JPH05109614A - Removal method of photoresist film - Google Patents
Removal method of photoresist filmInfo
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- JPH05109614A JPH05109614A JP26417591A JP26417591A JPH05109614A JP H05109614 A JPH05109614 A JP H05109614A JP 26417591 A JP26417591 A JP 26417591A JP 26417591 A JP26417591 A JP 26417591A JP H05109614 A JPH05109614 A JP H05109614A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィ技
術実施後不要になったフォトレジスト膜の除去方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for removing a photoresist film which has become unnecessary after the photolithography technique has been carried out.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子の製造工程において、フォト
リソグラフィ技術はフォトレジスト感光工程で形成した
所望のフォトレジストパターンをマスクとしてエッチン
グや不純物のイオン打ち込みなど所定の作業が行われた
後、不要となったフォトレジスト膜を除去する工程によ
って終了する。したがって、フォトレジスト膜除去工程
はリソグラフィ工程と同じ頻度でウエーハが通過するプ
ロセスであり、この工程で半導体素子に汚染や損傷が入
ると最終製品としての半導体素子の歩留まりが大きく低
下してしまうため、ダメージがなくフォトレジストの残
渣を発生させずフォトレジスト膜を除去する技術が重要
なポイントとなる。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a photolithography technique becomes unnecessary after a predetermined work such as etching or ion implantation of impurities is performed using a desired photoresist pattern formed in a photoresist exposure process as a mask. The process ends by removing the photoresist film. Therefore, the photoresist film removing step is a process in which the wafer passes at the same frequency as the lithography step, and if the semiconductor element is contaminated or damaged in this step, the yield of the semiconductor element as a final product will be greatly reduced. An important point is a technique of removing the photoresist film without causing damage and generating a photoresist residue.
【０００３】半導体素子の製造プロセス技術は、素子の
高集積化、微細化にともない急速に進歩し、新しい技術
が開発され導入されてきたが、フォトレジストを除去す
る技術はこの間大きな新技術の開発もされることなく推
移してきた。しかしながら、プラズマエッチング、イオ
ン打ち込みなどのドライプロセスの出現により、ウエー
ハ上から除去すべきフォトレジストはますますプラズマ
耐性や熱耐性が向上してきたため、フォトレジスト膜除
去技術にはより一層高度なものが要求されるようになっ
てきている。The manufacturing process technology for semiconductor devices has rapidly progressed with the high integration and miniaturization of devices, and new techniques have been developed and introduced. During this period, the technology for removing photoresist has been a great new development. It has been changing without being damaged. However, with the advent of dry processes such as plasma etching and ion implantation, the photoresist to be removed from the wafer has become more and more resistant to plasma and heat, so more advanced photoresist film removal technology is required. Is becoming popular.
【０００４】フォトレジスト膜除去方法には次のものが
ある。 (i) ウェット除去法 (硫酸オゾン除去、有機溶液除
去) (ii) プラズマアッシング法 (iii) ダウンストリームアッシング法 (iv) 紫外線オゾンアッシング法 (光アッシング法) このうち(ii)〜(iv)は総称してアッシング法と呼ばれて
いる。そして(iii) 、(iv ) はここ数年非常に大きな注
目を集めているアッシング技術である。There are the following methods for removing the photoresist film. (i) Wet removal method (sulfuric acid ozone removal, organic solution removal) (ii) Plasma ashing method (iii) Downstream ashing method (iv) Ultraviolet ozone ashing method (optical ashing method) Of these, (ii) to (iv) are It is generically called the ashing method. And (iii) and (iv) are ashing technologies that have received a great deal of attention in recent years.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
フォトレジスト除去方法では種々の問題点があげられ
る。たとえば第一の方法であるウェット除去方法では、
前述のプラズマ耐性や熱耐性を向上させるために処理さ
れたフォトレジストは表面層がプラズマやイオン打ち込
みにより熱的に変質しているために有機溶液に溶けにく
くなっている等の問題があげられる。また第二の方法で
あるプラズマアッシング法は、プラズマ中に存在する荷
電粒子がフォトレジストアッシング時にウエーハの素子
にダメージを与えることが問題としてあげられる。第三
の方法のダウンストリームアッシング法は、プラズマ発
生部分とフォトレジストを除去する処理部分を分離した
プラズマ輸送式のシステムであり、第二の方法に比較す
れば改善はされていが、完全なダメージフリーにはなっ
ていないという問題があげられる。そして、第四の光ア
ッシング法は、本質的に処理室に荷電粒子が存在しない
方法のために半導体素子に対するダメージの影響は無い
が、極端に熱的に変質したフォトレジストの除去能力に
欠けているという問題があげられる。However, the above-mentioned photoresist removing method has various problems. For example, in the first method, the wet removal method,
The photoresist treated to improve the plasma resistance and heat resistance described above has a problem that it is difficult to dissolve in an organic solution because the surface layer is thermally denatured by plasma or ion implantation. The second method, the plasma ashing method, has a problem that charged particles existing in plasma damage a wafer element during photoresist ashing. The third method, the downstream ashing method, is a plasma-transporting system that separates the plasma generation part and the processing part that removes the photoresist. The problem is that it is not free. The fourth optical ashing method is essentially free from charged particles in the processing chamber and therefore has no effect on damage to the semiconductor element, but lacks the ability to remove the extremely thermally altered photoresist. There is the problem of being present.
【０００６】本発明の目的は、上述の問題を解決し、プ
ラズマ耐性や熱耐性を向上させる処理がされ、また熱的
に変質したフォトレジスト膜を半導体素体に形成された
素子にダメージを与えることなく除去し、かつフォトレ
ジスト中に含まれたナトリウム (Na) などの可動イオン
を含む残渣がウエーハ表面に残ることのないフォトレジ
スト膜除去方法を提供するものとする。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to perform a treatment for improving plasma resistance and heat resistance, and to thermally damage a device formed with a photoresist film on a semiconductor element body. It is intended to provide a method for removing a photoresist film, which is removed without removing a residue containing mobile ions such as sodium (Na) contained in the photoresist on the surface of the wafer.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のフォトレジスト膜除去方法は、表面層を
アッシング法で除去したのち、半導体素体に近い下層部
分を有機溶液を用いて除去するものとする。そして、ア
ッシング法としてはプラズマアッシング法あるいはダウ
ンストリームアッシング法を用いることができる。In order to achieve the above object, the method for removing a photoresist film according to the present invention uses a method of removing a surface layer by an ashing method, and then using an organic solution for a lower layer portion close to a semiconductor element body. Shall be removed. As the ashing method, a plasma ashing method or a downstream ashing method can be used.
【０００８】[0008]
【作用】プラズマやイオン打込みにより変質したフォト
レジスト膜の表面層部分を除去能力の高いアッシング方
法で除去し、半導体素体に近い下層部分を半導体素子に
対してダメージを与えない有機溶液を用いて除去するこ
とにより、半導体素子に対するダメージを与えることな
しに半導体素体表面に残渣を残さないでフォトレジスト
膜が除去される。[Function] The surface layer portion of the photoresist film which has been deteriorated by plasma or ion implantation is removed by an ashing method having high removal ability, and the lower layer portion close to the semiconductor element body is used with an organic solution which does not damage the semiconductor element. By removing, the photoresist film is removed without leaving a residue on the surface of the semiconductor element body without damaging the semiconductor element.
【０００９】[0009]
【実施例】フォトリソグラフィ工程の最後にフォトレジ
スト膜を除去する場合、先ず25枚のウエーハについて５
〜10分間でガス種に酸素を用いたプラズマアッシングに
より約3000Åの厚さの表面層を除去した。これにより、
プラズマやイオン打込みにより変質した表面層部分が除
去された。次いで有機溶液に５〜10分間浸漬することに
よりフォトレジスト膜の残りの部分を除去した。そのあ
と、改善した最終水洗、乾燥方法を施した。他に表面層
除去をプラズマアッシング法の代わりにダウンストリー
ムアッシング法および光アッシング法によりそれぞれ行
った。[Embodiment] When removing the photoresist film at the end of the photolithography process, first, 5 wafers of 5 wafers are used.
The surface layer having a thickness of about 3000 Å was removed by plasma ashing using oxygen as a gas species for about 10 minutes. This allows
The surface layer portion which was degenerated by plasma or ion implantation was removed. Then, the remaining part of the photoresist film was removed by immersing in the organic solution for 5 to 10 minutes. After that, the improved final washing and drying method was applied. In addition, the surface layer was removed by the downstream ashing method and the optical ashing method instead of the plasma ashing method.
【００１０】図１、図２、図３は、フォトレジストを除
去したあとの酸化膜の上に金属電極を設け、Ｃ−Ｖ特性
を測定してダメージ評価を行った結果で、図１は本発明
の一実施例のプラズマアッシング法と有機溶液によるウ
ェット除去法を組合わせた場合で×印で示す変曲点１が
０Ｖに近い値でダメージが少ないことを示しているのに
対し、従来のプラズマアッシングのみによる図２のＣ−
Ｖ特性曲線ではヒステリシスがあり、また線外の点２が
測定されていることからダメージが生じていることがわ
かる。図３はダウンストリーム法のみによってフォトレ
ジスト膜を除去した場合で、電圧のプラス側に若干のヒ
ステリシスがあり、ダメージが多少あるが、図２のプラ
ズマアッシング法に比較して改善されているので、この
方法と有機溶液によるウェット除去法の組合わせもダメ
ージの点から有効であることが立証される。FIGS. 1, 2 and 3 show the results of damage evaluation by measuring C-V characteristics by providing a metal electrode on the oxide film after removing the photoresist, and FIG. In the case where the plasma ashing method according to the embodiment of the invention and the wet removal method using an organic solution are combined, the inflection point 1 shown by X indicates a value close to 0 V, which indicates that the damage is small. C- in FIG. 2 only by plasma ashing
There is hysteresis in the V characteristic curve, and it can be seen that damage occurs because point 2 outside the line is measured. FIG. 3 shows the case where the photoresist film is removed only by the downstream method, and there is some hysteresis on the positive side of the voltage, and there is some damage, but it is improved compared to the plasma ashing method of FIG. It is proved that the combination of this method and the wet removal method using an organic solution is also effective in terms of damage.
【００１１】表１は各フォトレジスト膜除去方法後のウ
エーハ表面に付着している残渣の0.３μｍ以上の大きさ
の粒子数を示す。Table 1 shows the number of particles having a size of 0.3 μm or more in the residue attached to the surface of the wafer after each method of removing the photoresist film.
【００１２】[0012]
【表１】 表１より本発明によるアッシング法とウェット除去法の
組合わせが残渣の減少にも有効であることがわかる。[Table 1] It can be seen from Table 1 that the combination of the ashing method and the wet removal method according to the present invention is also effective in reducing the residue.
【００１３】[0013]
【発明の効果】本発明によれば、フォトレジスト膜除去
にアッシング法と有機溶液によるウェット除去法とを組
合わせることにより、以下の効果を得ることができた。 (イ) 従来のアッシングで発生していた半導体素子に対
するダメージを回避することができた。 (ロ) 半導体素体表面のフォトレジストの残渣が非常に
少ないものとなった。 そして、本発明の実施は、従来の半導体素子製造プロセ
ス中の装置で容易に対応でき、かつ工程が単純で一度に
たくさんの半導体素体の処理が可能なため、量産工程で
の実用化に対して問題はなく、フォトレジスト除去工程
が安定化する。従って再現性の良い半導体素子の製造に
極めて有効である。According to the present invention, the following effects can be obtained by combining the ashing method and the wet removal method using an organic solution for removing the photoresist film. (B) It was possible to avoid the damage to the semiconductor element that was generated by conventional ashing. (B) The residue of the photoresist on the surface of the semiconductor body was extremely small. Further, the present invention can be easily applied to the conventional device during the semiconductor element manufacturing process, and the process is simple and a large number of semiconductor elements can be processed at one time. There is no problem, and the photoresist removal process is stabilized. Therefore, it is extremely effective for manufacturing a semiconductor device having good reproducibility.
【図１】本発明の一実施例によるフォトレジスト膜除去
後のダメージ評価のためのＣ−Ｖ特性線図FIG. 1 is a CV characteristic diagram for damage evaluation after removing a photoresist film according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来のプラズマアッシング法のみによるフォト
レジスト膜除去後のダメージ評価のためのＣ−Ｖ特性線
図FIG. 2 is a CV characteristic diagram for damage evaluation after removing a photoresist film only by a conventional plasma ashing method.
【図３】従来のダウンステリームアッシング法のみによ
るフォトレジスト膜除去後のダメージ評価のためのＣ−
Ｖ特性線図FIG. 3 is a C- for damage evaluation after removing a photoresist film only by a conventional down-stain ashing method.
V characteristic diagram
Claims (3)
導体素体に近い下層部分を有機溶液を用いて湿式で除去
することを特徴とするフォトレジスト膜の除去方法。1. A method for removing a photoresist film, which comprises removing the surface layer by an ashing method, and then removing the lower layer portion near the semiconductor element body by a wet method using an organic solution.
を用いる請求項１記載のフォトレジスト膜の除去方法。2. The method for removing a photoresist film according to claim 1, wherein a plasma ashing method is used as the ashing method.
シング法を用いる請求項１記載のフォトレジスト膜の除
去方法。3. The method of removing a photoresist film according to claim 1, wherein a downstream ashing method is used as the ashing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26417591A JPH05109614A (en) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | Removal method of photoresist film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26417591A JPH05109614A (en) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | Removal method of photoresist film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109614A true JPH05109614A (en) | 1993-04-30 |
Family
ID=17399508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26417591A Pending JPH05109614A (en) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | Removal method of photoresist film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109614A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100847829B1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Method for Forming Semiconductor Device |
| CN111063828A (en) * | 2019-12-31 | 2020-04-24 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | Silicon-based Micro OLED Micro-display anode and preparation method thereof |
-
1991
- 1991-10-14 JP JP26417591A patent/JPH05109614A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100847829B1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Method for Forming Semiconductor Device |
| CN111063828A (en) * | 2019-12-31 | 2020-04-24 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | Silicon-based Micro OLED Micro-display anode and preparation method thereof |
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