JPH05102660A - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents
多層配線基板及びその製造方法Info
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- JPH05102660A JPH05102660A JP25746591A JP25746591A JPH05102660A JP H05102660 A JPH05102660 A JP H05102660A JP 25746591 A JP25746591 A JP 25746591A JP 25746591 A JP25746591 A JP 25746591A JP H05102660 A JPH05102660 A JP H05102660A
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- Japan
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- film
- wiring board
- wiring
- multilayer wiring
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、高密度に実装する薄膜多層配線基板
およびその製造方法に関し、製造期間の短縮、歩留りの
向上、信頼性の向上などを図る。 【構成】スケルトン構造の配線の空間に対して、その空
間に充填できるような形成パターンに作製したフィルム
状絶縁体を埋める。フィルム状絶縁体が加熱溶融後硬化
する場合と、既に溶融しないように処理されている場合
とがある。後者の場合には、配線誘導体とフィルムとの
間の隙間を無溶剤ワニスで埋めて加熱接着固定化する。
フィルムの充填、無溶剤ワニスの硬化などはコンプレッ
ション、トランスファ、インジェクションなどのモール
ドで行う。減圧や加圧も用いる。 【効果】モジュール、計算機の製造時間の短縮、歩留り
の向上、信頼性の向上が図れる。さらに計算機の信号速
度の高速化が図れる。
およびその製造方法に関し、製造期間の短縮、歩留りの
向上、信頼性の向上などを図る。 【構成】スケルトン構造の配線の空間に対して、その空
間に充填できるような形成パターンに作製したフィルム
状絶縁体を埋める。フィルム状絶縁体が加熱溶融後硬化
する場合と、既に溶融しないように処理されている場合
とがある。後者の場合には、配線誘導体とフィルムとの
間の隙間を無溶剤ワニスで埋めて加熱接着固定化する。
フィルムの充填、無溶剤ワニスの硬化などはコンプレッ
ション、トランスファ、インジェクションなどのモール
ドで行う。減圧や加圧も用いる。 【効果】モジュール、計算機の製造時間の短縮、歩留り
の向上、信頼性の向上が図れる。さらに計算機の信号速
度の高速化が図れる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高集積LSI、終端抵
抗、コンデンサなどを高密度で実装する薄膜多層配線基
板およびその製造方法に関する。また、これを用いるモ
ジュール、更にはコンピータに関する。
抗、コンデンサなどを高密度で実装する薄膜多層配線基
板およびその製造方法に関する。また、これを用いるモ
ジュール、更にはコンピータに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の多層配線基板の製造方法を、図1
に示した工程図を例として説明する。
に示した工程図を例として説明する。
【0003】図1(a)に示すように、基板11の上面
全面にわたって、めっきの電極となりうる下地金属層1
2を形成し、その上面に図1(b)に示すように、所望
の導体配線パターンの形状に穴あけ加工されたレジスト
13を形成する。しかる後、露出した溝部分14の下地
金属層12を電極として電気めっきを行い、図1(c)
に示すように、レジスト13の溝部分14を選択的に導
体充填して、配線導体、ビアホール導体、グランドある
いはスルーホール導体15を形成する。次いで、図1
(d)に示すように、レジスト13を除去して導体15
を露出させた後、図1(e)に示すように、導体15に
対接する部分以外の下地金属層12を除去する。次に、
図1(f)に示すように、基板11の上面全面に導体1
5を包むようにポリマーの絶縁層16を形成した後、図
1(g)に示すように、研磨などにより、導体15の上
面を露出させるとともに、絶縁層16の表面を平面研磨
する。上記の工程を逐次複数回繰り返して多層配線基板
を製造する。
全面にわたって、めっきの電極となりうる下地金属層1
2を形成し、その上面に図1(b)に示すように、所望
の導体配線パターンの形状に穴あけ加工されたレジスト
13を形成する。しかる後、露出した溝部分14の下地
金属層12を電極として電気めっきを行い、図1(c)
に示すように、レジスト13の溝部分14を選択的に導
体充填して、配線導体、ビアホール導体、グランドある
いはスルーホール導体15を形成する。次いで、図1
(d)に示すように、レジスト13を除去して導体15
を露出させた後、図1(e)に示すように、導体15に
対接する部分以外の下地金属層12を除去する。次に、
図1(f)に示すように、基板11の上面全面に導体1
5を包むようにポリマーの絶縁層16を形成した後、図
1(g)に示すように、研磨などにより、導体15の上
面を露出させるとともに、絶縁層16の表面を平面研磨
する。上記の工程を逐次複数回繰り返して多層配線基板
を製造する。
【0004】なお、この種の技術として関連するものに
は、例えば、ブロシーティングス・オブ・ザ・サーティ
フォース・イー・シー・シー・<エレクトロニック・コ
ンポーネント・コンファレンス>(Proceeding of the
34th ECC<ElectronicComponent Conforence>)p82−
87,84’がある。
は、例えば、ブロシーティングス・オブ・ザ・サーティ
フォース・イー・シー・シー・<エレクトロニック・コ
ンポーネント・コンファレンス>(Proceeding of the
34th ECC<ElectronicComponent Conforence>)p82−
87,84’がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来技術の一番
困難な問題は、導体配線層、グランド層、ビアホール導
体層などの各種毎にレジスト形成と除去の工程、下地金
属層の形成と除去の工程、絶縁層形成工程、および、こ
の平坦化工程を含み、そのため工程数が多く、リードタ
イムが長く、量産性が著しく劣ることにある。
困難な問題は、導体配線層、グランド層、ビアホール導
体層などの各種毎にレジスト形成と除去の工程、下地金
属層の形成と除去の工程、絶縁層形成工程、および、こ
の平坦化工程を含み、そのため工程数が多く、リードタ
イムが長く、量産性が著しく劣ることにある。
【0006】また、単に工程数が多いというだけでな
く、ポリマー絶縁層の研削、研磨を必要とするなど技術
的に問題のある工程を含んでいたり、研削粉、研磨粉の
洗浄による異物排除処理が容易でないなどの問題も多く
含まれている。
く、ポリマー絶縁層の研削、研磨を必要とするなど技術
的に問題のある工程を含んでいたり、研削粉、研磨粉の
洗浄による異物排除処理が容易でないなどの問題も多く
含まれている。
【0007】本発明は、上記の工程数、研削研磨などの
問題の抜本的解決を目的としてなされたものであり、工
程数、リードタイムを大幅に短縮し、かつ、研削、研磨
工程を不要とした量産性にすぐれた多層配線基板および
その新規な製造方法を提供するものである。
問題の抜本的解決を目的としてなされたものであり、工
程数、リードタイムを大幅に短縮し、かつ、研削、研磨
工程を不要とした量産性にすぐれた多層配線基板および
その新規な製造方法を提供するものである。
【0008】また、前記の図1に示した従来技術は現在
までのところ最もスループットの点で優れているとはい
え、まだ現実的なリードタイムのものではなく、量産に
供するにはさらにスループットを向上し、リードタイム
を1/2〜1/6くらいに短縮することが必要である。
リードタイムを著しく長くしている原因は、絶縁層を形
成するポリマーとしてポリイミド系のワニスを採用して
いることによる。すなわちポリイミド系ワニスは、加熱
硬化反応により、溶媒や水分が蒸発して下地の凹凸に沿
って収縮するので、基板の凹凸に沿って絶縁膜が形成さ
れるためポリイミドの平坦性が著しく劣る。そのため研
削、研磨が必要なこと、さらに、絶縁膜の形成におい
て、ポリイミド系材料をポリアミド酸溶液あるいはポリ
イミド溶液化して塗布加熱するので、一回塗りでは所要
の膜厚が得られず、塗布乾燥等の工程数が多いこと、さ
らに、ポリイミドの硬化には、高温、長時間を要するこ
となどが主な原因である。加えて、ポリイミドの硬化に
際して体積の収縮があることが基板の反りを生ずる原因
となる。この反りは部品実装上障害となるものである。
本発明の別の目的は、スループットを2〜3倍向上さ
せ、リードタイムを1/2〜1/6以下に短縮可能な量
産性に優れた多層配線基板、およびその製造方法に関す
るものである。また、それによってモジュールひいては
コンピュータの開発、製造期間を著しく短縮し、かつ、
これらに高い信頼性を付与することである。
までのところ最もスループットの点で優れているとはい
え、まだ現実的なリードタイムのものではなく、量産に
供するにはさらにスループットを向上し、リードタイム
を1/2〜1/6くらいに短縮することが必要である。
リードタイムを著しく長くしている原因は、絶縁層を形
成するポリマーとしてポリイミド系のワニスを採用して
いることによる。すなわちポリイミド系ワニスは、加熱
硬化反応により、溶媒や水分が蒸発して下地の凹凸に沿
って収縮するので、基板の凹凸に沿って絶縁膜が形成さ
れるためポリイミドの平坦性が著しく劣る。そのため研
削、研磨が必要なこと、さらに、絶縁膜の形成におい
