JPH05129514A - リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH05129514A JPH05129514A JP28809091A JP28809091A JPH05129514A JP H05129514 A JPH05129514 A JP H05129514A JP 28809091 A JP28809091 A JP 28809091A JP 28809091 A JP28809091 A JP 28809091A JP H05129514 A JPH05129514 A JP H05129514A
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- lead
- plate
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 グランドプレートやパワープレート等の導電
性プレートとリードフレーム本体との接続が確実で低コ
ストのリードフレームを提供する。 【構成】 複数のリードを配列してなるリードフレーム
本体に絶縁層を介して少なくとも１つの導電性プレート
を積層して固着するとともに、この導電性プレートとリ
ードフレーム本体の少なくとも１つのリードとを貴金属
めっきで形成されたバンプを介して接合する。またバン
プを形成しない側にもバンプに接合する領域には貴金属
めっきを形成しておく。導電性プレートおよびリードフ
レーム本体のリードの対応する領域のいずれか一方にバ
ンプを形成するとともに両方の前記対応する領域に貴金
属めっき層を形成し、バンプを介して熱圧着させ、前記
導電性プレートを、少なくとも１つのリードに接続する
ように、前記リードフレーム本体上に積層するようにし
ている。
性プレートとリードフレーム本体との接続が確実で低コ
ストのリードフレームを提供する。 【構成】 複数のリードを配列してなるリードフレーム
本体に絶縁層を介して少なくとも１つの導電性プレート
を積層して固着するとともに、この導電性プレートとリ
ードフレーム本体の少なくとも１つのリードとを貴金属
めっきで形成されたバンプを介して接合する。またバン
プを形成しない側にもバンプに接合する領域には貴金属
めっきを形成しておく。導電性プレートおよびリードフ
レーム本体のリードの対応する領域のいずれか一方にバ
ンプを形成するとともに両方の前記対応する領域に貴金
属めっき層を形成し、バンプを介して熱圧着させ、前記
導電性プレートを、少なくとも１つのリードに接続する
ように、前記リードフレーム本体上に積層するようにし
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームおよび
その製造方法に係り、特に半導体集積回路チップを実装
するリードフレーム構体に関する。
その製造方法に係り、特に半導体集積回路チップを実装
するリードフレーム構体に関する。
【０００２】
【従来の技術】高出力型半導体集積回路の分野では、高
いパワーを用いるために、電流供給のためのリードはワ
イヤとの接続部におけるインダクタンスの増大を防ぐた
めに、ボンディングワイヤに代えてパワープレートを介
してチップのボンディングパッドに接続するという方法
が取られることが多い。また、高集積化に従い、リード
の本数を低減する目的から、複数のパッドから接地ライ
ンに落とすような場合、接地用のプレートを設けこれに
すべて接続するという方法が有力となってきている。
いパワーを用いるために、電流供給のためのリードはワ
イヤとの接続部におけるインダクタンスの増大を防ぐた
めに、ボンディングワイヤに代えてパワープレートを介
してチップのボンディングパッドに接続するという方法
が取られることが多い。また、高集積化に従い、リード
の本数を低減する目的から、複数のパッドから接地ライ
ンに落とすような場合、接地用のプレートを設けこれに
すべて接続するという方法が有力となってきている。
【０００３】さらにまた、発熱量も大きいため、ダイパ
ッドに代えて放熱性の良好な金属板からなる大きな放熱
板を必要とする傾向にある。
ッドに代えて放熱性の良好な金属板からなる大きな放熱
板を必要とする傾向にある。
【０００４】このようなパワーデバイスでは、一例を第
４図に示すように、通常、接地用のグランドプレート１
２とパワープレート１４とがリードフレーム本体１５に
対して各々所定の部位に設けられた舌片を介して溶接に
より電気的に接続されリードフレーム構体を構成してい
る。ここで１３は相互の電気的絶縁のために介在せしめ
られる絶縁膜である。
４図に示すように、通常、接地用のグランドプレート１
２とパワープレート１４とがリードフレーム本体１５に
対して各々所定の部位に設けられた舌片を介して溶接に
より電気的に接続されリードフレーム構体を構成してい
る。ここで１３は相互の電気的絶縁のために介在せしめ
られる絶縁膜である。
【０００５】このため、舌片の折り曲げ精度や、溶接位
置精度の影響により各構成体に歪みを生じたり、また溶
接箇所がはがれたりすることがあった。
置精度の影響により各構成体に歪みを生じたり、また溶
接箇所がはがれたりすることがあった。
【０００６】また、これらグランドプレート１２、パワ
ープレート１４、リードフレーム本体１５の素材として
は、通常銅もしくは銅合金が用いられており、銅同志で
は電気抵抗が低いため、電気溶接を用いる場合には溶接
自体が困難であるのみならず溶接強度も弱く確実な溶接
が困難であるという問題があった。
ープレート１４、リードフレーム本体１５の素材として
は、通常銅もしくは銅合金が用いられており、銅同志で
は電気抵抗が低いため、電気溶接を用いる場合には溶接
自体が困難であるのみならず溶接強度も弱く確実な溶接
が困難であるという問題があった。
【０００７】さらにまた、溶接による接合を行おうとす
ると、高価な溶接設備が必要となり、これにより生産コ
ストが高くなるという問題があった。
ると、高価な溶接設備が必要となり、これにより生産コ
ストが高くなるという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のパ
ワーデバイスでは、接地用のグランドプレートやパワー
プレート等とリードフレーム本体との接続が、各々所定
の部位に設けられた舌片を介して溶接によりなされてい
るため、溶接強度も弱く確実な溶接が困難であり、また
接続不良や変形を生じ易く、これがデバイスとしての信
頼性低下の原因となっていた。
ワーデバイスでは、接地用のグランドプレートやパワー
プレート等とリードフレーム本体との接続が、各々所定
の部位に設けられた舌片を介して溶接によりなされてい
るため、溶接強度も弱く確実な溶接が困難であり、また
接続不良や変形を生じ易く、これがデバイスとしての信
頼性低下の原因となっていた。
【０００９】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、グランドプレートやパワープレート等の導電性プレ
ートとリードフレーム本体との接続が確実で信頼性の高
いリードフレームを提供することを目的とする。
で、グランドプレートやパワープレート等の導電性プレ
ートとリードフレーム本体との接続が確実で信頼性の高
いリードフレームを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明のリード
フレームでは、複数のリードを配列してなるリードフレ
ーム本体に絶縁層を介して少なくとも１つの導電性プレ
ートを積層して固着するとともに、この導電性プレート
とリードフレーム本体の少なくとも１つのリードとを金
属めっきで形成されたバンプを介して接合することによ
って電気接続を達成している。望ましくは導電性プレー
トとリードフレーム本体のうちバンプを形成しない側に
もバンプに接合する領域にはバンプと同一金属からなる
金属めっきを形成しておく。
フレームでは、複数のリードを配列してなるリードフレ
ーム本体に絶縁層を介して少なくとも１つの導電性プレ
ートを積層して固着するとともに、この導電性プレート
とリードフレーム本体の少なくとも１つのリードとを金
属めっきで形成されたバンプを介して接合することによ
って電気接続を達成している。望ましくは導電性プレー
トとリードフレーム本体のうちバンプを形成しない側に
もバンプに接合する領域にはバンプと同一金属からなる
金属めっきを形成しておく。
【００１１】また望ましくは、この導電性プレートおよ
びリードフレーム本体に形成される貴金属めっきは金め
っきとする。
びリードフレーム本体に形成される貴金属めっきは金め
っきとする。
【００１２】また本発明のリードフレームの製造方法で
