JPH0497512A - Resist pattern inspection apparatus - Google Patents
Resist pattern inspection apparatusInfo
- Publication number
- JPH0497512A JPH0497512A JP2214940A JP21494090A JPH0497512A JP H0497512 A JPH0497512 A JP H0497512A JP 2214940 A JP2214940 A JP 2214940A JP 21494090 A JP21494090 A JP 21494090A JP H0497512 A JPH0497512 A JP H0497512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- inspection
- wafer
- image data
- resist pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 103
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 9
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は半導体製造工程における半導体ウェハ表面上の
レジストパターンを検査するレジストパターン検査装置
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a resist pattern inspection apparatus for inspecting a resist pattern on the surface of a semiconductor wafer in a semiconductor manufacturing process.
（従来の技術）
かかるレジストパターン検査は現像工程終了後の半導体
ウェハに対して白色光源から白色光を照射し、この状態
に金属顕微鏡により半導体装置ハの表面上を検査する方
法となっている。この検査では金属顕微鏡を通して目視
で行われており、その内容はパターニングの状態、レジ
スト厚の均一性、ダスト、下層との位置ずれ、さらにレ
ジスト塗布忘れや露光忘れ、現像忘れ等の全てとなって
いる。なお、この検査を自動化するために白色光を用い
るのに限らずレーザを用いたものもある。(Prior Art) Such resist pattern inspection is performed by irradiating white light from a white light source onto the semiconductor wafer after the development step, and inspecting the surface of the semiconductor device in this state using a metallurgical microscope. This inspection is performed visually through a metallurgical microscope, and the inspection includes everything from the patterning condition, uniformity of resist thickness, dust, and misalignment with the underlying layer, to forgetting to apply resist, forgetting to expose, forgetting to develop, etc. There is. Note that in order to automate this inspection, not only white light is used, but also lasers are used.
ところか、金属顕微鏡の倍率が低いと半導体ウェハ全体
を検査できるが、レジストパターンが微細であることか
らレジスト塗布忘れや露光忘れ、現像忘れ等ウェハの全
面またはかなり広い範囲が欠陥となるような重大欠陥を
検査することは困難である。従って、金属顕微鏡の倍率
を高くすれば上記レジスト塗布忘れ等を検査することが
できるか、高倍率で半導体ウェハ全体を検査することに
なるので１枚の半導体ウェハに対する検査時間が長くな
る。On the other hand, if the magnification of a metallurgical microscope is low, it is possible to inspect the entire semiconductor wafer, but because the resist pattern is minute, there are serious cases where the entire wafer or a fairly wide area becomes defective, such as forgetting to apply resist, forget to expose, or forget to develop. It is difficult to inspect for defects. Therefore, if the magnification of the metallurgical microscope is increased, it is possible to inspect the above-mentioned failure to apply the resist, etc., or because the entire semiconductor wafer is inspected at high magnification, the inspection time for one semiconductor wafer becomes longer.
（発明が解決しようとする課題）
以上のように倍率が低いとレジスト塗布忘れ等を検査す
ることは困難となり、倍率を高くずれば検査時間が長く
なる。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, if the magnification is low, it becomes difficult to inspect for cases such as forgetting to apply resist, and if the magnification is shifted to a high value, the inspection time becomes longer.
そこで本発明は、レジスト塗布忘れ等を短時間で確実に
検査できるレジストパターン検査装置を提供することを
目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, it is an object of the present invention to provide a resist pattern inspection device that can reliably inspect for cases such as forgetting to apply resist in a short period of time.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、半導体製造の現像工程後における半導体ウェ
ハに形成されたレジストパターンを検査するレジストパ
ターン検査装置において、半導体ウェハの上方に配置さ
れた励起用光源と、半導体ウェハの上方に配置された白
色光源と、半導体ウェハの上方に配置され倍率切換機能
を備えた撮像装置と、この撮像装置を半導体ウェハ全体
が視野内に入る倍率に設定するとともに励起用光源から
の励起光を半導体ウェハに照射する第１検査設定手段と
、この第１検査設定手段により設定された状態における
撮像装置から出力される映像信号を受けて半導体ウェハ
の画像データを記憶し、この画像データ上の半導体ウェ
ハ表面上の螢光の状態から半導体ウェハに対する現像工
程までの処理状態を判定する判定手段と、この判定手段
により半導体ウェハが良品と判定された場合に励起光の
照射を停止するとともに白色光源からの白色光を半導体
ウェハに照射しかつ撮像装置の倍率を任意に設定する第
２検査設定手段と、この第１検査設定手段により設定さ
れた状態における撮像装置から出力される映像信号を受
けて半導体ウェハの画像データを記憶し、この画像デー
タから半導体ウェハの表面検査を行う検査手段とを備え
て上記目的を達成しようとするレジストパターン検査装
置である。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention provides a resist pattern inspection apparatus for inspecting a resist pattern formed on a semiconductor wafer after a development process in semiconductor manufacturing. An excitation light source, a white light source placed above the semiconductor wafer, an imaging device placed above the semiconductor wafer and equipped with a magnification switching function, and this imaging device set to a magnification that allows the entire semiconductor wafer to be within the field of view. a first inspection setting means for irradiating the semiconductor wafer with excitation light from an excitation light source; and a first inspection setting means for receiving image data of the semiconductor wafer in response to a video signal output from an imaging device in a state set by the first inspection setting means. determination means for storing the image data and determining the processing state of the semiconductor wafer up to the development process from the state of fluorescence on the surface of the semiconductor wafer on the image data; a second inspection setting means for stopping the irradiation of the semiconductor wafer, irradiating the semiconductor wafer with white light from the white light source, and arbitrarily setting the magnification of the imaging device; This resist pattern inspection apparatus attempts to achieve the above object by being equipped with inspection means for receiving an output video signal, storing image data of a semiconductor wafer, and inspecting the surface of the semiconductor wafer from this image data.
（作用）
このような手段を備えたことにより、第１検査設定手段
により半導体ウェハの上方に配置された撮像装置の倍率
を半導体ウェハ全体が視野内に入るように設定するとと
もに励起光を半導体ウェハに照射し、この状態に撮像装
置からの映像信号を判定手段により受けて半導体ウェハ
の画像データを記憶して半導体ウェハ表面上の螢光の状
態から半導体ウェハに対する現像工程までの処理状態を
判定し、さらにこの判定結果、半導体ウェハが良品と判
定された場合に第２検査設定手段により励起光の照射を
停止するとともに白色光を半導体ウェハに照射しかっ撮
像装置の倍率を任意に設定し、この状態に検査手段によ
り撮像装置がら出力される映像信号を受けて半導体ウェ
ハの画像データを記憶し、この画像データから半導体ウ
ェハの表面検査を行う。(Function) By providing such means, the first inspection setting means sets the magnification of the imaging device placed above the semiconductor wafer so that the entire semiconductor wafer falls within the field of view, and also directs the excitation light to the semiconductor wafer. In this state, a video signal from an imaging device is received by a determining means, and image data of the semiconductor wafer is stored to determine the processing state of the semiconductor wafer from the state of fluorescence on the surface of the semiconductor wafer to the development process. Further, if the semiconductor wafer is determined to be good as a result of this determination, the second inspection setting means stops the irradiation of the excitation light, irradiates the semiconductor wafer with white light, and sets the magnification of the imaging device to an arbitrary value. Image data of the semiconductor wafer is stored in response to a video signal output from the imaging device by the inspection means, and the surface of the semiconductor wafer is inspected from this image data.
（実施例）
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図はレジストパターン検査装置の構成図である。Ｘ
Ｙ子テーブルが備えられている。このＸＹ子テーブルの
上面には半導体ウェハ２が載置されている。なお、ＸＹ
子テーブル上には吸着機構が備えられ、この吸着機構に
より半導体ウェハ２はＸＹ子テーブル上に吸着されてい
る。この半導体ウェハ２は半導体製造工程の現像工程を
終了したものである。FIG. 1 is a configuration diagram of a resist pattern inspection apparatus. X
A Y child table is provided. A semiconductor wafer 2 is placed on the upper surface of this XY child table. In addition, XY
A suction mechanism is provided on the child table, and the semiconductor wafer 2 is suctioned onto the XY child table by this suction mechanism. This semiconductor wafer 2 has been subjected to a developing process in a semiconductor manufacturing process.
ＸＹ子テーブルの上方つまり半導体ウェハ２の上方には
励起用の水銀ランプ３が配置されている。A mercury lamp 3 for excitation is arranged above the XY child table, that is, above the semiconductor wafer 2.
この水銀ランプ３は発光した光を半導体ウェハ２に対し
て所定の角度で照射するように配置されている。この水
銀ランプ３の前面には励起フィルタ４及びシャッタ機構
５が配置されている。励起フィルタ４は水銀ランプ３で
発光した光のうち励起光のみを透過させる機能を有して
いる。又、ＸＹ子テーブルの上方には白色光源としての
ハロゲンランプ６が配置されている。このハロゲンラン
プ６は発光した白色光を半導体ウェハ２に対して所定の
角度が照射するように配置されている。このハロゲンラ
ンプ６の前面にはシャッタ機構７が配置されている。The mercury lamp 3 is arranged so as to irradiate emitted light onto the semiconductor wafer 2 at a predetermined angle. An excitation filter 4 and a shutter mechanism 5 are arranged in front of the mercury lamp 3. The excitation filter 4 has a function of transmitting only excitation light out of the light emitted by the mercury lamp 3. Furthermore, a halogen lamp 6 as a white light source is arranged above the XY child table. The halogen lamp 6 is arranged so as to emit white light onto the semiconductor wafer 2 at a predetermined angle. A shutter mechanism 7 is arranged in front of the halogen lamp 6.
さらにＸＹ子テーブルの上方、具体的にはＸＹ子テーブ
ルの中央部のほぼ真上には工業用テレビジョン（ＩＴＶ
）カメラ８か配置されている。このＩＴＶカメラ８は倍
率切換機構か備えられ、特に低倍率ではＩＴＶカメラ８
の視野内に半導体ウェハ２の全体が入りようになってい
る。このＩＴＶカメラ８の前面には吸収フィルタ９が配
置されている。この吸収フィルタ９は半導体ウェハ２に
励起光を照射したときに発生する螢光の波長のみを透過
する機能を有している。なお、この吸収フィルタ９はそ
の吸収機能がフィルタ切替器１０によりオン・オフする
ようになっている。Furthermore, above the XY child table, more specifically, almost directly above the center of the XY child table is an industrial television (ITV).
) Camera 8 is installed. This ITV camera 8 is equipped with a magnification switching mechanism, and especially at low magnification, the ITV camera 8
The entire semiconductor wafer 2 is placed within the field of view. An absorption filter 9 is arranged in front of this ITV camera 8. This absorption filter 9 has a function of transmitting only the wavelength of fluorescent light generated when the semiconductor wafer 2 is irradiated with excitation light. The absorption function of the absorption filter 9 is turned on and off by a filter switch 10.
ＩＴＶカメラ８からの出力される映像信号はＡ／Ｄ変換
器１１によりディジタル映像信号に変換されて画像処理
装置１２に送られている。A video signal output from the ITV camera 8 is converted into a digital video signal by an A/D converter 11 and sent to an image processing device 12.
この画像処理装置１２はディジタル映像信号を受けて半
導体ウェハ２の画像データとして内部の画像メモリに記
憶し、この画像データから半導体ウェハ２の表面上の螢
光状態を検出して半導体ウェハ２に対する現像工程まで
の処理状態から良品、不良品を判定する機能を有してい
る。又、この画像処理装置１２はハロゲンランプ６の白
色光が半導体ウェハ２に照射されているときの半導体ウ
ェハ２の画像データを記憶し、この画像データから半導
体ウェハ２に対する異物検査、レジストパターン検査及
びレジスト膜厚検査等を行う機能を有している。この画
像処理装置１２の判定結果は検査設定装置１３に送られ
ている。The image processing device 12 receives the digital video signal and stores it in an internal image memory as image data of the semiconductor wafer 2, detects the fluorescent state on the surface of the semiconductor wafer 2 from this image data, and performs development on the semiconductor wafer 2. It has the function of determining good and defective products based on the processing status up to the process. The image processing device 12 also stores image data of the semiconductor wafer 2 when the semiconductor wafer 2 is irradiated with white light from the halogen lamp 6, and performs foreign object inspection, resist pattern inspection, and the like on the semiconductor wafer 2 from this image data. It has functions such as resist film thickness inspection. The determination result of the image processing device 12 is sent to the test setting device 13.
