JPH0513635A - Cutting method for tie bar - Google Patents
Cutting method for tie barInfo
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- JPH0513635A JPH0513635A JP3161238A JP16123891A JPH0513635A JP H0513635 A JPH0513635 A JP H0513635A JP 3161238 A JP3161238 A JP 3161238A JP 16123891 A JP16123891 A JP 16123891A JP H0513635 A JPH0513635 A JP H0513635A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
のタイバーを切断するタイバー切断方法に関し、特にレ
ーザ光によりタイバーを切断するタイバー切断方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tie bar cutting method for cutting a tie bar of a resin-sealed semiconductor device, and more particularly to a tie bar cutting method for cutting a tie bar with a laser beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、レーザ光により樹脂封止型半導体
装置（以下ＩＣと記す）のタイバーを切断するタイバー
切断方法は、図５に示す様にレーザ照射ステージに載置
された図６に示すリードフレーム２の位置決め孔２０に
位置決めピンを挿入してリードフレーム２を位置決めし
た後、レーザ光１５をあらかじめプログラムに入力され
たレーザ照射位置座標に従いガルバノメータ１３を駆動
させて偏向し、順次タイバー４に照射して熔断してい
た。2. Description of the Related Art Conventionally, a tie bar cutting method for cutting a tie bar of a resin-sealed semiconductor device (hereinafter referred to as an IC) by laser light is shown in FIG. 6 mounted on a laser irradiation stage as shown in FIG. After the positioning pin is inserted into the positioning hole 20 of the lead frame 2 to position the lead frame 2, the laser beam 15 is driven and deflected by driving the galvanometer 13 according to the laser irradiation position coordinates input in the program in advance, and the tie bar 4 is sequentially moved. It was irradiated and melted.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】この従来のタイバー切
断方法では、リードフレームに設けられた位置決め孔に
レーザ照射ステージに備えられた位置決めピンを挿入す
ることでリードフレーム及びタイバーの位置決めを行
い、レーザ光１５はあらかじめプログラムに入力された
レーザ照射位置座標に従って順次照射されるが、リード
フレーム位置決め孔タイバーの相互位置関係は、樹脂封
止後の封止樹脂体の収縮から、リードフレームの撓み、
うねり、及びリードピッチの収縮が発生し、個々のリー
ドフレーム及びＩＣについて変化する為、高密度基板実
装用に、小型化、及び多ピン化したＩＣでファインリー
ドピッチ（０．５ｍｍ以下）に設計されたリードフレー
ムにおいては、図７に示す様にタイバーの切断領域１６
がタイバーの中心線１９から外れて、外部リード１７の
一部を欠落させ、次工程のリード成形工程においてリー
ド曲り、捩れの発生を招き、リード成形形状の規格外不
良が多発して、品質を低下させるという欠点がある。In this conventional tie bar cutting method, the lead frame and the tie bar are positioned by inserting the positioning pin provided in the laser irradiation stage into the positioning hole provided in the lead frame, and the laser is cut. The light 15 is sequentially irradiated in accordance with the laser irradiation position coordinates input in the program in advance. The mutual positional relationship of the lead frame positioning hole tie bars is that the lead frame bends due to contraction of the sealing resin body after resin sealing,
Since swelling and lead pitch contraction occur and the individual lead frames and ICs change, a miniaturized and multi-pin IC with a fine lead pitch (0.5 mm or less) is designed for high-density board mounting. In the formed lead frame, as shown in FIG.
Deviates from the center line 19 of the tie bar and a part of the external lead 17 is lost, leading to lead bending and twisting in the lead forming process of the next process, which often causes non-standard defects of the lead forming shape to improve quality. It has the drawback of lowering it.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明のタイバー切断方
法は、封止工程で封止樹脂体が収縮し、リードピッチが
変化した後のタイバー位置を検出する為に、特定のタイ
バー、或いはタイバー近傍に設けた位置認識用マークの
位置を画像認識手段により検出し、画像処理して得られ
た位置情報とあらかじめ登録されたレーザ光照射位置情
報とのずれ量を算出し、この位置情報を変数とした一定
の補正演算式を使用して位置補正し、補正した結果に基
づきレーザ光を照射してタイバーを切断する工程を含ん
で構成される。The tie bar cutting method of the present invention detects a specific tie bar or a tie bar in order to detect the tie bar position after the encapsulating resin body shrinks and the lead pitch changes in the encapsulating step. The position of the position recognition mark provided in the vicinity is detected by the image recognition means, the deviation amount between the position information obtained by the image processing and the laser light irradiation position information registered in advance is calculated, and this position information is used as a variable. The position correction is performed using a fixed correction calculation expression described above, and the tie bar is cut by irradiating a laser beam based on the corrected result.