は、導電性プレートおよびリードフレーム本体のリード
の対応する領域のいずれか一方にバンプを形成しこれら
導電性プレートおよびリードフレーム本体をバンプを介
して熱圧着させ、前記導電性プレートを、前記リードフ
レーム本体の少なくとも１つのリードに接続するよう
に、前記リードフレーム本体上に積層するようにしてい
る。
は、導電性プレートおよびリードフレーム本体のリード
の対応する領域のいずれか一方にバンプを形成しこれら
導電性プレートおよびリードフレーム本体をバンプを介
して熱圧着させ、前記導電性プレートを、前記リードフ
レーム本体の少なくとも１つのリードに接続するよう
に、前記リードフレーム本体上に積層するようにしてい
る。
【００１３】望ましくは、バンプのみならずバンプに対
応する領域に同一金属のめっき層を形成しておく。
応する領域に同一金属のめっき層を形成しておく。
【００１４】
【作用】上記構成により、導電性プレートおよびリード
フレーム本体の構成金属とはバンプを介して熱圧着によ
り電気接続を達成しているため、接合が容易でかつ極め
て強固で確実な電気的接続が可能となる。
フレーム本体の構成金属とはバンプを介して熱圧着によ
り電気接続を達成しているため、接合が容易でかつ極め
て強固で確実な電気的接続が可能となる。
【００１５】さらにバンプも金属めっき工程によって形
成されるため、工程が簡略化されコストも低減される。
成されるため、工程が簡略化されコストも低減される。
【００１６】また、加工性が良好でかつフレキシブルな
低抵抗の銅箔からなる導電性プレートを用い、金めっき
で形成されたバンプを介して接合するようにすれば、微
細でかつ高精度の接続が可能となりまた、第４図に示し
た従来例のリードフレームで用いられていたような舌片
は不要となり、折り曲げ加工の必要がなくなり、ずれが
生じにくい上機械的応力がかからず、また、剥がれや歪
みを生じることもない。
低抵抗の銅箔からなる導電性プレートを用い、金めっき
で形成されたバンプを介して接合するようにすれば、微
細でかつ高精度の接続が可能となりまた、第４図に示し
た従来例のリードフレームで用いられていたような舌片
は不要となり、折り曲げ加工の必要がなくなり、ずれが
生じにくい上機械的応力がかからず、また、剥がれや歪
みを生じることもない。
【００１７】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【００１８】図１は、本発明の第１の実施例の方法で形
成されたパワーデバイスの要部を示す断面図である。
成されたパワーデバイスの要部を示す断面図である。
【００１９】このデバイスは、リードフレームが、銅を
主成分とするリードフレーム本体５の所定の領域に形成
された金のバンプ３Ｐを介して、グランドプレートとし
ての役割を担う銅板からなる第１の導電板２、およびこ
の上層に積層され、電源ラインに接続され銅板からなる
パワープレートとしての第２の導電板４とに熱圧着さ
れ、これらの間の電気的接続を達成するようにしたこと
を特徴とするものである。 すなわちこのデバイスは、
半導体チップ１を載置すると共にグランドプレートとし
ての役割を担う第１の導電板２と、この上層にポリイミ
ド膜からなる絶縁層１１を介して固着され、電源ライン
に接続されるパワープレートとしての第２の導電板４
と、さらにこの上層に同様に絶縁層１１を介して固着さ
れ、前記第１の導電板２の半導体チップ搭載部を囲むよ
うに複数のインナーリードを配設してなるリードフレー
ム本体５とから構成され、封止樹脂Ｐによって封止せし
められてなるものである。
主成分とするリードフレーム本体５の所定の領域に形成
された金のバンプ３Ｐを介して、グランドプレートとし
ての役割を担う銅板からなる第１の導電板２、およびこ
の上層に積層され、電源ラインに接続され銅板からなる
パワープレートとしての第２の導電板４とに熱圧着さ
れ、これらの間の電気的接続を達成するようにしたこと
を特徴とするものである。 すなわちこのデバイスは、
半導体チップ１を載置すると共にグランドプレートとし
ての役割を担う第１の導電板２と、この上層にポリイミ
ド膜からなる絶縁層１１を介して固着され、電源ライン
に接続されるパワープレートとしての第２の導電板４
と、さらにこの上層に同様に絶縁層１１を介して固着さ
れ、前記第１の導電板２の半導体チップ搭載部を囲むよ
うに複数のインナーリードを配設してなるリードフレー
ム本体５とから構成され、封止樹脂Ｐによって封止せし
められてなるものである。
【００２０】そしてこのリードフレーム本体５の対応す
るインナーリード先端部には金めっき層３および金のバ
ンプ３Ｐが形成されており、この金バンプ３Ｐを介し
て、第１または第２の導電板の対応する領域に設けら
れ、金めっき層３の形成された舌片を熱圧着することに
より電気的接続を達成している。さらにまた、各インナ
ーリードは半導体チップ上の各ボンディングパッドとそ
れぞれを接続するようにボンディングワイヤを介して接
続がなされている。
るインナーリード先端部には金めっき層３および金のバ
ンプ３Ｐが形成されており、この金バンプ３Ｐを介し
て、第１または第２の導電板の対応する領域に設けら
れ、金めっき層３の形成された舌片を熱圧着することに
より電気的接続を達成している。さらにまた、各インナ
ーリードは半導体チップ上の各ボンディングパッドとそ
れぞれを接続するようにボンディングワイヤを介して接
続がなされている。
【００２１】次に、このデバイスの製造工程について説
明する。
明する。
【００２２】まず、第２図(a) に示すように、通常のス
タンピング法により、帯状材料を加工し、半導体チップ
載置領域ａと対峙するインナ−リ−ド６、アウターリー
ド７、タイバー８などを含む通常のリードフレ−ムの形
状に成型する。９はサイドバーである。次いで、コイニ
ング処理を行い、インナ−リ−ド先端部の平坦幅を確保
したのち、先端部に金めっきを行い、続いてインナーリ
ード６の所定の領域にさらに金めっきを行いバンプ３Ｐ
を形成する。Ｍは金めっき領域を示す。このとき必要に
応じて、インナ−リ−ド先端部のボンディングエリアを
避けるように絶縁性テープを貼着し、固定するようにし
てもよい。
タンピング法により、帯状材料を加工し、半導体チップ
載置領域ａと対峙するインナ−リ−ド６、アウターリー
ド７、タイバー８などを含む通常のリードフレ−ムの形
状に成型する。９はサイドバーである。次いで、コイニ
ング処理を行い、インナ−リ−ド先端部の平坦幅を確保
したのち、先端部に金めっきを行い、続いてインナーリ
ード６の所定の領域にさらに金めっきを行いバンプ３Ｐ
を形成する。Ｍは金めっき領域を示す。このとき必要に
応じて、インナ−リ−ド先端部のボンディングエリアを
避けるように絶縁性テープを貼着し、固定するようにし
てもよい。
【００２３】一方、第２図(b) および第２図(c) に示す
ように、また通常のスタンピング法により、放熱性の良
好な銅板を加工し、グランドプレートとしての役割を行
う第１の導電板２と、電源ラインに接続されるパワープ
レートとしての第２の導電板４とを形成する。これらの
第１および第２の導電板２，４に対しては、舌片４Ｔを
有するように打ち抜きを行った後、この舌片の表面に金
めっき層３を形成し、接合領域を除く表面を絶縁性のポ
リイミド膜１１で被覆する。
ように、また通常のスタンピング法により、放熱性の良
好な銅板を加工し、グランドプレートとしての役割を行
う第１の導電板２と、電源ラインに接続されるパワープ
レートとしての第２の導電板４とを形成する。これらの
第１および第２の導電板２，４に対しては、舌片４Ｔを
有するように打ち抜きを行った後、この舌片の表面に金
めっき層３を形成し、接合領域を除く表面を絶縁性のポ
リイミド膜１１で被覆する。
【００２４】そして、第２図(d) に示すように、第１の
導電板２の中央部に半導体チップ１を接着剤を介して固
着すると共に、第１の導電板、第２の導電板、リードフ
レーム本体５を順次積層し、前記第１および第２の導電
板の舌片を、リードフレーム本体５のインナーリードの
金バンプ３Ｐに熱圧着することにより電気的に接続す
る。熱圧着の温度は４００〜６００℃とする。
導電板２の中央部に半導体チップ１を接着剤を介して固
着すると共に、第１の導電板、第２の導電板、リードフ
レーム本体５を順次積層し、前記第１および第２の導電
板の舌片を、リードフレーム本体５のインナーリードの
金バンプ３Ｐに熱圧着することにより電気的に接続す
る。熱圧着の温度は４００〜６００℃とする。
【００２５】この後、ワイヤボンディングを行い、樹脂
封止を行って、第１図に示したようなデバイスが完成す
る。
封止を行って、第１図に示したようなデバイスが完成す
る。
【００２６】このようにして形成されたデバイスは、リ
ードと導電性プレートとがリードにめっきによって形成
された金バンプ３Ｐを介して溶接され溶接作業が容易で
あり、剥がれもなく、低コストで高精度の接続を確実に
行うことが可能となる。
ードと導電性プレートとがリードにめっきによって形成
された金バンプ３Ｐを介して溶接され溶接作業が容易で
あり、剥がれもなく、低コストで高精度の接続を確実に
行うことが可能となる。
【００２７】なお前記実施例では、接合領域のインナー
リードに金バンプを形成するようにしたが、導電板側に
バンプを形成しても良くまた、Ｎｉめっきに限定される
ことなくＡｇめっき層、Ｐｄめっき層、Ｓｎめっき層な
ど他の金属めっき層を用いてもよい。またバンプの形成
はめっき法に限定されることなく、接着法などを用いて
もよい。
リードに金バンプを形成するようにしたが、導電板側に
バンプを形成しても良くまた、Ｎｉめっきに限定される
ことなくＡｇめっき層、Ｐｄめっき層、Ｓｎめっき層な
ど他の金属めっき層を用いてもよい。またバンプの形成
はめっき法に限定されることなく、接着法などを用いて
もよい。
【００２８】また前記実施例では、パワープレートや接
地プレートは、一枚の導電性の板状体で構成したが、フ
ィルムキャリア等の絶縁性基板上に所望のパターンを形
成することによって行っても良い。このとき信号線およ
びグランド線のパターンは、スパッタリングおよび電解
めっきによって形成された銅薄膜をフォトリソ法により
パターニングして形成する方法、樹脂フィルム表面に表
面処理を行った後、薄い銅箔を直接圧着したり、接着剤
を介して固着したりして銅薄膜を形成した後パターニン
グしたりまた、薄い銅箔の表面にポリイミド樹脂等の絶
縁性樹脂を塗布しこれを硬化することによって銅薄膜を
形成した後、同様にフォトリソ法によりパターニングす
るなどの方法をとることも可能である。
地プレートは、一枚の導電性の板状体で構成したが、フ
ィルムキャリア等の絶縁性基板上に所望のパターンを形
成することによって行っても良い。このとき信号線およ
びグランド線のパターンは、スパッタリングおよび電解
めっきによって形成された銅薄膜をフォトリソ法により
パターニングして形成する方法、樹脂フィルム表面に表
面処理を行った後、薄い銅箔を直接圧着したり、接着剤
を介して固着したりして銅薄膜を形成した後パターニン
グしたりまた、薄い銅箔の表面にポリイミド樹脂等の絶
縁性樹脂を塗布しこれを硬化することによって銅薄膜を
形成した後、同様にフォトリソ法によりパターニングす
るなどの方法をとることも可能である。
【００２９】実施例２ 次に本発明の第２の実施例として、グランドプレートお
よび電源プレートを銅箔で構成したものについて説明す
る。
よび電源プレートを銅箔で構成したものについて説明す
る。
【００３０】このリードフレームは、第１および第２の
導電板が銅箔で構成されており、これらとの接合領域の
リードフレーム本体に金バンプ層３Ｐが形成されている
ことを特徴とするものである。
導電板が銅箔で構成されており、これらとの接合領域の
リードフレーム本体に金バンプ層３Ｐが形成されている
ことを特徴とするものである。
【００３１】すなわち第３図に示すように、半導体チッ
プ１を載置すると共にグランドプレートとしての役割を
担う厚さ０．０２〜０．１μm 程度の銅箔からなる第１
の導電板２２と、この上層に絶縁層１１を介して積層さ
れ、電源ラインに接続されるパワープレートとしての厚
さ０．０２〜０．１μm 程度の銅箔からなる第２の導電
板２４と、さらにこの上層に絶縁層１１を介して積層さ
れ、前記第１の導電板２の半導体チップ搭載部を囲むよ
うに複数のインナーリードを配設してなるリードフレー
ム本体５とから構成されている。
プ１を載置すると共にグランドプレートとしての役割を
担う厚さ０．０２〜０．１μm 程度の銅箔からなる第１
の導電板２２と、この上層に絶縁層１１を介して積層さ
れ、電源ラインに接続されるパワープレートとしての厚
さ０．０２〜０．１μm 程度の銅箔からなる第２の導電
板２４と、さらにこの上層に絶縁層１１を介して積層さ
れ、前記第１の導電板２の半導体チップ搭載部を囲むよ
うに複数のインナーリードを配設してなるリードフレー
ム本体５とから構成されている。
【００３２】他部については前記実施例１と同様に形成
されている。
されている。
【００３３】このようにして形成されたデバイスは、実
施例１の効果に加えて、導電性プレートが可撓性の銅箔
にポリイミドフィルムを貼着して形成されているため、
歪みや剥がれを生じたりすること無く良好にリードとの
接続を達成する事ができるうえ、低抵抗であるため、イ
ンダクタンスの低減をはかることができる。
施例１の効果に加えて、導電性プレートが可撓性の銅箔
にポリイミドフィルムを貼着して形成されているため、
歪みや剥がれを生じたりすること無く良好にリードとの
接続を達成する事ができるうえ、低抵抗であるため、イ
ンダクタンスの低減をはかることができる。
【００３４】なお前記実施例２では、パワープレートや
接地プレートは、ポリイミドフィルムに銅箔を貼着して
打ち抜きを行うことによって形成したが、フィルムキャ
リア等の絶縁性基板上に銅箔を貼着したのちエッチング
によって選択的に銅箔を除去し所望のパターンを形成す
るようにしても良い。また、インナーリードとの接合領
域にのみ厚くなるように銅箔を形成しておき、この上層
に金等の貴金属めっきを行うようにしてバンプを形成し
ても良い。この場合はリードフレーム本体のバンプは不
要となる。
接地プレートは、ポリイミドフィルムに銅箔を貼着して
打ち抜きを行うことによって形成したが、フィルムキャ
リア等の絶縁性基板上に銅箔を貼着したのちエッチング
によって選択的に銅箔を除去し所望のパターンを形成す
るようにしても良い。また、インナーリードとの接合領
域にのみ厚くなるように銅箔を形成しておき、この上層
に金等の貴金属めっきを行うようにしてバンプを形成し
ても良い。この場合はリードフレーム本体のバンプは不
要となる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、複数のインナーリードを配列してなるリードフレー
ム本体上に絶縁層を介して少なくとも１つの導電性プレ
ートを積層し電気的接続を行うに際し、導電性プレート
およびリードフレーム本体の対応する領域に貴金属めっ
き層を形成するとともにいずれかの側にバンプを形成し
このバンプを介して熱圧着を行うようにしているため、
接合が容易でかつ極めて強固で確実な電気的接続が可能
となり、低コストで信頼性の高いリードフレームを得る
ことができる。
ば、複数のインナーリードを配列してなるリードフレー
ム本体上に絶縁層を介して少なくとも１つの導電性プレ
ートを積層し電気的接続を行うに際し、導電性プレート
およびリードフレーム本体の対応する領域に貴金属めっ
き層を形成するとともにいずれかの側にバンプを形成し
このバンプを介して熱圧着を行うようにしているため、
接合が容易でかつ極めて強固で確実な電気的接続が可能
となり、低コストで信頼性の高いリードフレームを得る
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施例の方法で形成されたリー
ドフレームを用いた半導体装置を示す図
ドフレームを用いた半導体装置を示す図
【図２】同半導体装置の製造工程図
【図３】本発明の第２の実施例の方法で形成されたリー
ドフレームを用いた半導体装置を示す図
ドフレームを用いた半導体装置を示す図
【図４】従来例の半導体装置を示す図である。
１ 半導体チップ ２ 第１の導電板 ３Ｐ バンプ ３ 金めっき層 ４ 第２の導電板 ５ リードフレーム本体 Ｐ 封止樹脂 ａ 半導体チップ載置領域 ６ インナ−リ−ド ７ アウターリード ８ タイバー ９ サイドバー Ｔ 舌片 １１ ポリイミド膜。
Claims (4)
- 【請求項１】 導電性プレートと、 前記導電性プレート上に絶縁層を介して積層され、半導
体チップの周縁に先端がくるように、複数のリ−ドを表
面に配設したリードフレーム本体とを具備したリードフ
レームにおいて、 前記導電性プレートとリードフレーム本体のリードの対
応する少なくとも１つの領域が金属めっきによって形成
されたバンプを介して接合されていることを特徴とする
リードフレーム。 - 【請求項２】 導電性プレートを形成する導電性プレー
ト形成工程と、 前記導電性プレート上に絶縁層を介して積層され、半導
体チップの周縁に先端がくるように、複数のリ−ドを表
面に配設したリードフレーム本体を形成するリードフレ
ーム本体形成工程と、 前記導電性プレートおよびリードフレーム本体のリード
の対応する領域のいずれか一方に金属めっき法によりバ
