JPH05102121A - 枚葉式洗浄方法及び装置 - Google Patents
枚葉式洗浄方法及び装置Info
- Publication number
- JPH05102121A JPH05102121A JP32360391A JP32360391A JPH05102121A JP H05102121 A JPH05102121 A JP H05102121A JP 32360391 A JP32360391 A JP 32360391A JP 32360391 A JP32360391 A JP 32360391A JP H05102121 A JPH05102121 A JP H05102121A
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- Japan
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄液により洗浄されたウエハ等の基板表
面が、洗浄中に再び汚染されることのない改良された枚
葉式洗浄方法および装置を提供する。 【構成】 洗浄液を収容した洗浄槽１内に、一枚の基
板３を垂直に保持し、洗浄槽内底部に洗浄液を供給する
と共に、洗浄槽上部よりオーバーフローさせて上昇流を
形成し、基板を洗浄する枚葉式洗浄方法において、基板
の一面側のみからオーバーフローさせて洗浄することを
特徴とする。
面が、洗浄中に再び汚染されることのない改良された枚
葉式洗浄方法および装置を提供する。 【構成】 洗浄液を収容した洗浄槽１内に、一枚の基
板３を垂直に保持し、洗浄槽内底部に洗浄液を供給する
と共に、洗浄槽上部よりオーバーフローさせて上昇流を
形成し、基板を洗浄する枚葉式洗浄方法において、基板
の一面側のみからオーバーフローさせて洗浄することを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板や液晶ガラ
ス基板等の薄板状の基板を、洗浄液を用いて一枚づつ洗
浄する枚葉式洗浄方法および装置に関する。
ス基板等の薄板状の基板を、洗浄液を用いて一枚づつ洗
浄する枚葉式洗浄方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置もサブミクロン時代を迎える
と共に半導体基板（以下、ウエハと称する）の直径が現
在では、１５０ｍｍ〜２００ｍｍのものが主流となり、
大口径化が進んでいる。従って、一枚のウエハに対する
清浄度の向上が要求されてきている。このため従来の方
法において、複数枚のウエハを収載したキャリアを洗浄
液に投入して、複数枚のウエハを同時に洗浄する方法か
ら、図５〜図７に示す様なウエハを一枚づつ洗浄する、
いわゆる枚葉式洗浄方法に移行してきた。すなわち、洗
浄液を収容した石英ガラス等から成る洗浄槽１内に、図
示しないチャッキングアームでウエハ３を浸漬し、洗浄
槽１内に形成され、各々ウエハ３の厚みよりやや幅広の
溝を有するウエハ保持部４に載置して保持し、循環ポン
プ５によって洗浄液を循環させると、洗浄液が洗浄液供
給口７の多数の流出口７ａから洗浄槽１内に流出する。
洗浄液が充満した洗浄槽１にさらに洗浄液が流入するこ
とにより、余った洗浄液が洗浄槽１の上部開口に設けら
れた４つの堰１ａ、１ｂ，１ｃ，１ｄを乗り越えオーバ
ーフローし、オーバーフロー部２に流れ込む。この時洗
浄槽１内に洗浄液の上昇流を生じ、ウエハ表面３ａとウ
エハ裏面３ｂに付着した汚染物質を剥離して、オーバー
フローする洗浄液と共に持ち去り、ろ過フィルタ６を通
して洗浄液中の汚染物質を除去し洗浄液のみが再び洗浄
槽１に戻る。上記のように処理時間洗浄液を循環させる
ことにより、ウエハ３が清浄化される。
と共に半導体基板（以下、ウエハと称する）の直径が現
在では、１５０ｍｍ〜２００ｍｍのものが主流となり、
大口径化が進んでいる。従って、一枚のウエハに対する
清浄度の向上が要求されてきている。このため従来の方
法において、複数枚のウエハを収載したキャリアを洗浄
液に投入して、複数枚のウエハを同時に洗浄する方法か
ら、図５〜図７に示す様なウエハを一枚づつ洗浄する、
いわゆる枚葉式洗浄方法に移行してきた。すなわち、洗
浄液を収容した石英ガラス等から成る洗浄槽１内に、図
示しないチャッキングアームでウエハ３を浸漬し、洗浄
槽１内に形成され、各々ウエハ３の厚みよりやや幅広の
溝を有するウエハ保持部４に載置して保持し、循環ポン
プ５によって洗浄液を循環させると、洗浄液が洗浄液供
給口７の多数の流出口７ａから洗浄槽１内に流出する。
洗浄液が充満した洗浄槽１にさらに洗浄液が流入するこ
とにより、余った洗浄液が洗浄槽１の上部開口に設けら
れた４つの堰１ａ、１ｂ，１ｃ，１ｄを乗り越えオーバ
ーフローし、オーバーフロー部２に流れ込む。この時洗
浄槽１内に洗浄液の上昇流を生じ、ウエハ表面３ａとウ
エハ裏面３ｂに付着した汚染物質を剥離して、オーバー
フローする洗浄液と共に持ち去り、ろ過フィルタ６を通
して洗浄液中の汚染物質を除去し洗浄液のみが再び洗浄
槽１に戻る。上記のように処理時間洗浄液を循環させる
ことにより、ウエハ３が清浄化される。
【０００３】上記において洗浄槽は１基のみ用いて説明
したが、実際にはスループット（生産高）を上げる為、
数基を連設して使用される。例えば３基の洗浄槽を用い
て拡散前洗浄をする場合、第１の洗浄槽には希フッ酸を
収容し、第２の洗浄槽には純水を収容し、第３の洗浄槽
には過酸化水素水を収容して、ウエハをチャッキングア
ームで第１の洗浄槽から第３の洗浄槽まで順番に投入し
洗浄する。
したが、実際にはスループット（生産高）を上げる為、
数基を連設して使用される。例えば３基の洗浄槽を用い
て拡散前洗浄をする場合、第１の洗浄槽には希フッ酸を
収容し、第２の洗浄槽には純水を収容し、第３の洗浄槽
には過酸化水素水を収容して、ウエハをチャッキングア
ームで第１の洗浄槽から第３の洗浄槽まで順番に投入し
洗浄する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ウエハの裏面は各プロ
セス装置内で、搬送ベルトや真空チャック等との接触が
多いため汚染が著しく、従来の方法では以下に示す問題
点があった。すなわち、図８（図５の洗浄槽の一部を拡
大示した図）を参照して、ウエハ３を洗浄中ウエハ裏面
３ｂより剥離した汚染物質８が４方向オーバーフローだ
と、洗浄槽上部からオーバーフローしきれずに、一部が
ウエハ表面３ａ側に回り込み、槽内壁面を逆流し、ウエ
ハ表面３ａに再付着し汚染してしまうという問題点があ
った。
セス装置内で、搬送ベルトや真空チャック等との接触が
多いため汚染が著しく、従来の方法では以下に示す問題
点があった。すなわち、図８（図５の洗浄槽の一部を拡
大示した図）を参照して、ウエハ３を洗浄中ウエハ裏面
３ｂより剥離した汚染物質８が４方向オーバーフローだ
と、洗浄槽上部からオーバーフローしきれずに、一部が
ウエハ表面３ａ側に回り込み、槽内壁面を逆流し、ウエ
ハ表面３ａに再付着し汚染してしまうという問題点があ
った。
【０００５】それゆえに、本発明は洗浄液により洗浄さ
れたウエハ等の基板表面が、洗浄中に再び汚染されるこ
とのない改良された枚葉式洗浄方法および装置を提供す
ることにある。
れたウエハ等の基板表面が、洗浄中に再び汚染されるこ
とのない改良された枚葉式洗浄方法および装置を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、洗浄液を収容した洗浄槽内に、被洗浄物で
ある一枚の基板を垂直に保持し、洗浄槽内底部に洗浄液
を供給すると共に、洗浄槽上部よりオーバーフローさせ
て上昇流を形成し、基板を洗浄する枚葉式洗浄方法にお
いて、基板の一面側のみからオーバーフローさせるよう
にしたものである。
成するため、洗浄液を収容した洗浄槽内に、被洗浄物で
ある一枚の基板を垂直に保持し、洗浄槽内底部に洗浄液
を供給すると共に、洗浄槽上部よりオーバーフローさせ
て上昇流を形成し、基板を洗浄する枚葉式洗浄方法にお
いて、基板の一面側のみからオーバーフローさせるよう
にしたものである。
【０００７】また、洗浄液を収容した洗浄槽内に、一枚
の基板を垂直に保持し、洗浄槽内底部に洗浄液を供給す
ると共に、洗浄槽上部よりオーバーフローさせて上昇流
を形成し、基板を洗浄するようにした枚葉式洗浄装置に
おいて、前記洗浄槽を基板の一面側のみより洗浄液をオ
ーバーフローさせる構造にしたものである。
の基板を垂直に保持し、洗浄槽内底部に洗浄液を供給す
ると共に、洗浄槽上部よりオーバーフローさせて上昇流
を形成し、基板を洗浄するようにした枚葉式洗浄装置に
おいて、前記洗浄槽を基板の一面側のみより洗浄液をオ
ーバーフローさせる構造にしたものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、上記したように、オーバーフ
ローを基板の一面側のみからさせるようにしたことによ
り、洗浄中に汚染度の高い基板裏面から剥離した汚染物
質が、基板表面に再付着することがなく基板を清浄にす
ることができる。
ローを基板の一面側のみからさせるようにしたことによ
り、洗浄中に汚染度の高い基板裏面から剥離した汚染物
質が、基板表面に再付着することがなく基板を清浄にす
ることができる。
【０００９】
【実施例】本発明を、従来例と同様ウエハの洗浄に適用
した実施例を図面により説明する。図１は本発明にかか
る枚葉式洗浄装置の構成図、図２は図１の左側面図、図
３は図２の平面図であり、従来例を示す図５〜図７と同
じ部分には同一番号を付して説明を省略する。従来例と
の違いは、洗浄液のオーバーフローのやり方を４方向か
ら１方向に変えた点にある。すなわち、洗浄槽１の上部
開口の１辺のみに洗浄液をオーバーフローさせる堰１ａ
と、溢れた洗浄液を一時貯留するオーバーフロー部２を
設けるように構成した。
した実施例を図面により説明する。図１は本発明にかか
る枚葉式洗浄装置の構成図、図２は図１の左側面図、図
３は図２の平面図であり、従来例を示す図５〜図７と同
じ部分には同一番号を付して説明を省略する。従来例と
の違いは、洗浄液のオーバーフローのやり方を４方向か
ら１方向に変えた点にある。すなわち、洗浄槽１の上部
開口の１辺のみに洗浄液をオーバーフローさせる堰１ａ
と、溢れた洗浄液を一時貯留するオーバーフロー部２を
設けるように構成した。
【００１０】次に、上記実施例の装置を用いた洗浄方法
について説明すると、洗浄液の収容された洗浄槽１に、
図示しないチャッキングアームによりウエハ３を浸漬
し、ウエハ裏面３ｂをオーバーフロー部２側に向けてウ
エハ保持部４に載置し、循環ポンプ５を作動させて洗浄
液を循環させると、洗浄液はろ過フィルタ６を通り洗浄
液供給口７の流出口７ａから洗浄槽１内に流出する。洗
浄液が充満した洗浄槽１にさらに洗浄液が流入すること
により、余った洗浄液が洗浄槽１の堰１ａを乗り越えオ
ーバーフローし、オーバーフロー部２に流れ込む。この
時洗浄槽１内に洗浄液の上昇流を生じ、ウエハ表面３ａ
と裏面３ｂに付着した汚染物質を剥離してオーバーフロ
ーする洗浄液と共に持ち去り、ろ過フィルタ６を通して
洗浄液中の汚染物質を除去し、洗浄液のみが再び洗浄槽
１に戻る。上記のように処理時間洗浄液を循環させるこ
とによりウエハ３が清浄化される。なお上記実施例にお
いては、ウエハ３を図示しないチャッキングアームから
ウエハ保持部４に移載しているが、洗浄槽１にウエハ保
持部４を設けず、図示しないチャッキングアームで保持
したままの状態で洗浄するようにしても良い。
について説明すると、洗浄液の収容された洗浄槽１に、
図示しないチャッキングアームによりウエハ３を浸漬
し、ウエハ裏面３ｂをオーバーフロー部２側に向けてウ
エハ保持部４に載置し、循環ポンプ５を作動させて洗浄
液を循環させると、洗浄液はろ過フィルタ６を通り洗浄
液供給口７の流出口７ａから洗浄槽１内に流出する。洗
浄液が充満した洗浄槽１にさらに洗浄液が流入すること
により、余った洗浄液が洗浄槽１の堰１ａを乗り越えオ
ーバーフローし、オーバーフロー部２に流れ込む。この
時洗浄槽１内に洗浄液の上昇流を生じ、ウエハ表面３ａ
と裏面３ｂに付着した汚染物質を剥離してオーバーフロ
ーする洗浄液と共に持ち去り、ろ過フィルタ６を通して
洗浄液中の汚染物質を除去し、洗浄液のみが再び洗浄槽
１に戻る。上記のように処理時間洗浄液を循環させるこ
とによりウエハ３が清浄化される。なお上記実施例にお
いては、ウエハ３を図示しないチャッキングアームから
ウエハ保持部４に移載しているが、洗浄槽１にウエハ保
持部４を設けず、図示しないチャッキングアームで保持
したままの状態で洗浄するようにしても良い。
【００１１】次に、上記本発明の洗浄方法によるとウエ
ハの清浄度を高められる理由について、図４（図１の洗
浄槽の一部を拡大示した図）を用いて説明する。洗浄槽
１にはオーバーフロー用の堰１ａと、オーバーフローし
た洗浄液を一時貯留するオーバーフロー部２とが一方向
のみ（この場合ウエハの裏面側のみ）にしか設けてな
く、循環ポンプ５で洗浄液を循環させると、オーバーフ
ローはウエハの裏面３ｂ側のみにしか生じないので、洗
浄槽１の上層部での流れにおいて、ウエハ表面側３ａ側
えの流れはほとんど生じ得ない。 従って、ウエハ裏面
３ｂに付着していた汚染物質８はウエハ表面３ａ側には
逆流せず、ウエハ表面３ａ側に付着していた汚染物質９
と共にウエハ裏面３ｂ側からオーバーフローされ、洗浄
中にウエハ表面３ａに再付着することがなく、高い清浄
度に保つことができる。
ハの清浄度を高められる理由について、図４（図１の洗
浄槽の一部を拡大示した図）を用いて説明する。洗浄槽
１にはオーバーフロー用の堰１ａと、オーバーフローし
た洗浄液を一時貯留するオーバーフロー部２とが一方向
のみ（この場合ウエハの裏面側のみ）にしか設けてな
く、循環ポンプ５で洗浄液を循環させると、オーバーフ
ローはウエハの裏面３ｂ側のみにしか生じないので、洗
浄槽１の上層部での流れにおいて、ウエハ表面側３ａ側
えの流れはほとんど生じ得ない。 従って、ウエハ裏面
３ｂに付着していた汚染物質８はウエハ表面３ａ側には
逆流せず、ウエハ表面３ａ側に付着していた汚染物質９
と共にウエハ裏面３ｂ側からオーバーフローされ、洗浄
中にウエハ表面３ａに再付着することがなく、高い清浄
度に保つことができる。
【００１２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の枚
葉式洗浄方法によれば、オーバーフローの過程におい
て、汚染度の高い基板裏面側のみからオーバーフローさ
せたことにより、基板を洗浄中に基板裏面から剥離した
汚染物質が基板表面に再付着することがなく洗い流さ
れ、清浄な状態で次工程に搬送することができ、歩留ま
りを向上させることができる。
葉式洗浄方法によれば、オーバーフローの過程におい
て、汚染度の高い基板裏面側のみからオーバーフローさ
せたことにより、基板を洗浄中に基板裏面から剥離した
汚染物質が基板表面に再付着することがなく洗い流さ
れ、清浄な状態で次工程に搬送することができ、歩留ま
りを向上させることができる。
【００１３】また、本発明の枚葉式洗浄装置によれば、
上記効果に加え、従来の４方向オーバーフローから一方
向オーバーフローに改良したことにより、洗浄槽を薄く
小型に製造でき、連設して使用する場合にはプロセス装
置全体を小さくまとめることができ、半導体工場の省ス
ペース化が計れる。
上記効果に加え、従来の４方向オーバーフローから一方
向オーバーフローに改良したことにより、洗浄槽を薄く
小型に製造でき、連設して使用する場合にはプロセス装
置全体を小さくまとめることができ、半導体工場の省ス
ペース化が計れる。
【図１】本発明の一実施例にかかる枚葉式洗浄装置の構
成図。
成図。
【図２】図１の左側面図。
【図３】図２の平面図。
【図４】本発明によると、ウエハの清浄度を高められる
理由を説明するために、図１に示す洗浄槽の一部を拡大
示した図。
理由を説明するために、図１に示す洗浄槽の一部を拡大
示した図。
【図５】従来例にかかる枚葉式洗浄装置の構成図。
【図６】図５の左側面図。
【図７】図６の平面図。
【図８】従来の技術の問題点を説明するために、図５に
示す洗浄槽の一部を拡大示した図。
示す洗浄槽の一部を拡大示した図。
１ 洗浄槽 １ａ 堰 ２ オーバーフロー部 ３ ウエハ ３ａ ウエハ表面 ３ｂ ウエハ裏面 ４ ウエハ保持部 ７ 洗浄液供給口
Claims (3)
- 【請求項１】 洗浄液を収容した洗浄槽内に、一枚の基
板を垂直に保持し、洗浄槽内底部に洗浄液を供給すると
共に、洗浄槽上部よりオーバーフローさせて上昇流を形
成し、基板を洗浄する枚葉式洗浄方法において、基板の
一面側のみからオーバーフローさせることを特徴とする
枚葉式洗浄方法。 - 【請求項２】 基板の汚染度の高い一面側のみからオー
バーフローさせることを特徴とする請求項１の枚葉式洗
浄方法。 - 【請求項３】 洗浄液を収容した洗浄槽内に、一枚の基
板を垂直に保持し、洗浄槽内底部に洗浄液を供給すると
共に、洗浄槽上部よりオーバーフローさせて上昇流を形
成し、基板を洗浄するようにした枚葉式洗浄装置におい
て、前記洗浄槽の上部開口の一方向のみにオーバーフロ
ー部を設けて成ることを特徴とする枚葉式洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32360391A JPH05102121A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 枚葉式洗浄方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32360391A JPH05102121A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 枚葉式洗浄方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102121A true JPH05102121A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=18156560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32360391A