JPH051122Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH051122Y2 JPH051122Y2 JP1985160296U JP16029685U JPH051122Y2 JP H051122 Y2 JPH051122 Y2 JP H051122Y2 JP 1985160296 U JP1985160296 U JP 1985160296U JP 16029685 U JP16029685 U JP 16029685U JP H051122 Y2 JPH051122 Y2 JP H051122Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- slit
- short
- coupling
- dielectric
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 26
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 26
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 26
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、衛星通信、自動車電話、その他マイ
クロ波帯における通信機器等に使用される誘電体
フイルタの改良に関する。
クロ波帯における通信機器等に使用される誘電体
フイルタの改良に関する。
（考案の概要）
本考案は、マイクロ波帯の通信機器等に用いる
誘電体フイルタにおいて、誘電体フイルタの貫通
導電部の開放端及び短絡端が位置するそれぞれの
端面にスリツトを形成し、貫通導電部周辺で構成
される各共振器間の結合を誘導性結合及び容量性
結合の両者を併用した構成として高域側及び低域
側減衰特性の両方を向上させたものである。
誘電体フイルタにおいて、誘電体フイルタの貫通
導電部の開放端及び短絡端が位置するそれぞれの
端面にスリツトを形成し、貫通導電部周辺で構成
される各共振器間の結合を誘導性結合及び容量性
結合の両者を併用した構成として高域側及び低域
側減衰特性の両方を向上させたものである。
（考案の背景）
本考案者は、誘電体フイルタの貫通導電部の開
放端が位置する端面にスリツトを形成すると、貫
通導電部周辺で構成される各共振器間の結合が誘
導性となつたバンドパスフイルタが得られ、貫通
導電部の短絡端が位置する端面にスリツトを形成
すると、貫通導電部周辺で構成される各共振器間
の結合が容量性となつたバンドパスフイルタが得
られることをみいだした。
放端が位置する端面にスリツトを形成すると、貫
通導電部周辺で構成される各共振器間の結合が誘
導性となつたバンドパスフイルタが得られ、貫通
導電部の短絡端が位置する端面にスリツトを形成
すると、貫通導電部周辺で構成される各共振器間
の結合が容量性となつたバンドパスフイルタが得
られることをみいだした。
（考案が解決しようとする問題点）
ところで、誘電体フイルタの貫通導電部の開放
端が位置する開放端面のみにスリツトを形成して
各共振器間を誘導性結合とすると、バンドパスフ
イルタの高域側の減衰特性は急峻（シヤープ）に
遮断する特性となるが、低域側は劣化して緩慢
（ブロード）な特性となり、バンドパス特性が非
対称となる嫌いがある。
端が位置する開放端面のみにスリツトを形成して
各共振器間を誘導性結合とすると、バンドパスフ
イルタの高域側の減衰特性は急峻（シヤープ）に
遮断する特性となるが、低域側は劣化して緩慢
（ブロード）な特性となり、バンドパス特性が非
対称となる嫌いがある。
また、誘電体フイルタの貫通導電部の短絡端が
位置する短絡端面のみにスリツトを形成して各共
振器間を容量性結合とすると、バンドパスフイル
タの低域側の減衰特性は急峻（シヤープ）に遮断
する特性となるが、高域側は劣化して緩慢（ブロ
ード）な特性となり、バンドパス特性が非対称と
なる嫌いがある。
位置する短絡端面のみにスリツトを形成して各共
振器間を容量性結合とすると、バンドパスフイル
タの低域側の減衰特性は急峻（シヤープ）に遮断
する特性となるが、高域側は劣化して緩慢（ブロ
ード）な特性となり、バンドパス特性が非対称と
なる嫌いがある。
（問題点を解決するための手段）
本考案は、上記の点に鑑み、スリツトを貫通導
電部の開放端及び短絡端が位置する誘電体ブロツ