【０００５】[0005]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【０００６】図１は本発明の一実施例を説明するための
ブロック図、図２は本発明に使用されるリードフレーム
の平面図である。FIG. 1 is a block diagram for explaining one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a lead frame used in the present invention.
【０００７】図１及び図２に示すように、レーザ照射ス
テージ１に固定されたリードフレーム２を照明ランプ２
１により照明し、リードフレーム２の封止樹脂体３に対
する対角線上のタイバー４の近傍に設けられた２個の位
置認識用マーク５ａ，５ｂの画像を大口径レンズ６，ダ
イクロイックミラー７，ハーフミラー８，結像レンズ９
を通してＩＴＶカメラ１０で撮像し、画像認識ユニット
１１により画像処理を行ない正確なマーク５ａ，５ｂの
位置座標を検出する。検出したマーク５ａ，５ｂの位置
座標を補正演算ユニット１２に転送し、あらかじめプロ
グラムされたレーザ照射位置座標からのずれ量を計算
し、正確なレーザ照射位置を割り出した後、ガルバノメ
ータ１３を駆動してレーザ発振器１４より発振させたレ
ーザ光１５を順次タイバー４に照射して全タイバーを切
断する。As shown in FIGS. 1 and 2, the lead frame 2 fixed to the laser irradiation stage 1 is attached to the illumination lamp 2.
The image of the two position recognition marks 5a and 5b provided in the vicinity of the tie bar 4 on the diagonal of the lead frame 2 with respect to the encapsulating resin body 3 is illuminated by the large-diameter lens 6, the dichroic mirror 7, the half mirror. 8, imaging lens 9
The ITV camera 10 picks up an image through the image, and the image recognition unit 11 performs image processing to detect the accurate position coordinates of the marks 5a and 5b. The position coordinates of the detected marks 5a and 5b are transferred to the correction arithmetic unit 12, the deviation amount from the pre-programmed laser irradiation position coordinates is calculated, the accurate laser irradiation position is determined, and then the galvanometer 13 is driven. A laser beam 15 oscillated from a laser oscillator 14 is sequentially applied to the tie bars 4 to cut all the tie bars.
【０００８】この様にして図３に示すように、リードピ
ッチＰが０．５ｍｍ以下というファインリードピッチの
ＩＣに対してもタイバーの切断ずれを制御し、外部リー
ドの損傷を防いで安定した切断を行なうことが可能であ
る。In this way, as shown in FIG. 3, even for an IC with a fine lead pitch of 0.5 mm or less, the deviation of the tie bar cutting is controlled to prevent damage to the external leads and to achieve stable cutting. It is possible to
【０００９】なお、図４に示すように、位置認識用のマ
ーク５ａ，５ｂ以外にマーク５ｃ，５ｄを封止樹脂体３
の２本の対角線上のタイバー近傍に４個設けることによ
り、更に位置検出の精度が向上し、ずれ量の正確な補正
が可能になるため、多ピンのＩＣで封入樹脂の寸法が大
きく、樹脂収縮によるリードピッチの収縮の影響が大き
い場合には有効となる。As shown in FIG. 4, in addition to the marks 5a and 5b for position recognition, marks 5c and 5d are provided on the sealing resin body 3.
By providing four tie bars in the vicinity of the two diagonal lines, the position detection accuracy can be further improved and the amount of deviation can be accurately corrected. It is effective when the contraction of the lead pitch greatly affects the contraction.
【００１０】ここで、位置認識用マークにより位置検出
を行う代りに特定のタイバーの画像から位置検出を行っ
ても良い。Here, instead of detecting the position using the position recognition mark, the position may be detected from the image of the specific tie bar.
【００１１】[0011]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、タイバ
ー、或いはタイバーの近傍に設けられた画像認識用マー
クを検出してレーザ照射位置座標を正確に割り出し、登
録されたレーザ照射位置座標を補正してレーザ照射を行
うことにより、リードピッチが０．５ｍｍ以下のファイ
ンピッチのＩＣに対しても一括して切断ずれの少ない安
定したレーザ光によるタイバー切断加工を行なうことが
可能であり、外部リードの損傷により外部のリードの変
形を防止し、今後のＩＣの小型化、多ピン化に対しても
十分な信頼性を得ることができるという効果を有する。As described above, according to the present invention, the laser irradiation position coordinates are accurately determined by detecting the tie bar or the image recognition mark provided in the vicinity of the tie bar, and the registered laser irradiation position coordinates are corrected. By performing the laser irradiation, it is possible to collectively perform tie bar cutting processing with stable laser light with little cutting deviation even for fine pitch ICs with a lead pitch of 0.5 mm or less. It is possible to prevent the external leads from being deformed due to the damage to the IC, and it is possible to obtain sufficient reliability even in the future miniaturization of IC and increase in the number of pins.
