JPH0513223A - 磁気ヘツド - Google Patents
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- JPH0513223A JPH0513223A JP3186789A JP18678991A JPH0513223A JP H0513223 A JPH0513223 A JP H0513223A JP 3186789 A JP3186789 A JP 3186789A JP 18678991 A JP18678991 A JP 18678991A JP H0513223 A JPH0513223 A JP H0513223A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は優れた記録再生特性を備えた磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。 【構成】 本発明の磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜
は、Fea Mc Bd Ce あるいは(Fe1-b Tb )a M
c Bd Ce なる組成を有するものである。但しMはZ
r,Nb,Hf,Ta、TはCo,Niなどの元素であ
り、70≦a≦90、b≦0.05、5≦c≦15、
0.5≦d≦15、1≦d+e≦20(原子%)であ
る。 【効果】 本発明により得られた磁気ヘッドは、優れた
記録、再生特性を有し、高温の熱処理工程においても安
定した特性を維持できる磁気ヘッドを提供できる。
ッドを提供することを目的とする。 【構成】 本発明の磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜
は、Fea Mc Bd Ce あるいは(Fe1-b Tb )a M
c Bd Ce なる組成を有するものである。但しMはZ
r,Nb,Hf,Ta、TはCo,Niなどの元素であ
り、70≦a≦90、b≦0.05、5≦c≦15、
0.5≦d≦15、1≦d+e≦20(原子%)であ
る。 【効果】 本発明により得られた磁気ヘッドは、優れた
記録、再生特性を有し、高温の熱処理工程においても安
定した特性を維持できる磁気ヘッドを提供できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高飽和磁束密度、高透磁
率を有する軟磁性合金膜を用いた磁気ヘッドに関する。
率を有する軟磁性合金膜を用いた磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、記録密度を
高めるために磁気テープ等の記録媒体の高保磁力化が進
行しているが、それに対応する磁気ヘッドの磁気コアの
材料として一般的に要求される諸特性は次の通りであ
る。
高めるために磁気テープ等の記録媒体の高保磁力化が進
行しているが、それに対応する磁気ヘッドの磁気コアの
材料として一般的に要求される諸特性は次の通りであ
る。
【0003】1.飽和磁束密度(以下Bsとする)が高
いこと。
いこと。
【0004】2.透磁率(以下μとする)が高いこと。
【0005】3.保磁力(以下Hcとする)が低いこ
と。
と。
【0006】4.磁歪定数(以下λsとする)が小さい
こと。
こと。
【0007】さらに、磁気ヘッドにおいては、ギャップ
形成等をガラス用着で行なう必要のある物もあり、ガラ
ス溶着工程などの高温に耐えうる以下の特性が要求され
る。
形成等をガラス用着で行なう必要のある物もあり、ガラ
ス溶着工程などの高温に耐えうる以下の特性が要求され
る。
【0008】5.軟磁気特性が熱的に安定であること。
【0009】従って、軟磁性合金膜あるいは磁気ヘッド
等を製造する場合、以上の観点から研究がなされて来
た。
等を製造する場合、以上の観点から研究がなされて来
た。
【0010】そして、上述した各種の磁気ヘッドに用い
る高飽和磁束密度の軟磁性材料(膜)として、Fe−S
i−Al合金(センダスト)等が代表的なものである
が、近年、特開平1−125911号や特開平1−18
1503号等に見られるような強磁性金属元素であるC
oを主成分とする非晶質合金膜や特開昭61−2880
48号に見られるようなFeを主成分とする非晶質合金
膜が開発されている。
る高飽和磁束密度の軟磁性材料(膜)として、Fe−S
i−Al合金(センダスト)等が代表的なものである
が、近年、特開平1−125911号や特開平1−18
1503号等に見られるような強磁性金属元素であるC
oを主成分とする非晶質合金膜や特開昭61−2880
48号に見られるようなFeを主成分とする非晶質合金
膜が開発されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高記録
密度化に伴い、磁気ヘッドに用いられる軟磁性薄膜材料
として高飽和磁束密度のものが要求されている。また、
ギャップ形成等をガラス溶着で行なう必要のあるものも
ありガラス溶着工程での高温に耐えうる熱安定性も合わ
せて要求されている。
密度化に伴い、磁気ヘッドに用いられる軟磁性薄膜材料
として高飽和磁束密度のものが要求されている。また、
ギャップ形成等をガラス溶着で行なう必要のあるものも
ありガラス溶着工程での高温に耐えうる熱安定性も合わ
せて要求されている。
【0012】ところが、前記センダストは軟磁気特性に
は優れているもののBsが11kG程度と低い。
は優れているもののBsが11kG程度と低い。
【0013】さらに、前記Co系やFe系の非晶質合金
では、Bsを9KG以下に抑えれば低融点ガラスによる
溶着は可能であるが600℃以上での溶着は困難であ
り、耐環境性に優れた中〜高融点ガラスを使用すること
ができない。
では、Bsを9KG以下に抑えれば低融点ガラスによる
溶着は可能であるが600℃以上での溶着は困難であ
り、耐環境性に優れた中〜高融点ガラスを使用すること
ができない。
【0014】本発明は上述したような課題に鑑みてなさ
れたものであり、良好な軟磁気特性と熱安定性とを兼ね
備えた軟磁性合金膜を使用した磁気ヘッドを提供するこ
とにある。
れたものであり、良好な軟磁気特性と熱安定性とを兼ね
備えた軟磁性合金膜を使用した磁気ヘッドを提供するこ
とにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、前述した課題を解決するために、次式で示される組
成からなる軟磁性合金膜を磁気コア全体もしくは一部に
用いたことを特徴とする磁気ヘッドとしたものである。
は、前述した課題を解決するために、次式で示される組
成からなる軟磁性合金膜を磁気コア全体もしくは一部に
用いたことを特徴とする磁気ヘッドとしたものである。
【0016】Fea Mc Bd Ce
但し、MはZr,Nb,Hf,Taのうち少なくとも1
種又は2種以上の元素であり、70≦a≦90、5≦c
≦15、0.5≦d≦15、0.5≦e≦15、1≦d
+e≦20(原子%)である。
種又は2種以上の元素であり、70≦a≦90、5≦c
≦15、0.5≦d≦15、0.5≦e≦15、1≦d
+e≦20(原子%)である。
【0017】請求項2に記載の発明は、前述した課題を
解決するために次式で示される組成からなる軟磁性合金
膜を磁気コア全体もしくは一部に用いたことを特徴とす
る磁気ヘッドとしたものである。
解決するために次式で示される組成からなる軟磁性合金
膜を磁気コア全体もしくは一部に用いたことを特徴とす
る磁気ヘッドとしたものである。
【0018】(Fe1-b Tb ) a Mc Bd Ce
ただし、TはCo,Niのうち少なくとも1種又は2種
の元素、MはZr,Nb,Hf,Taのうち少なくとも
1種又は2種以上の元素であり、b≦0.05であり7
0≦a≦90、5≦c≦15、0.5≦d≦15、0.
5≦e≦15、1≦d+e≦20(原子%)である。
の元素、MはZr,Nb,Hf,Taのうち少なくとも
1種又は2種以上の元素であり、b≦0.05であり7
0≦a≦90、5≦c≦15、0.5≦d≦15、0.
5≦e≦15、1≦d+e≦20(原子%)である。
【0019】請求項3に記載の発明は、前述した課題を
解決するために前記請求項1または2に記載の軟磁性合
金膜に熱処理が施され、その金属組織が実質的に平均粒
径0.08μm 以下の結晶粒からなる軟磁性合金膜を用
いた磁気ヘッドとしたものである。
解決するために前記請求項1または2に記載の軟磁性合
金膜に熱処理が施され、その金属組織が実質的に平均粒
径0.08μm 以下の結晶粒からなる軟磁性合金膜を用
いた磁気ヘッドとしたものである。
【0020】
【作用】本発明はFeまたはFeと前記T、前記M、ホ
ウ素B、炭素Cからなることを特徴としており、磁性を
担う元素であるFeが90原子%以下含まれることによ
り軟磁気特性が得られ、70原子%以上含まれることに
より10KG以上のBsを得ることができる。
ウ素B、炭素Cからなることを特徴としており、磁性を
担う元素であるFeが90原子%以下含まれることによ
り軟磁気特性が得られ、70原子%以上含まれることに
より10KG以上のBsを得ることができる。
【0021】元素T(=Co,Ni)はFe置換で5原
子%以下添加すれば10-6台乃至10-7台の磁歪定数が
得られる。しかし、BとCの総和量が比較的多い場合は
Tを添加する必要はない。
子%以下添加すれば10-6台乃至10-7台の磁歪定数が
得られる。しかし、BとCの総和量が比較的多い場合は
Tを添加する必要はない。
【0022】元素M(=Zr,Nb,Hf,Ta)は5
〜15原子%加えることにより軟磁気特性が良好とな
り、気相急冷法で作成した状態(熱処理を施す前の状
態)で非晶質相を得やすくなる。
〜15原子%加えることにより軟磁気特性が良好とな
り、気相急冷法で作成した状態(熱処理を施す前の状
態)で非晶質相を得やすくなる。
【0023】ホウ素Bは、0.5〜15原子%以上添加
することによりFeを主成分とするb.c.c相の粒成
長を抑制し、さらに、軟磁気特性に悪影響を及ぼす化合
物相の成長を抑制できる。
することによりFeを主成分とするb.c.c相の粒成
長を抑制し、さらに、軟磁気特性に悪影響を及ぼす化合
物相の成長を抑制できる。
【0024】炭素Cは0.5〜15原子%加えることに
より、軟磁気特性を良好にする非晶質相が得やすくなる
とともに、熱処理を施した時にb.c.c相の析出を均
一にできる。
より、軟磁気特性を良好にする非晶質相が得やすくなる
とともに、熱処理を施した時にb.c.c相の析出を均
一にできる。
【0025】また、以上のよあな軟磁性合金膜を高温で
熱処理することにより、熱安定性が向上する。
熱処理することにより、熱安定性が向上する。
【0026】
【実施例】本発明の磁気ヘッドに使用する軟磁性合金膜
は、スパッタ法あるいは蒸着法等の気相急冷法により、
前記組成の非晶質合金あるいは非晶質相を含む結晶質合
金を得る過程と、これらの過程で得られた合金に熱処理
を施し、微細な結晶粒を析出させる熱処理工程とによっ
て得られる。
は、スパッタ法あるいは蒸着法等の気相急冷法により、
前記組成の非晶質合金あるいは非晶質相を含む結晶質合
金を得る過程と、これらの過程で得られた合金に熱処理
を施し、微細な結晶粒を析出させる熱処理工程とによっ
て得られる。
【0027】ここで合金に熱処理を施す理由は、気相急
冷法で作成されたままの合金(asde po)は非晶
質相をかなり含んでおり、Bsが低く、軟磁気特性も不
十分なためである。
冷法で作成されたままの合金(asde po)は非晶
質相をかなり含んでおり、Bsが低く、軟磁気特性も不
十分なためである。
【0028】スパッタ装置としては、RF2極スパッ
タ、マグネトロンスパッタ、3極スパッタ、イオンビー
ムスパッタ、対向ターゲット型スパッタ等の既存のもの
が使用できる。
タ、マグネトロンスパッタ、3極スパッタ、イオンビー
ムスパッタ、対向ターゲット型スパッタ等の既存のもの
が使用できる。
【0029】以下の実施例の薄膜はRF2極スパッタ装
置を用いてFeターゲット上にCo,Ni,Zr,N
b,Hf,Ta,B,C(グラファイト)のペレットを
適宜選択配置した複合ターゲットをArガスを用いてス
パッタすることにより、膜厚5〜6μm の膜を作成し
た。基板は4mm×24mmの結晶化ガラス基板を用いた。
置を用いてFeターゲット上にCo,Ni,Zr,N
b,Hf,Ta,B,C(グラファイト)のペレットを
適宜選択配置した複合ターゲットをArガスを用いてス
パッタすることにより、膜厚5〜6μm の膜を作成し
た。基板は4mm×24mmの結晶化ガラス基板を用いた。
【0030】得られた各合金膜に種々の熱処理を施し
て、合金膜の組成がμ,Hc,λs,Bsに及ぼす影響
を調べた。熱処理は全て無磁場中で行ない、設定温度ま
での昇温を40分、設定温度から室温までの降温を1.
5℃/分で行なった。また、そのときの膜構造をCo−
Kα線を使したX線回折装置を用いて調べた。
て、合金膜の組成がμ,Hc,λs,Bsに及ぼす影響
を調べた。熱処理は全て無磁場中で行ない、設定温度ま
での昇温を40分、設定温度から室温までの降温を1.
5℃/分で行なった。また、そのときの膜構造をCo−
Kα線を使したX線回折装置を用いて調べた。
【0031】透磁率μは8の字コイルを用いて測定し、
保磁力Hcは直流B−Hループトレイサーにより測定
し、飽和磁束密度BsはVSM、磁歪定数λsは光てこ
法で測定した。
保磁力Hcは直流B−Hループトレイサーにより測定
し、飽和磁束密度BsはVSM、磁歪定数λsは光てこ
法で測定した。
【0032】以上のようにして測定された軟磁性合金膜
の特性を表1乃至表3、図1乃至図4に示す。
の特性を表1乃至表3、図1乃至図4に示す。
【0033】
【表1】
【0034】表1はFe−Ta−B−Cにおいて550
℃及び650℃の熱処理を施した後の1MHzの透磁率
μと保磁力Hc、磁歪定数λs、飽和磁束密度Bsと膜
組成の関係を示したものである。表1から明らかに本発
明における軟磁性合金膜が特にサンプルNo3において
は3000以上のμ(1MHz)0.1Oe以下のH
c、10-7台のλs、15kG以上のBsを示してい
る。
℃及び650℃の熱処理を施した後の1MHzの透磁率
μと保磁力Hc、磁歪定数λs、飽和磁束密度Bsと膜
組成の関係を示したものである。表1から明らかに本発
明における軟磁性合金膜が特にサンプルNo3において
は3000以上のμ(1MHz)0.1Oe以下のH
c、10-7台のλs、15kG以上のBsを示してい
る。
【0035】図1は、表1のサンプルNo.1のFe
80.8Ta7.0 B7.5 C4.7 膜のX線回折パターンであ
る。
80.8Ta7.0 B7.5 C4.7 膜のX線回折パターンであ
る。
【0036】図1より明らかなようにスパッタ直後の回
折パターンでは、b.c.c−Feの{110}面と
{220}面の反射が現れている。Sherrerの式
から求めた結晶粒径は約8nmであり、微細なb.c.
c相を示していることがわかる。なお、サンプルNo.
1にはb.c.c相以外の結晶相は析出していない。
折パターンでは、b.c.c−Feの{110}面と
{220}面の反射が現れている。Sherrerの式
から求めた結晶粒径は約8nmであり、微細なb.c.
c相を示していることがわかる。なお、サンプルNo.
1にはb.c.c相以外の結晶相は析出していない。
【0037】図2は表1のサンプルNo.1(黒丸)と
No.3の(白丸)のμ(1MHz)と熱処理温度の関
係を示したグラフである。
No.3の(白丸)のμ(1MHz)と熱処理温度の関
係を示したグラフである。
【0038】図2から明らかに、サンプルNo.1は5
00℃から600℃の温度範囲において透磁率μが20
00以上の値を示し、サンプルNo.3は室温から約4
50℃の範囲でμが1000以上、約550℃から約6
50℃の温度範囲で2000以上の値を示している。
00℃から600℃の温度範囲において透磁率μが20
00以上の値を示し、サンプルNo.3は室温から約4
50℃の範囲でμが1000以上、約550℃から約6
50℃の温度範囲で2000以上の値を示している。
【0039】図3は、表1のサンプルNo.1(黒丸)
とNo.3(白丸)の磁歪λsと熱処理温度の関係を示
したグラフである。図3より、サンプルNo.1では約
650℃、サンプルNo.3では約600℃以上の熱処
理を施した場合、λsが10-7台と小さな値を示すこと
がわかる。
とNo.3(白丸)の磁歪λsと熱処理温度の関係を示
したグラフである。図3より、サンプルNo.1では約
650℃、サンプルNo.3では約600℃以上の熱処
理を施した場合、λsが10-7台と小さな値を示すこと
がわかる。
【0040】図4はサンプルNo.1のBsと熱処理温
度の関係を示したものである。スパッタ直後の非晶質状
態での値は7kGであるが、550℃以上の熱処理を施
し、b.c.c相を析出させることにより15.6kG
の値を示すことがわかる。これは、非晶質状態ではFe
のモーメントがTa,B,Cによって減少されていたが
熱処理を施しFeを多く含むb.c.c相を析出させる
ことによりTa,B,Cによるモーメントの減少が少な
くなり、Bsが上昇したものと考えられる。
度の関係を示したものである。スパッタ直後の非晶質状
態での値は7kGであるが、550℃以上の熱処理を施
