JPH05129461A - 半導体装置用ステム - Google Patents
半導体装置用ステムInfo
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- JPH05129461A JPH05129461A JP3285332A JP28533291A JPH05129461A JP H05129461 A JPH05129461 A JP H05129461A JP 3285332 A JP3285332 A JP 3285332A JP 28533291 A JP28533291 A JP 28533291A JP H05129461 A JPH05129461 A JP H05129461A
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- glass
- metal plate
- contact surface
- flat metal
- plate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01079—Gold [Au]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】キャップ封止やステム固定のための溶接時に発
生する気密不良を低減する。 【構成】封止ガラス３と平板状金属板１の接触面に凹凸
をつける。 【効果】キャップ封止時の気密不良率が５％から０．１
％に改善された。その結果、歩留が向上した。
生する気密不良を低減する。 【構成】封止ガラス３と平板状金属板１の接触面に凹凸
をつける。 【効果】キャップ封止時の気密不良率が５％から０．１
％に改善された。その結果、歩留が向上した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用ステムに
関し、特に個別半導体チップが載置された半導体装置用
ステムに関する。
関し、特に個別半導体チップが載置された半導体装置用
ステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置用ステムで
は、図４に示すように平板状金属板１を切削又はプレス
加工により成型した後、酸等による食刻処理と酸化雰囲
気中での加熱による酸化処理を施したのみで、ガラス３
の軟化、接着によるリード線４の固定と気密封止を行っ
ている。そのため、図４（ｂ）に示すようにガラス３と
の平板状金属板１の接触面の表面は、平板状金属板１の
成型加工時の表面状態が保存されており、Ｒｍａｘが１
０μｍ以下と平滑である。その結果、上面Ａから下面Ｂ
に至る接触面に沿った長さは上面Ａと下面Ｂの間隔にほ
ぼ等しい。
は、図４に示すように平板状金属板１を切削又はプレス
加工により成型した後、酸等による食刻処理と酸化雰囲
気中での加熱による酸化処理を施したのみで、ガラス３
の軟化、接着によるリード線４の固定と気密封止を行っ
ている。そのため、図４（ｂ）に示すようにガラス３と
の平板状金属板１の接触面の表面は、平板状金属板１の
成型加工時の表面状態が保存されており、Ｒｍａｘが１
０μｍ以下と平滑である。その結果、上面Ａから下面Ｂ
に至る接触面に沿った長さは上面Ａと下面Ｂの間隔にほ
ぼ等しい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
用ステムでは、ステムに載置されたチップをキャップで
電気抵抗溶接により封止する際や、ステムをレーザー溶
接等で固定する際にガラス部にクラックが生じ、気密性
が得られなくなるという問題点があった。
用ステムでは、ステムに載置されたチップをキャップで
電気抵抗溶接により封止する際や、ステムをレーザー溶
接等で固定する際にガラス部にクラックが生じ、気密性
が得られなくなるという問題点があった。
【０００４】クラックは溶接時に溶接部で発生した熱が
ガラスと平板状金属板との接触面へ伝導し、昇温により
発生するガラスと平板状金属板の熱膨張に起因した熱応
力が原因である。従ってクラックはガラスと平板状金属
板の接触面に沿って発生する。
ガラスと平板状金属板との接触面へ伝導し、昇温により
発生するガラスと平板状金属板の熱膨張に起因した熱応
力が原因である。従ってクラックはガラスと平板状金属
板の接触面に沿って発生する。
【０００５】従来は、接触面が平滑なため接触面に沿っ
た長さが凹凸を有する場合に比べて小さくなり、クラッ
クがガラス内を貫通し易く、気密が得られにくかった。
た長さが凹凸を有する場合に比べて小さくなり、クラッ
クがガラス内を貫通し易く、気密が得られにくかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用ス
テムは、平板状金属板の成型加工時にガラスと平板状金
属板の接触面に凹凸が同時成型されるか、成型加工後に
追加成型されることで凹凸を有する接触面を備えてい
る。接触面が凹凸を有する場合、接触面に沿った平板状
金属板の上面から下面までの長さは従来に比べて大きく
なる。
テムは、平板状金属板の成型加工時にガラスと平板状金
属板の接触面に凹凸が同時成型されるか、成型加工後に
追加成型されることで凹凸を有する接触面を備えてい
る。接触面が凹凸を有する場合、接触面に沿った平板状
金属板の上面から下面までの長さは従来に比べて大きく
なる。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の半導体装置用ステム
の平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。円板状の平板状
金属板１の中に断面図（ｂ）に示す様な金属板の上面
Ａ，下面Ｂでの直径が上面Ａ，下面Ｂの中間部より大き
く又断面形状が鍵型の穴２がプレス成型されており、そ
の中にガラス３を介してリード線４が平板状金属板に気
密且つ絶縁的に固定されている。
る。図１は本発明の第１の実施例の半導体装置用ステム
の平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。円板状の平板状
金属板１の中に断面図（ｂ）に示す様な金属板の上面
Ａ，下面Ｂでの直径が上面Ａ，下面Ｂの中間部より大き
く又断面形状が鍵型の穴２がプレス成型されており、そ
の中にガラス３を介してリード線４が平板状金属板に気
密且つ絶縁的に固定されている。
【０００８】ガラスは穴２の内壁面のみで平板状金属板
１と接触し、リード線４はガラス２と平板状金属板１の
接触面に囲まれている。接触面に沿った平板状金属板１
の上面Ａから下面Ｂに至る長さは従来の穴が円柱状の場
合（図４）より大きくなる。
１と接触し、リード線４はガラス２と平板状金属板１の
接触面に囲まれている。接触面に沿った平板状金属板１
の上面Ａから下面Ｂに至る長さは従来の穴が円柱状の場
合（図４）より大きくなる。
【０００９】図２は本発明の第２の実施例の半導体装置
用ステムの平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。この実
施例は、平板状金属板１を切削又はプレス加工で成型
後、ドリルで平板状金属板１の中に穴２を形成し、リー
ド線４を第１の実施例（図１）の場合と同様の方法で固
定したものである。ガラス３と平板状金属板１の接触面
にはドリルで穴を成型したときにらせん状の研削跡が形
成される。研削跡の断面形状は断面図（ｂ）に示す様に
凹凸が交互に連らなっており、接触面に沿った上面Ａか
ら下面Ｂに至る長さは従来の穴が円柱状の場合（図４）
より大きくなる。
用ステムの平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。この実
施例は、平板状金属板１を切削又はプレス加工で成型
後、ドリルで平板状金属板１の中に穴２を形成し、リー
ド線４を第１の実施例（図１）の場合と同様の方法で固
定したものである。ガラス３と平板状金属板１の接触面
にはドリルで穴を成型したときにらせん状の研削跡が形
成される。研削跡の断面形状は断面図（ｂ）に示す様に
凹凸が交互に連らなっており、接触面に沿った上面Ａか
ら下面Ｂに至る長さは従来の穴が円柱状の場合（図４）
より大きくなる。
【００１０】実際、第２の実施例の方法を用いて作成し
たステムを使い接触面の表面粗さが異なるステムをキャ
ップと電気抵抗溶接した際の気密不良率は表の様にな
る。この表から、従来の平滑な接触面の場合、気密不良
率は５％であったが、接触面の表面粗さが大きくなり凹
凸が大きくなるに従い、気密不良率は低下し、大幅な改
善効果が得られることがわかる。
たステムを使い接触面の表面粗さが異なるステムをキャ
ップと電気抵抗溶接した際の気密不良率は表の様にな
る。この表から、従来の平滑な接触面の場合、気密不良
率は５％であったが、接触面の表面粗さが大きくなり凹
凸が大きくなるに従い、気密不良率は低下し、大幅な改
善効果が得られることがわかる。
【００１１】
【表１】
【００１２】図３は本発明の第３の実施例の半導体装置
用ステムの平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。この実
施例では、従来と同じプレス加工により平板状金属板１
を成型するが、その後の酸による食刻処理を従来より高
温・長時間実施することで穴２の内壁面に大きい凹凸を
形成する。この場合の表面粗さはＲｍａｘが１０μｍ以
上であり、上面Ａから下面Ｂに至る接触面に沿った長さ
は従来の食刻処理を施した場合（図４）より大きくな
る。
用ステムの平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。この実
施例では、従来と同じプレス加工により平板状金属板１
を成型するが、その後の酸による食刻処理を従来より高
温・長時間実施することで穴２の内壁面に大きい凹凸を
形成する。この場合の表面粗さはＲｍａｘが１０μｍ以
上であり、上面Ａから下面Ｂに至る接触面に沿った長さ
は従来の食刻処理を施した場合（図４）より大きくな
る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ガラスと
平板状金属板の接触面に凹凸を付加することで接触面に
沿った平板状金属板の一平面から相対する一平面までの
長さを従来より大きくしたので、クラックがガラス内を
貫通しにくくなり、気密性が得られ易いという効果を有
する。
平板状金属板の接触面に凹凸を付加することで接触面に
沿った平板状金属板の一平面から相対する一平面までの
長さを従来より大きくしたので、クラックがガラス内を
貫通しにくくなり、気密性が得られ易いという効果を有
する。
【図１】本発明の第１の実施例の平面図（ａ）とＹ−
Ｙ’線断面図（ｂ）である。
Ｙ’線断面図（ｂ）である。
【図２】本発明の第２の実施例の平面図（ａ）とＹ−
Ｙ’線断面図（ｂ）である。
Ｙ’線断面図（ｂ）である。
【図３】本発明の第３の実施例の平面図（ａ）とＹ−
Ｙ’線断面図（ｂ）である。
Ｙ’線断面図（ｂ）である。
【図４】従来の半導体装置用ステムの一例の平面図
（ａ）とＹ−Ｙ’線断面図（ｂ）である。
（ａ）とＹ−Ｙ’線断面図（ｂ）である。
１ 平板状金属板 ２ 穴 ３ ガラス ４ リード線
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップと電気的に接続されたリー
ド線がガラスを介して平板状金属板に気密且つ絶縁的に
固定され、前記ガラスは前記リード線と略平行な面のみ
で前記平板状金属板と接触し、前記リード線は前記ガラ
スと前記平板状金属板の接触面に囲まれた構造を有する
半導体装置用ステムにおいて、平板状金属板の前記接触
面に凹凸を設けたことを特徴とする半導体装置用ステ