【図１】本発明の一実施例を説明するためのブロック
図。FIG. 1 is a block diagram for explaining an embodiment of the present invention.
【図２】本発明に使用される第１のリードフレームの平
面図。FIG. 2 is a plan view of a first lead frame used in the present invention.
【図３】本発明の一実施例を説明するためのリードフレ
ームの部分拡大図。FIG. 3 is a partially enlarged view of a lead frame for explaining an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施例に使用される第２のリードフ
レームの平面図。FIG. 4 is a plan view of a second lead frame used in an embodiment of the present invention.
【図５】従来のタイバー切断方法を説明するためのブロ
ック図。FIG. 5 is a block diagram for explaining a conventional tie bar cutting method.
【図６】従来のタイバー切断方法に使用されるリードフ
レームの平面図。FIG. 6 is a plan view of a lead frame used in a conventional tie bar cutting method.
【図７】従来のタイバー切断方法を説明するためのリー
ドフレームの部分拡大図。FIG. 7 is a partially enlarged view of a lead frame for explaining a conventional tie bar cutting method.
１ レーザ照射ステージ ２ リードフレーム ３ 封止樹脂 ４ タイバー ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ マーク ６ 大口径レンズ ７ ダイクロイックミラー ８ ハーフミラー ９ 結像レンズ １０ ＩＴＶカメラ １１ 画像認識ユニット １２ 補正演算ユニット １３ ガルバノメータ １４ レーザ発振器 １５ レーザ光 １６ タイバー切断領域 １７ 外部リード １８ リードフレーム送り孔 １９ タイバーの中心線 ２０ 位置決め孔 ２１ 照明ランプ Ｐ リードピッチ 1 Laser irradiation stage 2 lead frame 3 Sealing resin 4 tie bar 5a, 5b, 5c, 5d marks 6 large aperture lens 7 dichroic mirror 8 half mirror 9 Imaging lens 10 ITV camera 11 Image recognition unit 12 Correction calculation unit 13 Galvanometer 14 Laser oscillator 15 Laser light 16 Tie bar cutting area 17 External lead 18 Lead frame feed hole 19 tie bar center line 20 Positioning hole 21 Lighting lamp P lead pitch
Claims (2)
ザ光にて切断するタイバー切断方法において、リードフ
レームの単数又は複数の特定のタイバー或いはタイバー
近傍に設けた位置認識用マークの位置を画像認識手段に
より検出し、画像処理して算出した位置情報とあらかじ
め登録されたレーザ光照射位置情報とのずれ量を算出
し、前記ずれ量により前記レーザ光照射位置情報を補正
し、補正した結果に基づきレーザ光を順次制御してタイ
バーを照射し、前記タイバーを切断することを特徴とす
るタイバー切断方法。1. A tie bar cutting method for cutting a tie bar of a resin-encapsulated semiconductor device with a laser beam, wherein image recognition is performed on a position of a specific tie bar or a plurality of specific tie bars of a lead frame or a position recognition mark provided near the tie bar. Detected by the means, calculate the amount of deviation between the position information calculated by image processing and the laser light irradiation position information registered in advance, correct the laser light irradiation position information by the deviation amount, and based on the corrected result A method of cutting a tie bar, characterized in that the tie bar is cut by sequentially controlling laser light to irradiate the tie bar.
る請求項１記載のタイバー切断方法。2. The tie bar cutting method according to claim 1, wherein a TV camera is used as the image recognition means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3161238A JPH0513635A (en) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | Cutting method for tie bar |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3161238A JPH0513635A (en) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | Cutting method for tie bar |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513635A true JPH0513635A (en) | 1993-01-22 |
Family
ID=15731272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3161238A Pending JPH0513635A (en) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | Cutting method for tie bar |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513635A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6861282B2 (en) | 2001-04-13 | 2005-03-01 | Yamaha Corporation | Semiconductor package and semiconductor package mounting method |
| JP2010036202A (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Ihi Corp | Cutting apparatus and cutting method |
| CN102145435A (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-10 | 绿阳光电股份有限公司 | Laser scribing machine with automatic correction mechanism and automatic correction method thereof |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP3161238A patent/JPH0513635A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6861282B2 (en) | 2001-04-13 | 2005-03-01 | Yamaha Corporation | Semiconductor package and semiconductor package mounting method |
| US6979910B2 (en) | 2001-04-13 | 2005-12-27 | Yamaha Corporation | Semiconductor package and semiconductor package mounting method |
| US7541294B2 (en) | 2001-04-13 | 2009-06-02 | Yamaha Corporation | Semiconductor package and semiconductor package mounting method |
| JP2010036202A (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Ihi Corp | Cutting apparatus and cutting method |
| CN102145435A (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-10 | 绿阳光电股份有限公司 | Laser scribing machine with automatic correction mechanism and automatic correction method thereof |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990629 |