ンプを形成するめっき工程と、 前記導電性プレートおよび前記リードフレーム本体を前
記バンプを介して熱圧着させ、前記導電性プレートを、
前記リードフレーム本体の少なくとも１つのリードに接
続するように、前記リードフレーム本体上に積層する組
み立て工程とを含むことを特徴とするリードフレームの
製造方法。 - 【請求項３】 前記バンプおよび前記導電性プレートお
よびリードフレーム本体のリードの対応する領域を覆う
貴金属めっき層は、金めっき層であることを特徴とする
請求項２記載のリードフレームの製造方法。 - 【請求項４】 前記めっき工程は、バンプの形成ととも
に両方の前記対応する領域に前記バンプと同一金属のめ
っき層を形成する工程であることを特徴とする請求項２
記載のリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28809091A JP2879629B2 (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28809091A JP2879629B2 (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129514A true JPH05129514A (ja) | 1993-05-25 |
| JP2879629B2 JP2879629B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=17725663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28809091A Expired - Fee Related JP2879629B2 (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2879629B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554886A (en) * | 1994-03-30 | 1996-09-10 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor package with such lead frame |
| US5629559A (en) * | 1993-04-06 | 1997-05-13 | Tokuyama Corporation | Package for semiconductor device |
| US5767570A (en) * | 1993-03-18 | 1998-06-16 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor packages for high I/O semiconductor dies |
-
1991
- 1991-11-01 JP JP28809091A patent/JP2879629B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5767570A (en) * | 1993-03-18 | 1998-06-16 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor packages for high I/O semiconductor dies |
| US5629559A (en) * | 1993-04-06 | 1997-05-13 | Tokuyama Corporation | Package for semiconductor device |
| US5554886A (en) * | 1994-03-30 | 1996-09-10 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Lead frame and semiconductor package with such lead frame |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2879629B2 (ja) | 1999-04-05 |
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