JPH05128592A - 光情報記録媒体とそれを用いた記録再生装置 - Google Patents
光情報記録媒体とそれを用いた記録再生装置Info
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- JPH05128592A JPH05128592A JP3292888A JP29288891A JPH05128592A JP H05128592 A JPH05128592 A JP H05128592A JP 3292888 A JP3292888 A JP 3292888A JP 29288891 A JP29288891 A JP 29288891A JP H05128592 A JPH05128592 A JP H05128592A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高密度光情報記録媒体の提供。
【構成】基板1上に光吸収層2と記録層3が積層形成さ
れてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層1が記
録または再生光であるレーザー光を透過することにより
該レーザー光の入射前の光強度分布の半値幅内の光とす
る材料により構成されている光情報記録媒体。
れてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層1が記
録または再生光であるレーザー光を透過することにより
該レーザー光の入射前の光強度分布の半値幅内の光とす
る材料により構成されている光情報記録媒体。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光によって情
報を記録、再生する光情報記録媒体に係り、特に、レー
ザー光により高密度記録が可能な光情報記録媒体および
それを用いた光情報記録再生装置に関する。
報を記録、再生する光情報記録媒体に係り、特に、レー
ザー光により高密度記録が可能な光情報記録媒体および
それを用いた光情報記録再生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、光ディスクの高密度記録に光源の
短波長化、または、レンズの開口数を向上してスポット
径を小さくする方法が検討されている。更に、光源のス
ポット径よりも狭い記録ピッチの信号を再生できる光磁
気ディスク〔NIKKEIELECTRONICS 1
991.3.4(No.521)〕、(特願平1−22
9396号公報)が報告されている。
短波長化、または、レンズの開口数を向上してスポット
径を小さくする方法が検討されている。更に、光源のス
ポット径よりも狭い記録ピッチの信号を再生できる光磁
気ディスク〔NIKKEIELECTRONICS 1
991.3.4(No.521)〕、(特願平1−22
9396号公報)が報告されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記光源の短波長化に
は、短波長のレーザー光を発振できる半導体レーザーの
開発が必要である。また、SHG(Second Harmonic
Generation)素子を用いて波長を1/2にすること
が考えられるが、まだ十分に実用となるものは見出され
ていないのが現状である。
は、短波長のレーザー光を発振できる半導体レーザーの
開発が必要である。また、SHG(Second Harmonic
Generation)素子を用いて波長を1/2にすること
が考えられるが、まだ十分に実用となるものは見出され
ていないのが現状である。
【0004】また、レンズの開口数の向上には、新しい
レンズの開発とそれに伴う光学系の開発が必要である。
レンズの開発とそれに伴う光学系の開発が必要である。
【0005】更にまた、光源のスポット径よりも狭い記
録ピッチの信号の再生可能な光磁気ディスクが提案され
ている。このディスクは保磁力の小さな再生層と保磁力
の大きな記録層で構成されており、キュリー温度領域に
昇温して記録され、該記録ピット径をスポット径より小
さくすることができる。再生は、再生前に初期磁界をか
けることにより、検出信号付近の再生層の磁気信号を全
て同一方向に磁化反転させて消去する。記録を消去され
た再生層にレーザーを照射することで、再生層の高温部
のみに記録層から転写された情報信号を検出することに
より、高密度化を図っている。
録ピッチの信号の再生可能な光磁気ディスクが提案され
ている。このディスクは保磁力の小さな再生層と保磁力
の大きな記録層で構成されており、キュリー温度領域に
昇温して記録され、該記録ピット径をスポット径より小
さくすることができる。再生は、再生前に初期磁界をか
けることにより、検出信号付近の再生層の磁気信号を全
て同一方向に磁化反転させて消去する。記録を消去され
た再生層にレーザーを照射することで、再生層の高温部
のみに記録層から転写された情報信号を検出することに
より、高密度化を図っている。
【0006】しかし、前記従来の高密度化の手法は、新
しい装置が必要であり、また、記録ピッチ径をより小さ
くする技術は、光磁気ディスクにしか適用できないとい
う問題があった。
しい装置が必要であり、また、記録ピッチ径をより小さ
くする技術は、光磁気ディスクにしか適用できないとい
う問題があった。
【0007】また、光の強度に依存して吸収係数が変化
する色素、例えば1,3−ジエチル−4,2−キノリオ
キサカルボシアニンアイオダイド(1,3−diethyl−