し、b.c.c相を析出させることにより15.6kG
の値を示すことがわかる。これは、非晶質状態ではFe
のモーメントがTa,B,Cによって減少されていたが
熱処理を施しFeを多く含むb.c.c相を析出させる
ことによりTa,B,Cによるモーメントの減少が少な
くなり、Bsが上昇したものと考えられる。
【0041】
【表2】
【0042】表2は、他の実施例として、Fe−Ta−
B−CにおけるTaをZr,Hf,Nbで全置換した時
の1MHzのμ,Hc,Bsと膜組成の関係を示したも
のである。表1と同様、高飽和磁束密度、高透磁率、低
磁歪定数の軟磁気特性を示していることがわかる。
B−CにおけるTaをZr,Hf,Nbで全置換した時
の1MHzのμ,Hc,Bsと膜組成の関係を示したも
のである。表1と同様、高飽和磁束密度、高透磁率、低
磁歪定数の軟磁気特性を示していることがわかる。
【0043】
【表3】
【0044】表3はFe−Ta−B−CにCo,Niを
添加した時の同様な関係を示したものである。Coまた
はNiの添加がλsを正にシフトする効果があることが
分かる。軟磁気特性も良好でBsの低下も小さく抑えら
れている。また、高温の熱処理ではλsは負になるが、
Co,Niを少量添加することによりλsを正にシフト
させ、ほぼゼロにすることが可能である。
添加した時の同様な関係を示したものである。Coまた
はNiの添加がλsを正にシフトする効果があることが
分かる。軟磁気特性も良好でBsの低下も小さく抑えら
れている。また、高温の熱処理ではλsは負になるが、
Co,Niを少量添加することによりλsを正にシフト
させ、ほぼゼロにすることが可能である。
【0045】本実施例では熱処理は全て無磁場中で行な
っているが、静磁界中で熱処理を行ない磁化困難軸を磁
路として用いることにより、あるいは、回転磁界中で熱
処理を行ない巨視的な異方性分散を抑制することにより
軟磁気特性をさらに向上させることも可能である。
っているが、静磁界中で熱処理を行ない磁化困難軸を磁
路として用いることにより、あるいは、回転磁界中で熱
処理を行ない巨視的な異方性分散を抑制することにより
軟磁気特性をさらに向上させることも可能である。
【0046】
【表4】
【0047】表4は、本発明構成に対する比較例を示し
たものであり、本発明の組成範囲を越える部分のサンプ
ルである。表中、Hc,λsの値がないのは±100O
eの印加磁界でサンプルが未飽和で測定不能であったた
めである。
たものであり、本発明の組成範囲を越える部分のサンプ
ルである。表中、Hc,λsの値がないのは±100O
eの印加磁界でサンプルが未飽和で測定不能であったた
めである。
【0048】表4より明らかなように本発明の組成範囲
を越えるとμ(1MHz)が10未満と極端に小さくな
り、磁気ヘッドのコア材として不適である。
を越えるとμ(1MHz)が10未満と極端に小さくな
り、磁気ヘッドのコア材として不適である。
【0049】次に、以上説明した軟磁性合金膜を磁気ヘ
ッドに使用した実施例について説明する。図5は本発明
の一実施例による磁気ヘッドの斜視図である。この磁気
ヘッドは、MIG(メタル・イン・ギャップ・ヘッド)
と呼ばれるものであり、Mn−Znフェライトな単結晶
から作成された磁気コア(1a)、(1b)に軟磁性合
金膜(2)がスパッタリング法などによりそれぞれ形成
され、溶着ガラス(3)によって磁気コア(1a)、
(1b)が接合一体化される。この時軟磁性合金膜
(2)の熱処理を同時に行う。さらに、磁気コア(1
a)、(1b)の突き合わせ面にギャップ(4)が形成
され、巻線穴(6)巻線係止溝(7a)、(7b)を通
して線材(5)を所定ターン巻回しコイル(8)を形成
する。
ッドに使用した実施例について説明する。図5は本発明
の一実施例による磁気ヘッドの斜視図である。この磁気
ヘッドは、MIG(メタル・イン・ギャップ・ヘッド)
と呼ばれるものであり、Mn−Znフェライトな単結晶
から作成された磁気コア(1a)、(1b)に軟磁性合
金膜(2)がスパッタリング法などによりそれぞれ形成
され、溶着ガラス(3)によって磁気コア(1a)、
(1b)が接合一体化される。この時軟磁性合金膜
(2)の熱処理を同時に行う。さらに、磁気コア(1
a)、(1b)の突き合わせ面にギャップ(4)が形成
され、巻線穴(6)巻線係止溝(7a)、(7b)を通
して線材(5)を所定ターン巻回しコイル(8)を形成
する。
【0050】このようにして形成された磁気ヘッドの諸
元は、表5の通りである。
元は、表5の通りである。
【0051】
【表5】
【0052】これらの磁気ヘッドをHc=1500Oe
のメタルテープを使用して相対速度3.75m/sで自
己録再特性を評価した結果を図6に示す。なお、本発明
の実施例(実線で示す)としてFe−Ta−B−C,F
e−Nb−B−C合金膜を用い、比較例(破線で示す)
としてCo−Ta−Hfアモルファス合金膜を使用し、
合金膜の膜厚は6μmで統一した。これらの合金膜は表
6に示すような磁気特性を有している。図6より明らか
なように、本発明による合金膜がいずれの周波数におい
ても比較例よりも2〜5dB高い自己録再出力を示し
た。
のメタルテープを使用して相対速度3.75m/sで自
己録再特性を評価した結果を図6に示す。なお、本発明
の実施例(実線で示す)としてFe−Ta−B−C,F
e−Nb−B−C合金膜を用い、比較例(破線で示す)
としてCo−Ta−Hfアモルファス合金膜を使用し、
合金膜の膜厚は6μmで統一した。これらの合金膜は表
6に示すような磁気特性を有している。図6より明らか
なように、本発明による合金膜がいずれの周波数におい
ても比較例よりも2〜5dB高い自己録再出力を示し
た。
【0053】
【表6】
【0054】次に記録特性と再生特性を分離して評価し
た結果を表7に示す。なお表7は、比較例をOdBとし
て規格化したデータである。表7より明らかなように本
実施例の磁気ヘッドが記録特性、再生特性のいずれも比
較例よりも優れていることがわかる。また、本発明によ
る他の組成の軟磁性合金膜を磁気ヘッドに用いても、上
記のような記録再生特性を有することは明らかである。
た結果を表7に示す。なお表7は、比較例をOdBとし
て規格化したデータである。表7より明らかなように本
実施例の磁気ヘッドが記録特性、再生特性のいずれも比
較例よりも優れていることがわかる。また、本発明によ
る他の組成の軟磁性合金膜を磁気ヘッドに用いても、上
記のような記録再生特性を有することは明らかである。
【0055】
【表7】
【0056】以上説明したように本発明による軟磁性合
金膜を用いた磁気ヘッドが優れた記録、再生特性を示す
ことがわかる。
金膜を用いた磁気ヘッドが優れた記録、再生特性を示す
ことがわかる。
【0057】
【効果】本発明による磁気ヘッドは、従来の軟磁性合金
膜と同等もしくはそれ以上の透磁率と保磁力を備え、か
つ、従来の軟磁性合金膜よりも優れた飽和磁束密度を有
し、さらに磁歪定数も±10-6台〜10-7台と良好な軟
磁性合金膜を使用しているため、優れた記録、再生特性
を有する。
膜と同等もしくはそれ以上の透磁率と保磁力を備え、か
つ、従来の軟磁性合金膜よりも優れた飽和磁束密度を有
し、さらに磁歪定数も±10-6台〜10-7台と良好な軟
磁性合金膜を使用しているため、優れた記録、再生特性
を有する。
【0058】さらに、本発明の磁気ヘッドに使用する軟
磁性合金膜は、優れた熱安定性を備えているため、ギャ
ップ形成等をガラス溶着によって行なう際の作業温度を
高くでき耐環境性に優れ、高い強度を持った信頼性の高
い高融点のガラス材を用いることができる。
磁性合金膜は、優れた熱安定性を備えているため、ギャ
ップ形成等をガラス溶着によって行なう際の作業温度を
高くでき耐環境性に優れ、高い強度を持った信頼性の高
い高融点のガラス材を用いることができる。
【0059】加えて、従来のアモルファス合金膜等は、
磁場中熱処理を行なわないと異方性分散が生じ、高透磁
率は得難いが、本発明の磁気ヘッドに用いられる軟磁性
合金膜は、無磁場での熱処理で高透磁率が得られるため
ガラス溶着工程を無磁場で行なうことができるので、工
程を簡素化することができる。
磁場中熱処理を行なわないと異方性分散が生じ、高透磁
率は得難いが、本発明の磁気ヘッドに用いられる軟磁性
合金膜は、無磁場での熱処理で高透磁率が得られるため
ガラス溶着工程を無磁場で行なうことができるので、工
程を簡素化することができる。
【図1】本発明磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜の一例
のX線回折パターンを示すグラフである。
のX線回折パターンを示すグラフである。
【図2】本発明磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜の一例
の透磁率μと熱処理温度の関係を示すグラフである。
の透磁率μと熱処理温度の関係を示すグラフである。
【図3】本発明磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜の一例