て、ポリイミド系材料をポリアミド酸溶液あるいはポリ
イミド溶液化して塗布加熱するので、一回塗りでは所要
の膜厚が得られず、塗布乾燥等の工程数が多いこと、さ
らに、ポリイミドの硬化には、高温、長時間を要するこ
となどが主な原因である。加えて、ポリイミドの硬化に
際して体積の収縮があることが基板の反りを生ずる原因
となる。この反りは部品実装上障害となるものである。
本発明の別の目的は、スループットを2〜3倍向上さ
せ、リードタイムを1/2〜1/6以下に短縮可能な量
産性に優れた多層配線基板、およびその製造方法に関す
るものである。また、それによってモジュールひいては
コンピュータの開発、製造期間を著しく短縮し、かつ、
これらに高い信頼性を付与することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明においてはスケルトン構造の配線を作製
したのち、その配線空間を埋められる形状パターンをも
つフィルム状絶縁体を充填するものである。あるいは、
フィルム状絶縁体と配線導体間に隙間がある場合には、
その空間を減圧下、減圧後加圧、あるいは常圧加圧など
によって無溶剤ワニスを充填して、配線導体とフィルム
状絶縁体とを接着し一体となさしめるものである。スケ
ルトン構造の配線導体をしめる空間を無溶剤ワニスのみ
で充填する場合に比べて、本発明のようにフィルム状絶
縁体を複合的に使用する場合には、熱膨張係数の整合し
易さとか機械的性質の向上とか複合化効果が得られるも
のである。それは、フィルムのもっている引張り強さ、
伸びの大きさ、つまるところは強靭さとかの長所をもち
こむことができるし、銅のような配線導体の熱膨張係数
とのマッチングも容易な面があるからである。従来、フ
ィルム状絶縁体の使用ができなかったのは、これを配線
導体の占める空間に埋められる形状にパターン化する技
術が開発されていなかったゝめであるが、我々のところ
の別の発明によってエキシマレーザなどのレーザ加工を
用い、かつマスク露光によって能率的に、工業的に行う
ことが可能になった。フィルム用材料としては特に制約
を設けないが、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルイミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボ
ネート、ポリイミドプリプレグ、機能性セラミックスな
どが使用できる。特に、ポリイミドの中には、比誘電
率、熱膨張係数、引張り強さ、伸びなどの必要特性がい
ずれも兼備していてすぐれたものがあり本発明の目的に
好適のものがある。あるいはまた後述する熱硬化性樹脂
でも可能であり、それらのBステージ状態での使用も妨
げるものではない。
ために、本発明においてはスケルトン構造の配線を作製
したのち、その配線空間を埋められる形状パターンをも
つフィルム状絶縁体を充填するものである。あるいは、
フィルム状絶縁体と配線導体間に隙間がある場合には、
その空間を減圧下、減圧後加圧、あるいは常圧加圧など
によって無溶剤ワニスを充填して、配線導体とフィルム
状絶縁体とを接着し一体となさしめるものである。スケ
ルトン構造の配線導体をしめる空間を無溶剤ワニスのみ
で充填する場合に比べて、本発明のようにフィルム状絶
縁体を複合的に使用する場合には、熱膨張係数の整合し
易さとか機械的性質の向上とか複合化効果が得られるも
のである。それは、フィルムのもっている引張り強さ、
伸びの大きさ、つまるところは強靭さとかの長所をもち
こむことができるし、銅のような配線導体の熱膨張係数
とのマッチングも容易な面があるからである。従来、フ
ィルム状絶縁体の使用ができなかったのは、これを配線
導体の占める空間に埋められる形状にパターン化する技
術が開発されていなかったゝめであるが、我々のところ
の別の発明によってエキシマレーザなどのレーザ加工を
用い、かつマスク露光によって能率的に、工業的に行う
ことが可能になった。フィルム用材料としては特に制約
を設けないが、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルイミド、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボ
ネート、ポリイミドプリプレグ、機能性セラミックスな
どが使用できる。特に、ポリイミドの中には、比誘電
率、熱膨張係数、引張り強さ、伸びなどの必要特性がい
ずれも兼備していてすぐれたものがあり本発明の目的に
好適のものがある。あるいはまた後述する熱硬化性樹脂
でも可能であり、それらのBステージ状態での使用も妨
げるものではない。
【0010】フィルム状絶縁体の形状パターン化したも
のを取り扱うに当っては、一括して取扱えるように金属
箔に接着したものなどがよい。そのようにすることによ
って、配線導体との位置合せが容易になる他、絶縁層の
上表面の平坦性を金属箔によって付与することも可能に
なる。
のを取り扱うに当っては、一括して取扱えるように金属
箔に接着したものなどがよい。そのようにすることによ
って、配線導体との位置合せが容易になる他、絶縁層の
上表面の平坦性を金属箔によって付与することも可能に
なる。
【0011】無溶剤ワニスとしては、これ迄にも提案し
ているようにエポキシレジン、シクロブテン環を有する
ポリマ、オリゴマ、モノマ、イソシアヌレート・オキサ
ゾリドンレジン、シアン酸エステルレジン(あるいはビ
スマレイミドトリアジンレジンともいう)などが使用で
きる。
ているようにエポキシレジン、シクロブテン環を有する
ポリマ、オリゴマ、モノマ、イソシアヌレート・オキサ
ゾリドンレジン、シアン酸エステルレジン(あるいはビ
スマレイミドトリアジンレジンともいう)などが使用で
きる。
【0012】ここで上記エポキシレジンとしては、たと
えば化1で示される化学構造を有する化合物のモノマ、
オリゴマ、ポリマのうちの1つあるいはそれらの混合物
を適当な硬化剤で硬化させて用いることができる。
えば化1で示される化学構造を有する化合物のモノマ、
オリゴマ、ポリマのうちの1つあるいはそれらの混合物
を適当な硬化剤で硬化させて用いることができる。
【0013】
【化1】
【0014】ただし、Arは化2の(i)−(vi)の
いずれかで示され、
いずれかで示され、
【0015】
【化2】
【0016】ただし、nは1以上の整数、X,Yは水
素、アルキル基、アリ−ル基、アルコキシ基、シロキシ
基、アミノ基、ヒドロキシ基の中から任意の組合せであ
り、Zは、−CH2−,−O−,−S−,−SO2−,
−O−Si(OX)2−O−の中からの任意の組合せで
ある。
素、アルキル基、アリ−ル基、アルコキシ基、シロキシ
基、アミノ基、ヒドロキシ基の中から任意の組合せであ
り、Zは、−CH2−,−O−,−S−,−SO2−,
−O−Si(OX)2−O−の中からの任意の組合せで
ある。
【0017】また、R及びR’は、化3の(i)−(v
i)のいずれかで表されるものである。
i)のいずれかで表されるものである。
【0018】
【化3】
【0019】例えば化4の化合物が挙げられる。
【0020】
【化4】
【0021】ここで言う硬化剤としては、例えば化5で
示されるものなどをいう。
示されるものなどをいう。
【0022】
【化5】
【0023】さらにシクロブテン環を有するポリマ、オ
リゴマ、モノマとしては、例えば化6で表される化学構
造を有する化合物をのうちの1つあるいはそれらの混合
物を用いることができる。
リゴマ、モノマとしては、例えば化6で表される化学構
造を有する化合物をのうちの1つあるいはそれらの混合
物を用いることができる。
【0024】
【化6】
【0025】ただしRはつぎの化7のいずれかで示され
るものである。
るものである。
【0026】
【化7】
【0027】ここで、Ar,Ar’は化8で、A,A’
は化9で示される置換基などが挙げられる。ただし、R
がないような化合物でも用いることができる。
は化9で示される置換基などが挙げられる。ただし、R
がないような化合物でも用いることができる。
【0028】
【化8】
【0029】
【化9】
【0030】具体例をいくつか上げれば、化10で示さ
れる4、4’ビスシクロブテン
れる4、4’ビスシクロブテン
【0031】
【化10】
【0032】化11で示されるビスベンゾシクロブテ
ニルエテン
ニルエテン
【0033】
【化11】
【0034】化12で示されるm−ビスベンゾシクロ
ブテニルエテニルベンゼン
ブテニルエテニルベンゼン
【0035】
【化12】
【0036】化13で示されるp−ビスベンゾシクロ
ブテニルベンゼン
ブテニルベンゼン
【0037】
【化13】
【0038】また、シアン酸エステルレジンとしては、
例えば化14の(i)及び(ii)の構造を持つ化合物
の当量混合物によって生成するレジンのことである。
例えば化14の(i)及び(ii)の構造を持つ化合物
の当量混合物によって生成するレジンのことである。
【0039】
【化14】
【0040】これらの化合物の中から耐熱性、ガラス転
移温度の高いもの、比誘電率の低いもの、熱膨張係数が
小さいもの、適度なBステージ安定性をもつもの、流動
性のすぐれたもの、速硬化性のすぐれたものなどの基準
で選択される。これらの無溶剤ワニスはコンプレッショ
ンモールド、トランスファモールド、あるいはインジェ
クションモールドなどによって硬化、成形される。この
モールドに際して、フィルム状絶縁体が充填されている
配線導体群はキヤビティ内に平坦に保持されており、常
圧加圧、減圧、減圧後加圧などにより無溶剤ワニスを全
体に万べんなくゆきわたらせて充填するとともに、ホッ
トプレスなどによって加熱し硬化させる。いずれも比較
的低温でかつ短時間硬化が可能である。
移温度の高いもの、比誘電率の低いもの、熱膨張係数が
小さいもの、適度なBステージ安定性をもつもの、流動
性のすぐれたもの、速硬化性のすぐれたものなどの基準
で選択される。これらの無溶剤ワニスはコンプレッショ
ンモールド、トランスファモールド、あるいはインジェ
クションモールドなどによって硬化、成形される。この
モールドに際して、フィルム状絶縁体が充填されている
配線導体群はキヤビティ内に平坦に保持されており、常
圧加圧、減圧、減圧後加圧などにより無溶剤ワニスを全
体に万べんなくゆきわたらせて充填するとともに、ホッ
トプレスなどによって加熱し硬化させる。いずれも比較
的低温でかつ短時間硬化が可能である。
【0041】
【作用】下地金属層とめっきレジストとめっきを用い、
レジストの溶解除法と下地金属層のエッチング除去、な
らびに絶縁ポリマによる被覆と平坦化のためと導体露呈
のための研削を各層毎に行う従来の多層配線基板の逐次
製造を特徴とするペディスタル法に比べて、本発明方法
はモールドによる絶縁層形成であり絶縁層形成時間が著
しく短かくてすむこと、モールド金型によって表面平坦
化が容易に行なうことができ研削が不要となり、工程数
の大幅減少やプロセスの簡略化を達成できる。また、無
溶剤ワニスによるモールドだけの場合に比べて、本発明
の場合には強靭なフィルム状絶縁体が含まれるので複合
効果により、耐熱衝撃性の向上、機械的強度の向上が図
れる。欠陥ボイドの低減や異物発生工程の排除により、
異物による配線間のショート、配線のオープン不良など
の発生が抑えられ、歩留り向上、配線寿命の安定化に大
きく寄与できる。製造過程で、一担配線をスケルトン構
造にできることは、水洗の強化、不良配線導体の修正を
容易とする。
レジストの溶解除法と下地金属層のエッチング除去、な
らびに絶縁ポリマによる被覆と平坦化のためと導体露呈
のための研削を各層毎に行う従来の多層配線基板の逐次
製造を特徴とするペディスタル法に比べて、本発明方法
はモールドによる絶縁層形成であり絶縁層形成時間が著
しく短かくてすむこと、モールド金型によって表面平坦
化が容易に行なうことができ研削が不要となり、工程数
の大幅減少やプロセスの簡略化を達成できる。また、無
溶剤ワニスによるモールドだけの場合に比べて、本発明
の場合には強靭なフィルム状絶縁体が含まれるので複合
効果により、耐熱衝撃性の向上、機械的強度の向上が図
れる。欠陥ボイドの低減や異物発生工程の排除により、
異物による配線間のショート、配線のオープン不良など
の発生が抑えられ、歩留り向上、配線寿命の安定化に大
きく寄与できる。製造過程で、一担配線をスケルトン構
造にできることは、水洗の強化、不良配線導体の修正を
容易とする。
【0042】以上のように、本発明は個々の要素はもち
ろん重要であるが、薄膜超多層化プロセスという全体へ
個々の要素を巧みに整合させつつとり入れて組立てたシ
ステムである。特に、超多層においては、各層を100
%の歩留りで完成させることが、これまで工業化されて
いるプロセスとは根本的に異なるところであり、本発明
はこの課題に適切に答えられる最良の方法である。
ろん重要であるが、薄膜超多層化プロセスという全体へ
個々の要素を巧みに整合させつつとり入れて組立てたシ
ステムである。特に、超多層においては、各層を100
%の歩留りで完成させることが、これまで工業化されて
いるプロセスとは根本的に異なるところであり、本発明
はこの課題に適切に答えられる最良の方法である。
【0043】加えて、従来技術には、ポリイミドの硬化
に伴ない体積収縮があり、それによって基板が反るとい
う問題を生ずるが、本発明では硬化を既にすませている
フィルムの使用が可能であり、かつそれを積極的に使用
しようという意図をもっており、そのために反りの大幅
低減が可能である。このことは、多層配線基板にLSI
やその他の部品を実装する上で、あるいはプリント基板
上に搭載する上で大きなメリットである。
に伴ない体積収縮があり、それによって基板が反るとい
う問題を生ずるが、本発明では硬化を既にすませている
フィルムの使用が可能であり、かつそれを積極的に使用
しようという意図をもっており、そのために反りの大幅
低減が可能である。このことは、多層配線基板にLSI
やその他の部品を実装する上で、あるいはプリント基板
上に搭載する上で大きなメリットである。
【0044】
【実施例】(実施例1)図2(b)に示すようにセラミッ
クベース基板21(140mm)上に形成した銅配線
(X層配線22(20μm×20μm、ピッチ40μ
m)の上にビアホール導体23(20μmφ×20μm
t)を形成したスケルトン構造の配線)の空間に、その
銅配線をオス型とした時にメス型となるような形状24
にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその表面に接
着剤25を厚さ3μm塗布した図2(a)に示すような
ポリイミドフィルム26(厚さ38μm)を減圧下で充
填し、ホットプレスを用いて加熱加圧し接着剤25を溶
融流動させるとともに硬化させる。接着剤としては、ナ
フタレン骨格にエポキシ基を4つ結合させたものとビフ
ェニル骨格を持つジアミンの当量混合物を用い、加熱は
最高200℃、加圧は静水圧がかかるようにして20k
g/mm2かけた。上記のナフタレン骨格にエポキシ基
を4つ結合させたものというのは、化1においてArが
クベース基板21(140mm)上に形成した銅配線
(X層配線22(20μm×20μm、ピッチ40μ
m)の上にビアホール導体23(20μmφ×20μm
t)を形成したスケルトン構造の配線)の空間に、その
銅配線をオス型とした時にメス型となるような形状24
にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその表面に接
着剤25を厚さ3μm塗布した図2(a)に示すような
ポリイミドフィルム26(厚さ38μm)を減圧下で充
填し、ホットプレスを用いて加熱加圧し接着剤25を溶
融流動させるとともに硬化させる。接着剤としては、ナ
フタレン骨格にエポキシ基を4つ結合させたものとビフ
ェニル骨格を持つジアミンの当量混合物を用い、加熱は
最高200℃、加圧は静水圧がかかるようにして20k
g/mm2かけた。上記のナフタレン骨格にエポキシ基
を4つ結合させたものというのは、化1においてArが
【0045】
【化15】
【0046】とし、RおよびR’を
【0047】
【化16】
【0048】としたものである。
【0049】また、4、4’−ジアニリンは、化5にお
いてRおよびR’を水素としXを直結合としたものであ
る。銅配線(22及び23)とポリイミドフィルム26
との間隔は、図2(c)に示すように接着剤25によっ
て充分に埋められるとともに、ポリイミドフィルム26
はセラミックベース基板21とも固着一体化している。
このようにして逐次的に多層化して配線層数15層の高
密度多層配線基板を作った。なお、上記パターン化した
ポリイミドフィルム26は、X層配線22とビヤホール
導体23のそれぞれのネガ型のもの(厚さ19μm)を
まず作成して、その2つを上記の接着剤25を用いて貼
りあわせてつくっておく。
いてRおよびR’を水素としXを直結合としたものであ
る。銅配線(22及び23)とポリイミドフィルム26
との間隔は、図2(c)に示すように接着剤25によっ
て充分に埋められるとともに、ポリイミドフィルム26
はセラミックベース基板21とも固着一体化している。
このようにして逐次的に多層化して配線層数15層の高
密度多層配線基板を作った。なお、上記パターン化した
ポリイミドフィルム26は、X層配線22とビヤホール
導体23のそれぞれのネガ型のもの(厚さ19μm)を
まず作成して、その2つを上記の接着剤25を用いて貼
りあわせてつくっておく。
【0050】(実施例2)図2(b)に示すようにセラミ
ックベース基板21(140mm)上に形成した銅配線
(X層配線22(20μm×20μm、ピッチ40μ
m)の上にビアホール導体23(20μmφ×20μm
t)を形成したスケルトン構造の配線)の空間に、その
銅配線(22及び23)をオス型とした時にメス型とな
るような形状24にエキシマレーザ露光でパタ−ン化し
かつその表面に接着剤25を厚さ3μm塗布した図2
(a)に示すようなポリイミドフィルム26(厚さ38
μm)を減圧下で充填し、ホットプレスを用いて加熱加
圧し接着剤25を溶融流動させるとともに硬化させる。
接着剤としては、東都化成4官能性エポキシレジンYH
−434と4,4’−ジアニリンとの当量混合物を用
い、加熱は最高200℃、加圧は静水圧がかかるように
して20kg/mm2かけた。上記の4,4’−ジアニ
リンは、実施例1と同じものである。銅導体(22及び
23)とポリイミドフィルム26との間隔は、接着剤2
5によって充分に埋められるとともに、ポリイミドフィ
ルム26はセラミックベース基板21とも固着一体化し
ている。このようにして逐次的に多層化して配線層数1
5層の高密度多層配線基板を作った。なお、上記パター
ン化したポリイミドフィルム26は、X層配線22とビ
ヤホール導体23のそれぞれのネガ型のもの(厚さ19
μm)をまず作成して、その2つを上記の接着剤25を
用いて貼りあわせてつくっておく。
ックベース基板21(140mm)上に形成した銅配線
(X層配線22(20μm×20μm、ピッチ40μ
m)の上にビアホール導体23(20μmφ×20μm
t)を形成したスケルトン構造の配線)の空間に、その
銅配線(22及び23)をオス型とした時にメス型とな
るような形状24にエキシマレーザ露光でパタ−ン化し
かつその表面に接着剤25を厚さ3μm塗布した図2
(a)に示すようなポリイミドフィルム26(厚さ38
μm)を減圧下で充填し、ホットプレスを用いて加熱加
圧し接着剤25を溶融流動させるとともに硬化させる。
接着剤としては、東都化成4官能性エポキシレジンYH
−434と4,4’−ジアニリンとの当量混合物を用
い、加熱は最高200℃、加圧は静水圧がかかるように
して20kg/mm2かけた。上記の4,4’−ジアニ
リンは、実施例1と同じものである。銅導体(22及び
23)とポリイミドフィルム26との間隔は、接着剤2
5によって充分に埋められるとともに、ポリイミドフィ
ルム26はセラミックベース基板21とも固着一体化し
ている。このようにして逐次的に多層化して配線層数1
5層の高密度多層配線基板を作った。なお、上記パター
ン化したポリイミドフィルム26は、X層配線22とビ
ヤホール導体23のそれぞれのネガ型のもの(厚さ19
μm)をまず作成して、その2つを上記の接着剤25を
用いて貼りあわせてつくっておく。
【0051】(実施例3)図2(b)に示すように実施例
1と同様にして形成した銅配線(22及び23)の空間
に、その銅配線をオス型とした時にメス型となるような
形状24にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその
表面に接着剤25を厚さ3μm塗布した図2(a)に示
すようなポリアミドフィルム26(厚さ38μm)を減
圧下で充填し、ホットプレスを用いて加熱加圧し接着剤
25を溶融流動させるとともに硬化させる。実施例1で
用いたのと同じ接着剤25を用いて、最高200℃に加
熱し、静水圧が20kg/mm2かかるように加圧して
ポリアミドフィルム26を銅配線(22及び23)なら
びにセラミックベース基板21と固着一体化し、図2
(c)とする。なおパターン化したポリアミドフィルム
26は、実施例1と同様の方法を用いてX層配線22と
ビヤホール導体23のそれぞれのネガ型のもの(厚さ1
9μm)をまず作成して、その2つを上記の接着剤25
を用いて貼りあわせてつくっておく。
1と同様にして形成した銅配線(22及び23)の空間
に、その銅配線をオス型とした時にメス型となるような
形状24にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその
表面に接着剤25を厚さ3μm塗布した図2(a)に示
すようなポリアミドフィルム26(厚さ38μm)を減
圧下で充填し、ホットプレスを用いて加熱加圧し接着剤
25を溶融流動させるとともに硬化させる。実施例1で
用いたのと同じ接着剤25を用いて、最高200℃に加
熱し、静水圧が20kg/mm2かかるように加圧して
ポリアミドフィルム26を銅配線(22及び23)なら
びにセラミックベース基板21と固着一体化し、図2
(c)とする。なおパターン化したポリアミドフィルム
26は、実施例1と同様の方法を用いてX層配線22と
ビヤホール導体23のそれぞれのネガ型のもの(厚さ1
9μm)をまず作成して、その2つを上記の接着剤25
を用いて貼りあわせてつくっておく。
【0052】(実施例4)図2(b)に示すように実施例
1と同様にして形成した銅配線(22及び23)の空間
に、その銅配線をオス型とした時にメス型となるような
形状24にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその
表面に接着剤25を厚さ3μm塗布した図2(a)に示
すようなポリアミドフィルム26(厚さ38μm)を減
圧下で充填し、ホットプレスを用いて加熱加圧し接着剤
25を溶融流動させるとともに硬化させる。実施例2で
用いたのと同じ接着剤25を用いて、最高200℃に加
熱し、静水圧が20kg/mm2かかるように加圧して
ポリアミドフィルム26を銅配線(22及び23)なら
びにセラミックベース基板21と固着一体化する。なお
パターン化したポリアミドフィルム26は、実施例1と
同様の方法を用いてX層配線22とビヤホール導体23
のそれぞれのネガ型のもの(厚さ19μm)をまず作成
して、その2つを上記の接着剤25を用いて貼りあわせ
てつくっておく。
1と同様にして形成した銅配線(22及び23)の空間
に、その銅配線をオス型とした時にメス型となるような
形状24にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその
表面に接着剤25を厚さ3μm塗布した図2(a)に示
すようなポリアミドフィルム26(厚さ38μm)を減
圧下で充填し、ホットプレスを用いて加熱加圧し接着剤
25を溶融流動させるとともに硬化させる。実施例2で
用いたのと同じ接着剤25を用いて、最高200℃に加
熱し、静水圧が20kg/mm2かかるように加圧して
ポリアミドフィルム26を銅配線(22及び23)なら
びにセラミックベース基板21と固着一体化する。なお
パターン化したポリアミドフィルム26は、実施例1と
同様の方法を用いてX層配線22とビヤホール導体23
のそれぞれのネガ型のもの(厚さ19μm)をまず作成
して、その2つを上記の接着剤25を用いて貼りあわせ
てつくっておく。
【0053】(実施例5)図2(b)に示すように実施例
1と同様にして形成した銅配線(22及び23)の空間
に、その銅配線をオス型とした時にメス型となるような
形状24にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその
表面に接着剤25を厚さ3μm塗布した図2(a)に示
すようなポリカーボネートフィルム26(厚さ38μ
m)を減圧下で充填し、ホットプレスを用いて加熱加圧
し接着剤25を溶融流動させるとともに硬化させる。実
施例1で用いたのと同じ接着剤25を用いて、最高20
0℃に加熱し、静水圧が20kg/mm2かかるように
加圧してポリカーボネートフィルム26を銅配線(22
及び23)ならびにセラミックベース基板21と固着一
体化する。なおパターン化したポリカーボネートフィル
ム26は、実施例1と同様の方法を用いてX層配線22
とビヤホール導体23のそれぞれのネガ型のもの(厚さ
19μm)をまず作成して、その2つを上記の接着剤2
5をもちいて貼りあわせてつくっておく。
1と同様にして形成した銅配線(22及び23)の空間
に、その銅配線をオス型とした時にメス型となるような
形状24にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその
表面に接着剤25を厚さ3μm塗布した図2(a)に示
すようなポリカーボネートフィルム26(厚さ38μ
m)を減圧下で充填し、ホットプレスを用いて加熱加圧
し接着剤25を溶融流動させるとともに硬化させる。実
施例1で用いたのと同じ接着剤25を用いて、最高20
0℃に加熱し、静水圧が20kg/mm2かかるように
加圧してポリカーボネートフィルム26を銅配線(22
及び23)ならびにセラミックベース基板21と固着一
体化する。なおパターン化したポリカーボネートフィル
ム26は、実施例1と同様の方法を用いてX層配線22
とビヤホール導体23のそれぞれのネガ型のもの(厚さ
19μm)をまず作成して、その2つを上記の接着剤2
5をもちいて貼りあわせてつくっておく。
【0054】(実施例6)図2(b)に示すように実施例
1と同様にして形成した銅配線(22及び23)の空間
に、その銅配線をオス型とした時にメス型となるような
形状24にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその
表面に接着剤25を厚さ3μm塗布した図2(a)に示
すようなポリカーボネートフィルム26(厚さ38μ
m)を減圧下で充填し、ホットプレスを用いて加熱加圧
し接着剤25を溶融流動させるとともに硬化させる。実
施例2で用いたのと同じ接着剤25を用いて、最高20
0℃に加熱し、静水圧が20kg/mm2かかるように
加圧してポリカーボネートフィルム26を銅配線(22
及び23)ならびにセラミックベース基板21と固着一
体化する。なおパターン化したポリカーボネートフィル
ム26は、実施例1と同様の方法を用いてX層配線22
とビヤホール導体23のそれぞれのネガ型のものをまず
作成して、その2つ上記の接着剤25をもちいてを貼り
あわせてつくっておく。
1と同様にして形成した銅配線(22及び23)の空間
に、その銅配線をオス型とした時にメス型となるような
形状24にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその
表面に接着剤25を厚さ3μm塗布した図2(a)に示
すようなポリカーボネートフィルム26(厚さ38μ
m)を減圧下で充填し、ホットプレスを用いて加熱加圧
し接着剤25を溶融流動させるとともに硬化させる。実
施例2で用いたのと同じ接着剤25を用いて、最高20
0℃に加熱し、静水圧が20kg/mm2かかるように
加圧してポリカーボネートフィルム26を銅配線(22
及び23)ならびにセラミックベース基板21と固着一
体化する。なおパターン化したポリカーボネートフィル
ム26は、実施例1と同様の方法を用いてX層配線22
とビヤホール導体23のそれぞれのネガ型のものをまず
作成して、その2つ上記の接着剤25をもちいてを貼り
あわせてつくっておく。
【0055】(実施例7)図3(b)に示すようなセラミ
ックベース基板31(100mm)上に形成した銅配線
(X層配線32(30μm×30μm、ピッチ60μ
m)の上にビアホール導体33(30μmφ×30μm
t)を形成したスケルトン構造の銅配線)の空間に、そ
のビヤホール導体に余裕を持って入るくらいの大きさの
直径(35μmφ×60μmt)にエキシマレーザ露光
で穴34をあけた図3(a)に示す耐熱エポキシプリプ
レグ35を減圧下で充填し、ホットプレートで加熱加圧
して、プリプレグ35を溶融流動させるとともに硬化さ
せる。加熱温度は最高200℃、加圧は20kg/mm
2で、ビアホール導体33の上端がホットプレートに接
した段階で静水圧30kg/mm2をかけて側面に圧力
が逃げないようにする。そのようにして溶融流動によっ
て銅配線(32と33)とプリプレグ35間の隙間は充
分に埋められ、セラミックベース基板31とも十分接合
する。プリプレグ35に用いるエポキシレジンとしては
特に制約しないが、ナフタリン骨格にメチレン結合を会
してフェノールを2ケつけたものにエポキシ基を結合し
た4官能性エポキシレジン、例えば化1でArがナフタ
レン、mとnが2、Rを
ックベース基板31(100mm)上に形成した銅配線
(X層配線32(30μm×30μm、ピッチ60μ
m)の上にビアホール導体33(30μmφ×30μm
t)を形成したスケルトン構造の銅配線)の空間に、そ
のビヤホール導体に余裕を持って入るくらいの大きさの
直径(35μmφ×60μmt)にエキシマレーザ露光
で穴34をあけた図3(a)に示す耐熱エポキシプリプ
レグ35を減圧下で充填し、ホットプレートで加熱加圧
して、プリプレグ35を溶融流動させるとともに硬化さ
せる。加熱温度は最高200℃、加圧は20kg/mm
2で、ビアホール導体33の上端がホットプレートに接
した段階で静水圧30kg/mm2をかけて側面に圧力
が逃げないようにする。そのようにして溶融流動によっ
て銅配線(32と33)とプリプレグ35間の隙間は充
分に埋められ、セラミックベース基板31とも十分接合
する。プリプレグ35に用いるエポキシレジンとしては
特に制約しないが、ナフタリン骨格にメチレン結合を会
してフェノールを2ケつけたものにエポキシ基を結合し
た4官能性エポキシレジン、例えば化1でArがナフタ
レン、mとnが2、Rを
【0056】
【化17】
【0057】とし、R’を
【0058】
【化18】
【0059】としたものとビフェニル骨格のジアミン、
例えば化5でR=R’=H、Xを直結合としたものとの
当量組成物が耐熱性、流動性、硬化性の諸点ですぐれて
いる。
例えば化5でR=R’=H、Xを直結合としたものとの
当量組成物が耐熱性、流動性、硬化性の諸点ですぐれて
いる。
【0060】(実施例8)実施例7と同様に、図3(b)
に示すようなセラミックベース基板31(100mm)
上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×30μ
m、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33(30
μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造の銅配
線)の空間に、そのビヤホール導体に余裕を持って入る
くらいの大きさの直径(35μmφ×60μmt)にエ
キシマレーザ露光で穴34をあけた耐熱エポキシプリプ
レグ35を減圧下で充填し、ホットプレートで加熱加圧
して、プリプレグ35を溶融流動させるとともに硬化さ
せる。加熱温度は最高200℃、加圧は20kg/mm
2で、ビアホール導体33の上端がホットプレートに接
した段階で静水圧30kg/mm2をかけて側面に圧力
が逃げないようにする。そのようにして溶融流動によっ
てビヤホール導体33とプリプレグ35間の隙間は充分
に埋められ、セラミックベース基板31とも十分接合す
る。プリプレグ35に用いる耐熱エポキシ系レジンとし
ては特に制約しないが、例えば4官能性エポキシレジン
として住友化学株式会社製のELM−434を用い、硬
化剤として化5でXを
に示すようなセラミックベース基板31(100mm)
上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×30μ
m、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33(30
μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造の銅配
線)の空間に、そのビヤホール導体に余裕を持って入る
くらいの大きさの直径(35μmφ×60μmt)にエ
キシマレーザ露光で穴34をあけた耐熱エポキシプリプ
レグ35を減圧下で充填し、ホットプレートで加熱加圧
して、プリプレグ35を溶融流動させるとともに硬化さ
せる。加熱温度は最高200℃、加圧は20kg/mm
2で、ビアホール導体33の上端がホットプレートに接
した段階で静水圧30kg/mm2をかけて側面に圧力
が逃げないようにする。そのようにして溶融流動によっ
てビヤホール導体33とプリプレグ35間の隙間は充分
に埋められ、セラミックベース基板31とも十分接合す
る。プリプレグ35に用いる耐熱エポキシ系レジンとし
ては特に制約しないが、例えば4官能性エポキシレジン
として住友化学株式会社製のELM−434を用い、硬
化剤として化5でXを
【0061】
【化19】
【0062】とし、RおよびR’をHとしたジアミンと
の当量組成物が耐熱性、流動性、硬化性の諸点ですぐれ
ている。
の当量組成物が耐熱性、流動性、硬化性の諸点ですぐれ
ている。
【0063】(実施例9)実施例7と同様に、図3(b)
に示すようなセラミックベース基板31(100mm)
上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×30μ
m、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33(30
μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造の銅配
線)の空間に、そのビヤホール導体33に余裕を持って
入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μmt)
にエキシマレーザ露光で穴34をあけた耐熱ポリ(ベン
ゾシクロブテン)系ポリマプリプレグ35を減圧下で充
填し、ホットプレートで加熱加圧して、プリプレグ35
を溶融流動させるとともに硬化させる。加熱温度は最高
200℃、加圧は20kg/mm2で、ビアホール導体
33の上端がホットプレートに接した段階で静水圧30
kg/mm2をかけて側面に圧力が逃げないようにす
る。そのようにして溶融流動によってビヤホール導体3
3とプリプレグ35間との隙間は充分に埋められ、セラ
ミックベース基板31とも十分接合する。プリプレグ3
5に用いる耐熱ポリ(ベンゾシクロブテン)系ポリマと
しては特に制約しないが、例えば化6のものが耐熱性、
流動性、硬化性の諸点ですぐれている。
に示すようなセラミックベース基板31(100mm)
上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×30μ
m、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33(30
μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造の銅配
線)の空間に、そのビヤホール導体33に余裕を持って
入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μmt)
にエキシマレーザ露光で穴34をあけた耐熱ポリ(ベン
ゾシクロブテン)系ポリマプリプレグ35を減圧下で充
填し、ホットプレートで加熱加圧して、プリプレグ35
を溶融流動させるとともに硬化させる。加熱温度は最高
200℃、加圧は20kg/mm2で、ビアホール導体
33の上端がホットプレートに接した段階で静水圧30
kg/mm2をかけて側面に圧力が逃げないようにす
る。そのようにして溶融流動によってビヤホール導体3
3とプリプレグ35間との隙間は充分に埋められ、セラ
ミックベース基板31とも十分接合する。プリプレグ3
5に用いる耐熱ポリ(ベンゾシクロブテン)系ポリマと
しては特に制約しないが、例えば化6のものが耐熱性、
流動性、硬化性の諸点ですぐれている。
【0064】(実施例10)実施例7と同様に、図3
(b)に示すようなセラミックベ−ス基板31(100
mm)上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×
30μm、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33
(30μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造
の銅配線)の空間に、そのビヤホール導体33に余裕を
持って入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μ
mt)にエキシマレーザ露光で穴34をあけた高耐熱フ
ェノールノボラック硬化系エポキシレジンのプリプレグ
35を減圧下で充填し、ホットプレートで加熱加圧し
て、プリプレグ35を溶融流動させるとともに硬化させ
る。高耐熱フェノールノボラック硬化剤としては、例え
ば大日本インキ化学株式会社のN770等が良い。加熱
温度は最高200℃、加圧は20kg/mm2で、ビア
ホール導体33の上端がホットプレートに接した段階で
静水圧30kg/mm2をかけて側面に圧力が逃げない
ようにする。そのようにして溶融流動によってビヤホー
ル導体33とプリプレグ35との隙間は充分に埋めら
れ、セラミックベース基板31とも十分接合する。
(b)に示すようなセラミックベ−ス基板31(100
mm)上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×
30μm、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33
(30μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造
の銅配線)の空間に、そのビヤホール導体33に余裕を
持って入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μ
mt)にエキシマレーザ露光で穴34をあけた高耐熱フ
ェノールノボラック硬化系エポキシレジンのプリプレグ
35を減圧下で充填し、ホットプレートで加熱加圧し
て、プリプレグ35を溶融流動させるとともに硬化させ
る。高耐熱フェノールノボラック硬化剤としては、例え
ば大日本インキ化学株式会社のN770等が良い。加熱
温度は最高200℃、加圧は20kg/mm2で、ビア
ホール導体33の上端がホットプレートに接した段階で
静水圧30kg/mm2をかけて側面に圧力が逃げない
ようにする。そのようにして溶融流動によってビヤホー
ル導体33とプリプレグ35との隙間は充分に埋めら
れ、セラミックベース基板31とも十分接合する。
【0065】(実施例11)実施例7と同様に、図3
(b)に示すようなセラミックベ−ス基板31(100
mm)上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×
30μm、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33
(30μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造
の銅配線)の空間に、そのビヤホール導体に余裕を持っ
て入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μm
t)にエキシマレーザ露光で穴34をあけた高耐熱性ビ
スマレイミドトリアジン系レジン(例えば、三菱瓦斯化
学株式会社製のBT2680、BT4680、あるいは
BT3309)プリプレグ35を減圧下で充填し、ホッ
トプレートで加熱加圧して、プリプレグ35を溶融流動
させるとともに硬化させる。加熱温度は最高200℃、
加圧は20kg/mm2で、ビアホール導体33の上端
がホットプレートに接した段階で静水圧30kg/mm
2をかけて側面に圧力が逃げないようにする。そのよう
にして溶融流動によってビヤホール導体33とプリプレ
グ35との隙間は充分に埋められ、セラミックベース基
板31とも十分接合する。
(b)に示すようなセラミックベ−ス基板31(100
mm)上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×
30μm、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33
(30μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造
の銅配線)の空間に、そのビヤホール導体に余裕を持っ
て入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μm
t)にエキシマレーザ露光で穴34をあけた高耐熱性ビ
スマレイミドトリアジン系レジン(例えば、三菱瓦斯化
学株式会社製のBT2680、BT4680、あるいは
BT3309)プリプレグ35を減圧下で充填し、ホッ
トプレートで加熱加圧して、プリプレグ35を溶融流動
させるとともに硬化させる。加熱温度は最高200℃、
加圧は20kg/mm2で、ビアホール導体33の上端
がホットプレートに接した段階で静水圧30kg/mm
2をかけて側面に圧力が逃げないようにする。そのよう
にして溶融流動によってビヤホール導体33とプリプレ
グ35との隙間は充分に埋められ、セラミックベース基
板31とも十分接合する。
【0066】(実施例12)実施例7と同様に、図3
(b)に示すようなセラミックベース基板31(100
mm)上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×
30μm、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33
(30μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造
の銅配線)の空間に、そのビヤホール導体に余裕を持っ
て入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μm
t)にエキシマレーザ露光で穴34をあけた高耐熱性イ
ミダゾール硬化系エポキシレジンのプリプレグ35を減
圧下で充填し、ホットプレートで加熱加圧して、プリプ
レグ35を溶融流動させるとともに硬化させる。加熱温
度は最高200℃、加圧は20kg/mm2で、ビアホ
ール導体33の上端がホットプレートに接した段階で静
水圧30kg/mm2をかけて側面に圧力が逃げないよ
うにする。そのようにして溶融流動によってビヤホール
導体33とプリプレグ35との隙間は充分に埋められ、
セラミックベース基板31とも十分接合する。プリプレ
グ35に用いる高耐熱性イミダゾール系硬化剤としては
特に制約はないが、例えば、四国化成工業株式会社製の
キュアゾール2P4MHZが耐熱性、流動性、硬化性の
諸点ですぐれている。
(b)に示すようなセラミックベース基板31(100
mm)上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×
30μm、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33
(30μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造
の銅配線)の空間に、そのビヤホール導体に余裕を持っ
て入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μm
t)にエキシマレーザ露光で穴34をあけた高耐熱性イ
ミダゾール硬化系エポキシレジンのプリプレグ35を減
圧下で充填し、ホットプレートで加熱加圧して、プリプ
レグ35を溶融流動させるとともに硬化させる。加熱温
度は最高200℃、加圧は20kg/mm2で、ビアホ
ール導体33の上端がホットプレートに接した段階で静
水圧30kg/mm2をかけて側面に圧力が逃げないよ
うにする。そのようにして溶融流動によってビヤホール
導体33とプリプレグ35との隙間は充分に埋められ、
セラミックベース基板31とも十分接合する。プリプレ
グ35に用いる高耐熱性イミダゾール系硬化剤としては
特に制約はないが、例えば、四国化成工業株式会社製の
キュアゾール2P4MHZが耐熱性、流動性、硬化性の
諸点ですぐれている。
【0067】(実施例13)実施例7と同様に、図3
(b)に示すようなセラミックベース基板31(100
mm)上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×
30μm、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33
(30μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造
の銅配線)の空間に、そのビヤホール導体33に余裕を
持って入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μ
mt)にエキシマレーザ露光で穴343あけた高耐熱性
フォトレジストエポキシレジンプリプレグ35(実施例
1あるいは実施例2で用いたエポキシレジンと光によっ
て酸を放出する化合物との混合組成物)を減圧下で充填
し、ホットプレートで加熱加圧して、プリプレグ35を
溶融流動させるとともに光を照射して硬化させる。溶融
流動によってビヤホール導体33とプリプレグ35との
隙間は充分に埋められ、セラミックベース基板31とも
十分接合する。プリプレグに用いる高耐熱性フォトレジ
ストとしては特に制約はないが、耐熱性、流動性、硬化
性の諸点ですぐれているものが簡便である。
(b)に示すようなセラミックベース基板31(100
mm)上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×
30μm、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33
(30μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造
の銅配線)の空間に、そのビヤホール導体33に余裕を
持って入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μ
mt)にエキシマレーザ露光で穴343あけた高耐熱性
フォトレジストエポキシレジンプリプレグ35(実施例
1あるいは実施例2で用いたエポキシレジンと光によっ
て酸を放出する化合物との混合組成物)を減圧下で充填
し、ホットプレートで加熱加圧して、プリプレグ35を
溶融流動させるとともに光を照射して硬化させる。溶融
流動によってビヤホール導体33とプリプレグ35との
隙間は充分に埋められ、セラミックベース基板31とも
十分接合する。プリプレグに用いる高耐熱性フォトレジ
ストとしては特に制約はないが、耐熱性、流動性、硬化
性の諸点ですぐれているものが簡便である。
【0068】(実施例14)実施例7と同様に、図3
(b)に示すようなセラミックベース基板31(100
mm)上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×
30μm、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33
(30μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造
の銅配線)の空間に、そのビヤホール導体33に余裕を
持って入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μ
mt)にエキシマレーザ露光で穴34をあけた高耐熱性
ビスマレイミド系レジン(例えば、CIBA−GEIG
Y CORPORATION製 Matrimid52
92system)プリプレグを減圧下で充填し、ホッ
トプレートで加熱加圧して、プリプレグを溶融流動させ
るとともに硬化させる。加熱温度は最高200℃、加圧
は20kg/mm2で、ビアホール導体33の上端がホ
ットプレートに接した段階で静水圧30kg/mm2を
かけて側面に圧力が逃げないようにする。そのようにし
て溶融流動によってビヤホール導体33とプリプレグ3
5との隙間は充分に埋められ、セラミックベース基板3
1とも十分接合する。
(b)に示すようなセラミックベース基板31(100
mm)上に形成した銅配線(X層配線32(30μm×
30μm、ピッチ60μm)の上にビアホール導体33
(30μmφ×30μmt)を形成したスケルトン構造
の銅配線)の空間に、そのビヤホール導体33に余裕を
持って入るくらいの大きさの直径(35μmφ×60μ
mt)にエキシマレーザ露光で穴34をあけた高耐熱性
ビスマレイミド系レジン(例えば、CIBA−GEIG
Y CORPORATION製 Matrimid52
92system)プリプレグを減圧下で充填し、ホッ
トプレートで加熱加圧して、プリプレグを溶融流動させ
るとともに硬化させる。加熱温度は最高200℃、加圧
は20kg/mm2で、ビアホール導体33の上端がホ
ットプレートに接した段階で静水圧30kg/mm2を
かけて側面に圧力が逃げないようにする。そのようにし
て溶融流動によってビヤホール導体33とプリプレグ3
5との隙間は充分に埋められ、セラミックベース基板3
1とも十分接合する。
【0069】(実施例15)図2(b)に示すようにセラ
ミックベース基板21(140mm)上に形成した銅配
線(X層配線22(20μm×20μm、ピッチ40μ
m)の上にビアホール導体23(20μmφ×20μm
t)を形成したスケルトン構造の配線)の空間に、図2
(a)に示すその銅配線をオス型とした時にメス型とな
るような形状24にエキシマレーザ露光でパターン化し
かつその表面に接着剤25を厚さ3μm塗布したポリイ
ミドフィルム26(厚さ38μm)を減圧下で充填し、
ホットプレスを用いて加熱加圧し接着剤25を溶融流動
させるとともに硬化させる。接着剤25に用いるエポキ
シレジンには、実施例1で用いたものと同一のものを用
い、硬化剤としては化5でXを
ミックベース基板21(140mm)上に形成した銅配
線(X層配線22(20μm×20μm、ピッチ40μ
m)の上にビアホール導体23(20μmφ×20μm
t)を形成したスケルトン構造の配線)の空間に、図2
(a)に示すその銅配線をオス型とした時にメス型とな
るような形状24にエキシマレーザ露光でパターン化し
かつその表面に接着剤25を厚さ3μm塗布したポリイ
ミドフィルム26(厚さ38μm)を減圧下で充填し、
ホットプレスを用いて加熱加圧し接着剤25を溶融流動
させるとともに硬化させる。接着剤25に用いるエポキ
シレジンには、実施例1で用いたものと同一のものを用
い、硬化剤としては化5でXを
【0070】
【化20】
【0071】としたものの当量混合物を用い、加熱は最
高220℃、加圧は静水圧がかかるようにして20kg
/mm2かけた。銅導体とポリイミドフィルム22との
間隔は、接着剤25によって充分に埋められるととも
に、ポリイミドフィルム26はセラミックベース基板2
1とも固着一体化している。このようにして逐次的に多
層化して配線層数15層の高密度多層配線基板を作っ
た。なお、上記パターン化したポリイミドフィルム26
は、X層配線22とビヤホール導体23のそれぞれのネ
ガ型のもの(厚さ19μm)をまず作成して、その2つ
を上記の接着剤25を用いて貼りあわせてつくってお
く。
高220℃、加圧は静水圧がかかるようにして20kg
/mm2かけた。銅導体とポリイミドフィルム22との
間隔は、接着剤25によって充分に埋められるととも
に、ポリイミドフィルム26はセラミックベース基板2
1とも固着一体化している。このようにして逐次的に多
層化して配線層数15層の高密度多層配線基板を作っ
た。なお、上記パターン化したポリイミドフィルム26
は、X層配線22とビヤホール導体23のそれぞれのネ
ガ型のもの(厚さ19μm)をまず作成して、その2つ
を上記の接着剤25を用いて貼りあわせてつくってお
く。
【0072】(実施例16)図2(b)に示すようにセラ
ミックベース基板21(140mm)上に形成した銅配
線(X層配線22(20μm×20μm、ピッチ40μ
m)の上にビアホール導体23(20μmφ×20μm
t)を形成したスケルトン構造の配線)の空間に、その
銅配線をオス型とした時にメス型となるような形状24
にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその表面に接
着剤25を厚さ3μm塗布したポリイミドフィルム26
(厚さ38μm)を減圧下で充填し、ホットプレスを用
いて加熱加圧し接着剤25を溶融流動させるとともに硬
化させる。接着剤25に用いるエポキシレジンには、実
施例2で用いたものと同一のものを実施例14で用いた
硬化剤との当量組成物を用い、加熱は最高200℃、加
圧は静水圧がかかるようにして20kg/mm2かけ
た。銅導体(22および23)とポリイミドフィルム2
6との間隔は、接着剤によって充分に埋められるととも
に、ポリイミドフィルム26はセラミックベース基板2
1とも固着一体化している。このようにして逐次的に多
層化して配線層数15層の高密度多層配線基板を作っ
た。なお、上記パターン化したポリイミドフィルム26
は、X層配線22とビヤホール導体23のそれぞれのネ
ガ型のもの(厚さ19μm)をまず作成して、その2つ
を上記の接着剤を用いて貼りあわせてつくっておく。
ミックベース基板21(140mm)上に形成した銅配
線(X層配線22(20μm×20μm、ピッチ40μ
m)の上にビアホール導体23(20μmφ×20μm
t)を形成したスケルトン構造の配線)の空間に、その
銅配線をオス型とした時にメス型となるような形状24
にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその表面に接
着剤25を厚さ3μm塗布したポリイミドフィルム26
(厚さ38μm)を減圧下で充填し、ホットプレスを用
いて加熱加圧し接着剤25を溶融流動させるとともに硬
化させる。接着剤25に用いるエポキシレジンには、実
施例2で用いたものと同一のものを実施例14で用いた
硬化剤との当量組成物を用い、加熱は最高200℃、加
圧は静水圧がかかるようにして20kg/mm2かけ
た。銅導体(22および23)とポリイミドフィルム2
6との間隔は、接着剤によって充分に埋められるととも
に、ポリイミドフィルム26はセラミックベース基板2
1とも固着一体化している。このようにして逐次的に多
層化して配線層数15層の高密度多層配線基板を作っ
た。なお、上記パターン化したポリイミドフィルム26
は、X層配線22とビヤホール導体23のそれぞれのネ
ガ型のもの(厚さ19μm)をまず作成して、その2つ
を上記の接着剤を用いて貼りあわせてつくっておく。
【0073】(実施例17)図2(b)に示すようにセ
ラミックベース基板21(140mm)上に形成した銅
配線(X層配線22(20μm×20μm、ピッチ40
μm)の上にビアホール導体23(20μmφ×20μ
mt)を形成したスケルトン構造の配線)の空間に、そ
の銅配線をオス型とした時にメス型となるような形状2
4にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその表面に
接着剤25を厚さ3μm塗布したポリイミドフィルム2
6(厚さ38μm)を減圧下で充填し、ホットプレスを
用いて加熱加圧し接着剤25を溶融流動させるとともに
硬化させる。接着剤25として用いるエポキシレジンと
しては、大日本インキ化学株式会社製EXA−4700
を用い、実施例14で用いたものと同一の硬化剤との当
量組成物を用い、加熱は最高200℃、加圧は静水圧が
かかるようにして20kg/mm2かけた。銅導体(2
2および23)とポリイミドフィルム26との間隔は、
接着剤によって充分に埋められるとともに、ポリイミド
フィルム26はセラミックベース基板21とも固着一体
化している。このようにして逐次的に多層化して配線層
数15層の高密度多層配線基板を作った。なお、上記パ
ターン化したポリイミドフィルム26は、X層配線22
とビヤホール導体23のそれぞれのネガ型のもの(厚さ
19μm)をまず作成して、その2つを上記の接着剤を
用いて貼りあわせてつくっておく。
ラミックベース基板21(140mm)上に形成した銅
配線(X層配線22(20μm×20μm、ピッチ40
μm)の上にビアホール導体23(20μmφ×20μ
mt)を形成したスケルトン構造の配線)の空間に、そ
の銅配線をオス型とした時にメス型となるような形状2
4にエキシマレーザ露光でパターン化しかつその表面に
接着剤25を厚さ3μm塗布したポリイミドフィルム2
6(厚さ38μm)を減圧下で充填し、ホットプレスを
用いて加熱加圧し接着剤25を溶融流動させるとともに
硬化させる。接着剤25として用いるエポキシレジンと
しては、大日本インキ化学株式会社製EXA−4700
を用い、実施例14で用いたものと同一の硬化剤との当
量組成物を用い、加熱は最高200℃、加圧は静水圧が
かかるようにして20kg/mm2かけた。銅導体(2
2および23)とポリイミドフィルム26との間隔は、
接着剤によって充分に埋められるとともに、ポリイミド
フィルム26はセラミックベース基板21とも固着一体
化している。このようにして逐次的に多層化して配線層
数15層の高密度多層配線基板を作った。なお、上記パ
ターン化したポリイミドフィルム26は、X層配線22
とビヤホール導体23のそれぞれのネガ型のもの(厚さ
19μm)をまず作成して、その2つを上記の接着剤を
用いて貼りあわせてつくっておく。
【0074】
【発明の効果】本発明は以上で説明してきたような構成
及び製法になっているので、以下に記載したような効果
を奏する。すなわち、モジュールとしては、 (1)モジュールの製造期間を短縮できる。これは、基
板を製造開始してから完成する迄の期間を大幅に短縮で
きるためである。
及び製法になっているので、以下に記載したような効果
を奏する。すなわち、モジュールとしては、 (1)モジュールの製造期間を短縮できる。これは、基
板を製造開始してから完成する迄の期間を大幅に短縮で
きるためである。
【0075】(2)モジュールの製造歩留を向上でき
る。これは、基板の製造工程数を従来より大幅に低減で
きるため、基板の製造歩留が向上し、結果的にはモジュ
ールの製造歩留が向上するものである。
る。これは、基板の製造工程数を従来より大幅に低減で
きるため、基板の製造歩留が向上し、結果的にはモジュ
ールの製造歩留が向上するものである。
【0076】(3)モジュールの信頼性を向上でき、更
に長寿命化できる。これは、基板の製造工程数の低減に
よるためである。一例として、絶縁層間の界面数は、従
来の逐次に絶縁層を形成する場合と比較して低減してい
る。この結果、界面での剥離、異物の混入等の信頼度の
低減要因が減少している。
に長寿命化できる。これは、基板の製造工程数の低減に
