JPH05110228A - Formation of fine pattern for integrated circuit - Google Patents
Formation of fine pattern for integrated circuitInfo
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- JPH05110228A JPH05110228A JP3267874A JP26787491A JPH05110228A JP H05110228 A JPH05110228 A JP H05110228A JP 3267874 A JP3267874 A JP 3267874A JP 26787491 A JP26787491 A JP 26787491A JP H05110228 A JPH05110228 A JP H05110228A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、特にハイブリッド集
積回路に微細な導体配線若しくは抵抗体を形成する集積
回路用微細パターンの形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a fine pattern for an integrated circuit, in which a fine conductor wiring or a resistor is formed in a hybrid integrated circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】厚膜によって構成されたハイブリッド集
積回路（ＨＩＣ）基板は、簡便に使用できると共に量産
性に富むものであり、且つ設備投資額が少なくてすむも
のであるため、その大部分が厚膜印刷によって配線パタ
ーンの形成が行われている。2. Description of the Related Art A hybrid integrated circuit (HIC) substrate formed of a thick film is a thick film because it can be easily used and has a high mass productivity and requires a small capital investment. The wiring pattern is formed by printing.
【０００３】しかし、この様な厚膜印刷技術においてそ
の量産性を加味すると、導体配線パターンにおけるピッ
チは２００μｍ（導体幅１００μｍ、導体間隔１００μ
ｍ）程度が限界である。このため、スクリーン印刷を用
いるパターン形成方法において、将来の微細配線におけ
る要求値である導体パターンのピッチ１００μｍ（導体
幅５０μｍ、導体間隔５０μｍ）以下に対応することは
できない。However, in consideration of mass productivity in such a thick film printing technique, the pitch in the conductor wiring pattern is 200 μm (conductor width 100 μm, conductor interval 100 μm).
m) is the limit. Therefore, the pattern forming method using screen printing cannot cope with a conductor pattern pitch of 100 μm (conductor width 50 μm, conductor interval 50 μm) or less, which is a required value in future fine wiring.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】この発明は上記のよう
な点に鑑みなされたもので、大電流に対する対応も考慮
して充分な導体膜厚が設定できると共に、将来の要求に
も充分に対応できる配線ピッチが設定できるようにした
集積回路用微細パターンの形成方法を提供しようとする
ものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and a sufficient conductor film thickness can be set in consideration of the handling of a large current, and it can sufficiently meet future requirements. An object of the present invention is to provide a method for forming a fine pattern for an integrated circuit in which a possible wiring pitch can be set.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】この発明に係る集積回路
用微細パターンの形成方法にあっては、まずセラミック
基板の表面に均一な厚さの有機質被膜を形成し、この被
膜を所定の配線パターンにしたがってレーザ光照射によ
って除去する。そして、このレーザ光によって有機質被
膜の除去された部分に配線材料を埋め込み、この配線材
料を焼成するようにしている。In the method for forming a fine pattern for an integrated circuit according to the present invention, first, an organic coating having a uniform thickness is formed on the surface of a ceramic substrate, and the coating is formed into a predetermined wiring pattern. Then, it is removed by laser light irradiation. Then, the wiring material is embedded in the portion where the organic coating is removed by the laser light, and the wiring material is baked.
【０００６】[0006]
【作用】この様な微細パターンの形成方法によれば、例
えば感光性膜を使用することなくレーザ光によって有機
質被膜に所定のパターンの微細な溝が形成され、この溝
に対応した導体配線若しくは抵抗体が形成されるように
なる。したがって、有機質被膜が焼成によって除去さ
れ、パターン形成工程を短縮化することが容易となるも
のであり、例えば厚膜エッチング法におけるサイドエッ
チングによるパターンの細りがないため、より微細化し
た導体パターンが容易に形成可能とされるようになる。According to such a fine pattern forming method, fine grooves having a predetermined pattern are formed in the organic coating by laser light without using, for example, a photosensitive film, and a conductor wiring or a resistor corresponding to the groove is formed. The body begins to form. Therefore, the organic coating is removed by firing, and it is easy to shorten the pattern formation process. For example, since there is no thinning of the pattern due to side etching in the thick film etching method, a finer conductor pattern can be easily formed. Can be formed.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。図１の（Ａ）〜（Ｄ）は微細配線パターンの形
成工程を順次示しているもので、まず（Ａ）図で示すよ
うに集積回路装置を形成するようになるセラミック基板
11の表面の全面に、均一な膜厚の有機質被膜12を形成す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A to 1D sequentially show steps of forming a fine wiring pattern. First, a ceramic substrate for forming an integrated circuit device as shown in FIG. 1A.
An organic film 12 having a uniform film thickness is formed on the entire surface of 11.
【０００８】この有機質被膜12の形成手段は適宜選択で
きるものであるが、例えばウエットの場合には、代表例
としてスピンコート法、スクリーン印刷による方法等が
考えられる。またドライによる手段としては、シールの
ように裏面に接着剤層の形成された有機質被膜を接着す
る方法等も採用できる。The means for forming the organic coating film 12 can be selected as appropriate, but in the case of, for example, a wet method, a spin coating method, a screen printing method or the like can be considered as a typical example. Further, as a dry method, a method of adhering an organic coating film having an adhesive layer formed on the back surface thereof such as a seal can be adopted.
【０００９】この様にセラミック基板11の表面に有機質
被膜12の層が全面に形成されたならば、この有機質被膜
12の表面にレーザ光を所定のパターンにしたがって照射
し、このレーザ光の照射された部分が、セラミック基板
11が露出するまで除去して、（Ｂ）図で示すように微細
な溝13によるパターンを形成するレーザマーキングを行
う。If a layer of the organic coating 12 is formed on the entire surface of the ceramic substrate 11 as described above, the organic coating 12 is formed.
The surface of 12 is irradiated with laser light according to a predetermined pattern, and the part irradiated with the laser light is the ceramic substrate.
It is removed until 11 is exposed, and laser marking is performed to form a pattern of fine grooves 13 as shown in FIG.
【００１０】この場合、このレーザマーキングに使用す
るレーザは、有機質被膜12を除去することのできるもの
であればどの様な種類でもよいが、特にエキシマレーサ
が適する。In this case, the laser used for this laser marking may be of any kind as long as it can remove the organic coating 12, but an excimer racer is particularly suitable.
【００１１】この様にして有機質被膜12に配線パターン
にしたがった溝13が形成されたならば、（Ｃ）図で示す
ように、これらの溝13内に配線材料14を埋め込む。この
配線材料14を埋め込む手段としては機械的な方法と化学
的な方法とが考えられる。When the grooves 13 according to the wiring pattern are formed in the organic film 12 in this manner, the wiring material 14 is embedded in these grooves 13 as shown in FIG. Means for embedding the wiring material 14 may be a mechanical method or a chemical method.
【００１２】機械的な方法としては、例えば配線材料と
して金（Ａu ）ペーストをゴムべらを使用して埋め込む
と同時に、溝13以外の有機質被膜12上の不要な配線材料
をかき取る。また、ガラスフリット等を含む金粉をパッ
トを使用して溝13内に埋め込むと共に、有機質被膜13上
の不要な金粉を排除する等の方法が考えられる。As a mechanical method, for example, a gold (Au) paste is embedded as a wiring material using a rubber spatula, and at the same time, unnecessary wiring material on the organic coating 12 other than the groove 13 is scraped off. In addition, a method is conceivable in which gold powder containing glass frit or the like is embedded in the groove 13 using a pad and unnecessary gold powder on the organic coating 13 is removed.
【００１３】また化学的な方法としては、Ｐd 活性化処
理したセラミック基板11を用いて、（Ａ）図で示した有
機質被膜12を形成する工程、および（Ｂ）図で示した配
線パターンに対応した溝13をレーザマーキングにより形
成する工程が行なわれた後に金の化学メッキを行って、
溝13部分に金の配線材料14が埋込設定されるようにする
ことが考えられる。Further, as a chemical method, the step of forming the organic coating film 12 shown in FIG. 9A and the wiring pattern shown in FIG. 9B using the Pd-activated ceramic substrate 11 are performed. After performing the step of forming the groove 13 formed by laser marking, chemical plating of gold is performed,
It is conceivable that a gold wiring material 14 is embedded in the groove 13 portion.
【００１４】この様にして配線パターンに対応した溝13
部に配線材料14が埋込設定されたならば、この埋め込ま
れた配線材料14を焼成処理する。この焼成処理によって
同時に溝13を形成していた有機質被膜12は燃焼除去さ
れ、（Ｄ）図で示すように配線材料14によるパターンが
セラミック基板11上に形成される。この時の焼成雰囲気
は、空気中である必要がある。In this way, the groove 13 corresponding to the wiring pattern is formed.
When the wiring material 14 is embedded in the portion, the embedded wiring material 14 is fired. By this baking treatment, the organic coating film 12 in which the grooves 13 were simultaneously formed is burned and removed, and a pattern of the wiring material 14 is formed on the ceramic substrate 11 as shown in FIG. The firing atmosphere at this time needs to be in the air.
【００１５】この様にセラミック基板11の表面状に微細
な配線パターンが形成されるものであるが、この様なパ
ターン形成工程のさらに詳細な具体的な実施例を、以下
順次に説明する。Although a fine wiring pattern is formed on the surface of the ceramic substrate 11 in this manner, a more detailed concrete example of such a pattern forming process will be sequentially described below.
【００１６】［実施例１］有機質被膜12をセラミック基
板11の表面に形成する工程において、セルロース・アセ
テート・ブチレート系樹脂に対して黒染料を混入し、有
機溶剤で粘度を調整してコーティグ剤を調合する。この
コーティング剤はスクリーン印刷法を用いてセラミック
基板11上に全面印刷し、乾燥（１００℃×４５分）す
る。この場合乾燥後の有機質被膜12の膜厚は２０μｍで
あった。[Example 1] In the step of forming the organic coating 12 on the surface of the ceramic substrate 11, a black dye is mixed into the cellulose acetate butyrate-based resin, and the viscosity is adjusted with an organic solvent to form a coating agent. Compound. This coating agent is printed on the entire surface of the ceramic substrate 11 using a screen printing method and dried (100 ° C. × 45 minutes). In this case, the film thickness of the organic film 12 after drying was 20 μm.
【００１７】レーザマーキングの工程においては、エキ
シマレーザＫr Ｆ４８ｎｍをパターンにしたがって有機
質被膜12の表面に照射し、この有機質被膜12を所定のパ
ターンにしたがってセラミック基板11が露出するまで除
去する。この結果、幅15μｍで間隔１５μｍの溝13が形
成された。そして、この溝13部分に金ペーストをゴムべ
らを用いて埋め込むと同時に不要部分をかき取る。In the laser marking step, the surface of the organic coating 12 is irradiated with an excimer laser Kr F 48 nm according to a pattern, and the organic coating 12 is removed according to a predetermined pattern until the ceramic substrate 11 is exposed. As a result, grooves 13 having a width of 15 μm and an interval of 15 μm were formed. Then, at the same time as filling the groove 13 with gold paste using a rubber spatula, the unnecessary portion is scraped off.
【００１８】この様にして得られたサンプルは、空気中
で焼成する。この焼成工程によってセラミック基板11上
の有機質被膜13は燃焼され完全に除去されて、（Ｄ）図
で示したようにセラミック基板11上に配線材料14による
パターンのみが残る。この様なパターン形成方法によっ
て、線幅13μｍ、線間隔17μｍ、膜厚７μｍの配線パタ
ーンを形成することができた。この場合、配線パターン
の膜厚は、有機質被膜12の膜厚によって決定される。The sample thus obtained is fired in air. By this firing step, the organic coating 13 on the ceramic substrate 11 is burned and completely removed, and only the pattern of the wiring material 14 remains on the ceramic substrate 11 as shown in FIG. With such a pattern forming method, a wiring pattern having a line width of 13 μm, a line interval of 17 μm and a film thickness of 7 μm could be formed. In this case, the film thickness of the wiring pattern is determined by the film thickness of the organic coating 12.
【００１９】［実施例２］エキシマレーザを用いて有機
質被膜12に溝13を形成する工程までは実施例１と同じ工
程で行われる。そして、ガラスフリット等を混入した金
粉を不織布で作ったパットを用いて溝13部に埋め込むと
同時に、不要部分は拭き取る。その後は、実施例１と同
様に溝13部に埋め込まれた金粉を焼成し、不要な有機質
被膜12は燃焼除去する。その結果、セラミック基板11上
に線幅１３μｍ、線間隔１７μｍであり、膜厚５μｍの
配線パターンを形成することができた。[Embodiment 2] The same steps as in Embodiment 1 are carried out up to the step of forming the groove 13 in the organic coating 12 by using an excimer laser. Then, at the same time as embedding the gold powder mixed with glass frit into the groove 13 using a pad made of non-woven fabric, the unnecessary portion is wiped off. After that, as in Example 1, the gold powder embedded in the groove 13 is fired, and the unnecessary organic coating 12 is burned and removed. As a result, a wiring pattern having a line width of 13 μm and a line interval of 17 μm and a film thickness of 5 μm could be formed on the ceramic substrate 11.
【００２０】［実施例３］セラミック基板11の表面に、
実施例１と同様にスクリーン印刷によって有機質被膜12
を形成する。その後、この有機質被膜12にＹＡＧレーザ
１０６４ｎｍを所定のパターンにしたがって照射し、有
機質被膜12をセラミック基板11が露出するまで除去し
て、溝13による配線パターンを形成する。その結果溝幅
１００μｍ、溝間隔１００μｍの溝パターンが得られ
た。[Embodiment 3] On the surface of the ceramic substrate 11,
The organic coating 12 was formed by screen printing in the same manner as in Example 1.
To form. Then, the organic coating 12 is irradiated with a YAG laser 1064 nm in accordance with a predetermined pattern, and the organic coating 12 is removed until the ceramic substrate 11 is exposed to form a wiring pattern by the groove 13. As a result, a groove pattern having a groove width of 100 μm and a groove interval of 100 μm was obtained.
【００２１】この様に形成された有機質被膜12の溝13
に、金ペーストをゴムべらを用いて埋め込むと同時に、
不要部分を除去する。そして、空気中で焼成することに
よって不要な有機質被膜12を燃焼除去する。その結果、
セラミック基板11上に線幅８０μｍ、線間隔１２０μｍ
で、且つ線厚７μｍの配線パターンが形成された。The groove 13 of the organic coating 12 formed in this way
At the same time, embed the gold paste with a rubber spatula,
Remove unnecessary parts. Then, the unnecessary organic film 12 is burned and removed by firing in air. as a result,
Line width 80μm, line spacing 120μm on ceramic substrate 11
And a wiring pattern having a line thickness of 7 μm was formed.
【００２２】［実施例４］実施例３と同様にＹＡＧレー
ザを用いて有機質被膜12に配線パターンに対応した溝13
を形成する。そして、この溝13内にガラスフリット等を
混入した金粉を不織布で作ったパットを用いて埋め込む
と同時に金粉はかき取り除去する。その後空気中で焼成
し、不要な有機質被膜12を除去した結果、セラミック基
板11上に線幅８０μｍ、線間隔１２０μｍ、膜厚７μｍ
の配線パターンが得られた。[Embodiment 4] Similar to Embodiment 3, a YAG laser is used to form grooves 13 in the organic film 12 corresponding to the wiring pattern.
To form. Then, the gold powder mixed with glass frit or the like is embedded in the groove 13 using a pad made of a non-woven fabric, and at the same time, the gold powder is scraped off. After that, it is baked in air to remove the unnecessary organic coating film 12, and as a result, the line width is 80 μm, the line interval is 120 μm, and the film thickness is 7 μm on the ceramic substrate 11.
The wiring pattern of was obtained.
【００２３】［実施例５］エポキシアクリレート系樹脂
に光開始剤（イルガキュア６５１）と黒染料を混入した
配合物を調合し、この配合物をセラミック基板11上にス
クリーン印刷法を用いて全面に印刷した後、紫外線を照
射することによって硬化させ、有機質被膜12とした。こ
の硬化後の有機質被膜12の膜厚は２１μｍであった。[Embodiment 5] A composition in which a photoinitiator (Irgacure 651) and a black dye are mixed in an epoxy acrylate resin is prepared, and the composition is printed on the entire surface of a ceramic substrate 11 by screen printing. After that, it was cured by irradiation with ultraviolet rays to obtain an organic coating 12. The film thickness of the organic coating 12 after the curing was 21 μm.
【００２４】所定のパターンにしたがって、エキシマレ
ーザＫr Ｆ２４８ｎｍを有機質被膜12上に照射し、有機
質被膜12を所定のパターンに対応してセラミック基板11
が露出されるまで除去して溝13を形成した。この工程に
よって、溝幅１５μｍ、溝間隔１５μｍを得た。その後
は、金ペーストをゴムべらを用いて溝13中に埋め込むと
共に不要部分をかき取り、焼成する。その結果、セラミ
ック基板11上に、線幅１３μｍ、線間隔１７μｍ、膜厚
８μｍの配線パターンが得られた。Excimer laser Kr F 248 nm is irradiated onto the organic coating 12 in accordance with a predetermined pattern, and the organic coating 12 corresponds to the predetermined pattern in the ceramic substrate 11
The groove 13 was formed by removing the groove until it was exposed. By this step, a groove width of 15 μm and a groove interval of 15 μm were obtained. After that, the gold paste is embedded in the groove 13 using a rubber spatula, and unnecessary portions are scraped off and baked. As a result, a wiring pattern having a line width of 13 μm, a line interval of 17 μm and a film thickness of 8 μm was obtained on the ceramic substrate 11.
【００２５】［実施例６］樹脂フィルム（セルロース／
アクリル樹脂＋黒染料）の裏面に、粘着剤層を形成した
粘着性フィルムを作成し、このフィルムをセラミック基
板11の表面に均一に貼付ける。この貼った後の膜厚は２
６μｍであった。そして、エキシマレーザＫr Ｆ２４８
を照射し、有機質被膜12を所定パターンにしたがって除
去し、溝13を形成した。その結果、溝幅１５μｍ、溝間
隔１５μｍの配線パターンが得られた。[Example 6] Resin film (cellulose /
An adhesive film having an adhesive layer is formed on the back surface of the acrylic resin + black dye, and the film is evenly attached to the surface of the ceramic substrate 11. The film thickness after pasting is 2
It was 6 μm. And the excimer laser Kr F248
And the organic coating film 12 was removed according to a predetermined pattern to form a groove 13. As a result, a wiring pattern having a groove width of 15 μm and a groove interval of 15 μm was obtained.
【００２６】この様に形成された溝13に金ペーストをゴ
ムべらを用いて埋め込むと同時に不要部分をかき取る。
そして、この様にして得られたサンプルを空気中で焼成
するもので、この時有機質被膜12は燃焼して除去され
る。この結果、セラミック基板11上に、線幅１３μｍ、
線間隔１７μｍ、膜厚９μｍの配線パターンが形成され
た。The groove 13 thus formed is filled with gold paste by using a rubber spatula and, at the same time, an unnecessary portion is scraped off.
Then, the sample thus obtained is fired in air, at which time the organic coating 12 is burned and removed. As a result, on the ceramic substrate 11, the line width 13 μm,
A wiring pattern having a line interval of 17 μm and a film thickness of 9 μm was formed.
【００２７】［実施例７］セラミック基板11の表面を多
孔質化した後、Ｐd 活性化処理を実施する。この様に処
理されたセラミック基板11の表面に、実施例６で示した
ような粘着性フィルムを貼付けて有機質被膜12するもの
で、貼った後の膜厚は３６μｍであった。そして、この
有機質被膜12の表面にエキシマレーザＫr Ｆ２４８を照
射し、溝13による配線パターンを形成した。このレーザ
マーキングにより溝幅１５μｍ、溝間隔１５μｍの溝パ
ターンが得られた。[Embodiment 7] After the surface of the ceramic substrate 11 is made porous, Pd activation treatment is carried out. On the surface of the ceramic substrate 11 thus treated, the adhesive film as shown in Example 6 was stuck to form the organic film 12. The film thickness after sticking was 36 μm. Then, the surface of the organic film 12 was irradiated with an excimer laser Kr F248 to form a wiring pattern by the grooves 13. By this laser marking, a groove pattern having a groove width of 15 μm and a groove interval of 15 μm was obtained.
【００２８】この様なサンプルに対して金化学メッキを
行った後、空気中で有機質被膜12を燃焼除去する。その
結果セラミック基板11上に線幅１３μｍ、線間隔１７μ
ｍ、膜厚１０μｍの配線パターンが形成された。After gold chemical plating is performed on such a sample, the organic coating 12 is burned and removed in air. As a result, the line width is 13 μm and the line interval is 17 μ on the ceramic substrate 11.
A wiring pattern having a thickness of m and a film thickness of 10 μm was formed.
【００２９】［実施例８］セラミック基板11の表面を多
孔質化した後Ｐd 活性化処理を行い、実施例６で示した
粘着フィルムを貼付けて有機質被膜12とする。この場合
の膜厚は２６μｍであった。そして、ＹＡＧレーザ１０
６４ｎｍを照射して有機質被膜12をセラミック基板11が
露出するまで除去して溝13パターンを形成する。この場
合の溝幅は１００μｍ、溝間隔は１００μｍであった。
そして、このサンプルに対して金化学メッキを行い、そ
の後空気中で焼成して有機質被膜12を燃焼除去する。そ
の結果、セラミック基板11上に線幅８０μｍ、線間隔８
０μｍ、膜厚１０μｍの配線パターンが形成された。[Embodiment 8] After the surface of the ceramic substrate 11 is made porous, Pd activation treatment is carried out, and the adhesive film shown in Embodiment 6 is attached to form an organic coating 12. The film thickness in this case was 26 μm. And the YAG laser 10
Irradiation with 64 nm is performed to remove the organic coating 12 until the ceramic substrate 11 is exposed to form a groove 13 pattern. In this case, the groove width was 100 μm and the groove interval was 100 μm.
Then, gold chemical plating is performed on this sample, and then firing is performed in the air to burn off the organic coating 12. As a result, a line width of 80 μm and a line spacing of 8 on the ceramic substrate 11.
A wiring pattern having a thickness of 0 μm and a film thickness of 10 μm was formed.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る集積回路用
の微細パターン形成方法によれセラミック基板上に、将
来のハイブリッド集積回路における要求に充分対処でき
る配線ピッチの配線パターンが、簡易化した工程によっ
て形成できるようになるものであり、しかも大電流化に
も充分に対応できるように導体厚を厚く構成することも
容易とされる。As described above, according to the method for forming a fine pattern for an integrated circuit according to the present invention, a process of forming a wiring pattern having a wiring pitch on a ceramic substrate, which can sufficiently meet the demands for future hybrid integrated circuits, is simplified. It is also possible to form the conductor with a large thickness so as to sufficiently cope with a large current.
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の一実施例
に係る微細パターン形成方法の第１〜第４の工程を順次
説明する断面構成図。FIG. 1A to FIG. 1D are cross-sectional configuration diagrams sequentially explaining first to fourth steps of a fine pattern forming method according to an embodiment of the present invention.
11…セラミック基板、12…有機質被膜、13…溝、14…配
線材料。11 ... Ceramic substrate, 12 ... Organic coating, 13 ... Groove, 14 ... Wiring material.
Claims (1)
有機質被膜を形成する第１の工程と、 前記有機質被膜表面に所定の配線パターンに対応してレ
ーザ光を照射し、前記パターンに対応して前記セラミッ
ク基板表面に至るまで前記有機質被膜を除去する第２の
工程と、 前記有機質被膜の除去された溝パターン部に、配線材料
を埋込設定する第３の工程と、 前記埋め込まれた配線材料を空気中で焼成する第４の工
程とを具備し、 この第４の工程で前記有機質被膜が燃焼除去されるよう
にしたことを特徴とする集積回路用微細パターンの形成
方法。1. A first step of forming an organic coating film having a uniform thickness on the surface of a ceramic substrate, and irradiating the surface of the organic coating film with a laser beam corresponding to a predetermined wiring pattern so as to correspond to the pattern. Then, a second step of removing the organic coating up to the surface of the ceramic substrate, a third step of embedding a wiring material in the groove pattern portion where the organic coating is removed, and the embedded A fourth step of firing the wiring material in air, wherein the organic coating is burned and removed in the fourth step.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3267874A JPH05110228A (en) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | Formation of fine pattern for integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3267874A JPH05110228A (en) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | Formation of fine pattern for integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05110228A true JPH05110228A (en) | 1993-04-30 |
Family
ID=17450830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3267874A Pending JPH05110228A (en) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | Formation of fine pattern for integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05110228A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011233625A (en) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Murata Mfg Co Ltd | Wiring board and manufacturing method thereof |
| CN114449771A (en) * | 2021-09-27 | 2022-05-06 | 深圳市百柔新材料技术有限公司 | Preparation method of double-sided via hole ceramic copper-clad plate and circuit board |
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1991
- 1991-10-16 JP JP3267874A patent/JPH05110228A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011233625A (en) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Murata Mfg Co Ltd | Wiring board and manufacturing method thereof |
| CN114449771A (en) * | 2021-09-27 | 2022-05-06 | 深圳市百柔新材料技术有限公司 | Preparation method of double-sided via hole ceramic copper-clad plate and circuit board |
| CN114449771B (en) * | 2021-09-27 | 2024-02-13 | 深圳市百柔新材料技术有限公司 | Preparation method of double-sided via ceramic copper-clad plate and circuit board |
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