クの両端面（開放端面及び短絡端面）に形成する
ことにより、各貫通導電部周辺で構成される共振
器の結合を誘導性結合と容量性結合とを併用した
ものとして高域側及び低域側減衰特性の両方を良
好な特性とした誘電体フイルタを提供しようとす
るものである。
電部の開放端及び短絡端が位置する誘電体ブロツ
クの両端面（開放端面及び短絡端面）に形成する
ことにより、各貫通導電部周辺で構成される共振
器の結合を誘導性結合と容量性結合とを併用した
ものとして高域側及び低域側減衰特性の両方を良
好な特性とした誘電体フイルタを提供しようとす
るものである。
本考案は、複数の貫通穴の内面に導電膜を形成
してなる３個以上の貫通導電部を間隔をおいて並
設した誘電体ブロツク四側面と前記貫通導電部の
一端が位置する短絡端面とに導電膜を形成してな
る誘電体フイルタにおいて、前記３個以上の貫通
導電部のうち少なくとも１組の隣合う貫通導電部
の開放端間の開放端面に導電膜を有しないスリツ
トを形成するとともに、残りの隣合う貫通導電部
の短絡端間の前記短絡端面にもスリツトを形成し
た構成として上記問題点を解決している。なお、
短絡端面側のスリツト内面には導電膜があつても
無くてもよい。
してなる３個以上の貫通導電部を間隔をおいて並
設した誘電体ブロツク四側面と前記貫通導電部の
一端が位置する短絡端面とに導電膜を形成してな
る誘電体フイルタにおいて、前記３個以上の貫通
導電部のうち少なくとも１組の隣合う貫通導電部
の開放端間の開放端面に導電膜を有しないスリツ
トを形成するとともに、残りの隣合う貫通導電部
の短絡端間の前記短絡端面にもスリツトを形成し
た構成として上記問題点を解決している。なお、
短絡端面側のスリツト内面には導電膜があつても
無くてもよい。
（作用）
本考案の誘電体フイルタでは、誘電体ブロツク
の開放端面にスリツトを形成した所は共振器間の
結合が誘導性結合となり、短絡端面にスリツトを
形成した所は容量性結合となる。従つて、全体で
は誘導性結合と容量性結合とを併用したことにな
り、高域側及び低域側の減衰特性はともに急峻と
なり、対称性の良い減衰特性のバンドパスフイル
タを実現できる。
の開放端面にスリツトを形成した所は共振器間の
結合が誘導性結合となり、短絡端面にスリツトを
形成した所は容量性結合となる。従つて、全体で
は誘導性結合と容量性結合とを併用したことにな
り、高域側及び低域側の減衰特性はともに急峻と
なり、対称性の良い減衰特性のバンドパスフイル
タを実現できる。
また、開放端面のスリツト内面には導電膜は無
いので、スリツトの深さ等を後加工で変化させて
共振器間の結合度を微調整するのに好都合であ
り、回転砥石等で容易に形成でき、製造容易で低
コスト化が可能である。
いので、スリツトの深さ等を後加工で変化させて
共振器間の結合度を微調整するのに好都合であ
り、回転砥石等で容易に形成でき、製造容易で低
コスト化が可能である。
（実施例）
以下、本考案に係る誘電体フイルタの実施例を
図面に従つて説明する。
図面に従つて説明する。
第１図乃至第３図において、誘電体ブロツク１
には貫通穴の内面に導電膜を形成してなる複数の
貫通導電部２Ａ乃至２Ｅが形成され、誘電体ブロ
ツク外面（貫通導電部の存在する一面及び四側
面）には前記貫通導電部２Ａ乃至２Ｅに接続する
導電膜３が銀等のメタライズで形成されている。
には貫通穴の内面に導電膜を形成してなる複数の
貫通導電部２Ａ乃至２Ｅが形成され、誘電体ブロ
ツク外面（貫通導電部の存在する一面及び四側
面）には前記貫通導電部２Ａ乃至２Ｅに接続する
導電膜３が銀等のメタライズで形成されている。
また、各貫通導電部２Ａ乃至２Ｅの開放端が位
置する前記誘電体ブロツク１の開放端面５は導電
膜が形成されていない部分である。そして、貫通
導電部２Ａ，２Ｂ中間位置と貫通導電部２Ｄ，２
Ｅ中間位置の開放端面には段間結合用スリツト６
がそれぞれ形成されている。
置する前記誘電体ブロツク１の開放端面５は導電
膜が形成されていない部分である。そして、貫通
導電部２Ａ，２Ｂ中間位置と貫通導電部２Ｄ，２
Ｅ中間位置の開放端面には段間結合用スリツト６
がそれぞれ形成されている。
一方、各貫通導電部２Ａ乃至２Ｅが導電膜３に
接続される短絡端が位置する前記誘電体ブロツク
１の短絡端面には、貫通導電部２Ｂ，２Ｃ中間位
置と貫通導電部２Ｃ，２Ｄ中間位置に段間結合用
ストリツト７がそれぞれ形成されている。
接続される短絡端が位置する前記誘電体ブロツク
１の短絡端面には、貫通導電部２Ｂ，２Ｃ中間位
置と貫通導電部２Ｃ，２Ｄ中間位置に段間結合用
ストリツト７がそれぞれ形成されている。
なお、スリツト６，７内面に導電膜が形成され
ていない場合を図示したが、短絡端面側のスリツ
ト７は内面に導電膜３に接続する導電膜が形成さ
れてもよい。
ていない場合を図示したが、短絡端面側のスリツ
ト７は内面に導電膜３に接続する導電膜が形成さ
れてもよい。
上記実施例の構成によれば、段間結合用スリツ
ト６と誘電体ブロツク１の開放端面に形成するこ
とにより、貫通導電部２Ａによる共振器部分と２
Ｂによる共振器部分及び貫通導電部２Ｄによる共
振器部分と２Ｅによる共振器部分とをそれぞれ誘
導性結合とし、高域側の減衰量を大きくし減衰特
性を急峻にすることができる。また、段間結合用
スリツト７を誘電体ブロツク１の短絡端面に形成
することにより、貫通導電部２Ｂによる共振器部
分と２Ｃによる共振器部分及び貫通導電部２Ｃに
よる共振器部分と２Ｄによる共振器部分とをそれ
ぞれ容量性結合とし、低域側の減衰量を大きくし
減衰特性を急峻にすることができる。この結果、
減衰特性の対称性の良好なバンドパスフイルタを
実現できる。
ト６と誘電体ブロツク１の開放端面に形成するこ
とにより、貫通導電部２Ａによる共振器部分と２
Ｂによる共振器部分及び貫通導電部２Ｄによる共
振器部分と２Ｅによる共振器部分とをそれぞれ誘
導性結合とし、高域側の減衰量を大きくし減衰特
性を急峻にすることができる。また、段間結合用
スリツト７を誘電体ブロツク１の短絡端面に形成
することにより、貫通導電部２Ｂによる共振器部
分と２Ｃによる共振器部分及び貫通導電部２Ｃに
よる共振器部分と２Ｄによる共振器部分とをそれ
ぞれ容量性結合とし、低域側の減衰量を大きくし
減衰特性を急峻にすることができる。この結果、
減衰特性の対称性の良好なバンドパスフイルタを
実現できる。
さらに、スリツト内面は導電膜が無くてよいか
ら、誘電体ブロツクのメタライズ後に回転砥石等
でスリツト深さを大きくして、結合度の調節、ひ
いては高域側及び低域側のフイルタ特性の調整が
可能である。
ら、誘電体ブロツクのメタライズ後に回転砥石等
でスリツト深さを大きくして、結合度の調節、ひ
いては高域側及び低域側のフイルタ特性の調整が
可能である。
なお、上記実施例では、スリツト６，７の断面
が方形の場合を示したが、断面略Ｕ字状のスリツ
トを形成するようにしてもよい。このようなスリ
ツトの断面形状は回転砥石で形成する場合に好都
合である。
が方形の場合を示したが、断面略Ｕ字状のスリツ
トを形成するようにしてもよい。このようなスリ
ツトの断面形状は回転砥石で形成する場合に好都
合である。
上記各実施例において、入出力端子の引き出し
は省略したが、例えば貫通導電部の開放端に静電
容量で結合する手段等で入出力端子の引き出しが
可能である。
は省略したが、例えば貫通導電部の開放端に静電
容量で結合する手段等で入出力端子の引き出しが
可能である。
（考案の効果）
以上説明したように、本考案の誘電体フイルタ
によれば、外面に導電膜を形成した誘電体ブロツ
クに複数の貫通導電部を間隔をおいて並設した場
合において、前記貫通導電部の開放端及び短絡端
が位置する前記誘電体ブロツク両端面にスリツト
を形成したので、各貫通導電部周辺で構成される
共振器間の結合を誘導性結合と容量性結合とを併
用したかたちとすることができる。この結果、高
域側及び低域側での減衰量を大きく急峻な特性と
することができ、減衰特性を良好にできる。さら
に、スリツト深さの調整により結合度を変化させ
ることが可能である。
によれば、外面に導電膜を形成した誘電体ブロツ
クに複数の貫通導電部を間隔をおいて並設した場
合において、前記貫通導電部の開放端及び短絡端
が位置する前記誘電体ブロツク両端面にスリツト
を形成したので、各貫通導電部周辺で構成される
共振器間の結合を誘導性結合と容量性結合とを併
用したかたちとすることができる。この結果、高
域側及び低域側での減衰量を大きく急峻な特性と
することができ、減衰特性を良好にできる。さら
に、スリツト深さの調整により結合度を変化させ
ることが可能である。
また、開放端面のスリツト内面には導電膜は無
いので、スリツトの深さ等を後加工して共振器間
の結合度を微調整可能な利点もある。
いので、スリツトの深さ等を後加工して共振器間
の結合度を微調整可能な利点もある。
第１図は本考案に係る誘電体フイルタの実施例
を示す平面図、第２図は同正断面図、第３図は同
低面図である。 １……誘電体ブロツク、２Ａ乃至２Ｅ……貫通
導電部、３……導電膜、６，７……スリツト。
を示す平面図、第２図は同正断面図、第３図は同
低面図である。 １……誘電体ブロツク、２Ａ乃至２Ｅ……貫通
導電部、３……導電膜、６，７……スリツト。
Claims (1)
- 複数の貫通穴の内面に導電膜を形成してなる３
個以上の貫通導電部を間隔をおいて並設した誘電
体ブロツクの四側面と前記貫通導電部の一端が位
置する短絡端面とに誘電膜を形成してなる導電体
フイルタにおいて、前記３個以上の貫通導電部の
うち少なくとも１組の隣合う貫通導電部の開放端
間の開放端面に導電膜を有しないスリツトを形成
するとともに、残りの隣合う貫通導電部の短絡端
間の前記短絡端面にもスリツトを形成したことを
特徴とする誘電体フイルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985160296U JPH051122Y2 (ja) | 1985-10-19 | 1985-10-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985160296U JPH051122Y2 (ja) | 1985-10-19 | 1985-10-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6268308U JPS6268308U (ja) | 1987-04-28 |
| JPH051122Y2 true JPH051122Y2 (ja) | 1993-01-13 |
Family
ID=31085543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985160296U Expired - Lifetime JPH051122Y2 (ja) | 1985-10-19 | 1985-10-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH051122Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0731604Y2 (ja) * | 1988-10-22 | 1995-07-19 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体フィルタ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748801A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | Dielectric substance filter |
| JPS60152101A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-10 | Murata Mfg Co Ltd | 分布定数型フイルタ |
| JPS61201501A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波ろ波器 |
-
1985
- 1985-10-19 JP JP1985160296U patent/JPH051122Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748801A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | Dielectric substance filter |
| JPS60152101A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-10 | Murata Mfg Co Ltd | 分布定数型フイルタ |
| JPS61201501A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波ろ波器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6268308U (ja) | 1987-04-28 |
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