4,2−quinolyoxacarbocyanineiodide)、3,3’−
ジエチルオキサジカルボシアニンアイオダイド(3,
3’−diethyloxadicarbocyanine iodide)などを用い
ることが知られている。しかし、該色素は光安定性が劣
り、固体膜としての使用も難しいという問題があった。
する色素、例えば1,3−ジエチル−4,2−キノリオ
キサカルボシアニンアイオダイド(1,3−diethyl−
4,2−quinolyoxacarbocyanineiodide)、3,3’−
ジエチルオキサジカルボシアニンアイオダイド(3,
3’−diethyloxadicarbocyanine iodide)などを用い
ることが知られている。しかし、該色素は光安定性が劣
り、固体膜としての使用も難しいという問題があった。
【0008】このように、再生専用型、追記型、あるい
は書換え可能型等の光ディスク全てに、高密度記録を特
殊な装置を使用せず基板構成だけで行うことができる光
情報記録媒体の出現が望まれている。
は書換え可能型等の光ディスク全てに、高密度記録を特
殊な装置を使用せず基板構成だけで行うことができる光
情報記録媒体の出現が望まれている。
【0009】本発明の目的は、光吸収層を設けるだけ
で、光源の波長やレンズの開口数を変えることなしに、
従来よりも高密度記録が可能な光情報記録媒体を提供す
ることにある。
で、光源の波長やレンズの開口数を変えることなしに、
従来よりも高密度記録が可能な光情報記録媒体を提供す
ることにある。
【0010】本発明の他の目的は、上記高密度記録が可
能な光情報記録媒体の製法を提供することにある。
能な光情報記録媒体の製法を提供することにある。
【0011】また、本発明の他の目的は、上記光情報記
録媒体を用いた記録再生装置を提供することにある。
録媒体を用いた記録再生装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、高密度化記録
媒体の前記課題を解決するために種々の検討を重ねた結
果、固体膜として形成でき、光の強度に依存して吸収係
数が変化する色素を見出し、これを基板上に形成するこ
とによって従来のレーザービームの集口径よりも小さい
スポットで記録再生が可能な光情報記録媒体を得ること
ができると云う知見に基づきなされたもので、その要旨
は次のとおりである。
媒体の前記課題を解決するために種々の検討を重ねた結
果、固体膜として形成でき、光の強度に依存して吸収係
数が変化する色素を見出し、これを基板上に形成するこ
とによって従来のレーザービームの集口径よりも小さい
スポットで記録再生が可能な光情報記録媒体を得ること
ができると云う知見に基づきなされたもので、その要旨
は次のとおりである。
【0013】(1)基板上に光吸収層と記録層が積層形
成されてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層が
光の強度に依存して吸収係数が変化し、入射光の回折限
界以下の径で記録ビットが形成し得る材料により構成さ
れていることを特徴とする光情報記録媒体。
成されてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層が
光の強度に依存して吸収係数が変化し、入射光の回折限
界以下の径で記録ビットが形成し得る材料により構成さ
れていることを特徴とする光情報記録媒体。
【0014】(2)基板上に光吸収層と記録層が積層形
成されてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層が
記録または再生光であるレーザー光を透過することによ
り該レーザー光の入射前の光強度分布の半値幅内の光に
し得る材料により構成されている光情報記録媒体。
成されてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層が
記録または再生光であるレーザー光を透過することによ
り該レーザー光の入射前の光強度分布の半値幅内の光に
し得る材料により構成されている光情報記録媒体。
【0015】前記光吸収層は、一般式〔1〕、〔2〕
【0016】
【化3】
【0017】
【化4】
【0018】〔上記式中、M1はSi,Ge,Snから
選ばれるIV族金属原子、Mは遷移原子、Z1,Z2,Z
3およびZ4は無置換または1つ以上の一価の置換基Xを
有するピリジン環、ベンゼン環、ナフタレン環骨格、X
は炭素数1〜20のアルキル基,アルケニル基,アルキ
ルチオ基,芳香族炭化水素基,アシル基,トリ置換シリ
ル基、Y1,Y2は−Ar,−OAr,−OSi(OAr)
3,−OR,−OSi(R)3,−OSi(OR)3、−OC
(C6H5)3(但し、Arはフェニル基,置換フェニル
基,ベンジル基,置換ベンジル基、Rは炭素数1〜20
の直鎖または分岐アルキル基)より選ばれ互いに異なっ
ていてもよい。〕で表されるアザフタロシアニン、フタ
ロシアニンおよびナフタロシアニンの誘導体の少なくと
も2種を含むものである。また、前記一般式〔1〕
〔2〕の配合比は、重量で〔1〕/〔2〕が1以上が好
ましい。
選ばれるIV族金属原子、Mは遷移原子、Z1,Z2,Z
3およびZ4は無置換または1つ以上の一価の置換基Xを
有するピリジン環、ベンゼン環、ナフタレン環骨格、X
は炭素数1〜20のアルキル基,アルケニル基,アルキ
ルチオ基,芳香族炭化水素基,アシル基,トリ置換シリ
ル基、Y1,Y2は−Ar,−OAr,−OSi(OAr)
3,−OR,−OSi(R)3,−OSi(OR)3、−OC
(C6H5)3(但し、Arはフェニル基,置換フェニル
基,ベンジル基,置換ベンジル基、Rは炭素数1〜20
の直鎖または分岐アルキル基)より選ばれ互いに異なっ
ていてもよい。〕で表されるアザフタロシアニン、フタ
ロシアニンおよびナフタロシアニンの誘導体の少なくと
も2種を含むものである。また、前記一般式〔1〕
〔2〕の配合比は、重量で〔1〕/〔2〕が1以上が好
ましい。
【0019】前記記録層として、芳香族または不飽和脂
肪族ジアミン系金属錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジ
チオール系金属錯体、フタロシアニン系錯体、ナフタロ
シアニン系錯体、スクアリウム系色素、ナフトキノン系
錯体、アントラキノン系色素、ポリメチン系色素等の有
機系材料が挙げられる。
肪族ジアミン系金属錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジ
チオール系金属錯体、フタロシアニン系錯体、ナフタロ
シアニン系錯体、スクアリウム系色素、ナフトキノン系
錯体、アントラキノン系色素、ポリメチン系色素等の有
機系材料が挙げられる。
【0020】有機系材料を記録層に用いる際に、溶剤に
よる光吸収層の劣化、または、吸収した光による光吸収
層の変形を防ぐために保護層を設けてもよい。この場合
の保護層材料は有機、無機系材料のいずれでもよい。
よる光吸収層の劣化、または、吸収した光による光吸収
層の変形を防ぐために保護層を設けてもよい。この場合
の保護層材料は有機、無機系材料のいずれでもよい。
【0021】また、前記記録層として、Te−Se合
金、Te−C薄膜、Pb−Te−Se系、CS2−Te
薄膜、Sb2Se3/Bi2Te3薄膜、酸化物、硫化物系
(例えば、TeO2,GeO2,Sb2O3,MoO3)、
Gd,Tb,Dyなどの希土類金属とFe,Co,Ni
の遷移金属を組み合わせたアモルファス磁性膜、InS
bTe合金,GeSbTe合金等の無機系材料が挙げら
れる。
金、Te−C薄膜、Pb−Te−Se系、CS2−Te
薄膜、Sb2Se3/Bi2Te3薄膜、酸化物、硫化物系
(例えば、TeO2,GeO2,Sb2O3,MoO3)、
Gd,Tb,Dyなどの希土類金属とFe,Co,Ni
の遷移金属を組み合わせたアモルファス磁性膜、InS
bTe合金,GeSbTe合金等の無機系材料が挙げら
れる。
【0022】無機系材料を記録媒体に用いるときには、
光吸収層と記録層との密着性を向上させるために、密着
層を設けてもよい。該密着層としては水溶性ポリマが用
いられる。
光吸収層と記録層との密着性を向上させるために、密着
層を設けてもよい。該密着層としては水溶性ポリマが用
いられる。
【0023】前記基板としては、塩化ビニル樹脂、アク
リル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂
ポリビニルアセタール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
ビニルエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエーテル
スルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、エポ
キシ樹脂、アリル樹脂ポリイミド、ポリアミド樹脂など
の熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂、あるいはシリコー
ン樹脂、ホスファゼン樹脂などの無機系重合体、あるい
はガラス、SiO2、Si3N4、金属などを用いること
ができる。これらはフィルム状、シート状等目的に応じ
て任意の形状に成形することができる。また、基板面は
平面、鏡面あるいは案内溝パターン(プリグルーブ)の
刻まれたものであってもよい。
リル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂
ポリビニルアセタール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
ビニルエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエーテル
スルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、エポ
キシ樹脂、アリル樹脂ポリイミド、ポリアミド樹脂など
の熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂、あるいはシリコー
ン樹脂、ホスファゼン樹脂などの無機系重合体、あるい
はガラス、SiO2、Si3N4、金属などを用いること
ができる。これらはフィルム状、シート状等目的に応じ
て任意の形状に成形することができる。また、基板面は
平面、鏡面あるいは案内溝パターン(プリグルーブ)の
刻まれたものであってもよい。
【0024】上記基板として透明なものでは、信号の書
込み、読出しを行う際の光の透過率が85%以上で光学
的異方性の少ないものが望ましい。
込み、読出しを行う際の光の透過率が85%以上で光学
的異方性の少ないものが望ましい。
【0025】本発明において、有機系材料で光吸収層お
よび記録層を形成する方法は、通常のスピンコート、ス
プレーコートあるいは浸漬コートにより形成できる。前
記光吸収層は、前記一般式〔1〕〔2〕で示す誘導体の
