JPH0513594A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH0513594A JPH0513594A JP18378591A JP18378591A JPH0513594A JP H0513594 A JPH0513594 A JP H0513594A JP 18378591 A JP18378591 A JP 18378591A JP 18378591 A JP18378591 A JP 18378591A JP H0513594 A JPH0513594 A JP H0513594A
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- Japan
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- layer
- contact hole
- aluminum
- semiconductor device
- conductor layer
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタクト孔内を上層配線の材料と同一の材
料によって埋設するようにして、信頼性および平坦性の
優れたコンタクトを形成する。 【構成】 不純物領域307、308が基板の表面に形
成され、基板上にn型多結晶シリコン層306、タング
ステンシリサイド層311等の下層配線が形成されたも
のに第1、第2のBPSG膜309、312を被着し、
第2のコンタクト孔313を開孔する。第2のコンタク
ト孔313を埋設する多結晶シリコン層314を形成し
[(a)図]、これをエッチバックして多結晶シリコン
プラグ314aを形成し、アルミニウム層315を形成
する[(b)図]。その後、還元性雰囲気中で熱処理を
行って、アルミニウムとシリコンとを相互拡散させ、コ
ンタクト孔内の導体および配線層をシリコン含有アルミ
ニウムによって構成する。
料によって埋設するようにして、信頼性および平坦性の
優れたコンタクトを形成する。 【構成】 不純物領域307、308が基板の表面に形
成され、基板上にn型多結晶シリコン層306、タング
ステンシリサイド層311等の下層配線が形成されたも
のに第1、第2のBPSG膜309、312を被着し、
第2のコンタクト孔313を開孔する。第2のコンタク
ト孔313を埋設する多結晶シリコン層314を形成し
[(a)図]、これをエッチバックして多結晶シリコン
プラグ314aを形成し、アルミニウム層315を形成
する[(b)図]。その後、還元性雰囲気中で熱処理を
行って、アルミニウムとシリコンとを相互拡散させ、コ
ンタクト孔内の導体および配線層をシリコン含有アルミ
ニウムによって構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置およびその
製造方法に関し、特に、拡散層や配線層間をコンタクト
孔を介して相互に接続してなる半導体装置およびその製
造方法に関する。
製造方法に関し、特に、拡散層や配線層間をコンタクト
孔を介して相互に接続してなる半導体装置およびその製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】コンタクト孔による従来の接続構造につ
いて、図5乃至図7を参照して説明する。第1の従来例
は図5に示されるように、p型シリコン基板501の表
面のフィールド酸化膜504で囲まれた領域にn型不純
物領域507を形成し、その上に厚さ0.4μmの第1
のBPSG(ほう素りんシリケートガラス)膜509を
設け、その上に厚さ0.2μmのタングステンシリサイ
ド層511および厚さ0.5μmの第2のBPSG膜5
12を形成した後、直径0.6μmのコンタクト孔51
3を開口し、膜厚0.5μmのアルミニウム層517を
スパッタリング法で形成したものである。
いて、図5乃至図7を参照して説明する。第1の従来例
は図5に示されるように、p型シリコン基板501の表
面のフィールド酸化膜504で囲まれた領域にn型不純
物領域507を形成し、その上に厚さ0.4μmの第1
のBPSG(ほう素りんシリケートガラス)膜509を
設け、その上に厚さ0.2μmのタングステンシリサイ
ド層511および厚さ0.5μmの第2のBPSG膜5
12を形成した後、直径0.6μmのコンタクト孔51
3を開口し、膜厚0.5μmのアルミニウム層517を
スパッタリング法で形成したものである。
【0003】コンタクト孔の直径に対する深さの比率、
即ちアスペクト比が1以上になると、スパッタリング法
によりアルミニウムはステップカバレッジ(平面上の厚
さに対する段差部の厚さの比)が0.1以下となってコ
ンタクト孔での抵抗が増加するため、アスペクト比が大
きい場合、この従来例は実用的ではない。
即ちアスペクト比が1以上になると、スパッタリング法
によりアルミニウムはステップカバレッジ(平面上の厚
さに対する段差部の厚さの比)が0.1以下となってコ
ンタクト孔での抵抗が増加するため、アスペクト比が大
きい場合、この従来例は実用的ではない。
【0004】図6、図7に示すものは、ステップカバレ
ッジ対策のなされた従来例の断面図であって、これらの
図において、図5と共通する部分には下2桁が共通する
参照番号が付されている。図6の例では、直径0.6μ
mのコンタクト孔613を開孔した後、選択CVD法に
よりコンタクト孔内のみに厚さ0.4μmのタングステ
ンプラグ618を形成し、さらに膜厚0.5μmのアル
ミニウム層619をスパッタリング法で形成している。
ッジ対策のなされた従来例の断面図であって、これらの
図において、図5と共通する部分には下2桁が共通する
参照番号が付されている。図6の例では、直径0.6μ
mのコンタクト孔613を開孔した後、選択CVD法に
よりコンタクト孔内のみに厚さ0.4μmのタングステ
ンプラグ618を形成し、さらに膜厚0.5μmのアル
ミニウム層619をスパッタリング法で形成している。
【0005】この方法によれば、n型不純物領域607
上のコンタクト孔のアスペクト比は1程度にまで小さく
することができ、アルミニウムのステップカバレッジを
改善することができる。しかし、さらに改善しようとし
て選択CVDタングステンプラグの厚さを厚くすると、
浅い方のコンタクト孔において、選択CVDタングステ
ンプラグが盛り上がってしまい微細加工に悪影響を及ぼ
してしまうので、これ以上の改善は期待できない。
上のコンタクト孔のアスペクト比は1程度にまで小さく
することができ、アルミニウムのステップカバレッジを
改善することができる。しかし、さらに改善しようとし
て選択CVDタングステンプラグの厚さを厚くすると、
浅い方のコンタクト孔において、選択CVDタングステ
ンプラグが盛り上がってしまい微細加工に悪影響を及ぼ
してしまうので、これ以上の改善は期待できない。
【0006】図7の例では、コンタクト孔713を開孔
した後、CVD法により厚さ0.8μmの多結晶シリコ
ンを一様に形成し、エッチバック法によりコンタクト孔
内に選択的に多結晶シリコンプラク720を形成し、さ
らにスパッタ法により、アルミニウム層721を形成し
ている。
した後、CVD法により厚さ0.8μmの多結晶シリコ
ンを一様に形成し、エッチバック法によりコンタクト孔
内に選択的に多結晶シリコンプラク720を形成し、さ
らにスパッタ法により、アルミニウム層721を形成し
ている。
【0007】この例では、n型不純物領域707上およ
びタングステンシリサイド層711上のいずれかのコン
タクト孔上においてもアスペクト比を約0.1以下とす
ることができるため、アルミニウムのステップカバレッ
ジを大幅に改善することができる。しかし、この従来例
では、コンタクト孔内の多結晶シリコンプラグに抵抗を
下げるためにn型またはp型の不純物を高濃度にドーピ
ングする必要があり、さらにn型不純物領域上はn型
に、p型不純物領域上はp型にと導電型を変えてドーピ
ングする必要があるため、製造工程が煩雑になるという
欠点がある。
びタングステンシリサイド層711上のいずれかのコン
タクト孔上においてもアスペクト比を約0.1以下とす
ることができるため、アルミニウムのステップカバレッ
ジを大幅に改善することができる。しかし、この従来例
では、コンタクト孔内の多結晶シリコンプラグに抵抗を
下げるためにn型またはp型の不純物を高濃度にドーピ
ングする必要があり、さらにn型不純物領域上はn型
に、p型不純物領域上はp型にと導電型を変えてドーピ
ングする必要があるため、製造工程が煩雑になるという
欠点がある。
【0008】
【発明が解決しょうとする課題】上述した第1の従来例
では、ステップカバレッジが低下するため、コンタクト
孔での接続抵抗が高くなり、また断線事故も生じやす
く、半導体装置の信頼性を悪化させる欠点があった。ま
た、コンタクト孔内が導体によって埋設されないので、
配線の上部に形成する絶縁体によってこれを埋設する必
要が生じ、製法上に困難を伴う。また、第2、第3の従
来例には、アスペクト比の改善に限界があったり工程が
煩雑になる等の問題があった。
では、ステップカバレッジが低下するため、コンタクト
孔での接続抵抗が高くなり、また断線事故も生じやす
く、半導体装置の信頼性を悪化させる欠点があった。ま
た、コンタクト孔内が導体によって埋設されないので、
配線の上部に形成する絶縁体によってこれを埋設する必
要が生じ、製法上に困難を伴う。また、第2、第3の従
来例には、アスペクト比の改善に限界があったり工程が
煩雑になる等の問題があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板の表面に形成された拡散層または半導体基板
上に絶縁膜を介して形成された第1の導体層と、前記拡
散層または第1の導体層を覆う絶縁層上に形成された、
金属材料を主体とする第2の導体層とが、前記絶縁層に
形成された、アスペクト比が1以上のコンタクト孔を介
して接続されたものであって、前記コンタクト孔が前記
第2の導体層の材料と同等の材料によって埋め込まれて
いることを特徴としている。ここで、金属材料には例え
ばアルミニウムが用いられる。
半導体基板の表面に形成された拡散層または半導体基板
上に絶縁膜を介して形成された第1の導体層と、前記拡
散層または第1の導体層を覆う絶縁層上に形成された、
金属材料を主体とする第2の導体層とが、前記絶縁層に
形成された、アスペクト比が1以上のコンタクト孔を介
して接続されたものであって、前記コンタクト孔が前記
第2の導体層の材料と同等の材料によって埋め込まれて
いることを特徴としている。ここで、金属材料には例え
ばアルミニウムが用いられる。
【0010】また、その製造方法は、半導体基板表面に
形成された拡散層または半導体基板上に絶縁膜を介して
形成された第1の導体層上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層にコンタクト孔を形成して前記拡散層または
前記第1の導体層の表面を露出させる工程と、前記コン
タクト孔内を第1の材料によって埋め込む工程と、前記
絶縁層上および前記第1の材料の層上を金属からなる第
2の材料で覆う工程と、熱処理によって第1の材料と第
2の材料とを相互に拡散せしめて第1の材料を高濃度に
含有する第2の材料からなる第2の導体層を形成する工
程と、を含んでいる。ここで、第1の材料には例えば多
結晶シリコンが、第2の材料には例えばアルミニウムが
用いられる。
形成された拡散層または半導体基板上に絶縁膜を介して
形成された第1の導体層上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層にコンタクト孔を形成して前記拡散層または
前記第1の導体層の表面を露出させる工程と、前記コン
タクト孔内を第1の材料によって埋め込む工程と、前記
絶縁層上および前記第1の材料の層上を金属からなる第
2の材料で覆う工程と、熱処理によって第1の材料と第
2の材料とを相互に拡散せしめて第1の材料を高濃度に
含有する第2の材料からなる第2の導体層を形成する工
程と、を含んでいる。ここで、第1の材料には例えば多
結晶シリコンが、第2の材料には例えばアルミニウムが
用いられる。
【0011】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は、本発明の第1の実施例を示す断面
図である。図2の(a)、(b)はその製造工程を説明
するための工程断面図である。本実施例を製造するに
は、まずp型シリコン基板101上に選択的にp型およ
びn型不純物領域を拡散してpウェル102およびnウ
ェル103を形成する。次に、選択的に厚さ0.5μm
のフィールド酸化膜104、厚さ20nmのゲート酸化
膜105、厚さ0.3μmのn型多結晶シリコン層10
6を形成し、その後イオン注入法により選択的にn型不
純物領域107およびp型不純物領域108を順次形成
する。
て説明する。図1は、本発明の第1の実施例を示す断面
図である。図2の(a)、(b)はその製造工程を説明
するための工程断面図である。本実施例を製造するに
は、まずp型シリコン基板101上に選択的にp型およ
びn型不純物領域を拡散してpウェル102およびnウ
ェル103を形成する。次に、選択的に厚さ0.5μm
のフィールド酸化膜104、厚さ20nmのゲート酸化
膜105、厚さ0.3μmのn型多結晶シリコン層10
6を形成し、その後イオン注入法により選択的にn型不
純物領域107およびp型不純物領域108を順次形成
する。
【0012】次に、厚さ0.4μmの第1のBPSG膜
109を形成し、選択的に直径0.6μmの第1のコン
タクト孔110を形成した後、厚さ0.2μmのタング
ステンシリサイド層111を形成する。次に、厚さ0.
5μmの第2のBPSG膜112を形成し、選択的に直
径0.6μmの第2のコンタクト孔113を開孔した
後、第2のコンタクト孔内を埋設しかつ第2のBPSG
膜112上に延在する厚さ0.6μmの多結晶シリコン
層114を形成する[図2の(a)]。
109を形成し、選択的に直径0.6μmの第1のコン
タクト孔110を形成した後、厚さ0.2μmのタング
ステンシリサイド層111を形成する。次に、厚さ0.
5μmの第2のBPSG膜112を形成し、選択的に直
径0.6μmの第2のコンタクト孔113を開孔した
後、第2のコンタクト孔内を埋設しかつ第2のBPSG
膜112上に延在する厚さ0.6μmの多結晶シリコン
層114を形成する[図2の(a)]。
【0013】次に、多結晶シリコン層114をエッチバ
ックして第2のコンタクト孔113内に選択的に多結晶
シリコンプラク114aを形成する。次に、厚さ0.5
μmのアルミニウム層115をスパッタリング法で形成
し、これをパターニングする[図2の(b)]。
ックして第2のコンタクト孔113内に選択的に多結晶
シリコンプラク114aを形成する。次に、厚さ0.5
μmのアルミニウム層115をスパッタリング法で形成
し、これをパターニングする[図2の(b)]。
【0014】次に、450℃の還元雰囲気中で熱処理を
施すことによって、多結晶シリコンプラグ114a中の
シリコンとアルミニウム層115のアルミニウムとを相
互拡散せしめる。このときシリコンとアルミニウムの量
的な違いによりシリコンがアルミニウムに吸収された形
になり、ここに、シリコンを高濃度に含有するアルミニ
ウム層115aが生成され、図1に示すように多結晶シ
リコンプラグ114aは生成されたシリコン含有アルミ
ニウム層115aによって置換される。
施すことによって、多結晶シリコンプラグ114a中の
シリコンとアルミニウム層115のアルミニウムとを相
互拡散せしめる。このときシリコンとアルミニウムの量
的な違いによりシリコンがアルミニウムに吸収された形
になり、ここに、シリコンを高濃度に含有するアルミニ
ウム層115aが生成され、図1に示すように多結晶シ
リコンプラグ114aは生成されたシリコン含有アルミ
ニウム層115aによって置換される。
【0015】なお、上記相互拡散工程において、n型不
純物領域107、p型不純物領域108、n型多結晶シ
リコン層106の中に含まれるシリコンは、高濃度の不
純物の存在によってアルミニウムとの相互拡散を妨げら
れるためにアルミニウムに吸い込まれることはない。
純物領域107、p型不純物領域108、n型多結晶シ
リコン層106の中に含まれるシリコンは、高濃度の不
純物の存在によってアルミニウムとの相互拡散を妨げら
れるためにアルミニウムに吸い込まれることはない。
【0016】このようにして不純物領域や下層配線層上
の第2のコンタクト孔内をシリコン含有アルミニウムで
埋設した構造の半導体装置を極めて容易な方法で得るこ
とができ、コンタクト領域の信頼性を飛躍的に向上させ
かつ配線の上部の絶縁体の形成を容易にすることができ
る。
の第2のコンタクト孔内をシリコン含有アルミニウムで
埋設した構造の半導体装置を極めて容易な方法で得るこ
とができ、コンタクト領域の信頼性を飛躍的に向上させ
かつ配線の上部の絶縁体の形成を容易にすることができ
る。
【0017】図3は、本発明の第2の実施例を示す断面
図であり、図4の(a)、(b)はその製造方法を説明
するための工程断面図である。図3、図4において、図
1、図2で示された先の実施例の部分と同等の部分には
下2桁が共通する参照番号を付し、重複した説明は省略
する。
図であり、図4の(a)、(b)はその製造方法を説明
するための工程断面図である。図3、図4において、図
1、図2で示された先の実施例の部分と同等の部分には
下2桁が共通する参照番号を付し、重複した説明は省略
する。
【0018】本実施例を製造するには、図4の(a)に
示されるように、第2のBPSG膜312を形成し、選
択的に第2のコンタクト孔313を開孔した後、厚さ
0.1μmの窒化チタニウム層316と第2のコンタク
ト孔313内を埋設して第2のBPSG膜312上に延
在する厚さ0.6μmの多結晶シリコン層314を形成
する。これ以降の工程は、アルミニウム層315のパタ
ーニング時に同時に窒化チタニウム層316のパターニ
ングも行う点を除き、先の実施例と同様である。
示されるように、第2のBPSG膜312を形成し、選
択的に第2のコンタクト孔313を開孔した後、厚さ
0.1μmの窒化チタニウム層316と第2のコンタク
ト孔313内を埋設して第2のBPSG膜312上に延
在する厚さ0.6μmの多結晶シリコン層314を形成
する。これ以降の工程は、アルミニウム層315のパタ
ーニング時に同時に窒化チタニウム層316のパターニ
ングも行う点を除き、先の実施例と同様である。
【0019】本実施例においては、多結晶シリコンプラ
グ314aのシリコンとアルミニウム層315のアルミ
ニウムとの相互拡散工程において、多結晶シリコンプラ
グ314aと不純物領域307、308、n型多結晶シ
リコン層306との間には窒化チタニウム層316が介
在しているため、これら不純物領域や多結晶シリコン層
のシリコンとアルミニウムとの間の相互拡散はほぼ完全
に阻止される。即ち、本実施例の第1の実施例と比較し
て優れている点は、窒化チタニウムの存在であり、これ
により、シリコンとアルミニウムの相互拡散の選択性が
飛躍的に向上している。
グ314aのシリコンとアルミニウム層315のアルミ
ニウムとの相互拡散工程において、多結晶シリコンプラ
グ314aと不純物領域307、308、n型多結晶シ
リコン層306との間には窒化チタニウム層316が介
在しているため、これら不純物領域や多結晶シリコン層
のシリコンとアルミニウムとの間の相互拡散はほぼ完全
に阻止される。即ち、本実施例の第1の実施例と比較し
て優れている点は、窒化チタニウムの存在であり、これ
により、シリコンとアルミニウムの相互拡散の選択性が
飛躍的に向上している。
【0020】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、種々
の改変が可能である。例えばアルミニウム層115、3
15のパターニングは、アルミニウムとシリコンとの相
互拡散が終了した後に行うようにしてもよい。
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、種々
の改変が可能である。例えばアルミニウム層115、3
15のパターニングは、アルミニウムとシリコンとの相
互拡散が終了した後に行うようにしてもよい。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、拡散層や下層配線層と上層配線層とをコンタクト
孔を介して接続するものにおいて、コンタクト孔内が上
層の配線層と同一の金属材料によって埋め込まれたもの
であるので、本発明によれば、コンタクト部の信頼性を
飛躍的に向上させるとができ、また上層配線層の上部に
容易に良好な形状の絶縁膜を形成することができる。
置は、拡散層や下層配線層と上層配線層とをコンタクト
孔を介して接続するものにおいて、コンタクト孔内が上
層の配線層と同一の金属材料によって埋め込まれたもの
であるので、本発明によれば、コンタクト部の信頼性を
飛躍的に向上させるとができ、また上層配線層の上部に
容易に良好な形状の絶縁膜を形成することができる。
【0022】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
コンタクト孔内に予め第1の材料を埋設しておき、その
上に上層配線を構成するための金属材料からなる第2の
材料の層を形成した後に、第1の材料と第2の材料とを
相互拡散せしめ、コンタクト孔内の導体および配線層を
第1の材料を含有した第2の材料によって構成するもの
であるので、極めて容易な方法により信頼性の高い層間
接続構造を得ることができる。
コンタクト孔内に予め第1の材料を埋設しておき、その
上に上層配線を構成するための金属材料からなる第2の
材料の層を形成した後に、第1の材料と第2の材料とを
相互拡散せしめ、コンタクト孔内の導体および配線層を
第1の材料を含有した第2の材料によって構成するもの
であるので、極めて容易な方法により信頼性の高い層間
接続構造を得ることができる。
【図1】 本発明の第1の実施例を示す断面図。
【図2】 本発明の第1の実施例の製造工程を説明する
ための工程断面図。
ための工程断面図。
【図3】 本発明の第2の実施例を示す断面図。
【図4】 本発明の第2の実施例の製造工程を説明する
ための工程断面図。
ための工程断面図。
【図5】 第1の従来例の断面図。
【図6】 第2の従来例の断面図。
【図7】 第3の従来例の断面図。
101、301、501、601、701…p型シリコ
ン基板、 102、302…pウェル、 103、
303…nウェル、 104、304、504、60
4、704…フィールド酸化膜、 105、305…
ゲート酸化膜、106、306…n型多結晶シリコン
層、 107、307、507、607、707…n
型不純物領域、 108、308…p型不純物領域、
109、309、509、609、709…第1の
BPSG膜、 110、310…第1のコンタクト
孔、 111、311、511、611、711…タ
ングステンシリサイド層、 112、312、51
2、612、712…第2のBPSG膜、 113、
313…第2のコンタクト孔、 513、613、7
13…コンタクト孔、 114、314…多結晶シリ
コン層、 114a、314a…多結晶シリコンプラ
グ、 115、315…アルミニウム層、 115
a、315a…シリコン含有アルミニウム層、 31
6…窒化チタニウム層、517、619、721…アル
ミニウム層、 618…タングステンプラグ、720
…多結晶シリコンプラグ。
ン基板、 102、302…pウェル、 103、
303…nウェル、 104、304、504、60
4、704…フィールド酸化膜、 105、305…
ゲート酸化膜、106、306…n型多結晶シリコン
層、 107、307、507、607、707…n
型不純物領域、 108、308…p型不純物領域、
109、309、509、609、709…第1の
BPSG膜、 110、310…第1のコンタクト
孔、 111、311、511、611、711…タ
ングステンシリサイド層、 112、312、51
2、612、712…第2のBPSG膜、 113、
313…第2のコンタクト孔、 513、613、7
13…コンタクト孔、 114、314…多結晶シリ
コン層、 114a、314a…多結晶シリコンプラ
グ、 115、315…アルミニウム層、 115
a、315a…シリコン含有アルミニウム層、 31
6…窒化チタニウム層、517、619、721…アル
ミニウム層、 618…タングステンプラグ、720
…多結晶シリコンプラグ。
Claims (7)
- 【請求項1】 半導体基板の表面に形成された拡散層ま
たは半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第1の導
体層と、前記拡散層または前記第1の導体層を覆う絶縁
層上に形成された、金属材料を主体とする第2の導体層
とが、前記絶縁層に形成された、アスペクト比が1以上
のコンタクト孔を介して接続されている半導体装置にお
いて、 前記コンタクト孔が前記第2の導体層の材料と同等の材
料によって埋め込まれていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項2】 前記第2の導体層がアルミニウムを主体
とする材料によって構成されている請求項1記載の半導
体装置。 - 【請求項3】 前記第2の導体層の下、前記コンタクト
孔の側面およびコンタクト孔の底面には、高融点金属薄
膜または高融点金属化合物薄膜が形成されている請求項
1または2記載の半導体装置。 - 【請求項4】 半導体基板表面に形成された拡散層また
は半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第1の導体
層上に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層にコンタクト孔を形成して前記拡散層または
前記第1の導体層の表面を露出させる工程と、 前記コンタクト孔内を第1の材料によって埋め込む工程
と、 前記絶縁層上および前記第1の材料の層上を金属からな
る第2の材料で覆う工程と、 熱処理によって第1の材料と第2の材料とを相互に拡散
せしめて第1の材料を含有する第2の材料からなる第2
の導体層を形成する工程と、 を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記第1の材料がシリコンであり、前記
第2の材料がアルミニウムである請求項4記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項6】 半導体基板表面に形成された拡散層また
は半導体基板上に絶縁膜を介して形成された第1の導体
層上に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層にコンタクト孔を形成して前記拡散層または
前記第1の導体層の表面を露出させる工程と、 前記絶縁層上、前記コンタクト孔内壁およびコンタクト
孔底面を高融点金属薄膜または高融点金属化合物薄膜で
被覆する工程と、 前記コンタクト孔内を第1の材料によって埋め込む工程
と、 前記高融点金属薄膜上または高融点金属化合物薄膜上お
よび前記第1の材料の層上を、金属からなる第2の材料
で覆う工程と、 熱処理によって第1の材料と第2の材料とを相互に拡散
せしめて第1の材料を含有する第2の材料からなる第2
の導体層を形成する工程と、 を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項7】 前記第1の材料がシリコンであり、前記
第2の材料がアルミニウムである請求項6記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18378591A JPH0513594A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18378591A JPH0513594A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0513594A true JPH0513594A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16141895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18378591A Pending JPH0513594A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0513594A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7276434B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-10-02 | Rohm Co., Ltd. | Method for filling a contact hole having a small diameter and a large aspect ratio |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP18378591A patent/JPH0513594A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7276434B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-10-02 | Rohm Co., Ltd. | Method for filling a contact hole having a small diameter and a large aspect ratio |
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