JPH05128592A

JPH05128592A - 光情報記録媒体とそれを用いた記録再生装置

Info

Publication number: JPH05128592A
Application number: JP3292888A
Authority: JP
Inventors: Setsuo Kobayashi; 節郎小林; Kishiro Iwasaki; 岩崎紀四郎; Hiroshi Sasaki; 佐々木　　洋; Shuichi Ohara; 周一大原
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1991-11-08
Filing date: 1991-11-08
Publication date: 1993-05-25

Abstract

(57)【要約】【目的】高密度光情報記録媒体の提供。【構成】基板１上に光吸収層２と記録層３が積層形成さ
れてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層１が記
録または再生光であるレーザー光を透過することにより
該レーザー光の入射前の光強度分布の半値幅内の光とす
る材料により構成されている光情報記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光によって情
報を記録、再生する光情報記録媒体に係り、特に、レー
ザー光により高密度記録が可能な光情報記録媒体および
それを用いた光情報記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ディスクの高密度記録に光源の
短波長化、または、レンズの開口数を向上してスポット
径を小さくする方法が検討されている。更に、光源のス
ポット径よりも狭い記録ピッチの信号を再生できる光磁
気ディスク〔ＮＩＫＫＥＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ１
９９１．３．４（Ｎｏ．５２１）〕、（特願平１−２２
９３９６号公報）が報告されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前記光源の短波長化に
は、短波長のレーザー光を発振できる半導体レーザーの
開発が必要である。また、ＳＨＧ（Ｓecond Ｈarmonic
Ｇeneration）素子を用いて波長を１／２にすること
が考えられるが、まだ十分に実用となるものは見出され
ていないのが現状である。

【０００４】また、レンズの開口数の向上には、新しい
レンズの開発とそれに伴う光学系の開発が必要である。

【０００５】更にまた、光源のスポット径よりも狭い記
録ピッチの信号の再生可能な光磁気ディスクが提案され
ている。このディスクは保磁力の小さな再生層と保磁力
の大きな記録層で構成されており、キュリー温度領域に
昇温して記録され、該記録ピット径をスポット径より小
さくすることができる。再生は、再生前に初期磁界をか
けることにより、検出信号付近の再生層の磁気信号を全
て同一方向に磁化反転させて消去する。記録を消去され
た再生層にレーザーを照射することで、再生層の高温部
のみに記録層から転写された情報信号を検出することに
より、高密度化を図っている。

【０００６】しかし、前記従来の高密度化の手法は、新
しい装置が必要であり、また、記録ピッチ径をより小さ
くする技術は、光磁気ディスクにしか適用できないとい
う問題があった。

【０００７】また、光の強度に依存して吸収係数が変化
する色素、例えば１，３−ジエチル−４，２−キノリオ
キサカルボシアニンアイオダイド（１，３−diethyl−
４，２−quinolyoxacarbocyanineiodide）、３，３’−
ジエチルオキサジカルボシアニンアイオダイド（３，
３’−diethyloxadicarbocyanine iodide）などを用い
ることが知られている。しかし、該色素は光安定性が劣
り、固体膜としての使用も難しいという問題があった。

【０００８】このように、再生専用型、追記型、あるい
は書換え可能型等の光ディスク全てに、高密度記録を特
殊な装置を使用せず基板構成だけで行うことができる光
情報記録媒体の出現が望まれている。

【０００９】本発明の目的は、光吸収層を設けるだけ
で、光源の波長やレンズの開口数を変えることなしに、
従来よりも高密度記録が可能な光情報記録媒体を提供す
ることにある。

【００１０】本発明の他の目的は、上記高密度記録が可
能な光情報記録媒体の製法を提供することにある。

【００１１】また、本発明の他の目的は、上記光情報記
録媒体を用いた記録再生装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、高密度化記録
媒体の前記課題を解決するために種々の検討を重ねた結
果、固体膜として形成でき、光の強度に依存して吸収係
数が変化する色素を見出し、これを基板上に形成するこ
とによって従来のレーザービームの集口径よりも小さい
スポットで記録再生が可能な光情報記録媒体を得ること
ができると云う知見に基づきなされたもので、その要旨
は次のとおりである。

