JPH05100249A - Active matrix panel and production thereof - Google Patents
Active matrix panel and production thereofInfo
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- JPH05100249A JPH05100249A JP28550891A JP28550891A JPH05100249A JP H05100249 A JPH05100249 A JP H05100249A JP 28550891 A JP28550891 A JP 28550891A JP 28550891 A JP28550891 A JP 28550891A JP H05100249 A JPH05100249 A JP H05100249A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は液晶ディスプレイ用アク
ティブマトリクスパネルの構造およびその製造方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of an active matrix panel for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のポリシリコン薄膜電界効果トラン
ジスタ（以下、ＴＦＴという）により駆動される液晶デ
ィスプレイ（ＬＣＤ）のＴＦＴ部および画素部の概略図
を図４および図５に示す。図に示されるとおり、液晶デ
ィスプレイは、透明絶縁性基板１の上にＴＦＴ部２５と
蓄積容量部３０を持った画素部が設けられる。このよう
な液晶ディスプレイは、複数のトランジスタのゲート電
極が接続されたゲート線が複数並べられるとともに、ト
ランジスタのソース−ドレインを介して接続された複数
の電荷保持用蓄積容量が接続されたデータ線が複数並べ
られてマトリクスを構成しているものであり、ゲート線
を選択することによって任意の画素列を選択し、次いで
データ線を選択することによって特定のトランジスタに
接続された電荷保持用蓄積容量に表示データを書き込む
ものである。ＴＦＴ部２５は、真性ポリシリコン層５に
不純物を拡散させて得たソース電極およびドレイン電極
６の上にゲート絶縁膜４を介して設けたゲート電極２１
とから構成され、画素部は、基板１の上に設けたソース
およびドレイン電極６と同時に形成される蓄積容量部３
０の一方の電極２２とその上方に絶縁膜４を介して設け
られた画素電極７とから構成される。ＴＦＴ部２５と画
素部の双方を層間絶縁膜８で覆いソース電極およびドレ
イン電極ならびに画素電極７は配線金属９が接続され、
全体はパッシベーション膜１０で覆われている。2. Description of the Related Art A schematic view of a TFT portion and a pixel portion of a liquid crystal display (LCD) driven by a conventional polysilicon thin film field effect transistor (hereinafter referred to as TFT) is shown in FIGS. As shown in the figure, the liquid crystal display is provided with a pixel section having a TFT section 25 and a storage capacitor section 30 on a transparent insulating substrate 1. In such a liquid crystal display, a plurality of gate lines connected to the gate electrodes of a plurality of transistors are arranged, and a data line connected to a plurality of charge storage capacitors connected via the source-drain of the transistors is arranged. A plurality of pixels are arranged to form a matrix. By selecting a gate line, an arbitrary pixel column is selected, and then by selecting a data line, a storage capacitor for holding charge connected to a specific transistor is selected. The display data is written. The TFT section 25 includes a gate electrode 21 provided via a gate insulating film 4 on a source electrode and a drain electrode 6 obtained by diffusing impurities in the intrinsic polysilicon layer 5.
The pixel portion is formed of a storage capacitor portion 3 formed simultaneously with the source and drain electrodes 6 provided on the substrate 1.
0 electrode 22 and a pixel electrode 7 provided thereabove with an insulating film 4 interposed therebetween. Both the TFT portion 25 and the pixel portion are covered with the interlayer insulating film 8, and the source electrode and the drain electrode and the pixel electrode 7 are connected with the wiring metal 9.
The whole is covered with a passivation film 10.
【０００３】図５は、図４に示されたＬＣＤの平面図で
あり、上記従来の構造では、電圧保持用の蓄積容量部３
０を構成する電極３は光の透過を許さないため、画素開
口率の低下の大きな原因となっている。FIG. 5 is a plan view of the LCD shown in FIG. 4, and in the conventional structure described above, the storage capacitor section 3 for holding voltage is used.
Since the electrode 3 forming 0 does not allow the transmission of light, it is a major cause of the reduction in the pixel aperture ratio.
【０００４】そこで図６および図７に示されるように、
蓄積容量部３０の下部電極３を画素電極７の全面と同じ
形状とした透明導電体で構成し、蓄積容量部をゲート絶
縁膜４を介して画素電極７と下部透明電極３のサンドイ
ッチ構造として形成することによって、開口率低下の問
題は解決された。しかし、この構造では下部透明電極３
をＴＦＴ部２５のソース電極およびドレイン電極と同時
に形成することはできないので、新たに透明電極のパタ
ーンニングの工程を加えなければならず、フォトマスク
と処理工程が増えるとともに、ポリシリコン形成後に酸
化インジウム錫（ＩＴＯ）の堆積、パターンニング、ゲ
ート絶縁膜着膜という工程を通るので、ＴＦＴ部のポリ
シリコン５とゲート絶縁膜４の界面に透明導電膜の成分
が不純物として残留し、残留成分によってＴＦＴ特性が
ばらつくという問題があった。Therefore, as shown in FIGS. 6 and 7,
The lower electrode 3 of the storage capacitor portion 30 is formed of a transparent conductor having the same shape as the entire surface of the pixel electrode 7, and the storage capacitor portion is formed as a sandwich structure of the pixel electrode 7 and the lower transparent electrode 3 via the gate insulating film 4. By doing so, the problem of lowering the aperture ratio was solved. However, in this structure, the lower transparent electrode 3
Cannot be formed at the same time as the source electrode and the drain electrode of the TFT section 25, so that a new patterning step of the transparent electrode must be added, the photomask and the processing steps are increased, and indium oxide is formed after the polysilicon is formed. Since the steps of depositing tin (ITO), patterning, and depositing a gate insulating film are performed, the transparent conductive film component remains as an impurity at the interface between the polysilicon 5 and the gate insulating film 4 in the TFT portion, and the residual component causes the TFT There was a problem that the characteristics varied.
【０００５】[0005]
【この発明の目的】本発明は、新たに透明導電膜が付加
されたことによってマスクが増加することを防いでプロ
セスの簡素化を図るとともに、ＴＦＴ部に逆スタガー型
ＴＦＴを採用することにより清浄なゲート絶縁膜−ポリ
シリコン界面を得て、ＴＦＴ特性の安定したアクティブ
マトリクスパネルを得ることを目的とする。An object of the present invention is to prevent the increase of the mask due to the addition of a new transparent conductive film, thereby simplifying the process, and adopting an inverted stagger type TFT in the TFT section for cleaning. The purpose is to obtain a stable gate insulating film-polysilicon interface and obtain an active matrix panel with stable TFT characteristics.
【０００６】[0006]
【この発明の概略の構成】本発明は、ポリシリコンを用
いた薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）により駆動さ
れる液晶ディスプレイ用アクティブマトリクスパネルに
おいて、ＴＦＴを逆スタガー型とし、電圧保持用蓄積容
量を画素電極と透明導電膜からなる下部透明電極でゲー
ト絶縁膜をサンドイッチした構造とするとともに、蓄積
容量の下部透明電極はフォトリソグラフィー法に用いら
れる紫外光を選択的に吸収する材料を用いて構成し、Ｔ
ＦＴのゲート電極と同時に形成することにより構成され
る。The present invention relates to an active matrix panel for a liquid crystal display driven by a thin film field effect transistor (TFT) using polysilicon, in which the TFT is an inverted stagger type and the voltage holding storage capacitor is a pixel. The structure is such that the gate insulating film is sandwiched by the lower transparent electrode composed of the electrode and the transparent conductive film, and the lower transparent electrode of the storage capacitor is formed by using a material that selectively absorbs ultraviolet light used in the photolithography method, T
It is formed by forming the gate electrode of the FT at the same time.
【０００７】[0007]
実施例１ 図１に本発明のアクティブマトリクスパネルの一つのパ
ターンの構造の断面図を示す。アクティブマトリクスを
構成する各パターンは、ＴＦＴ部２５と画素部とから構
成されている。ＴＦＴ部２５は、透明基板１上に設けた
ゲート電極２とその上に設けたゲート絶縁膜４およびそ
の上にある真性ポリシリコン層５と、このシリコン層５
の両端に設けられたソース電極およびドレイン電極６と
から構成された逆スタガー型のＴＦＴである。画素部
は、透明導電膜からなり蓄積容量部３０の一方の電極と
して働く下部透明電極３と下部透明電極と同一の形状を
有し絶縁膜４を介してその上に設けられた画素電極７と
から構成される。ＴＦＴ部および画素部の上には、層間
絶縁膜８を介して配線金属９が設けられ、各素子を電気
的に接続するとともに、その上にパッシベーション膜１
０が設けられている。Example 1 FIG. 1 shows a sectional view of the structure of one pattern of an active matrix panel of the present invention. Each pattern forming the active matrix is composed of a TFT section 25 and a pixel section. The TFT section 25 includes a gate electrode 2 provided on the transparent substrate 1, a gate insulating film 4 provided thereon, an intrinsic polysilicon layer 5 provided thereon, and the silicon layer 5.
It is an inverted stagger type TFT composed of a source electrode and a drain electrode 6 provided at both ends of. The pixel portion includes a lower transparent electrode 3 which is made of a transparent conductive film and serves as one electrode of the storage capacitor portion 30, and a pixel electrode 7 which has the same shape as the lower transparent electrode and is provided on the insulating film 4 and above. Composed of. A wiring metal 9 is provided on the TFT portion and the pixel portion via an interlayer insulating film 8 to electrically connect the respective elements, and the passivation film 1 is formed thereon.
0 is provided.
【０００８】図２に、図１に示したアクティブマトリク
スパネルの作成方法の概略図を示す。以下にその詳細の
説明をする。ガラスなどの透明絶縁性基板１上に酸化イ
ンジウム錫（ＩＴＯ）等のフォトリソグラフィー法に用
いられる紫外光を選択的に吸収する特性を有する透明導
電膜形成し、ＴＦＴのゲート電極と蓄積容量の下部電極
が残るように１枚のフォトマスクを用い通常のフォトエ
ッチングプロセスによってパタンニングする。この加工
によりＴＦＴのゲート電極２と蓄積容量部の下部透明電
極３が形成される（図２ａ）。FIG. 2 shows a schematic diagram of a method for producing the active matrix panel shown in FIG. The details will be described below. A transparent conductive film having a characteristic of selectively absorbing ultraviolet light used in a photolithography method such as indium tin oxide (ITO) is formed on a transparent insulating substrate 1 made of glass or the like, and is formed under a gate electrode of a TFT and a storage capacitor. Patterning is performed by a normal photoetching process using one photomask so that the electrodes remain. By this processing, the gate electrode 2 of the TFT and the lower transparent electrode 3 of the storage capacitor portion are formed (FIG. 2a).
【０００９】この上に、低圧化学的気相析出法（ＬＰＣ
ＶＤ）等により絶縁膜４を、引き続き真性非晶質シリコ
ン（ｉ−ａ−Ｓｉ）膜を形成し、その後レーザーアニー
ル等により真性非晶質シリコン膜を結晶化しポリシリコ
ン（ｐｏｌｙーＳｉ）層５とし、さらにこの上に保護層
を堆積する。次にフォトマスクを用いることなく裏面か
ら紫外光で露光しフォトエッチングプロセスにより保護
層をパタンニングしゲート電極２と下部電極３の上にの
みフォトマスク１１を形成する（図２ｂ）。On top of this, low pressure chemical vapor deposition (LPC
VD) or the like to form the insulating film 4 and subsequently an intrinsic amorphous silicon (ia-Si) film, and then the intrinsic amorphous silicon film is crystallized by laser annealing or the like to form the polysilicon (poly-Si) layer 5 Then, a protective layer is further deposited on this. Next, the back surface is exposed to ultraviolet light without using a photomask, and the protective layer is patterned by a photoetching process to form a photomask 11 only on the gate electrode 2 and the lower electrode 3 (FIG. 2b).
【００１０】その後、ポリシリコン層に燐（Ｐ）等のイ
オンを打ち込んで不純物拡散層６を形成し、次いで、不
純物拡散層６を２枚目のフォトマスクを用いてフォトエ
ッチングプロセスにより分離してＴＦＴのソース電極及
びドレン電極６とする（図２ｃ）。After that, an impurity diffusion layer 6 is formed by implanting ions such as phosphorus (P) into the polysilicon layer, and then the impurity diffusion layer 6 is separated by a photoetching process using a second photomask. The source electrode and the drain electrode 6 of the TFT are used (FIG. 2c).
【００１１】このうえにＩＴＯ等の透明導電膜を着膜し
て３枚目のフォトマスクを用いフォトエッチングプロセ
スによりパターンニングして画素部透明電極７を得る
（図２ｄ）。Then, a transparent conductive film such as ITO is deposited and patterned by a photoetching process using a third photomask to obtain a pixel portion transparent electrode 7 (FIG. 2d).
【００１２】その後、層間絶縁膜を着膜して４枚目のフ
ォトマスクを用いてパターンニングすることによってソ
ース電極およびドレイン電極ならびに画素電極に達する
開口を設けた層間絶縁膜層８を得（図２ｅ）、この上に
アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム・銅（Ａｌ・
Ｃｕ）等の配線金属膜を形成し、５枚目のフォトマスク
を用いてパターンニングしゲート電極、ソース電極、お
よび画素電極に接する配線金属９を形成する。最後にパ
ッシベーション膜１０を形成した後６枚目のフォトマス
クを用いてパターンニングし、パネルを完成する（図２
ｆ）。以上マスク数６枚と従来通りの数でアクティブマ
トリクスパネルを作成することができる。After that, an interlayer insulating film is deposited and patterned using a fourth photomask to obtain an interlayer insulating film layer 8 having openings reaching the source electrode, the drain electrode and the pixel electrode (see FIG. 2e), and aluminum (Al) or aluminum / copper (Al.
A wiring metal film such as Cu) is formed and patterned using a fifth photomask to form a wiring metal 9 in contact with the gate electrode, the source electrode, and the pixel electrode. Finally, after forming the passivation film 10, patterning is performed using the sixth photomask to complete the panel (FIG. 2).
f). As described above, the active matrix panel can be formed with the number of masks of 6 and the conventional number.
【００１３】実施例２ 図３は、本発明の第２の実施例を示すもので、液晶ディ
スプレイを透過型とし、ＴＦＴ部２５をポリシリコンを
用いたＴＦＴから非晶質シリコンを用いたＴＦＴに変更
しＴＦＴ部の上にチャンネル部への光の入射を防ぐブラ
ックマトリクスを設けて透過型とした点が相違する以外
は実施例１の場合と同様である。非晶質シリコンＴＦＴ
はチャンネル部に光が入射するとＴＦＴ特性が大きく変
化する性質を有するので、図１のような構成としたとき
には、ＴＦＴ特性が光によって変化し安定した動作を得
がたいものであった。この実施例は、このような不都合
を排除して真性非晶質シリコンからなるＴＦＴを使用で
きるようにしたものである。図示のように、ＴＦＴ部
は、透明なゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜４
とその上に設けられた真性非晶質シリコン膜１２とその
上に配置されたチャネル保護膜１４とからなり、不純物
拡散シリコンからなるソース電極およびドレイン電極６
の上には、アルミニウム拡散バリアメタル１３が設けら
れている。パネルの上方には、通常の液晶ディスプレイ
と同様に、パッシベーション膜１０の上に配向膜１５、
ＴＮ型液晶１６、配向膜１７、対向電１８、極絶縁性基
板２０が設けられるが、この発明にあっては、ＴＦＴ部
の上方に絶縁性基板上方からの光の入射を阻止するブラ
ックマトリクス１９が設けられており、ＴＦＴのチャン
ネル部への光の入射による特性の変化に基づく不都合を
なくしている。Embodiment 2 FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention, in which the liquid crystal display is a transmissive type and the TFT section 25 is changed from a TFT using polysilicon to a TFT using amorphous silicon. The second embodiment is the same as the case of the first embodiment except that a black matrix is provided on the TFT portion for preventing light from entering the channel portion to be a transmission type. Amorphous silicon TFT
Since the TFT characteristics greatly change when light is incident on the channel portion, when the structure shown in FIG. 1 is used, it is difficult to obtain stable operation because the TFT characteristics are changed by the light. In this embodiment, such inconvenience is eliminated and a TFT made of intrinsic amorphous silicon can be used. As shown in the figure, the TFT portion is a gate insulating film 4 provided on the transparent gate electrode.
And the intrinsic amorphous silicon film 12 provided thereon and the channel protective film 14 provided thereon, and the source and drain electrodes 6 made of impurity-diffused silicon.
An aluminum diffusion barrier metal 13 is provided on the above. Above the panel, the alignment film 15, on the passivation film 10, as in a normal liquid crystal display.
Although the TN type liquid crystal 16, the alignment film 17, the counter electrode 18, and the polar insulating substrate 20 are provided, in the present invention, the black matrix 19 that blocks the incidence of light from above the insulating substrate above the TFT portion. Are provided to eliminate the inconvenience caused by the change in characteristics due to the incidence of light on the channel portion of the TFT.
【００１４】[0014]
【発明の効果】本発明は、ＴＦＴを逆スタガー型とする
とともに、開口率を増加するために蓄積容量部の下部電
極を紫外光の透過を許さない透明導電膜を使用してＴＦ
Ｔのゲート電極と同時に形成するようにしたので、電荷
蓄積容量部の下部電極を形成するためのフォトマスクを
別途作る必要がなくなるとともに、この透明伝導膜から
なるゲート電極自体を真性ポリシリコンに不純物を拡散
するときの保護層形成用フォトマスクとして利用したの
で、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極形成時の不
純物拡散工程用のフォトマスクを準備する必要が無くな
り、工程の簡略化とコストの低減に貢献するものであ
る。また、透明電極を形成した後ゲート絶縁膜を構成し
その後ＴＦＴ部のチャンネルを構成する真性ポリシリコ
ン層を形成することによって得られる構成であるので、
透明電極を形成するときの不純物がゲート絶縁膜とチャ
ンネルの界面に残留せず、ＴＦＴ特性が安定するという
優れた効果を奏するものである。さらに、ポリシリコン
を使用したＴＦＴを使用すると、チャンネル部に液晶デ
ィスプレイのバックライトの光が入射してもＴＦＴの特
性変化が小さいので実用上なんらの支障もない。非晶質
シリコンを用いたＴＦＴはチャンネル部に光が入射する
とＴＦＴ特性が大きく変化するものであるが、このよう
な非晶質シリコンＴＦＴを用いるときには、ＴＦＴ部に
上にこの部分を覆うブラックマトリクスを設けて透過型
として使用巣ることによって、チャンネル部への光の入
射を防ぐことができ、本発明を実用可能に用いることが
できる。According to the present invention, the TFT is of the inverted stagger type and the lower electrode of the storage capacitor portion is formed of a transparent conductive film which does not allow transmission of ultraviolet light in order to increase the aperture ratio.
Since it is formed at the same time as the gate electrode of T, it is not necessary to separately prepare a photomask for forming the lower electrode of the charge storage capacitor portion, and the gate electrode itself made of this transparent conductive film is doped with intrinsic polysilicon as an impurity. Since it was used as a photomask for forming a protective layer when diffusing, it is not necessary to prepare a photomask for the impurity diffusion step when forming the source and drain electrodes of the TFT, which contributes to simplification of the process and cost reduction. To do. In addition, since the structure is obtained by forming the gate insulating film after forming the transparent electrode and then forming the intrinsic polysilicon layer forming the channel of the TFT portion,
Impurities at the time of forming the transparent electrode do not remain at the interface between the gate insulating film and the channel, and the TFT characteristics are stabilized, which is an excellent effect. Further, when the TFT using polysilicon is used, even if the light of the backlight of the liquid crystal display enters the channel portion, the characteristic change of the TFT is small, so that there is no problem in practical use. A TFT using amorphous silicon has a large change in TFT characteristics when light is incident on the channel portion. When such an amorphous silicon TFT is used, a black matrix that covers this portion is formed on the TFT portion. By providing a transparent type and using it as a transmission type, it is possible to prevent light from entering the channel portion, and the present invention can be used practically.
【図１】 本発明によるアクティブマトリクスパネルの
実施例を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of an active matrix panel according to the present invention.
【図２】 本発明によるアクティブマトリクスパネルの
製造工程を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of an active matrix panel according to the present invention.
【図３】 非晶質シリコンＴＦＴを用いた本発明の他の
実施例を示す図。FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the present invention using an amorphous silicon TFT.
【図４】 従来のＴＦＴと従来の蓄積容量によるアクテ
ィブマトリクスパネルの断面図。FIG. 4 is a sectional view of an active matrix panel including a conventional TFT and a conventional storage capacitor.
【図５】 従来のＴＦＴと従来の蓄積容量によるアクテ
ィブマトリクスパネルの平面図。FIG. 5 is a plan view of an active matrix panel including a conventional TFT and a conventional storage capacitor.
【図６】 従来のＴＦＴと新型蓄積容量によるアクティ
ブマトリクスパネルの断面図。FIG. 6 is a sectional view of an active matrix panel using a conventional TFT and a new type storage capacitor.
【図７】 従来のＴＦＴと新型蓄積容量によるアクティ
ブマトリクスパネルの平面図。FIG. 7 is a plan view of an active matrix panel using a conventional TFT and a new storage capacitor.
１ 絶縁性基板、２ ゲート電極、３ 下部透明電極、
４ ゲート絶縁膜、５真性ポリシリコン層、６ 不純物
拡散シリコン層、ソース電極、ドレイン電極 ７ 画素部透明電極、８ 層間絶縁膜、９ 配線金属、
１０ パッシベーション膜、１１ マスクパターン、１
２ 真性ポリシリコン層、１３ Ａｌ拡散バリアメタ
ル、１４ チャネル保護膜、１５ 配向膜１、１６ Ｔ
Ｎ型液晶、１７ 配向膜２、１８ 対向電極、１９ ブ
ラックマトリクス、２０ 絶縁性基板、２１ゲート電
極、２２ 不純物拡散シリコン層（下部電極）、２５
ＴＦＴ、３０電荷保持用蓄積容量。1 insulating substrate, 2 gate electrode, 3 lower transparent electrode,
4 gate insulating film, 5 intrinsic polysilicon layer, 6 impurity diffusion silicon layer, source electrode, drain electrode 7 pixel part transparent electrode, 8 interlayer insulating film, 9 wiring metal,
10 passivation film, 11 mask pattern, 1
2 intrinsic polysilicon layer, 13 Al diffusion barrier metal, 14 channel protection film, 15 alignment film 1, 16 T
N-type liquid crystal, 17 Alignment film 2, 18 Counter electrode, 19 Black matrix, 20 Insulating substrate, 21 Gate electrode, 22 Impurity diffusion silicon layer (lower electrode), 25
TFT, 30 charge storage capacitor.
Claims (2)
またはドレイン電極がデータ信号線に接続されるととも
にマトリクス状に配列された複数のトランジスタと、該
トランジスタのドレイン電極またはソース電極に接続さ
れた電荷保持用蓄積容量とからなる液晶ディスプレイ用
アクティブマトリクスパネルにおいて、 該トランジスタは、逆スタガー型の薄膜電界効果トラン
ジスタであり、 該電荷保持用蓄積容量は、液晶ディスプレイの画素電極
と下部透明電極の間にゲート絶縁膜を介在させて構成さ
れ、 該逆スタガー型薄膜電界効果トランジスタのゲート電極
は、該蓄積容量の下部透明電極と同時に形成された透明
導電膜から構成されることを特徴とする液晶ディスプレ
イ用アクティブマトリクスパネル。1. A plurality of transistors in which a gate electrode is connected to a gate signal line and a source electrode or a drain electrode is connected to a data signal line and arranged in a matrix, and a charge connected to the drain electrode or source electrode of the transistor. In an active matrix panel for a liquid crystal display, which comprises a storage capacitor for holding, the transistor is an inverted stagger type thin film field effect transistor, and the storage capacitor for holding charge is provided between a pixel electrode and a lower transparent electrode of the liquid crystal display. A liquid crystal display characterized in that a gate insulating film is interposed, and a gate electrode of the inverted stagger type thin film field effect transistor is composed of a transparent conductive film formed at the same time as a lower transparent electrode of the storage capacitor. Active matrix panel.
またはドレイン電極がデータ信号線に接続されるととも
にマトリクス状に配列された複数の逆スタガー型薄膜電
界効果トランジスタと、該トランジスタのドレイン電極
またはソース電極に接続された電荷保持用蓄積容量とか
らなる液晶ディスプレイ用アクティブマトリクスパネル
の製造方法であって、 透明基板の上に透明導電膜からなる蓄積容量部の下部電
極と薄膜電界効果トランジスタのゲート電極を同時に形
成する工程と、該透明導電膜の電極の上に絶縁膜を形成
し、ついで、その上に薄膜電界効果トラ ンジスタのソース電極およびドレイン電極を形成する工
程と、 蓄積容量部の透明電極の上方に画素電極を形成する工程
とからなることを特徴とする液晶ディスプレイ用アクテ
ィブマトリクスパネルの製造方法。2. A plurality of inverted stagger type thin film field effect transistors, each having a gate electrode connected to a gate signal line and a source electrode or a drain electrode connected to a data signal line and arranged in a matrix, and a drain electrode or a source of the transistor. A method for manufacturing an active matrix panel for a liquid crystal display, comprising a storage capacitor for holding charges connected to an electrode, comprising: a lower electrode of a storage capacitor section made of a transparent conductive film on a transparent substrate and a gate electrode of a thin film field effect transistor. And the step of forming an insulating film on the electrode of the transparent conductive film, and then forming the source electrode and drain electrode of the thin film field effect transistor on the insulating film, and the transparent electrode of the storage capacitor section. And a step of forming a pixel electrode above the active layer for the liquid crystal display. Matrix panel manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28550891A JPH05100249A (en) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | Active matrix panel and production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28550891A JPH05100249A (en) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | Active matrix panel and production thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100249A true JPH05100249A (en) | 1993-04-23 |
Family
ID=17692439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28550891A Pending JPH05100249A (en) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | Active matrix panel and production thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05100249A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100266884B1 (en) * | 1996-11-15 | 2000-09-15 | 포만 제프리 엘 | A transmissive liquid crystal cell with trench capacitor |
| KR100577410B1 (en) * | 1999-11-30 | 2006-05-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | X-ray image sensor and a method for fabricating the same |
| JP2008122923A (en) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Au Optronics Corp | Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP28550891A patent/JPH05100249A/en active Pending
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