JPH05133827A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH05133827A JPH05133827A JP32368291A JP32368291A JPH05133827A JP H05133827 A JPH05133827 A JP H05133827A JP 32368291 A JP32368291 A JP 32368291A JP 32368291 A JP32368291 A JP 32368291A JP H05133827 A JPH05133827 A JP H05133827A
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- Japan
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- pressure
- pedestal
- base
- sensitive chip
- gel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ゲル状の物質からなる圧力媒体を介して感圧チ
ップの裏面から圧力が与えられる場合の圧力測定に用い
て、高い信頼性を得ることが可能な半導体圧力センサを
提供する。 【構成】ベース１上に台座２を介して感圧チップ３が設
けられ、この感圧チップ３にリードワイヤ４を介して外
部接続端子５が接続されている。ベース１および台座２
には、導圧パイプ６に連通する圧力導入孔が形成されて
おり、測定媒体を導入する導入路を形成している。感圧
チップ３は、圧力に応じて変形するダイヤフラム部を形
成しており、その表面にピエゾ抵抗ゲージが形成されて
いる。主としてベース１および台座２に設けられた測定
媒体の導入路を形成する貫通孔部分には、ゲル状のフル
オロシリコーンすなわちフルオロシリコーンゲル８が設
けられている。ベース１および台座２に設けられた圧力
導入孔の寸法を、感圧チップ３の裏面の凹部の寸法と等
しいかそれよりも大きく形成する。
ップの裏面から圧力が与えられる場合の圧力測定に用い
て、高い信頼性を得ることが可能な半導体圧力センサを
提供する。 【構成】ベース１上に台座２を介して感圧チップ３が設
けられ、この感圧チップ３にリードワイヤ４を介して外
部接続端子５が接続されている。ベース１および台座２
には、導圧パイプ６に連通する圧力導入孔が形成されて
おり、測定媒体を導入する導入路を形成している。感圧
チップ３は、圧力に応じて変形するダイヤフラム部を形
成しており、その表面にピエゾ抵抗ゲージが形成されて
いる。主としてベース１および台座２に設けられた測定
媒体の導入路を形成する貫通孔部分には、ゲル状のフル
オロシリコーンすなわちフルオロシリコーンゲル８が設
けられている。ベース１および台座２に設けられた圧力
導入孔の寸法を、感圧チップ３の裏面の凹部の寸法と等
しいかそれよりも大きく形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車のガソリンタン
ク内のガソリン蒸気圧力、油圧機械の油圧力、各種の水
圧等の測定に用いられる半導体圧力センサに関する。
ク内のガソリン蒸気圧力、油圧機械の油圧力、各種の水
圧等の測定に用いられる半導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体圧力センサは、裏面に凹
部を設けることにより肉厚を薄くして圧力に応じて変形
するダイヤフラム部を形成した感圧チップの表面にＩＣ
（集積回路）の製造と同様の方法でピエゾ抵抗ゲージを
形成したものを用い、この感圧チップに例えば測定媒体
による圧力を印加して、圧力測定を行う。
部を設けることにより肉厚を薄くして圧力に応じて変形
するダイヤフラム部を形成した感圧チップの表面にＩＣ
（集積回路）の製造と同様の方法でピエゾ抵抗ゲージを
形成したものを用い、この感圧チップに例えば測定媒体
による圧力を印加して、圧力測定を行う。
【０００３】この半導体圧力センサの前記感圧チップの
ピエゾ抵抗ゲージ部分は、汚染に弱く、汚損により性能
が劣化する可能性がある。このため、汚染された液体、
それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚染する可能性がある液
体等のように、前記感圧チップのピエゾ抵抗ゲージを汚
染し易い媒体の圧力を測定するための半導体圧力センサ
として、従来は図２に示すような構成を有するものが用
いられていた。
ピエゾ抵抗ゲージ部分は、汚染に弱く、汚損により性能
が劣化する可能性がある。このため、汚染された液体、
それ自体がピエゾ抵抗ゲージを汚染する可能性がある液
体等のように、前記感圧チップのピエゾ抵抗ゲージを汚
染し易い媒体の圧力を測定するための半導体圧力センサ
として、従来は図２に示すような構成を有するものが用
