JPH05102091A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPH05102091A JPH05102091A JP28948191A JP28948191A JPH05102091A JP H05102091 A JPH05102091 A JP H05102091A JP 28948191 A JP28948191 A JP 28948191A JP 28948191 A JP28948191 A JP 28948191A JP H05102091 A JPH05102091 A JP H05102091A
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- Japan
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- etching
- polycrystalline silicon
- layer
- silicon layer
- etched
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 クロロフルオロカーボン(CFC)ガスを用
いずにポリサイド膜の異方性エッチングを行う。 【構成】 ウェハ温度を室温以下に制御しながら、ポリ
サイド膜5の上層側のWSix 層4は、S2 F2 を用い
てS(イオウ)の側壁保護膜7を形成しながら異方性エ
ッチングする。下層側の多結晶シリコン層3は、S2 F
2 /H2 混合ガスを用いエッチング反応系のS/F比を
上昇させた条件でエッチングする。Sの堆積が促進され
ると共にF* の絶対量が減少するので、多結晶シリコン
層3にアンダカット等の形状異常が発生しない。多結晶
シリコン層3をWSix層4よりも相対的に低い入射イ
オン・エネルギー条件下、あるいは低いウェハ温度条件
下でエッチングすれば、異方性,対下地選択性,対レジ
スト選択性等を一層向上させることができる。
いずにポリサイド膜の異方性エッチングを行う。 【構成】 ウェハ温度を室温以下に制御しながら、ポリ
サイド膜5の上層側のWSix 層4は、S2 F2 を用い
てS(イオウ)の側壁保護膜7を形成しながら異方性エ
ッチングする。下層側の多結晶シリコン層3は、S2 F
2 /H2 混合ガスを用いエッチング反応系のS/F比を
上昇させた条件でエッチングする。Sの堆積が促進され
ると共にF* の絶対量が減少するので、多結晶シリコン
層3にアンダカット等の形状異常が発生しない。多結晶
シリコン層3をWSix層4よりも相対的に低い入射イ
オン・エネルギー条件下、あるいは低いウェハ温度条件
下でエッチングすれば、異方性,対下地選択性,対レジ
スト選択性等を一層向上させることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造分野等
において適用されるドライエッチング方法に関し、特に
クロロフルオロカーボン(CFC)ガスを使用せずにポ
リサイド膜の異方性エッチングを行う方法に関する。
において適用されるドライエッチング方法に関し、特に
クロロフルオロカーボン(CFC)ガスを使用せずにポ
リサイド膜の異方性エッチングを行う方法に関する。
【0002】
【従来の技術】多結晶シリコン層とWSix (タングス
テン・シリサイド)等からなる高融点金属シリサイド層
とが積層されたポリサイド膜は、断面積の等しい多結晶
シリコンの単層膜と比べて約1桁低い抵抗値が得られる
ことから、LSIのゲート配線材料として近年広く使用
されるようになってきている。
テン・シリサイド)等からなる高融点金属シリサイド層
とが積層されたポリサイド膜は、断面積の等しい多結晶
シリコンの単層膜と比べて約1桁低い抵抗値が得られる
ことから、LSIのゲート配線材料として近年広く使用
されるようになってきている。
【0003】このポリサイド膜は、異なる2種類の材料
に対して共に異方性を実現しなければならないことか
ら、ドライエッチング技術に新たな困難をもたらした。
それは、生成するハロゲン化合物の蒸気圧の差に起因し
て上層の高融点金属シリサイド層よりも下層の多結晶シ
リコン層が速くエッチングされること、および多結晶シ
リコン層と高融点金属シリサイド層の界面に反応層が形
成されること等の理由により、パターンにアンダカット
やくびれ等が生じやすいからである。これらの形状異常
は、ソース・ドレイン領域を形成するためのイオン注入
時に不純物の導入されないオフセット領域を発生させた
り、LDD構造を実現するためのサイドウォール形成時
の寸法精度を低下させること等の原因となり、特にサブ
ミクロン・デバイスでは許容されないものである。した
がって、ポリサイド膜の異方性加工を実現する方法につ
いて、盛んに研究が行われている。
に対して共に異方性を実現しなければならないことか
ら、ドライエッチング技術に新たな困難をもたらした。
それは、生成するハロゲン化合物の蒸気圧の差に起因し
て上層の高融点金属シリサイド層よりも下層の多結晶シ
リコン層が速くエッチングされること、および多結晶シ
リコン層と高融点金属シリサイド層の界面に反応層が形
成されること等の理由により、パターンにアンダカット
やくびれ等が生じやすいからである。これらの形状異常
は、ソース・ドレイン領域を形成するためのイオン注入
時に不純物の導入されないオフセット領域を発生させた
り、LDD構造を実現するためのサイドウォール形成時
の寸法精度を低下させること等の原因となり、特にサブ
ミクロン・デバイスでは許容されないものである。した
がって、ポリサイド膜の異方性加工を実現する方法につ
いて、盛んに研究が行われている。
【0004】従来、ポリサイド膜用のエッチング・ガス
としては、CFC113 (C2 Cl3 F3 )に代表され
るクロロフルオロカーボン(CFC)ガスが広く使用さ
れてきた。これは、分子中のF素原子とCl原子の寄与
によりラジカル反応とイオン・アシスト反応の両方が進
行し、しかも炭素系ポリマーが堆積して側壁保護が行わ
れることにより高速異方性エッチングが可能となるから
である。
としては、CFC113 (C2 Cl3 F3 )に代表され
るクロロフルオロカーボン(CFC)ガスが広く使用さ
れてきた。これは、分子中のF素原子とCl原子の寄与
によりラジカル反応とイオン・アシスト反応の両方が進
行し、しかも炭素系ポリマーが堆積して側壁保護が行わ
れることにより高速異方性エッチングが可能となるから
である。
【0005】しかしながら、CFCガスは周知のように
地球のオゾン層破壊の元凶であることが指摘されている
ため、環境保護の観点からドライエッチングの分野にお
いてもフロン系ガスの代替品を見出し、その効果的な利
用方法を確立することが急務とされている。
地球のオゾン層破壊の元凶であることが指摘されている
ため、環境保護の観点からドライエッチングの分野にお
いてもフロン系ガスの代替品を見出し、その効果的な利
用方法を確立することが急務とされている。
【0006】かかる脱CFC対策として有望視されてい
る技術のひとつに、低温エッチングがある。これは、被
エッチング基板(ウェハ)の温度を0℃以下に保持する
ことにより、深さ方向のエッチング速度をイオン・アシ
スト効果により実用レベルに維持したまま、側壁部にお
けるラジカル反応を凍結または抑制してアンダカット等
の形状不良を防止しようとする技術である。たとえば、
第35回応用物理学関係連合講演会(1988年春季年
会)講演予稿集第495ページ,演題番号28a−G−
2には、ウェハを−130℃に冷却し、SF6 ガスを用
いてシリコン・トレンチ・エッチングおよびn+ 型多結
晶シリコン層の異方性エッチングを行った例が報告され
ている。
る技術のひとつに、低温エッチングがある。これは、被
エッチング基板(ウェハ)の温度を0℃以下に保持する
ことにより、深さ方向のエッチング速度をイオン・アシ
スト効果により実用レベルに維持したまま、側壁部にお
けるラジカル反応を凍結または抑制してアンダカット等
の形状不良を防止しようとする技術である。たとえば、
第35回応用物理学関係連合講演会(1988年春季年
会)講演予稿集第495ページ,演題番号28a−G−
2には、ウェハを−130℃に冷却し、SF6 ガスを用
いてシリコン・トレンチ・エッチングおよびn+ 型多結
晶シリコン層の異方性エッチングを行った例が報告され
ている。
【0007】しかし、低温エッチングにおいて高異方性
の達成をラジカル反応の凍結もしくは抑制のみに頼ろう
とすると、冷媒として液体窒素を要するレベルの低温冷
却が必要となる。このことは、経済性やスループットを
大きく低下させる原因となる他、真空シール材の信頼性
低下等のハードウェア面での問題も多く抱えることとな
り、早期実用化は困難である。
の達成をラジカル反応の凍結もしくは抑制のみに頼ろう
とすると、冷媒として液体窒素を要するレベルの低温冷
却が必要となる。このことは、経済性やスループットを
大きく低下させる原因となる他、真空シール材の信頼性
低下等のハードウェア面での問題も多く抱えることとな
り、早期実用化は困難である。
【0008】そこで、低温によるラジカル反応抑制に側
壁保護を組み合わせ、室温に近い温度領域でも異方性エ
ッチングを可能とすることが、より実用的なアプローチ
として考えられる。
壁保護を組み合わせ、室温に近い温度領域でも異方性エ
ッチングを可能とすることが、より実用的なアプローチ
として考えられる。
【0009】本願出願人は、この側壁保護をイオウ
(S)の堆積により行う一連の技術をこれまでに数多く
提案している。このSの堆積は、1分子中のS原子数と
ハロゲン(X)原子数との比、すなわちS/X比が比較
的大きいハロゲン化イオウを主体とするエッチング・ガ
スを使用することにより可能となる。たとえば、特願平
2−198045号明細書には、かかるハロゲン化イオ
ウとしてS2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10が開示さ
れている。これらのフッ化イオウは、同じくフッ化イオ
ウでも従来から最も良く知られているSF6 とは異な
り、放電解離により気相中にSを生成することができ
る。このSは、基板が低温冷却されていればその表面へ
堆積し、側壁保護効果を発揮する。しかも、堆積したS
はエッチング終了後に基板を加熱すれば容易に昇華除去
できるため、パーティクル汚染を惹起させる虞れもな
い。本願出願人は、これらフッ化イオウからのF* (フ
ッ素ラジカル)生成量がSF6 と比べて少なく、しかも
SFx + によるイオン・アシスト反応が期待できる点に
着目し、これを酸化シリコン(SiO2 )系材料層のエ
ッチングに適用してシリコン下地に対する高選択性を達
成した。
(S)の堆積により行う一連の技術をこれまでに数多く
提案している。このSの堆積は、1分子中のS原子数と
ハロゲン(X)原子数との比、すなわちS/X比が比較
的大きいハロゲン化イオウを主体とするエッチング・ガ
スを使用することにより可能となる。たとえば、特願平
2−198045号明細書には、かかるハロゲン化イオ
ウとしてS2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10が開示さ
れている。これらのフッ化イオウは、同じくフッ化イオ
ウでも従来から最も良く知られているSF6 とは異な
り、放電解離により気相中にSを生成することができ
る。このSは、基板が低温冷却されていればその表面へ
堆積し、側壁保護効果を発揮する。しかも、堆積したS
はエッチング終了後に基板を加熱すれば容易に昇華除去
できるため、パーティクル汚染を惹起させる虞れもな
い。本願出願人は、これらフッ化イオウからのF* (フ
ッ素ラジカル)生成量がSF6 と比べて少なく、しかも
SFx + によるイオン・アシスト反応が期待できる点に
着目し、これを酸化シリコン(SiO2 )系材料層のエ
ッチングに適用してシリコン下地に対する高選択性を達
成した。
【0010】このように、ハロゲン化イオウとして最初
に提案された化合物はS/F比(分子中のS原子数とF
原子数の比)の比較的大きいフッ化イオウであり、それ
はSiO2 系材料層のエッチングを目的としていた。本
願出願人はその後、ハロゲン化イオウをシリコン系材料
層のエッチングに適用する技術も種々提案している。た
とえば、特願平3−20360号明細書では、S2 F2
等のフッ化イオウをH2 ,H2 S,シラン系化合物等と
混合したエッチング・ガスを使用して多結晶シリコン・
ゲート電極の加工を行うプロセス例を提案した。Si−
Si結合の原子間結合エネルギー(54kcal/mo
l)がSi−F結合の原子間結合エネルギー(132k
cal/mol)よりも小さく、またFの原子半径が小
さくて容易に単結晶シリコンの結晶格子内に侵入できる
ことからも明らかなように、シリコン系化合物はイオン
の寄与が無くてもF* により自発的にエッチングされて
しまう。そこで、F* を捕捉消費するH* ,Si* 等を
プラズマ中に発生させるような化合物をフッ化イオウに
添加し、エッチング反応系の見掛け上のS/F比を増大
させてラジカル性を弱め、かつSの堆積を促進している
のである。これにより、ウェハ温度−70℃にて多結晶
シリコン・ゲート電極の良好な異方性加工を行うことに
成功している。
に提案された化合物はS/F比(分子中のS原子数とF
原子数の比)の比較的大きいフッ化イオウであり、それ
はSiO2 系材料層のエッチングを目的としていた。本
願出願人はその後、ハロゲン化イオウをシリコン系材料
層のエッチングに適用する技術も種々提案している。た
とえば、特願平3−20360号明細書では、S2 F2
等のフッ化イオウをH2 ,H2 S,シラン系化合物等と
混合したエッチング・ガスを使用して多結晶シリコン・
ゲート電極の加工を行うプロセス例を提案した。Si−
Si結合の原子間結合エネルギー(54kcal/mo
l)がSi−F結合の原子間結合エネルギー(132k
cal/mol)よりも小さく、またFの原子半径が小
さくて容易に単結晶シリコンの結晶格子内に侵入できる
ことからも明らかなように、シリコン系化合物はイオン
の寄与が無くてもF* により自発的にエッチングされて
しまう。そこで、F* を捕捉消費するH* ,Si* 等を
プラズマ中に発生させるような化合物をフッ化イオウに
添加し、エッチング反応系の見掛け上のS/F比を増大
させてラジカル性を弱め、かつSの堆積を促進している
のである。これにより、ウェハ温度−70℃にて多結晶
シリコン・ゲート電極の良好な異方性加工を行うことに
成功している。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】このように、S2 F2
等のフッ化イオウを使用すれば、従来の低温エッチング
と比べて遙かに実用的な温度域で多結晶シリコン・ゲー
ト電極の異方性加工が可能となることがわかった。そこ
で、これをポリサイド・ゲート電極の異方性加工にも適
用することが当然考えられる。ポリサイド膜としては、
タングステン・シリサイド(WSix )で上層側の高融
点金属シリサイド層を構成したタングステン・ポリサイ
ド膜が最も一般的なものである。
等のフッ化イオウを使用すれば、従来の低温エッチング
と比べて遙かに実用的な温度域で多結晶シリコン・ゲー
ト電極の異方性加工が可能となることがわかった。そこ
で、これをポリサイド・ゲート電極の異方性加工にも適
用することが当然考えられる。ポリサイド膜としては、
タングステン・シリサイド(WSix )で上層側の高融
点金属シリサイド層を構成したタングステン・ポリサイ
ド膜が最も一般的なものである。
【0012】しかしこの場合、レジスト・マスクと形成
されるゲート電極との間に寸法変換差が発生し易くなる
ことが、本発明者らの研究により明らかとなった。この
問題について、図2を参照しながら説明する。
されるゲート電極との間に寸法変換差が発生し易くなる
ことが、本発明者らの研究により明らかとなった。この
問題について、図2を参照しながら説明する。
【0013】図2(a)は、シリコン基板11上に、不
純物を含有する多結晶シリコン層13とWSix 層14
とが順次積層されてなるポリサイド膜15がゲート酸化
膜12を介して形成され、さらに該ポリサイド膜15上
に所定の形状にパターニングされたレジスト・マスク1
6が形成されたウェハを示している。
純物を含有する多結晶シリコン層13とWSix 層14
とが順次積層されてなるポリサイド膜15がゲート酸化
膜12を介して形成され、さらに該ポリサイド膜15上
に所定の形状にパターニングされたレジスト・マスク1
6が形成されたウェハを示している。
【0014】このウェハを−50℃程度に冷却し、S2
F2 を用いてポリサイド膜15をエッチングする。この
とき、WSix 層14がSの側壁保護により異方的にエ
ッチングされる条件でその下層側の多結晶シリコン層1
3もエッチングすると、エッチング後のパターンの形状
は図2(b)に示されるように、多結晶シリコン・パタ
ーン13aのパターン幅がWSix パターン14aのパ
ターン幅よりも狭い形状となり、アンダカット17がし
ばしば発生する。あるいは、多結晶シリコン・パターン
13aが逆テーパー形状となることもある。これらの形
状異常は、オーバーエッチング後に特に著しく現れる。
F2 を用いてポリサイド膜15をエッチングする。この
とき、WSix 層14がSの側壁保護により異方的にエ
ッチングされる条件でその下層側の多結晶シリコン層1
3もエッチングすると、エッチング後のパターンの形状
は図2(b)に示されるように、多結晶シリコン・パタ
ーン13aのパターン幅がWSix パターン14aのパ
ターン幅よりも狭い形状となり、アンダカット17がし
ばしば発生する。あるいは、多結晶シリコン・パターン
13aが逆テーパー形状となることもある。これらの形
状異常は、オーバーエッチング後に特に著しく現れる。
【0015】これは、エッチング反応生成物の蒸気圧の
差に起因して、多結晶シリコン層13がWSix 層14
よりもF* によりエッチングされ易いからである。特
に、オーバーエッチング時には、被エッチング面積の減
少に伴って相対的に過剰となったF* がウェハ面上で側
方マイグレーションを起こし、パターン側壁部に堆積し
たSを除去して多結晶シリコン層13を側壁部からエッ
チングしてしまう。
差に起因して、多結晶シリコン層13がWSix 層14
よりもF* によりエッチングされ易いからである。特
に、オーバーエッチング時には、被エッチング面積の減
少に伴って相対的に過剰となったF* がウェハ面上で側
方マイグレーションを起こし、パターン側壁部に堆積し
たSを除去して多結晶シリコン層13を側壁部からエッ
チングしてしまう。
【0016】そこで、オーバーエッチング時にも側壁保
護用のSが除去されないよう、WSix 層14をエッチ
ングする段階からSの堆積を促進する条件を採用するこ
とも考えられるが、これはかえって逆効果となる。なぜ
なら、過剰なSの一部がエッチング反応生成物のWFx
とさらに反応して副反応生成物WSx (硫化タングステ
ン)が生成するからである。WSx は蒸気圧が低く、過
剰に堆積するとWSix パターンをテーパー化させる原
因となる。しかも、化学的に極めて安定で、一旦生成し
てしまうと通常のO2 プラズマ・アッシングによっても
容易に除去できないことから、パーティクル汚染を惹起
させる虞れが大きい。
護用のSが除去されないよう、WSix 層14をエッチ
ングする段階からSの堆積を促進する条件を採用するこ
とも考えられるが、これはかえって逆効果となる。なぜ
なら、過剰なSの一部がエッチング反応生成物のWFx
とさらに反応して副反応生成物WSx (硫化タングステ
ン)が生成するからである。WSx は蒸気圧が低く、過
剰に堆積するとWSix パターンをテーパー化させる原
因となる。しかも、化学的に極めて安定で、一旦生成し
てしまうと通常のO2 プラズマ・アッシングによっても
容易に除去できないことから、パーティクル汚染を惹起
させる虞れが大きい。
【0017】このように、フッ化イオウを用いたポリサ
イド膜のエッチングにおいては、レジスト・マスクとの
間の寸法変換差の発生を防止するために、Sの堆積量を
最適に制御することが極めて重要なポイントとなるので
ある。そこで本発明は、CFCガスを使用せず、かつS
の堆積量を最適に制御しながら、ポリサイド膜の異方性
エッチングを行う方法を提供することを目的とする。
イド膜のエッチングにおいては、レジスト・マスクとの
間の寸法変換差の発生を防止するために、Sの堆積量を
最適に制御することが極めて重要なポイントとなるので
ある。そこで本発明は、CFCガスを使用せず、かつS
の堆積量を最適に制御しながら、ポリサイド膜の異方性
エッチングを行う方法を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ方法は上述の目的を達成するために提案されるもので
ある。すなわち、本願の第1の発明にかかるドライエッ
チング方法は、多結晶シリコン層と高融点金属シリサイ
ド層とが順次積層されてなるポリサイド膜をエッチング
する方法であって、被エッチング基板の温度を室温以下
に制御しながら、S2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10
から選ばれる少なくとも1種類のフッ化イオウを含む第
1のエッチング・ガスを用いて少なくとも前記高融点金
属シリサイド層をエッチングする工程と、被エッチング
基板の温度を室温以下に制御しながら、前記第1のエッ
チング・ガスにH2 ,H2S,シラン系化合物から選ば
れる少なくとも1種類の化合物を添加してなる第2のエ
ッチング・ガスを用いて前記多結晶シリコン層をエッチ
ングする工程とを有することを特徴とする。
グ方法は上述の目的を達成するために提案されるもので
ある。すなわち、本願の第1の発明にかかるドライエッ
チング方法は、多結晶シリコン層と高融点金属シリサイ
ド層とが順次積層されてなるポリサイド膜をエッチング
する方法であって、被エッチング基板の温度を室温以下
に制御しながら、S2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10
から選ばれる少なくとも1種類のフッ化イオウを含む第
1のエッチング・ガスを用いて少なくとも前記高融点金
属シリサイド層をエッチングする工程と、被エッチング
基板の温度を室温以下に制御しながら、前記第1のエッ
チング・ガスにH2 ,H2S,シラン系化合物から選ば
れる少なくとも1種類の化合物を添加してなる第2のエ
ッチング・ガスを用いて前記多結晶シリコン層をエッチ
ングする工程とを有することを特徴とする。
【0019】本願の第2の発明にかかるドライエッチン
グ方法は、前記多結晶シリコン層のエッチングを前記高
融点金属シリサイド層のエッチング時よりも入射イオン
・エネルギーを低下させた条件で行うことを特徴とす
る。
グ方法は、前記多結晶シリコン層のエッチングを前記高
融点金属シリサイド層のエッチング時よりも入射イオン
・エネルギーを低下させた条件で行うことを特徴とす
る。
【0020】さらに、本願の第3の発明にかかるドライ
エッチング方法は、前記多結晶シリコン層のエッチング
を前記高融点金属シリサイド層のエッチング時よりも被
エッチング基板の温度を低く維持しながら行うことを特
徴とする。
エッチング方法は、前記多結晶シリコン層のエッチング
を前記高融点金属シリサイド層のエッチング時よりも被
エッチング基板の温度を低く維持しながら行うことを特
徴とする。
【0021】
【作用】フッ化イオウを用いるポリサイド膜の異方性エ
ッチングを考える場合、上層側の高融点金属シリサイド
層と下層側の多結晶シリコン層とでは、異方性の確保に
必要なSの堆積量の最適値が異なり、多結晶シリコン層
のエッチング時に相対的に多くのSを必要とする。つま
り、多結晶シリコン層のエッチング時には、高融点金属
シリサイド層のエッチング時に比べてエッチング反応系
の見掛け上のS/F比を何らかの方法で上昇させれば良
いことになる。
ッチングを考える場合、上層側の高融点金属シリサイド
層と下層側の多結晶シリコン層とでは、異方性の確保に
必要なSの堆積量の最適値が異なり、多結晶シリコン層
のエッチング時に相対的に多くのSを必要とする。つま
り、多結晶シリコン層のエッチング時には、高融点金属
シリサイド層のエッチング時に比べてエッチング反応系
の見掛け上のS/F比を何らかの方法で上昇させれば良
いことになる。
【0022】本発明では、このS/F比の上昇を、エッ
チング・ガスにH2,H2 S,シラン系ガスのいずれか
を添加することにより達成する。このうちH2 とH2 S
は、放電解離によりH*を生成する。過剰なF* はこの
H* に捕捉されてHF(フッ化水素)を生成し、エッチ
ング装置の排気系統を介して系外へ除去されるので、エ
ッチング反応系のS/F比が上昇する。特にH2 Sは、
自身がS供給源でもあるため、S/F比の上昇効果が大
きい。
チング・ガスにH2,H2 S,シラン系ガスのいずれか
を添加することにより達成する。このうちH2 とH2 S
は、放電解離によりH*を生成する。過剰なF* はこの
H* に捕捉されてHF(フッ化水素)を生成し、エッチ
ング装置の排気系統を介して系外へ除去されるので、エ
ッチング反応系のS/F比が上昇する。特にH2 Sは、
自身がS供給源でもあるため、S/F比の上昇効果が大
きい。
【0023】またシラン系化合物は、放電解離によりH
* の他にSi* を生成する。これら両ラジカルが共にF
* の捕捉に寄与し、HF,SiFx 等の形で系外へ除去
するため、やはりS/F比を効果的に上昇させることが
できる。
* の他にSi* を生成する。これら両ラジカルが共にF
* の捕捉に寄与し、HF,SiFx 等の形で系外へ除去
するため、やはりS/F比を効果的に上昇させることが
できる。
【0024】このようにして多結晶シリコン層のエッチ
ング時にS/F比を上昇させれば、相対的にSが堆積し
易い条件となり、側壁保護効果が強化される。しかも、
オーバーエッチング時にF* が相対的に過剰になったと
しても、その絶対量はH* ,Si* ,S等を放出する添
加ガスの効果により減少している。したがって、多結晶
シリコン層のパターンにアンダカットや逆テーパー形状
が発生する虞れがなくなる。また、F* の絶対量が減少
することにより、SiO2 系の下地材料層に対する選択
性も向上する。
ング時にS/F比を上昇させれば、相対的にSが堆積し
易い条件となり、側壁保護効果が強化される。しかも、
オーバーエッチング時にF* が相対的に過剰になったと
しても、その絶対量はH* ,Si* ,S等を放出する添
加ガスの効果により減少している。したがって、多結晶
シリコン層のパターンにアンダカットや逆テーパー形状
が発生する虞れがなくなる。また、F* の絶対量が減少
することにより、SiO2 系の下地材料層に対する選択
性も向上する。
【0025】以上が、本願の3発明に共通の考え方であ
る。本願の第2の発明ではさらに、多結晶シリコン層の
エッチング時の入射イオン・エネルギーを、高融点金属
シリサイド層のエッチング時よりも低下させる。これ
は、通常、ポリサイド膜の下地材料層がSiO2 系材料
からなるゲート絶縁膜や層間絶縁膜であることを考慮
し、これらの下地材料層に対する選択比を向上させるた
めの工夫である。
る。本願の第2の発明ではさらに、多結晶シリコン層の
エッチング時の入射イオン・エネルギーを、高融点金属
シリサイド層のエッチング時よりも低下させる。これ
は、通常、ポリサイド膜の下地材料層がSiO2 系材料
からなるゲート絶縁膜や層間絶縁膜であることを考慮
し、これらの下地材料層に対する選択比を向上させるた
めの工夫である。
【0026】また、本願の第3の発明では、多結晶シリ
コン層のエッチング時のウェハ温度を、高融点金属シリ
サイド層のエッチング時よりも低下させる。ウェハの低
温化によりSの堆積が促進されて実質的にS/F比が上
昇する他、F* の反応性も抑制される。したがって、オ
ーバーエッチング時の下地選択性と対レジスト選択性の
一層の向上が期待できる。
コン層のエッチング時のウェハ温度を、高融点金属シリ
サイド層のエッチング時よりも低下させる。ウェハの低
温化によりSの堆積が促進されて実質的にS/F比が上
昇する他、F* の反応性も抑制される。したがって、オ
ーバーエッチング時の下地選択性と対レジスト選択性の
一層の向上が期待できる。
【0027】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。
する。
【0028】実施例1 本実施例は、本願の第1の発明をポリサイド・ゲート電
極加工に適用し、S2 F2 を用いてWSix 層をエッチ
ングした後、S2 F2 /H2 混合ガスを用いて多結晶シ
リコン層をエッチングした例である。このプロセスを、
図1を参照しながら説明する。
極加工に適用し、S2 F2 を用いてWSix 層をエッチ
ングした後、S2 F2 /H2 混合ガスを用いて多結晶シ
リコン層をエッチングした例である。このプロセスを、
図1を参照しながら説明する。
【0029】まず図1(a)に示されるように、一例と
してシリコン基板1上に熱酸化によりゲート酸化膜2を
形成し、さらにその上にn型不純物をドープした多結晶
シリコン層3とWSix 層4を順次積層してポリサイド
膜5を形成した。ポリサイド膜5上には所定の形状にパ
ターニングされたレジスト・マスク6を形成した。この
ようにして構成されたウェハをエッチング・サンプルと
した。
してシリコン基板1上に熱酸化によりゲート酸化膜2を
形成し、さらにその上にn型不純物をドープした多結晶
シリコン層3とWSix 層4を順次積層してポリサイド
膜5を形成した。ポリサイド膜5上には所定の形状にパ
ターニングされたレジスト・マスク6を形成した。この
ようにして構成されたウェハをエッチング・サンプルと
した。
【0030】次に、上記ウェハをRFバイアス印加型の
有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載
置電極上にセットした。ここで、上記ウェハ載置電極は
冷却配管を内蔵しており、装置外部に設置されるチラー
等の冷却設備から冷媒の供給を受けることにより、ウェ
ハを所定の温度に制御できるようになされている。ここ
ではエタノール冷媒を使用した。一例として下記の条件
でWSix 層4をエッチングした。
有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載
置電極上にセットした。ここで、上記ウェハ載置電極は
冷却配管を内蔵しており、装置外部に設置されるチラー
等の冷却設備から冷媒の供給を受けることにより、ウェ
ハを所定の温度に制御できるようになされている。ここ
ではエタノール冷媒を使用した。一例として下記の条件
でWSix 層4をエッチングした。
【0031】 S2 F2 流量 30SCCM ガス圧 1.3Pa(10mTorr) マイクロ波パワー 850W(2.45GHz) RFバイアス・パワー 30W (2MHz) ウェハ温度 −10℃ 上記エッチングは発光スペクトルをモニタしながら行
い、SiFx に由来する440nmのピーク強度が増大
し始めた時点でWSix 層4のエッチング終点を判定し
た。
い、SiFx に由来する440nmのピーク強度が増大
し始めた時点でWSix 層4のエッチング終点を判定し
た。
【0032】上記のエッチング過程では、S2 F2 から
生成するF* がS+ ,SFx + 等のイオンにアシストさ
れる機構でエッチングが進行し、WSix 層4はWFx
およびSiFx を生成しながらエッチングされた。ま
た、上記の条件はバイアス・パワーの比較的低い条件で
あるため、レジスト・マスク6のスパッタによる分解生
成物の供給は少ないが、S2 F2 から生成するSがパタ
ーン側壁部に堆積し、図1(b)に示されるような側壁
保護膜7が形成された。この結果、異方性形状を有する
WSix パターン4aが形成された。なお、図中では説
明の都合上、側壁保護膜7が厚く描かれているが、実際
には極めて薄い膜であり、レジスト・マスク6との寸法
変換差を発生させるものではなかった。
生成するF* がS+ ,SFx + 等のイオンにアシストさ
れる機構でエッチングが進行し、WSix 層4はWFx
およびSiFx を生成しながらエッチングされた。ま
た、上記の条件はバイアス・パワーの比較的低い条件で
あるため、レジスト・マスク6のスパッタによる分解生
成物の供給は少ないが、S2 F2 から生成するSがパタ
ーン側壁部に堆積し、図1(b)に示されるような側壁
保護膜7が形成された。この結果、異方性形状を有する
WSix パターン4aが形成された。なお、図中では説
明の都合上、側壁保護膜7が厚く描かれているが、実際
には極めて薄い膜であり、レジスト・マスク6との寸法
変換差を発生させるものではなかった。
【0033】次に、一例として下記の条件で多結晶シリ
コン層3のエッチングを行った。 S2 F2 流量 20SCCM H2 流量 10SCCM ガス圧 1.3Pa(10mTorr) マイクロ波パワー 850W(2.45GHz) RFバイアス・パワー 30W (2MHz) ウェハ温度 −10℃ このエッチング過程では、H2 の添加により前段のWS
ix 層4のエッチング時と比べてエッチング反応系のS
/F比が上昇しているので、相対的にSの堆積が促進さ
れると共に、ラジカル性が弱められた。この結果、図1
(c)に示されるように、異方性形状を有する多結晶シ
リコン・パターン3aが形成された。この異方性形状
は、20%のオーバーエッチングを行った後でも劣化せ
ず、またゲート酸化膜2に対する選択性も良好であっ
た。
コン層3のエッチングを行った。 S2 F2 流量 20SCCM H2 流量 10SCCM ガス圧 1.3Pa(10mTorr) マイクロ波パワー 850W(2.45GHz) RFバイアス・パワー 30W (2MHz) ウェハ温度 −10℃ このエッチング過程では、H2 の添加により前段のWS
ix 層4のエッチング時と比べてエッチング反応系のS
/F比が上昇しているので、相対的にSの堆積が促進さ
れると共に、ラジカル性が弱められた。この結果、図1
(c)に示されるように、異方性形状を有する多結晶シ
リコン・パターン3aが形成された。この異方性形状
は、20%のオーバーエッチングを行った後でも劣化せ
ず、またゲート酸化膜2に対する選択性も良好であっ
た。
【0034】最後に、上記ウェハをプラズマ・アッシン
グ装置に移設し、通常のO2 プラズマ・アッシングの条
件によりレジスト・マスク6を除去した。このとき、S
を主体とする上記側壁保護膜7は、燃焼反応によりSO
xに変化すると共に、プラズマ輻射熱や反応熱によって
も加熱され、昇華した。したがって、側壁保護膜7はウ
ェハ上に残渣を発生させたりパーティクル汚染を惹起さ
せることなく、完全かつ速やかに除去された。この結
果、図1(d)に示されるように、良好な異方性形状を
有するゲート電極5aが極めてクリーンな雰囲気中で形
成された。
グ装置に移設し、通常のO2 プラズマ・アッシングの条
件によりレジスト・マスク6を除去した。このとき、S
を主体とする上記側壁保護膜7は、燃焼反応によりSO
xに変化すると共に、プラズマ輻射熱や反応熱によって
も加熱され、昇華した。したがって、側壁保護膜7はウ
ェハ上に残渣を発生させたりパーティクル汚染を惹起さ
せることなく、完全かつ速やかに除去された。この結
果、図1(d)に示されるように、良好な異方性形状を
有するゲート電極5aが極めてクリーンな雰囲気中で形
成された。
【0035】実施例2 本実施例は、本願の第1の発明を同じくポリサイド・ゲ
ート電極加工に適用し、多結晶シリコン層のエッチング
時にS2 F2 /H2 S混合ガスを用いた例である。ま
ず、図1(a)に示されるウェハをRFバイアス印加型
の有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置にセット
し、一例として下記の条件でWSix 層4をエッチング
した。
ート電極加工に適用し、多結晶シリコン層のエッチング
時にS2 F2 /H2 S混合ガスを用いた例である。ま
ず、図1(a)に示されるウェハをRFバイアス印加型
の有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置にセット
し、一例として下記の条件でWSix 層4をエッチング
した。
【0036】 S2 F2 流量 30SCCM ガス圧 1.3Pa(10mTorr) マイクロ波パワー 850W(2.45GHz) RFバイアス・パワー 30W (2MHz) ウェハ温度 0℃
【0037】次に、一例として下記の条件で多結晶シリ
コン層3をエッチングした。 S2 F2 流量 20SCCM H2 S流量 10SCCM ガス圧 1.3Pa(10mTorr) マイクロ波パワー 850W(2.45GHz) RFバイアス・パワー 30W (2MHz) ウェハ温度 0℃ このエッチング過程では、H2 Sから解離生成するH*
がS2 F2 から生成するF* を捕捉消費すると共に、H
2 SからもSが供給されるので、エッチング反応系のS
/F比がより大きく上昇した。この結果、実施例1より
もウェハ温度が高いにも係わらず、良好な異方性形状を
有するゲート電極5aを形成することができた。
コン層3をエッチングした。 S2 F2 流量 20SCCM H2 S流量 10SCCM ガス圧 1.3Pa(10mTorr) マイクロ波パワー 850W(2.45GHz) RFバイアス・パワー 30W (2MHz) ウェハ温度 0℃ このエッチング過程では、H2 Sから解離生成するH*
がS2 F2 から生成するF* を捕捉消費すると共に、H
2 SからもSが供給されるので、エッチング反応系のS
/F比がより大きく上昇した。この結果、実施例1より
もウェハ温度が高いにも係わらず、良好な異方性形状を
有するゲート電極5aを形成することができた。
【0038】実施例3 本実施例は、本願の第2の発明を同じくポリサイド・ゲ
ート電極加工に適用し、多結晶シリコン層のエッチング
時に相対的に入射イオン・エネルギーを低下させた例で
ある。まず、図1(a)に示されるウェハをRFバイア
ス印加型の有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置
にセットし、実施例2と同じ条件でWSix 層4をエッ
チングした。
ート電極加工に適用し、多結晶シリコン層のエッチング
時に相対的に入射イオン・エネルギーを低下させた例で
ある。まず、図1(a)に示されるウェハをRFバイア
ス印加型の有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置
にセットし、実施例2と同じ条件でWSix 層4をエッ
チングした。
【0039】次に、一例として下記の条件で多結晶シリ
コン層3をエッチングした。 S2 F2 流量 20SCCM H2 S流量 10SCCM ガス圧 1.3Pa(10mTorr) マイクロ波パワー 850W(2.45GHz) RFバイアス・パワー 5W (2MHz) ウェハ温度 0℃ このエッチング過程では、RFバイアス・パワーを前段
の30Wから5Wに低下させることにより、下地のゲー
ト酸化膜2に対する選択比を30にまで向上させること
ができた。
コン層3をエッチングした。 S2 F2 流量 20SCCM H2 S流量 10SCCM ガス圧 1.3Pa(10mTorr) マイクロ波パワー 850W(2.45GHz) RFバイアス・パワー 5W (2MHz) ウェハ温度 0℃ このエッチング過程では、RFバイアス・パワーを前段
の30Wから5Wに低下させることにより、下地のゲー
ト酸化膜2に対する選択比を30にまで向上させること
ができた。
【0040】なお、入射イオン・エネルギーの低減方法
としては、上述のようにRFバイアス・パワーを低下さ
せるのみならず、たとえばRFバイアスの周波数を増大
させたり、あるいは周波数増大とパワー低下とを組み合
わせたりしても良い。
としては、上述のようにRFバイアス・パワーを低下さ
せるのみならず、たとえばRFバイアスの周波数を増大
させたり、あるいは周波数増大とパワー低下とを組み合
わせたりしても良い。
【0041】実施例4 本実施例は、本願の第2の発明を同じくポリサイド・ゲ
ート電極加工に適用し、多結晶シリコン層のエッチング
時に相対的に入射イオン・エネルギーを低下させた例で
ある。まず、図1(a)に示されるウェハをRFバイア
ス印加型の有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置
にセットし、実施例2と同じ条件でWSix 層4をエッ
チングした。
ート電極加工に適用し、多結晶シリコン層のエッチング
時に相対的に入射イオン・エネルギーを低下させた例で
ある。まず、図1(a)に示されるウェハをRFバイア
ス印加型の有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置
にセットし、実施例2と同じ条件でWSix 層4をエッ
チングした。
【0042】次に、一例として下記の条件で多結晶シリ
コン層3をエッチングした。 S2 F2 流量 20SCCM H2 S流量 10SCCM ガス圧 1.3Pa(10mTorr) マイクロ波パワー 850W(2.45GHz) RFバイアス・パワー 30W (2MHz) ウェハ温度 −70℃ このエッチング過程では、ウェハ温度を前段の0℃から
−70℃に低下させることにより、Sの堆積が一層促進
されて実質的にエッチング反応系のS/F比が上昇し、
レジスト選択性、下地選択性、異方性が向上した。ま
た、中低温域の冷却を行うことにより、ラジカル反応が
効果的に抑制された。この結果、100%のオーバーエ
ッチングを行った後でも、ゲート電極5aの異方性形状
は良好に維持された。
コン層3をエッチングした。 S2 F2 流量 20SCCM H2 S流量 10SCCM ガス圧 1.3Pa(10mTorr) マイクロ波パワー 850W(2.45GHz) RFバイアス・パワー 30W (2MHz) ウェハ温度 −70℃ このエッチング過程では、ウェハ温度を前段の0℃から
−70℃に低下させることにより、Sの堆積が一層促進
されて実質的にエッチング反応系のS/F比が上昇し、
レジスト選択性、下地選択性、異方性が向上した。ま
た、中低温域の冷却を行うことにより、ラジカル反応が
効果的に抑制された。この結果、100%のオーバーエ
ッチングを行った後でも、ゲート電極5aの異方性形状
は良好に維持された。
【0043】なお、本実施例のようにエッチングの途中
でウェハ温度を変更する場合には、本願出願人が先に特
願平2−206011号明細書に提案しているごとく、
温度設定の異なるウェハ載置電極をそれぞれ収容する複
数のエッチング・チャンバ間で高真空下にウェハを搬送
できるマルチ・チャンバ型の装置を使用することが望ま
しい。これは、単一チャンバ内でウェハ温度を変更する
よりも、マルチ・チャンバ型の装置を使用した方がプロ
セスの安定性やスループットを向上させる上で有利だか
らである。
でウェハ温度を変更する場合には、本願出願人が先に特
願平2−206011号明細書に提案しているごとく、
温度設定の異なるウェハ載置電極をそれぞれ収容する複
数のエッチング・チャンバ間で高真空下にウェハを搬送
できるマルチ・チャンバ型の装置を使用することが望ま
しい。これは、単一チャンバ内でウェハ温度を変更する
よりも、マルチ・チャンバ型の装置を使用した方がプロ
セスの安定性やスループットを向上させる上で有利だか
らである。
【0044】以上、本発明を4つの実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではなく、たとえばフッ化イオウおよびエッチング
反応系のS/F比を増大させるための化合物として、そ
れぞれ上述のS2 F2 ,H2 ,H2 S以外の本発明で列
挙される化合物を使用しても、基本的には同様の結果が
得られる。
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではなく、たとえばフッ化イオウおよびエッチング
反応系のS/F比を増大させるための化合物として、そ
れぞれ上述のS2 F2 ,H2 ,H2 S以外の本発明で列
挙される化合物を使用しても、基本的には同様の結果が
得られる。
【0045】本発明のエッチング方法のあらゆる段階に
おいて使用されるエッチング・ガスには、スパッタリン
グ効果, 希釈効果および冷却効果を期待する意味でA
r,He等の希ガスを適宜混合しても良い。上述の各実
施例ではポリサイド膜の上層を構成する高融点金属シリ
サイド層がWSix 層であったが、これはMoSi
x 層,TiSix 層,TaSix 層等の他の高融点金属
シリサイド層であっても良い。
おいて使用されるエッチング・ガスには、スパッタリン
グ効果, 希釈効果および冷却効果を期待する意味でA
r,He等の希ガスを適宜混合しても良い。上述の各実
施例ではポリサイド膜の上層を構成する高融点金属シリ
サイド層がWSix 層であったが、これはMoSi
x 層,TiSix 層,TaSix 層等の他の高融点金属
シリサイド層であっても良い。
【0046】さらに、本願の第2の発明と第3の発明を
組み合わせて実施することにより、より優れた効果を上
げることも可能である。
組み合わせて実施することにより、より優れた効果を上
げることも可能である。
【0047】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明ではポリサイド膜のドライエッチングにおいて、多結
晶シリコン層のエッチング時にS/F比を上昇させた条
件を採用する。これにより、異方性や選択性を向上させ
ることが可能となる。また、上述の工夫に加えて多結晶
シリコン層のエッチング時に入射イオン・エネルギーや
ウェハ温度を相対的に低下させることにより、さらに高
度な異方性エッチングおよび高選択性エッチングを行う
ことが可能となる。
明ではポリサイド膜のドライエッチングにおいて、多結
晶シリコン層のエッチング時にS/F比を上昇させた条
件を採用する。これにより、異方性や選択性を向上させ
ることが可能となる。また、上述の工夫に加えて多結晶
シリコン層のエッチング時に入射イオン・エネルギーや
ウェハ温度を相対的に低下させることにより、さらに高
度な異方性エッチングおよび高選択性エッチングを行う
ことが可能となる。
【0048】本発明は、微細なデザイン・ルールにもと
づいて設計され、高性能および高集積度を有する半導体
装置の製造に好適である。なお本発明は、脱CFC対策
として優れたものであることは言うまでもない。
づいて設計され、高性能および高集積度を有する半導体
装置の製造に好適である。なお本発明は、脱CFC対策
として優れたものであることは言うまでもない。
【図1】 本発明をポリサイド・ゲート電極加工に適用
した一例をその工程順にしたがって示す概略断面図であ
り、(a)はポリサイド膜上にレジスト・マスクが形成
された状態、(b)はWSix 層がエッチングされた状
態、(c)は多結晶シリコン層がエッチングされた状
態、(d)はレジスト・マスクと側壁保護膜が除去され
た状態をそれぞれ表す。
した一例をその工程順にしたがって示す概略断面図であ
り、(a)はポリサイド膜上にレジスト・マスクが形成
された状態、(b)はWSix 層がエッチングされた状
態、(c)は多結晶シリコン層がエッチングされた状
態、(d)はレジスト・マスクと側壁保護膜が除去され
た状態をそれぞれ表す。
【図2】 従来のポリサイド・ゲート電極加工の問題点
を説明するための概略断面図であり、(a)はポリサイ
ド膜上にレジスト・マスクが形成された状態、(b)は
多結晶シリコン層においてアンダカットが発生した状態
をそれぞれ表す。
を説明するための概略断面図であり、(a)はポリサイ
ド膜上にレジスト・マスクが形成された状態、(b)は
多結晶シリコン層においてアンダカットが発生した状態
をそれぞれ表す。
1 ・・・シリコン基板 2 ・・・ゲート酸化膜 3 ・・・多結晶シリコン層 3a・・・多結晶シリコン・パターン 4 ・・・WSix 層 4a・・・WSix パターン 5 ・・・ポリサイド膜 5a・・・ゲート電極 6 ・・・レジスト・マスク 7 ・・・側壁保護膜(S)
Claims (3)
- 【請求項1】 多結晶シリコン層と高融点金属シリサイ
ド層とが順次積層されてなるポリサイド膜をエッチング
するドライエッチング方法において、 被エッチング基板の温度を室温以下に制御しながら、S
2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10から選ばれる少なく
とも1種類のフッ化イオウを含む第1のエッチング・ガ
スを用いて少なくとも前記高融点金属シリサイド層をエ
ッチングする工程と、 被エッチング基板の温度を室温以下に制御しながら、前
記第1のエッチング・ガスにH2 ,H2 S,シラン系化
合物から選ばれる少なくとも1種類の化合物を添加して
なる第2のエッチング・ガスを用いて前記多結晶シリコ
ン層をエッチングする工程とを有することを特徴とする
ドライエッチング方法。 - 【請求項2】 前記多結晶シリコン層のエッチングは、
前記高融点金属シリサイド層のエッチング時よりも入射
イオン・エネルギーを低下させた条件で行うことを特徴
とする請求項1記載のドライエッチング方法。 - 【請求項3】 前記多結晶シリコン層のエッチングは、
前記高融点金属シリサイド層のエッチング時よりも被エ
ッチング基板の温度を低く維持しながら行うことを特徴
とする請求項1記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28948191A JPH05102091A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28948191A JPH05102091A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05102091A true JPH05102091A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17743838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28948191A Withdrawn JPH05102091A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05102091A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100559027B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2006-06-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 폴리사이드 배선 형성 방법 |
-
1991
- 1991-10-09 JP JP28948191A patent/JPH05102091A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100559027B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2006-06-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 폴리사이드 배선 형성 방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |