JPH05125338A - 半導体ウエハ固定用粘着テープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】放射線照射前は半導体ウエハを固定するのに十
分な粘着力を有し、素子固定粘着力の低減が可能である
とともに、放射線照射後の粘着テープにおいてゴム状弾
性（柔軟性）を維持し放射線照射後の粘着テープ延伸に
よる素子間隙の大幅で、かつ、均一な拡大を行うことが
できる半導体ウエハ固定用粘着テープを提供することを
目的とする。 【構成】基材フィルムの片面に放射線硬化性粘着剤層を
設けてなる半導体ウエハ固定用粘着テープにおいて、前
記基材フィルムとして中心層にスチレン重合体ブロック
成分（Ａ）及びエチレン−ブテンもしくはペンテン共重
合体ブロック成分（Ｂ）又は（Ｃ）を有し、かつ前記成
分（Ａ）が、成分（Ａ）と成分（Ｂ）又は（Ｃ）との合
計の１０〜３０重量％で、特定の重量平均分子量である
スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン−スチレ
ンブロック共重合体系フィルムを用い、接着層を介して
または直接、前記放射線硬化性粘着剤層を設ける側表面
に粘着剤塗布層、他方側表面に転写防止層を積層した粘
着テープである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、各種半導体を製造する
工程において使用する粘着テープに関し、さらに詳しく
いえば、例えばパターンを形成したウエハを一つ一つの
パターン毎に切断し半導体素子として分割する際に使用
する半導体ウエハ固定用の放射線硬化性粘着テープに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、回路パターンの形成された半導体
ウエハを素子小片に切断分離するダイシング加工を行う
際には、放射線硬化型粘着テープを用いるピックアップ
方式が提案されている。

【０００３】この方式において粘着テープとしては放射
線、例えば紫外線のような光、または電子線のような電
離性放射線を透過する基材フィルムと、この基材フィル
ム上に塗工された放射線照射により硬化する性質を有す
る粘着剤層とからなる半導体ウエハ固定用粘着テープを
用いる。この方式は、粘着テープのダイシング加工時の
素子固定粘着力を強接着力とし、半導体ウエハを素子小
片に切断分離後、基材フィルム側より放射線照射を行い
放射線硬化型粘着層を硬化させて、素子固定粘着力を大
幅に低下させるもので、素子小片の大きさに関係なく、
例えば２５mm²以上の大きな素子であっても容易にピッ
クアップすることができるようにした方式である。この
方式は、放射線透過性の基材フィルム上に放射線硬化性
粘着剤を塗工した半導体ウエハ固定用粘着テープの粘着
層中に含まれる放射線硬化性化合物を放射線照射によっ
て硬化させ粘着剤に三次元網状構造を与えて、その流動
性を著しく低下させる原理に基づくものである。

【０００４】しかし、このような粘着テープでは放射線
硬化性化合物の硬化反応により粘着剤を硬化させて三次
元網状化構造を与え粘着力を低下させるため、ダイシン
グ加工時に有していた粘着テープのゴム状弾性が硬化後
のピックアップ時には殆ど無くなってしまう結果とな
る。このため、従来行われていた粘着テープの放射状延
伸による素子間隙の拡大が困難になるという問題が生じ
ている。

【０００５】この問題を解決するため、すでに軟質ポリ
塩化ビニル（ＰＶＣ）を基材フィルムの中心層とするも
のが実用化されているが、ポリ塩化ビニル樹脂は塩素系
樹脂であり、しかも金属化合物からなる安定剤や可塑剤
を含有しているため、塩素イオン、金属イオン、可塑剤
などが移行して半導体ウエハの表面を汚染する原因とな
ることがあった。

【０００６】そこで、特開平２−２１５５２８号に開示
されるように、ゴム状弾性を有する熱可塑性樹脂例え
ば、ポリブテン−１、ポリウレタン、ポリエステルエラ
ストマー、１，２−ポリブタジエン、スチレン−イソプ
レン−スチレン共重合体の水添物、スチレン−エチレン
−ブテン−スチレン共重合体（ＳＥＢＳ）を中心層とす
る積層フィルムを基材フィルムとする粘着テープが提案
された。しかし、これらの粘着テープはいずれも、放射
線照射前の延伸では素子間隙の素子同士の接触を防止す
るに足りるだけの拡大は可能であるが、放射線照射後の
延伸においても画像認識を伴うピックアップ装置にて必
要とされる素子小片の大幅で均一な間隙量をとるには、
基材フィルム自体のネッキング（フィルム延伸時、力の
伝播性不良による部分的な伸びの発生）や放射線照射に
よる基材フィルムの劣化に伴うゴム状弾性の喪失などの
問題を生起し特性として不十分なものであった。

【０００７】個々に列挙すれば、ポリブテン−１、ポリ
エステルエラストマー、１，２−ポリブタジエンは、ネ
ッキングし易いため素子間隙が大きくできない（ＰＶＣ
並み）、ポリウレタンは、ゴム弾性が大き過ぎて素子間
隙の均一性に欠ける、またスチレン−イソプレン−スチ
レン共重合体の水添物は前記材料のポリマーよりは優れ
た特性を有するものの、ネッキングの問題が解消されず
素子間隙の広がりが不十分である等の欠点があった。ま
た、スチレン−エチレン−ブテン−スチレン共重合体
（ＳＥＢＳ）として特開平２−２１５５２８号では、実
施例において三菱油化（株）製のラバロンが使用されて
いるが、ラバロン系は、分子量１０万以上のＳＥＢＳと
ポリプロピレンまたはエチレン−プロピレン−ジエン共
重合体とのブレンド品であり、相溶化剤が粘着剤層に移
行して粘着力を不安定にしピックアップミスを起こした
り、ウエハを汚染する問題があった。また、ブレンド品
でなくＳＥＢＳのみを中心層に使用した場合スチレン含
有量や分子量によってはネッキングが素子間隙不足、あ
るいは放射線透過性が不良となるといった問題が生じ
た。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決した半導体ウエハ固定用粘着テープを提供する
ことを目的とする。すなわち、本発明は放射線照射前は
半導体ウエハを固定するのに十分な粘着力を有し、素子
固定粘着力の低減が可能であるとともに、放射線照射後
の粘着テープにおいてゴム状弾性（柔軟性）を維持し放
射線照射後の粘着テープ延伸による素子間隙の大幅で、
かつ、均一な拡大を行うことができ、半導体素子を粘着
テープで汚染することのない半導体ウエハ固定用粘着テ
ープを提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハ固
定用粘着テープは、（１）基材フィルムの片面に放射線
硬化性粘着剤層を設けてなる半導体ウエハ固定用粘着テ
ープにおいて、前記基材フィルムとして中心層に、スチ
レン重合体ブロック成分（Ａ）およびエチレン−ブテン
共重合体ブロック成分（Ｂ）を有しかつ前記成分（Ａ）
が成分（Ａ）＋（Ｂ）の１０〜３０重量％で、重量平均
分子量が３５０００〜９００００であるスチレン−エチ
レン−ブテン−スチレンブロック共重合体系フィルムを
用い、接着層を介して又は直接、前記放射線硬化性粘着
剤層を設ける側表面に粘着剤塗布層、他方側表面に転写
防止層を積層した積層フィルムを用いてなることを特徴
とする、及び（２）基材フィルムの片面に放射線硬化性
粘着剤層を設けてなる半導体ウエハ固定用粘着テープに
おいて、前記基材フィルムとして中心層にスチレン重合
体ブロック成分（Ａ）及びエチレン−ペンテン共重合体
ブロック成分（Ｃ）を有し、かつ前記成分（Ａ）が成分
（Ａ）＋（Ｃ）の１０〜３０重量％で、重量平均分子量
が１５万〜５０万であるスチレン−エチレン−ペンテン
−スチレンブロック共重合体系フィルムを用い、接着層
を介してまたは直接、前記放射線硬化性粘着剤層を設け
る側表面に粘着剤塗布層、他方側表面に転写防止層を積
層したフィルムを用いてなることを特徴とするものであ
る。なお、ここで放射線とは、紫外線のような光線、又
は電子線などの電離性放射線を言う。

【００１０】本発明におけるスチレン−エチレン−ブテ
ンもしくはペンテン−スチレン系ブロック共重合体とし
ては、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン−
スチレンブロック共重合体、上記共重合体に必要に応じ
てカルボキシル基などの官能基を含むマレイン酸などの
低分子を付加又は置換し変性した変性体、上記共重合体
を主成分としこれとポリオレフィンなどの汎用樹脂等従
来公知のものと混合物を本発明の目的とする効果を損な
わない範囲で使用することができる。

【００１１】上記共重合体は、グラフト共重合体を含む
ことはもちろんであり、上記混合物はいわゆるアロイを
含むことはもちろんである。スチレン重合体ブロック成
分（Ａ）のガラス転位温度は２０℃以上のものが好まし
く、エチレン−ブテン共重合体ブロック成分（Ｂ）又は
エチレン−ペンテン共重合体ブロック成分（Ｃ）のガラ
ス転位温度は−２０℃以下のものが好ましい。

【００１２】本発明のスチレン−エチレン−ブテンもし
くはペンテン−スチレン系ブロック共重合体において、
粘着剤を放射線照射によって硬化後、放射状延伸による
素子間隙の拡大を行うにはスチレン重合体ブロック成分
（Ａ）の含有量を１０〜３０重量％の範囲とすることが
必要である。この成分（Ａ）の含有量が１０重量％未満
では該共重合体の性質がポリエチレンに近くなるためネ
ッキングを起こしやすくなって均一延伸することができ
なくなり、素子間隙が広がらない。また３０重量％を越
えると紫外線が透過せず照射後の粘着力が低下しない。
そのためピックアップミスを起こしたり、ウエハを汚染
する。また、ゴム状弾性が低く均一延伸による素子間隙
の増大が困難になる。

【００１３】また、前記ブロック成分（Ａ）と（Ｂ）の
共重合体の場合、該共重合体の重量平均分子量を３５０
００〜９００００とする。これは３５０００未満では引
張強度が弱く破断のおそれがあり、また９００００を越
えるとフィルム成形性が悪くなり、分子が絡み合って延
伸しにくくなるからである。また、前記ブロック成分
（Ａ）と（Ｃ）の共重合体の場合、該共重合体の重量平
均分子量を１５万〜５０万とする。これは１５万未満で
は引張強度が弱く破断のおそれがあり、また５０万を越
えるとフィルム成形性が悪くなり、分子が絡み合って延
伸しにくくなるからである。

【００１４】本発明のスチレン−エチレン−ブテンもし
くはペンテン−スチレン共重合体（ＳＥＢＳ又はＳＥＰ
Ｓ）系フィルムに積層するフィルム用の樹脂は放射線透
過性が良好であること以外、特に制限されるものではな
いが柔軟性を有する方が好ましい。例えば、低密度ポリ
エチレン、直鎖低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、
エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル
共重合体、ポリメチルペンテン、エチレン−アクリル酸
エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合
体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタク
リル酸メチル共重合体、エチレン−メタアクリル酸エチ
ル共重合体、アイオノマー、エチレン−プロピレン−ジ
エン共重合体などの単独重合体、共重合体等従来公知の
もの、あるいはこれらの混合物、または他の樹脂及びエ
ラストマーとの混合物等が挙げられ基材フィルムの要求
特性、コストなどの諸事情に応じて樹脂の種類、厚み比
率、放射線硬化性粘着層側のフィルムを任意に選択する
ことができる。

【００１５】上記共重合体は、グラフト共重合体を含む
ことはもちろんであり、上記混合物はいわゆるアロイを
含むことはもちろんである。この複層フィルムの製法と
しては、従来公知の共押出法、ラミネート法などが用い
られ、この際通常のラミネートフィルムの製造で通常行
われているように、複層フィルム間に接着剤を塗布して
もよい。このような接着剤としては、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体またはこれをマレイン酸変性したもの等、
従来公知の接着剤を使用することができる。

【００１６】本発明に用いられる放射線硬化性粘着剤を
塗布する側の粘着剤塗布層用の樹脂としては、放射線透
過性で、半導体ウエハを汚染し難く、放射線硬化性粘着
剤との粘着力が大きいもの、例えばエチレン系のものが
好ましく、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレ
ン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタア
クリル酸メチル共重合体、エチレン−メタアクリル酸エ
チル共重合体、エチレン−メタアクリル酸共重合体、エ
チレン−アクリル酸共重合体等従来公知のもの、あるい
はこれらの混合物等が挙げられ、用いられる放射線硬化
性粘着剤との接着性によって任意に選択することができ
る。この粘着剤塗布層は、中心層からのブリード物が半
導体ウエハを汚染するのを防止すると同時に粘着剤と基
材フィルムとの接着力を大きくすることにより粘着テー
プ延伸時の粘着剤の剥離による半導体ウエハの汚染を防
止するためのものである。

【００１７】本発明に用いられる転写防止層用の樹脂と
しては、例えばエチレン系のものが好ましく、低密度ポ
リエチエン、直鎖低密度ポリエチエン、エチレン−酢酸
ビニル共重合体、エチレン−メタアクリル酸メチル共重
合体、エチレン−メタアクリル酸エチル共重合体、エチ
レン−メタアクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸
共重合体等、従来公知のもの、あるいはこれらの混合物
等が挙げられる。この転写防止層は、粘着テープの伸び
特性を妨げず、基材フィルムのブロッキングを防止し、
また基材フィルムまたは粘着テープを巻状態で保管する
際に中心層からのブリード物が放射線硬化性粘着層また
は粘着剤塗布層に転写し、結果的に半導体ウエハを汚染
することを防止するためのものである。

【００１８】なお、粘着テープ延伸時の粘着テープと治
具との摩擦を減少し、基材フィルムのネッキングを防止
するために転写防止層として低密度ポリエチエン、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体、さらにエチレン−酢酸ビニ
ル共重合体は酢酸ビニル含量が５％以下のエチレン−酢
酸ビニル共重合体を用いることが好ましい。中心層と粘
着剤塗布層又は転写防止層とを接着するための接着剤と
しては、エチレン−酢酸ビニル共重合体、これをマレイ
ン酸変性したもの、マレイン酸変性エチレン−α−オレ
フィン共重合体、共重合ポリエステル系樹脂等従来公知
の接着性化合物、又はこれらの混合物等を用いることが
できる。

【００１９】なお、接着剤として用いるエチレン−酢酸
ビニル共重合体、これをマレイン酸変性体は酢酸ビニル
含量が２０％以上のものが接着力が大きく層間剥離を起
こし難いので好ましい。この積層フィルムの製造は共押
出法、ラミネート法など公知の方法が用いられる。

【００２０】基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射
線透過性の観点から通常３０〜３００μｍが適当であ
る。基材フィルムが積層フィルムの場合、中心層の厚さ
比率は、基材フィルムの要求特性に応じて任意に設定さ
れるが、通常積層フィルムの総厚に対して３０％以上が
好ましく、５０〜９０％がより好ましい。また、接着剤
塗布層と転写防止層の両方とも設けると、基材フィルム
の構造が対称系となるので、基材フィルムの端がどちら
か一方にカールすることがなく、操作上好ましい。

【００２１】なお、基材フィルムの放射線硬化性粘着剤
を塗布する側の他方側をシボ加工もしくは滑剤コーティ
ングするとブロッキングの防止、粘着テープ延伸時の粘
着テープと治具との摩擦を減少する事による基材フィル
ムのネッキングの防止となるので好ましい。

【００２２】放射線硬化性粘着剤としては、例えば従来
公知の粘着剤が用いられるがアクリル系粘着剤１００重
量部に対し炭素−炭素二重結合を有するシアヌレート化
合物及びイソシアヌレート化合物の群から選ばれた少な
くとも一種の化合物１０〜２００重量部と炭素−炭素二
重結合を二個有する直鎖状のポリエステルまたはポリオ
ール系ウレタンアクリレート化合物５〜１００重量部と
を含有する粘着剤を用いると放射線照射後の粘着層のゴ
ム状弾性を維持することができ放射線照射後の粘着テー
プにおいて、ゴム状弾性（柔軟性）を維持する効果が特
に大きい。

【００２３】なお、本発明の半導体ウエハ固定用粘着テ
ープを紫外線照射によって硬化させる場合には、光重合
開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソ
ブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラー
ズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサン
トン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサント
ン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニ
ルプロパン等を粘着剤層に添加すると硬化反応時間また
は紫外線照射量が少なくても効率よく硬化反応を進行さ
せ、素子固定粘着力を低下させることができる。さらに
必要に応じて放射線照射後の素子固定粘着力を良好に低
下させるため放射線硬化性のシリコンアクリレート又は
シリコンメタアクリレートあるいは被着体である半導体
ウエハの表面に金属物質のコーティングされている特殊
処理面に対しても同様に素子固定粘着力を低下させるた
め、イオン封鎖剤等を、またタッキファイアー、粘着調
整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤及び慣
用成分を配合することができる。この放射線硬化性粘着
剤層の厚さは通常２〜５０μｍとする。

【００２４】

【実施例】次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説
明する。なお、以下の実施例で各特性は次のように試験
し、評価した。

【００２５】（１）粘着力（ｇ／２５ｍｍ） 素子固定粘着力の照射前の大きさと照射後の低さの程度
を調べる指標である。作成した放射線硬化性粘着テープ
に直径５インチの大きさのＳｉウエハを被着体とし、Ｊ
ＩＳＺ−０２３７に基づき紫外線照射前後の粘着力を測
定した（９０℃剥離、剥離強度５０mm/min）。この際、
粘着テープに貼合するウエハの表面状態は、鏡面、及び
ラッピング＃６００仕上げ面（表面状態がＵＳメッシュ
＃６００相当の微細な凹凸を有する）の２つの面状態と
した。粘着力は次のように評価される。 ＵＶ照射前 良好：≧１２０（ｇ／２５ｍｍ） 不良：＜１２０（ｇ／２５ｍｍ） ＵＶ照射後 良好：≦３０（ｇ／２５ｍｍ） 不良：＞３０（ｇ／２５ｍｍ）

【００２６】（２）素子間隙（μｍ） 粘着テープ延伸時の素子間隙の大きさと縦方向／横方向
の均一性の程度を調べる指標である。３×３ｍｍの大き
さにフルカットし、紫外線硬化後、ウエハ拡張装置（エ
アー圧２．０kg/cm²）にて延伸した際の縦方向、横方向
の素子間隙量を測定し、素子間隙の大きさ、均一性をみ
た。素子間隙量は、ダイシング時のブレード厚さ４０μ
ｍを含む。 素子間隙の大きさ（ｑ） ｑ≧２００μｍ：素子の画像認識が十分可能である。 ２００＞ｑ≧１００μｍ：素子の画像認識が可能であ
る。 １００＞ｑ≧８０μｍ：素子の画像認識が困難である。 ｑ＜８０μｍ：素子の画像認識が不可能である。 均一性 縦方向／横方向≦１．５：良好 縦方向／横方向＞１．５：不良

【００２７】（３）Ｓｉウエハの汚染 半導体ウエハを放射線硬化性粘着剤が汚染する程度（放
射線硬化性粘着材と基材フィルムとの接着性）を調べる
指標であり、また、半導体ウエハに悪影響を及ぼすか汚
染する化合物の存在の程度を調べる指標である。

【００２８】ウエハに対する接着強度が初期に３００〜
３５０ｇ／２５ｍｍ巾、硬化後に１０〜１５ｇ／２５ｍ
ｍ巾であるアクリル系接着剤を用いて巻物で保管してい
た基材フィルムにＳｉウエハを固定し４０℃×１カ月後
にＳｉウエハの汚染を評価し、次の基準に従って評価し
た。≧４Ｗのみが合格である。 ≧４Ｗ：４週間経過後も汚染されていない ３Ｗ：３週間経過迄は汚染されていない ２Ｗ：２週間経過迄は汚染されていない １Ｗ：１週間経過迄は汚染されていない ＜１Ｗ：１週間経過前に汚染されている

【００２９】（４）エキスパンドストローク３０ｍｍに
したときの状態 ○：破断しない ×：破断する。

【００３０】実施例１〜７及び比較例１〜３ 表１、表２に示したような各層構成の基材フィルムを押
出機を用いて樹脂単体またはニーダー練りブレンド組成
物を（共）押出加工により作成した。得られた基材フィ
ルムの厚みはすべて１００μｍである。得られた基材フ
ィルムの粘着剤塗布側にコロナ処理をして、乾燥後の粘
着剤層の厚さが１０μｍとなるように粘着材を塗工し、
放射線硬化性粘着テープを作成した。この粘着テープの
各物性を上記に従って試験し、その結果を表１、表２に
示した。

【００３１】なお、この実施例及び比較例で用いた化合
物は次の通りである。なお、粘着テープの中心層として
用いる材料において分子量が９万より大きいものは、ポ
リマー単独のものは、フィルムに成形できなかったの
で、評価に至らなかった。

【００３２】材料Ａ（ＳＥＢＳ） シェル化学社製 ＫＲＡＴＯＮ Ｇ−１６５０ スチレン：２９％、分子量７００００ 材料Ｂ（ＳＥＢＳ） シェル化学社製 ＫＲＡＴＯＮ Ｇ−１６５７× スチレン：１３％、分子量８００００ 材料Ｃ（マレイン酸変性ＳＥＢＳ） 旭化成社製 タフテック Ｍ１９４３ スチレン：２０％、分子量５００００ 材料Ｄ（ＳＥＢＳ） 旭化成社製 タフテック Ｈ１０４１ スチレン：３０％、分子量５００００ 材料Ｅ（ＳＥＢＳ） 旭化成社製 タフテック Ｈ１０３１ スチレン：２０％、分子量３００００ 材料Ｆ（ＳＥＢＳ） 旭化成社製 タフテック Ｈ１０５１ スチレン：４０％、分子量５００００ 材料Ｇ（ＳＥＢＳ（分子量１０万以上、スチレン含量３
０％）とＥＰＤＭのブレンド） 三菱油化社製 ラバロン ＭＥ５３０２Ｃ

【００３３】 粘着剤Ａ：アクリル系粘着剤 １００重量部 イソシアヌレート化合物 ８０重量部 ウレタンアクリレート化合物 ２０重量部 光重合開始剤 １重量部 粘着剤Ｂ：アクリル系粘着剤 １００重量部 シアヌレート化合物 ４０重量部 ウレタンアクリレート化合物 １０重量部 粘着剤Ｃ：アクリル系粘着剤 １００重量部 イソシアヌレート化合物 ８０重量部 光重合開始剤 １重量部 ＥＶＡ−１５（エチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビ
ニル含量１０％）：住友化学工業社製 エバテート Ｈ
２０２１Ｆ ＥＶＡ−３（エチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニ
ル含量３％）：三菱油化社製 ユカロン−エバＶ１１３
Ｋ

【００３４】

【表１】

【００３５】

【表２】

【００３６】実施例８及び比較例４、５ 表３に示したような各層構成の基材フィルムを用いた以
外は実施例１と全く同様にして放射線硬化性粘着テープ
を作成した。この粘着テープの各物性を実施例１と全く
同様に試験し、その結果を表３に示した。

【００３７】なお、この実施例及び比較例で用いた化合
物は次の通りである。材料Ａ（エチレン−スチレン−ペ
ンテン共重合体） クラレ社製 セプトン ２０４３ スチレン：１３％、分子量約２０万 材料Ｂ（エチレン−スチレン−ペンテン共重合体） クラレ社製 セプトン ２０６３ スチレン：１３％、分子量約１０万 材料Ｃ（エチレン−スチレン−ペンテン共重合体） クラレ社製 セプトン ２１０３ スチレン：５０％、分子量約２０万

【００３８】 粘着剤Ａ：アクリル系粘着剤 １００重量部 イソシアヌレート化合物 ８０重量部 ウレタンアクリレート化合物 ２０重量部 光重合開始剤 １重量部 ＥＶＡ−１０（エチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビ
ニル含量１０％））：住友化学工業社製 エバテート
Ｈ２０２１Ｆ ＥＶＡ−３（エチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニ
ル含量３％））：三菱油化社製 ユカロン−エバＶ１１
３Ｋ

【００３９】

【表３】

【００４０】

【発明の効果】本発明の半導体固定用粘着テープを半導
体ウエハ等の切断加工に用いた場合、回転丸刃による素
子切断時に素子小片の離脱や位置ずれが生ずることが無
い十分に固定することができるだけの素子固定粘着力を
有し、基材フィルムの放射透過性が良好であるので放射
線照射後には接着剤が三次元網状化構造をとり素子のピ
ックアップ時には十分に素子固定粘着力を低下せしめる
ことができる。また放射線照射後の粘着テープが柔軟性
を維持し延伸性が優れているので粘着テープによる素子
間隙の大幅で均一な拡大が可能となる。よって、素子を
容易にしかも損傷することなくピックアップすることが
できるという優れた効果を奏する。また基材フィルムに
半導体のウエハに悪影響を及ぼす塩素系化合物を使用せ
ず、半導体ウエハを汚染する金属化合物系安定剤、可塑
剤等の添加物を含有せず、半導体素子を放射線硬化性粘
着剤で汚染する事がないので、素子の歩留りを減少する
という優れた効果も奏する。

フロントページの続き (72)発明者 石渡 伸一 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 岩本 和繁 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 長谷部 守邦 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材フィルムの片面に放射線硬化性粘着
   剤層を設けてなる半導体ウエハ固定用粘着テープにおい
   て、前記基材フィルムとして中心層にスチレン重合体ブ
   ロック成分（Ａ）及びエチレン−ブテン共重合体ブロッ
   ク成分（Ｂ）を有し、かつ前記成分（Ａ）が成分（Ａ）
   ＋（Ｂ）の１０〜３０重量％で、重量平均分子量が３５
   ０００〜９００００であるスチレン−エチレン−ブテン
   −スチレンブロック共重合体系フィルムを用い、接着層
   を介してまたは直接、前記放射線硬化性粘着剤層を設け
   る側表面に粘着剤塗布層、他方側表面に転写防止層を積
   層したフィルムを用いてなることを特徴とする半導体ウ
   エハ固定用粘着テープ。
2. 【請求項２】 基材フィルムの片面に放射線硬化性粘着
   剤層を設けてなる半導体ウエハ固定用粘着テープにおい
   て、前記基材フィルムとして中心層にスチレン重合体ブ
   ロック成分（Ａ）及びエチレン−ペンテン共重合体ブロ
   ック成分（Ｃ）を有し、かつ前記成分（Ａ）が成分
   （Ａ）＋（Ｃ）の１０〜３０重量％で、重量平均分子量
   が１５万〜５０万であるスチレン−エチレン−ペンテン
   −スチレンブロック共重合体系フィルムを用い、接着層
   を介してまたは直接、前記放射線硬化性粘着剤層を設け
   る側表面に粘着剤塗布層、他方側表面に転写防止層を積
   層したフィルムを用いてなることを特徴とする半導体ウ
   エハ固定用粘着テープ。