よるためである。一例として、絶縁層間の界面数は、従
来の逐次に絶縁層を形成する場合と比較して低減してい
る。この結果、界面での剥離、異物の混入等の信頼度の
低減要因が減少している。
【0077】計算機としては、下記の効果がある。
【0078】(1)計算機の製造期間を短縮できる。こ
れは、基板を製造開始してから完成する迄の期間を大幅
に短縮できるためである。
れは、基板を製造開始してから完成する迄の期間を大幅
に短縮できるためである。
【0079】(2)計算機の製造歩留を向上できる。こ
れは、基板の製造工程数を従来より大幅に低減できるた
め、基板の製造歩留が向上し、結果的には計算機の製造
歩留が向上するものである。
れは、基板の製造工程数を従来より大幅に低減できるた
め、基板の製造歩留が向上し、結果的には計算機の製造
歩留が向上するものである。
【0080】(3)計算機の信頼性を向上でき、更に長
寿命化できる。これは、基板の製造工程数の低減による
ためである。一例として、絶縁層間の界面数は、従来の
逐次に絶縁層を形成する場合と比較して低減している。
この結果、界面での剥離、異物の混入等の信頼度の低減
要因が減少している。
寿命化できる。これは、基板の製造工程数の低減による
ためである。一例として、絶縁層間の界面数は、従来の
逐次に絶縁層を形成する場合と比較して低減している。
この結果、界面での剥離、異物の混入等の信頼度の低減
要因が減少している。
【0081】(4)計算機の高速化が可能となる。これ
は、基板製造に使用する絶縁材料として、信号遅延を少
なくできる低誘導率材料を適用することが容易になるた
めである。
は、基板製造に使用する絶縁材料として、信号遅延を少
なくできる低誘導率材料を適用することが容易になるた
めである。
【0082】(5)従来のポリイミド薄膜多層配線に比
べて、本発明による薄膜多層配線基板の製造方法は、お
よそ2〜3倍のスループット向上、1/3〜1/6のリ
ードタイム短縮を実現する生産性の優れたものであり、
15層の多層化を行うのに従来法では6ヶ月以上かかる
ところを1.5ヶ月以内の生産工程を組むことが容易で
あり、量産性の大幅向上に貢献する。また、無溶剤状態
のレンジを用いることにより、ボイドやピンホールを含
まない絶縁層を容易に形成できる。
べて、本発明による薄膜多層配線基板の製造方法は、お
よそ2〜3倍のスループット向上、1/3〜1/6のリ
ードタイム短縮を実現する生産性の優れたものであり、
15層の多層化を行うのに従来法では6ヶ月以上かかる
ところを1.5ヶ月以内の生産工程を組むことが容易で
あり、量産性の大幅向上に貢献する。また、無溶剤状態
のレンジを用いることにより、ボイドやピンホールを含
まない絶縁層を容易に形成できる。
【図1】従来の多層配線基板の製造方法を示す工程図で
ある。
ある。
【図2】本発明に係る多層配線基板の製造方法におい
て、配線層に接着剤塗布フィルムを嵌合する一例を示す
工程図である。
て、配線層に接着剤塗布フィルムを嵌合する一例を示す
工程図である。
【図3】本発明に係る多層配線基板の製造方法におい
て、配線層に熱溶融型フィルムを嵌合する一例を示す工
程図である。
て、配線層に熱溶融型フィルムを嵌合する一例を示す工
程図である。
11…セラミックベース基板、 12…下地金属膜、 13…レジスト、 14…穴、 15…導体、 16…ポリマー絶縁層、 21…セラミックベース基板、 22…X層配線、 23…ビアホール層、 24…穴、 25…接着剤、 26…嵌合フィルム、 31…セラミックベース基板、 32…X層配線、 33…ビアホール層、 34…穴、 35…嵌合フィルム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 寿 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (10)
- 【請求項1】スケルトン構造の配線層が占める空間を、
その空間を埋められる形状に作製したフィルム状絶縁体
を充填するか、あるいは充填するとともに、配線導体と
フィルム状絶縁体との間の隙間を無溶剤状態のワニスで
充填し相互を接着固定し、かつ上面が平坦な面であるよ
うに作製した多層配線基板の構成ユニットとそれを逐次
重ねて製造する多層配線基板の製造方法。 - 【請求項2】請求項1において、スケルトン構造の配線
空間を埋める役割をもつフィルム状絶縁体の形状パター
ンをエキシマレーザなどのレーザ加工で作製したことを
特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項3】請求項1において、金属箔上に絶縁体フィ
ルムを形成した後にマスク露光によりレーザ加工して、
スケルトン構造の配線空間を埋める役割をもつフィルム
状絶縁体の形状パターンを作製することを特徴とする多
層配線基板の製造方法。 - 【請求項4】請求項1において、フィルム状絶縁体がポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリアミド、ポリエーテルイミドなどの耐熱
フィルムから選ばれたものか、それらかあるいはそのプ
リプレグを複合してなるものであることを特徴とする多
層配線基板の製造方法。 - 【請求項5】請求項1において、フィルム状絶縁体が熱
硬化性樹脂のBステージ状態からなることを特徴とする
多層配線基板の製造方法。 - 【請求項6】請求項5において、熱硬化性樹脂がエポキ
シレジン、イソシアヌレート・オキサゾリドンレジン、
シアン酸エステルレジン、シクロブテン環を有するポリ
マからなる耐熱ポリマの少なくとも1種であることを特
徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項7】請求項1において、配線導体とフィルム状
絶縁体の間の隙間を埋めて両者を密着・固定する役割を
もつ無溶剤ワニスがエポキシレジン、イソシアヌレート
・オキサゾリドンレジン、シアン酸エステルレジン、シ
クロブテン環を有するポリマのうち少なくとも1種から
なるものであることを特徴とする多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項8】請求項1において、無溶剤ワニスを充填す
るに際して、溶剤で稀釈して塗布するか、あるいは無溶
剤ワニスを減圧、減圧後加圧、常圧加圧により充填する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項9】請求項1において、無溶剤ワニスの充填方
法が、トランスファ、インジェクション、コンプレッシ
ョンなどのモールドによることを特徴とする多層配線基
板の製造方法。 - 【請求項10】請求項1において、フィルム状絶縁物と
してその下表面に接着剤を塗布してあり、その接着剤に
よって対象とする配線層よりも下方の絶縁層と接着する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25746591A JP2841966B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 多層配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25746591A JP2841966B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 多層配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05102660A true JPH05102660A (ja) | 1993-04-23 |
JP2841966B2 JP2841966B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=17306695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25746591A Expired - Lifetime JP2841966B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 多層配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2841966B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226680A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂組成物、これを用いたプリプレグ及び積層板 |
JP2002226681A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂組成物、これを用いたプリプレグ及び積層板 |
JP2002275359A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂組成物、これを用いた樹脂付き銅箔及び積層板 |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP25746591A patent/JP2841966B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226680A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂組成物、これを用いたプリプレグ及び積層板 |
JP2002226681A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂組成物、これを用いたプリプレグ及び積層板 |
JP2002275359A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂組成物、これを用いた樹脂付き銅箔及び積層板 |
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