JPH051093A - ヌクレオシドのスクシニル化法 - Google Patents
ヌクレオシドのスクシニル化法Info
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- JPH051093A JPH051093A JP14887591A JP14887591A JPH051093A JP H051093 A JPH051093 A JP H051093A JP 14887591 A JP14887591 A JP 14887591A JP 14887591 A JP14887591 A JP 14887591A JP H051093 A JPH051093 A JP H051093A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヌクレオシドの塩基部のアミノ基をスクシニ
ル基により効率よく保護する新規な方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 本発明の新規なヌクレオシドのスクシニル化
法は、ヌクレオシドの塩基部のアミノ基をスクシニル基
で保護するに際して、原料化合物としてヌクレオシドの
水酸基をアシル基で保護したものを使用し、該原料化合
物とハロゲン化アルキルスクシニルとを塩基性溶媒中で
反応させ、次いで閉環反応に付すことを構成とするもの
である。
ル基により効率よく保護する新規な方法を提供すること
を目的とする。 【構成】 本発明の新規なヌクレオシドのスクシニル化
法は、ヌクレオシドの塩基部のアミノ基をスクシニル基
で保護するに際して、原料化合物としてヌクレオシドの
水酸基をアシル基で保護したものを使用し、該原料化合
物とハロゲン化アルキルスクシニルとを塩基性溶媒中で
反応させ、次いで閉環反応に付すことを構成とするもの
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヌクレオシドの塩基部
のアミノ基をスクシニル基で効率よく保護する方法に関
するものである。
のアミノ基をスクシニル基で効率よく保護する方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】スクシニル基は、ＤＮＡ型オリゴヌクレ
オチドの化学合成において問題となるデプリネーション
を抑制でき（Nucleic Acids Res., 12, 8525(1984)) 、
さらにホスホロアミダート法におけるアニリノ基の除去
の際に伴う塩基部のアミノ基の欠落を防止できる（Hete
roatom Chem., 2 ,187(1991)）という優れた特性を有す
ることから、ヌクレオシドの塩基部のアミノ基の保護基
として大変好ましいものである。
オチドの化学合成において問題となるデプリネーション
を抑制でき（Nucleic Acids Res., 12, 8525(1984)) 、
さらにホスホロアミダート法におけるアニリノ基の除去
の際に伴う塩基部のアミノ基の欠落を防止できる（Hete
roatom Chem., 2 ,187(1991)）という優れた特性を有す
ることから、ヌクレオシドの塩基部のアミノ基の保護基
として大変好ましいものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、ヌクレオシドの
塩基部のアミノ基をスクシニル基で保護する方法として
は、ピリジン中、大過剰の塩化トリメチルシリルおよび
トリエチルアミンの存在下、ヌクレオシドと１０倍モル
の無水コハク酸とを約１００℃の温度条件下で反応させ
るという畑らの方法（Nucleic Acids Res., 12, 8525(1
984)) 、および畑らの方法をさらに改良した西野らの方
法（Heteroatom Chem., 2 ,187(1991)が報告されてい
る。しかし、上記従来法の反応収率は高々３０〜４０％
程度であり、このような低収率が、スクシニル基が上述
したように優れた保護基であるにもかかわらずオリゴヌ
クレオチドの合成において実際あまり使用されていない
ことの主な原因となっていた。よって、本発明はヌクレ
オシドの塩基部のアミノ基をスクシニル基により効率よ
く保護する新規な方法を提供することを目的とする。
塩基部のアミノ基をスクシニル基で保護する方法として
は、ピリジン中、大過剰の塩化トリメチルシリルおよび
トリエチルアミンの存在下、ヌクレオシドと１０倍モル
の無水コハク酸とを約１００℃の温度条件下で反応させ
るという畑らの方法（Nucleic Acids Res., 12, 8525(1
984)) 、および畑らの方法をさらに改良した西野らの方
法（Heteroatom Chem., 2 ,187(1991)が報告されてい
る。しかし、上記従来法の反応収率は高々３０〜４０％
程度であり、このような低収率が、スクシニル基が上述
したように優れた保護基であるにもかかわらずオリゴヌ
クレオチドの合成において実際あまり使用されていない
ことの主な原因となっていた。よって、本発明はヌクレ
オシドの塩基部のアミノ基をスクシニル基により効率よ
く保護する新規な方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に即して種々研究を重ねた結果、原料化合物としてヌ
クレオシドの水酸基をアシル基で保護したもの（以下、
ヌクレオシドのアシル体とも称する）を使用し、この原
料化合物とハロゲン化アルキルスクシニルとを塩基性溶
媒中で反応させることによりヌクレオシドの塩基部のア
ミノ基へスクシニル基を効率よく導入できることを見出
し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明
は、ヌクレオシドの塩基部のアミノ基をスクシニル基で
保護する方法であって、原料化合物としてヌクレオシド
のアシル体を使用し、この原料化合物とハロゲン化アル
キルスクシニルとを塩基性溶媒中で反応させ、次いで閉
環反応に付すことを特徴とするヌクレオシドの塩基部の
アミノ基をスクシニル基で保護する方法を提供するもの
である。また、本発明は、ヌクレオシドの塩基部のアミ
ノ基をスクシニル基で保護する方法であって、原料化合
物としてヌクレオシドのアシル体を使用し、この原料化
合物とハロゲン化アルキルスクシニルとを塩基性溶媒中
で反応させ、次いで水酸基のアシル基を除去後閉環反応
に付すことを特徴とするヌクレオシドの塩基部のアミノ
基をスクシニル基で保護する方法を提供するものであ
る。
的に即して種々研究を重ねた結果、原料化合物としてヌ
クレオシドの水酸基をアシル基で保護したもの（以下、
ヌクレオシドのアシル体とも称する）を使用し、この原
料化合物とハロゲン化アルキルスクシニルとを塩基性溶
媒中で反応させることによりヌクレオシドの塩基部のア
ミノ基へスクシニル基を効率よく導入できることを見出
し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明
は、ヌクレオシドの塩基部のアミノ基をスクシニル基で
保護する方法であって、原料化合物としてヌクレオシド
のアシル体を使用し、この原料化合物とハロゲン化アル
キルスクシニルとを塩基性溶媒中で反応させ、次いで閉
環反応に付すことを特徴とするヌクレオシドの塩基部の
アミノ基をスクシニル基で保護する方法を提供するもの
である。また、本発明は、ヌクレオシドの塩基部のアミ
ノ基をスクシニル基で保護する方法であって、原料化合
物としてヌクレオシドのアシル体を使用し、この原料化
合物とハロゲン化アルキルスクシニルとを塩基性溶媒中
で反応させ、次いで水酸基のアシル基を除去後閉環反応
に付すことを特徴とするヌクレオシドの塩基部のアミノ
基をスクシニル基で保護する方法を提供するものであ
る。
【０００５】以下、本発明を詳しく説明する。本発明方
法において原料化合物として使用するヌクレオシドのア
シル体は塩基部にアミノ基を有するヌクレオシドのアシ
ル体であれば特に限定されない。たとえば、３′，５′
‐ジ‐Ｏ‐アシル‐２′‐デオキシアデノシン、３′，
５′‐ジ‐Ｏ‐アシル‐２′‐デオキシグアノシン、
３′，５′‐ジ‐Ｏ‐アシル‐２′‐デオキシシチジン
などの２′‐デオキシヌクレオシドのアシル体、または
２′，３′，５′‐トリ‐Ｏ‐アシルアデノシン、
２′，３′，５′‐トリ‐Ｏ‐アシルグアノシン、
２′，３′，５′‐トリ‐Ｏ‐アシルシチジンなどのリ
ボヌクレオシドのアシル体を例示することができる。原
料化合物中のアシル基は特定されず、通常は炭素数１〜
５程度のアシル基でよい。具体的にはアセチル、プロピ
オニル、ブチリルなどが例示される。
法において原料化合物として使用するヌクレオシドのア
シル体は塩基部にアミノ基を有するヌクレオシドのアシ
ル体であれば特に限定されない。たとえば、３′，５′
‐ジ‐Ｏ‐アシル‐２′‐デオキシアデノシン、３′，
５′‐ジ‐Ｏ‐アシル‐２′‐デオキシグアノシン、
３′，５′‐ジ‐Ｏ‐アシル‐２′‐デオキシシチジン
などの２′‐デオキシヌクレオシドのアシル体、または
２′，３′，５′‐トリ‐Ｏ‐アシルアデノシン、
２′，３′，５′‐トリ‐Ｏ‐アシルグアノシン、
２′，３′，５′‐トリ‐Ｏ‐アシルシチジンなどのリ
ボヌクレオシドのアシル体を例示することができる。原
料化合物中のアシル基は特定されず、通常は炭素数１〜
５程度のアシル基でよい。具体的にはアセチル、プロピ
オニル、ブチリルなどが例示される。
【０００６】本発明方法に使用するハロゲン化アルキル
スクシニルとしては、炭素数１〜３程度のアルキル基を
含むものでよく、たとえば、塩化メチルスクシニル、塩
化エチルスクシニル、臭化メチルスクシニル、臭化プロ
ピルスクシニル、塩化プロピルスクシニルなどが挙げら
れる。
スクシニルとしては、炭素数１〜３程度のアルキル基を
含むものでよく、たとえば、塩化メチルスクシニル、塩
化エチルスクシニル、臭化メチルスクシニル、臭化プロ
ピルスクシニル、塩化プロピルスクシニルなどが挙げら
れる。
【０００７】反応溶媒としてはピリジン、ピコリン、ジ
エチルアニリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン
などの塩基性溶媒単独もしくは、上記塩基性溶媒とエー
テル系溶媒（エチルエーテル、テトラヒドロフラン、
１，４‐ジオキサンなど）、ハロゲン化炭化水素類（塩
化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素など）、芳香族
炭化水素類（ベンゼン、トルエンなど）、アミド類
（Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルア
セトアミドなど）、ニトリル類（アセトニトリルなど）
などとの混合溶媒を使用することができる。特に上記溶
媒中でもピリジンまたはピリジンと他の溶媒との混合溶
媒が好ましい。
エチルアニリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン
などの塩基性溶媒単独もしくは、上記塩基性溶媒とエー
テル系溶媒（エチルエーテル、テトラヒドロフラン、
１，４‐ジオキサンなど）、ハロゲン化炭化水素類（塩
化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素など）、芳香族
炭化水素類（ベンゼン、トルエンなど）、アミド類
（Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルア
セトアミドなど）、ニトリル類（アセトニトリルなど）
などとの混合溶媒を使用することができる。特に上記溶
媒中でもピリジンまたはピリジンと他の溶媒との混合溶
媒が好ましい。
【０００８】原料化合物とハロゲン化アルキルスクシニ
ルとの反応は、上記溶媒中、原料化合物１モルに対して
ハロゲン化アルキルスクシニルを２〜３倍モル使用し、
１０〜４０℃で１〜５時間程度反応させることにより実
施することができる。上記反応によりアミノ基に２つの
３‐カルボキシアルキルプロピオニル基が導入された場
合、上記反応液にアンモニア水を加えて室温で反応させ
ることにより、アミノ基に３‐カルボキシアルキルプロ
ピオニル基が１つ導入された目的物を得ることができ
る。また、アシル基の除去が必要な場合には、通常の除
去法を適用すればよく、たとえば、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、濃アンモニア水などのアルカリ触媒を
用いるアルカリ性加水分解法などを採用することができ
る。
ルとの反応は、上記溶媒中、原料化合物１モルに対して
ハロゲン化アルキルスクシニルを２〜３倍モル使用し、
１０〜４０℃で１〜５時間程度反応させることにより実
施することができる。上記反応によりアミノ基に２つの
３‐カルボキシアルキルプロピオニル基が導入された場
合、上記反応液にアンモニア水を加えて室温で反応させ
ることにより、アミノ基に３‐カルボキシアルキルプロ
ピオニル基が１つ導入された目的物を得ることができ
る。また、アシル基の除去が必要な場合には、通常の除
去法を適用すればよく、たとえば、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、濃アンモニア水などのアルカリ触媒を
用いるアルカリ性加水分解法などを採用することができ
る。
【０００９】次に、アミノ基に導入した３‐カルボキシ
アルキルプロピオニル基の閉環反応は既知の方法をその
まま適用すればよい。たとえば、ハロゲン化トリアルキ
ルシリル（たとえば、塩化トリメチルシリルなど）と無
水カルボン酸（たとえば、無水酢酸など）を使用する方
法（Nucleic Acids Res., 12, 8525(1984)) 、または縮
合剤〔N,N'- ジシクロヘキシルカルボジイミド(DCC) 、
Ｎ，Ｎ′ジイソプロビルカルボジイミド(DIC) 、２，
４，６‐トリイソプロビルベンゼンスルホニルクロライ
ド(TPS) など〕とリン酸化剤（２‐クロロフェニル‐Ｎ
‐（４‐メトキシフェニル）クロロホスホロアミダート
など）を使用する方法（HeteroatomChem.,2 ,187(199
1)）などにより実施することができる。このようにして
得られたアミノ基をスクシニル基で保護されたヌクレオ
シドは、通常のヌクレオシドの単離精製法により単離精
製すればよい。
アルキルプロピオニル基の閉環反応は既知の方法をその
まま適用すればよい。たとえば、ハロゲン化トリアルキ
ルシリル（たとえば、塩化トリメチルシリルなど）と無
水カルボン酸（たとえば、無水酢酸など）を使用する方
法（Nucleic Acids Res., 12, 8525(1984)) 、または縮
合剤〔N,N'- ジシクロヘキシルカルボジイミド(DCC) 、
Ｎ，Ｎ′ジイソプロビルカルボジイミド(DIC) 、２，
４，６‐トリイソプロビルベンゼンスルホニルクロライ
ド(TPS) など〕とリン酸化剤（２‐クロロフェニル‐Ｎ
‐（４‐メトキシフェニル）クロロホスホロアミダート
など）を使用する方法（HeteroatomChem.,2 ,187(199
1)）などにより実施することができる。このようにして
得られたアミノ基をスクシニル基で保護されたヌクレオ
シドは、通常のヌクレオシドの単離精製法により単離精
製すればよい。
【００１０】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明をより具体的に
説明する。本実施例においては、ＤＮＡ型オリゴヌクレ
オチドの合成原料として有用な５′‐Ｏ‐ジメトキシト
リチル‐Ｎ６‐スクシニル‐２′‐デオキシアデノシン
を例に挙げて説明するが、これをフロチャートで示せば
以下のとおりである。
説明する。本実施例においては、ＤＮＡ型オリゴヌクレ
オチドの合成原料として有用な５′‐Ｏ‐ジメトキシト
リチル‐Ｎ６‐スクシニル‐２′‐デオキシアデノシン
を例に挙げて説明するが、これをフロチャートで示せば
以下のとおりである。
【化１】
【００１１】実施例１
２′‐デオキシアデノシン（１．２５６ｇ、５mmol）を
ピリジン（５ml×３）で共沸脱水した後、ピリジン（２
５ml）に溶かし、無水酢酸（２．３５ml、２５mmol）を
加えて室温で３．５時間攪拌した。次いで、冷却しなが
らメタノール（１０ml）を加え、しばらく攪拌してから
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて反応を停止さ
せ、クロロホルム（２５ml×３）で抽出し、水（２０m
l）で洗浄後有機相を減圧下濃縮し、さらにシリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより精製して３′，５′‐
ジ‐Ｏ‐アセチル‐２′‐デオキシアデノシンを１．５
８７ｇ（９４％）得た。１ Ｈ‐ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６、ＴＭＳ）：δ２．０２
（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３ＣＯ−）、２．１０（３Ｈ，ｓ，Ｃ
Ｈ３ＣＯ−）、２．５１−２．５６（１Ｈ，ｍ，Ｈ−
２′）、３．１４−３．２１（１Ｈ，ｍ，Ｈ−２″）、
４．２０−４．３６（３Ｈ，ｍ，Ｈ−４′，Ｈ−５′，
５″）、５．４１−５．４３（１Ｈ，ｍ，Ｈ−３′）、
６．３９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ1',2' ＝６．５６Hz，
Ｊ1',2″＝７．６０Hz，Ｈ−１′）、７．３０（２Ｈ，
ｓ，Ｎ６Ｈ２）、８．１７（１Ｈ，ｓ，Ｈ−２）、８．
３４（１Ｈ，ｓ，Ｈ−８）
ピリジン（５ml×３）で共沸脱水した後、ピリジン（２
５ml）に溶かし、無水酢酸（２．３５ml、２５mmol）を
加えて室温で３．５時間攪拌した。次いで、冷却しなが
らメタノール（１０ml）を加え、しばらく攪拌してから
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて反応を停止さ
せ、クロロホルム（２５ml×３）で抽出し、水（２０m
l）で洗浄後有機相を減圧下濃縮し、さらにシリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより精製して３′，５′‐
ジ‐Ｏ‐アセチル‐２′‐デオキシアデノシンを１．５
８７ｇ（９４％）得た。１ Ｈ‐ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６、ＴＭＳ）：δ２．０２
（３Ｈ，ｓ，ＣＨ３ＣＯ−）、２．１０（３Ｈ，ｓ，Ｃ
Ｈ３ＣＯ−）、２．５１−２．５６（１Ｈ，ｍ，Ｈ−
２′）、３．１４−３．２１（１Ｈ，ｍ，Ｈ−２″）、
４．２０−４．３６（３Ｈ，ｍ，Ｈ−４′，Ｈ−５′，
５″）、５．４１−５．４３（１Ｈ，ｍ，Ｈ−３′）、
６．３９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ1',2' ＝６．５６Hz，
Ｊ1',2″＝７．６０Hz，Ｈ−１′）、７．３０（２Ｈ，
ｓ，Ｎ６Ｈ２）、８．１７（１Ｈ，ｓ，Ｈ−２）、８．
３４（１Ｈ，ｓ，Ｈ−８）
【００１２】３′，５′‐ジ‐Ｏ‐アセチル‐２′‐デ
オキシアデノシン（３．３５３ｇ、１０mmol）をピリジ
ン（７ml×３）で共沸脱水した後、塩化メチレン（６５
ml）に溶かし、ピリジン（１．６２ml、２０mmol）を加
え、次いでさらに塩化エチルスクシニル（２．８２ml、
２０mmol）を加えて攪拌した。２時間後ＴＬＣ上で原料
のスポットが認められたのでさらにピリジン（０．８１
ml、１０mmol）と塩化エチルスクシニル（０．７ml、５
mmol）を加えて３５分間攪拌した後、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液（５０ml）を加えて反応を停止させた。２
８％（v/v)アンモニア水（２０ml）を加えて１０分間攪
拌し、減圧下濃縮してアンモニアを除いた後、クロロホ
ルム（５０ml×３）で抽出し、水（３０ml）で洗浄後有
機相を減圧下濃縮し、３′，５′‐ジ‐Ｏ‐アセチル‐
Ｎ６‐エチルスクシニル‐２′‐デオキシアデノシンを
得た。得られた３′，５′‐ジ‐Ｏ‐アセチル‐Ｎ６‐
エチルスクシニル‐２′‐デオキシアデノシンをピリジ
ン（４０ml）に溶解させ、氷冷下２Ｎ水酸化ナトリウム
水溶液（３５ml、７０mmol）を加えて１８分間反応さ
せ、次いで水（２０ml）を加えた。続けてDowex-50W(H-
form）で中和後、樹脂を除き、これを減圧下濃縮した。
得られた残渣を、ピリジン（７ml×３）で共沸脱水した
後、ピリジン（４０ml）に溶かし、トリメチルシリルク
ロライド（６．３５ml、５０mmol）を加えて３時間攪拌
した後、無水酢酸（２．８３ml、３０mmol）を加え、さ
らに２時間攪拌した。このものを吸引濾過し（無水ピリ
ジンで洗浄）、得られた濾液に水（４０ml）を加えて２
０分間攪拌し、次いで減圧下で濃縮して粗Ｎ６‐スクシ
ニル‐２′‐デオキシアデノシンを得た。１ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３−ＴＭＳ）：δ２．６３（４
Ｈ，ｓ，−ＣＯＣＨ２ＣＨ２ＣＯ−）、３．８３（２
Ｈ，ｍ，Ｈ−５′，５″）、４．１０（１Ｈ，ｍ，Ｈ−
４′）、４．６２（１Ｈ，ｍ，Ｈ−３′）、６．４８
（１Ｈ，ｍ，Ｈ−１′）、８．１９（１Ｈ，ｓ，Ｈ−
２）、８．３２（１Ｈ，ｓ，Ｈ−８）
オキシアデノシン（３．３５３ｇ、１０mmol）をピリジ
ン（７ml×３）で共沸脱水した後、塩化メチレン（６５
ml）に溶かし、ピリジン（１．６２ml、２０mmol）を加
え、次いでさらに塩化エチルスクシニル（２．８２ml、
２０mmol）を加えて攪拌した。２時間後ＴＬＣ上で原料
のスポットが認められたのでさらにピリジン（０．８１
ml、１０mmol）と塩化エチルスクシニル（０．７ml、５
mmol）を加えて３５分間攪拌した後、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液（５０ml）を加えて反応を停止させた。２
８％（v/v)アンモニア水（２０ml）を加えて１０分間攪
拌し、減圧下濃縮してアンモニアを除いた後、クロロホ
ルム（５０ml×３）で抽出し、水（３０ml）で洗浄後有
機相を減圧下濃縮し、３′，５′‐ジ‐Ｏ‐アセチル‐
Ｎ６‐エチルスクシニル‐２′‐デオキシアデノシンを
得た。得られた３′，５′‐ジ‐Ｏ‐アセチル‐Ｎ６‐
エチルスクシニル‐２′‐デオキシアデノシンをピリジ
ン（４０ml）に溶解させ、氷冷下２Ｎ水酸化ナトリウム
水溶液（３５ml、７０mmol）を加えて１８分間反応さ
せ、次いで水（２０ml）を加えた。続けてDowex-50W(H-
form）で中和後、樹脂を除き、これを減圧下濃縮した。
得られた残渣を、ピリジン（７ml×３）で共沸脱水した
後、ピリジン（４０ml）に溶かし、トリメチルシリルク
ロライド（６．３５ml、５０mmol）を加えて３時間攪拌
した後、無水酢酸（２．８３ml、３０mmol）を加え、さ
らに２時間攪拌した。このものを吸引濾過し（無水ピリ
ジンで洗浄）、得られた濾液に水（４０ml）を加えて２
０分間攪拌し、次いで減圧下で濃縮して粗Ｎ６‐スクシ
ニル‐２′‐デオキシアデノシンを得た。１ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３−ＴＭＳ）：δ２．６３（４
Ｈ，ｓ，−ＣＯＣＨ２ＣＨ２ＣＯ−）、３．８３（２
Ｈ，ｍ，Ｈ−５′，５″）、４．１０（１Ｈ，ｍ，Ｈ−
４′）、４．６２（１Ｈ，ｍ，Ｈ−３′）、６．４８
（１Ｈ，ｍ，Ｈ−１′）、８．１９（１Ｈ，ｓ，Ｈ−
２）、８．３２（１Ｈ，ｓ，Ｈ−８）
【００１３】得られた粗Ｎ６‐スクシニル‐２′‐デオ
キシアデノシンをピリジン（７ml×３）で共沸脱水した
後、ピリジン（４５ml）に溶かし、ジメトキシトリチル
クロライド（３．７２７ｇ、１１mmol）を加えて室温で
１．５時間反応させた。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
（５０ml）を加えて反応を停止させ、次いで塩化メチレ
ン（５０ml×３）で抽出し、有機相を減圧下濃縮し、さ
らにシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレ
ン‐メタノール）で精製して５′‐Ｏ‐ジメトキシトリ
チル‐Ｎ６‐スクシニル‐２′‐デオキシアデノシンを
４．５９５ｇ（７３％：３′，５′‐ジ‐Ｏ‐アセチレ
ン‐２′‐デオキシアデノシンからの収率）得た。１ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３−ＴＭＳ）：δ２．４７−
２．５９（１Ｈ，ｍ，Ｈ−２″）、２．７４−２．８７
（１Ｈ，ｍ，Ｈ−２′）、３．００（４Ｈ，ｓ，−ＣＯ
ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ−）、３．３５−３．４７（２Ｈ，
ｍ，Ｈ−５′，５″）、３．７６（６Ｈ，ｓ，−ＯＣＨ
３）、４．１０−４．２１（１Ｈ，ｍ，Ｈ−４′）、
４．６２−４．７３（１Ｈ，ｍ，Ｈ−３′）、６．４９
（１Ｈ，ｔ，Ｊ６．５Hz、Ｈ−１′）、６．７６−６．
８２，７．１４−７．４０（１３Ｈ，ｍ，Ｐｈ−Ｈ）、
８．３３（１Ｈ，ｓ，Ｈ−８）、８．９１（１Ｈ，ｓ，
Ｈ−２） 元素分析 Ｃ35Ｈ33Ｎ５Ｏ７として
キシアデノシンをピリジン（７ml×３）で共沸脱水した
後、ピリジン（４５ml）に溶かし、ジメトキシトリチル
クロライド（３．７２７ｇ、１１mmol）を加えて室温で
１．５時間反応させた。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
（５０ml）を加えて反応を停止させ、次いで塩化メチレ
ン（５０ml×３）で抽出し、有機相を減圧下濃縮し、さ
らにシリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレ
ン‐メタノール）で精製して５′‐Ｏ‐ジメトキシトリ
チル‐Ｎ６‐スクシニル‐２′‐デオキシアデノシンを
４．５９５ｇ（７３％：３′，５′‐ジ‐Ｏ‐アセチレ
ン‐２′‐デオキシアデノシンからの収率）得た。１ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３−ＴＭＳ）：δ２．４７−
２．５９（１Ｈ，ｍ，Ｈ−２″）、２．７４−２．８７
（１Ｈ，ｍ，Ｈ−２′）、３．００（４Ｈ，ｓ，−ＣＯ
ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ−）、３．３５−３．４７（２Ｈ，
ｍ，Ｈ−５′，５″）、３．７６（６Ｈ，ｓ，−ＯＣＨ
３）、４．１０−４．２１（１Ｈ，ｍ，Ｈ−４′）、
４．６２−４．７３（１Ｈ，ｍ，Ｈ−３′）、６．４９
（１Ｈ，ｔ，Ｊ６．５Hz、Ｈ−１′）、６．７６−６．
８２，７．１４−７．４０（１３Ｈ，ｍ，Ｐｈ−Ｈ）、
８．３３（１Ｈ，ｓ，Ｈ−８）、８．９１（１Ｈ，ｓ，
Ｈ−２） 元素分析 Ｃ35Ｈ33Ｎ５Ｏ７として
【００１４】
【発明の効果】本発明方法と従来法とを比較してみる
と、本発明方法は使用する試薬が少量で済み、反応条件
も温和で、しかも簡単な操作で目的物を収率よく調製で
きるという従来法にはない優れた効果を有する。
と、本発明方法は使用する試薬が少量で済み、反応条件
も温和で、しかも簡単な操作で目的物を収率よく調製で
きるという従来法にはない優れた効果を有する。
Claims (2)
- 【請求項１】ヌクレオシドの塩基部のアミノ基をスクシ
ニル基で保護する方法であって、原料化合物としてヌク
レオシドの水酸基をアシル基で保護したものを使用し、
該原料化合物とハロゲン化アルキルスクシニルとを塩基
性溶媒中で反応させ、次いで閉環反応に付すことを特徴
とするヌクレオシドの塩基部のアミノ基をスクシニル基
で保護する方法。 - 【請求項２】ヌクレオシドの塩基部のアミノ基をスクシ
ニル基で保護する方法であって、原料化合物としてヌク
レオシドの水酸基をアシル基で保護したものを使用し、
該原料化合物とハロゲン化アルキルスクシニルとを塩基
性溶媒中で反応させ、次いで水酸基のアシル基を除去後
閉環反応に付すことを特徴とするヌクレオシドの塩基部
のアミノ基をスクシニル基で保護する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14887591A JPH051093A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | ヌクレオシドのスクシニル化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14887591A JPH051093A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | ヌクレオシドのスクシニル化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH051093A true JPH051093A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15462678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14887591A Pending JPH051093A (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | ヌクレオシドのスクシニル化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH051093A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002284761A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-10-03 | Toray Ind Inc | 光学活性３−アミノピロリジン−２，５−ジオン誘導体および光学活性３−アミノピロリジン誘導体の製造方法 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP14887591A patent/JPH051093A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002284761A (ja) * | 2001-01-17 | 2002-10-03 | Toray Ind Inc | 光学活性３−アミノピロリジン−２，５−ジオン誘導体および光学活性３−アミノピロリジン誘導体の製造方法 |
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