JPH05136115A - 半導体基板の保存方法 - Google Patents
半導体基板の保存方法Info
- Publication number
- JPH05136115A JPH05136115A JP29354391A JP29354391A JPH05136115A JP H05136115 A JPH05136115 A JP H05136115A JP 29354391 A JP29354391 A JP 29354391A JP 29354391 A JP29354391 A JP 29354391A JP H05136115 A JPH05136115 A JP H05136115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- semiconductor
- water
- organic solvent
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の保存方法に関し、分子状有機物
による汚染を無くすることを目的とする。 【構成】 基板洗浄処理の終わった半導体ウエハをその
後の製造工程にかける迄の間、有機溶剤雰囲気中に保つ
こで、基板表面を親水性にすることを特徴として半導体
基板の保存方法を構成する。
による汚染を無くすることを目的とする。 【構成】 基板洗浄処理の終わった半導体ウエハをその
後の製造工程にかける迄の間、有機溶剤雰囲気中に保つ
こで、基板表面を親水性にすることを特徴として半導体
基板の保存方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板を分子状有機
物汚染より守る処理方法に関する。半導体集積回路は集
積化が進んでLSI やVLSIが実用化されているが、これは
半導体素子を構成する半導体領域, 導体線路,電極など
の微細化により実現されたものであり、現在では最小パ
ターン幅が１μm 未満（サブミクロン）のものまで実用
化されている。
物汚染より守る処理方法に関する。半導体集積回路は集
積化が進んでLSI やVLSIが実用化されているが、これは
半導体素子を構成する半導体領域, 導体線路,電極など
の微細化により実現されたものであり、現在では最小パ
ターン幅が１μm 未満（サブミクロン）のものまで実用
化されている。
【０００２】このように集積化が進むに従って半導体基
板（以下半導体ウエハ）の汚染は製造歩留りに大きく影
響することから、この清浄化は必須事項となっている。
板（以下半導体ウエハ）の汚染は製造歩留りに大きく影
響することから、この清浄化は必須事項となっている。
【０００３】
【従来の技術】半導体基板に対する汚染要因としては、
塵埃微粒子による汚染、 無機イオンによる汚
染、 分子状有機物質による汚染、などがある。
塵埃微粒子による汚染、 無機イオンによる汚
染、 分子状有機物質による汚染、などがある。
【０００４】こゝで、の塵埃による汚染は作業をクリ
ーンルーム内で行うことにより解決されており、フィル
タの進歩により現在では0.1 μm 以上の微粒子を除くこ
とが可能となった。
ーンルーム内で行うことにより解決されており、フィル
タの進歩により現在では0.1 μm 以上の微粒子を除くこ
とが可能となった。
【０００５】また、についてはナトリウム・イオン(N
a + ) や塩素イオン(Cl - ) など半導体素子の特性に顕
著な影響を与えるイオンは汗の形で人体より発生し、ま
たアルカリ・イオンやハロゲン・イオンは使用材料にも
付着していることから、精選された材料を使用し、また
防塵服の使用により塵埃と共にこの拡散を防ぐ処置がと
られている。
a + ) や塩素イオン(Cl - ) など半導体素子の特性に顕
著な影響を与えるイオンは汗の形で人体より発生し、ま
たアルカリ・イオンやハロゲン・イオンは使用材料にも
付着していることから、精選された材料を使用し、また
防塵服の使用により塵埃と共にこの拡散を防ぐ処置がと
られている。
【０００６】また、については人体より脂肪の形で発
散している以外に、フィルタを通してクリーンルーム内
に供給されている空気中にも多種類のものが含まれてい
る。すなわち、供給空気の中には燐系および弗素系の有
機物, シロキサン, 酢酸ブチル, トルエン, キシレンな
どが分子状で浮遊している。
散している以外に、フィルタを通してクリーンルーム内
に供給されている空気中にも多種類のものが含まれてい
る。すなわち、供給空気の中には燐系および弗素系の有
機物, シロキサン, 酢酸ブチル, トルエン, キシレンな
どが分子状で浮遊している。
【０００７】これらの内、酢酸ブチルなどの溶剤は製造
工程中で使用していることから溶剤蒸気が空気中に拡散
浮遊しており、これが給気管より取り込まれ、フィルタ
を通ってクリーンルームに供給されている。
工程中で使用していることから溶剤蒸気が空気中に拡散
浮遊しており、これが給気管より取り込まれ、フィルタ
を通ってクリーンルームに供給されている。
【０００８】すなわち、半導体素子の製造はクリーンル
ームで行い、フィルタにより空気中の塵埃を、また、防
塵服の着用により人体より発生する塵埃，脂肪，Na +,C
l - などによる汚染を防ぐ処置が施されているが、空気
中に浮遊している分子状有機物質については特別な遮断
法はとられていない。
ームで行い、フィルタにより空気中の塵埃を、また、防
塵服の着用により人体より発生する塵埃，脂肪，Na +,C
l - などによる汚染を防ぐ処置が施されているが、空気
中に浮遊している分子状有機物質については特別な遮断
法はとられていない。
【０００９】こゝで、分子状有機物が半導体ウエハに付
着すると、撥水性を示すようになり、これによって、 半導体ウエハ上にスピンコートしたレジストの部分
的な剥離を生ずる。 半導体ウエハ上に塗布した材料にヘイズ（Haze も
や) を生ずる。 半導体ウエハ上に塗布した材料にウオーターマーク
(Water-mark 透かし) を生ずる。 などの問題があり、これが原因で配線の断線, 導電性不
良, 耐圧不良などの素子不良が発生している。
着すると、撥水性を示すようになり、これによって、 半導体ウエハ上にスピンコートしたレジストの部分
的な剥離を生ずる。 半導体ウエハ上に塗布した材料にヘイズ（Haze も
や) を生ずる。 半導体ウエハ上に塗布した材料にウオーターマーク
(Water-mark 透かし) を生ずる。 などの問題があり、これが原因で配線の断線, 導電性不
良, 耐圧不良などの素子不良が発生している。
【００１０】そこで、これを防ぐ手段として、インゴッ
トより約500 μm の厚さにスライスし、表面研磨と洗浄
処理の終わった半導体ウエハは製造プロセスにかけるま
で窒素（N2) ボックスに格納して分子状有機物やアルカ
リイオンなどによる雰囲気汚染を防いでいるが、不充分
であり、撥水性の発生を免れることはできなかった。
トより約500 μm の厚さにスライスし、表面研磨と洗浄
処理の終わった半導体ウエハは製造プロセスにかけるま
で窒素（N2) ボックスに格納して分子状有機物やアルカ
リイオンなどによる雰囲気汚染を防いでいるが、不充分
であり、撥水性の発生を免れることはできなかった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の製造はク
リーンルーム内で行われているが、このクリーンルーム
に備えてあるフィルタにより塵埃の侵入は防げるもの
ゝ、分子状有機物の侵入については現在のところ有効な
阻止手段は存在しない。
リーンルーム内で行われているが、このクリーンルーム
に備えてあるフィルタにより塵埃の侵入は防げるもの
ゝ、分子状有機物の侵入については現在のところ有効な
阻止手段は存在しない。
【００１２】そのため、半導体ウエハは保存中に撥水性
を生ずると云う問題がある。そこで、撥水性を生じなく
することが課題である。
を生ずると云う問題がある。そこで、撥水性を生じなく
することが課題である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題は基板洗浄処
理の終わった半導体ウエハをその後の製造工程にかける
迄の間、有機溶剤雰囲気中に保つこで、基板表面を親水
性にすることを特徴として半導体基板の保存方法を構成
することにより解決することができる。
理の終わった半導体ウエハをその後の製造工程にかける
迄の間、有機溶剤雰囲気中に保つこで、基板表面を親水
性にすることを特徴として半導体基板の保存方法を構成
することにより解決することができる。
【００１４】
【作用】本発明は入手した半導体ウエハの表面処理を行
った後、直ちに有機溶剤中または溶剤蒸気中に保つこと
により分子状有機物の付着による撥水性の発生を無くす
るものである。
った後、直ちに有機溶剤中または溶剤蒸気中に保つこと
により分子状有機物の付着による撥水性の発生を無くす
るものである。
【００１５】すなわち、殆どの有機溶剤は分子状有機物
に対して溶解作用を有しており、また半導体ウエハとは
反応しないと云う特徴を利用する。また、殆どの有機溶
剤は低沸点であるために水洗洗浄の場合よりも乾燥し易
いと云う利点がある。
に対して溶解作用を有しており、また半導体ウエハとは
反応しないと云う特徴を利用する。また、殆どの有機溶
剤は低沸点であるために水洗洗浄の場合よりも乾燥し易
いと云う利点がある。
【００１６】さて、従来はインゴットより厚さが500 μ
m 程度にスライスし、研磨処理の終わったウエハは硫酸
(H2SO4) 浸漬と過酸化水素(H2O2)浸漬の逐次処理を行っ
て表面に付着している有機物を除去した後、硝酸(HNO3)
浸漬を行って表面に付着している金属成分の除去を行っ
ている。
m 程度にスライスし、研磨処理の終わったウエハは硫酸
(H2SO4) 浸漬と過酸化水素(H2O2)浸漬の逐次処理を行っ
て表面に付着している有機物を除去した後、硝酸(HNO3)
浸漬を行って表面に付着している金属成分の除去を行っ
ている。
【００１７】そして、水洗洗浄を行った後、N2ボックス
に格納して保管しているが、時間の経過と共に撥水性が
生ずるのを免れることはできなかった。発明者はH2SO4
−H2O2−HNO3処理の終わったSiウエハについて撥水性の
発生状態を観察した結果、次のことが判った。 Siウエハをクリーンルームに放置すると約１日で撥
水性を示し、水滴を垂らした時の接触角は40.8°を示
し、この接触角は一週間放置しても41°〜45°の範囲を
保っている。
に格納して保管しているが、時間の経過と共に撥水性が
生ずるのを免れることはできなかった。発明者はH2SO4
−H2O2−HNO3処理の終わったSiウエハについて撥水性の
発生状態を観察した結果、次のことが判った。 Siウエハをクリーンルームに放置すると約１日で撥
水性を示し、水滴を垂らした時の接触角は40.8°を示
し、この接触角は一週間放置しても41°〜45°の範囲を
保っている。
【００１８】こゝで、接触角θは基板に水滴を垂らした
場合に、水滴の半径をｄmmとし、水滴面の中央から頂点
までの高さをｈmmとすると、 θ＝２×tan -1( ｈ／ｄ） ・・・・・・・（１） の関係式から求めることができる。 Siウエハを酢酸ブチル，アセトン，ベンゼン，エチ
ルエーテル，ヘプタン，アセトフェノンなどの有機溶媒
に浸漬しておくと撥水性を示さず、清浄な表面状態を保
つことができる。 Siウエハをの蒸気中に保持する場合も同様であっ
て、撥水性を示さず、また清浄な表面状態を保つことが
できる。 Siウエハをアルコール中、例えばイソプロピルアル
コール中に浸漬すると丸一日程度では親水性であり撥水
性は示さないが、一日以上放置すると約8.5 °の接触角
を示すようになる。
場合に、水滴の半径をｄmmとし、水滴面の中央から頂点
までの高さをｈmmとすると、 θ＝２×tan -1( ｈ／ｄ） ・・・・・・・（１） の関係式から求めることができる。 Siウエハを酢酸ブチル，アセトン，ベンゼン，エチ
ルエーテル，ヘプタン，アセトフェノンなどの有機溶媒
に浸漬しておくと撥水性を示さず、清浄な表面状態を保
つことができる。 Siウエハをの蒸気中に保持する場合も同様であっ
て、撥水性を示さず、また清浄な表面状態を保つことが
できる。 Siウエハをアルコール中、例えばイソプロピルアル
コール中に浸漬すると丸一日程度では親水性であり撥水
性は示さないが、一日以上放置すると約8.5 °の接触角
を示すようになる。
【００１９】然し、純水洗浄を行えば直ちに元の親水性
の状態に戻すことができる。 Siウエハをアルコール蒸気、例えばえばイソプロピ
ルアルコール蒸気中に放置する場合も同様である。 クリーンルーム内に置き撥水性を示すようになった
Siウエハは純水洗浄を行っても親水性にはならない。(
元の状態には戻らない) 撥水性を示すようになったSiウエハは酸洗浄( 例え
ばH2SO4)かアルカリ( 例えばNH4OH)を行えば親水性の状
態に戻すことができる。
の状態に戻すことができる。 Siウエハをアルコール蒸気、例えばえばイソプロピ
ルアルコール蒸気中に放置する場合も同様である。 クリーンルーム内に置き撥水性を示すようになった
Siウエハは純水洗浄を行っても親水性にはならない。(
元の状態には戻らない) 撥水性を示すようになったSiウエハは酸洗浄( 例え
ばH2SO4)かアルカリ( 例えばNH4OH)を行えば親水性の状
態に戻すことができる。
【００２０】こゝで、アルコールに浸漬して一日以上放
置する場合に約8.5°の接触角を示すようになる理由に
ついては明確ではないが、発明者はアルコールのOH基が
Siウエハ表面に配向し化学吸着が生じるためと考えてい
る。
置する場合に約8.5°の接触角を示すようになる理由に
ついては明確ではないが、発明者はアルコールのOH基が
Siウエハ表面に配向し化学吸着が生じるためと考えてい
る。
【００２１】以上のことから本発明はH2SO4 −H2O2−HN
O3処理を行い、水洗洗浄の終わった半導体ウエハを直ち
に有機溶剤か有機溶剤蒸気の雰囲気中におくことにより
分子状有機物の付着による汚染を無くするものである。
O3処理を行い、水洗洗浄の終わった半導体ウエハを直ち
に有機溶剤か有機溶剤蒸気の雰囲気中におくことにより
分子状有機物の付着による汚染を無くするものである。
【００２２】以上のことはSiウエハについて行ったが、
Geのような単体半導体やGaAs, InＰのような化合物半導
体のウエハについても同様である。
Geのような単体半導体やGaAs, InＰのような化合物半導
体のウエハについても同様である。
【００２３】
【実施例】実施例１：H2SO4 −H2O2−HNO3処理の終わ
り、水洗洗浄の終わった厚さが約500 μm のSiウエハを
ベンゼン溶液中に浸漬し、デバイス形成工程にかけるま
で放置しておいた。
り、水洗洗浄の終わった厚さが約500 μm のSiウエハを
ベンゼン溶液中に浸漬し、デバイス形成工程にかけるま
で放置しておいた。
【００２４】そして、引上げたウエハを調べた結果は親
水性であって、接触角の測定を行うことは不可能であ
り、また分子状有機物の汚染は認められなかった。 実施例２：H2SO4 −H2O2−HNO3処理の終わり、水洗洗浄
の終わった厚さが約500 μm のSiウエハを50℃に保持し
たアセトン上に保持することでアセトン雰囲気に保ち、
デバイス形成工程にかけるまで放置しておいた。
水性であって、接触角の測定を行うことは不可能であ
り、また分子状有機物の汚染は認められなかった。 実施例２：H2SO4 −H2O2−HNO3処理の終わり、水洗洗浄
の終わった厚さが約500 μm のSiウエハを50℃に保持し
たアセトン上に保持することでアセトン雰囲気に保ち、
デバイス形成工程にかけるまで放置しておいた。
【００２５】そして、引上げたウエハは親水性であっ
て、接触角の測定を行うことは不可能であり、また分子
状有機物の汚染は認められなかった。 実施例３：H2SO4 −H2O2−HNO3処理の終わり、水洗洗浄
の終わった厚さが約500 μm のSiウエハをイソプロピル
アルコール中に浸漬し、デバイス形成工程にかけるまで
放置しておいた。
て、接触角の測定を行うことは不可能であり、また分子
状有機物の汚染は認められなかった。 実施例３：H2SO4 −H2O2−HNO3処理の終わり、水洗洗浄
の終わった厚さが約500 μm のSiウエハをイソプロピル
アルコール中に浸漬し、デバイス形成工程にかけるまで
放置しておいた。
【００２６】このウエハについて接触角の測定を行った
結果、接触角は8.5°であったが、純水洗浄を行った結
果、元の親水性に戻り、接触角の測定を行うことはでき
なかった。
結果、接触角は8.5°であったが、純水洗浄を行った結
果、元の親水性に戻り、接触角の測定を行うことはでき
なかった。
【００２７】
【発明の効果】本発明の実施により分子状有機物の汚染
による撥水性を無くすることができ、これにより撥水性
に起因するヘイズ, ウオータマークなどの発生がなくな
り、また半導体素子の製造歩留りの向上が達成される。
による撥水性を無くすることができ、これにより撥水性
に起因するヘイズ, ウオータマークなどの発生がなくな
り、また半導体素子の製造歩留りの向上が達成される。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板洗浄処理の終わった半導体ウエハを
その後の製造工程にかける迄の間、有機溶剤雰囲気中に
保つこで、基板表面を親水性にすることを特徴とする半
導体基板の保存方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29354391A JPH05136115A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 半導体基板の保存方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29354391A JPH05136115A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 半導体基板の保存方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136115A true JPH05136115A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17796112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29354391A Withdrawn JPH05136115A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 半導体基板の保存方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136115A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9280325B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-03-08 | International Business Machines Corporation | Customized ready-to-go componentized application definitions |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP29354391A patent/JPH05136115A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9280325B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-03-08 | International Business Machines Corporation | Customized ready-to-go componentized application definitions |
| US9672013B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-06-06 | International Business Machines Corporation | Customized ready-to-go componentized application definitions |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6132811A (en) | Procedure for the drying of silicon | |
| US5679171A (en) | Method of cleaning substrate | |
| JP2581268B2 (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| KR100220926B1 (ko) | 소수성 실리콘 웨이퍼의 세정방법 | |
| US4116714A (en) | Post-polishing semiconductor surface cleaning process | |
| WO1995004372A1 (en) | Methods for processing semiconductors to reduce surface particles | |
| KR19990083075A (ko) | 에스씨-2 베이스 예열처리 웨이퍼 세정공정 | |
| US4308089A (en) | Method for preventing corrosion of Al and Al alloys | |
| JP4367587B2 (ja) | 洗浄方法 | |
| US20090008366A1 (en) | Etching composition and method for etching a substrate | |
| US20080308122A1 (en) | Process For Cleaning, Drying and Hydrophilizing A Semiconductor Wafer | |
| AU697397B2 (en) | Procedure for the drying of silicon | |
| KR100558164B1 (ko) | 질화물 제거용 식각액 및 이를 이용한 반도체 소자의질화막 제거방법 | |
| KR100568381B1 (ko) | 반도체 처리장치 부품용 세정액 및 세정방법 | |
| JPH05136115A (ja) | 半導体基板の保存方法 | |
| JPH03190130A (ja) | 半導体の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JP4306217B2 (ja) | 洗浄後の半導体基板の乾燥方法 | |
| JPH056884A (ja) | シリコンウエハーの洗浄方法 | |
| JPH08264399A (ja) | 半導体基板の保管方法および半導体装置の製造方法 | |
| KR100211648B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 재생방법 | |
| JPH01140728A (ja) | 物体の洗浄乾燥方法 | |
| JPH05129264A (ja) | 洗浄液および洗浄方法 | |
| KR0155305B1 (ko) | 웨이퍼 건조방법 | |
| JP2001053042A (ja) | 環境雰囲気からの電子デバイス用基板の有機汚染防止法及び防止処理が施された電子デバイス用基板 | |
| US20230272973A1 (en) | Substrate processing liquid, substrate processing method, and substrate processing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |