JPH05131486A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPH05131486A JPH05131486A JP32518591A JP32518591A JPH05131486A JP H05131486 A JPH05131486 A JP H05131486A JP 32518591 A JP32518591 A JP 32518591A JP 32518591 A JP32518591 A JP 32518591A JP H05131486 A JPH05131486 A JP H05131486A
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- epoxy resin
- resin composition
- semiconductor device
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、信頼性、特に半田実
装時の耐半田クラツク性に優れ、かつ生産性に優れた半
導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device which is excellent in reliability, particularly in solder cracking resistance during solder mounting and in productivity.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、半導体分野の技術革新がめざまし
く、LSIチツプ等の半導体装置の高集積化と高速化が
進んでおり、加えて電子装置を小形で高機能にする要求
から、実装の高密度化が進んでいる。このような観点か
ら、デユアルインラインパツケージ(DIP)のような
ピン挿入型のパツケージに代えて、表面実装型パツケー
ジが主流になつてきている。この種のパツケージを用い
た半導体装置においては、平面的にピンを取り出し、こ
れを実装基板表面に直接半田等によつて固定するように
なつている。このような表面実装型半導体装置は、薄
い,軽い,小さいという利点を備えているうえ、実装基
板に対する占有面積が小さくてすむという利点を備えて
いる。また、基板に対する両面実装も可能であるという
長所も有している。2. Description of the Related Art In recent years, technological innovation in the semiconductor field has been remarkable, and semiconductor devices such as LSI chips have been highly integrated and speeded up. Densification is progressing. From such a viewpoint, a surface mount type package is becoming mainstream instead of a pin insertion type package such as a dual in-line package (DIP). In a semiconductor device using this type of package, the pins are taken out in a plane and are fixed directly to the surface of the mounting substrate by soldering or the like. Such a surface-mount type semiconductor device has the advantages of being thin, light, and small, and also has the advantage of occupying a small area on the mounting substrate. It also has the advantage that it can be mounted on both sides of the board.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な表面実装型パツケージを用いた半導体装置において、
表面実装前にパツケージ自体が吸湿している場合には、
半田実装時に水分の蒸気圧によつて、パツケージにクラ
ツクが生じる。すなわち、図1に示すような表面実装型
半導体装置において、水分は矢印Aのように封止樹脂1
を通つて、パツケージ3内に浸入し、主としてSi−チ
ツプ7の表面やダイボンドパツド4の裏面に滞溜する。
そして、ベーパーフエーズソルダリング等の半田表面実
装を行う際に、上記滞溜水分が、半田実装における加熱
により気化し、その蒸気圧により、図2に示すように、
ダイボンドパツド4の裏面の樹脂部分を下方に押しや
り、そこに空隙5をつくると同時にパツケージ3にクラ
ツク6を生じさせる。図1および図2において、8はワ
イヤーボンデイングである。However, in the semiconductor device using the surface mount type package as described above,
If the package itself absorbs moisture before surface mounting,
Cracking occurs in the package due to the vapor pressure of water during solder mounting. That is, in the surface mounting type semiconductor device as shown in FIG.
It penetrates into the package 3 through the through holes and mainly accumulates on the front surface of the Si-chip 7 and the back surface of the die bond pad 4.
Then, when solder surface mounting such as vapor phase soldering is performed, the accumulated water is vaporized by heating during solder mounting, and due to the vapor pressure thereof, as shown in FIG.
The resin portion on the back surface of the die bond pad 4 is pushed downward to form a void 5 therein, and at the same time, a crack 6 is generated in the package 3. In FIG. 1 and FIG. 2, 8 is a wire bonding.
【0004】このような問題に対する解決策として、半
導体素子をパツケージで封止した後、得られる半導体装
置全体を密封し、表面実装の直前に開封して使用する方
法や、表面実装の直前に上記半導体装置を100℃で2
4時間乾燥させ、その後半田実装を行うという方法が提
案され、すでに実施されている。しかしながら、このよ
うな前処理方法によれば、製造工程が長くなるうえ、手
間がかかるという問題がある。As a solution to such a problem, after sealing the semiconductor element with a package, the entire semiconductor device obtained is hermetically sealed and opened immediately before surface mounting, or the above-mentioned method is used immediately before surface mounting. Semiconductor device at 100 ℃ 2
A method of drying for 4 hours and then performing solder mounting has been proposed and already implemented. However, according to such a pretreatment method, there is a problem that the manufacturing process becomes long and labor is required.
【0005】一方、封止樹脂の吸湿性を改善するため
に、半導体封止用エポキシ樹脂組成物として、例えば、
下記の一般式(2)で表される骨格を有するエポキシ樹
脂と、下記の一般式(3)で表されるフエノール性硬化
剤とを用いたものが提案されている。On the other hand, in order to improve the hygroscopicity of the sealing resin, as an epoxy resin composition for semiconductor sealing, for example,
It has been proposed to use an epoxy resin having a skeleton represented by the following general formula (2) and a phenolic curing agent represented by the following general formula (3).
【0006】[0006]
【化3】 [Chemical 3]
【0007】しかしながら、上記エポキシ樹脂組成物で
は、半導体素子を封止し、半導体装置とする際に、金型
からの離型性が悪く、その生産性に問題がある。また、
離型性を改善する目的で従来から用いられている離型剤
を増量すると、離型性は改善されるもののリードフレー
ム材との接着性が低下するため、ダイボンドパツドの裏
面と樹脂部分とが剥離し易く、結果的に吸湿時に半田浸
漬によるクラツクが生じ易くなり、その生産性と耐半田
クラツク性とを両立させることは困難である。However, in the above epoxy resin composition, when the semiconductor element is sealed to form a semiconductor device, the mold releasability from the mold is poor, and there is a problem in productivity. Also,
If the amount of the release agent that has been conventionally used for the purpose of improving the releasability is increased, the releasability is improved but the adhesiveness with the lead frame material is deteriorated. Is easily peeled off, and as a result, cracking due to solder immersion is likely to occur during moisture absorption, and it is difficult to achieve both productivity and solder crack resistance.
【0008】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、耐半田クラツク性に優れていると同時に、そ
の生産性にも優れた半導体装置の提供をその目的とす
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor device which is excellent in solder crack resistance as well as in productivity.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、下記の(A)〜(C)成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。 (A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention seals a semiconductor element with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). Take the configuration. (A) An epoxy resin represented by the following general formula (1).
【化4】 (B)フエノール性水酸基を1分子中に少なくとも2個
含有する硬化剤。 (C)酸化ポリエチレンワツクス。[Chemical 4] (B) A curing agent containing at least two phenolic hydroxyl groups in one molecule. (C) Oxidized polyethylene wax.