この検査設定装置ｔ１３はＩＴＶカメラ８の倍率を半導
体ウェハ２全体が視野内に入る低倍率に設定する倍率指
令Ｆを送出するとともに水銀ランプ３の前面に配置され
たシャッタ機構５に対する開放指令を送出する機能を有
している。又、この検査設定装置１３は画像処理装置１
２の判定結果が良品であれば、水銀ランプ３のシャッタ
機構５を閉じる指令を送出するとともにハロゲンランプ
６のシャッタ機構７の開放指令を発しかっＩＴＶカメラ
８の倍率を低倍率又は高倍率に設定する倍率指令Ｆを送
出する機能を有している。尚、各シャッタ機構５．７の
開放及び閉じる各指令はシャッタ切換器１４に送られ、
このシャッタ切換器１４により各シャッタ機構５．７が
開閉駆動する。This inspection setting device t13 sends a magnification command F to set the magnification of the ITV camera 8 to a low magnification that allows the entire semiconductor wafer 2 to be within the field of view, and also sends an opening command to the shutter mechanism 5 disposed in front of the mercury lamp 3. It has the function of Further, this test setting device 13 is the image processing device 1
If the judgment result in step 2 is good, a command to close the shutter mechanism 5 of the mercury lamp 3 is sent, and a command to open the shutter mechanism 7 of the halogen lamp 6 is issued.The magnification of the ITV camera 8 is set to a low magnification or a high magnification. It has a function of sending out a magnification command F. Note that each command for opening and closing each shutter mechanism 5.7 is sent to the shutter switching device 14,
Each shutter mechanism 5.7 is driven to open and close by this shutter changer 14.
さらに検査設定装置１３はＩＴＶカメラ８を高倍率に設
定したときにＸＹ子テーブルの移動指令をテーブル駆動
回路１５に発する機能を有している。なお、この移動指
令はＩＴＶカメラ８の視野が半導体ウェハ２の全面に走
査されるような内容である。Furthermore, the inspection setting device 13 has a function of issuing a command to move the XY child table to the table drive circuit 15 when the ITV camera 8 is set to a high magnification. Note that this movement command is such that the field of view of the ITV camera 8 is scanned over the entire surface of the semiconductor wafer 2.
次に上記の如く構成された装置の作用について第２図に
示す検査流れ図を参照して説明する。Next, the operation of the apparatus constructed as described above will be explained with reference to the inspection flowchart shown in FIG.
ステップｓ１において検査設定装置１３はＩＴＶカメラ
８の倍率を半導体ウェハ２の全体が視野内に入る低倍率
に設定する倍率指令Ｆを送出するとともに水銀ランプ３
の前面に配置されたシャッタ機構５の開放指令を送出す
る。なお、このときハロゲンランプ６の前面に配置され
たシャッタ機構７は閉じている。これにより、水銀ラン
プ３から放射された光は励起フィルタ４を透過して励起
光のみとなり、この励起光が半導体ウェハ２に照射され
る。さらに、ステップｓ３においてフィルタ切換器１０
は吸収フィルタ９をオン状態とする。In step s1, the inspection setting device 13 sends a magnification command F to set the magnification of the ITV camera 8 to a low magnification that allows the entire semiconductor wafer 2 to be within the field of view, and also sends a magnification command F to the mercury lamp 3.
A command to open the shutter mechanism 5 disposed in front of the shutter mechanism 5 is sent out. Note that at this time, the shutter mechanism 7 arranged in front of the halogen lamp 6 is closed. As a result, the light emitted from the mercury lamp 3 passes through the excitation filter 4 and becomes only excitation light, and the semiconductor wafer 2 is irradiated with this excitation light. Furthermore, in step s3, the filter switching device 10
turns on the absorption filter 9.
次にステップｓ４においてＩＴＶカメラ８は吸収フィル
タ９を通して半導体ウェハ２の全体を撮像してその映像
信号を出力する。この映像信号はＡ／Ｄ変換器１１によ
りディジタル映像信号に変換されて画像処理装置１２に
送られる。Next, in step s4, the ITV camera 8 images the entire semiconductor wafer 2 through the absorption filter 9 and outputs the image signal. This video signal is converted into a digital video signal by the A/D converter 11 and sent to the image processing device 12.
この画像処理装［１２はディジタル映像信号を入力して
画像メモリに画像データとして記憶し、この画像データ
から半導体ウェハ２に生じる螢光の有無から半導体ウェ
ハ２に対する現像工程までの処理状態を判定する。すな
わち、半導体ウェハ２は現像後であるのでレジスト膜に
は所定のパターンが形成されている。従って、半導体ウ
ェハ２に螢光が全く認められなければ、半導体ウェハ２
に対する塗装忘れと判定し、又半導体ウェハ２の全面が
螢光に覆われていれば露光忘れと判定する。This image processing device [12] inputs a digital video signal and stores it in an image memory as image data, and from this image data determines the processing status of the semiconductor wafer 2 from the presence or absence of fluorescence generated on the semiconductor wafer 2 to the development process. . That is, since the semiconductor wafer 2 has been developed, a predetermined pattern is formed on the resist film. Therefore, if no fluorescence is observed on the semiconductor wafer 2, the semiconductor wafer 2
If the entire surface of the semiconductor wafer 2 is covered with fluorescent light, it is determined that exposure has been forgotten.
これら塗装忘れ、露光忘れはともに不良品として判定さ
れる。一方、半導体ウェハ２にポジ型レジストが形成さ
れている場合、励起光を照射したときに半導体ウェハ２
の全面が螢光で覆われていれば、露光忘れと判定する。Both of these cases of forgetting to paint and forgetting to expose are judged as defective products. On the other hand, if a positive resist is formed on the semiconductor wafer 2, when the excitation light is irradiated, the semiconductor wafer 2
If the entire surface is covered with fluorescent light, it is determined that exposure has been forgotten.
又、半導体ウェハ２にネガ型レジストが形成されている
場合、励起光を照射したときに半導体ウェハ２に螢光か
全く認められなければ、露光忘れと判定する。If a negative resist is formed on the semiconductor wafer 2, if no fluorescence is observed on the semiconductor wafer 2 when the excitation light is irradiated, it is determined that exposure has been forgotten.
しかして、半導体ウェハ２が不良品と判定されると、こ
の半導体ウェハ２は図示しないローダ機構により不良品
カセット内に収納される。そして、二の半導体ウェハ２
は不良となった原因追求が行われ、この半導体ウェハ２
に対する工程のやり直しが行われる。When the semiconductor wafer 2 is determined to be a defective product, the semiconductor wafer 2 is stored in a defective product cassette by a loader mechanism (not shown). And the second semiconductor wafer 2
The cause of the defect was investigated, and this semiconductor wafer 2
The process will be redone.
一方、半導体ウェハ２か良品と判定されると、この旨が
検査設定装置１３に送られる。この検査設定装置１３は
シャッタ機構５を閉じる指令を送出するとともにシャッ
タ機構７を開放する指令を送出する。又、検査設定装置
１３はＩＴＶカメラ８の倍率を続けて低倍率に設定する
。又、画像処理装置１２はフィルタ切換器１０に対して
フィルタオフの指令を発する。これにより、ハロゲンラ
ンプ６から放射された白色光は半導体ウエノ＼２に照射
される。この状態にＩＴＶカメラ８は半導体ウェハ２の
全体を撮像してその映像信号を出力する。この映像信号
はＡ／Ｄ変換器１１によりディジタル映像信号に変換さ
れて画像処理装置１２に送られる。On the other hand, if the semiconductor wafer 2 is determined to be non-defective, this fact is sent to the inspection setting device 13. The inspection setting device 13 sends out a command to close the shutter mechanism 5 and also sends out a command to open the shutter mechanism 7. Further, the inspection setting device 13 continues to set the magnification of the ITV camera 8 to a low magnification. Further, the image processing device 12 issues a command to the filter switch 10 to turn off the filter. As a result, the white light emitted from the halogen lamp 6 is irradiated onto the semiconductor wafer \2. In this state, the ITV camera 8 images the entire semiconductor wafer 2 and outputs the image signal. This video signal is converted into a digital video signal by the A/D converter 11 and sent to the image processing device 12.
この画像処理装置１２はディジタル映像信号を入力して
画像メモリに画像データとして記憶し、この画像データ
から半導体ウェハ２に対する異物検査、レジストパター
ン検査及びレジスト膜厚検査等を行う。そして。これら
検査の後、半導体ウェハ２に異物が無く、レジストパタ
ーンか正常で、さらにレジスト膜厚が適性であれば良品
と判定する。そして、良品と判定された半導体ウェハ２
は図示しないローダ機構により良品カセット内に収納さ
れ、次の工程に搬送される。又、半導体ウェハ２が不良
品と判定されると、この半導体ウェハ２はローダ機構に
より不良品カセット内に収納される。The image processing device 12 inputs a digital video signal and stores it in an image memory as image data, and performs foreign object inspection, resist pattern inspection, resist film thickness inspection, etc. on the semiconductor wafer 2 based on this image data. and. After these inspections, if the semiconductor wafer 2 has no foreign matter, the resist pattern is normal, and the resist film thickness is appropriate, it is determined to be a good product. Then, the semiconductor wafer 2 that was determined to be a good product
is stored in a non-defective cassette by a loader mechanism (not shown) and transported to the next process. Further, when the semiconductor wafer 2 is determined to be a defective product, the semiconductor wafer 2 is stored in a defective product cassette by the loader mechanism.
次に半導体ウェハ２が良品と判定されたときの別の作用
について説明する。この場合、検査設定袋！′１３は上
記同様にシャッタ機構５を閉じる指令を送出するととも
にシャッタ機構７を開放する指令を送出する。Next, another operation when the semiconductor wafer 2 is determined to be a good product will be explained. In this case, the inspection setting bag! '13 sends out a command to close the shutter mechanism 5 and also sends out a command to open the shutter mechanism 7, as described above.
さて、検査設定装置１３はＩＴＶカメラ８の倍率を高倍
率に設定し、かつテーブル移動指令を発する。そして、
画像処理装置１２はフィルタ切換器１０に対してフィル
タオフの指令を発する。これにより、ハロゲンランプ６
から放射された白色光は半導体ウェハ２に照射され、Ｉ
ＴＶカメラ８は高倍率で半導体ウェハ２を撮像する。こ
の状態にＸＹテーブル１は例えばＸ方向に移動し、次に
Ｙ方向にＩＴＶカメラ８の視野大きさの分だけ移動し、
次に再びＸ方向に移動する。以下、同様にＸＹテーブル
１は移動し、これによりＩＴＶカメラ８は半導体ウェハ
２の全面を走査して撮像する。Now, the inspection setting device 13 sets the magnification of the ITV camera 8 to a high magnification and issues a table movement command. and,
The image processing device 12 issues a command to the filter switch 10 to turn off the filter. As a result, the halogen lamp 6
The white light emitted from the semiconductor wafer 2 is irradiated with I
The TV camera 8 images the semiconductor wafer 2 at high magnification. In this state, the XY table 1 is moved, for example, in the X direction, then moved in the Y direction by the field of view size of the ITV camera 8,
Next, move in the X direction again. Thereafter, the XY table 1 moves in the same manner, and the ITV camera 8 thereby scans and images the entire surface of the semiconductor wafer 2.
このときにＩＴＶカメラ８から出力される映像信号はＡ
／Ｄ変換器１１によりディジタル映像信号に変換されて
画像処理装置１２に送られる。At this time, the video signal output from the ITV camera 8 is A
The signal is converted into a digital video signal by the /D converter 11 and sent to the image processing device 12.
この画像処理装置１２は上記同様に順次ディジタル映像
信号を入力して画像メモリに画像データとして記憶し、
この画像データから半導体ウェハ２に対する異物検査、
レジストパターン検査及びレジスト膜厚検査等を行う。This image processing device 12 sequentially inputs digital video signals in the same manner as described above and stores them as image data in an image memory.
From this image data, foreign matter inspection on the semiconductor wafer 2,
Performs resist pattern inspection, resist film thickness inspection, etc.
そして、これら検査の後、半導体ウェハ２に異物が無く
、レジストパターンが正常で、さらにレジスト膜厚が適
性であれば良品と判定する。そして、良品と判定された
半導体ウェハ２は図示しないローダ機構により良品カセ
ット内に収納され、次の工程に搬送される。After these inspections, if the semiconductor wafer 2 has no foreign matter, the resist pattern is normal, and the resist film thickness is appropriate, it is determined to be a good product. The semiconductor wafer 2 determined to be non-defective is stored in a non-defective cassette by a loader mechanism (not shown) and transported to the next process.
又、半導体ウェハ２が不良品と判定されると、この半導
体ウェハ２はローダ機構により不良品カセット内に収納
される。Further, when the semiconductor wafer 2 is determined to be a defective product, the semiconductor wafer 2 is stored in a defective product cassette by the loader mechanism.
このように上記一実施例においては、ＩＴＶカメラ８を
低倍率に設定するとともに励起光を半導体ウェハ２に照
射し、この状態の半導体ウェハ２の画像データから半導
体ウェハ２の表面上の螢光の状態によって半導体ウェハ
２に対する塗布忘れ・露光忘れなどの重大欠陥を判定し
、さらに半導体ウェハ２か良品と判定された場合に白色
光を半導体ウェハ２に照射して半導体ウェハ２の画像デ
ータから異物検査等を行うようにしたので、レジスト塗
布忘れや露光忘れ、現像忘れ等の検査を確実に行うこと
かでき、さらに続けて半導体ウェハ２に対する異物検査
、レジストパターン検査及びレジスト膜厚検査等ができ
る。そして、これら検査は自動にできる。又、ＩＴＶカ
メラ８を高倍率に設定して異物検査、レジストパターン
検査及びレジスト膜厚検査等の検査かできるので検査に
対する信頼性を向上できる。In this way, in the above embodiment, the ITV camera 8 is set to a low magnification and excitation light is irradiated onto the semiconductor wafer 2, and the fluorescence on the surface of the semiconductor wafer 2 is determined from the image data of the semiconductor wafer 2 in this state. Depending on the condition, serious defects such as forgetting to apply or forgetting to expose the semiconductor wafer 2 are determined, and if it is determined that the semiconductor wafer 2 is good, white light is irradiated onto the semiconductor wafer 2 to inspect for foreign objects from the image data of the semiconductor wafer 2. As a result, it is possible to reliably perform inspections such as forgetting to apply resist, forgetting to expose, forgetting to develop, etc., and furthermore, it is possible to perform foreign object inspection, resist pattern inspection, resist film thickness inspection, etc. on the semiconductor wafer 2. And these tests can be done automatically. Furthermore, since the ITV camera 8 can be set at high magnification to perform inspections such as foreign matter inspection, resist pattern inspection, and resist film thickness inspection, reliability of inspection can be improved.
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形しても良い。Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and may be modified without departing from the spirit thereof.
［発明の効果コ
以上詳記したように本発明によれば、レジスト塗布忘れ
等を短時間で確実に検査できるレジストパターン検査装
置を提供できる。[Effects of the Invention] As described in detail above, according to the present invention, it is possible to provide a resist pattern inspection apparatus that can reliably inspect for forgotten resist coating in a short period of time.
第１図は本発明に係わるレジストパターン検査装置の一
実施例の構成図、第２図は検査流れ図である。
１・・・ＸＹ子テーブル２・・・半導体ウェハ、３・・
・水銀ランプ、４・・・励起フィルタ、５．７・・・シ
ャッタ機構、６・・・ハロゲンランプ、８・・・ＩＴＶ
カメラ、９・・・吸収フィルタ、１０・・・フィルタ切
換器、１１・・・Ａ／Ｄ変換器、１２・・・画像処理装
置、１３・・・検査設定装置、１４・・・シャッタ切換
器、１５・・・テーブル駆動回路。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of a resist pattern inspection apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is an inspection flowchart. 1...XY child table 2...semiconductor wafer, 3...
・Mercury lamp, 4... Excitation filter, 5.7... Shutter mechanism, 6... Halogen lamp, 8... ITV
Camera, 9...Absorption filter, 10...Filter switch, 11...A/D converter, 12...Image processing device, 13...Inspection setting device, 14...Shutter switch , 15...Table drive circuit. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue
Claims (1)
れたレジストパターンを検査するレジストパターン検査
装置において、前記半導体ウェハの上方に配置された励
起用光源と、前記半導体ウェハの上方に配置された白色
光源と、前記半導体ウェハの上方に配置され倍率切換機
能を備えた撮像装置と、この撮像装置を前記半導体ウェ
ハ全体が視野内に入る倍率に設定するとともに前記励起
用光源からの励起光を前記半導体ウェハに照射する第１
検査設定手段と、この第１検査設定手段により設定され
た状態における前記撮像装置から出力される映像信号を
受けて前記半導体ウェハの画像データを記憶し、この画
像データ上の前記半導体ウェハ表面上の螢光の状態から
前記半導体ウェハに対する現像工程までの処理状態を判
定する判定手段と、この判定手段により前記半導体ウェ
ハが良品と判定された場合に前記励起光の照射を停止す
るとともに前記白色光源からの白色光を前記半導体ウェ
ハに照射しかつ前記撮像装置の倍率を任意に設定する第
２検査設定手段と、この第１検査設定手段により設定さ
れた状態における前記撮像装置から出力される映像信号
を受けて前記半導体ウェハの画像データを記憶し、この
画像データから前記半導体ウェハの表面検査を行う検査
手段とを具備したことを特徴とするレジストパターン検
査装置。A resist pattern inspection apparatus for inspecting a resist pattern formed on a semiconductor wafer after a development process in semiconductor manufacturing includes: an excitation light source disposed above the semiconductor wafer; a white light source disposed above the semiconductor wafer; , an imaging device disposed above the semiconductor wafer and having a magnification switching function; the imaging device is set to a magnification such that the entire semiconductor wafer is within the field of view; and excitation light from the excitation light source is applied to the semiconductor wafer. 1st to irradiate
inspection setting means; storing image data of the semiconductor wafer in response to a video signal output from the imaging device in the state set by the first inspection setting means; and storing image data of the semiconductor wafer on the image data. determining means for determining the processing state of the semiconductor wafer from the state of fluorescence to the development step; second inspection setting means for irradiating the semiconductor wafer with white light and arbitrarily setting the magnification of the imaging device; and a video signal output from the imaging device in the state set by the first inspection setting means. 1. A resist pattern inspection apparatus comprising: an inspection means for storing image data of the semiconductor wafer in response to the image data, and inspecting the surface of the semiconductor wafer from the image data.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214940A JPH0497512A (en) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | Resist pattern inspection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214940A JPH0497512A (en) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | Resist pattern inspection apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497512A true JPH0497512A (en) | 1992-03-30 |
Family
ID=16664092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2214940A Pending JPH0497512A (en) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | Resist pattern inspection apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0497512A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007528490A (en) * | 2004-03-05 | 2007-10-11 | オーボテック リミテッド | System and method for inspecting electrical circuits utilizing reflective and fluorescent images |
-
1990
- 1990-08-16 JP JP2214940A patent/JPH0497512A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007528490A (en) * | 2004-03-05 | 2007-10-11 | オーボテック リミテッド | System and method for inspecting electrical circuits utilizing reflective and fluorescent images |
| JP4879881B2 (en) * | 2004-03-05 | 2012-02-22 | オーボテック リミテッド | System and method for inspecting electrical circuits utilizing reflective and fluorescent images |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6822734B1 (en) | Apparatus and method for fabricating flat workpieces | |
| JPS60220940A (en) | Automatic examining unit for foreign object | |
| TW552655B (en) | Arrangement and method for detecting defects on a substrate in a processing tool | |
| JP4385419B2 (en) | Appearance inspection method and appearance inspection apparatus | |
| JP2001091469A (en) | Surface defect inspection device | |
| JP4002429B2 (en) | Exposure apparatus having foreign substance inspection function and foreign substance inspection method in the apparatus | |
| JPH0497512A (en) | Resist pattern inspection apparatus | |
| JPH09252035A (en) | Visual inspection method and device of semiconductor wafer | |
| JPH102865A (en) | Inspecting device of reticle and inspecting method therefor | |
| JPS61201107A (en) | Surface inspection method of transparent film | |
| JP2001118781A (en) | Method and device for inspecting resist coating process utilizing video sensor | |
| JP3076187B2 (en) | Appearance inspection device and appearance inspection method | |
| JPH0441497B2 (en) | ||
| JP3657076B2 (en) | Wafer macro inspection method and automatic wafer macro inspection apparatus | |
| JPS61207953A (en) | Automatic appearance inspecting device | |
| JPS6345541A (en) | Method and instrument for inspection | |
| JPH10267860A (en) | Foreign object inspecting apparatus | |
| JPH01248616A (en) | Surface defect inspecting device | |
| JPS59195645A (en) | Device for washing exposure mask | |
| JP3291591B2 (en) | Charged particle beam drawing exposure method and apparatus | |
| JPS62263646A (en) | Inspecting device for wafer | |
| JPH02215118A (en) | Aligner | |
| JPS622107A (en) | Thin film inspection and its apparatus | |
| JPH01137642A (en) | Surface defect inspection device | |
| JPH04366754A (en) | Resist image defect inspection device |