【００１３】（１）基板上に光吸収層と記録層が積層形
成されてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層が
光の強度に依存して吸収係数が変化し、入射光の回折限
界以下の径で記録ビットが形成し得る材料により構成さ
れていることを特徴とする光情報記録媒体。

【００１４】（２）基板上に光吸収層と記録層が積層形
成されてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層が
記録または再生光であるレーザー光を透過することによ
り該レーザー光の入射前の光強度分布の半値幅内の光に
し得る材料により構成されている光情報記録媒体。

【００１５】前記光吸収層は、一般式〔１〕、〔２〕

【００１６】

【化３】

【００１７】

【化４】

【００１８】〔上記式中、Ｍ₁はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎから
選ばれるＩＶ族金属原子、Ｍは遷移原子、Ｚ₁，Ｚ₂，Ｚ
₃およびＺ₄は無置換または１つ以上の一価の置換基Ｘを
有するピリジン環、ベンゼン環、ナフタレン環骨格、Ｘ
は炭素数１〜２０のアルキル基，アルケニル基，アルキ
ルチオ基，芳香族炭化水素基，アシル基，トリ置換シリ
ル基、Ｙ₁，Ｙ₂は−Ａｒ，−ＯＡｒ，−ＯＳｉ(ＯＡｒ)
₃，−ＯＲ，−ＯＳｉ(Ｒ)₃，−ＯＳｉ(ＯＲ)₃、−ＯＣ
(Ｃ₆Ｈ₅)₃（但し、Ａｒはフェニル基，置換フェニル
基，ベンジル基，置換ベンジル基、Ｒは炭素数１〜２０
の直鎖または分岐アルキル基）より選ばれ互いに異なっ
ていてもよい。〕で表されるアザフタロシアニン、フタ
ロシアニンおよびナフタロシアニンの誘導体の少なくと
も２種を含むものである。また、前記一般式〔１〕
〔２〕の配合比は、重量で〔１〕／〔２〕が１以上が好
ましい。

【００１９】前記記録層として、芳香族または不飽和脂
肪族ジアミン系金属錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジ
チオール系金属錯体、フタロシアニン系錯体、ナフタロ
シアニン系錯体、スクアリウム系色素、ナフトキノン系
錯体、アントラキノン系色素、ポリメチン系色素等の有
機系材料が挙げられる。

【００２０】有機系材料を記録層に用いる際に、溶剤に
よる光吸収層の劣化、または、吸収した光による光吸収
層の変形を防ぐために保護層を設けてもよい。この場合
の保護層材料は有機、無機系材料のいずれでもよい。

【００２１】また、前記記録層として、Ｔｅ−Ｓｅ合
金、Ｔｅ−Ｃ薄膜、Ｐｂ−Ｔｅ−Ｓｅ系、ＣＳ₂−Ｔｅ
薄膜、Ｓｂ₂Ｓｅ₃／Ｂｉ₂Ｔｅ₃薄膜、酸化物、硫化物系
（例えば、ＴｅＯ₂，ＧｅＯ₂，Ｓｂ₂Ｏ₃，ＭｏＯ₃）、
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙなどの希土類金属とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
の遷移金属を組み合わせたアモルファス磁性膜、ＩｎＳ
ｂＴｅ合金，ＧｅＳｂＴｅ合金等の無機系材料が挙げら
れる。

【００２２】無機系材料を記録媒体に用いるときには、
光吸収層と記録層との密着性を向上させるために、密着
層を設けてもよい。該密着層としては水溶性ポリマが用
いられる。

【００２３】前記基板としては、塩化ビニル樹脂、アク
リル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂
ポリビニルアセタール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
ビニルエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエーテル
スルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、エポ
キシ樹脂、アリル樹脂ポリイミド、ポリアミド樹脂など
の熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂、あるいはシリコー
ン樹脂、ホスファゼン樹脂などの無機系重合体、あるい
はガラス、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、金属などを用いること
ができる。これらはフィルム状、シート状等目的に応じ
て任意の形状に成形することができる。また、基板面は
平面、鏡面あるいは案内溝パターン（プリグルーブ）の
刻まれたものであってもよい。

【００２４】上記基板として透明なものでは、信号の書
込み、読出しを行う際の光の透過率が８５％以上で光学
的異方性の少ないものが望ましい。

【００２５】本発明において、有機系材料で光吸収層お
よび記録層を形成する方法は、通常のスピンコート、ス
プレーコートあるいは浸漬コートにより形成できる。前
記光吸収層は、前記一般式〔１〕〔２〕で示す誘導体の
０．１〜５重量％の溶液を用い１０００〜５０００ｒｐ
ｍでスピンコートして、次いで溶媒を蒸発させる方法が
好ましい。

【００２６】前記溶媒としては、芳香族系、ハロゲン系
溶媒の他にケトン系、エーテル系、飽和炭化水素系の溶
媒あるいはこれらの混合溶媒が用いられる。特に、四塩
化炭素、メチルシクロヘキサン、トルエンの混合系が好
ましい。

【００２７】また、バインダーを用いてもよい。該バイ
ンダーとしては、イミド、アミド、スチレン、アクリ
ル、シリコーン、エポキシ、フェノール等の高分子重合
体が用いられる。

【００２８】基板上に形成する光吸収層の膜厚は０．１
〜１０００ｎｍであればよい。しかし、光が光吸収層を
通ることで過剰にエネルギーが減衰しない膜厚が望まし
い。こうした膜厚としては１〜５０ｎｍがよい。また、
前記光吸収層の透過率は５０〜８０％、好ましくは６５
〜７５％である。

【００２９】更に光吸収層の上に形成する記録層は膜厚
２０〜５００ｎｍの範囲であればよい。しかし、レーザ
ー波長に対し、該記録層の吸収波長が僅かにずれる化合
物を含有する光情報記録媒体では、膜厚による反射率の
干渉効果が大きい。従って、反射率が大きくなる膜厚領
域を用いるのがよい。好ましくは反射率が大きく、吸収
率が小さい第１干渉膜厚領域の３０〜８０ｎｍがよい。

【００３０】こうして作製した、本発明の光情報記録媒
体は、レーザー光線を照射することにより照射部分が溶
融、昇華または相変化し、磁性膜でのスピン反転により
ピットが形成され情報の記録が行われる。該レーザーパ
ワーは記録層上で２〜２０ｍＷが好ましい。また、再生
時には、記録層に損傷を与えない低レベルのものが好ま
しく、少なくとも１０⁵回の再生に対してもピット形状
に影響を及ぼさないレーザーパワーであることが望まし
い。こうしたレーザーパワーとしては記録層上で０．５
〜１．５ｍＷが好ましい。

【００３１】上記レーザー光は、記録層の吸収波長に応
じてＮ₂、Ｈｅ−Ｎｅ、Ａｒ、色素、半導体等の各レー
ザー光から選択する。また、光吸収層の化合物も使用さ
れるレーザー光の波長に応じて選択することができる。

【００３２】本発明は、前記一般式〔１〕、〔２〕で示
される誘導体を用いたことにより、従来溶液状態で用い
られていた光吸収層を固体膜として形成することができ
る。本発明の光情報記録媒体はコンパクトディスク、ビ
デオディスク、光記録カード、レーザービームプリンタ
用感光体などに用いることができる。

【００３３】

【作用】本発明が、光源のスポット径よりも小さな記録
ビットで記録、再生ができるのは、レーザー光が光吸収
層を通るとフォトンが多いレーザー光の中心部分だけが
記録層まで到達し、その部分の光だけで記録、再生が行
われるためである。例えば、光吸収層を透過したレーザ
ー光のスポット径は約０．６μｍ（波長８３０ｎｍ、レ
ンズ開口数０．５２）程度とすることができ、従来の光
学系を用いた光情報記録媒体の約３倍の線密度の記録が
可能である。

【００３４】

【実施例】

〔実施例１〕ビス（トリブチルシロキシ）シリコン−テ
トラ（トリメチルシリル）ナフタロシアニンと銅テトラ
−ブチルナフタロシアニンとを、重量比１：０．４で四
塩化炭素に溶解し、０．３重量％の溶液を作成した。こ
の溶液を直径５．２５インチのポリカーボネート基板
（厚さ１．２ｍｍ）１上にスピンコート法で塗布し、恒
温槽中で９０℃，１時間乾燥して光吸収層２を形成し
た。この光吸収層２の光透過率は波長８３０ｎｍで７２
％であった。

【００３５】このディスク１１を図２に示すように、半
導体レーザー４からのレーザー光をコリメーターレンズ
５、整形プリズム６、１／４波長板９、対物レンズ１０
を通して前記光吸収層２を設けたディスク１１に照射
し、反射光を偏光ビームスプリッター７を介してディテ
クター８で計測し、光の強度分布を測定した。波長８３
０ｎｍ，レンズ開口数：０．５２で、小野測器製光ピッ
クアップチェッカーＬＥ−１００／２００により光の強
度分布を測定した。

【００３６】レーザー光強度はガウス分布し、そのスポ
ット径は０．６μｍであった。この値は下記の数式
（１）で与えられるスポット径の値（１．６μｍ）より
小さい。前記光吸収層を透過することによりスポット径
が小さくなることを確認した。

【００３７】

【数１】

【００３８】〔比較例１〕直径５．２５インチのポリカ
ーボネート基板だけを実施例１と同様にして前記レーザ
ー光の強度分布を測定した。レーザー光の強度はガウス
分布しているが、そのスポット径は１．６μｍであり、
前記数式（１）の回折限界で予想された値であった。

【００３９】〔実施例２〕実施例１と同じくポリカーボ
ネート基板１上に、ビス（トリヘキシルシロキシ）シリ
コン−テトラ（トリメチルシリル）フタロシアニンと銅
−テトラブチルフタロシアニンとを、重量比１：０．４
で四塩化炭素に溶解した０．３重量％の溶液を実施例１
と同様にスピンコート法で塗布し、ディスク１１を作製
した。この光吸収層の光透過率は波長６７０ｎｍで６８
％であった。

【００４０】このディスク１１の半導体レーザー波長：
６７０ｎｍ，レンズ開口数：０．５５における強度分布
を測定した。レーザー光強度はガウス分布し、そのスポ
ット径は０．４μｍであった。この値は、上記の式
（１）で与えられるスポット径の値（１．２μｍ）より
小さく、光吸収層を透過することによりスポット径が小
さくなることを確認した。

【００４１】〔比較例２〕直径５．２５インチのポリカ
ーボネート基板だけを実施例２と同様にして、前記レー
ザー光の強度分布を測定した。レーザー光の強度はガウ
ス分布しているが、そのスポット径は１．２μｍと回折
限界で予想される値が得られた。

【００４２】〔実施例３〕実施例１と同じくポリカーボ
ネート基板１上に、ビス（トリヘキシルシロキシ）シリ
コン−テトラ（トリメチルシリル）ナフタロシアニンと
銅−テトラブチルナフタロシアニンとを、重量比１：
０．４で四塩化炭素に溶解した０．３重量％の溶液をス
ピンコート法で塗布し、ディスクを作製した。この光吸
収層の光透過率は波長８３０ｎｍで７２％であった。

【００４３】このディスク１１に情報記録層３として、
スパッタ法で膜厚４０ｎｍのＴｅＳｅ合金層を形成し、
光情報記録媒体とした。該光情報記録媒体を用い実施例
１と同じ光学系を用いて、線速度８ｍ／ｓ、書き込みレ
ーザーパワー９ｍＷ，再生光１ｍＷでＣ／Ｎ（シグナル
／ノイズ）の記録周波数依存性を測定した。その結果を
図３に示す。

【００４４】〔比較例３〕実施例３の光吸収層のみがな
い光情報記録媒体を作成し、実施例３と同じ光学系を用
いＣ／Ｎの記録周波数依存性を測定した。その結果を図
３に示す。

【００４５】前記線速度、記録周波数から求めた記録ピ
ット長が０．８μｍ以下では、Ｃ／Ｎが低下して行くこ
とが分かる。

【００４６】〔実施例４〕実施例１と同じくポリカーボ
ネート基板１上に、ビス（トリヘキシルシロキシ）シリ
コン−テトラ（トリメチルシリル）ナフタロシアニンと
銅−テトラブチルナフタロシアニンとを、重量比１：
０．４で四塩化炭素に溶解した０．３重量％の溶液をス
ピンコート法で塗布し、ディスク１１を作製した。この
光吸収層の光透過率は波長８３０ｎｍで７２％であっ
た。

【００４７】その上に２重量％ポリビニルアルコール水
溶液をスピンコート法で塗布し、厚さ約１４００Åのポ
リビニルアルコールの均一な層を形成した。これにＮＫ
２０１４（日本感光色素製）を１，２−ジクロロエタン
に溶解した溶液を用いてスピンコート法で情報記録層３
を成膜した。