【0010】[0010]
【作用】パツケージクラツクの発生を防止する方法とし
て、封止樹脂に対する吸湿を抑制する、ダイボンド
パツドの裏面および半導体素子の表面と封止樹脂との間
の接着力を高める、封止樹脂自体の強度を高めるとい
う三つの方法が考えられる。なかでも、最も効果的な方
法であるの方法にもとづいてパツケージクラツクの発
生の防止が行われている。しかしながら、このの方法
による場合、用いられる樹脂の骨格が疎水性を有するた
め、離型剤との相溶性が向上し、離型剤が表面に滲み出
しにくくなる。その結果、離型性が悪くなり、生産性が
低下する。逆に、離型剤を増量して離型性を改善する場
合、ダイボンドパツドとの剥離現象が生じ易くなり、耐
半田クラツク性が低下する傾向がみられる。このような
事情から、本発明者らは、耐半田クラツク性と生産性と
を兼ね備えたものを得るために一連の研究を重ねた。そ
の結果、前記一般式(1)で表されるエポキシ樹脂と、
離型剤として酸化ポリエチレンワツクスを組み合わせて
用いると、耐半田クラツク性の向上と生産性の向上を両
立させることができることを見出しこの発明に到達し
た。As a method of preventing the occurrence of package cracks, the moisture absorption of the sealing resin is suppressed, the adhesive force between the back surface of the die bond pad and the surface of the semiconductor element and the sealing resin is increased, and the sealing resin itself There are three possible ways to increase the strength of the. Above all, the most effective method is used to prevent the occurrence of package cracks. However, in the case of this method, since the skeleton of the resin used is hydrophobic, the compatibility with the release agent is improved and the release agent is less likely to exude to the surface. As a result, the releasability deteriorates and the productivity decreases. On the contrary, when the amount of the release agent is increased to improve the releasability, the phenomenon of peeling from the die bond pad is likely to occur, and the solder crack resistance tends to decrease. Under such circumstances, the present inventors have conducted a series of studies in order to obtain a solder having both solder crack resistance and productivity. As a result, an epoxy resin represented by the general formula (1),
The inventors have found that the use of a combination of oxidized polyethylene wax as a release agent makes it possible to improve both the solder crack resistance and the productivity simultaneously.
【0011】つぎに、この発明を詳細に説明する。Next, the present invention will be described in detail.
【0012】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、前記一般式(1)で表される特殊なエポキシ樹脂
(A成分)と、特定の硬化剤(B成分)と、酸化ポリエ
チレンワツクス(C成分)とを用いて得られるものであ
つて、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト
状になつている。The epoxy resin composition used in the present invention comprises a special epoxy resin (A component) represented by the general formula (1), a specific curing agent (B component), and an oxidized polyethylene wax (C). Component) and is usually in the form of powder or a tablet formed by compressing it.
【0013】上記特殊なエポキシ樹脂(A成分)は、ビ
フエニル型エポキシ樹脂であり、下記の一般式(1)で
表される。The special epoxy resin (component A) is a biphenyl type epoxy resin and is represented by the following general formula (1).
【0014】[0014]
【化5】 [Chemical 5]
【0015】このように、グリシジル基を有するフエニ
ル環に低級アルキル基を付加することにより撥水性を有
するようになる。そして、上記特殊なエポキシ樹脂(A
成分)のみでエポキシ樹脂成分を構成してもよいし、そ
れ以外の通常用いられるエポキシ樹脂と併用するように
してもよい。前者の場合は、エポキシ樹脂成分の全部が
上記一般式(1)で表される特殊なエポキシ樹脂(A成
分)で構成され、後者の場合にはエポキシ樹脂成分の一
部が上記一般式(1)で表される特殊なエポキシ樹脂
(A成分)で構成されることとなる。上記通常用いられ
るエポキシ樹脂としては、クレゾールノボラツク型,フ
エノールノボラツク型,ノボラツクビスA型やビスフエ
ノールA型等の各種エポキシ樹脂があげられる。上記ノ
ボラツク型エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ当量
150〜250,軟化点50〜130℃のものが用いら
れ、クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂としては、エ
ポキシ当量180〜210,軟化点60〜110℃のも
のが一般に用いられる。このように両者を併用する場合
には、上記一般式(1)で表されるエポキシ樹脂(A成
分)をエポキシ樹脂成分全体の50重量%(以下「%」
と略す)以上に設定するのが好ましい。As described above, by adding a lower alkyl group to the phenyl ring having a glycidyl group, it becomes water repellent. Then, the special epoxy resin (A
The epoxy resin component may be composed of only the component), or may be used in combination with other commonly used epoxy resins. In the former case, all of the epoxy resin components are composed of the special epoxy resin (A component) represented by the above general formula (1), and in the latter case, a part of the epoxy resin components is represented by the above general formula (1). ) A special epoxy resin (component A) represented by Examples of the above-mentioned usually used epoxy resins include various epoxy resins such as cresol novolak type, phenol novolak type, novolak bis A type and bisphenol A type. As the novolak type epoxy resin, one having an epoxy equivalent of 150 to 250 and a softening point of 50 to 130 ° C. is usually used, and as the cresol novolak type epoxy resin, an epoxy equivalent of 180 to 210 and a softening point of 60 to 110 ° C. Things are commonly used. When both are used in this way, the epoxy resin (component A) represented by the general formula (1) is added in an amount of 50% by weight (hereinafter referred to as “%”) of the total epoxy resin component.
It is preferable to set the above.
【0016】上記特殊なエポキシ樹脂(A成分)ととも
に用いられる特定の硬化剤は、フエノール性水酸基を1
分子中に少なくとも2個含有するものである。例えば、
フエノールノボラツク樹脂,クレゾールノボラツク樹
脂,レゾール型フエノール樹脂,下記の一般式(4)で
表されるフエノールアラルキル樹脂等があげられる。The specific curing agent used together with the special epoxy resin (component A) has a phenolic hydroxyl group of 1
At least two are contained in the molecule. For example,
Examples thereof include phenol novolak resin, cresol novolak resin, resol type phenol resin, and phenol aralkyl resin represented by the following general formula (4).
【0017】[0017]
【化6】 [Chemical 6]
【0018】上記フエノールアラルキル樹脂は、アラル
キルエーテルとフエノールとをフリーデルクラフツ触媒
で反応させることにより得られる。一般に、α,α′−
ジメトキシ−p−キシレンとフエノールモノマーの縮合
重合化合物が知られている。The above-mentioned phenol aralkyl resin can be obtained by reacting aralkyl ether and phenol with a Friedel-Crafts catalyst. In general, α, α'-
A condensation polymerization compound of dimethoxy-p-xylene and a phenol monomer is known.
【0019】上記エポキシ樹脂成分と特定の硬化剤の配
合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量当たり特
定の硬化剤中の水酸基が0.7〜1.3当量となるよう
に配合することが好適である。より好適なのは0.9〜
1.1当量である。The mixing ratio of the epoxy resin component and the specific curing agent is such that the hydroxyl group in the specific curing agent is 0.7 to 1.3 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. It is suitable. More preferred is 0.9-
1.1 equivalents.
【0020】上記特殊なエポキシ樹脂(A成分)および
特定の硬化剤(B成分)とともに用いられる酸化ポリエ
チレンワツクス(C成分)は、離型剤として作用するも
のであり、低級ポリエチレンを部分酸化して合成される
ものである。そして、上記酸化ポリエチレンワツクスに
おいて、酸価10〜30で、滴点(溶融して液滴状にな
る温度)90〜130℃のものを用いることが好まし
い。また、上記酸化ポリエチレンワツクス(C成分)の
含有量は、エポキシ樹脂組成物中0.05〜0.50%
の割合に設定することが好ましい。すなわち、0.05
%未満では所望の離型性が得られず、その結果、生産性
が低下する。逆に、0.50%を超えると生産性は向上
するが、ダイボンドパツドと硬化樹脂とが剥離しやすく
なり、その結果、耐半田クラツク性が低下する傾向がみ
られるからである。The oxidized polyethylene wax (component C) used together with the special epoxy resin (component A) and the specific curing agent (component B) acts as a release agent and partially oxidizes lower polyethylene. Is synthesized. In the above-mentioned oxidized polyethylene wax, it is preferable to use one having an acid value of 10 to 30 and a dropping point (a temperature at which it melts to form a droplet) of 90 to 130 ° C. The content of the oxidized polyethylene wax (component C) is 0.05 to 0.50% in the epoxy resin composition.
It is preferable to set the ratio to. That is, 0.05
If it is less than%, the desired releasability cannot be obtained, and as a result, the productivity decreases. On the contrary, if it exceeds 0.50%, the productivity is improved, but the die bond pad and the cured resin are easily separated, and as a result, the solder crack resistance tends to be lowered.
【0021】また、半導体封止用のエポキシ樹脂組成物
には、通常、無機質充填剤が配合される。上記無機質充
填剤としては、特に限定するものではなく、一般に用い
られている石英ガラス粉末,タルク,シリカ粉末,アル
ミナ粉末,炭酸カルシウム,カーボンブラツク粉末等が
あげられる。なかでもシリカ粉末、特に溶融性シリカ粉
末を用いるのが好適である。このような無機質充填剤の
含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の50〜90%に設
定するのが好ましい。すなわち、含有量が50%未満で
は充填剤を含有した効果が大幅に低下する傾向がみられ
るからである。The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation usually contains an inorganic filler. The inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include commonly used quartz glass powder, talc, silica powder, alumina powder, calcium carbonate, carbon black powder and the like. Among them, it is preferable to use silica powder, particularly fusible silica powder. The content of such an inorganic filler is preferably set to 50 to 90% of the whole epoxy resin composition. That is, if the content is less than 50%, the effect of containing the filler tends to be significantly reduced.
【0022】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、上記成分以外に、必要に応じて硬化促進剤
として従来公知の三級アミン,四級アンモニウム塩,イ
ミダゾール類およびホウ素化合物等を単独でもしくは併
せて用いることができる。さらに、シランカツプリング
剤等のカツプリング剤および難燃剤等を用いることがで
きる。In the epoxy resin composition used in the present invention, in addition to the above-mentioned components, a conventionally known tertiary amine, quaternary ammonium salt, imidazoles, boron compound or the like may be used alone as a curing accelerator. Or together. Further, a coupling agent such as a silane coupling agent and a flame retardant can be used.
【0023】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、上記各成分および必要に応じて硬化促進剤,カ
ツプリング剤および難燃剤を所定の割合で配合する。つ
いで、これらの混合物をミキシングロール機等の混練機
を用いて加熱状態で溶融混練して、これを室温に冷却し
た後、公知の手段によつて粉砕し、必要に応じて打錠す
るという一連の工程によつて目的とするエポキシ樹脂組
成物を製造することができる。The epoxy resin composition used in the present invention can be manufactured, for example, as follows. That is, the above components and, if necessary, the curing accelerator, the coupling agent, and the flame retardant are mixed in a predetermined ratio. Then, these mixtures are melt-kneaded in a heated state using a kneading machine such as a mixing roll machine, cooled to room temperature, crushed by a known means, and tableted if necessary. The desired epoxy resin composition can be produced by the step.
【0024】このようなエポキシ樹脂組成物を用いて、
半導体素子を封止する方法は、特に測定するものではな
く、通常のトランスフアー成形等の公知のモールド方法
によつて行うことができる。Using such an epoxy resin composition,
The method of sealing the semiconductor element is not particularly measured, and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、特殊なエポキシ樹脂(A成分)と酸化ポリエチレン
ワツクス(C成分)を含む特殊なエポキシ樹脂組成物を
用いて封止されているため、半田浸漬時の耐半田クラツ
ク性に優れている。また、離型性にも優れており、その
結果、生産性の向上が実現する。As described above, the semiconductor device of the present invention is sealed by using the special epoxy resin composition containing the special epoxy resin (component A) and the oxidized polyethylene wax (component C). Therefore, it has excellent resistance to solder cracking when immersed in solder. Moreover, it is also excellent in releasability, and as a result, productivity is improved.
【0026】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
【0027】[0027]
【実施例1〜3】下記の表1に示す各成分を同表に示す
割合で配合し、ミキシングロール機(温度100℃)で
3分間溶融混練を行い、冷却固化後粉砕して目的とする
粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ
樹脂組成物の175℃におけるゲルタイムを表1に併せ
て示した。Examples 1 to 3 The respective components shown in Table 1 below were blended in the proportions shown in the same table, melt-kneaded for 3 minutes with a mixing roll machine (temperature 100 ° C.), cooled and solidified, and then pulverized to obtain the object. A powdery epoxy resin composition was obtained. The gel time at 175 ° C. of the obtained epoxy resin composition is also shown in Table 1.
【0028】[0028]
【表1】 [Table 1]
【0029】*1:下記の構造式で表されるエポキシ樹
脂(エポキシ当量190、軟化点107℃)を用いた。* 1: An epoxy resin represented by the following structural formula (epoxy equivalent 190, softening point 107 ° C.) was used.
【0030】[0030]
【化7】 *2:水酸基当量105、軟化点80℃のものを用い
た。 *3:ヘキスト社製,PED−521(酸価15、滴点
105℃)のものを用いた。 *4:平均粒径15μmのものを用いた。 *5:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを
用いた。[Chemical 7] * 2: A hydroxyl group equivalent of 105 and a softening point of 80 ° C. were used. * 3: PED-521 manufactured by Hoechst Co. (acid value 15, dropping point 105 ° C.) was used. * 4: An average particle size of 15 μm was used. * 5: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane was used.
【0031】[0031]
【比較例1〜12】エポキシ樹脂,フエノール樹脂およ
び離型剤を下記の表2および表3に示す組み合わせにて
配合した。それ以外は実施例1と同様にして粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を得た。また、硬化促進剤であるトリ
フエニルホスフインの配合割合は、得られたエポキシ樹
脂組成物の175℃のゲルタイムが20〜30秒となる
ように調整した。[Comparative Examples 1 to 12] Epoxy resins, phenol resins and release agents were blended in the combinations shown in Tables 2 and 3 below. A powdery epoxy resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above. Moreover, the compounding ratio of triphenylphosphine which is a curing accelerator was adjusted so that the gel time at 175 ° C. of the obtained epoxy resin composition was 20 to 30 seconds.
【0032】[0032]
【表2】 [Table 2]
【0033】[0033]
【表3】 [Table 3]
【0034】つぎに、このようにして得られた実施例お
よび比較例のエポキシ樹脂組成物の離型性を評価した。
上記離型性の評価方法はつぎのようにして行つた。すな
わち、図3に示すような3層構造(上型10,中型1
1,下型12)の成形型を用いて、10シヨツトの成形
を行つた。そして、10シヨツト目のエポキシ樹脂組成
物硬化体における離型時の荷重を測定した。図におい
て、13はカル、14はスプルー、15はランナー、1
6はキヤビテイーである。離型時の荷重の測定は、図4
に示すように、成形型の中型11を支持台17上に載置
し、プツシユプルゲージ18を用いて上方から中型11
内のエポキシ樹脂組成物硬化体19を脱型した。このと
きの荷重値を測定した。そして、その値から連続成形が
可能かどうかを評価し、連続成形が可能な場合は○、不
可能な場合は×とした。これらの評価結果を下記の表4
に示した。Next, the releasability of the epoxy resin compositions of Examples and Comparative Examples thus obtained was evaluated.
The evaluation method of the releasability was performed as follows. That is, a three-layer structure as shown in FIG. 3 (upper mold 10, middle mold 1
1, the lower mold 12) was used to mold 10 shots. And the load at the time of mold release in the epoxy resin composition cured product of the tenth shot was measured. In the figure, 13 is a cull, 14 is a sprue, 15 is a runner, 1
6 is the cavities. Fig. 4 shows the measurement of the load during release.
As shown in FIG. 3, the middle die 11 of the forming die is placed on the support stand 17, and the push-pull gauge 18 is used to attach the middle die 11 from above.
The epoxy resin composition cured product 19 therein was demolded. The load value at this time was measured. Then, whether or not continuous molding is possible was evaluated from the value, and when continuous molding was possible, it was evaluated as ◯, and when impossible, it was evaluated as x. These evaluation results are shown in Table 4 below.
It was shown to.
【0035】また、得られたエポキシ樹脂組成物の硬化
体の吸水率、42アロイフレームとの接着力を測定し下
記の表4に併せて示した。さらに、上記エポキシ樹脂組
成物を用い、半導体素子をトランスフアー成形(条件:
175℃×2分、175℃×5時間後硬化)することに
より半導体装置を作製した。このようにして得られた半
導体装置を85℃/85%RHの相対湿度の恒温槽中に
放置して吸湿させた後、260℃の半田溶融液に10秒
間浸漬する試験を行い、パツケージクラツクの生じた半
導体装置をカウントした。その結果を下記の表4に併せ
て示した。Further, the water absorption of the cured product of the obtained epoxy resin composition and the adhesive strength with 42 alloy frame were measured and are also shown in Table 4 below. Further, using the above epoxy resin composition, a semiconductor element is transfer molded (conditions:
A semiconductor device was produced by post-curing (175 ° C. × 2 minutes, 175 ° C. × 5 hours). The semiconductor device thus obtained is allowed to absorb moisture by being left in a thermostatic chamber at a relative humidity of 85 ° C./85% RH, and then immersed in a solder melt at 260 ° C. for 10 seconds to carry out a test. The number of semiconductor devices in which the occurrence of ∑ The results are also shown in Table 4 below.
【0036】[0036]
【表4】 [Table 4]
【0037】表4の結果から、比較例品は、離型性が悪
いか、吸水率が高い、また接着力が低いか耐半田クラツ
ク性に劣るというようにいずれかの評価が低い。これに
対して実施例品は離型性に優れ、吸水率も低く接着力が
高い。しかも耐半田クラツク性が高いことがわかる。From the results shown in Table 4, the comparative example products are poor in either releasability, high water absorption rate, low adhesive force or poor solder crack resistance. On the other hand, the products of Examples have excellent releasability, low water absorption and high adhesive strength. Moreover, it can be seen that the solder crack resistance is high.
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成4年12月14日[Submission date] December 14, 1992
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】追加[Correction method] Added
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】従来の半導体装置におけるパッケージクラック
の発生状況を説明する縦断面図である。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view illustrating a situation in which a package crack occurs in a conventional semiconductor device.
【図2】従来の半導体装置におけるパッケージクラック
の発生状況を説明する縦断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view illustrating a situation in which a package crack is generated in a conventional semiconductor device.
【図3】離型性の評価方法に用いるエポキシ樹脂組成物
硬化体の成形方法を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a method for molding a cured epoxy resin composition used in a method for evaluating releasability.
【図4】離型性の評価方法である荷重の測定方法を示す
説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a load measuring method which is an evaluation method of releasability.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/29 23/31 //(C08L 63/00 23:30) 7107−4J B29K 63:00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 23/29 23/31 // (C08L 63/00 23:30) 7107-4J B29K 63:00
Claims (2)
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置。 (A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。 【化1】 (B)フエノール性水酸基を1分子中に少なくとも2個
含有する硬化剤。 (C)酸化ポリエチレンワツクス。1. A semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). (A) An epoxy resin represented by the following general formula (1). [Chemical 1] (B) A curing agent containing at least two phenolic hydroxyl groups in one molecule. (C) Oxidized polyethylene wax.
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。 【化2】 (B)フエノール性水酸基を1分子中に少なくとも2個
含有する硬化剤。 (C)酸化ポリエチレンワツクス。2. An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing the following components (A) to (C). (A) An epoxy resin represented by the following general formula (1). [Chemical 2] (B) A curing agent containing at least two phenolic hydroxyl groups in one molecule. (C) Oxidized polyethylene wax.
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ID=18173960
Family Applications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1991
- 1991-11-12 JP JP32518591A patent/JPH0737041B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
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JP2005314565A (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and semiconductor device |
US7723444B2 (en) | 2005-01-20 | 2010-05-25 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition, process for providing latency to the composition and a semiconductor device |
JP2011122139A (en) * | 2009-11-16 | 2011-06-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Semiconductor sealing resin composition and semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0737041B2 (en) | 1995-04-26 |
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