いられていた。
【０００４】図２に示す半導体圧力センサは、ゲージ圧
型の逆圧型と称されるタイプの半導体圧力センサであ
り、ベース２１上に台座２２を介して感圧チップ２３が
設けられ、この感圧チップ２３にリードワイヤ２４を介
して外部接続端子２５が接続されている。台座２２は、
シリコン、ガラス等を材料として形成される。ベース２
１および台座２２には、ベース２１の下部に設けられた
導圧パイプ２６に連通する貫通孔が形成されており、測
定媒体を導入する導入路を形成している。ベース２１の
上面、台座２２、感圧チップ２３、およびリードワイヤ
２４は、キャン２７によって覆われており、外部接続端
子２５はベース２１を貫通して外部に導出されている。
キャン２７の上部中央には大気解放孔が形成されてい
る。感圧チップ２３は、先に述べたように裏面側に凹部
が設けられて圧力に応じて変形するダイヤフラム部を形
成しており、その表面にピエゾ抵抗ゲージ（図示してい
ない）が形成されている。なお、ゲージ圧型としない場
合、つまり、絶対圧型とする場合には、キャン２７には
大気解放孔を設けずにキャン２７の内部を真空とする。
型の逆圧型と称されるタイプの半導体圧力センサであ
り、ベース２１上に台座２２を介して感圧チップ２３が
設けられ、この感圧チップ２３にリードワイヤ２４を介
して外部接続端子２５が接続されている。台座２２は、
シリコン、ガラス等を材料として形成される。ベース２
１および台座２２には、ベース２１の下部に設けられた
導圧パイプ２６に連通する貫通孔が形成されており、測
定媒体を導入する導入路を形成している。ベース２１の
上面、台座２２、感圧チップ２３、およびリードワイヤ
２４は、キャン２７によって覆われており、外部接続端
子２５はベース２１を貫通して外部に導出されている。
キャン２７の上部中央には大気解放孔が形成されてい
る。感圧チップ２３は、先に述べたように裏面側に凹部
が設けられて圧力に応じて変形するダイヤフラム部を形
成しており、その表面にピエゾ抵抗ゲージ（図示してい
ない）が形成されている。なお、ゲージ圧型としない場
合、つまり、絶対圧型とする場合には、キャン２７には
大気解放孔を設けずにキャン２７の内部を真空とする。
【０００５】このタイプの半導体圧力センサは、感圧チ
ップ２３のダイヤフラム部の裏面側（ピエゾ抵抗ゲージ
が設けられる側でなく、凹部が形成される側）に測定媒
体が導入されて、この部分にて被測定圧力を受圧する。
そこで、ベース２１および台座２２に設けられた貫通
孔、およびベース２１の下部に設けられた導圧パイプ２
６により感圧チップ２３の裏面に連通して形成される測
定媒体の導入路の主としてベース２１および台座２２に
設けられた貫通孔部分には、ゲル状の保護材層として例
えばゲル状のフルオロシリコーンすなわちフルオロシリ
コーンゲル２８が設けられている。すなわち、感圧チッ
プ２３の裏面である凹部側は、フルオロシリコーンゲル
２８で覆われており、測定媒体の圧力はフルオロシリコ
ーンゲル２８を介して感圧チップ２３に伝達される。
ップ２３のダイヤフラム部の裏面側（ピエゾ抵抗ゲージ
が設けられる側でなく、凹部が形成される側）に測定媒
体が導入されて、この部分にて被測定圧力を受圧する。
そこで、ベース２１および台座２２に設けられた貫通
孔、およびベース２１の下部に設けられた導圧パイプ２
６により感圧チップ２３の裏面に連通して形成される測
定媒体の導入路の主としてベース２１および台座２２に
設けられた貫通孔部分には、ゲル状の保護材層として例
えばゲル状のフルオロシリコーンすなわちフルオロシリ
コーンゲル２８が設けられている。すなわち、感圧チッ
プ２３の裏面である凹部側は、フルオロシリコーンゲル
２８で覆われており、測定媒体の圧力はフルオロシリコ
ーンゲル２８を介して感圧チップ２３に伝達される。
【０００６】フルオロシリコーンは、耐溶剤性および耐
水性が良好であり、且つゲル状のフルオロシリコーンは
感圧チップ２３の感圧特性に影響を及ぼすことはない。
したがって、図２の半導体圧力センサは、感圧チップ２
３の裏面側から、直接圧力を加える基本構造を用いて、
しかも感圧チップ２３に直接測定媒体を触れさせないよ
うに、フルオロシリコーンゲル２８が設けられている。
図２に示した半導体圧力センサは、感圧ダイヤフラムに
直接汚染物等が付着することがないので、汚染による特
性の変化が生じることがない。しかも、感圧ダイヤフラ
ムへの粘着成分の付着による特性の変化等が生じること
もなく、信頼性も高い。
水性が良好であり、且つゲル状のフルオロシリコーンは
感圧チップ２３の感圧特性に影響を及ぼすことはない。
したがって、図２の半導体圧力センサは、感圧チップ２
３の裏面側から、直接圧力を加える基本構造を用いて、
しかも感圧チップ２３に直接測定媒体を触れさせないよ
うに、フルオロシリコーンゲル２８が設けられている。
図２に示した半導体圧力センサは、感圧ダイヤフラムに
直接汚染物等が付着することがないので、汚染による特
性の変化が生じることがない。しかも、感圧ダイヤフラ
ムへの粘着成分の付着による特性の変化等が生じること
もなく、信頼性も高い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示した構造には次のような問題点があった。図２の構造
では、上記保護材層を形成するフルオロシリコーンゲル
２８が、感圧チップ２３の下部に設けられて感圧チップ
２３を支持するための台座２２部分と、感圧ダイヤフラ
ム部との間の狭い部分（この部分は、感圧チップ２３に
ダイヤフラム部を形成するために設けられた凹部とフル
オロシリコーンゲル２８を介して圧力を導入するための
圧力導入路との寸法関係に起因して形成され、通常、
０．２〜０．３ｍｍ程度の厚さを有する）に、部分的に
閉じこめられる形になる。この狭い部分は、フルオロシ
リコーンゲル２８を注入する工程での充填性に問題を生
じ、しかも、フルオロシリコーンゲル２８の温度膨張率
は、台座２２、感圧ダイヤフラム等に比べて、ほぼ１０
０倍程度も大きいので、完成後の圧力センサの温度特性
に影響する。これらのフルオロシリコーンゲル２８の充
填性およびセンサの温度特性は圧力センサの基本性能に
影響し、信頼性を損なう原因となる。
示した構造には次のような問題点があった。図２の構造
では、上記保護材層を形成するフルオロシリコーンゲル
２８が、感圧チップ２３の下部に設けられて感圧チップ
２３を支持するための台座２２部分と、感圧ダイヤフラ
ム部との間の狭い部分（この部分は、感圧チップ２３に
ダイヤフラム部を形成するために設けられた凹部とフル
オロシリコーンゲル２８を介して圧力を導入するための
圧力導入路との寸法関係に起因して形成され、通常、
０．２〜０．３ｍｍ程度の厚さを有する）に、部分的に
閉じこめられる形になる。この狭い部分は、フルオロシ
リコーンゲル２８を注入する工程での充填性に問題を生
じ、しかも、フルオロシリコーンゲル２８の温度膨張率
は、台座２２、感圧ダイヤフラム等に比べて、ほぼ１０
０倍程度も大きいので、完成後の圧力センサの温度特性
に影響する。これらのフルオロシリコーンゲル２８の充
填性およびセンサの温度特性は圧力センサの基本性能に
影響し、信頼性を損なう原因となる。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、ゲル状の物質からなる圧力媒体を介して感圧
チップの裏面から圧力が与えられる場合の圧力測定に用
いて、高い信頼性を得ることが可能な半導体圧力センサ
を提供することを目的としている。
たもので、ゲル状の物質からなる圧力媒体を介して感圧
チップの裏面から圧力が与えられる場合の圧力測定に用
いて、高い信頼性を得ることが可能な半導体圧力センサ
を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体圧力
センサは、半導体チップの一方の面に凹部を形成して所
定部分の肉厚を薄くすることにより圧力に応じて変形し
得るダイヤフラム部が形成され且つ前記ダイヤフラム部
の他方の面に歪みゲージが形成されてなる感圧チップの
前記ダイヤフラム部の前記一方の面に測定媒体の圧力が
印加される構造の半導体圧力センサにおいて、前記感圧
チップを支持する部分の圧力導入孔の孔寸法を、前記ダ
イヤフラム部を形成する凹部の寸法以上に形成したこと
を特徴としている。
センサは、半導体チップの一方の面に凹部を形成して所
定部分の肉厚を薄くすることにより圧力に応じて変形し
得るダイヤフラム部が形成され且つ前記ダイヤフラム部
の他方の面に歪みゲージが形成されてなる感圧チップの
前記ダイヤフラム部の前記一方の面に測定媒体の圧力が
印加される構造の半導体圧力センサにおいて、前記感圧
チップを支持する部分の圧力導入孔の孔寸法を、前記ダ
イヤフラム部を形成する凹部の寸法以上に形成したこと
を特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明の半導体圧力センサにおいては、半導体
チップの一方の面に凹部を形成して所定部分の肉厚を薄
くすることにより圧力に応じて変形し得るダイヤフラム
部が形成され且つ前記ダイヤフラム部の他方の面に歪み
ゲージが形成されてなる感圧チップの前記ダイヤフラム
部の前記一方の面に測定媒体の圧力が印加される構造の
半導体圧力センサにおいて、前記感圧チップを支持する
部分の圧力導入孔の孔寸法を、前記ダイヤフラム部を形
成する凹部の寸法以上に形成するので、上述の狭い部分
が形成されることがなく、ゲル状の物質を圧力媒体とす
る場合に、高い信頼性を得ることが可能となる。
チップの一方の面に凹部を形成して所定部分の肉厚を薄
くすることにより圧力に応じて変形し得るダイヤフラム
部が形成され且つ前記ダイヤフラム部の他方の面に歪み
ゲージが形成されてなる感圧チップの前記ダイヤフラム