【００４８】このディスク１１を用い実施例１と同様の
光学系を用いて、線速度８ｍ／ｓ、書き込みレーザーパ
ワー９ｍＷ，再生光１ｍＷでＣ／Ｎの記録周波数依存性
を測定した。その結果を図４に示す。

【００４９】〔比較例４〕実施例４の光吸収層２のみが
ない光情報記録媒体を作成し、実施例４と同様に光学系
を用いＣ／Ｎの記録周波数依存性を測定した。その結果
を図４に示す。ピット長が０．８μｍ以下では、Ｃ／Ｎ
が低下して行くことが分かる。

【００５０】〔実施例５〕実施例１と同じくポリカーボ
ネート基板１上に、ビス（トリヘキシルシロキシ）シリ
コン−テトラ（トリメチルシリル）フタロシアニンと銅
−テトラブチルフタロシアニンとを、重量比１：０．４
で四塩化炭素に溶解した０．３重量％の溶液をスピンコ
ート法で塗布し、ディスク２２を作製した。この光吸収
層の光透過率は波長８３０ｎｍで７２％であった。

【００５１】その上にＳｉＮ，ＴｂＦｅＣｏ合金，Ｓｉ
Ｎ，Ａｌを順次スパッタ法で積層して情報記録層３を成
膜した。

【００５２】このディスク２２を用いて図５に示す光学
系を用いて、線速度８ｍ／ｓ、書き込みレーザーパワー
９ｍＷ，再生光１ｍＷでＣ／Ｎの記録周波数依存性を測
定した。その結果を図６に示す。

【００５３】なお、図５では、半導体レーザー１２から
のレーザー光をコリメータレンズ１３、成形プリズム１
４、偏光ビームスプリッター１５、対物レンズ１６を通
して、前記光吸収層２を設けたディスク２２に照射し、
反射光を偏光ビームスプリッター１５、臨界角プリズム
１８を介してディテクター１７で検出し、フォーカス、
トラッキングをとる。また、偏光ビームスプリッター１
５、偏光子１９、集光レンズ２０を介して、光磁気信号
を検出器２１でディテクトした。

【００５４】〔比較例５〕実施例５の光吸収層のみがな
い光情報記録媒体を作成し、実施例５と同様に光学系を
用いＣ／Ｎの記録周波数依存性を測定した。その結果を
図６に示す。ピット長が０．８μｍ以下では、Ｃ／Ｎが
低下して行くことが分かる。

【００５５】なお、本発明の光情報記録媒体（光ディス
ク）を用いた記録再生装置の概略構成の一例を図７に示
した。

【００５６】レーザー発振器を具備した光ヘッドと、該
光ヘッドからのレーザーにより情報を記録再生する光デ
ィスクと、該記録媒体を回転させるモータと、前記光ヘ
ッドの動作およびモータとを制御するドライブ回路と、
該ドライブ回路に指令を与えるプロセッサと、該プロセ
ッサに情報を入力する入力手段と出力する出力手段トを
少なくとも備えた光情報記録再生装置によって記録再生
を行うことができる。

【００５７】

【発明の効果】本発明は光情報記録媒体に光吸収層を設
けたことにより、レーザー光の回折限界よりも小さなス
ポット径で書き込み，消去（記録、再生）ができる高密
度光情報記録媒体を得ることができる。また、該光吸収
層は光安定性に優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光情報記録媒体の基板構成図である。

【図２】波長８３０ｎｍの半導体レーザーを用いた光学
系の構成概略図である。

【図３】無機系情報記録層を有する光情報記録媒体のＣ
／Ｎの記録周波数依存性を示すグラフである。

【図４】有機系情報記録層を有する光情報記録媒体のＣ
／Ｎの記録周波数依存性を示すグラフである。

【図５】波長６７０ｎｍの半導体レーザーを用いた光学
系の構成概略図である。

【図６】光磁気光情報記録媒体のＣ／Ｎの記録周波数依
存性を示すグラフである。

【図７】本発明の光情報記録媒体に情報を記録再生する
記録再生装置の概略構成を示すブロック図である。

【符号の説明】

１…基板、２…光吸収層、３…情報記録層、４，１２…
半導体レーザー、５，１３…コリメーターレンズ、６，
１４，１８…プリズム、７，１５…偏光ビームスプリッ
ター、８，１７…ディテクター、９…１／４波長板、１
０，１６…対物レンズ、１１，２２…ディスク、１９…
偏光子、２０…集光レンズ、２１…検出器。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大原周一茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に光吸収層と記録層が積層形成さ
れてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層が光の
強度に依存して吸収係数が変化し、入射光の回折限界以
下の径で記録ビットが形成し得る材料により構成されて
いることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】基板上に光吸収層と記録層が積層形成さ
れてなる光情報記録媒体であって、前記光吸収層が記録
または再生光であるレーザー光を透過することにより該
レーザー光の入射前の光強度分布の半値幅内の光にし得
る材料により構成されていることを特徴とする光情報記
録媒体。
【請求項３】前記光吸収層が一般式〔１〕、〔２〕【化１】【化２】〔上記式中、Ｍ₁はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎから選ばれるＩＶ
族金属原子、Ｍは遷移原子、Ｚ₁，Ｚ₂，Ｚ₃およびＺ₄は
無置換または１つ以上の一価の置換基Ｘを有するピリジ
ン環、ベンゼン環、ナフタレン環骨格、Ｘは炭素数１〜
２０のアルキル基，アルケニル基，アルキルチオ基，芳
香族炭化水素基，アシル基，トリ置換シリル基、Ｙ₁，
Ｙ₂は−Ａｒ，−ＯＡｒ，−ＯＳｉ(ＯＡｒ)₃，−ＯＲ，
−ＯＳｉ(Ｒ)₃，−ＯＳｉ(ＯＲ)₃、−ＯＣ(Ｃ₆Ｈ₅)
₃（但し、Ａｒはフェニル基，置換フェニル基，ベンジ
ル基，置換ベンジル基、Ｒは炭素数１〜２０の直鎖また
は分岐アルキル基）より選ばれ互いに異なっていてもよ
い。〕で表されるアザフタロシアニン、フタロシアニン
およびナフタロシアニンの誘導体の少なくとも２種を含
むことを特徴とする請求項１または２に記載の光情報記
録媒体。
【請求項４】前記光吸収層が前記一般式〔１〕、
〔２〕で表されるアザフタロシアニン、フタロシアニン
およびナフタロシアニンの誘導体の少なくとも２種を含
み、前記〔１〕／〔２〕の配合比が１以上であることを
特徴とする請求項３に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】前記記録層が有機系材料または無機系材料
からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記
載の光情報記録媒体。
【請求項６】基板上に光吸収層を形成し、該光吸収層
上に記録層を形成する光情報記録媒体の製法において、
前記光吸収層は前記一般式〔１〕、〔２〕で示されるア
ザフタロシアニン、フタロシアニンおよびナフタロシア
ニンの誘導体の少なくとも２種を溶媒に溶解して作成し
た０．１〜５重量％の溶液を前記基板上に塗布し、前記
溶媒を蒸発させることを特徴とする光情報記録媒体の製
造法。
【請求項７】レーザー発振器を具備した光ヘッドと、
該光ヘッドからのレーザーにより情報を記録再生する情
報記録媒体と、該記録媒体を回転させる回転手段と、前
記光ヘッドの動作および前記回転手段とを制御するドラ
イブ回路と、該ドライブ回路に指令を与えるプロセッサ
と、該プロセッサに情報を入出力する情報入出力手段と
を少なくとも備えた光情報記録再生装置において、前記情報記録媒体が基板上に光吸収層と記録層が積層形
成されており、前記光吸収層が記録または再生光である
レーザー光を透過することにより該レーザー光の入射前
の光強度分布の半値幅内の光にし得る材料により構成さ
れていることを特徴とする光情報記録再生装置。
【請求項８】前記レーザー発振器のレーザーパワー
が、前記情報記録媒体の記録層膜面において記録時が２
〜２０ｍＷ、再生時が０．５〜１．５ｍＷであるレーザ
ー発振器を具備してなることを特徴とする請求項７に記
載の光情報記録再生装置。
【請求項９】前記レーザー発振波器の発信波長が６４
０〜７２０ｎｍまたは７８０〜８３０ｎｍであることを
特徴とする請求項７または８に記載の光情報記録再生装
置。