ム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3285332A JPH05129461A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 半導体装置用ステム |
| US07/968,156 US5321307A (en) | 1991-10-31 | 1992-10-29 | Hermetically sealed metal stem or header for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3285332A JPH05129461A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 半導体装置用ステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129461A true JPH05129461A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17690181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3285332A Pending JPH05129461A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 半導体装置用ステム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5321307A (ja) |
| JP (1) | JPH05129461A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294258A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Panasonic Corp | 電子チップ搭載用ベースとその製造方法、および電子装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111198A (en) * | 1998-06-15 | 2000-08-29 | Olin Aegis | Duplex feedthrough and method therefor |
| DE20314580U1 (de) | 2003-03-03 | 2004-08-05 | Schott Glas | Metall-Fixiermaterial-Durchführung |
| US8733250B2 (en) * | 2006-01-27 | 2014-05-27 | Schott Ag | Metal-sealing material-feedthrough and utilization of the metal-sealing material feedthrough with an airbag, a belt tensioning device, and an ignition device |
| US10684102B2 (en) | 2010-09-17 | 2020-06-16 | Schott Ag | Method for producing a ring-shaped or plate-like element |
| DE102010045641A1 (de) | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines ring- oder plattenförmigen Elementes |
| WO2012119750A1 (de) | 2011-03-07 | 2012-09-13 | Schott Ag | Glassystem zum hermetischen verbund von cu bauteilen sowie gehäuse für elektronische bauteile |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3436109A (en) * | 1965-12-15 | 1969-04-01 | Corning Glass Works | Stressed hermetic seal and method of making said seal |
| US3970235A (en) * | 1974-05-08 | 1976-07-20 | Rca Corporation | Method of anchoring metallic coated leads to ceramic bodies and lead-ceramic bodies formed thereby |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP3285332A patent/JPH05129461A/ja active Pending
-
1992
- 1992-10-29 US US07/968,156 patent/US5321307A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294258A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Panasonic Corp | 電子チップ搭載用ベースとその製造方法、および電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5321307A (en) | 1994-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971021 |