の磁歪定数λsと熱処理温度の関係を示すグラフであ
る。
の磁歪定数λsと熱処理温度の関係を示すグラフであ
る。
【図4】本発明磁気ヘッドに用いる軟磁性合金膜の一例
の飽和磁束密度Bsと熱処理温度の関係を示すグラフで
ある。
の飽和磁束密度Bsと熱処理温度の関係を示すグラフで
ある。
【図5】本発明の磁気ヘッドの一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図6】本発明による磁気ヘッドの自己録再特性を示す
グラフである。
グラフである。
1a,1b 磁気コア
2 軟磁性合金膜
3 溶着ガラス
4 ギャップ
5 線材
6 巻線穴
7a,7b 巻線係止溝
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 竹谷 努
東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ
ス電気株式会社内
(72)発明者 寺田 委久
東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ
ス電気株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 次式で示される組成からなる軟磁性合金
膜を磁気コア全体もしくは一部に用いたことを特徴とす
る磁気ヘッド。 Fea Mc Bd Ce 但し、MはZr,Nb,Hf,Taのうち少なくとも1
種又は2種以上の元素であり、70≦a≦90、5≦c
≦15、0.5≦d≦15、0.5≦e≦15、1≦d
+e≦20(原子%)である。 - 【請求項2】 次式で示される組成からなる軟磁性合金
膜を磁気コア全体もしくは一部に用いたことを特徴とす
る磁気ヘッド。 (Fe1-b Tb ) a Mc Bd Ce ただし、TはCo,Niのうち少なくとも1種又は2種
の元素、MはZr,Nb,Hf,Taのうち少なくとも
1種又は2種以上の元素であり、b≦0.05であ
り、,70≦a≦90、5≦c≦15、0.5≦d≦1
5、0.5≦e≦15、1≦d+e≦20(原子%)で
ある。 - 【請求項3】 上記磁気ヘッドの磁気コアの全体もしく
は一部に用いる軟磁性合金膜は熱処理が施され、その金
属組織が実質的に平均粒径0.08μm 以下の結晶粒か
らなる請求項1又は2に記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3186789A JPH0513223A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3186789A JPH0513223A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0513223A true JPH0513223A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16194618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3186789A Withdrawn JPH0513223A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0513223A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5983473A (en) * | 1996-03-15 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Kanzaki Shokai | Reinforcing bar binding machine |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP3186789A patent/JPH0513223A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5983473A (en) * | 1996-03-15 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Kanzaki Shokai | Reinforcing bar binding machine |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |