JPH05136065A - Manufacture of semiconductor - Google Patents
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- JPH05136065A JPH05136065A JP29615191A JP29615191A JPH05136065A JP H05136065 A JPH05136065 A JP H05136065A JP 29615191 A JP29615191 A JP 29615191A JP 29615191 A JP29615191 A JP 29615191A JP H05136065 A JPH05136065 A JP H05136065A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は，基板上に均一な比抵抗
を有する半導体を堆積する方法に関する。基板上に不純
物を含む半導体を堆積する工程は，半導体装置，特にII
I-V 族化合物半導体を用いた装置の製造に広く使われて
いる。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method for depositing a semiconductor having a uniform resistivity on a substrate. The process of depositing a semiconductor containing impurities on a substrate is performed in a semiconductor device, particularly II.
It is widely used to manufacture devices using Group IV compound semiconductors.
【０００２】しかし，近年における大口径基板の使用，
或いは多数基板への同時堆積法の採用に伴い，温度分布
に起因して不純物濃度が不均一となるため，均一な比抵
抗の半導体を堆積することが難しくなっている。However, the use of large-diameter substrates in recent years,
Alternatively, with the adoption of the simultaneous deposition method on a large number of substrates, the impurity concentration becomes non-uniform due to the temperature distribution, which makes it difficult to deposit a semiconductor having a uniform specific resistance.
【０００３】このため，温度分布が存在しても一定の不
純物濃度を有し，均一な比抵抗の半導体を堆積する方法
が強く要求されている。Therefore, there is a strong demand for a method of depositing a semiconductor having a constant impurity concentration and a uniform resistivity even if there is a temperature distribution.
【０００４】[0004]
【従来の技術】基板上に堆積された半導体には，堆積温
度に応じた濃度の不純物がドーピングされ，この結果，
基板温度分布に起因する不純物濃度分布を生ずる。2. Description of the Related Art A semiconductor deposited on a substrate is doped with an impurity having a concentration according to a deposition temperature.
An impurity concentration distribution is generated due to the substrate temperature distribution.
【０００５】従来の方法では，かかる不純物濃度分布を
減少するために基板を回転させ，又は基板温度分布を小
さくする手段が講じられていた。しかし，基板の回転の
みでは温度分布を補償して均一な不純物濃度とすること
は困難である。また，基板温度分布を小さくすることは
極めて難しく，敢えて手段を講ずると堆積装置の大型化
を招来する。In the conventional method, means for rotating the substrate or reducing the substrate temperature distribution has been taken in order to reduce the impurity concentration distribution. However, it is difficult to compensate the temperature distribution and obtain a uniform impurity concentration only by rotating the substrate. Also, it is extremely difficult to reduce the substrate temperature distribution, and if measures are taken intentionally, the deposition apparatus will become larger.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述の様に，従来の基
板上への半導体の堆積方法は，温度分布に起因して不純
物濃度の不均一な分布を生ずるため，均一な比抵抗の半
導体を堆積することができないという問題があった。As described above, in the conventional method for depositing a semiconductor on a substrate, a non-uniform distribution of the impurity concentration is generated due to the temperature distribution, so that a semiconductor having a uniform specific resistance is obtained. There was a problem that it could not be deposited.
【０００７】本発明は，基板温度分布から生ずる温度差
を補償して不純物を均一濃度でドーングすることによ
り，均一な比抵抗分布を有する半導体の堆積方法を提供
することを目的とする。It is an object of the present invention to provide a method of depositing a semiconductor having a uniform resistivity distribution by compensating for the temperature difference caused by the substrate temperature distribution and doping impurities at a uniform concentration.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第一の構成は，半導体堆積装置内のドーピン
グ原料濃度に対する堆積された半導体中の不純物濃度の
比として定義される分配係数の堆積温度に関する変化率
が TηA なる第一の不純物と，分配係数の堆積温度に関
する変化率が TηB なる第二の不純物とを同時にドーピ
ングして堆積する半導体の製造方法であって， TηA ×
TηB ＜０であり，該半導体堆積装置内において該第一
の不純物のドーピング原料濃度を該第二の不純物のドー
ピング原料濃度の略｜ TηB ／ TηA ｜倍とすることを
特徴して構成し，及び，第二の構成は，第一の構成の半
導体の製造方法において，該半導体はIII-V 族化合物半
導体であり，該第一の不純物のドーピング原料はＳｉＨ
4 及びＳｉ2 Ｈ 6 の何れか一つであり，該第二の不純物
のドーピング原料はＨ2 Ｓ及びＨ2 Ｓｅの何れか一つで
あり，化学気相堆積法（ＣＶＤ法）により該半導体を堆
積することを特徴として構成する。[Means for Solving the Problems] To solve the above problems
The first aspect of the present invention is a dopin in a semiconductor deposition apparatus.
Of the impurity concentration in the deposited semiconductor with respect to the raw material concentration
Rate of change of partition coefficient, defined as ratio, with respect to deposition temperature
ButTηAOf the first impurity and the distribution temperature of the distribution coefficient
Change rateTηBBecome a second impurity at the same time
A method of manufacturing a semiconductor that is deposited by deposition,TηA×
TηB<0, the first in the semiconductor deposition apparatus
The doping source concentration of the impurity of the second impurity
Abbreviation of ping raw material concentration ｜TηB/TηA｜ to double
Characteristically configured, and the second configuration is a half of the first configuration
In the method of manufacturing a conductor, the semiconductor is a III-V group compound
It is a conductor, and the first impurity doping material is SiH
FourAnd Si2H 6And the second impurity
The doping material of H is2S and H2Any one of Se
Yes, the semiconductor is deposited by the chemical vapor deposition method (CVD method).
It is characterized by stacking.
【０００９】[0009]
【作用】以下本発明の構成の作用を説明する。第一の不
純物のドーピング原料濃度をＣA ，第二の不純物のドー
ピング原料濃度をＣB とする半導体の堆積においては，
堆積された半導体中の不純物濃度ｎは，第一の不純物濃
度ｎA ＝ηA ×ＣA ，及び第二の不純物濃度ｎB ＝ηB
×ＣB の和であり，ｎ＝ｎA＋ｎB と表される。The operation of the constitution of the present invention will be described below. In the deposition of a semiconductor in which the doping material concentration of the first impurity is C A and the doping material concentration of the second impurity is C B ,
The impurity concentration n in the deposited semiconductor is the first impurity concentration n A = η A × C A , and the second impurity concentration n B = η B
× C B , which is expressed as n = n A + n B.
【００１０】ここで，ηA 及びηB はそれぞれ第一及び
第二の不純物についての分配係数であり，温度，装置条
件，堆積条件及びドーピング原料濃度ＣA に依存する。
しかし，半導体の堆積では通常，温度，装置，堆積条件
及びドーピング原料濃度は可能な限り一定に保たれる。
また基板温度分布により生ずる温度差は小さいから，こ
の温度差により装置及び堆積条件が大きく変化すること
はない。このため基板温度分布から生ずる温度差が装置
条件及び堆積条件の変化を通して分配係数を変える効果
は，分配係数が直接温度に依存して変わる変化に較べて
小さく無視してよい。即ち通常の堆積条件の変動の範囲
では，分配係数ηA ，ηB は温度に陽にのみ依存する。Here, η A and η B are distribution coefficients for the first and second impurities, respectively, and depend on temperature, apparatus conditions, deposition conditions and doping source concentration C A.
However, in semiconductor deposition, the temperature, equipment, deposition conditions and doping source concentration are usually kept as constant as possible.
Moreover, since the temperature difference caused by the substrate temperature distribution is small, the apparatus and deposition conditions do not change significantly due to this temperature difference. Therefore, the effect that the temperature difference caused by the substrate temperature distribution changes the distribution coefficient through changes in the apparatus conditions and deposition conditions is small compared to the change in which the distribution coefficient directly depends on the temperature, and can be ignored. That is, the distribution coefficients η A and η B depend only on the temperature positively within the range of fluctuation of the usual deposition conditions.
【００１１】他方，基板上の所定の堆積温度よりもΔＴ
高い領域上に堆積する半導体の不純物濃度ｎは，所定の
濃度から，On the other hand, ΔT is higher than the predetermined deposition temperature on the substrate.
The impurity concentration n of the semiconductor deposited on the high region is
【００１２】[0012]
【数１】 δｎ＝δｎA ＋δｎB ，だけ変化する。ここ
で，通常ドーピング原料濃度ＣA ，ＣB を一定として堆
積するから，## EQU1 ## Only changes by δn = δn A + δn B. Here, since the concentrations of the doping raw materials C A and C B are usually constant,
【００１３】[0013]
【数２】 δｎA ＝ TηA ×ＣA ×ΔＴ，## EQU2 ## δn A = T η A × C A × ΔT,
【００１４】[0014]
【数３】 δｎA ＝ TηB ×ＣB ×ΔＴ， である。なお， TηA ， TηB はそれぞれ分配係数
ηA ，ηB の温度に関する変化率ｄηA ／ｄＴ，ｄηB
／ｄＴである。ここで，分配係数ηA ，ηB は温度に陽
にのみ依存するという事実を用いた。## EQU3 ## δn A = T η B × C B × ΔT. Incidentally, T η A, T η B each partition coefficient eta A, eta change rate d? A / dT regarding the temperature of the B, d? B
/ DT. Here, we use the fact that the distribution coefficients η A and η B depend only on the temperature explicitly.
【００１５】数１，数２，数３から，不純物濃度の変化
量δｎは，From the equations (1), (2) and (3), the change amount δn of the impurity concentration is
【００１６】[0016]
【数４】 δｎ＝（ TηA ×ＣA ＋ TηB ×ＣB ）×Δ
Ｔ， と表される。本発明はかかる理論に基づき考案された。
即ち，数４で表される不純物濃度の変化量δｎの温度変
化が無くなるように，## EQU4 ## δn = ( T η A × C A + T η B × C B ) × Δ
Expressed as T ,. The present invention has been devised based on this theory.
That is, in order to eliminate the temperature change of the change amount δn of the impurity concentration expressed by the equation 4,
【００１７】[0017]
【数５】 TηA × TηB ＜０， なる分配関数の温度依存性を有する同一伝導型の２種類
の不純物を，## EQU00005 ## Two kinds of impurities of the same conductivity type having a temperature dependence of the distribution function such that T η A × T η B <0
【００１８】[0018]
【数６】 ＣA ／ＣB ＝｜ TηB ／ TηA ｜， を満たすドーピング原料濃度のもとでドーピングしつ
つ，半導体を堆積するものである。## EQU6 ## A semiconductor is deposited while doping under a doping source concentration satisfying C A / C B = | T η B / T η A |.
【００１９】かかる本発明の構成では，不純物濃度の温
度依存性は零となるから，堆積された半導体中の不純物
濃度は堆積温度に依らず一定となり，基板温度分布があ
っても不純物濃度分布を生ずることはなく，従って均一
な比抵抗の半導体が堆積されるのである。In the structure of the present invention, since the temperature dependence of the impurity concentration becomes zero, the impurity concentration in the deposited semiconductor becomes constant irrespective of the deposition temperature, and even if there is the substrate temperature distribution, the impurity concentration distribution is It does not occur, so a semiconductor of uniform resistivity is deposited.
【００２０】数５及び数６を満たす本発明の条件の下で
は，さらにｎ＝ｎA＋ｎB に，ｎA ＝ηA ×ＣA ，ｎA
＝ηB ×ＣB ，及び数６を代入して，不純物濃度と各ド
ーピング原料濃度との関係として，Under the conditions of the present invention satisfying the equations (5) and (6), n = n A + n B , and n A = η A × C A , n A
= Η B × C B , and substituting equation 6, the relationship between the impurity concentration and the concentration of each doping material is
【００２１】[0021]
【数７】 ｎ＝ＣA ηA （１−（ TηA ／ TηB ）×
（ηB ／ηA ）），N = C A η A (1- ( T η A / T η B ) ×
(Η B / η A )),
【００２２】[0022]
【数８】 ｎ＝ＣB ηB （１−（ TηB ／ TηA ）×
（ηA ／ηB ））， を得る。従って本発明の方法を適用して所定の不純物濃
度ｎ0 の半導体の堆積をするには，ドーピング原料濃度
を，数７，数８でｎ＝ｎ0 とおいたときの各ドーピング
原料濃度，N = C B η B (1- ( T η B / T η A ) ×
(Η A / η B )), is obtained. Therefore, in order to deposit a semiconductor having a predetermined impurity concentration n 0 by applying the method of the present invention, the doping raw material concentrations are n = n 0 in Equations 7 and 8,
【００２３】[0023]
【数９】 ＣA ＝ (ｎ0/ηA ) ／(1-( TηA ／
TηB ）×（ηB ／ηA )),[Equation 9] C A = (n 0 / η A ) / (1- ( T η A /
T η B ) × (η B / η A )),
【００２４】[0024]
【数１０】 ＣB ＝（ｎ0/ηB ）／(1-( TηB ／
TηA ）×（ηA ／ηB )), により実現される。即ち，数９及び数１０に従い各ドー
ピング原料濃度を決定することにより，所望の不純物濃
度ｎ0 の半導体を堆積することができる。C B = (n 0 / η B ) / (1- ( T η B /
T η A ) × (η A / η B )), That is, by determining the concentration of each doping material according to the equations 9 and 10, it is possible to deposit a semiconductor having a desired impurity concentration n 0 .
【００２５】なお，本発明は気相からの堆積，及び溶液
からの堆積に適用されることはいうまでもない。次に，
III-V 族化合物半導体を化学気相堆積法（ＣＶＤ法）に
より基板上に堆積する方法では，半導体中のＳｉ濃度
は，ＳｉＨ4 又はＳｉ2 Ｈ6 をドーピング原料とすると
き温度変化に対して正の変化を有し，他方，Ｈ2 Ｓ又は
Ｈ2 Ｓｅをドーピング原料とするとき温度変化に対して
負の変化を有する。従って基板表面内に温度差が生じて
も２種の不純物が互いに補償し合い，全体として不純物
濃度を一定にすることができる。これらの不純物は何れ
もドナーを形成するから，かかる方法により堆積された
III-V 族化合物半導体の比抵抗は一定になる。Needless to say, the present invention is applied to deposition from a gas phase and deposition from a solution. next,
In the method of depositing a III-V group compound semiconductor on a substrate by a chemical vapor deposition method (CVD method), the Si concentration in the semiconductor changes with temperature when SiH 4 or Si 2 H 6 is used as a doping raw material. It has a positive change, while when H 2 S or H 2 Se is used as a doping material, it has a negative change with respect to temperature change. Therefore, even if a temperature difference occurs in the substrate surface, the two kinds of impurities compensate each other, and the impurity concentration can be kept constant as a whole. Since all of these impurities form donors, they were deposited by such a method.
The resistivity of III-V group compound semiconductors is constant.
【００２６】[0026]
【実施例】本発明を実施例を参照して説明する。本実施
例は，ＧａＡｓをＣＶＤ法により堆積する例である。EXAMPLES The present invention will be described with reference to examples. The present embodiment is an example of depositing GaAs by the CVD method.
【００２７】先ず，高抵抗ＧａＡｓ基板を半導体堆積装
置内に載置し，真空中で加熱して表面を清浄にする。次
いで，基板温度を６８０℃に保ち０．１気圧の減圧下
で，原料ガスとして流量０．２５sccmのＴＥＧａ（Tetr
aethyl gallium）及び流量１０sccmのＡｓＨ3 をドーピ
ング原料ガスと共に供給して，不純物ドープされたＧａ
Ａｓ単結晶層を堆積する。ドーピング原料ガスにはＳｉ
Ｈ4 及びＨ2 Ｓを用いた。First, a high resistance GaAs substrate is placed in a semiconductor deposition apparatus and heated in vacuum to clean the surface. Next, the substrate temperature was maintained at 680 ° C. and the TEGa (Tetr (Tetr)
agallium) and a flow rate of 10 sccm of AsH 3 are supplied together with the doping source gas, and Ga is doped with impurities.
Deposit As single crystal layer. Si for the doping source gas
H 4 and H 2 S were used.
【００２８】かかる原料ガスを用いたＣＶＤ法における
不純物濃度ｎD は，, 結晶中で不純物と置換されるサイ
トを構成している原子の濃度をＮ，その原子を供給する
原料ガスの分圧をｐO,ドーピング原料ガスの分圧をｐD
として, The impurity concentration n D in the CVD method using such a source gas is expressed by the following: N is the concentration of atoms constituting the sites in the crystal that are replaced by impurities, and N is the partial pressure of the source gas supplying the atoms. p O, the partial pressure of the doping source gas is p D
As,
【００２９】[0029]
【数１１】 ｎD ／Ｎ＝ｋD ｐD/ｐO , となる場合がJ.Crystal Growth vol.75 (1986)p.91-100
に記載されている。ここで，ｋD はアレニウス型の温度
依存をする係数であって物質固有の定数ｋD0，ΔＥD を
用いて, [Equation 11] When n D / N = k D p D / p O, J. Crystal Growth vol.75 (1986) p.91-100
It is described in. Here, k D is an Arrhenius-type temperature-dependent coefficient, and using the constants k D0 and ΔE D peculiar to the substance ,
【００３０】[0030]
【数１２】 ｋD ＝ｋD0ｅｘｐ（ΔＥD/Ｔ） と表される。従って, 数１１，数１２から不純物の分配
係数ηDは，[Equation 12] It is expressed as k D = k D0 exp (ΔE D / T). Therefore , from equations 11 and 12, the distribution coefficient η D of impurities is
【００３１】[0031]
【数１３】 ηD ＝ｋD0ＮＣ0 ｅｘｐ（ΔＥD/Ｔ）， となる。ここでＣ0 は置換されるサイトを構成している
原子を供給する原料ガスの濃度であり，数１３の導出の
際に，分圧比は原料ガス濃度比に等しいことを用いた。[Equation 13] η D = k D0 NC 0 exp (ΔE D / T). Here, C 0 is the concentration of the source gas that supplies the atoms that form the site to be replaced, and when deriving Eq. 13, the partial pressure ratio is equal to the source gas concentration ratio.
【００３２】数１３を温度について微分し，温度に対す
る変化率 TηD ，Equation 13 is differentiated with respect to temperature, and the rate of change with respect to temperature T η D ,
【００３３】[0033]
【数１４】 TηD ＝−（ΔＥD ／Ｔ2 ）ηD を得る。数１４を TηD = TηA , 又は TηD = TηB
とおき, それぞれ数９，数１０に代入して，(14) T η D = − (ΔE D / T 2 ) η D is obtained. Formula 14 is T η D = T η A , or T η D = T η B
Substituting into equation 9 and equation 10 , respectively,
【００３４】[0034]
【数１５】 ＣA ＝（ｎ0 ／ηA ）／（１−ΔＥA ／Δ
ＥB ），C A = (n 0 / η A ) / (1−ΔE A / Δ
E B ),
【００３５】[0035]
【数１６】 ＣB ＝（ｎ0 ／ηB ）／（１−ΔＥB ／Δ
ＥA ）， を得る。所望濃度ｎ0 ＝８．９６×１０15として，Ｓｉ
Ｈ4 及びＨ2 Ｓをドーピング原料ガスとする本実施例で
は，硫黄の分配係数ηA ＝９．８５×１０19，及びシリ
コンの分配係数ηB ＝３．４８×１０20，硫黄の活性化
エネルギーΔＥA ＝１２０００，及びシリコンの活性化
エネルギーΔＥB ＝−１８９００を用いて， Ｈ2 Ｓガスの濃度ＣA は，ＣA ＝５．５６×１０-5， ＳｉＨ4 ガスの濃度ＣB は，ＣB ＝１．００×１０-5， となる。C B = (n 0 / η B ) / (1−ΔE B / Δ
E A ), is obtained. With the desired concentration n 0 = 8.96 × 10 15 ,
In the present embodiment using H 4 and H 2 S as the doping source gas, the distribution coefficient of sulfur η A = 9.85 × 10 19 , the distribution coefficient of silicon η B = 3.48 × 10 20 , and the activation of sulfur. Using the energy ΔE A = 12000 and the silicon activation energy ΔE B = −18900, the H 2 S gas concentration C A is C A = 5.56 × 10 −5 , and the SiH 4 gas concentration C B is , C B = 1.00 × 10 −5 .
【００３６】かかる濃度を実現するために，以下に述べ
るようにガスを供給する。数１５，数１６から，In order to achieve such a concentration, gas is supplied as described below. From equations 15 and 16,
【００３７】[0037]
【数１７】 ＣA ／ＣB ＝−（ηB ／ηA）（ΔＥB ／
ΔＥA ）， である。この関係は分配係数がアレニウス型となる堆積
方法，例えばＣＶＤ法について成立する。C A / C B = − (η B / η A ) (ΔE B /
ΔE A ), This relationship holds for a deposition method with a distribution coefficient of Arrhenius type, for example, a CVD method.
【００３８】本実施例では，Ｈ2 ＳガスとＳｉＨ4 ガス
とを数１７で与えられる比ＣA ／Ｃ B ＝５．５６で混合
されたガスをドーピング原料ガスとして使用する。これ
により，原料ガスの濃度が変化しても，堆積された半導
体中の全不純物濃度は堆積温度には依存しないという本
発明の効果を常に維持することができるのである。In this embodiment, H2S gas and SiHFourgas
And the ratio C given byA/ C B= Mixed at 5.56
The obtained gas is used as a doping raw material gas. this
Even if the concentration of the source gas changes due to the
The book that the total impurity concentration in the body does not depend on the deposition temperature
The effect of the invention can always be maintained.
【００３９】具体的には，上記ＣA ／ＣB ＝５．５６の
比で混合された，Ｈ2 Ｓ濃度が５．５６×１０-5及びＳ
ｉＨ4 濃度が１．００×１０-5の混合ガスを，ＡｓＨ3
の流量１０sccmと同流量供給する。これにより所望の濃
度の半導体が堆積される。Specifically, the H 2 S concentration of 5.56 × 10 -5 and S mixed in the above C A / C B = 5.56 ratio was obtained.
A mixed gas having an iH 4 concentration of 1.00 × 10 −5 was added to AsH 3
The same flow rate of 10 sccm is supplied. As a result, a semiconductor having a desired concentration is deposited.
【００４０】なお，全不純物濃度は原料ガス濃度に依存
する。従って，一つの原料ガスの濃度を制御するだけ
で，本発明の効果を奏しつつ，不純物濃度の絶対値を制
御することができる。即ち，不純物濃度を一つのガス流
量の増減のみで自由に選ぶことができる。このため，異
なる不純物濃度の半導体を成長するときにも，各ドーピ
ング原料ガス流量を格別に制御する必要はないから，制
御が容易であり，その結果精密な不純物濃度を有する半
導体を堆積することができるのである。The total impurity concentration depends on the source gas concentration. Therefore, only by controlling the concentration of one source gas, the absolute value of the impurity concentration can be controlled while exhibiting the effect of the present invention. That is, the impurity concentration can be freely selected by only increasing or decreasing one gas flow rate. For this reason, even when growing semiconductors with different impurity concentrations, it is not necessary to control the flow rates of the respective doping raw material gases, so that it is easy to control, and as a result, a semiconductor having a precise impurity concentration can be deposited. You can do it.
【００４１】[0041]
【発明の効果】本発明によれば，互いに反対符号の分配
係数を有する不純物が同時にドーピングされ，かつ２種
類の不純物のドーピング原料濃度は温度差を補償する比
に選定されているから，基板温度分布があっても全不純
物濃度は一定となるという効果を奏し，均一な比抵抗を
有する半導体を堆積でき，半導体装置の性能向上に寄与
するところが大きい。According to the present invention, the impurities having the distribution coefficients of opposite signs are doped at the same time, and the doping raw material concentrations of the two kinds of impurities are selected to be ratios for compensating for the temperature difference. Even if there is a distribution, there is an effect that the total impurity concentration becomes constant, a semiconductor having a uniform specific resistance can be deposited, and it greatly contributes to the performance improvement of the semiconductor device.
Claims (2)
に対する堆積された半導体中の不純物濃度の比として定
義される分配係数の堆積温度に関する変化率が TηA な
る第一の不純物と， 分配係数の堆積温度に関する変化率が TηB なる第二の
不純物とを同時にドーピングして堆積する半導体の製造
方法であって， T ηA × TηB ＜０であり， 該半導体堆積装置内において該第一の不純物のドーピン
グ原料濃度を該第二の不純物のドーピング原料濃度の略
｜ TηB ／ TηA ｜倍とすることを特徴とする半導体の
製造方法。1. A first impurity having a change rate of T η A of a distribution coefficient, which is defined as a ratio of an impurity concentration in a deposited semiconductor to a doping source concentration in a semiconductor deposition apparatus, and a distribution coefficient of the distribution coefficient A method for manufacturing a semiconductor, which comprises simultaneously doping and depositing a second impurity having a change rate with respect to a deposition temperature of T η B , wherein T η A × T η B <0, and A method of manufacturing a semiconductor, wherein the doping raw material concentration of one impurity is approximately | T η B / T η A | times the doping raw material concentration of the second impurity.
て， 該半導体はIII-V 族化合物半導体であり， 該第一の不純物のドーピング原料はＳｉＨ4 及びＳｉ2
Ｈ6 の何れか一つであり， 該第二の不純物のドーピング原料はＨ2 Ｓ及びＨ2 Ｓｅ
の何れか一つであり， 化学気相堆積法（ＣＶＤ法）により該半導体を堆積する
ことを特徴とする半導体の製造方法。2. The method for manufacturing a semiconductor according to claim 1, wherein the semiconductor is a III-V group compound semiconductor, and the first impurity doping material is SiH 4 and Si 2.
One of H 6 and the second impurity doping material is H 2 S and H 2 Se.
The method for manufacturing a semiconductor, wherein the semiconductor is deposited by a chemical vapor deposition method (CVD method).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29615191A JPH05136065A (en) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | Manufacture of semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP29615191A JPH05136065A (en) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | Manufacture of semiconductor |
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|---|---|
| JPH05136065A true JPH05136065A (en) | 1993-06-01 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29615191A Withdrawn JPH05136065A (en) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | Manufacture of semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136065A (en) |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP29615191A patent/JPH05136065A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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