部の前記一方の面に測定媒体の圧力が印加される構造の
半導体圧力センサにおいて、前記感圧チップを支持する
部分の圧力導入孔の孔寸法を、前記ダイヤフラム部を形
成する凹部の寸法以上に形成するので、上述の狭い部分
が形成されることがなく、ゲル状の物質を圧力媒体とす
る場合に、高い信頼性を得ることが可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を説
明する。図１は、本発明の一実施例に係る半導体圧力セ
ンサの構造を示している。図１に示す半導体圧力センサ
は、ベース１、台座２、感圧チップ３、リードワイヤ
４、外部接続端子５、導圧パイプ６、キャン７および保
護材としてのフルオを有しており、これらは、図２に示
したベース２１、台座２２、感圧チップ２３、リードワ
イヤ２４、外部接続端子２５、導圧パイプ２６、キャン
２７およびフルオロシリコーンゲル２８と基本的に同様
である。
明する。図１は、本発明の一実施例に係る半導体圧力セ
ンサの構造を示している。図１に示す半導体圧力センサ
は、ベース１、台座２、感圧チップ３、リードワイヤ
４、外部接続端子５、導圧パイプ６、キャン７および保
護材としてのフルオを有しており、これらは、図２に示
したベース２１、台座２２、感圧チップ２３、リードワ
イヤ２４、外部接続端子２５、導圧パイプ２６、キャン
２７およびフルオロシリコーンゲル２８と基本的に同様
である。
【００１２】すなわち、ベース１上に台座２を介して感
圧チップ３が設けられ、この感圧チップ３にリードワイ
ヤ４を介して外部接続端子５が接続されている。ベース
１および台座２には、ベース１の図示下部に設けられた
導圧パイプ６に連通する貫通孔が形成されており、測定
媒体を導入する導入路を形成している。ベース１の図示
上面、台座２、感圧チップ３、およびリードワイヤ４
は、キャン７によって覆われており、外部接続端子５は
ベース１を貫通して外部に導出されている。キャン７の
上部中央には大気解放孔が形成されている。感圧チップ
３は、圧力に応じて変形するダイヤフラム部を形成して
おり、その表面にピエゾ抵抗ゲージが形成されている。
なお、ゲージ圧型としない場合、つまり、絶対圧型とす
る場合には、キャン７には大気解放孔を設けずにキャン
７の内部を真空とする。
圧チップ３が設けられ、この感圧チップ３にリードワイ
ヤ４を介して外部接続端子５が接続されている。ベース
１および台座２には、ベース１の図示下部に設けられた
導圧パイプ６に連通する貫通孔が形成されており、測定
媒体を導入する導入路を形成している。ベース１の図示
上面、台座２、感圧チップ３、およびリードワイヤ４
は、キャン７によって覆われており、外部接続端子５は
ベース１を貫通して外部に導出されている。キャン７の
上部中央には大気解放孔が形成されている。感圧チップ
３は、圧力に応じて変形するダイヤフラム部を形成して
おり、その表面にピエゾ抵抗ゲージが形成されている。
なお、ゲージ圧型としない場合、つまり、絶対圧型とす
る場合には、キャン７には大気解放孔を設けずにキャン
７の内部を真空とする。
【００１３】そして、ベース１および台座２に設けられ
た貫通孔、およびベース１の下部に設けられた導圧パイ
プ６により感圧チップ２３の裏面に連通して形成される
測定媒体の導入路の主としてベース１および台座２に設
けられた貫通孔部分には、保護材層であるゲル状のフル
オロシリコーンすなわちフルオロシリコーンゲル８が設
けられている。すなわち、感圧チップ３の裏面は、フル
オロシリコーンゲル８で覆われており、測定媒体の圧力
はフルオロシリコーンゲル８を介して感圧チップ３に伝
達される。フルオロシリコーンは、耐溶剤性および耐水
性が良好であり、且つゲル状のフルオロシリコーンは感
圧チップ３の感圧特性に影響を及ぼすことはない。
た貫通孔、およびベース１の下部に設けられた導圧パイ
プ６により感圧チップ２３の裏面に連通して形成される
測定媒体の導入路の主としてベース１および台座２に設
けられた貫通孔部分には、保護材層であるゲル状のフル
オロシリコーンすなわちフルオロシリコーンゲル８が設
けられている。すなわち、感圧チップ３の裏面は、フル
オロシリコーンゲル８で覆われており、測定媒体の圧力
はフルオロシリコーンゲル８を介して感圧チップ３に伝
達される。フルオロシリコーンは、耐溶剤性および耐水
性が良好であり、且つゲル状のフルオロシリコーンは感
圧チップ３の感圧特性に影響を及ぼすことはない。
【００１４】この図１に示す構成が図２に示した構成と
大きく相違する点は、図１に示されているように、ベー
ス１および台座２に設けられた測定媒体の導入路を形成
する貫通孔（フルオロシリコーンゲル８が主として充填
される部分）すなわち圧力導入孔の寸法を、感圧チップ
３の裏面の（ダイヤフラム部を形成するための）凹部の
寸法と等しいかそれよりも大きく形成したことである。
例えば、貫通孔の横断面形状および凹部の開口形状が共
に円形ならば貫通孔の横断面を凹部の開口部よりも大径
とする。もちろん、両者の形状にかかわらず貫通孔の横
断面形状内に凹部の開口形状が一致するかあるいは収ま
るような寸法関係であればよい。
大きく相違する点は、図１に示されているように、ベー
ス１および台座２に設けられた測定媒体の導入路を形成
する貫通孔（フルオロシリコーンゲル８が主として充填
される部分）すなわち圧力導入孔の寸法を、感圧チップ
３の裏面の（ダイヤフラム部を形成するための）凹部の
寸法と等しいかそれよりも大きく形成したことである。
例えば、貫通孔の横断面形状および凹部の開口形状が共
に円形ならば貫通孔の横断面を凹部の開口部よりも大径
とする。もちろん、両者の形状にかかわらず貫通孔の横
断面形状内に凹部の開口形状が一致するかあるいは収ま
るような寸法関係であればよい。
【００１５】このようにすることにより、台座２と感圧
ダイヤフラムとの間に狭い部分が形成されることがなく
なるので、フルオロシリコーンゲル８が閉じこめられる
ことがなくなる。このため、フルオロシリコーンゲル８
の注入工程での充填性が改善されるとともに、圧力セン
サ完成後の温度特性にフルオロシリコーンゲル８の熱膨
張による影響が生じることもなくなる。
ダイヤフラムとの間に狭い部分が形成されることがなく
なるので、フルオロシリコーンゲル８が閉じこめられる
ことがなくなる。このため、フルオロシリコーンゲル８
の注入工程での充填性が改善されるとともに、圧力セン
サ完成後の温度特性にフルオロシリコーンゲル８の熱膨
張による影響が生じることもなくなる。
【００１６】なお、保護材層として、フルオロシリコー
ンゲルに代えて他のシリコーン系ゲル状物質を用いた
り、他のゲル状物質を用いたりしてもよく、感圧チップ
のダイヤフラム部の裏面側を測定媒体から保護し且つ前
記ダイヤフラム部の動作を妨げないものであれば、どの
ような材料を用いてもよい。また、上述では、圧力導入
路に保護材層としてフルオロシリコーンゲル８を充填し
た場合について説明したが、圧力媒体としてゲル状の媒
体を介して圧力を受ける場合ならば、どのような場合に
も上述の構成は効果的である。また、通常ベース１およ
び台座２に設けられる測定媒体の導入用の貫通孔は、同
一の形状寸法に形成されるが、少なくとも台座２部分の
貫通孔を上述のような寸法とすれば、極端に狭い部分が
形成されることがなくなるので、本発明の効果は得られ
る。
ンゲルに代えて他のシリコーン系ゲル状物質を用いた
り、他のゲル状物質を用いたりしてもよく、感圧チップ
のダイヤフラム部の裏面側を測定媒体から保護し且つ前
記ダイヤフラム部の動作を妨げないものであれば、どの
ような材料を用いてもよい。また、上述では、圧力導入
路に保護材層としてフルオロシリコーンゲル８を充填し
た場合について説明したが、圧力媒体としてゲル状の媒
体を介して圧力を受ける場合ならば、どのような場合に
も上述の構成は効果的である。また、通常ベース１およ
び台座２に設けられる測定媒体の導入用の貫通孔は、同
一の形状寸法に形成されるが、少なくとも台座２部分の
貫通孔を上述のような寸法とすれば、極端に狭い部分が
形成されることがなくなるので、本発明の効果は得られ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、半
導体チップの一方の面に凹部を形成して所定部分の肉厚
を薄くすることにより圧力に応じて変形し得るダイヤフ
ラム部が形成され且つ前記ダイヤフラム部の他方の面に
歪みゲージが形成されてなる感圧チップの前記ダイヤフ
ラム部の前記一方の面に測定媒体の圧力が印加される構
造の半導体圧力センサにおいて、前記感圧チップを支持
する部分の圧力導入孔の孔寸法を、前記ダイヤフラム部
を形成する凹部の寸法以上に形成するようにして、ゲル
状の物質からなる圧力媒体を介して圧力が与えられる圧
力測定に用いて、高い信頼性を得ることが可能な半導体
圧力センサを提供することができる。
導体チップの一方の面に凹部を形成して所定部分の肉厚
を薄くすることにより圧力に応じて変形し得るダイヤフ
ラム部が形成され且つ前記ダイヤフラム部の他方の面に
歪みゲージが形成されてなる感圧チップの前記ダイヤフ
ラム部の前記一方の面に測定媒体の圧力が印加される構
造の半導体圧力センサにおいて、前記感圧チップを支持
する部分の圧力導入孔の孔寸法を、前記ダイヤフラム部
を形成する凹部の寸法以上に形成するようにして、ゲル
状の物質からなる圧力媒体を介して圧力が与えられる圧
力測定に用いて、高い信頼性を得ることが可能な半導体
圧力センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体圧力センサの
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図２】 従来の半導体圧力センサの一例の構成を示す
断面図である。
断面図である。
１…ベース、２…台座、３…感圧チップ、４…リードワ
イヤ、５…外部接続端子、６…導圧パイプ、７…キャ
ン、８…フルオロシリコーンゲル。
イヤ、５…外部接続端子、６…導圧パイプ、７…キャ
ン、８…フルオロシリコーンゲル。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップの一方の面に凹部を形成し
て所定部分の肉厚を薄くすることにより圧力に応じて変
形し得るダイヤフラム部が形成され且つ前記ダイヤフラ
ム部の他方の面に歪みゲージが形成されてなる感圧チッ
プの前記ダイヤフラム部の前記一方の面に測定媒体の圧
力が印加される構造の半導体圧力センサにおいて、前記
感圧チップを支持する部分の圧力導入孔の孔寸法を、前
記ダイヤフラム部を形成する凹部の寸法以上に形成した
ことを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32368291A JPH05133827A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32368291A JPH05133827A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05133827A true JPH05133827A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=18157428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32368291A Pending JPH05133827A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05133827A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007003449A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP2008241327A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP2012211892A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Denso Corp | 圧力センサ |
| EP2505981B1 (en) * | 2011-03-31 | 2019-08-21 | Integra Lifesciences Switzerland Sàrl | An absolute capacitive micro pressure sensor |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP32368291A patent/JPH05133827A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007003449A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Denso Corp | 圧力センサ |
| US7287433B2 (en) | 2005-06-27 | 2007-10-30 | Denso Corporation | Pressure sensor |
| JP4556784B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2010-10-06 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| DE102006028673B4 (de) | 2005-06-27 | 2018-12-06 | Denso Corporation | Drucksensor |
| JP2008241327A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP2012211892A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Denso Corp | 圧力センサ |
| US8733175B2 (en) | 2011-03-23 | 2014-05-27 | Denso Corporation | Pressure sensor |
| EP2505981B1 (en) * | 2011-03-31 | 2019-08-21 | Integra Lifesciences Switzerland Sàrl | An absolute capacitive micro pressure sensor |
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