Pending JPH05102121A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 枚葉式洗浄方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102121A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6530388B1 (en) * | 2000-02-15 | 2003-03-11 | Quantum Global Technologies, Llc | Volume efficient cleaning systems |
| US6910487B2 (en) * | 2000-06-27 | 2005-06-28 | Imec Vzw | Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate |
| US6926016B1 (en) | 2001-02-15 | 2005-08-09 | Quantum Global Technologies, Llc | System for removing contaminants from semiconductor process equipment |
| US7328712B1 (en) | 2000-02-15 | 2008-02-12 | Quantum Global Technologies | Cleaning bench for removing contaminants from semiconductor process equipment |
| CN117923205A (zh) * | 2024-01-30 | 2024-04-26 | 东莞市万塑成塑料有限公司 | 一种片材加工设备用清理装置及清理方法 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP32360391A patent/JPH05102121A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6530388B1 (en) * | 2000-02-15 | 2003-03-11 | Quantum Global Technologies, Llc | Volume efficient cleaning systems |
| US6637444B1 (en) | 2000-02-15 | 2003-10-28 | Quantum Global Technologies, Llc | Volume efficient cleaning methods |
| US7328712B1 (en) | 2000-02-15 | 2008-02-12 | Quantum Global Technologies | Cleaning bench for removing contaminants from semiconductor process equipment |
| US7427330B1 (en) | 2000-02-15 | 2008-09-23 | Quantum Global Technologies, Llc | Cleaning bench for removing contaminants from semiconductor process equipment |
| US6910487B2 (en) * | 2000-06-27 | 2005-06-28 | Imec Vzw | Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate |
| US6926016B1 (en) | 2001-02-15 | 2005-08-09 | Quantum Global Technologies, Llc | System for removing contaminants from semiconductor process equipment |
| CN117923205A (zh) * | 2024-01-30 | 2024-04-26 | 东莞市万塑成塑料有限公司 | 一种片材加工设备用清理装置及清理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990209 |