instrument, Inc. | Flashlight with a light source aligned with a reflector axis |
JP2006060528A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Ricoh Co Ltd | 密着イメージセンサ、画像読取装置、画像形成装置 |
US7936983B2 (en) | 2007-06-25 | 2011-05-03 | Hitachi, Ltd. | Imaging device and apparatus installed with the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US5254849A (en) | 1993-10-19 |
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