JPH05109859A - 半導体装置の測定方法及び測定装置 - Google Patents

半導体装置の測定方法及び測定装置

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JPH05109859A
JPH05109859A JP3266131A JP26613191A JPH05109859A JP H05109859 A JPH05109859 A JP H05109859A JP 3266131 A JP3266131 A JP 3266131A JP 26613191 A JP26613191 A JP 26613191A JP H05109859 A JPH05109859 A JP H05109859A
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semiconductor device
dut
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Kazuhiro Nishimura
和博 西村
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の特性測定において、被測定半導
体装置の動作を調べるとともに電流値により測定するこ
とのできる測定項目を同時に評価して、テスト工程にお
ける所要時間を短縮することを目的とする。 【構成】 被測定半導体装置であるDUT1の入力端子
4にデジタル信号をドライバ/コンパレータ9とその制
御部11より入力する。DUT1の出力端子5より出力
されるデジタル信号の電流値を電流プローバ13で検出
して、バッファアンプ14を通してドライバ/コンパレ
ータ8及びその制御部10に入力して、期待値と比較す
ることにより被測定半導体装置DUT1の動作を調べる
ファンクションテストと同時に、リークテストやファン
アウトテストを同時に行う。 【効果】 一つの測定装置で、半導体装置のファンクシ
ョンテスト、リークテスト及びファンアウトテストを同
時に行えるので、テスト工程の所要時間を短縮できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の測定方
法及び測定装置に関し、特にデジタル信号で動作する半
導体装置の複数の特性を一つの装置で測定するための測
定方法及び測定装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置の測定方法について、
図5を用いて説明する。図5は、従来のデジタルICの
測定方法を示す図である。図において、501は測定さ
れるデジタルIC(以下、DUTという)、502はD
UT501の電源端子、503はDUT501のGND
端子で測定時には接地されており、504はDUT50
1の入力端子、505はDUT501の出力端子、50
6はプルアップ抵抗、507は電源でDUT501の電
源端子502に接続して電源電圧を印加しており、ま
た、DUT501の出力端子505にプルアップ抵抗5
06を介して電圧を印加している。508,509はド
ライバ/コンパレータ、510,511はそれぞれドラ
イバ/コンパレータ508,509の制御をするドライ
バ/コンパレータ制御部、512は電源507及びドラ
イバ/コンパレータ制御部510,511等を制御する
制御部である。
【0003】一般に、半導体装置が正常に動作するか否
かを判定するための測定項目は、例えばデジタルICの
場合、装置が動作するかを確認するファンクションテス
ト、出力特性を調べるファンアウトテスト、各端子のリ
ーク電流を調べるリークテスト等がある。
【0004】図5に示した回路は、上記測定項目のう
ち、ファンクションテストを行うための測定装置であ
る。この測定装置によりデジタルICを測定する方法
は、先ず、ドライバ/コンパレータ制御部511よりド
ライバ/コンパレータ509を通して、規定のデジタル
信号をDUT501の入力端子504に印加する。そし
て、入力端子504に印加したデジタル信号に対して、
DUT501の出力端子505から出力されるデジタル
信号の電圧値をドライバ/コンパレータ508を通して
制御部510に入力して、出力端子505から出力され
るデジタル信号が期待される信号(以下期待値という)
と同一か否かを判断することにより行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の測
定方法は以上のように構成されているので、例えばデジ
タルICのファンクションテストを行う図5に示した測
定装置では、ファンクションテスト以外の主要な測定項
目であるファンアウトテストやリークテストをする場合
は、測定回路を変更するなどして、再度、出力特性やリ
ーク電流の測定を行う必要がある。このため、半導体装
置のテスト工程において、工程に要する時間が長くなっ
たり、工程が煩雑になる等の問題点があった。
【0006】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、一つの半導体装置の測定装置
で、例えばデジタルICの場合、ファンクションテスト
を行うとともにファンクションテスト以外の電流値によ
り評価を行う測定項目、例えばファンアウトテストやリ
ークテスト等の異なる測定項目を同時に評価することが
できる測定方法を得ることを目的としており、さらにこ
の方法を用いるのに適した測定装置を提供することを目
的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体集
積回路体装置の測定方法は、被測定半導体装置にデジタ
ル信号を入力し、前記被測定半導体装置から出力される
デジタル信号を測定する半導体装置の測定方法におい
て、前記出力されるデジタル信号の電流値を測定するこ
とにより、前記被測定半導体装置の特性を測定すること
を特徴とする。
【0008】この発明に係る半導体装置の測定装置は、
被測定半導体装置の入力端子にデジタル信号を入力する
デジタルパターン発生部と、前記被測定半導体装置の出
力端子から出力されるデジタル信号の電流値を電圧値に
変換する変換器と、前記変換器から伝達されるデジタル
信号の電圧値を測定する測定部とを備えて構成されてい
る。
【0009】
【作用】この発明における半導体装置の測定方法は、被
測定半導体装置より出力されるデジタル信号の電流値を
測定することにより前記被測定半導体装置の特性を測定
するようにしているので、前記被測定半導体装置の動作
を調べるとともに電流値により測定することのできる測
定項目をも同時に評価することができる。
【0010】この発明における半導体装置の測定装置
は、被測定半導体装置の出力端子から出力されるデジタ
ル信号の電流値を電圧値に変換する変換器を備えている
ので、前記被測定半導体装置の動作を調べるとともに電
流値により測定することのできる測定項目をも同時に評
価することができる。
【0011】
【実施例】以下、この発明の半導体装置の測定方法の一
実施例について図1を用いて説明する。図1は、この発
明によるデジタルICの測定方法を実施するための構成
の一例を示す図である。図1において、1は測定される
DUT、2はDUT1の電源端子、3はDUT1のGN
D端子で測定時には接地されており、4はDUT1の入
力端子、5はDUT1の出力端子、6はプルアップ抵
抗、7は電源でDUT1の電源端子2に接続して電源電
圧を印加しており、また、DUT1の出力端子5にプル
アップ抵抗6を介して電圧を印加している。8,9はド
ライバ/コンパレータ、10,11はそれぞれドライバ
/コンパレータ8,9の制御をするドライバ/コンパレ
ータ制御部、12は電源7及びドライバ/コンパレータ
制御部10,11等を制御する制御部、13はDUT1
の出力端子5より出力されるデジタル信号の電流値を検
出する電流プローバ、14は電流プローバ13の出力を
増幅し、電流プローバ13の検出信号をドライバ/コン
パレータ8へ伝達するバッファアンプである。ドライバ
/コンパレータ9とドライバ/コンパレータ制御部11
でデジタルパターン発生部を構成し、ドライバ/コンパ
レータ8とドライバ/コンパレータ制御部10で測定部
を構成している。
【0012】次に、図1に示した測定系を用いたDUT
1の測定方法について説明する。測定項目は、ファンク
ションテストとファンアウトテストとリークテストであ
る。先ず、ドライバ/コンパレータ制御部11よりドラ
イバ/コンパレータ9を通して、規定のデジタル信号を
DUT1の入力端子4に印加する。そして、入力端子4
に印加したデジタル信号に対してDUT1の出力端子5
から出力されるデジタル信号の電流値を電流プローバ1
3で検出し、バッファアンプ14により電流プローバ1
3の出力を増幅し、電流プローバ13の検出信号をドラ
イバ/コンパレータ8へ伝達する。ドライバ/コンパレ
ータ8を通して制御部10に入力して、出力端子5から
出力されるデジタル信号が期待値と同一か否かを判断す
ることによりファンクションテストが行われ、例えばD
UT1の出力がオープンコレクタであった場合、電流プ
ローバ13で出力端子5に電流が吸い込まれる状態を検
出したとき、DUT1の出力は“L”であり、電流プロ
ーバ13で出力端子5に電流が吸い込まれない状態を検
出したとき、DUT1の出力は“H”である。このよう
にして得られた測定結果を期待値と比較することにより
ファンクションテストが実行される。
【0013】このとき、DUT1の出力状態が、出力端
子5に電流が吸い込まれる状態であっても、出力端子に
吸い込まれる電流値が基準値以上でない場合は、DUT
1の出力状態を“L”と判定しないようにバッファアン
プ14及びドライバ/コンパレータ8を調整することに
より、ファンアウト能力の低いDUTをファンクション
テスト実行時に同時に不良として判定することができ
る。
【0014】また、このとき、DUT1の出力状態が、
出力端子5に電流が吸い込まれない状態であっても、基
準値以上のリーク電流がある場合には、DUT1の出力
状態を“H”と判定しないようにすれば、リーク特性の
よくないDUT1をファンクションテストと同時に不良
として判定することができる。
【0015】次に、この発明の半導体装置の測定方法の
他の実施例について図2を用いて説明する。図2は、こ
の発明によるデジタルICの測定方法を実施するための
他の構成例を示す図である。図2において、101は測
定されるDUT、102はDUT101の電源端子、1
03はDUT101のGND端子で測定時には接地され
ており、104はDUT101の入力端子、105はD
UT101の出力端子、106はプルアップ抵抗、10
7は電源でDUT101の電源端子102に電源電圧を
印加し、また、DUT101の出力端子105にプルア
ップ抵抗106を介して電圧を印加している。108,
109はドライバ/コンパレータ、110,111はそ
れぞれドライバ/コンパレータ108,109の制御を
するドライバ/コンパレータ制御部、112は電源10
7及びドライバ/コンパレータ制御部110,111等
を制御する制御部、115はオペアンプ、116は抵抗
値1Mオームの抵抗、117は抵抗値100オームの抵
抗、118は立ち上がり電圧0.5Vのダイオードであ
る。そして、オペアンプ115の非反転入力端子を電源
107に接続し、反転入力端子をプルアップ抵抗106
に接続し、 オペアンプ115の出力端子と反転入力端子
との間に抵抗117とダイオード118を直列接続した
ものと抵抗116とを並列に接続している。このオペア
ンプ115、抵抗116,117及びダイオード118
により非線形の電流電圧変換回路を形成している。ドラ
イバ/コンパレータ109とドライバ/コンパレータ制
御部111でデジタルパターン発生部を構成し、ドライ
バ/コンパレータ108とドライバ/コンパレータ制御
部110で測定部を構成している。
【0016】次に、図2に示した測定系を用いたDUT
1の測定方法について説明する。測定項目は、ファンク
ションテストとファンアウトテストとリークテストであ
る。先ず、ドライバ/コンパレータ制御部111よりド
ライバ/コンパレータ109を通して、規定のデジタル
信号をDUT101の入力端子104に印加する。そし
て、入力端子104に印加したデジタル信号に対してD
UT101の出力端子105から出力されるデジタル信
号の電流値を前記電流電圧変換回路により電圧値に変換
し、出力端子105から出力されるデジタル信号をドラ
イバ/コンパレータ108へ伝達する。ドライバ/コン
パレータ108を通して制御部110に入力して、出力
端子105から出力されるデジタル信号が期待値と同一
か否かを判断することによりファンクションテストが行
われ、例えばDUT101の出力がオープンコレクタで
あった場合、出力端子105に電流が吸い込まれる状態
では電流電圧変換回路のオペアンプ115の出力端子の
電圧はその電流値に応じて上昇し、この時、DUT10
1の出力は“L”であり、出力端子105に電流が吸い
込まれない状態で理想的には電流電圧変換回路のオペア
ンプ115の出力端子の電圧はオペアンプ115の反転
入力端子の電圧と同じ(電源電圧と同じ電圧)で、この
時、DUT101の出力は“H”である。このようにし
て得られた測定結果を期待値と比較することによりファ
ンクションテストが実行される。
【0017】そして、例えば、電源電圧を5Vとし、リ
ーク電流として5μA以下、ファンアウト特性として2
0mAと規定した場合、オペアンプ115の出力が5.
5V以下であれば、DUT101は“H”状態と判定
し、オペアンプ115の出力が7.5V以上であれば、
DUT101は“L”状態と判定するようにドライバ/
コンパレータ108及びドライバ/コンパレータ制御部
110の条件を設定することにより、ファンクションテ
スト時にリークテスト及びファンアウトテストを同時に
実行することができる。この場合、被測定電流値が小さ
く、オペアンプ115の反転入力端子と出力端子間の電
位差がダイオード118の立ち上がり電圧より小さいと
きは抵抗116に電流が流れ、オペアンプ115の出力
端子には被測定電流値の106 倍の電圧に5Vを加えた
電圧が得られる。一方、被測定電流が大きくなり、オペ
アンプ115の反転入力端子と出力端子間の電位差がダ
イオード118の立ち上がり電圧より大きいときは抵抗
117に電流が流れ、オペアンプ115の出力端子には
被測定電流値の102倍の電圧に5Vを加えた電圧が得
られる。このような非線形の電流電圧変換を用いている
ため、電流プローバを使用する場合に比べて測定レンジ
が広がり、電流測定精度が向上するという利点がある。
また、電流プローバを用いて電流測定精度を向上しよう
とすれば、被測定電流の電流値に応じて測定レンジを切
り換える必要があるが、非線形型電流電圧変換回路を用
いれば、電流値に応じて測定レンジを切り換える必要が
ないという効果がある。
【0018】次に、この発明による半導体装置の測定方
法を実施するためのさらに他の構成例について図3を用
いて説明する。図3はこの発明による方法を適用したデ
ジタルICの測定装置を示す図である。図において、3
51はDUT、352はDUT351を保持し、測定に
必要な配線および周辺回路等を有するパフォーマンスボ
ード部(但し、配線および周辺回路等については図示省
略している。)、353はパフォーマンスボード部35
2のコネクタ部、354はテストヘッド部、355はテ
ストヘッド部354内のバッファ部、356はバッファ
部355に電圧を与えるための電源、357はバッファ
部355内にあるオペアンプでその出力端子と反転入力
端子の間に接続された抵抗とダイオードにより電流電圧
変換回路を構成しており、オペアンプ357の非反転入
力端子には電源356が接続されている。358,35
9,363はコネクタ部である。360はテスタ本体
で、ドライバ/コンパレータ及びその制御部である36
1(以下、ピンエレクトロニクス部という)とテスタ本
体360の制御部362とコネクタ部363により構成
されている。なお、測定装置に汎用性を持たせるためバ
ッファ部355内のスイッチは外部よりバッファ部ごと
に設定できるよう構成されている。また、ピンエレクト
ロニクス部361はデジタルパターン発生部と測定部の
両方の使い方ができ、場合に応じて使い分けられる。
【0019】そして、DUT351はパフォーマンスボ
ード352に装着される。パフォーマンスボード352
は、コネクタ部353,358とによりテストヘッド部
354に装着される。テストヘッド部354とテスタ本
体360はコネクタ部359,363により接続され
る。
【0020】以上のように構成された半導体装置の測定
装置を用いて測定する場合、先ず、DUT351のファ
ンクションテストに必要なデジタル入力信号は、ピンエ
レクトロニクス部361よりバッファ部355を通して
DUT351に入力される。この時、DUT351の入
力端子に接続されるバッファ部355の内部スイッチ
は、左のスイッチを開き、右のスイッチを閉じておく。
DUT351の出力信号は、出力端子より出力される電
流信号をバッファ部355の電流電圧変換器により電圧
信号に変換してピンエレクトロニクス部361に入力さ
れ、期待値と比較して判定される。この時、DUT35
1の出力端子に接続されるバッファ部355の内部スイ
ッチは、右のスイッチを開き、左のスイッチを閉じてお
く。また、このとき、DUT351の出力端子に印加さ
れる電圧値は電源356により設定され、バッファ部3
55より印加される。ファンクションテスト、ファンア
ウトテスト及びリークテストは、図2を用いて説明した
測定方法と同様に行うことができる。このように、バッ
ファ部355内に電流電圧変換回路を配置することによ
り、この発明による測定方法を容易に実現することがで
きる。
【0021】次に、この発明による半導体装置の測定方
法を実施するためのさらに他の構成例について図4を用
いて説明する。図4はこの発明による方法を適用したデ
ジタルICの測定装置を示す図である。図において、4
51はDUT、452はDUT451を保持し、測定に
必要な配線および周辺回路等を有するパフォーマンスボ
ード部(但し、配線および周辺回路等については図示省
略している。)、453はパフォーマンスボード部45
2のコネクタ部、454はテストヘッド部、455はテ
ストヘッド部454内のバッファ部、457はバッファ
部455内にあるオペアンプでその出力端子と反転入力
端子の間に接続された抵抗とダイオードにより電流電圧
変換回路を構成している。458,459,463はコ
ネクタ部である。460はテスタ本体で、ドライバ/コ
ンパレータ及びその制御部であるピンエレクトロニクス
部461とテスタ本体460の制御部462とコネクタ
部463により構成されている。オペアンプ457の非
反転入力端子にはピンエレクトロニクス部461の出力
が接続されている。なお、測定装置に汎用性を持たせる
ためバッファ部455内のスイッチは外部よりバッファ
部ごとに設定できるよう構成されている。また、ピンエ
レクトロニクス部461はデジタルパターン発生部と測
定部の両方の使い方ができ、場合に応じて使い分けられ
る。
【0022】そして、DUT451はパフォーマンスボ
ード452に装着される。パフォーマンスボード452
は、コネクタ部453,458とによりテストヘッド部
454に装着される。テストヘッド部454とテスタ本
体460はコネクタ部459,463により接続され
る。
【0023】図4に示した半導体装置の測定装置を用い
て測定する場合、オペアンプ457の反転入力端子及び
DUT451の出力端子に電圧を印加する方法を除き、
図3に示した測定装置を用いて測定する場合と同様に行
うことができる。
【0024】オペアンプ457の反転入力端子には,ピ
ンエレクトロニクス部461のドライバより電圧を印加
する。そのため、DUT451の出力端子にそれぞれ異
なる電圧を印加した状態で、ファンクションテスト、フ
ァンアウトテスト及びリークテスト等を行うことが可能
となる。たとえば、出力形式の異なる複数の出力端子を
有するICに対しては、それぞれの出力端子に応じた電
圧を印加することにより適切な評価を行うことができ
る。
【0025】なお、この発明による半導体装置の測定方
法および測定装置についての上記各実施例では、DUT
の出力端子より出力する電流を測定する方法として、電
流プローバを用いて電流を測定する場合と非線形型電流
電圧変換回路を用いる場合とを説明したが、電流により
デジタル信号を認識することができれば他の方法、他の
回路であってもよく、上記各実施例と同様の効果を奏す
る。
【0026】また、図3,図4の実施例では、電流電圧
変換回路をテストヘッド部内に配置した例を示したが、
例えばパフォーマンスボードもしくはピンエレクトロニ
クス部等の内部に配置してもよく、測定装置の一部であ
れば上記実施例と同様の効果を奏する。
【0027】更に、この発明による半導体装置の測定方
法および測定装置についての上記各実施例では、被測定
半導体装置に出力形式としてオープンコレクタ形式のも
のを用いて説明したが、他の出力形式の被測定半導体装
置の測定にも用いることができ、その場合は、測定の規
格に定められたインピーダンス、電位(接地電位も含
む)等に接続して出力端子より出力される電流を上記実
施例と同様に測定すればよく、他の出力形式の被測定半
導体装置についても上記実施例と同様の効果を奏する。
【0028】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置の
測定方法によれば、被測定半導体装置より出力されるデ
ジタル信号の電流値を測定することにより前記被測定半
導体装置の特性を測定するよう構成し、複数の測定項目
を同時に評価するので、テスト工程を簡略化することが
でき、またテスト工程に要する時間を短縮することがで
きるという効果がある。
【0029】また、この発明における半導体装置の測定
装置は、被測定半導体装置の出力端子から出力されるデ
ジタル信号の電流値を電圧値に変換する変換器を備えて
構成し、複数の測定項目を同時に評価するので、テスト
工程を簡略化することができ、またテスト工程に要する
時間を短縮することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例であるデジタルICの測定
方法を示す図である。
【図2】この発明の他の実施例であるデジタルICの測
定方法を示す図である。
【図3】この発明のさらに他の実施例であるデジタルI
Cの測定装置を示す図である。
【図4】この発明のさらに他の実施例であるデジタルI
Cの測定装置を示す図である。
【図5】従来のデジタルICの測定方法を示す図であ
る。
【符号の説明】
1 DUT 2 電源端子 3 GND端子 4 入力端子 5 出力端子 6 プルアップ抵抗 7 電源 8,9 ドライバ/コンパレータ 10,11 ドライバ/コンパレータ制御部 12 測定系の制御部 13 電流プローバ 14 バッファアンプ 115 オペアンプ 116,117 抵抗 118 ダイオード 351 DUT 352 パフォーマンスボード 353 コネクタ部 354 テストヘッド部 356 電源 357 オペアンプ 358 ,359 コネクタ部 360 テスタ 361 ピンエレクトロニクス部 362 制御部 363 コネクタ部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定半導体装置にデジタル信号を入力
    し、前記被測定半導体装置から出力されるデジタル信号
    を測定する半導体装置の測定方法において、 前記出力されるデジタル信号の電流値を測定することに
    より、前記被測定半導体装置の特性を測定することを特
    徴とする半導体装置の測定方法。
  2. 【請求項2】 被測定半導体装置の入力端子にデジタル
    信号を入力するデジタルパターン発生部と、 前記被測定半導体装置の出力端子から出力されるデジタ
    ル信号の電流値を電圧値に変換する変換器と、 前記変換器から伝達されるデジタル信号の電圧値を測定
    する測定部と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の測定装置。
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