0.1〜5重量%の溶液を用い1000〜5000rp
mでスピンコートして、次いで溶媒を蒸発させる方法が
好ましい。
よび記録層を形成する方法は、通常のスピンコート、ス
プレーコートあるいは浸漬コートにより形成できる。前
記光吸収層は、前記一般式〔1〕〔2〕で示す誘導体の
0.1〜5重量%の溶液を用い1000〜5000rp
mでスピンコートして、次いで溶媒を蒸発させる方法が
好ましい。
【0026】前記溶媒としては、芳香族系、ハロゲン系
溶媒の他にケトン系、エーテル系、飽和炭化水素系の溶
媒あるいはこれらの混合溶媒が用いられる。特に、四塩
化炭素、メチルシクロヘキサン、トルエンの混合系が好
ましい。
溶媒の他にケトン系、エーテル系、飽和炭化水素系の溶
媒あるいはこれらの混合溶媒が用いられる。特に、四塩
化炭素、メチルシクロヘキサン、トルエンの混合系が好
ましい。
【0027】また、バインダーを用いてもよい。該バイ
ンダーとしては、イミド、アミド、スチレン、アクリ
ル、シリコーン、エポキシ、フェノール等の高分子重合
体が用いられる。
ンダーとしては、イミド、アミド、スチレン、アクリ
ル、シリコーン、エポキシ、フェノール等の高分子重合
体が用いられる。
【0028】基板上に形成する光吸収層の膜厚は0.1
〜1000nmであればよい。しかし、光が光吸収層を
通ることで過剰にエネルギーが減衰しない膜厚が望まし
い。こうした膜厚としては1〜50nmがよい。また、
前記光吸収層の透過率は50〜80%、好ましくは65
〜75%である。
〜1000nmであればよい。しかし、光が光吸収層を
通ることで過剰にエネルギーが減衰しない膜厚が望まし
い。こうした膜厚としては1〜50nmがよい。また、
前記光吸収層の透過率は50〜80%、好ましくは65
〜75%である。
【0029】更に光吸収層の上に形成する記録層は膜厚
20〜500nmの範囲であればよい。しかし、レーザ
ー波長に対し、該記録層の吸収波長が僅かにずれる化合
物を含有する光情報記録媒体では、膜厚による反射率の
干渉効果が大きい。従って、反射率が大きくなる膜厚領
域を用いるのがよい。好ましくは反射率が大きく、吸収
率が小さい第1干渉膜厚領域の30〜80nmがよい。
20〜500nmの範囲であればよい。しかし、レーザ
ー波長に対し、該記録層の吸収波長が僅かにずれる化合
物を含有する光情報記録媒体では、膜厚による反射率の
干渉効果が大きい。従って、反射率が大きくなる膜厚領
域を用いるのがよい。好ましくは反射率が大きく、吸収
率が小さい第1干渉膜厚領域の30〜80nmがよい。
【0030】こうして作製した、本発明の光情報記録媒
体は、レーザー光線を照射することにより照射部分が溶
融、昇華または相変化し、磁性膜でのスピン反転により
ピットが形成され情報の記録が行われる。該レーザーパ
ワーは記録層上で2〜20mWが好ましい。また、再生
時には、記録層に損傷を与えない低レベルのものが好ま
しく、少なくとも105回の再生に対してもピット形状
に影響を及ぼさないレーザーパワーであることが望まし
い。こうしたレーザーパワーとしては記録層上で0.5
〜1.5mWが好ましい。
体は、レーザー光線を照射することにより照射部分が溶
融、昇華または相変化し、磁性膜でのスピン反転により
ピットが形成され情報の記録が行われる。該レーザーパ
ワーは記録層上で2〜20mWが好ましい。また、再生
時には、記録層に損傷を与えない低レベルのものが好ま
しく、少なくとも105回の再生に対してもピット形状
に影響を及ぼさないレーザーパワーであることが望まし
い。こうしたレーザーパワーとしては記録層上で0.5
〜1.5mWが好ましい。
【0031】上記レーザー光は、記録層の吸収波長に応
じてN2、He−Ne、Ar、色素、半導体等の各レー
ザー光から選択する。また、光吸収層の化合物も使用さ
れるレーザー光の波長に応じて選択することができる。
じてN2、He−Ne、Ar、色素、半導体等の各レー
ザー光から選択する。また、光吸収層の化合物も使用さ
れるレーザー光の波長に応じて選択することができる。
【0032】本発明は、前記一般式〔1〕、〔2〕で示
される誘導体を用いたことにより、従来溶液状態で用い
られていた光吸収層を固体膜として形成することができ
る。本発明の光情報記録媒体はコンパクトディスク、ビ
デオディスク、光記録カード、レーザービームプリンタ
用感光体などに用いることができる。
される誘導体を用いたことにより、従来溶液状態で用い
られていた光吸収層を固体膜として形成することができ
る。本発明の光情報記録媒体はコンパクトディスク、ビ
デオディスク、光記録カード、レーザービームプリンタ
用感光体などに用いることができる。
【0033】
【作用】本発明が、光源のスポット径よりも小さな記録
ビットで記録、再生ができるのは、レーザー光が光吸収
層を通るとフォトンが多いレーザー光の中心部分だけが
記録層まで到達し、その部分の光だけで記録、再生が行
われるためである。例えば、光吸収層を透過したレーザ
ー光のスポット径は約0.6μm(波長830nm、レ
ンズ開口数0.52)程度とすることができ、従来の光
学系を用いた光情報記録媒体の約3倍の線密度の記録が
可能である。
ビットで記録、再生ができるのは、レーザー光が光吸収
層を通るとフォトンが多いレーザー光の中心部分だけが
記録層まで到達し、その部分の光だけで記録、再生が行
われるためである。例えば、光吸収層を透過したレーザ
ー光のスポット径は約0.6μm(波長830nm、レ
ンズ開口数0.52)程度とすることができ、従来の光
学系を用いた光情報記録媒体の約3倍の線密度の記録が
可能である。
【0034】
〔実施例1〕ビス(トリブチルシロキシ)シリコン−テ
トラ(トリメチルシリル)ナフタロシアニンと銅テトラ
−ブチルナフタロシアニンとを、重量比1:0.4で四
塩化炭素に溶解し、0.3重量%の溶液を作成した。こ
の溶液を直径5.25インチのポリカーボネート基板
(厚さ1.2mm)1上にスピンコート法で塗布し、恒
温槽中で90℃,1時間乾燥して光吸収層2を形成し
た。この光吸収層2の光透過率は波長830nmで72
%であった。
トラ(トリメチルシリル)ナフタロシアニンと銅テトラ
−ブチルナフタロシアニンとを、重量比1:0.4で四
塩化炭素に溶解し、0.3重量%の溶液を作成した。こ
の溶液を直径5.25インチのポリカーボネート基板
(厚さ1.2mm)1上にスピンコート法で塗布し、恒
温槽中で90℃,1時間乾燥して光吸収層2を形成し
た。この光吸収層2の光透過率は波長830nmで72
%であった。
【0035】このディスク11を図2に示すように、半
導体レーザー4からのレーザー光をコリメーターレンズ
5、整形プリズム6、1/4波長板9、対物レンズ10
を通して前記光吸収層2を設けたディスク11に照射
し、反射光を偏光ビームスプリッター7を介してディテ
クター8で計測し、光の強度分布を測定した。波長83
0nm,レンズ開口数:0.52で、小野測器製光ピッ
クアップチェッカーLE−100/200により光の強
度分布を測定した。
導体レーザー4からのレーザー光をコリメーターレンズ
5、整形プリズム6、1/4波長板9、対物レンズ10
を通して前記光吸収層2を設けたディスク11に照射
し、反射光を偏光ビームスプリッター7を介してディテ
クター8で計測し、光の強度分布を測定した。波長83
0nm,レンズ開口数:0.52で、小野測器製光ピッ
クアップチェッカーLE−100/200により光の強
度分布を測定した。
【0036】レーザー光強度はガウス分布し、そのスポ
ット径は0.6μmであった。この値は下記の数式
(1)で与えられるスポット径の値(1.6μm)より
小さい。前記光吸収層を透過することによりスポット径
が小さくなることを確認した。
ット径は0.6μmであった。この値は下記の数式
(1)で与えられるスポット径の値(1.6μm)より
小さい。前記光吸収層を透過することによりスポット径
が小さくなることを確認した。
【0037】
【数1】
【0038】〔比較例1〕直径5.25インチのポリカ
ーボネート基板だけを実施例1と同様にして前記レーザ
ー光の強度分布を測定した。レーザー光の強度はガウス
分布しているが、そのスポット径は1.6μmであり、
前記数式(1)の回折限界で予想された値であった。
ーボネート基板だけを実施例1と同様にして前記レーザ
ー光の強度分布を測定した。レーザー光の強度はガウス
分布しているが、そのスポット径は1.6μmであり、
前記数式(1)の回折限界で予想された値であった。
【0039】〔実施例2〕実施例1と同じくポリカーボ
ネート基板1上に、ビス(トリヘキシルシロキシ)シリ
コン−テトラ(トリメチルシリル)フタロシアニンと銅
−テトラブチルフタロシアニンとを、重量比1:0.4
で四塩化炭素に溶解した0.3重量%の溶液を実施例1
と同様にスピンコート法で塗布し、ディスク11を作製
した。この光吸収層の光透過率は波長670nmで68
%であった。
ネート基板1上に、ビス(トリヘキシルシロキシ)シリ
コン−テトラ(トリメチルシリル)フタロシアニンと銅
−テトラブチルフタロシアニンとを、重量比1:0.4
で四塩化炭素に溶解した0.3重量%の溶液を実施例1
と同様にスピンコート法で塗布し、ディスク11を作製
した。この光吸収層の光透過率は波長670nmで68
%であった。
【0040】このディスク11の半導体レーザー波長:
670nm,レンズ開口数:0.55における強度分布
を測定した。レーザー光強度はガウス分布し、そのスポ
ット径は0.4μmであった。この値は、上記の式
(1)で与えられるスポット径の値(1.2μm)より
小さく、光吸収層を透過することによりスポット径が小
さくなることを確認した。
670nm,レンズ開口数:0.55における強度分布
を測定した。レーザー光強度はガウス分布し、そのスポ
ット径は0.4μmであった。この値は、上記の式
(1)で与えられるスポット径の値(1.2μm)より
小さく、光吸収層を透過することによりスポット径が小
さくなることを確認した。
【0041】〔比較例2〕直径5.25インチのポリカ
ーボネート基板だけを実施例2と同様にして、前記レー
ザー光の強度分布を測定した。レーザー光の強度はガウ
ス分布しているが、そのスポット径は1.2μmと回折
限界で予想される値が得られた。
ーボネート基板だけを実施例2と同様にして、前記レー
ザー光の強度分布を測定した。レーザー光の強度はガウ
ス分布しているが、そのスポット径は1.2μmと回折
限界で予想される値が得られた。
【0042】〔実施例3〕実施例1と同じくポリカーボ
ネート基板1上に、ビス(トリヘキシルシロキシ)シリ
コン−テトラ(トリメチルシリル)ナフタロシアニンと
銅−テトラブチルナフタロシアニンとを、重量比1:
0.4で四塩化炭素に溶解した0.3重量%の溶液をス
ピンコート法で塗布し、ディスクを作製した。この光吸
収層の光透過率は波長830nmで72%であった。
ネート基板1上に、ビス(トリヘキシルシロキシ)シリ
コン−テトラ(トリメチルシリル)ナフタロシアニンと
銅−テトラブチルナフタロシアニンとを、重量比1:
0.4で四塩化炭素に溶解した0.3重量%の溶液をス
ピンコート法で塗布し、ディスクを作製した。この光吸
収層の光透過率は波長830nmで72%であった。
【0043】このディスク11に情報記録層3として、
スパッタ法で膜厚40nmのTeSe合金層を形成し、
光情報記録媒体とした。該光情報記録媒体を用い実施例
1と同じ光学系を用いて、線速度8m/s、書き込みレ
ーザーパワー9mW,再生光1mWでC/N(シグナル
/ノイズ)の記録周波数依存性を測定した。その結果を
図3に示す。
スパッタ法で膜厚40nmのTeSe合金層を形成し、
光情報記録媒体とした。該光情報記録媒体を用い実施例
1と同じ光学系を用いて、線速度8m/s、書き込みレ
ーザーパワー9mW,再生光1mWでC/N(シグナル
/ノイズ)の記録周波数依存性を測定した。その結果を
図3に示す。
【0044】〔比較例3〕実施例3の光吸収層のみがな
い光情報記録媒体を作成し、実施例3と同じ光学系を用
いC/Nの記録周波数依存性を測定した。その結果を図
3に示す。
い光情報記録媒体を作成し、実施例3と同じ光学系を用
いC/Nの記録周波数依存性を測定した。その結果を図
3に示す。
【0045】前記線速度、記録周波数から求めた記録ピ
ット長が0.8μm以下では、C/Nが低下して行くこ
とが分かる。
ット長が0.8μm以下では、C/Nが低下して行くこ
とが分かる。
【0046】〔実施例4〕実施例1と同じくポリカーボ
ネート基板1上に、ビス(トリヘキシルシロキシ)シリ
コン−テトラ(トリメチルシリル)ナフタロシアニンと
銅−テトラブチルナフタロシアニンとを、重量比1:
0.4で四塩化炭素に溶解した0.3重量%の溶液をス
ピンコート法で塗布し、ディスク11を作製した。この
光吸収層の光透過率は波長830nmで72%であっ
た。
ネート基板1上に、ビス(トリヘキシルシロキシ)シリ
コン−テトラ(トリメチルシリル)ナフタロシアニンと
銅−テトラブチルナフタロシアニンとを、重量比1:
0.4で四塩化炭素に溶解した0.3重量%の溶液をス
ピンコート法で塗布し、ディスク11を作製した。この
光吸収層の光透過率は波長830nmで72%であっ
た。
【0047】その上に2重量%ポリビニルアルコール水
溶液をスピンコート法で塗布し、厚さ約1400Åのポ
リビニルアルコールの均一な層を形成した。これにNK
2014(日本感光色素製)を1,2−ジクロロエタン
に溶解した溶液を用いてスピンコート法で情報記録層3
を成膜した。
溶液をスピンコート法で塗布し、厚さ約1400Åのポ
リビニルアルコールの均一な層を形成した。これにNK
2014(日本感光色素製)を1,2−ジクロロエタン
に溶解した溶液を用いてスピンコート法で情報記録層3
を成膜した。
【0048】このディスク11を用い実施例1と同様の
光学系を用いて、線速度8m/s、書き込みレーザーパ
ワー9mW,再生光1mWでC/Nの記録周波数依存性
を測定した。その結果を図4に示す。
光学系を用いて、線速度8m/s、書き込みレーザーパ
ワー9mW,再生光1mWでC/Nの記録周波数依存性
を測定した。その結果を図4に示す。
【0049】〔比較例4〕実施例4の光吸収層2のみが
ない光情報記録媒体を作成し、実施例4と同様に光学系
を用いC/Nの記録周波数依存性を測定した。その結果
を図4に示す。ピット長が0.8μm以下では、C/N
が低下して行くことが分かる。
ない光情報記録媒体を作成し、実施例4と同様に光学系
を用いC/Nの記録周波数依存性を測定した。その結果
を図4に示す。ピット長が0.8μm以下では、C/N
が低下して行くことが分かる。
【0050】〔実施例5〕実施例1と同じくポリカーボ
ネート基板1上に、ビス(トリヘキシルシロキシ)シリ
コン−テトラ(トリメチルシリル)フタロシアニンと銅
−テトラブチルフタロシアニンとを、重量比1:0.4
で四塩化炭素に溶解した0.3重量%の溶液をスピンコ
ート法で塗布し、ディスク22を作製した。この光吸収
層の光透過率は波長830nmで72%であった。
ネート基板1上に、ビス(トリヘキシルシロキシ)シリ
コン−テトラ(トリメチルシリル)フタロシアニンと銅
−テトラブチルフタロシアニンとを、重量比1:0.4
で四塩化炭素に溶解した0.3重量%の溶液をスピンコ
ート法で塗布し、ディスク22を作製した。この光吸収
層の光透過率は波長830nmで72%であった。
【0051】その上にSiN,TbFeCo合金,Si
N,Alを順次スパッタ法で積層して情報記録層3を成
膜した。
N,Alを順次スパッタ法で積層して情報記録層3を成
膜した。
【0052】このディスク22を用いて図5に示す光学
系を用いて、線速度8m/s、書き込みレーザーパワー
9mW,再生光1mWでC/Nの記録周波数依存性を測
定した。その結果を図6に示す。
系を用いて、線速度8m/s、書き込みレーザーパワー
9mW,再生光1mWでC/Nの記録周波数依存性を測
定した。その結果を図6に示す。
【0053】なお、図5では、半導体レーザー12から
のレーザー光をコリメータレンズ13、成形プリズム1
4、偏光ビームスプリッター15、対物レンズ16を通
して、前記光吸収層2を設けたディスク22に照射し、
反射光を偏光ビームスプリッター15、臨界角プリズム
18を介してディテクター17で検出し、フォーカス、
トラッキングをとる。また、偏光ビームスプリッター1
5、偏光子19、集光レンズ20を介して、光磁気信号
を検出器21でディテクトした。
のレーザー光をコリメータレンズ13、成形プリズム1
4、偏光ビームスプリッター15、対物レンズ16を通
して、前記光吸収層2を設けたディスク22に照射し、
反射光を偏光ビームスプリッター15、臨界角プリズム
18を介してディテクター17で検出し、フォーカス、
トラッキングをとる。また、偏光ビームスプリッター1
5、偏光子19、集光レンズ20を介して、光磁気信号
を検出器21でディテクトした。
【0054】〔比較例5〕実施例5の光吸収層のみがな
い光情報記録媒体を作成し、実施例5と同様に光学系を
用いC/Nの記録周波数依存性を測定した。その結果を
図6に示す。ピット長が0.8μm以下では、C/Nが
低下して行くことが分かる。
い光情報記録媒体を作成し、実施例5と同様に光学系を
用いC/Nの記録周波数依存性を測定した。その結果を
図6に示す。ピット長が0.8μm以下では、C/Nが
低下して行くことが分かる。
【0055】なお、本発明の光情報記録媒体(光ディス
ク)を用いた記録再生装置の概略構成の一例を図7に示
した。
ク)を用いた記録再生装置の概略構成の一例を図7に示
した。
【0056】レーザー発振器を具備した光ヘッドと、該
光ヘッドからのレーザーにより情報を記録再生する光デ
ィスクと、該記録媒体を回転させるモータと、前記光ヘ
ッドの動作およびモータとを制御するドライブ回路と、
該ドライブ回路に指令を与えるプロセッサと、該プロセ
ッサに情報を入力する入力手段と出力する出力手段トを
少なくとも備えた光情報記録再生装置によって記録再生
を行うことができる。
光ヘッドからのレーザーにより情報を記録再生する光デ
ィスクと、該記録媒体を回転させるモータと、前記光ヘ
ッドの動作およびモータとを制御するドライブ回路と、
該ドライブ回路に指令を与えるプロセッサと、該プロセ
ッサに情報を入力する入力手段と出力する出力手段トを
少なくとも備えた光情報記録再生装置によって記録再生
を行うことができる。
【0057】
【発明の効果】本発明は光情報記録媒体に光吸収層を設
けたことにより、レーザー光の回折限界よりも小さなス
ポット径で書き込み,消去(記録、再生)ができる高密
度光情報記録媒体を得ることができる。また、該光吸収
層は光安定性に優れている。
けたことにより、レーザー光の回折限界よりも小さなス
ポット径で書き込み,消去(記録、再生)ができる高密
度光情報記録媒体を得ることができる。また、該光吸収
層は光安定性に優れている。
【図1】本発明の光情報記録媒体の基板構成図である。
【図2】波長830nmの半導体レーザーを用いた光学
系の構成概略図である。
系の構成概略図である。
【図3】無機系情報記録層を有する光情報記録媒体のC
/Nの記録周波数依存性を示すグラフである。
/Nの記録周波数依存性を示すグラフである。
【図4】有機系情報記録層を有する光情報記録媒体のC
/Nの記録周波数依存性を示すグラフである。
/Nの記録周波数依存性を示すグラフである。
【図5】波長670nmの半導体レーザーを用いた光学
系の構成概略図である。
系の構成概略図である。
【図6】光磁気光情報記録媒体のC/Nの記録周波数依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図7】本発明の光情報記録媒体に情報を記録再生する
記録再生装置の概略構成を示すブロック図である。
記録再生装置の概略構成を示すブロック図である。
1…基板、2…光吸収層、3…情報記録層、4,12…
半導体レーザー、5,13…コリメーターレンズ、6,
14,18…プリズム、7,15…偏光ビームスプリッ
ター、8,17…ディテクター、9…1/4波長板、1
0,16…対物レンズ、11,22…ディスク、19…
偏光子、20…集光レンズ、21…検出器。
半導体レーザー、5,13…コリメーターレンズ、6,
14,18…プリズム、7,15…偏光ビームスプリッ
ター、8,17…ディテクター、9…1/4波長板、1
0,16…対物レンズ、11,22…ディスク、19…
偏光子、20…集光レンズ、21…検出器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大原 周一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内
Claims (9)
- 【請求項1】 基板上に光吸収層と記録層が積層形成さ
れてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層が光の
強度に依存して吸収係数が変化し、入射光の回折限界以
下の径で記録ビットが形成し得る材料により構成されて
いることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項2】 基板上に光吸収層と記録層が積層形成さ
れてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層が記録
または再生光であるレーザー光を透過することにより該
レーザー光の入射前の光強度分布の半値幅内の光にし得
る材料により構成されていることを特徴とする光情報記
録媒体。 - 【請求項3】 前記光吸収層が一般式〔1〕、〔2〕 【化1】 【化2】 〔上記式中、M1はSi,Ge,Snから選ばれるIV
族金属原子、Mは遷移原子、Z1,Z2,Z3およびZ4は
無置換または1つ以上の一価の置換基Xを有するピリジ
ン環、ベンゼン環、ナフタレン環骨格、Xは炭素数1〜
20のアルキル基,アルケニル基,アルキルチオ基,芳
香族炭化水素基,アシル基,トリ置換シリル基、Y1,
Y2は−Ar,−OAr,−OSi(OAr)3,−OR,
−OSi(R)3,−OSi(OR)3、−OC(C6H5)
3(但し、Arはフェニル基,置換フェニル基,ベンジ
ル基,置換ベンジル基、Rは炭素数1〜20の直鎖また
は分岐アルキル基)より選ばれ互いに異なっていてもよ
い。〕で表されるアザフタロシアニン、フタロシアニン
およびナフタロシアニンの誘導体の少なくとも2種を含
むことを特徴とする請求項1または2に記載の光情報記
録媒体。 - 【請求項4】 前記光吸収層が前記一般式〔1〕、
〔2〕で表されるアザフタロシアニン、フタロシアニン
およびナフタロシアニンの誘導体の少なくとも2種を含
み、前記〔1〕/〔2〕の配合比が1以上であることを
特徴とする請求項3に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項5】前記記録層が有機系材料または無機系材料
からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記
載の光情報記録媒体。 - 【請求項6】 基板上に光吸収層を形成し、該光吸収層
上に記録層を形成する光情報記録媒体の製法において、
前記光吸収層は前記一般式〔1〕、〔2〕で示されるア
ザフタロシアニン、フタロシアニンおよびナフタロシア
ニンの誘導体の少なくとも2種を溶媒に溶解して作成し
た0.1〜5重量%の溶液を前記基板上に塗布し、前記
溶媒を蒸発させることを特徴とする光情報記録媒体の製
造法。 - 【請求項7】 レーザー発振器を具備した光ヘッドと、
該光ヘッドからのレーザーにより情報を記録再生する情
報記録媒体と、該記録媒体を回転させる回転手段と、前
記光ヘッドの動作および前記回転手段とを制御するドラ
イブ回路と、該ドライブ回路に指令を与えるプロセッサ
と、該プロセッサに情報を入出力する情報入出力手段と
を少なくとも備えた光情報記録再生装置において、 前記情報記録媒体が基板上に光吸収層と記録層が積層形
成されており、前記光吸収層が記録または再生光である
レーザー光を透過することにより該レーザー光の入射前
の光強度分布の半値幅内の光にし得る材料により構成さ
れていることを特徴とする光情報記録再生装置。 - 【請求項8】 前記レーザー発振器のレーザーパワー
が、前記情報記録媒体の記録層膜面において記録時が2
〜20mW、再生時が0.5〜1.5mWであるレーザ
ー発振器を具備してなることを特徴とする請求項7に記
載の光情報記録再生装置。 - 【請求項9】 前記レーザー発振波器の発信波長が64
0〜720nmまたは780〜830nmであることを
特徴とする請求項7または8に記載の光情報記録再生装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3292888A JPH05128592A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 光情報記録媒体とそれを用いた記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3292888A JPH05128592A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 光情報記録媒体とそれを用いた記録再生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05128592A true JPH05128592A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17787683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3292888A Pending JPH05128592A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 光情報記録媒体とそれを用いた記録再生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05128592A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0773506A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-17 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体及びその再生装置 |
JPH07311978A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP3292888A patent/JPH05128592A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0773506A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-17 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体及びその再生装置 |
JPH07311978A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
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